WO2012007165A1 - Method and device for the plasma treatment of flat substrates - Google Patents

Method and device for the plasma treatment of flat substrates Download PDF

Info

Publication number
WO2012007165A1
WO2012007165A1 PCT/EP2011/003516 EP2011003516W WO2012007165A1 WO 2012007165 A1 WO2012007165 A1 WO 2012007165A1 EP 2011003516 W EP2011003516 W EP 2011003516W WO 2012007165 A1 WO2012007165 A1 WO 2012007165A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
temperature
electrode
support surface
plasma treatment
Prior art date
Application number
PCT/EP2011/003516
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Michael Geisler
Günter GRABOSCH
Arndt Zeuner
Thomas Merz
Rudolf Beckmann
Original Assignee
Leybold Optics Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold Optics Gmbh filed Critical Leybold Optics Gmbh
Publication of WO2012007165A1 publication Critical patent/WO2012007165A1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature

Definitions

  • the invention relates to a device and a method for plasma treatment of a flat substrate, each according to the preamble of the independent claims.
  • An apparatus for plasma treatment of flat substrates is known for example from EP 2 147 452, wherein a plasma is generated between an electrode and a counter electrode, between which the substrate to be treated is introduced. Via a gas distributor integrated in the electrode, reaction gas between electrode and
  • reaction gas can uniformly act on the area of the substrate surface to be treated.
  • the distance between the surface of the substrate and the electrode during the plasma treatment keep constant with only small tolerances, for example, to a value of 10 mm +/- 1 mm. For example, at a
  • the substrate must during the
  • the object of the present invention is to achieve an improved quality of a plasma-treated substrate surface.
  • the flat substrates are preferably made of a glass, metal, plastic or ceramic material. It is understood that pretreated in some way
  • Electrodes are covered by the invention.
  • the electrode and counterelectrode form plates of a parallel plate reactor.
  • the electrode AC voltage having at least one frequency component in a range between 1 MHz (megahertz) and 200 MHz to which the electrode and counter electrode are applied.
  • the counter electrode is hereinafter referred to the electrode, which in the
  • the mean temperature is understood to mean an arithmetically averaged temperature over the respective area over a time interval of at least 60 seconds.
  • the inventive setting an increased temperature of the back surface of the substrate opposite to the front surface of the substrate, a curvature of the substrate during the plasma treatment can be controlled, since the on the
  • Substrate front side or rear side acting overall performance can be kept the same or approximately the same.
  • the power applied to the front surface is determined by the thermal radiation power of the electrode and the plasma power during the plasma treatment, while the power applied to the back surface is determined solely by the thermal coupling of the substrate with the plasma
  • Temperature control is determined in the region of the counter electrode.
  • the power consumption on the back surface depends mainly on the thermal
  • the mechanical bias in the substrate can be achieved by setting different temperatures on the front and back surfaces of the substrate, respectively, since then the front surface expands laterally less than the back surface of the substrate, which increases at a front side surface
  • Substrate seen from the direction of the electrode leads, if not counteracted by appropriate measures.
  • the edge sides of the substrate then have a larger distance to the support surface than lying closer to the center of the substrate areas. If a force is applied to the edge sides of the substrate, the edge sides are approximated to the bearing surface.
  • the application of the edge sides serves to generate a force holding the substrate with its rear side surface against the support surface, which leads to a substantially flat contact of the substrate on the support surface and the thermally generated mechanical
  • Pretension in the substrate increases the pressure force against the support surface.
  • the substrate is fixed in the regions of the edge sides, with which the substrate is held on the support surface, advantageously using hold-downs associated with the edge sides of the substrate with which the substrate edges are pressed down. This ensures on the one hand that the disc is not bent; On the other hand, it is ensured that there is good thermal and mechanical contact between substrate and support surface.
  • a temperature difference T RS - T V s greater than 0.5 K is set by means of the temperature control, wherein TRS is an average temperature of the back surface of the substrate and T V s an average temperature of
  • Designated front side surface of the substrate As the average temperature, here is one over at least 80% of the back surface or front surface of the substrate
  • Temperature differences T RS - T V s of 1, 0 K, 1, 5 K, 2.0 K, 2.5 K, 3, OK or more can be set and that the selected temperature difference T RS - T V s of
  • Substrate material, the substrate thickness, the lateral extent of the substrate, its breaking strength and other parameters is dependent, which can be readily determined by the person skilled in the art.
  • the temperature difference is chosen so that the thermally generated mechanical bias flatly presses the substrate against the support surface without the substrate undergoing breakage during the plasma treatment.
  • a temperature difference T ⁇ - T vs with 3, OK> T ⁇ - T vs > 0.5K is preferred.
  • the thermal stress of the substrate can be kept low and, for example, both microcrystalline and amorphous silicon can be deposited in a PECVD process.
  • the plasma treatment is carried out at a temperature T G between 20 ° C and 300 ° C and / or a temperature T E between 20 ° C and 300 A C (preferably 100 ° C)
  • an advantageous temperature of the front or back surface of the substrate in particular a temperature difference T rs - T vs be set with 3, OK> T rs - T vs > 0.5K.
  • TG denotes a mean temperature of the counter electrode and T E an average temperature of the electrode.
  • Rear side surface of the substrate can be brought to a corresponding temperature.
  • Another embodiment of the invention is characterized in that in the Area between the back surface of the substrate and support surface hydrogen and / or helium gas with a process partial pressure between 0.1 mbar and 250 mbar, preferably 20 mbar is initiated, whereby a high thermal coupling between the substrate and support surface can be achieved.
  • Plasma treatment at electrode and counter electrode an RF power in a range between 0.1 kW / m2 and 20 kW / m2 is applied, whereby a plasma treatment for the production of amorphous or microcrystalline, N- or P- or intrinsic silicon thin films is possible.
  • the substrate can be arranged between an electrode of a planar charging surface, which is assigned to a counterelectrode and faces with its front side of the electrode and with its rear side of the support surface, are provided
  • a device for the thermal generation of a mechanical bias in the substrate which corresponds to a seen from the direction of the electrode concave curvature of the substrate with spaced from the support surface edge sides of the substrate by means of temperature control of the front and / or back of the substrate
  • the holding means may be formed finger-like or frame-like.
  • the holding means may be mechanically connected to the counter electrode, but at the same time electrically and / or thermally insulated from this.
  • the holding means may be formed finger-like or frame-like.
  • the holding means may be mechanically connected to the counter electrode, but at the same time electrically and / or thermally insulated from this.
  • Holding means may be formed as hold-down and allow the application of the edge sides with local forces to achieve a flat concern of the back surface of the substrate on the support surface and perform.
  • an embodiment of the at least one hold-down device which permits a lateral expansion of the substrate after applying the edge sides by means of local forces by means of the at least one hold-down, is possible.
  • the hold-down may have a, preferably elastic suspension or be designed with play against the side edges in a low temperature range (for example, 20 ° C) of the substrate.
  • an embodiment of the means for holding the substrate is provided which, during the plasma treatment, provides an orientation of the substrate at an angle to the vertical in a range between 3 ° and 30 ° with the front surface downwards. This will be a high
  • Gravity be oriented away from the substrate surface.
  • Curvature of the substrate with spaced from the support surface edge sides of the substrate corresponds by means of temperature control of the front and / or back of the substrate
  • At least 80% of the rear side surface of the substrate can be brought to an increased average temperature with respect to the front side surface of the substrate during the plasma treatment.
  • temperature control means are to be considered various parameters of the plasma treatment, in particular the surface of electrode and counter electrode, the electrode applied to the electrode and counter electrode RF power, the total power consumption of the substrate and its front surface, familiar to those skilled in the art Methods, for example, experimentally, by simulation and / or theoretical calculations can be considered.
  • the inventive design of the temperature control allows to control a curvature of the substrate during the plasma treatment, as already described above.
  • Temperature control of the temperature control is designed for the thermal generation of a mechanical bias in the substrate, which corresponds to a seen from the direction of the electrode concave curvature of the substrate.
  • a further embodiment of the invention is characterized in that means are provided for acting on edge sides of the substrate with a force for generating a force holding the substrate with its rear side surface against the support surface, wherein a precise positioning of the substrate and thus also with large-area substrates largely the same distance between
  • Substrate front surface and the electrode surface can be achieved, since the substrate rests flat on the support surface.
  • tempering means additionally arranged in the region of the electrode, a more precise adjustment of the total power consumption of the substrate during the
  • Plasma treatment can be achieved.
  • a further embodiment of the invention is characterized in that the bearing surface can be tempered by means of the temperature control means arranged in the region of the counterelectrode, with which thermal power can be coupled into the substrate via the backside surface of the substrate in a particularly simple manner. Additionally or alternatively, by means of arranged in the region of the electrode
  • Tempering be tempered in the region between the electrode and the counter electrode gas distributor, whereby the thermal power consumption of the substrate to be influenced on the substrate front side and a high stability of the gas distributor against thermally induced deformations can be achieved.
  • the temperature control means are provided with channels through which a Tempering liquid, preferably an oil fluid can flow.
  • a Tempering liquid preferably an oil fluid can flow.
  • the temperature control for example, associated with the electrode and / or counter electrode are
  • Circulators are kept at a constant temperature.
  • Temperier in the temperature control is designed to set a
  • T rs denotes a mean temperature of the back surface of the substrate and T vs an average temperature of the front surface of the substrate.
  • Temperier the temperature control is designed for plasma treatment at a temperature T ⁇ between 20 ° C and 300 ° C and / or a Termperatur T vs between 20 ° C and 300 ° C and / or at a temperature TG between 20 ° C and 300 ° C. and / or a temperature T E between 20 ° C and 100 ° C, where TG denotes a mean temperature of the counter electrode and T E denotes an average temperature of the electrode.
  • Counter electrode can be applied RF power in a range between 0.1 kW / m2 and 20 kW / m2.
  • Support surface in a range of at least 80% of a roughness R a and / or has a ripple, with which, in particular in the area between the back surface of the substrate and the support surface introduced hydrogen and / or helium gas, preferably at a process partial pressure between 0.1 mbar and 250 mbar effective thermal coupling between substrate and support surface can be achieved.
  • Fig. 1 shows a longitudinal section through an inventively to be cleaned device for plasma treatment of a substrate
  • Fig. 2 shows a section through a flat substrate at different temperatures of the front and back.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a device 1 designed as a reactor for treating flat substrates 2.
  • the reactor may in particular be designed as a PECVD reactor.
  • the reactor 1 comprises a process chamber 3 with an electrode 4 and a counter electrode 5 for generating a plasma, by means of which a surface of a substrate 2 can be treated, in particular coated.
  • the electrodes 4, 5 are designed as large-area metal plates and can for generating an electric field to a (not shown in Figure 1) voltage source, preferably a high-frequency supply source with an excitation frequency between 1 mHz and 200 MHz, preferably 13.56 MHz, connected become.
  • an RF power in a range between 0.1 kW / m2 and 20 kW / m2 can be applied to the electrodes 4, 5.
  • the substrate 2 is preferably as in EP 2 147 452 A1
  • the reactor 1 is designed for treating large flat substrates
  • the reactor 1 is suitable for carrying out processing steps in the production of
  • high-efficiency thin-film solar modules for example, for amorphous or
  • microcrystalline silicon thin-film solar cells are microcrystalline silicon thin-film solar cells.
  • the two electrodes 4, 5 form two opposite walls of the process chamber 3.
  • the process chamber 3 is arranged in a vacuum chamber 7 with an evacuable housing 8 having an opening 10 for on and
  • the chamber opening 10 is through a
  • Closing device 9 closed vacuum-tight.
  • seals 11 are provided.
  • the vacuum chamber 7 may have any spatial form and may in particular have a round or rectangular cross-section.
  • the embedded in the vacuum chamber 7 process chamber 3 may in particular the shape of a flat cylindrical disk or a flat cuboid. It is understood that the invention also different
  • Embodiments in which the process chamber itself is a vacuum chamber are encompassed by the invention.
  • the electrode 4 is arranged in a holding structure 37 in the vacuum chamber 7, which is formed in the embodiment of FIG. 1 of the housing rear wall 19.
  • the electrode 4 is accommodated in a recess 38 of the housing rear wall 19 and separated from it by a dielectric 20.
  • the counterelectrode 5 covers the recess 38 of the holding structure 37 during the execution of the treatment in such a way that a gap 25 is formed between the edge region 23 of the counterelectrode 5 and an edge region 24 of the recess 38.
  • the gap 25 has a width of the
  • the gap width is dimensioned in such a way that, on the one hand during the execution of the treatment, a plasma can be kept inside the process chamber 3, but on the other hand, no too large pressure gradient is built up between the process chamber 3 and the remaining interior of the vacuum chamber 7.
  • the reactive gas is supplied from a source via a supply channel 13 to a gas distributor 15, from which it flows into the process chamber 3.
  • the gas distributor 15 in the present embodiment comprises a gas space 16 which at the
  • Counter-electrode 5 side facing a gas outlet plate 17 which is provided with a plurality of outlet openings (not shown) for gas passage.
  • a gas outlet plate 17 which is provided with a plurality of outlet openings (not shown) for gas passage.
  • the substrate 2 is arranged on a particularly planar substrate support surface 5a during the plasma treatment.
  • the support surface 5a is integrated into the counter electrode 5, for example a metal surface on which the substrate rests during the plasma treatment.
  • the substrate support surface is covered by the substrate, so that it is not contaminated during the plasma treatment.
  • the cover can by the Substrate 2 carried out such that the formation of a residue on the substrate support surface 5a is prevented during the plasma treatment.
  • the counterelectrode 5 has no end regions 23 or only slightly beyond the region of the gas shower. To achieve the highest possible thermal coupling between a arranged on the support surface 5a substrate and the support surface 5a is for the
  • the reactor has tempering means arranged in the region of the counterelectrode, by means of which at least 80% of the rear side surface of the substrate can be brought to an increased average temperature with respect to the front side surface of the substrate during the plasma treatment.
  • temperature control means 27, 29, 30 are provided in the reactor 1.
  • the temperature control of the temperature control 27, 29, 30 designed for the thermal generation of a mechanical bias in the substrate, which corresponds to a seen from the direction of the electrode 4 concave curvature of the substrate 2.
  • Temperature control means are provided which comprise a device 29 which below the
  • Counter electrode 5 is arranged in the vacuum chamber 7 and allows a temperature of the support surface 5a.
  • a device 30 integrated into the counterelectrode 5 or contact surface 5a may also be provided.
  • the counterelectrode 5 and in particular the support surface 5a can be tempered by circulating a temperature control fluid through channels (not shown) in the counterelectrode 5 or the support surface 5a.
  • the gas outlet plate 17 can be tempered. This can be the
  • Gas exit plate 17 may be connected by means of webs 35 with the electrode 4, which consist of a material having high thermal conductivity, so that the electrode 4, which consist of a material having high thermal conductivity, so that the electrode 4, which consist of a material having high thermal conductivity, so that the electrode 4, which consist of a material having high thermal conductivity, so that the electrode 4, which consist of a material having high thermal conductivity, so that the electrode 4, which consist of a material having high thermal conductivity, so that the
  • Gas outlet plate 17 is thermally connected to the electrode 4.
  • the electrode 4 (and thus also the gas outlet plate 17) can be tempered by a Temperature control liquid circulates through channels 36 in the electrode 4.
  • the temperature of the electrode 4 can be controlled or regulated.
  • thermosensors 40 ' may be arranged in the region of the gas outlet plate 17 whose measured values for
  • Thermal sensors 40, 40 ' can be determined for different RF powers, gas flows, etc., a local temperature of the electrodes 4, 5 as a function of the power of the temperature control device 27, 29, 30. Based on such measurements, the instantaneous temperature control, if necessary, the geometric design of the
  • Temperature control devices 27, 29, 30 are optimized. Furthermore, measured values of the thermal sensors 40, 40 'can be obtained during the plasma treatment and used for a process-accompanying control of the power of the temperature control devices 27, 29, 30.
  • the tempering of the temperature control means 29, 30, optionally also the temperature control 27 is designed to set a temperature difference T rs - T vs > 0.5 K, where T rs a mean temperature of the back surface of the substrate 2 and T vs a mean temperature of the front surface of the Substrate 2 denotes.
  • the temperature control of the temperature control is designed for plasma treatment at a temperature T rs between 120 ° C and 300 ° C and / or a temperature T vs between 20 ° C and 100 ° C and / or at a temperature T G between 20 ° C and 300 ° C and / or a temperature T E between 20 ° C and 100 ° C, wherein T G denotes a mean temperature of the counter electrode and T E is an average temperature of the electrode. It is understood that when designing the temperature control parameters such as plasma power, distance from the electrode and
  • Counter electrode or distance gas outlet plate and front surface of the substrate thermal coupling between the temperature control and back surface of the substrate, reaction gases, process gases, specifications of the process temperature, etc. are to be considered in a professional manner.
  • the device further comprises means for imparting edge sides of the substrate 2 with a force for generating a force holding the substrate 2 with its rear side surface against the support surface 5a.
  • the counterelectrode 5 has on its side facing the electrode 4 a device 21 for holding the substrate 2.
  • the device 21, which is preferably designed as a fixing device, comprises one or more retaining means a plurality of hold-downs 31, which can press the substrate 2 on the edge surface on the support surface 5a acting surface of the counter electrode 5.
  • the holding means may be formed finger-like or frame-like. In particular, the
  • Holding means mechanically connected to the counter electrode 3, but at the same time be electrically and / or thermally insulated from this.
  • FIG. 2 shows, in schematic illustrations, a section through a flat substrate 50 with a front side 55, a back side 60 and edge sides 65, which are located on one side
  • Support surface 5a is located, the temperature difference between the front 55 and
  • Edge sides 65, the substrate 50 can be pressed against the support surface 5a in the subfigure.
  • the support surface is tempered, for example, to an average temperature TA in a range between 20 ° C and 300 ° C and thus brought to the support surface pressed back surface of the substrate to a corresponding temperature.
  • the process can produce layers with a lateral homogeneity of less than 1%.
  • T RS a temperature difference between 0.5 K and 1, 0 K set, where T RS is a mean temperature of
  • Rear side surface of the substrate and T V s denotes an average temperature of the front surface of the substrate.
  • the plasma treatment is carried out in particular at a Temperature T RS between 120 ° C and 300 ° C and / or a temperature T V s between 20 ° C and 100 ° C.
  • the plasma treatment is carried out in particular at a temperature T G between 20 ° C and 300 ° C and / or a temperature T E between 20 ° C and 100 ° C, where TG denotes a mean temperature of the counter electrode and T E is an average temperature of the electrode ,

