DE102010027875A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents

Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements Download PDF

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Abstract

Es handelt sich um ein Optoelektronisches Bauelement (1) zur Mischung von elektromagnetischer Strahlung mit verschiedenen Wellenlängen, insbesondere im Fernfeld. Auf einem Träger (2) ist mindestnes ein AlGaInP-Halbleiterchip (3) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung im roten Spektralbereich vorgesehen. Weiters ist auf dem Träger (2) mindestens ein InGaN-Halbleiterchip (4) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung im blauen Spektralbereich vorgesehen. Ein Teil der vom InGaN-Halbleiterchip (4) emittierten elektromagnetischen Strahlung wird durch ein Konversionsmittel (17) in den gelb-grünen Spektralbereich konvertiert wird. Der AlGaInP-Halbleiterchip (3) und der InGaN-Halbleiterchip (4) sind in einem einzigen Package angeordnet. Der AlGaInP-Halbleiterchip (3) ist vom InGaN-Halbleiterchip (4) durch eine Barriere (5) optisch getrennt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement zur Mischung von elektromagnetischer Strahlung verschiedener Wellenlängen. Darüber hinaus ist ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
  • Zur Erzeugung von warmweißem Licht können InGaN-Halbleiterchips mit AlGaInP-Halbleiterchips in unmittelbarer Nähe zu einander kombiniert werden. Dabei treten hohe Absorptionsverluste auf. Die AlGaInP-Halbleiterchips sind stark absorbierend für die von den InGaN-Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strahlung mit Wellenlängen kleiner als etwa 600 nm, also insbesondere im blauen Spektralbereich.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement vorzusehen, das die Absorptionsverluste minimiert.
  • Dieses Problem wird durch ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß den unabhängigen Patentansprüchen 1 bzw. 15 gelöst.
  • Weiterbildungen und vorteilhafte Ausgestaltungen des optoelektronischen Bauelements sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Beispielhafte Ausführungsformen
  • Verschiedene Ausführungsformen weisen ein optoelektronisches Bauelement zur Mischung von elektromagnetischer Strahlung mit verschiedenen Wellenlängen, insbesondere im Fernfeld auf. Auf einem Träger ist mindestens ein AlGaInP-Halbleiterchip zur Emission von elektromagnetischer Strahlung im roten Spektralbereich vorgesehen. Auf dem Träger ist zudem mindestens ein InGaN-Halbleiterchip zur Emission von elektromagnetischer Strahlung im blauen Spektralbereich vorgesehen. Ein Teil der vom InGaN-Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung wird durch ein Konversionsmittel in den gelb-grünen Spektralbereich konvertiert. Der AlGaInP-Halbleiterchip und der InGaN-Halbleiterchip sind in einem einzigen Package angeordnet. Der AlGaInP-Halbleiterchip ist vom InGaN-Halbleiterchip durch eine Barriere optisch getrennt.
  • Der Halbleitchip kann auf einem III–V-Verbindungshalbleitermaterial, insbesondere ein Nitridverbindungshalbleitermaterial wie Galliumnitrid (GaN) aufgewachsen sein.
  • Die Halbleiterchips weisen mindestens eine aktive Zone auf, die elektromagnetische Strahlung emittiert. Die aktiven Zonen können pn-Übergänge, Doppelheterostruktur, Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW), Einfach-Quantentopfstruktur (SQW) sein. Quantentopfstruktur bedeutet: Quantentöpfe (3-dim), Quantendrähte (2-dim) und Quantenpunkte (1-dim).
  • Vorzugsweise sind mehrere AlGaInP-Halbleiterchips und/oder mehrere InGaN-Halbleiterchips vorgesehen. Dies ist besonders vorteilhaft, da dadurch eine hohe optische Ausgangsleistung erreicht werden kann.
  • Die Anordnung der AlGaInP-Halbleiterchips und der InGaN-Halbleiterchips in einem Package ist besonders vorteilhaft, da dadurch eine gute Mischung der elektromagnetischen Strahlung im roten Spektralbereich mit der von den InGaN-Halbleiterchips ausgehend blauen und gelb-grünen Strahlung erreicht werden kann. Wegen der starken Absorption der AlGaInP-Halbleiterchips für elektromagnetische Strahlung mit Wellenlängen kleiner als etwa 600 nm ist es besonders vorteilhaft die AlGaInP- von den InGaN-Halbleiterchips durch eine Barriere zu trennen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform können die AlGaInP-Halbleiterchips im Zentrum des optoelektronischen Bauelements angeordnet werden.
