WO2010031688A1 - Optoelectronic organic component with improved light output and/or injection - Google Patents

Optoelectronic organic component with improved light output and/or injection Download PDF

Info

Publication number
WO2010031688A1
WO2010031688A1 PCT/EP2009/061284 EP2009061284W WO2010031688A1 WO 2010031688 A1 WO2010031688 A1 WO 2010031688A1 EP 2009061284 W EP2009061284 W EP 2009061284W WO 2010031688 A1 WO2010031688 A1 WO 2010031688A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
scattering centers
component according
scattering
transparent
Prior art date
Application number
PCT/EP2009/061284
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Anett Berndt
Florian Eder
Wiebke Sarfert
Heinrich Zeininger
Original Assignee
Siemens Aktiengesellschaft
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Aktiengesellschaft filed Critical Siemens Aktiengesellschaft
Priority to EP09782466A priority Critical patent/EP2329545A1/en
Publication of WO2010031688A1 publication Critical patent/WO2010031688A1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/02Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/0236Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
    • G02B5/0242Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/02Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0273Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
    • G02B5/0278Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use used in transmission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/828Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

The invention relates to an organic optoelectronic component in which at least one lower electrode layer (12), then an optically active organic layer and, at the top, a counterelectrode, which need not necessarily be transparent, are arranged on a transparent substrate (16). The optoelectronic organic component has improved light output and/or injection and, in particular, has reduced total internal reflection at the interface between the transparent electrode and the substrate because scattering centres (15) are located in the transparent zone.

Description

Beschreibungdescription
Optoelektronisches organisches Bauteil mit verbesserter Lichtaus- und/oder -einkopplungOptoelectronic organic component with improved Lichtaus- and / or coupling
Die Erfindung betrifft ein organisches optoelektronisches Bauteil, bei dem auf einem transparenten Substrat zumindest eine untere Elektrodenschicht, danach eine optisch aktive organische Schicht und oben eine Gegenelektrode angeordnet ist, die nicht notwendigerweise transparent sein muss. Das optoelektronische organische Bauteil hat eine verbesserte Lichtaus- und/oder -einkopplung, insbesondere hat es eine verminderte Totalreflexion an der Grenzfläche zwischen transparenter Elektrode und Substrat.The invention relates to an organic optoelectronic component in which at least one lower electrode layer, then an optically active organic layer and at the top a counter electrode, which does not necessarily have to be transparent, are arranged on a transparent substrate. The optoelectronic organic component has improved Lichtaus- and / or -einkopplung, in particular it has a reduced total reflection at the interface between the transparent electrode and substrate.
Bekannt sind Streuschichten in optoelektronischen organischen Bauteilen, wobei beispielsweise sandgestrahlte Substrate zum Einsatz kommen.Dispersing layers in optoelectronic organic components are known, wherein, for example, sandblasted substrates are used.
Am Beispiel der organischen Licht emittierenden Diode (OLED) wird erläutert, wodurch - nach Abschätzungen aus der klassischen Strahlungsoptik - im ungünstigsten Fall bis zu 80 % der Photonen verloren gehen. Die OLED umfasst in der Regel folgende Schichten mit unterschiedlichem Brechungsindex: Luft (n = 1); Glas (Substrat) (n = 1,5); untere Elektrode, z. B. ITO (n = 1,8 bis 1,9); organische Photoaktive Schicht (n ca. 1,7). Dabei kommt es bei der Lichtbrechung im ungünstigsten Fall zur Totalreflexion, zumindest aber zu einer Mehrfachreflexion und dadurch zu den Strahlungsverlusten (gefangene Moden) .Using the example of the organic light-emitting diode (OLED), it is explained that, in the worst case scenario, up to 80% of the photons are lost - according to estimates from the classical radiation optics. The OLED usually comprises the following layers with different refractive indices: air (n = 1); Glass (substrate) (n = 1.5); lower electrode, z. B. ITO (n = 1.8 to 1.9); organic photoactive layer (n approx. 1.7). In the worst case, the total refraction occurs in the refraction of the light, but at least a multiple reflection and thus the radiation losses (trapped modes).
Es werden Linsensysteme und reflektorartige Mesastrukturen eingesetzt, um die Verluste zu mindern, allerdings gelang es bislang noch nicht, beispielsweise die Lichtauskoppeleffizienz von Organischen LEDs (light emitting diodes) deutlich über 20 % zu steigern. Für Energiewandler oder Signalgeneratoren wie Solarzellen oder Photodetektoren auf Basis organischer Halbleiter ist die Effizienz der Einkoppelung entscheidend für die Güte des gesamten Bauteils.Lens systems and reflector-like mesa structures are used to reduce the losses, but so far it has not been possible, for example, to significantly increase the light extraction efficiency of organic LEDs (light emitting diodes) by more than 20%. For energy converters or signal generators such as solar cells or photodetectors based on organic semiconductors, the efficiency of the coupling is crucial for the quality of the entire component.