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

The method for the plasma treatment of a flat substrate, wherein the substrate is arranged between an electrode and a planar supporting surface which is assigned to a counterelectrode, and thereby has its front side facing the electrode and its rear side facing the supporting surface, is distinguished by - securing the substrate on the supporting surface - thermally producing a mechanical prestress in the substrate that corresponds to a concave curving of the substrate, seen from the direction of the electrode, with peripheral sides of the substrate at a distance from the supporting surface, by means of controlling the temperature of the front side and/or the rear side of the substrate - applying local forces to the peripheral sides to achieve flat contact of the rear side face of the substrate against the supporting surface by means of at least one hold-down device and - exciting the plasma discharge by means of an RF voltage. The invention also relates to a device for the plasma treatment of a flat substrate, wherein the substrate can be arranged between an electrode and a planar supporting surface which is assigned to a counterelectrode, and thereby has its front side facing the electrode and its rear side facing the supporting surface, which is distinguished by - means for securing the substrate on the supporting surface - a device for thermally producing in the substrate a mechanical prestress that corresponds to a concave curving of the substrate, seen from the direction of the electrode, with peripheral sides of the substrate at a distance from the supporting surface, by means of controlling the temperature of the front side and/or the rear side of the substrate - means for applying local forces to the peripheral sides to achieve flat contact of the rear side face of the substrate against the supporting surface by means of at least one hold-down device and - means for exciting the plasma discharge by means of an RF voltage.