  • Die InGaN-Halbleiterchips können ringförmig und/oder mit einer gleichmäßigen Chipdichte um die AlGaInP-Halbleiterchips angeordnet werden. Dies ist vorteilhaft, da dadurch eine gleichmäßige Leuchtdichte, insbesondere im Fernfeld, erreicht werden kann.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist um die InGaN-Halbleiterchips eine weitere Barriere angeordnet. Dies ist vorteilhaft, da dadurch ein ungewolltes Abfliessen von Vergußmaterial nach Aussen verhindert werden kann. Ein Vergussmaterial dient zum Schutz der Kontaktdrähte, vor allem aber zum Steigern der Effizienz der Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung. Die Effizienz mit Vergussmaterial kann gegenüber der Effizienz ohne Vergussmaterial um bis zu 80% gesteigert werden.
  • Die AlGaInP-Halbleiterchips im Zentrum sind mit einem ersten Vergussmaterial vergossen. Als Vergussmaterial kann Silikon oder Epoxidharz verwendet werden. Die Barriere um die AlGaInP-Halbleiterchips dient dabei auch als Fließstop für das erste Vergussmaterial. Das erste Vergussmaterial enthält möglichst wenige Streuzentren. Das rote Licht soll ohne eine Wellenlängenkonversion möglichst vollständig das erste Vergussmaterial verlassen. Insbesondere enthält das erste Vergussmaterial kein Phosphor.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform sind die InGaN-Halbleiterchips mit einem zweiten Vergussmaterial, insbesondere aus Silikon, in Form eines planaren Volumenvergusses vergossen. Das zweite Vergussmaterial enthält ein Konversionsmittel, insbesondere ein Phosphor. Durch das Konversionsmittel wird ein Teil der von den InGaN-Halbleiterchips emittierten elektromagnetischen Strahlung aus dem blauen Spektralbereich, in elektromagnetische Strahlung im gelb-grünen Spektralbereich umgewandelt.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform überspannt eine halbkugelförmige Auskoppellinse die AlGaInP-Halbleiterchips. Mit anderen Worten bedeckt die Auskoppellinse die Fläche die von der Barriere um die AlGaInP-Halbleiterchips eingeschlossen ist.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform erfüllt die Geometrie der Auskoppellinse die sogenannte Weierstraßbedingung. Diese Bedingung fordert, dass das Verhältnis des Radius der kreisförmigen Fläche auf der die AlGaInP-Halbleiterchips angeordnet sind zum Radius der Auskoppellinse dem Verhältnis des Brechungsindex ausserhalb der Auskoppellinse zum Brechungsindex innerhalb der Auskoppellinse entspricht. Diese Bedingung kann formelmäßig so angegeben werden: RadiusFläche/RadiusLinse ≤ Brechungsindexausserhalb/BrechunsgindexLinse
  • Als Brechungsindex ausserhalb der Auskoppellinse wird der Brechungsindex von Luft, also 1, angenommen. Die Auskoppellinse kann aus hochbrechendem Glas bestehen, mit einem Brechungsindex von 1,5. Dies ergibt folgende Bedingung: RadiusFläche/RadiusLinse ≤ 1/1,5 = 2/3.
  • Besteht die Auskoppellinse aus herkömmlichem Silikon beträgt der Brechungsindex 1,4. Besteht die Auskoppellinse aus hochbrechendem Silikon beträgt der Brechungsindex 1,54. Auch andere Vergussmaterialien sind für die Auskoppellinse einsetzbar.
  • Der Einfachheit halber kann als Brechungsindex für obige Vergussmaterialien der Wert 1,5 angenommen werden.
  • Wenn die Weierstrassbedinung erfüllt ist, wird die an dem Übergang Auskoppellinse zu Luft stattfinde Totalreflexion minimiert. Dies ist besonders vorteilhaft, da damit die Auskoppelverluste verringert werden.