Deshalb ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Schichtsystem für ein optoelektronisches Bauteil auf Basis organischer Halbleiter zur Verfügung zu stellen, das eine gegenüber dem dargelegten Stand der Technik erhöhte Aus- oder Einkoppeleffizienz von Strahlung zeigt.It is therefore the object of the present invention to provide a layer system for an optoelectronic component based on organic semiconductors, which exhibits an increased or decreased coupling efficiency of radiation compared to the prior art.
Lösung der Aufgabe ist in den Ansprüchen, Beschreibung und den Beispielen wiedergegeben.Solution to the problem is given in the claims, description and examples.
Lösung der Aufgabe und Gegenstand der Erfindung ist daher ein organisches optoelektronisches Bauteil folgenden Schichtaufbau umfassend, auf einem transparenten Substrat befindet sich eine untere transparente Elektrode darauf zumindest eine optoelektronisch aktive organische Schicht, darauf eine obere Elektrode, wobei in der transparenten Zone Streuzentren angeordnet sind, durch die Totalreflexion vermindert wird.A solution of the object and subject of the invention is therefore an organic optoelectronic component following layer structure comprising, on a transparent substrate is a lower transparent electrode thereon at least one optoelectronically active organic layer, thereon an upper electrode, wherein in the transparent zone scattering centers are arranged through the total reflection is reduced.
Außerdem ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Gerätes folgende Verfahrensschritte umfassend: a) Aufbringung einer unteren, zumindest semitransparenten Elektrodenschicht auf einem zumindest semitransparentenIn addition, the subject matter of the invention is a method for producing an organic optoelectronic device comprising the following method steps: a) application of a lower, at least semitransparent, electrode layer on an at least semitransparent one
Substrat, wobei zumindest in der transparenten Zone Streuzentren vorhanden sind, b) Aufbringen einer funktionellen optoelektronisch-aktiven organischen Schicht c) Aufbringen einer zweiten Elektrodenschicht. Durch die statistische Streuung der Strahlung an den Streuzentren kann eine Verbesserung der Aus- oder Einkoppeleffizienz um geschätzt bis zu 40 % erreicht werden.Substrate, wherein at least in the transparent zone scattering centers are present, b) applying a functional optoelectronic-active organic layer c) applying a second electrode layer. The statistical scattering of the radiation at the scattering centers can improve the extraction or coupling efficiency by up to 40%.
Um eine verlustärmere Aus- oder Einkoppeleffizienz der unteren Elektrode zu erreichen ist es vorteilhaft, wenn das Matrixmaterial der darauffolgenden Schicht einen Brechungsindex größer/gleich der des Materials der unteren Elektrodenschicht hat. Andernfalls könnten zusätzliche Strahlungsverluste durch Verkleinerung des Totalreflexionswinkels auftreten.In order to achieve a lower-loss outcoupling or coupling-in efficiency of the lower electrode, it is advantageous if the matrix material of the subsequent layer has a refractive index greater than or equal to that of the material of the lower electrode layer. Otherwise, additional radiation losses could occur by reducing the total reflection angle.
Als „transparente Zone" wird bevorzugt der Bereich zwischen dem Substrat, der unteren transparenten Elektrode und der optoelektronisch aktiven Schicht bezeichnet, wobei die transpa- rente Zone innerhalb der genannten Schichten liegen kann, aber auch außerhalb davon, sowie eine oder mehrere separate Schicht (en) umfassen kann. Jedenfalls bezeichnet die transparente Zone den Bereich des optoelektronischen Bauteils, in dem die Steigerung der Effizienz für das Bauteil den besten Effekt zeigt. Ein Bauteil kann auch mehrere transparente Zonen umfassen.The "transparent zone" is preferably the area between the substrate, the lower transparent electrode and the optoelectronically active layer, wherein the transparent zone may be located within said layers, but also outside thereof, as well as one or more separate layers (s) In any event, the transparent zone refers to the area of the opto-electronic device in which the increase in efficiency for the device exhibits the best effect A device may also include multiple transparent zones.