Description

Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung flacher Substrate  Method and device for the plasma treatment of flat substrates
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats, jeweils nach dem Oberbegriff der unabhängigen Patentansprüche. The invention relates to a device and a method for plasma treatment of a flat substrate, each according to the preamble of the independent claims.
Eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung flacher Substrate ist beispielsweise aus der EP 2 147 452 bekannt, wobei ein Plasma zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode erzeugt wird, zwischen die das zu behandelnde Substrat eingebracht wird. Über einen in die Elektrode integrierten Gasverteiler wird Reaktionsgas zwischen Elektrode und An apparatus for plasma treatment of flat substrates is known for example from EP 2 147 452, wherein a plasma is generated between an electrode and a counter electrode, between which the substrate to be treated is introduced. Via a gas distributor integrated in the electrode, reaction gas between electrode and
Gegenelektrode zugeführt, wobei der Gasverteiler eine Gasaustrittsplatte mit einer Supplied counter electrode, wherein the gas distributor a gas outlet plate with a
Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen aufweist, damit das Reaktionsgas gleichmäßig den Bereich der zu behandelnden Substratoberfläche beaufschlagen kann. Um eine Having a plurality of gas outlet openings, so that the reaction gas can uniformly act on the area of the substrate surface to be treated. To one
ausreichende Homogenität einer Beschichtung für Anwendungen, wie beispielsweise den Bereich der Herstellung photovoltaischer amorpher oder mikrokristalliner Siliziumschichten zu gewährleisten, ist es wichtig, auch bei großen Substratflächen von beispielsweise mehr als 1 m2 den Abstand zwischen der Oberfläche des Substrats und der Elektrode auch während der Plasmabehandlung mit nur geringen Toleranzen konstant zu halten, beispielsweise auf einem Wert von 10 mm +/- 1 mm. Um beispielsweise bei einer To ensure sufficient homogeneity of a coating for applications, such as the field of production of photovoltaic amorphous or microcrystalline silicon layers, it is important, even with large substrate areas of, for example, more than 1 m 2, the distance between the surface of the substrate and the electrode during the plasma treatment keep constant with only small tolerances, for example, to a value of 10 mm +/- 1 mm. For example, at a
Beschichtung eines Substrats homogene Beschichtungsparameter in Coating of a substrate homogeneous coating parameters in
Schichtwachstumsrichtung zu gewährleisten, muss das Substrat während der To ensure layer growth direction, the substrate must during the
Beschichtung für ausreichend lange Zeitintervalle auf einer möglichst konstante Coating for sufficiently long time intervals on a constant as possible
Temperatur gehalten werden, da die Schichteigenschaften abhängig von der Temperature are kept, since the layer properties depend on the
Beschichtungstemperatur sind. Coating temperature are.
Um, wie es grundsätzlich wünschenswert ist, hohe Beschichtungsraten zu erreichen, sind hohe Plasmaleistungen erforderlich, die zu einer beträchtlichen Erhöhung der Temperatur während des Beschichtungsprozesses führen können. Erhöhte Temperaturen während der Plasmabehandlung können zu einer Verbiegung des Substrats führen, wodurch es insbesondere bei geringen Abständen zwischen Substratoberfläche und Elektrode zu einer ungleichmäßig dicken Plasmaschicht und damit zu Inhomogenitäten sowie zu einem Bruch des Substrats bei der Plasmabehandlung kommen kann. Zur Lösung dieses In order to achieve high coating rates, as is generally desirable, high plasma powers are required which can lead to a significant increase in temperature during the coating process. Increased temperatures during the plasma treatment can lead to a bending of the substrate, which can lead to an unevenly thick plasma layer and thus to inhomogeneities and to a breakage of the substrate in the plasma treatment, especially at small distances between substrate surface and electrode. To solve this
Problems ist bereits in der JP 2005123339 A vorgeschlagen worden, eine gekühlte Problem has already been proposed in JP 2005123339 A, a cooled
Elektrode zu verwenden, mit der insbesondere die Deformation eines großflächigen Substrats und eines Plasma-CVDE-Prozesses kontrolliert werden kann. To use electrode, in particular the deformation of a large-area substrate and a plasma CVDE process can be controlled.
BESTÄTIGUNGSKOPIE Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte Qualität einer Plasmabehandelten Substratoberfläche zu erreichen. CONFIRMATION COPY The object of the present invention is to achieve an improved quality of a plasma-treated substrate surface.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstände der Unteransprüche. The object is solved by the features of the independent claims. Advantageous embodiments are subject matters of the subclaims.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats, wobei das Substrat zwischen einer Elektrode einer planen Aufladefläche, die einer The inventive method for plasma treatment of a flat substrate, wherein the substrate between an electrode of a planar Aufladefläche, the one
Gegenelektrode zugeordnet ist, angeordnet wird und dabei mit seiner Vorderseite der Elektrode und mit seiner Rückseite der Auflagefläche zugewandt ist, zeichnet sich aus, durch Assigned to the counter electrode, is arranged while facing with its front side of the electrode and with its rear side of the support surface, is characterized by
- Haltern des Substrats an der Auflagefläche - Holding the substrate on the support surface
- thermisches Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats mit von der Auflagefläche beabstandeten Randseiten des Substrats entspricht mittels Temperierung von Vorderseite und/ oder Rückseite des Substrats  - Thermal generation of a mechanical bias in the substrate, which corresponds to a seen from the direction of the electrode concave curvature of the substrate with spaced from the support surface edge sides of the substrate by means of temperature control of the front and / or back of the substrate
- Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der Auflagefläche mittels zumindest eines Niederhalters  - Applying the edge sides with local forces to achieve a flat concern of the back surface of the substrate on the support surface by means of at least one hold-down
- Anregung der Plasmaentladung mittels einer HF-Spannung.  - Excitation of the plasma discharge by means of an RF voltage.
Die flachen Substrate sind vorzugsweise aus einem Glas-, Metall- , Kunststoff- oder Keramikmaterial. Es versteht sich, dass auch auf irgendeine Weise vorbehandelte The flat substrates are preferably made of a glass, metal, plastic or ceramic material. It is understood that pretreated in some way
Substrate von der Erfindung umfasst werden. Typischerweise bilden Elektrode und Gegenelektrode Platten eines Parallelplattenreaktors. Als HF- Spannung wird Substrates are covered by the invention. Typically, the electrode and counterelectrode form plates of a parallel plate reactor. As HF voltage is
Wechselspannung mit zuminderst einer Frequenzkomponente in einem Bereich zwischen 1 MHz (Mega- Hertz) und 200 MHz an die die Elektrode und Gegenelektrode angelegt. Als Gegenelektrode wird im Folgenden die Elektrode bezeichnet, die der bei der AC voltage having at least one frequency component in a range between 1 MHz (megahertz) and 200 MHz to which the electrode and counter electrode are applied. As the counter electrode is hereinafter referred to the electrode, which in the
Plasmabehandlung nicht dem Plasma ausgesetzte Seite des flachen Substrats Plasma treatment non-plasma exposed side of the flat substrate
zugeordnet ist, unabhängig davon ob diese Elektrode, wie üblich mit der elektrischen Masse verbunden ist oder nicht. Als mittlere Temperatur wird eine über die jeweilige Fläche arithmetisch gemittelte Temperatur über eine Zeitintervall von zumindest 60sec verstanden. is assigned, regardless of whether this electrode, as usual connected to the electrical ground or not. The mean temperature is understood to mean an arithmetically averaged temperature over the respective area over a time interval of at least 60 seconds.
Durch die erfindungsgemäße Einstellung einer erhöhten Temperatur der Rückseitenfläche des Substrats gegenüber der Vorderseitenfläche des Substrats kann eine Wölbung des Substrats während der Plasmabehandlung kontrolliert werden, da die auf die The inventive setting an increased temperature of the back surface of the substrate opposite to the front surface of the substrate, a curvature of the substrate during the plasma treatment can be controlled, since the on the
Substratvorderseite bzw. -rückseite wirkende Gesamtleistung gleich oder annähernd gleich gehalten werden kann. Bei der Einstellung der Temperatur von Vorderseitenfläche und Rückseitenfläche wird berücksichtigt, dass die auf die Vorderseitenfläche einwirkende Leistung bestimmt wird durch die thermische Strahlungsleistung der Elektrode sowie der Plasmaleistung während der Plasmabehandlung, während die auf die Rückseitenfläche einwirkende Leistung allein durch die thermische Kopplung des Substrats mit den Substrate front side or rear side acting overall performance can be kept the same or approximately the same. In adjusting the temperature of the front surface and the back surface, it is considered that the power applied to the front surface is determined by the thermal radiation power of the electrode and the plasma power during the plasma treatment, while the power applied to the back surface is determined solely by the thermal coupling of the substrate with the plasma
Temperiermitteln im Bereich der Gegenelektrode bestimmt wird. Die Leistungsaufnahme auf der Rückseitenfläche hängt dabei hauptsächlich von der thermischen Temperature control is determined in the region of the counter electrode. The power consumption on the back surface depends mainly on the thermal
Strahlungsleistung der Temperiermittel sowie einer thermischen Kopplung mittels Fluide im Bereich zwischen Rückseitenfläche und Temperiermitteln ab. Für hohe Prozessstabilität ist es vorteilhaft, wenn die Leistungsaufnahme bzw. Temperatur der Temperiermittel geregelt wird. Radiation power of the temperature control and a thermal coupling by means of fluids in the area between the back surface and tempering from. For high process stability, it is advantageous if the power consumption or temperature of the temperature control is controlled.
Die mechanische Vorspannung im Substrat kann durch Einstellen unterschiedlicher Temperaturen auf der Vorderseiten- bzw. Rückseitenfläche des Substrats erreicht werden, da sich dann die Vorderseitenfläche gegenüber der Rückseitenfläche des Substrats lateral weniger stark ausdehnt, was bei einer gegenüber der Vorderseitenfläche erhöhten The mechanical bias in the substrate can be achieved by setting different temperatures on the front and back surfaces of the substrate, respectively, since then the front surface expands laterally less than the back surface of the substrate, which increases at a front side surface
Temperatur der Rückseitenfläche des Substrats zu einer konkaven Wölbung des Temperature of the back surface of the substrate to a concave curvature of the
Substrats, aus Richtung der Elektrode gesehen, führt, falls dem nicht durch entsprechende Massnahmen entgegengewirkt wird. Die Randseiten des Substrats haben dann einen größeren Abstand zur Auflagefläche als näher zum Zentrum des Substrats hin liegenden Bereiche. Werden die Randseiten des Substrats mit einer Kraft beaufschlagt, werden die Randseiten zur Auflagefläche hin angenähert. Erfindungsgemäß dient das Beaufschlagen der Randseiten zum Erzeugen einer das Substrat mit seiner Rückseitenfläche gegen die Auflagenfläche haltenden Kraft, wobei dies zu einem weitgehend flachen Aufliegen des Substrats auf der Auflagenfläche führt und die thermisch erzeugte mechanische Substrate, seen from the direction of the electrode leads, if not counteracted by appropriate measures. The edge sides of the substrate then have a larger distance to the support surface than lying closer to the center of the substrate areas. If a force is applied to the edge sides of the substrate, the edge sides are approximated to the bearing surface. According to the invention, the application of the edge sides serves to generate a force holding the substrate with its rear side surface against the support surface, which leads to a substantially flat contact of the substrate on the support surface and the thermally generated mechanical