  • Um die Weierstrassbedingung zu erfüllen, können die AlGaInP-Halbleiterchips nicht beliebig nahe an der Barriere angeordnet werden, sondern müssen möglichst zentral angeordnet sein.
  • Vorzugsweise kann die Auskoppellinse aufgeklebt werden oder durch den Vergußvorgang selbst erzeugt werden.
  • Ist die Weierstrassbedingung erfüllt, ergibt sich für die von den AlGaInP-Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strahlung ein Lambertsches Fernfeld.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform sind die InGaN-Halbleiterchips als Volumenemitter, insbesondere als Saphirchips, ausgeprägt.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform sind die InGaN-Halbleiterchips als Oberflächenemitter, insbesondere als Dünnfilmchips, ausgebildet. Die Oberflächenemitter sind mindestens teilweise in einem hochreflektiven Material, insbesondere einem TiO2 gefüllten Silikon, angeordnet. Alternativ kann das Silikon auch mit ZrO2, Al2O3 oder ZnO gefüllt sein. Die InGaN-Halbleiterchips sind bis zur Höhe der Epitaxie in das weisse Silikon eingebettet. Dies ist besonders vorteilhaft, da dadurch eine Reflektivität von bis zu 95% erreicht werden kann. Zum Vergleich ist der Träger hochabsorbierend und der InGaN-Halbleiterchip selbst weist eine Reflektivität von nur etwa 85% auf.
  • Auf die Schicht aus TiO2 gefülltem Silikon erfolgt ein planarer Konversionsverguss mit dem zweiten Vergussmaterial. Solche planaren Konversionsvergüsse ermöglichen ein Lambertsches Abstrahlprofil der emittierten elektromagnetischen Strahlung.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Barriere ringförmig ausgebildet. Dies ist vorteilhaft, da dadurch eine Mischung der elektromagnetischen Strahlung nicht erst im Fernfeld sondern bereits nach einigen Zentimetern erfolgt. Dies kann zum Beispiel auf einer matten Fläche erfolgen.
  • Auch die weitere Barriere kann ringförmig ausgebildet sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform können die Barrieren eine Höhe zwischen etwa 200 μm und etwa 2 mm, vorzugsweise eine Höhe von etwa 500 μm, aufweisen. Dies ist vorteilhaft, da damit vermieden wird, dass elektromagnetische Strahlung der InGaN-Halbleiterchips von den AlGaInP-Halbleiterchips absorbiert wird.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Barrieren hochreflektiv. Eine Reflektivität von größer 90%, vorzugsweise von größer 95%, ist realisierbar. Als Material für die Barrieren kann PBT (Polybutylenterephthalat) verwendet werden, das mit TiO2, ZrO2, Al2O3 oder ZnO gefüllt ist. Die hohe Reflektivität der Barriere ist besonders vorteilhaft, da dadurch die Absorptionsverluste in den Barrieren minimiert werden.
  • Verschiedene Ausführungsformen weisen ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements zur Mischung von elektromagnetischer Strahlung mit verschiedenen Wellenlängen, insbesondere im Fernfeld, auf. Folgende Verfahrensschritte können angewendet werden: Zunächst wird mindestens ein AlGaInP-Halbleiterchip und mindestens ein InGaN-Halbleiterchip auf einem Träger angeordnet. Der AlGaInP-Halbleiterchip und der InGaN-Halbleiterchip werden in einem Package angeordnet. Über und/oder um den InGaN-Halbleiterchip wird ein Konversionsmittel angeordnet. Anschliessend wird eine Barriere zwischen dem mindestens einen AlGaInP-Halbleiterchip und dem mindestens einen InGaN-Halbleiterchip angeordnet.
  • Alternativ kann die Barriere schon vor dem Anordnen der Halbleiterchips vorhanden sein. Hierfür kommen insbesondere Premold-Packages in Frage.
  • Die Barriere dient der vollständigen optischen Trennung des Bereichs mit AlGaInP-Halbleiterchips von dem Bereich mit InGaN-Halbleiterchips.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Verschiedene Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Lösung werden im Folgenden anhand der Zeichnungen näher erläutert.