Als optoelektronisches Bauteil auf organischer Basis wird insbesondere eine organische selbst emittierende Diode (OLED) , eine photovoltaische Zelle oder Solarzelle, ein Photodetektor und/oder ein elektrochromes Bauteil verstanden. Die optoelektronisch aktiven Schichten dieser Bauteile wechselwirken nicht alle mit Strahlung der gleichen Wellenlängenbereiche, so dass sich die hier angegebenen Brechungsindizes und/oder Verhältnisse der Brechungsindizes der Schichten sich immer auf das betrachtete Bauteil und die dafür relevante Strahlung beziehen. Die genannten Beispiele beziehen sich der Einfachheit halber alle auf die Wellenlänge von sichtbarem Licht also von ca. 400 bis 750 nm.An organic-based optoelectronic component is understood in particular to be an organic self-emitting diode (OLED), a photovoltaic cell or solar cell, a photodetector and / or an electrochromic component. The optoelectronically active layers of these components do not all interact with radiation of the same wavelength ranges, so that the refractive indices and / or ratios of the refractive indices of the layers specified here always refer to the component under consideration and the relevant radiation. For the sake of simplicity, all of the examples mentioned all refer to the wavelength of visible light, ie from approximately 400 to 750 nm.
Als Lichtauskopplungs- oder -einkopplungseffizienz wird einfach das Verhältnis von generierten zu ausgekoppelten oder eingestrahlten zu eingekoppelten Photonen bezeichnet. Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung sind die Streuzentren in zumindest einer separaten Schicht der transparenten Zone angeordnet. Dabei können die Streuzentren innerhalb einer se- paraten Schicht und innerhalb der einer anderen Schicht oder dem Substrat angeordnet sein oder nur in der separaten Schicht .Light extraction or coupling efficiency is simply referred to as the ratio of generated to outcoupled or incident to injected photons. According to an advantageous embodiment, the scattering centers are arranged in at least one separate layer of the transparent zone. In this case, the scattering centers can be arranged within a separate layer and within that of another layer or the substrate, or only in the separate layer.
Nach einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfin- düng sind die Streuzentren in der transparenten Zone hauptsächlich in der unteren Elektrodenschicht eingearbeitet.According to a further advantageous embodiment of the invention düng the scattering centers are incorporated in the transparent zone mainly in the lower electrode layer.
Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn das Matrixmaterial der Schicht mit den Streuzentren bezüglich des Brechungsindex so gewählt ist, dass der Brechungsindex n der Streuschicht größer oder gleich dem der unteren Elektrode ist (n streuschicht ≥ n untere Elektrode) • Damit wird Totalreflexion verhindert.It is particularly advantageous if the matrix material of the layer with the scattering centers is selected with respect to the refractive index such that the refractive index n of the scattering layer is greater than or equal to that of the lower electrode (n scattering layer ≥ n lower electrode). This prevents total reflection.
Im Folgenden wird der Brechungsindex n der unteren Elektrode als ne bezeichnet, wobei der Index „e" für Elektrode steht. Des Weiteren wird ein Index für den Brechungsindex des Matrix-Materials eingeführt „m" und der Index ,,s" für den Brechungsindex der Streuzentren selbst. Im Weiteren werden die Symbole „ne"; „nm" und „ns" für die jeweiligen Brechungsindi- zes nach den vorstehenden Definitionen gebraucht.Hereinafter, the refractive index n of the lower electrode is referred to as n e , where the subscript "e" stands for electrode, and an index for the refractive index of the matrix material is introduced "m" and the index "s" for the refractive index the scattering centers themselves. In the following, the symbols "n e ";"N m " and "n s " are used for the respective refractive indices according to the above definitions.
In der Streuschicht wird eine ausreichende Streuwirkung durch in das Matrixmaterial eingebaute Partikel und/oder Poren gewährleistet. Diese findet bevorzugt statt, wenn zumindest ei- ne der folgenden Bedingungen erfüllt ist: Zum einen ist es vorteilhaft, wenn die Streuzentren eine gewisse Mindestgröße haben, etwa im Bereich von 30nm bis 10 μm, insbesondere 100 - 700 nm und insbesondere bevorzugt 200-300 nm, damit Wechselwirkung mit der Strahlung in hohem Maße stattfindet.In the litter layer a sufficient scattering effect is ensured by built-in the matrix material particles and / or pores. This preferably takes place when at least one of the following conditions is met: Firstly, it is advantageous if the scattering centers have a certain minimum size, for example in the range from 30 nm to 10 μm, in particular 100-700 nm and particularly preferably 200-300 nm, so that interaction with the radiation takes place to a high degree.
Nach einer Ausführungsform der Erfindung kann es vorteilhaft sein, dass eine breiter gewählte Durchmesserverteilung der Streuzentren vorhanden ist, insbesondere, wenn es sich nicht um monochromatische Strahlung handelt.According to one embodiment of the invention, it may be advantageous that a more widely selected diameter distribution of Scattering centers is present, especially if it is not monochromatic radiation.