Vorspannung im Substrat die Andruckkraft gegen die Auflagefläche erhöht. Pretension in the substrate increases the pressure force against the support surface.
Erfindungsgemäß erfolgt ein Fixieren des Substrats in den Bereichen der Randseiten, mit dem das Substrat auf der Auflagefläche gehalten wird, wobei vorteilhafterweise den Randseiten des Substrats zugeordnete Niederhalter verwendet werden mit denen die Substratränder niedergedrückt werden. Dadurch wird einerseits sichergestellt, dass die Scheibe nicht verbogen wird; andererseits wird gewährleistet, dass zwischen Substrat und Auflagefläche ein guter thermischer und mechanischer Kontakt besteht. In einer weiteren Ausführungsform erfolgt ein Zulassen einer seitlichen Ausdehnung des Substrats nach Beaufschlagen der Randseiten mittels den lokalen Kräften mittels des zumindest einen Niederhalters um die mechanische Belastung des Substrats, insbesondere durch an den Randseiten angreifende Spannkräfte gering zu halten und den Bruch des Substrats während der Plasmabehandlung zu vermeiden. In accordance with the invention, the substrate is fixed in the regions of the edge sides, with which the substrate is held on the support surface, advantageously using hold-downs associated with the edge sides of the substrate with which the substrate edges are pressed down. This ensures on the one hand that the disc is not bent; On the other hand, it is ensured that there is good thermal and mechanical contact between substrate and support surface. In a further embodiment, allowing a lateral extent of the substrate after Applying the edge sides by means of the local forces by means of the at least one hold-down in order to keep low the mechanical stress of the substrate, in particular by acting on the edge sides clamping forces and to avoid the breakage of the substrate during the plasma treatment.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird mittels der Temperiermittel eine Temperaturdifferenz TRS - TVs größer 0,5 K eingestellt, wobei TRS eine mittlere Temperatur der Rückseitenfläche des Substrats und TVs eine mittlere Temperatur der In a further embodiment of the invention, a temperature difference T RS - T V s greater than 0.5 K is set by means of the temperature control, wherein TRS is an average temperature of the back surface of the substrate and T V s an average temperature of
Vorderseitenfläche des Substrats bezeichnet. Als mittlere Temperatur wird hier eine über zumindest 80 % der Rückseitenfläche bzw. Vorderseitenfläche des Substrats Designated front side surface of the substrate. As the average temperature, here is one over at least 80% of the back surface or front surface of the substrate
vorgenommene arithmetische Mittelung verstanden. Es versteht sich, dass auch understood arithmetic averaging understood. It is understood that too
Temperaturdifferenzen TRS - TVs von 1 ,0 K, 1 ,5 K, 2,0 K, 2,5 K, 3, OK oder mehr eingestellt werden können und dass die gewählte Temperaturdifferenz TRS - TVs vom Temperature differences T RS - T V s of 1, 0 K, 1, 5 K, 2.0 K, 2.5 K, 3, OK or more can be set and that the selected temperature difference T RS - T V s of
Substratmaterial, der Substratdicke, der lateralen Ausdehnung des Substrats, seiner Bruchfestigkeit und anderen Parametern abhängig ist, die vom Fachmann ohne weiteres ermittelt werden können. Die Temperaturdifferenz wird so gewählt, das die thermisch erzeugte mechanische Vorspannung das Substrat flach gegen die Auflagefläche presst ohne das dass Subtstrat während der Plasmabehandlung einem Bruch unterliegt. Für ein für typisches Substrat für photovoltaische Anwendungen mit einer Größe von 1 m2 ist eine Temperaturdifferenz T^ - Tvs mit 3, OK > T^ - Tvs >0,5K bevorzugt. Substrate material, the substrate thickness, the lateral extent of the substrate, its breaking strength and other parameters is dependent, which can be readily determined by the person skilled in the art. The temperature difference is chosen so that the thermally generated mechanical bias flatly presses the substrate against the support surface without the substrate undergoing breakage during the plasma treatment. For a typical substrate for photovoltaic applications with a size of 1 m2, a temperature difference T ^ - T vs with 3, OK> T ^ - T vs > 0.5K is preferred.
Wenn die Plasmabehandlung bei einer Temperatur TRS zwischen 20°C (vorzugsweise 120°C) und 300°C und/oder einer Temperatur TVs zwischen 20°C und 300°C When the plasma treatment at a temperature TRS between 20 ° C (preferably 120 ° C) and 300 ° C and / or a temperature T V s between 20 ° C and 300 ° C.
(vorzugsweise 100°C) erfolgt, kann die thermische Belastung des Substrats gering gehalten und beispielsweise sowohl mikrokristallines als auch amorphes Silizium in einem PECVD-Prozess abgeschieden werden. Wird ferner die Plasmabehandlung bei einer Temperatur TG zwischen 20°C und 300°C und/oder einer Temperatur TE zwischen 20°C und 300AC (vorzugsweise 100°C) durchgeführt, kann eine vorteilhafte Temperatur der Vorder- bzw. Rückseitenfläche des Substrats, insbesondere eine Temperaturdifferenz Trs - Tvs mit 3, OK > Trs - Tvs >0,5K eingestellt werden. TG bezeichnet hier eine mittlere Temperatur der Gegenelektrode und TE eine mittlere Temperatur der Elektrode. (preferably 100 ° C), the thermal stress of the substrate can be kept low and, for example, both microcrystalline and amorphous silicon can be deposited in a PECVD process. Furthermore, if the plasma treatment is carried out at a temperature T G between 20 ° C and 300 ° C and / or a temperature T E between 20 ° C and 300 A C (preferably 100 ° C), an advantageous temperature of the front or back surface of the substrate, in particular a temperature difference T rs - T vs be set with 3, OK> T rs - T vs > 0.5K. Here TG denotes a mean temperature of the counter electrode and T E an average temperature of the electrode.
Wenn die Auflagefläche auf eine mittlere Temperatur TA in einem Bereich zwischen 20°C und 300°C temperiert wird kann damit die an die Auflagefläche gedrückte If the support surface is heated to an average temperature T A in a range between 20 ° C and 300 ° C can thus pressed against the support surface
Rückseitenfläche des Substrats auf eine entsprechende Temperatur gebracht werden. Rear side surface of the substrate can be brought to a corresponding temperature.
Eine weitere Ausbildungsform der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass in den Bereich zwischen Rückseitenfläche des Substrats und Auflagefläche Wasserstoff- und/oder Heliumgas mit einem Prozesspartialdruck zwischen 0,1 mbar und 250 mbar, bevorzugt 20 mbar eingeleitet wird, womit eine hohe thermische Kopplung zwischen Substrat und Auflagefläche erreicht werden kann. Another embodiment of the invention is characterized in that in the Area between the back surface of the substrate and support surface hydrogen and / or helium gas with a process partial pressure between 0.1 mbar and 250 mbar, preferably 20 mbar is initiated, whereby a high thermal coupling between the substrate and support surface can be achieved.
Eine weitere Ausbildungsform der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass zur Another embodiment of the invention is characterized in that
Plasmabehandlung an Elektrode und Gegenelektrode eine HF-Leistung in einem Bereich zwischen 0,1 kW/m2 und 20 kW/m2 angelegt wird, womit eine Plasmabehandlung zur Herstellung von amorphen oder mikrokristallinen, N- oder P- oder intrinsischen Silizium- Dünnschichten möglich ist. Plasma treatment at electrode and counter electrode an RF power in a range between 0.1 kW / m2 and 20 kW / m2 is applied, whereby a plasma treatment for the production of amorphous or microcrystalline, N- or P- or intrinsic silicon thin films is possible.
Bei der erfinundungsgemäße Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats, wobei das Substrat zwischen einer Elektrode einer planen Aufladefläche, die einer Gegenelektrode zugeordnet ist, angeordnet werden kann und dabei mit seiner Vorderseite der Elektrode und mit seiner Rückseite der Auflagefläche zugewandt ist, sind vorgesehen In the device according to the invention for the plasma treatment of a flat substrate, wherein the substrate can be arranged between an electrode of a planar charging surface, which is assigned to a counterelectrode and faces with its front side of the electrode and with its rear side of the support surface, are provided
- Mittel zum Haltern des Substrats an der Auflagefläche - Means for supporting the substrate on the support surface
- eine Einrichtung zum thermischen Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats mit von der Auflagefläche beabstandeten Randseiten des Substrats entspricht mittels Temperierung von Vorderseite und/ oder Rückseite des Substrats  - A device for the thermal generation of a mechanical bias in the substrate, which corresponds to a seen from the direction of the electrode concave curvature of the substrate with spaced from the support surface edge sides of the substrate by means of temperature control of the front and / or back of the substrate
- Mittel zum Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der  Means for applying local forces to the marginal sides to achieve a flat abutment of the back surface of the substrate with the substrate
Auflagefläche mittels zumindest eines Niederhalters  Support surface by means of at least one hold-down
- Mittel zur Anregung der Plasmaentladung mittels einer HF-Spannung.  - means for exciting the plasma discharge by means of an RF voltage.
Die Halterungsmittel können fingerartig oder rahmenartig ausgebildet sein. Insbesondere können die Halterungsmittel mechanisch mit der Gegenelektrode verbunden, gleichzeitig aber elektrisch und/oder thermisch von dieser isoliert sein. Ferner können die The holding means may be formed finger-like or frame-like. In particular, the holding means may be mechanically connected to the counter electrode, but at the same time electrically and / or thermally insulated from this. Furthermore, the
Halterungsmittel als Niederhalter ausgebildet sein und das Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der Auflagefläche ermöglichen und durchführen. Holding means may be formed as hold-down and allow the application of the edge sides with local forces to achieve a flat concern of the back surface of the substrate on the support surface and perform.
In einer weiteren Ausführungsform derErfindung ist eine Ausbildung des zumindest einen Niederhalters, welche eine seitliche Ausdehnung des Substrats nach Beaufschlagen der Randseiten mittels lokalen Kräften mittels des zumindest einen Niederhalters zulässt, vorgesehen. Der Niederhalter kann dazu eine, vorzugsweise elastische Federung aufweisen oder mit Spiel gegenüber den Seitenrändern in einem Niedertemperaturbereich (beispielsweise 20°C) des Substrats ausgelegt sein. In a further embodiment of the invention, an embodiment of the at least one hold-down device, which permits a lateral expansion of the substrate after applying the edge sides by means of local forces by means of the at least one hold-down, is possible. intended. The hold-down may have a, preferably elastic suspension or be designed with play against the side edges in a low temperature range (for example, 20 ° C) of the substrate.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindungs ist eine Ausbildung der Mittel zur Halterung des Substrats vorgesehen, welche während der Plasmabehandlung eine Orientierung des Substrats mit einem Winkel zur Senkrechten in einem Bereich zwischen 3° und 30° mit der Vorderseitenfläche nach unten vorsehen. Damit wird eine hohe In a further embodiment of the invention, an embodiment of the means for holding the substrate is provided which, during the plasma treatment, provides an orientation of the substrate at an angle to the vertical in a range between 3 ° and 30 ° with the front surface downwards. This will be a high