  • 1 zeigt eine 3-dimensionale Ansicht eines Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements;
  • 2 zeigt eine Schnittansicht eines ersten Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements;
  • 3 zeigt eine Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements;
  • 4 zeigt eine Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements
  • 5 zeigt eine 3-dimensionale Ansicht eines Ausschnitts eines Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements
  • AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • 1 zeigt eine 3-dimensionale Anfsicht auf ein optoelektronisches Bauelement 1. Das optoelektronische Bauelement 1 dient zur Mischung von elektromagnetischer Strahlung mit verschiedenen Wellenlängen, insbesondere im Fernfeld. Auf einem Träger 2 sind AlGaInP-Halbleiterchips 3 zur Emission von elektromagnetischer Strahlung im roten Spektralbereich vorgesehen. Ebenso sind auf dem Träger 2 InGaN-Halbleiterchips 4 zur Emission von elektromagnetischer Strahlung im blauen Spektralbereich vorgesehen. Ein Teil der von den InGaN-Halbleiterchips 4 emittierten elektromagnetischen Strahlung wird durch ein Konversionsmittel 17 in den gelb-grünen Spektralbereich konvertiert. Die AlGaInP-Halbleiterchips 3 und die InGaN-Halbleiterchips 4 sind in einem einzigen Package angeordnet. Die AlGaInP-Halbleiterchips 3 sind von den InGaN-Halbleiterchips 4 durch eine Barriere 5 optisch getrennt. Die AlGaInP-Halbleiterchips 3 sind im Zentrum des optoelektronischen Bauelements angeordnet. Die InGaN-Halbleiterchips 4 sind ringförmig und/oder mit einer gleichmäßigen Chipdichte um die AlGaInP-Halbleiterchips 3 angeordnet. Um die InGaN-Halbleiterchips 4 ist eine weitere Barriere 8 angeordnet. Die AlGaInP-Halbleiterchips 3 sind mit einem ersten Vergussmaterial 7, insbesondere Silikon oder Epoxidharz, vergossen.
  • Die InGaN-Halbleiterchips 4 sind mit einem zweiten Vergussmaterial 9, insbesondere Silikone, in Form eines planaren Volumenvergusses vergossen.
  • Das zweite Vergussmaterial 9 weist ein Konversionsmittel 17, insbesondere ein Phosphor, auf.
  • Eine halbkugelförmige Auskoppellinse 6, deren Geometrie die Weierstraßbedingung erfüllt, überspannt die AlGaInP-Halbleiterchips 3.
  • Die Barriere 5 und die weitere Barriere 8 sind ringförmig ausgebildet
  • Die Halbleiterchips 3, 4 sind über elektrische Kontaktierungen und Leiterbahnen 10 mit (nicht gezeigten) Stromquellen verbunden.
  • 2 zeigt ein optoelektronisches Bauelement 1 mit mehreren InGalP-Halbleiterchips 3, die im Zentrum des optoelektronischen Bauelements 1 angeordnet sind. Die InGalP-Halbleiterchips 3 sind mit einem ersten Vergussmaterial 7 vergossen. Es handelt sich um einen planaren Verguss der mit der Barriere 5 bündig abschliesst.
  • Die InGaN-Halbleiterchips 4 sind als Volumenemitter 4a, insbesondere als Saphirchips, ausgestaltet. Die Volumenemitter sind mit einem zweiten Vergussmaterial 9 vollvergossen. Im Verguss 9 sind näherungsweise homogen Konversionsmittel 17 eingebracht. Es handelt sich um einen planaren Verguss der zwischen Barriere 5 und Barriere 8 bündig abschliesst.
  • Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorigen Ansprüche, wobei die Barriere 5 und/oder die weitere Barriere 8 eine Höhe zwischen etwa 200 μm und etwa 2 mm, vorzugsweise eine Höhe von etwa 500 μm, aufweisen/t.
  • Die Barriere 5 und/oder die weitere Barriere 8 sind hochreflektiv, mit einer Reflektivität von größer 90%, vorzugsweise von größer 95%.
  • Die Auskoppellinse 6 erfüllt die Weierstrassbedingung. Dies bedeutet, dass der Radius 13 der Auskoppellinse 6 und der Radius 12 der Emissionsfläche in folgendem Verhältnis zueinander stehen: RadiusFläche/RadiusLinse ≤ Brechungsindexausserhalb/BrechungsindexLinse
  • Der Brechungsindex ausserhalb ist 1. Der Brechungsindex der Linse wird mit 1,5 angenommen.