Schichtqualität durch Vermeidung von Kontamination der Substratoberfläche mit während der Beschichtung erzeugten Partikel zu gewährleistet, da diese Partikel durch die Ensures coating quality by avoiding contamination of the substrate surface with particles generated during the coating, since these particles by the
Schwerkraft von der Substratoberfläche wegorientiert werden. Gravity be oriented away from the substrate surface.
Die Kombination der Merkmale The combination of features
- Einrichtung zum thermischen Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Means for thermally generating a mechanical bias in the substrate, the one concave as seen from the direction of the electrode
Wölbung des Substrats mit von der Auflagefläche beabstandeten Randseiten des Substrats entspricht mittels Temperierung von Vorderseite und/ oder Rückseite des Substrats  Curvature of the substrate with spaced from the support surface edge sides of the substrate corresponds by means of temperature control of the front and / or back of the substrate
- Mittel zum Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der  Means for applying local forces to the marginal sides to achieve a flat abutment of the back surface of the substrate with the substrate
Auflagefläche mittels zumindest eines Niederhalters  Support surface by means of at least one hold-down
mit einer Orientierung des Substrats mit einem Winkel zur Senkrechten in einem Bereich zwischen 3° und 30° mit der Vorderseitenfläche nach unten ermöglicht ein Durchhängen des Substrats zu verhindern und gleichzeitig eine hohe Schichtqualität durch Vermeidung von Kontamination der Substratoberfläche mit während der Beschichtung erzeugten Partikel zu gewährleisten. with an orientation of the substrate at an angle to the vertical in a range between 3 ° and 30 ° with the front surface downwards to prevent sagging of the substrate and at the same time to ensure a high layer quality by avoiding contamination of the substrate surface with particles generated during the coating ,
Mittels im Bereich der Gegenelektrode angeordneten Temperiermitteln sind während der Plasmabehandlung zumindest 80% der Rückseitenfläche des Substrats auf eine gegenüber der Vorderseitenfläche des Substrats erhöhte mittlere Temperatur bringbar ist. By means of temperature control means arranged in the region of the counterelectrode, at least 80% of the rear side surface of the substrate can be brought to an increased average temperature with respect to the front side surface of the substrate during the plasma treatment.
Es versteht sich, dass bei der Auslegung der im Bereich der Gegenelektrode It is understood that in the design of the in the area of the counter electrode
angeordneten Temperiermittel verschiedene Parameter der Plasmabehandlung zu berücksichtigen sind, insbesondere die Fläche von Elektrode und Gegenelektrode, die an Elektrode und Gegenelektrode angelegte HF-Leistung, die Gesamtleistungsaufnahme des Substrats und seiner Vorderseitenfläche, die vom Fachmann mit ihm geläufigen Methoden, beispielsweise experimentell, durch Simulation und / oder theoretische Berechnungen berücksichtigt werden können. Die erfindungsgemäße Auslegung der Temperiermittel erlaubt es, eine Wölbung des Substrats während der Plasmabehandlung zu kontrollieren, wie bereits weiter oben beschrieben. arranged temperature control means are to be considered various parameters of the plasma treatment, in particular the surface of electrode and counter electrode, the electrode applied to the electrode and counter electrode RF power, the total power consumption of the substrate and its front surface, familiar to those skilled in the art Methods, for example, experimentally, by simulation and / or theoretical calculations can be considered. The inventive design of the temperature control allows to control a curvature of the substrate during the plasma treatment, as already described above.
Eine weitere Ausbildungsform der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass die Another embodiment of the invention is characterized in that the
Temperierleistung der Temperiermittel ausgelegt ist zum thermischen Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats entspricht. Temperature control of the temperature control is designed for the thermal generation of a mechanical bias in the substrate, which corresponds to a seen from the direction of the electrode concave curvature of the substrate.
Bei einer derartigen Auslegung der Temperierleistung der Temperiermittel muss eine gewisse minimale Temperaturdifferenz zwischen Rückseitenfläche des Substrats und Vorderseitenfläche des Substrats gewährleistet sein, die vom Fachmann experimentell, durch Simulation und / oder theoretische Rechnung bestimmt werden kann. In such a design of the temperature control of the temperature control must be ensured a certain minimum temperature difference between the back surface of the substrate and the front surface of the substrate, which can be determined by the expert experimentally, by simulation and / or theoretical calculation.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass Mittel zum Beaufschlagen von Randseiten des Substrats mit einer Kraft zum Erzeugen einer das Substrat mit seiner Rückseitenfläche gegen die Auflagenfläche haltenden Kraft vorgesehen sind, wobei eine präzise Positionierung des Substrats und damit auch bei großflächigen Substraten ein weitgehend gleicher Abstand zwischen A further embodiment of the invention is characterized in that means are provided for acting on edge sides of the substrate with a force for generating a force holding the substrate with its rear side surface against the support surface, wherein a precise positioning of the substrate and thus also with large-area substrates largely the same distance between
Substratvorderseitenfläche und der Elektrodenfläche erreicht werden kann, da das Substrat flach auf der Auflagenfläche aufliegt. Substrate front surface and the electrode surface can be achieved, since the substrate rests flat on the support surface.
Mit zusätzlich im Bereich der Elektrode angeordneten Temperiermitteln kann eine genauere Einstellung der Gesamtleistungsaufnahme des Substrats während der With tempering means additionally arranged in the region of the electrode, a more precise adjustment of the total power consumption of the substrate during the
Plasmabehandlung erreicht werden. Plasma treatment can be achieved.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass mittels der im Bereich der Gegenelektrode angeordneten Temperiermittel die Auflagefläche temperierbar ist, womit auf besonders einfache Weise thermische Leistung über die Rückseitenfläche des Substrats in das Substrat eingekoppelt werden kann. Zusätzlich oder alternativ kann auch mittels von im Bereich der Elektrode angeordneten A further embodiment of the invention is characterized in that the bearing surface can be tempered by means of the temperature control means arranged in the region of the counterelectrode, with which thermal power can be coupled into the substrate via the backside surface of the substrate in a particularly simple manner. Additionally or alternatively, by means of arranged in the region of the electrode
Temperiermittel ein im Bereich zwischen Elektrode und Gegenelektrode angeordneter Gasverteiler temperierbar sein, womit die thermische Leistungsaufnahme des Substrats auf der Substratvorderseite beeinflusst werden und eine hohe Stabilität des Gasverteilers gegen thermisch bedingte Deformationen erreicht werden kann. Tempering be tempered in the region between the electrode and the counter electrode gas distributor, whereby the thermal power consumption of the substrate to be influenced on the substrate front side and a high stability of the gas distributor against thermally induced deformations can be achieved.
Vorzugsweise sind die Temperiermittel mit Kanälen versehen, durch die eine Temperierflüssigkeit, vorzugsweise ein Ölfluid strömen kann. Die Temperiermittel, beispielsweise der Elektrode und/oder Gegenelektrode zugeordnet, werden Preferably, the temperature control means are provided with channels through which a Tempering liquid, preferably an oil fluid can flow. The temperature control, for example, associated with the electrode and / or counter electrode are
vorteilhafterweise gesteuert oder geregelt betrieben, beispielsweise mit Hilfe der in einem Kreislauf zirkulierenden Temperierflüssigkeit. Bevorzugt werden dabei Wärmeträgeröle verwendet, die beispielsweise durch außerhalb der Prozesskammer befindliche operated advantageously controlled or regulated, for example with the aid of circulating in a circulating bath liquid. Preference is given to heat transfer oils used, for example, located outside of the process chamber
Umwälzthermostate auf konstante Temperatur gehalten werden. Circulators are kept at a constant temperature.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass die Another embodiment of the invention is characterized in that the
Temperierleistung der Temperiermittel ausgelegt ist zur Einstellung einer Temperierleistung the temperature control is designed to set a
Temperaturdifferenz 3,0K > Trs - Tvs >0,5 K, wobei Trs eine mittlere Temperatur der Rückseitenfläche des Substrats und Tvs eine mittlere Temperatur der Vorderseitenfläche des Substrats bezeichnet. Temperature difference 3.0K> T rs - T vs > 0.5 K, wherein T rs denotes a mean temperature of the back surface of the substrate and T vs an average temperature of the front surface of the substrate.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass die Another embodiment of the invention is characterized in that the
Temperierleistung der Temperiermittel ausgelegt ist zur Plasmabehandlung bei einer Temperatur T^ zwischen 20°C und 300°C und/oder einer Termperatur Tvs zwischen 20°C und 300°C und/oder bei einer Temperatur TG zwischen 20°C und 300°C und/oder einer Temperatur TE zwischen 20°C und 100°C erfolgt, wobei TG eine mittlere Temperatur der Gegenelektrode und TE eine mittlere Temperatur der Elektrode bezeichnet. Temperierleistung the temperature control is designed for plasma treatment at a temperature T ^ between 20 ° C and 300 ° C and / or a Termperatur T vs between 20 ° C and 300 ° C and / or at a temperature TG between 20 ° C and 300 ° C. and / or a temperature T E between 20 ° C and 100 ° C, where TG denotes a mean temperature of the counter electrode and T E denotes an average temperature of the electrode.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass dann eine weitere elektrische Leistungsversorgung vorgesehen ist, mittels der an Elektrode und In a further embodiment of the invention it is provided that then a further electrical power supply is provided by means of the electrode and
Gegenelektrode eine HF-Leistung in einem Bereich zwischen 0,1 kW/m2 und 20 kW/m2 angelegt werden kann. Counter electrode can be applied RF power in a range between 0.1 kW / m2 and 20 kW / m2.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass die Another embodiment of the invention is characterized in that the
Auflagefläche in einen Bereich von zumindest 80% einer Rauheit Ra und/oder eine Welligkeit aufweist, womit, insbesondere bei in den Bereich zwischen Rückseitenfläche des Substrats und der Auflagefläche eingeleiteten Wasserstoff- und/oder Heliumgas, vorzugsweise jeweils bei einem Prozesspartialdruck zwischen 0,1 mbar und 250 mbar eine effektive thermische Kopplung zwischen Substrat und Auflagefläche erreicht werden kann. Support surface in a range of at least 80% of a roughness R a and / or has a ripple, with which, in particular in the area between the back surface of the substrate and the support surface introduced hydrogen and / or helium gas, preferably at a process partial pressure between 0.1 mbar and 250 mbar effective thermal coupling between substrate and support surface can be achieved.
Im Folgenden wird die Erfindung anhand von in den Figuren dargestellten In the following the invention will be described with reference to FIGS
Ausführungsbeispielen näher erläutert, woraus weitere Aspekte und Vorteile der Erfindung auch unabhängig von den Patentansprüchen erkennbar sind. Dabei zeigen: Fig. 1 einen Längsschnitt durch eine erfindungsgemäß zu reinigende Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines Substrats Embodiments explained in more detail, from which further aspects and advantages of the invention are also recognizable independent of the patent claims. Showing: Fig. 1 shows a longitudinal section through an inventively to be cleaned device for plasma treatment of a substrate