  • 3 entspricht weitgehend der 2. Im Gegensatz zu 2 zeigt 3 ein Ausführungsbeispiel bei dem die InGaN-Halbleiterchips als Oberflächenemitter 4b, insbesondere als Dünnfilmchips, ausgebildet sind. Die Oberflächenemitter 4b sind in einem hochreflektiven Material 11, insbesondere einem TiO2 gefüllten Silikon, eingebettet. Darauf ist ein zweites Vergussmaterial 9 vergossen. Im Vergussmaterial sind die Konversionsmittel 17 eingebracht.
  • 4 entspricht weitgehend der 2. Im Gegensatz zu 2 zeigt 4 ein Ausführungsbeispiel bei dem im Bereich der AlGaInP-Halbleiterchips 3 der Träger 2 zwischen den AlGaInP-Halbleiterchips 3 mit einem dritten Vergußmaterial 18 ausgekleidet ist. Als drittes Vergußmaterial 18 kann ein weißer, TiO2 gefüllter, Verguß eingesetzt werden. Durch das dritte Vergußmaterial 18 wird erreicht, dass aus dem Bereich der InGaN-Halbleiterchips 4 in die Auskoppellinse 6 über dem Bereich der AlGaInP-Halbleiterchips 3 eingekoppeltes Streulicht effizient reflektiert wird.
  • 5 zeigt den Ausschnitt von 2 und 3 der den Bereich zeigt, der von der Barriere 5 eingeschlossen wird. Der von der Barriere 5 eingeschlossene Bereich bildet eine kreisförmig Emissionsfläche 14. Diese Emissionsfläche 14 hat einen Radius 12. Über der Emissionsfläche 14 ist die halbkugelförmige Linse 6 aufgespannt. Die halbkugelförmige Linse 6 hat einen Radius 13. Die Linse 6 weist einen Brechungsindex 15 von etwa 1,5 auf. Ausserhalb der Linse 6 wird der Brechungsindex von Luft, nämlich 1, angenommen. Die beiden Radien 12 und 13 sind so gewählt, dass die Weierstrassbedingung erfüllt ist.
  • Das optoelektronische Bauelement wurde zur Veranschaulichung des zugrundeliegenden Gedankens anhand einiger Ausführungsbeispiele beschrieben. Die Ausführungsbeispiele sind dabei nicht auf bestimmte Merkmalskombinationen beschränkt. Auch wenn einige Merkmale und Ausgestaltungen nur im Zusammenhang mit einem besonderen Ausführungsbeispiel oder einzelnen Ausführungsbeispielen beschrieben wurden, können sie jeweils mit anderen Merkmalen aus anderen Ausführungsbeispielen kombiniert werden. Es ist ebenso denkbar, in Ausführungsbeispielen einzelne dargestellte Merkmale oder besondere Ausgestaltungen wegzulassen oder hinzuzufügen, soweit die allgemeine technische Lehre realisiert bleibt.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    optolektronisches Bauelement
    2
    Träger
    3
    AlGaInP-Halbleiterchip
    4
    InGaN-Halbleiterchip
    4a
    InGaN-Volumenemitter (Saphirchip)
    4b
    InGaN-Oberflächenemitter (Dünnfilmchip)
    5
    Barriere
    6
    Auskoppellinse
    7
    erstes Vergussmaterial (ohne Konversionsmittel)
    8
    weitere Barriere
    9
    zweites Vergussmaterial (mit Konversionsmittel)
    10
    elektrische Kontaktierungen und Leiterbahnen
    11
    hochreflektives Material (weisses Silikon)
    12
    Radius der Emissionsfläche
    13
    Radius der Auskoppellinse
    14
    Emissionsfläche (kreisförmig)
    15
    Brechungsindex der Auskoppellinse
    16
    Brechungsindex ausserhalb der Auskoppellinse
    17
    Konversionsmittel
    18
    drittes Vergußmaterial, weiß, TiO2 gefüllt

Claims (15)

  1. Optoelektronisches Bauelement (1) zur Mischung von elektromagnetischer Strahlung mit verschiedenen Wellenlängen, insbesondere im Fernfeld, mit: – einem Träger (2), – mindestens einem auf dem Träger (2) vorgesehenen AlGaInP-Halbleiterchip (3) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung im roten Spektralbereich, – mindestens einem auf dem Träger (2) vorgesehenen InGaN-Halbleiterchip (4) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung im blauen Spektralbereich, – wobei ein Teil der vom InGaN-Halbleiterchip (4) emittierten elektromagnetischen Strahlung durch ein Konversionsmittel (17) in den gelb-grünen Spektralbereich konvertiert wird, – wobei der AlGaInP-Halbleiterchip (3) und der InGaN-Halbleiterchip (4) in einem einzigen Package angeordnet sind, – wobei der AlGaInP-Halbleiterchip (3) vom InGaN-Halbleiterchip (4) durch eine Barriere (5) optisch getrennt ist.