Fig. 2 einen Schnitt durch ein flaches Substrat bei unterschiedlichen Temperaturen von Vorder- und Rückseite. Fig. 2 shows a section through a flat substrate at different temperatures of the front and back.
Figur 1 zeigt eine schematische Darstellung einer als Reaktor 1 ausgebildeten Vorrichtung zur Behandlung flacher Substrate 2. Der Reaktor kann insbesondere als PECVD-Reaktor ausgestaltet sein. Der Reaktor 1 umfasst eine Prozesskammer 3 mit einer Elektrode 4 und einer Gegenelektrode 5 zur Erzeugung eines Plasmas, mit dessen Hilfe eine Oberfläche eines Substrats 2 behandelt, insbesondere beschichtet werden kann. Die Elektroden 4, 5 sind als großflächige Metallplatten ausgebildet und können zur Erzeugung eines elektrischen Feldes an eine (in Figur 1 nicht dargestellte) Spannungsquelle, vorzugsweise eine Hochfrequenz- Versorgungsquelle mit einer Anregungsfrequenz zwischen 1 mHz und 200 MHz, vorzugsweise 13,56 MHz, angeschlossen werden. Insbesondere kann eine HF- Leistung in einem Bereich zwischen 0,1 kW/m2 und 20 kW/m2 an die Elektroden 4, 5 angelegt werden. Das Substrat 2 ist vorzugsweise, wie in der EP 2 147 452 A1 FIG. 1 shows a schematic representation of a device 1 designed as a reactor for treating flat substrates 2. The reactor may in particular be designed as a PECVD reactor. The reactor 1 comprises a process chamber 3 with an electrode 4 and a counter electrode 5 for generating a plasma, by means of which a surface of a substrate 2 can be treated, in particular coated. The electrodes 4, 5 are designed as large-area metal plates and can for generating an electric field to a (not shown in Figure 1) voltage source, preferably a high-frequency supply source with an excitation frequency between 1 mHz and 200 MHz, preferably 13.56 MHz, connected become. In particular, an RF power in a range between 0.1 kW / m2 and 20 kW / m2 can be applied to the electrodes 4, 5. The substrate 2 is preferably as in EP 2 147 452 A1
beschrieben, während der Plasmabehandlung mit einem Winkel zur Senkrechten in einem Bereich zwischen 3° und 30° mit der zu beschichtenden Oberfläche (Vorderseitenfläche) nach unten orientiert an der Gegenelektrode gehaltert. described during the plasma treatment at an angle to the vertical in a range between 3 ° and 30 ° with the surface to be coated (front side surface) oriented downwardly supported on the counter electrode.
Der Reaktor 1 ist ausgelegt zur Behandlung großflächiger flacher Substrate, The reactor 1 is designed for treating large flat substrates,
beispielsweise mit einer Fläche von 1 m2 oder größer. Insbesondere eignet sich der Reaktor 1 zur Durchführung von Bearbeitungsschritten bei der Herstellung von for example, with an area of 1 m2 or larger. In particular, the reactor 1 is suitable for carrying out processing steps in the production of
hocheffizienten Dünnschichtsolarmodulen, beispielsweise für amorphe oder high-efficiency thin-film solar modules, for example, for amorphous or
mikrokristalline Silizium-Dünnschicht-Solarzellen. microcrystalline silicon thin-film solar cells.
Wie aus Figur 1 ersichtlich, bilden die beiden Elektroden 4, 5 zwei gegenüberliegende Wände der Prozesskammer 3. Die Prozesskammer 3 ist in einer Vakuumkammer 7 mit einem evakuierbaren Gehäuse 8 angeordnet, das eine Öffnung 10 zum Ein- und As can be seen from Figure 1, the two electrodes 4, 5 form two opposite walls of the process chamber 3. The process chamber 3 is arranged in a vacuum chamber 7 with an evacuable housing 8 having an opening 10 for on and
Ausschleusen von Substraten aufweist. Die Kammeröffnung 10 ist durch eine Having discharge of substrates. The chamber opening 10 is through a
Verschlussvorrichtung 9 vakuumdicht verschließbar. Zur Abdichtung der Vakuumkammer 7 gegenüber dem Außenraum 12 sind Dichtungen 11 vorgesehen. Dabei sind die Closing device 9 closed vacuum-tight. To seal the vacuum chamber 7 relative to the outer space 12 seals 11 are provided. Here are the
Dichtungen vorzugsweise dazu aus einem fluorresistenten Material ausgebildet. Die Vakuumkammer 7 kann eine beliebige Raumform aufweisen und kann insbesondere einen runden oder rechteckigen Querschnitt haben. Die in die Vakuumkammer 7 eingebettete Prozesskammer 3 kann insbesondere die Form einer flachen Zylinderscheibe oder eines flachen Quaders haben. Es versteht sich, dass die Erfindung auch bei anders Seals preferably formed of a fluororesistant material. The vacuum chamber 7 may have any spatial form and may in particular have a round or rectangular cross-section. The embedded in the vacuum chamber 7 process chamber 3 may in particular the shape of a flat cylindrical disk or a flat cuboid. It is understood that the invention also different
ausgestalteten Reaktoren, insbesondere mit einer anderen Prozesskammer - und/ oder Elektrodengeometrie eingesetzt werden kann. Ebenso versteht es sich, dass auch designed reactors, in particular with a different process chamber - and / or electrode geometry can be used. Likewise, it goes without saying that too
Ausführungsformen, bei denen die Prozesskammer selbst eine Vakuumkammer ist, von der Erfindung umfasst sind. Embodiments in which the process chamber itself is a vacuum chamber are encompassed by the invention.
Die Elektrode 4 ist in einer Haltestruktur 37 in der Vakuumkammer 7 angeordnet, die im Ausführungsbeispiel der Fig. 1 von der Gehäuserückwand 19 gebildet ist. Dazu ist die Elektrode 4 in einer Ausnehmung 38 der Gehäuserückwand 19 untergebracht und von dieser durch ein Dielektrikum 20 getrennt. The electrode 4 is arranged in a holding structure 37 in the vacuum chamber 7, which is formed in the embodiment of FIG. 1 of the housing rear wall 19. For this purpose, the electrode 4 is accommodated in a recess 38 of the housing rear wall 19 and separated from it by a dielectric 20.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich, deckt die Gegenelektrode 5 während der Durchführung der Behandlung die Ausnehmung 38 der Haltestruktur 37 in einer solchen Weise ab, dass zwischen dem Randbereich 23 der Gegenelektrode 5 und einem Randbereich 24 der Ausnehmung 38 ein Spalt 25 gebildet wird. Der Spalt 25 hat eine Breite von der As can be seen from FIG. 1, the counterelectrode 5 covers the recess 38 of the holding structure 37 during the execution of the treatment in such a way that a gap 25 is formed between the edge region 23 of the counterelectrode 5 and an edge region 24 of the recess 38. The gap 25 has a width of the
Größenordnung von etwa 1 mm. Die Spaltbreite ist in eine solchen Weise dimensioniert, dass einerseits während der Durchführung der Behandlung ein Plasma im Inneren der Prozesskammer 3 gehalten werden kann, andererseits aber zwischen der Prozesskammer 3 und dem übrigen Innenraum der Vakuumkammer 7 kein allzu großes Druckgefälle aufgebaut wird. Order of magnitude of about 1 mm. The gap width is dimensioned in such a way that, on the one hand during the execution of the treatment, a plasma can be kept inside the process chamber 3, but on the other hand, no too large pressure gradient is built up between the process chamber 3 and the remaining interior of the vacuum chamber 7.
Zum Beschichten, Modifizieren oder Ätzen der Substrate, wird ein Reaktivgas, For coating, modifying or etching the substrates, a reactive gas,
gegebenenfalls n- oder p-dotierend, in die Prozesskammer 3 geleitet. Hierzu wird das Reaktivgas aus einer Quelle über einen Zuführungskanal 13 einem Gasverteiler 15 zugeführt, von dem aus es in die Prozesskammer 3 einströmt. Der Gasverteiler 15 im vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst einen Gasraum 16, der an der der optionally n- or p-doping, passed into the process chamber 3. For this purpose, the reactive gas is supplied from a source via a supply channel 13 to a gas distributor 15, from which it flows into the process chamber 3. The gas distributor 15 in the present embodiment comprises a gas space 16 which at the
Gegenelektrode 5 zugewandten Seite eine Gasaustrittsplatte 17 aufweist, die mit einer Vielzahl von Austrittsöffnungen (nicht dargestellt) zur Gasdurchführung versehen ist. Auf einer Fläche von etwa 1 ,0 m2 - 2,0 m2 der Gasaustrittsplatte 17 sind typischerweise mehrere Tausend Austrittsöffnungen vorgesehen. Counter-electrode 5 side facing a gas outlet plate 17 which is provided with a plurality of outlet openings (not shown) for gas passage. On an area of about 1, 0 m2 - 2.0 m2 of the gas outlet plate 17 are typically provided several thousand outlet openings.
In der Vorrichtung der Figur 1 wird das Substrat 2 während der Plasmabehandlung auf einer insbesondere planen Substrat - Auflagefläche 5a angeordnet. Vorzugsweise ist die Auflagefläche 5a in die Gegenelektrode 5 integriert, beispielsweise eine Metallfläche auf der das Substrat während der Plasmabehandlung aufliegt. Es erfolgt dabei insbesondere ein Abdecken der Substrat - Auflagefläche durch das Substrat, so dass diese bei der Plasmabehandlung nicht kontaminiert wird. Insbesondere kann die Abdeckung durch das Substrat 2 derart erfolgen, dass während der Plasmabehandlung die Bildung eines Rückstandes auf der Substrat-Auflagefläche 5a verhindert wird. In einer abweichend von der Figur 1 ausgebildeten Ausbildungsform der Erfindung weist die Gegenelektrode 5 keine oder nur geringfügig über den Bereich der Gasdusche hinausgehenden Endbereiche 23 auf. Zur Erreichung einer möglichst hohen thermischen Kopplung zwischen einem auf der Auflagefläche 5a angeordneten Substrat und der Auflagefläche 5a ist für deren In the device of FIG. 1, the substrate 2 is arranged on a particularly planar substrate support surface 5a during the plasma treatment. Preferably, the support surface 5a is integrated into the counter electrode 5, for example a metal surface on which the substrate rests during the plasma treatment. In particular, the substrate support surface is covered by the substrate, so that it is not contaminated during the plasma treatment. In particular, the cover can by the Substrate 2 carried out such that the formation of a residue on the substrate support surface 5a is prevented during the plasma treatment. In an embodiment of the invention deviating from FIG. 1, the counterelectrode 5 has no end regions 23 or only slightly beyond the region of the gas shower. To achieve the highest possible thermal coupling between a arranged on the support surface 5a substrate and the support surface 5a is for the
Rauhigkeit ein optimaler, geeigneter Wert Ra und eine optimaler, geeigneter Welligkeit vorgesehen ist. Roughness an optimal, suitable value R a and an optimal, suitable ripple is provided.
Der Reaktor weist im Bereich der Gegenelektrode angeordnete Temperiermittel auf, mittels denen während der Plasmabehandlung zumindest 80% der Rückseitenfläche des Substrats auf eine gegenüber der Vorderseitenfläche des Substrats erhöhte mittlere Temperatur bringbar ist. The reactor has tempering means arranged in the region of the counterelectrode, by means of which at least 80% of the rear side surface of the substrate can be brought to an increased average temperature with respect to the front side surface of the substrate during the plasma treatment.
Erfindungsgemäß sind also im Reaktor 1 Temperiermittel 27, 29, 30 vorgesehen. Mit Hilfe dieser Mittel 27, 29, 30 wird während der Plasmabehandlung die thermische According to the invention, therefore, temperature control means 27, 29, 30 are provided in the reactor 1. By means of these means 27, 29, 30 during the plasma treatment, the thermal
Energiezufuhr zur Gegenelektrode 5 und/oder zur Auflagefläche 5a gesteuert oder geregelt. Energy supply to the counter electrode 5 and / or the support surface 5a controlled or regulated.
Dabei ist die Temperierleistung der Temperiermittel 27, 29, 30ausgelegt zum thermischen Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode 4 gesehen konkaven Wölbung des Substrats 2 entspricht. Here, the temperature control of the temperature control 27, 29, 30 designed for the thermal generation of a mechanical bias in the substrate, which corresponds to a seen from the direction of the electrode 4 concave curvature of the substrate 2.
In dem Ausführungsbeispiel der Fig. 1 sind der Gegenelektrode 5 zugeordnete In the embodiment of Fig. 1, the counter electrode 5 are assigned
Temperiermittel vorgesehen, die eine Vorrichtung 29 umfassen, die unterhalb der Temperature control means are provided which comprise a device 29 which below the
Gegenelektrode 5 in der Vakuumkammer 7 angeordnet ist und eine Temperierung der Auflagefläche 5a erlaubt. Alternativ oder zusätzlich kann auch eine in die Gegenelektrode 5 oder Auflagefläche 5a integrierte Vorrichtung 30 vorgesehen sein. Die Gegenelektrode 5 und insbesondere die Auflagefläche 5a kann dadurch temperiert werden, dass eine Temperierflüssigkeit durch Kanäle (nicht dargestellt) in der Gegenelektrode 5 oder der Auflagefläche 5a zirkuliert. Counter electrode 5 is arranged in the vacuum chamber 7 and allows a temperature of the support surface 5a. Alternatively or additionally, a device 30 integrated into the counterelectrode 5 or contact surface 5a may also be provided. The counterelectrode 5 and in particular the support surface 5a can be tempered by circulating a temperature control fluid through channels (not shown) in the counterelectrode 5 or the support surface 5a.
Zudem kann auch die Gasaustrittsplatte 17 temperiert werden. Dazu kann die In addition, the gas outlet plate 17 can be tempered. This can be the
Gasaustrittsplatte 17 mit Hilfe von Stegen 35 mit der Elektrode 4 verbunden sein, die aus einem Werkstoff mit hoher thermischer Leitfähigkeit bestehen, so dass die Gas exit plate 17 may be connected by means of webs 35 with the electrode 4, which consist of a material having high thermal conductivity, so that the
Gasaustrittsplatte 17 thermisch an die Elektrode 4 angebunden ist. Die Elektrode 4 (und somit auch der Gasaustrittsplatte 17) kann dadurch temperiert werden, dass eine Temperierflüssigkeit durch Kanäle 36 in der Elektrode 4 zirkuliert. Die Temperierung der Elektrode 4 kann gesteuert oder geregelt erfolgen. Insbesondere können im Bereich der Gasaustrittsplatte 17 Thermosensoren 40' angeordnet sein, deren Messwerte zur Gas outlet plate 17 is thermally connected to the electrode 4. The electrode 4 (and thus also the gas outlet plate 17) can be tempered by a Temperature control liquid circulates through channels 36 in the electrode 4. The temperature of the electrode 4 can be controlled or regulated. In particular, thermosensors 40 'may be arranged in the region of the gas outlet plate 17 whose measured values for
Regelung des Temperiermitteldurchflusses durch die Elektrode 4 verwendet werden. Control of Temperiermitteldurchflusses be used by the electrode 4.
Um die benötigten Temperierleistung der Vorrichtungen 27, 29 oder 30 zu ermitteln, können Messungen durchgeführt werden, bei denen die Elektroden 4, 5 auf ihren einander zugewandten Seiten mit Thermosensoren 40, 40' versehen sind. Mit Hilfe dieser In order to determine the required temperature control of the devices 27, 29 or 30, measurements can be carried out in which the electrodes 4, 5 are provided on their mutually facing sides with thermal sensors 40, 40 '. With the help of this
Thermosensoren 40, 40' kann für unterschiedliche HF-Leistungen, Gasflüsse etc. eine lokale Temperatur der Elektroden 4,5 als Funktion der Leistung der Temperiervorrichtung 27, 29, 30 ermittelt werden. Basierend auf solchen Messungen kann die momentane Temperierleistung, bedarfsweise auch die geometrische Gestaltung der Thermal sensors 40, 40 'can be determined for different RF powers, gas flows, etc., a local temperature of the electrodes 4, 5 as a function of the power of the temperature control device 27, 29, 30. Based on such measurements, the instantaneous temperature control, if necessary, the geometric design of the
Temperiervorrichtungen 27, 29, 30 optimiert werden. Weiterhin können während der Plasmabehandlung Messwerte der Thermosensoren 40, 40' gewonnen und für eine prozessbegleitende Regelung der Leistung der Temperiervorrichtungen 27, 29, 30 verwendet werden. Temperature control devices 27, 29, 30 are optimized. Furthermore, measured values of the thermal sensors 40, 40 'can be obtained during the plasma treatment and used for a process-accompanying control of the power of the temperature control devices 27, 29, 30.
Die Temperierleistung der Temperiermittel 29, 30, gegebenenfalls auch der Temperiermittel 27 ist ausgelegt zur Einstellung einer Temperaturdifferenz Trs- Tvs >0,5 K, wobei Trs eine mittlere Temperatur der Rückseitenfläche des Substrats 2 und Tvs eine mittlere Temperatur der Vorderseitenfläche des Substrats 2 bezeichnet. Ferner ist die Temperierleistung der Temperiermittel ausgelegt zur Plasmabehandlung bei einer Temperatur Trs zwischen 120°C und 300°C und/oder einer Termperatur Tvs zwischen 20°C und 100°C und/oder bei einer Temperatur TG zwischen 20°C und 300°C und/oder einer Temperatur TE zwischen 20°C und 100°C, wobei TG eine mittlere Temperatur der Gegenelektrode und TE eine mittlere Temperatur der Elektrode bezeichnet. Es versteht sich, dass bei Auslegung der Temperierleistung Parameter wie Plasmaleistung, Abstand von Elektrode und The tempering of the temperature control means 29, 30, optionally also the temperature control 27 is designed to set a temperature difference T rs - T vs > 0.5 K, where T rs a mean temperature of the back surface of the substrate 2 and T vs a mean temperature of the front surface of the Substrate 2 denotes. Furthermore, the temperature control of the temperature control is designed for plasma treatment at a temperature T rs between 120 ° C and 300 ° C and / or a temperature T vs between 20 ° C and 100 ° C and / or at a temperature T G between 20 ° C and 300 ° C and / or a temperature T E between 20 ° C and 100 ° C, wherein T G denotes a mean temperature of the counter electrode and T E is an average temperature of the electrode. It is understood that when designing the temperature control parameters such as plasma power, distance from the electrode and
Gegenelektrode bzw. Abstand Gasaustrittsplatte und Vorderseitenfläche des Substrats, thermische Kopplung zwischen den Temperiermitteln und Rückseitenfläche des Substrats, Reaktionsgase, Prozessgase, Vorgaben der Prozesstemperatur usw. in fachmännischer Weise zu berücksichtigen sind. Counter electrode or distance gas outlet plate and front surface of the substrate, thermal coupling between the temperature control and back surface of the substrate, reaction gases, process gases, specifications of the process temperature, etc. are to be considered in a professional manner.
Die Vorrichtung weist ferner Mittel zum Beaufschlagen von Randseiten des Substrats 2 mit einer Kraft zum Erzeugen einer das Substrat 2 mit seiner Rückseitenfläche gegen die Auflagenfläche 5a haltenden Kraft auf. Die Gegenelektrode 5 weist auf ihrer der Elektrode 4 zugewandten Seite eine Vorrichtung 21 zur Halterung des Substrats 2 auf. Die bevorzugt als Fixiervorrichtung ausgebildete Vorrichtung 21 umfasst als Halterungsmittel einen oder mehrere Niederhalter 31 , die das Substrat 2 randseitig auf die Auflagefläche 5a fungierende Oberfläche der Gegenelektrode 5 pressen können. Die Halterungsmittel können fingerartig oder rahmenartig ausgebildet sein. Insbesondere können die The device further comprises means for imparting edge sides of the substrate 2 with a force for generating a force holding the substrate 2 with its rear side surface against the support surface 5a. The counterelectrode 5 has on its side facing the electrode 4 a device 21 for holding the substrate 2. The device 21, which is preferably designed as a fixing device, comprises one or more retaining means a plurality of hold-downs 31, which can press the substrate 2 on the edge surface on the support surface 5a acting surface of the counter electrode 5. The holding means may be formed finger-like or frame-like. In particular, the
Halterungsmittel mechanisch mit der Gegenelektrode 3 verbunden, gleichzeitig aber elektrisch und/oder thermisch von dieser isoliert sein. Holding means mechanically connected to the counter electrode 3, but at the same time be electrically and / or thermally insulated from this.
Figur 2 zeigt in schematischen Darstellungen einen Schnitt durch ein flaches Substrat 50 mit einer Vorderseite 55, einer Rückseite 60 sowie Randseiten 65, das auf einer FIG. 2 shows, in schematic illustrations, a section through a flat substrate 50 with a front side 55, a back side 60 and edge sides 65, which are located on one side
Auflagefläche 5a liegt, wobei die Temperaturdifferenz zwischen Vorderseite 55 und Support surface 5a is located, the temperature difference between the front 55 and
Rückseite 60 in der oberen Teilfigur dT<0 und in der unteren Teilfigur dT> 0 beträgt und in der oberen Teilfigur eine konvexe Wölbung und in der unteren Teilfigur eine konkave Wölbung, jeweils von oben gesehen ausgebildet ist. Durch Beaufschlagung der Back side 60 in the upper part of the figure dT <0 and in the lower part of the figure dT> 0 and in the upper part of a convex convex figure and in the lower part figure a concave curvature, each seen from above. By applying the
Randseiten 65, kann in der Teilfigur das Substrat 50 gegen die Auflagefläche 5a gepresst werden. Edge sides 65, the substrate 50 can be pressed against the support surface 5a in the subfigure.
Bei der Plasmabehandlung erfolgen folgende Schritte: During the plasma treatment, the following steps take place:
- thermisches Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats entspricht; vgl. Figur 2, untere Teilfigur, und thermally generating a mechanical bias in the substrate corresponding to a concave curvature of the substrate as seen from the direction of the electrode; see. Figure 2, lower part of the figure, and
- Beaufschlagung von Randseiten des Substrats mit einer Kraft zum Erzeugen einer das Substrat mit seiner Rückseitenfläche gegen die Auflagenfläche haltenden Kraft. - Applying edge sides of the substrate with a force for generating a force holding the substrate with its rear side surface against the support surface.
Zur Erreichung einer hohen thermischen Kopplung wird in den Bereich zwischen To achieve a high thermal coupling is in the range between
Rückseitenfläche des Substrats und Auflagefläche Wasserstoff- und/oder Heliumgas mit einem Prozessdruck zwischen 0,1 mbar und 250 mbar eingeleitet. Die Auflagefläche wird beispielsweise auf eine mittlere Temperatur TA in einem Bereich zwischen 20°C und 300°C temperiert und damit die an die Auflagefläche gedrückte Rückseitenfläche des Substrats auf eine entsprechende Temperatur gebracht. Mit dem Verfahren lassen sich Schichten mit eine laterale Homogenität von weniger als 1 % herstellen. Rear side surface of the substrate and bearing surface hydrogen and / or helium gas with a process pressure between 0.1 mbar and 250 mbar initiated. The support surface is tempered, for example, to an average temperature TA in a range between 20 ° C and 300 ° C and thus brought to the support surface pressed back surface of the substrate to a corresponding temperature. The process can produce layers with a lateral homogeneity of less than 1%.
Mittels der Temperiermittel wird beispielsweise eine Temperaturdifferenz TRS - TVs zwischen 0,5 K und 1 ,0 K eingestellt, wobei TRS eine mittlere Temperatur der By means of the temperature control, for example, a temperature difference T RS - T V s between 0.5 K and 1, 0 K set, where T RS is a mean temperature of
Rückseitenfläche des Substrats und TVs eine mittlere Temperatur der Vorderseitenfläche des Substrats bezeichnet. Die Plasmabehandlung erfolgt insbesondere bei einer Temperatur TRS zwischen 120°C und 300°C und/oder einer Temperatur TVs zwischen 20°C und 100°C. Ferner erfolgt die Plasmabehandlung insbesondere bei einer Temperatur TG zwischen 20°C und 300°C und/oder einer Temperatur TE zwischen 20°C und 100°C, wobei TG eine mittlere Temperatur der Gegenelektrode und TE eine mittlere Temperatur der Elektrode bezeichnen. Rear side surface of the substrate and T V s denotes an average temperature of the front surface of the substrate. The plasma treatment is carried out in particular at a Temperature T RS between 120 ° C and 300 ° C and / or a temperature T V s between 20 ° C and 100 ° C. Furthermore, the plasma treatment is carried out in particular at a temperature T G between 20 ° C and 300 ° C and / or a temperature T E between 20 ° C and 100 ° C, where TG denotes a mean temperature of the counter electrode and T E is an average temperature of the electrode ,