  2. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1, wobei mehrere AlGaInP-Halbleiterchips (3) und/oder mehrere InGaN-Halbleiterchips (4) vorgesehen sind.
  3. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 2, wobei die AlGaInP-Halbleiterchips (3) im Zentrum des optoelektronischen Bauelements angeordnet sind.
  4. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei die InGaN-Halbleiterchips (4) ringförmig und/oder mit einer gleichmäßigen Chipdichte um die AlGaInP-Halbleiterchips (3) angeordnet sind.
  5. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei um die InGaN-Halbleiterchips (4) eine weitere Barriere (8) angeordnet ist.
  6. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei die AlGaInP-Halbleiterchips (3) mit einem ersten Vergussmaterial (7), insbesondere Silikon oder Epoxidharz, vergossen sind.
  7. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei die InGaN-Halbleiterchips (4) mit einem zweiten Vergussmaterial (9), insbesondere Silikone, in Form eines planaren Volumenvergusses vergossen sind.
  8. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 7, wobei das zweite Vergussmaterial (9) ein Konversionsmittel (17), insbesondere ein Phosphor, aufweist.
  9. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 2 bis 8, wobei eine halbkugelförmige Auskoppellinse (6), deren Geometrie insbesondere die Weierstraßbedingung erfüllt, die AlGaInP-Halbleiterchips (3) überspannt.
  10. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 2 bis 9, wobei die InGaN-Halbleiterchips (4) als Volumenemitter (4a), insbesondere als Saphirchips, und/oder als Oberflächenemitter (4b), insbesondere als Dünnfilmchips, ausgebildet sind.
  11. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 10, wobei die Oberflächenemitter (4b) mindestens teilweise in einem hochreflektiven Material (11), insbesondere einem TiO2, ZrO2, Al2O3 oder ZnO gefüllten Silikon, angeordnet sind.
  12. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorigen Ansprüche, wobei die Barriere (5) und/oder die weitere Barriere (8) ringförmig ausgebildet sind/ist.
  13. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorigen Ansprüche, wobei die Barriere (5) und/oder die weitere Barriere (8) eine Höhe zwischen etwa 200 μm und etwa 2 mm, vorzugsweise eine Höhe von etwa 500 μm, aufweisen/t.
  14. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorigen Ansprüche, wobei die Barriere (5) und/oder die weitere Barriere (8) hochreflektiv, mit einer Reflektivität von größer 90%, vorzugsweise von größer 95%, sind/ist.
  15. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements zur Mischung von elektromagnetischer Strahlung mit verschiedenen Wellenlängen, insbesondere im Fernfeld, mit folgenden Verfahrensschritten: – Anordnen mindestens eines AlGaInP-Halbleiterchips (3) auf einem Träger (2), – Anordnen mindestens eines InGaN-Halbleiterchips (4) auf einem Träger (2), wobei der AlGaInP-Halbleiterchip (3) und der InGaN-Halbleiterchip (4) in einem Package angeordnet werden – Anordnen eines Konversionsmittels (17) über und/oder um den InGaN-Halbleiterchip, – Anordnen einer Barriere (5) zwischen dem AlGaInP-Halbleiterchip (3) und dem InGaN-Halbleiterchip (4) zur optischen Trennung.
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