Claims

Patentansprüche claims
Verfahren zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats, wobei das Substrat zwischen einer Elektrode einer planen Aufladefläche, die einer Gegenelektrode zugeordnet ist, angeordnet wird und dabei mit seiner Vorderseite der Elektrode und mit seiner Rückseite der Auflagefläche zugewandt ist, mit A process for the plasma treatment of a flat substrate, wherein the substrate between an electrode of a planar Aufladefläche, which is associated with a counter electrode, is arranged, with its front side of the electrode and with its rear side facing the support surface, with
- Haltern des Substrats an der Auflagefläche - Holding the substrate on the support surface
- thermisches Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats mit von der Auflagefläche beabstandeten Randseiten des Substrats entspricht mittels Temperierung von Vorderseite und/ oder Rückseite des Substrats  - Thermal generation of a mechanical bias in the substrate, which corresponds to a seen from the direction of the electrode concave curvature of the substrate with spaced from the support surface edge sides of the substrate by means of temperature control of the front and / or back of the substrate
- Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines  - Applying the edge sides with local forces to reach a
flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der Auflagefläche mittels zumindest eines Niederhalters  flat concerns the back surface of the substrate on the support surface by means of at least one hold-down
- Anregung der Plasmaentladung mittels einer HF-Spannung.  - Excitation of the plasma discharge by means of an RF voltage.
Verfahren nach Anspruch 1 , gekennzeichnet, durch Zulassen einer seitlichen A method according to claim 1, characterized by allowing a lateral
Ausdehnung des Substrats nach Beaufschlagen der Randseiten mittels lokalen Kräften mittels des zumindest einen Niederhalters.  Expansion of the substrate after applying the edge sides by means of local forces by means of the at least one hold-down.
Verfahren zur Plasmabehandlung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Subststrat während der Plasmabehandlung mit einem Winkel in einem Bereich zwischen 3° und 30° zur Senkrechten gehaltert wird. Process for the plasma treatment according to claim 1 or 2, characterized in that the substrate is held during the plasma treatment at an angle in a range between 3 ° and 30 ° to the vertical.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Plasmabehandlung bei einer Temperatur Trs zwischen 20°C und 300°C und/oder einer Termperatur Tvs zwischen 20°C und 300°C und/oder bei einer Temperatur TG zwischen 20°C und 300°C und/oder einer Temperatur TE zwischen 20°C und 300°C erfolgt, wobei TG eine mittlere Temperatur der Gegenelektrode und TE eine mittlere Temperatur der Elektrode bezeichnet und/oder die Auflagefläche auf eine mittlere Temperatur TA in einem Bereich zwischen 20°C und 300°C temperiert wird. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the plasma treatment at a temperature T rs between 20 ° C and 300 ° C and / or a temperature T vs between 20 ° C and 300 ° C and / or at a temperature TG between 20 ° C and 300 ° C and / or a temperature T E between 20 ° C and 300 ° C, where T G is a mean temperature of the counter electrode and T E denotes an average temperature of the electrode and / or the support surface to an average temperature T A is tempered in a range between 20 ° C and 300 ° C.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mittels der Temperiermittel eine Temperaturdifferenz Trs - Tvs mit 3, OK > Trs - Tvs >0,5K eingestellt wird, wobei Trs eine mittlere Temperatur der Rückseitenfläche des Substrats und Tvs eine mittlere Temperatur der Vorderseitenfläche des Substrats bezeichnet Method according to one of the preceding claims, characterized in that by means of the temperature control means a temperature difference T rs - T vs with 3, OK> T rs - Tvs > 0.5K, where T rs denotes a mean temperature of the back surface of the substrate and T vs an average temperature of the front surface of the substrate
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass in den Bereich zwischen Rückseitenfläche des Substrats und Auflagefläche ein Waserstoff- und/oder Heliumgas mit einem Prozesspartialdruck zwischen 0,1 mbar und 250 mbar eingeleitet wird. 6. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that in the region between the rear surface of the substrate and support surface, a hydrogen and / or helium gas is introduced at a process partial pressure between 0.1 mbar and 250 mbar.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Plasmabehandlung an Elektrode und Gegenelektrode eine HF-Leistung in einem Bereich zwischen 0,1 kW/m2 und 20 kW/m2 angelegt wird. 7. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that for the plasma treatment at the electrode and counter electrode, an RF power in a range between 0.1 kW / m2 and 20 kW / m2 is applied.
8. Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats, wobei das Substrat 8. An apparatus for plasma treatment of a flat substrate, wherein the substrate
zwischen einer Elektrode einer planen Aufladefläche, die einer Gegenelektrode zugeordnet ist, angeordnet werden kann und dabei mit seiner Vorderseite der  between an electrode of a planar Aufladefläche, which is associated with a counter electrode, can be arranged, and with its front of the
Elektrode und mit seiner Rückseite der Auflagefläche zugewandt ist, mit  Electrode and faces with its rear side of the support surface, with
- Mitteln zum Haltern des Substrats an der Auflagefläche - Means for supporting the substrate on the support surface
- einer Einrichtung zum thermischen Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats mit von der Auflagefläche beabstandeten Randseiten des Substrats entspricht mittels Temperierung von Vorderseite und/ oder Rückseite des Substrats  - A device for the thermal generation of a mechanical bias in the substrate, which corresponds to a seen from the direction of the electrode concave curvature of the substrate with spaced from the support surface edge sides of the substrate by means of temperature control of the front and / or back of the substrate
- Mitteln zum Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der Auflagefläche mittels zumindest eines Niederhalters  - Means for acting on the edge sides with local forces to achieve a flat concern of the back surface of the substrate on the support surface by means of at least one hold-down
- Mitteln zur Anregung der Plasmaentladung mittels einer HF-Spannung.  - means for exciting the plasma discharge by means of an RF voltage.
9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Vorrichtungsansprüche, dadurch 9. Device according to one of the preceding device claims, characterized
gekennzeichnet, dass im Bereich der Elektrode, Gegenelektrode und/oder der  characterized in that in the region of the electrode, counter electrode and / or the
Auflagefläche angeordnete Temperiermittel vorgesehen sind.  Support surface arranged tempering are provided.
10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Vorrichtungsansprüche, gekennzeichnet durch eine Ausbildung des zumindest einen Niederhalters, welche eine seitliche Ausdehnung des Substrats nach Beaufschlagen der Randseiten mittels lokalen Kräften mittels des zumindest einen Niederhalters zulässt. 10. Device according to one of the preceding device claims, characterized by a construction of the at least one hold-down, which a lateral extent of the substrate after applying the edge sides by means of local Allow forces by means of at least one hold-down.
11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Vorrichtungsansprüche, gekennzeichnet durch Ausbildung der Mittel zur Halterung des Substrats, welche während der 11. Device according to one of the preceding device claims, characterized by forming the means for supporting the substrate, which during the
Plasmabehandlung eine Orientierung des Substrats mit einem Winkel zur  Plasma treatment is an orientation of the substrate at an angle to
Senkrechten in einem Bereich zwischen 3° und 30° mit der Vorderseitenfläche nach unten vorsehen.  Provide vertical in a range between 3 ° and 30 ° with the front surface down.
12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Vorrichtungsansprüche, dadurch 12. Device according to one of the preceding device claims, characterized
gekennzeichnet, dass mittels von im Bereich der Gegenelektrode angeordneten Temperiermittel die Auflagefläche und/oder mittels von im Bereich der Elektrode angeordneten Temperiermittel ein im Bereich zwischen Elektrode (4) und  characterized in that by means arranged in the region of the counter electrode temperature control means the support surface and / or by means arranged in the region of the electrode temperature control in the region between the electrode (4) and
Gegenelektrode (5) angeordneter Gasverteiler temperierbar ist.  Counter electrode (5) arranged gas distributor is temperature controlled.
13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Vorrichtungsansprüche, dadurch 13. Device according to one of the preceding device claims, characterized
gekennzeichnet, dass die Temperiermittel von einer Temperierflüssigkeit  characterized in that the temperature control of a bath liquid
durchströmbare Kanäle aufweisen.  have flow-through channels.
14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Vorrichtungsansprüche, dadurch 14. Device according to one of the preceding device claims, characterized
gekennzeichnet, dass die Temperierleistung der Temperiermittel ausgelegt ist zur Einstellung einer Temperaturdifferenz Trs - Tvs mit 3, OK > Trs - Tvs >0,5K, wobei Trs eine mittlere Temperatur der Rückseitenfläche des Substrats und Tvs eine mittlere Temperatur der Vorderseitenfläche des Substrats bezeichnet characterized in that the temperature control of the temperature control is designed to set a temperature difference T rs - T vs with 3, OK> T rs - T vs > 0.5K, where T rs is a mean temperature of the back surface of the substrate and T vs an average temperature of Designated front side surface of the substrate
15. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Vorrichtungsansprüche, dadurch 15. Device according to one of the preceding device claims, characterized
gekennzeichnet, dass die Temperierleistung der Temperiermittel ausgelegt ist zur Plasmabehandlung bei einer Temperatur Trs zwischen 20°C und 300°C und/oder einer Termperatur Tvs zwischen 20°C und 300°C und/oder bei einer Temperatur TG zwischen 20°C und 300°C und/oder einer Temperatur TE zwischen 20°C und 100°C, wobei TG eine mittlere Temperatur der Gegenelektrode und TE eine mittlere characterized in that the temperature control of the temperature control is designed for plasma treatment at a temperature T rs between 20 ° C and 300 ° C and / or a temperature T vs between 20 ° C and 300 ° C and / or at a temperature T G between 20 ° C and 300 ° C and / or a temperature T E between 20 ° C and 100 ° C, where T G is a mean temperature of the counter electrode and T E is a medium
Temperatur der Elektrode bezeichnet.  Temperature of the electrode called.
16. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Vorrichtungsansprüche, dadurch 16. Device according to one of the preceding device claims, characterized
gekennzeichnet, dass eine elektrische Leistungsversorgung vorgesehen ist, mittels der an Elektrode und Gegenelektrode eine HF-Leistung in einem Bereich zwischen 0,1 kW/m2 und 20 kW/m2 angelegt werden kann.  in that an electrical power supply is provided by means of which an RF power in the range between 0.1 kW / m 2 and 20 kW / m 2 can be applied to the electrode and counterelectrode.
PCT/EP2011/003516 2010-07-14 2011-07-14 Method and device for the plasma treatment of flat substrates WO2012007165A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010027168.3 2010-07-14
DE201010027168 DE102010027168A1 (en) 2010-07-14 2010-07-14 Method and device for the plasma treatment of flat substrates

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012007165A1 true WO2012007165A1 (en) 2012-01-19

Family

ID=44503695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2011/003516 WO2012007165A1 (en) 2010-07-14 2011-07-14 Method and device for the plasma treatment of flat substrates

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102010027168A1 (en)
TW (1) TW201224196A (en)
WO (1) WO2012007165A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112969815A (en) * 2018-09-07 2021-06-15 艾克斯特朗欧洲公司 Method for regulating the top temperature of a CVD reactor
CN112969815B (en) * 2018-09-07 2024-04-30 艾克斯特朗欧洲公司 Method for regulating the top temperature of a CVD reactor

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116321563B (en) * 2023-05-15 2023-08-01 山西丹源新材料科技股份有限公司 Furnace end electrode cooler with constant pressure water supply function

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020083897A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition
JP2005123339A (en) 2003-10-15 2005-05-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Plasma cvd apparatus and electrode therefor
US20070128863A1 (en) * 2005-11-04 2007-06-07 Paul Ma Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US20080011738A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Oki Electric Industry Co., Ltd. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device with a sapphire substrate
DE102007022431A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-13 Leybold Optics Gmbh Plasma-coating assembly for flat surfaces e.g. thin film solar cells has moving electrode and fixed electrode

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09320799A (en) * 1996-05-27 1997-12-12 Hitachi Ltd Plasma processor and plasma processing method
JP3310171B2 (en) * 1996-07-17 2002-07-29 松下電器産業株式会社 Plasma processing equipment
MY120869A (en) * 2000-01-26 2005-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treatment apparatus and method
JP3886046B2 (en) * 2002-12-18 2007-02-28 シャープ株式会社 Plasma CVD apparatus, film forming method using the same, and semiconductor device manufacturing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020083897A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition
JP2005123339A (en) 2003-10-15 2005-05-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Plasma cvd apparatus and electrode therefor
US20070128863A1 (en) * 2005-11-04 2007-06-07 Paul Ma Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US20080011738A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Oki Electric Industry Co., Ltd. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device with a sapphire substrate
DE102007022431A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-13 Leybold Optics Gmbh Plasma-coating assembly for flat surfaces e.g. thin film solar cells has moving electrode and fixed electrode
EP2147452A2 (en) 2007-05-09 2010-01-27 Leybold Optics GmbH Treatment system for flat substrates

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112969815A (en) * 2018-09-07 2021-06-15 艾克斯特朗欧洲公司 Method for regulating the top temperature of a CVD reactor
CN112969815B (en) * 2018-09-07 2024-04-30 艾克斯特朗欧洲公司 Method for regulating the top temperature of a CVD reactor

Also Published As

Publication number Publication date
TW201224196A (en) 2012-06-16
DE102010027168A1 (en) 2012-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602004007017T2 (en) VOLTAGE DENSITY COMPENSATION METHOD FOR A HIGH FREQUENCY PLASMA RETRACTOR FOR TREATING RECTANGULAR LARGE SUBSTRATE
EP2147452B1 (en) Treatment system for flat substrates
WO2011012185A1 (en) Cleaning of a process chamber
DE112007003640B4 (en) Apparatus for generating a plasma by means of a dielectric barrier discharge
EP2107131A1 (en) Method and device for coating and treating the surfaces of substrates using a plasma beam
WO2010085949A2 (en) Substrate carrier for mounting substrates
DE112008003029T5 (en) Workpiece carrier with fluid zones for temperature control
EP3053186B1 (en) Device and method for the continuous production of porous silicon layers
EP2464938A1 (en) Device and treatment chamber for thermally treating substrates
DE3140237A1 (en) PLASMA EQUIPMENT
EP3312871A1 (en) Holding device for holding a substrate stack
DE102009043960A1 (en) CVD reactor
DE10352606A1 (en) Device for producing a semiconductor component comprises a chamber containing an inner structure, a reaction gas feed unit for introducing reaction gas into the inner chamber, a cathode and anode for plasma discharge and a heater
DE112010000724T5 (en) Plasma processing apparatus and plasma CVD film forming method
WO2012007165A1 (en) Method and device for the plasma treatment of flat substrates
EP0658416A2 (en) Method for texturing polymer foils
EP1127176A1 (en) Device for producing and processing semiconductor substrates
Kenéz et al. Anodic plasma nitriding in hollow cathode (HCAPN)
EP1038306B1 (en) Method and device for improving surfaces
EP3570973B1 (en) Additive manufacturing process
EP0257620A2 (en) Method and device for forming a layer by a chemical plasma process
EP1854907B1 (en) Device for plasma-based chemical treatment of surfaces of substrates in a vacuum
DE10340147A1 (en) Method and device for processing a substrate and plate used therein
DE4325041A1 (en) Adjustment of the processing rate distribution in an etching or plasma CVD installation - with an adjustment body located opposite to the surface undergoing processing
EP1825493A1 (en) Method and device for operating a plasma device

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11746446

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11746446

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1