Zum anderen ist es vorteilhaft, wenn die Größenverteilung der Streuzentren möglichst eng, beispielsweise mit 7 % Abweichung (siehe unten) gewählt wird, damit ein gleichmäßiger Einbau der Streuzentren in die Schicht und eine gleichmäßige Verteilung innerhalb der Schicht gewährleistet ist. Zudem ist dies auch vorteilhaft bei der Ausbildung einer homogen dicken Schicht. Gemäß einer besonderen Ausgestaltung weisen daher weniger als 10 %, insbesondere weniger als 7 % der Streuzentren der Streuschichten Streuzentren-Durchmesser auf, der um mehr als 25 % vom durchschnittlichen Streuzentren-Durchmesser abweicht. Mehr als 90 % oder 93 % der Streuzentren der Streu- schicht haben einen Streuzentren-Durchmesser, der weniger als 25% vom durchschnittlichen Streuzentren-Durchmesser abweicht.On the other hand, it is advantageous if the size distribution of the scattering centers is selected as closely as possible, for example with 7% deviation (see below), so that a uniform installation of the scattering centers in the layer and a uniform distribution within the layer is ensured. In addition, this is also advantageous in the formation of a homogeneous thick layer. According to a particular embodiment, therefore, less than 10%, in particular less than 7%, of the scattering centers of the scattering layers have scatter center diameters which deviate by more than 25% from the average scatter center diameter. More than 90% or 93% of the scattering centers of the scattering layer have a scatter center diameter that deviates less than 25% from the average scatter center diameter.
Damit die Streuzentren innerhalb der Schicht optimal wirken, wurde festgestellt, dass es vorteilhaft ist, wenn ein Unter- schied der Brechungsindizes zwischen den Streuzentren derIn order for the scattering centers within the layer to work optimally, it has been found that it is advantageous if a difference in the refractive indices between the scattering centers of the
Schicht und dem Matrixmaterial, in das die Streuzentren eingebettet sind, besteht, der ca. 0,05 oder mehr, bevorzugt ca. 0,2 oder mehr, und ganz bevorzugt ungefähr 0,5 oder mehr beträgt, also zumindest ca. +/- 0,05 oder größer ist.Layer and the matrix material in which the scattering centers are embedded, which is about 0.05 or more, preferably about 0.2 or more, and more preferably about 0.5 or more, that is at least about +/- 0.05 or greater.
Das Matrixmaterial, also das Material in das die Streuzentren eingebettet sind, hier der Streuschicht ist beispielsweise ein Metalloxid wie Titan- und/oder Zirkonoxid, es können aber auch beliebige andere Metalloxide oder auch Mischungen daraus und/oder Metallsulfide zum Einsatz kommen, durch Mischungen können gezielt Brechungsindizes des Matrixmaterials eingestellt werden.The matrix material, ie the material in which the scattering centers are embedded, here the scattering layer is for example a metal oxide such as titanium and / or zirconium oxide, but any other metal oxides or mixtures thereof and / or metal sulfides can also be used by mixtures targeted refractive indices of the matrix material can be adjusted.
Die Streuzentren können zum einen diskrete Partikel sein, die beschichtet oder unbeschichtet sind, und zum anderen können sie Poren in dem Matrixmaterial sein, die leer, gas- und/oder luftgefüllt sind. Als so genanntes Templatematerial, eignet sich beispielsweise ein Polymer, insbesondere ein solches, oder eine Mischung verschiedener Polymere, (das) die in den Beschichtungslösun- gen löslich sind, mittels eines Sol-Gel-Prozesses aufbringbar sind und (das) die beim Erwärmen oder bei Erzeugung von Unterdruck, also beispielsweise beim Abdampfen des Lösungsmittels durch Selbstorganisation Einformungen bilden. Diese Polymere werden auch porositätsverursachende Polymere genannt.On the one hand, the scattering centers may be discrete particles which are coated or uncoated, and on the other hand they may be pores in the matrix material which are empty, gas- and / or air-filled. As a so-called template material, for example, is a polymer, in particular such, or a mixture of different polymers (which are soluble in the coating solutions, sol-gel process can be applied and (those) when heated or when forming negative pressure, so for example when evaporating the solvent form by self-organization Einformungen. These polymers are also called porosity-causing polymers.
Eine Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass das porositätsverursachende Polymer nach Beenden des Sol-Gel-Prozesses ausgewaschen wird.An embodiment of the invention is characterized in that the porosity-causing polymer is washed out after completion of the sol-gel process.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch ge- kennzeichnet, dass das porositätsverursachende Polymer nachA preferred embodiment of the invention is characterized in that the porosity-causing polymer according to
Beenden des Sol-Gel-Prozesses mittels Temperung, insbesondere bei einer Temperatur von ≥ 800C bis ≤ 1000C, bevorzugt mit Wasser ausgewaschen wird.Termination of the sol-gel process by means of heat treatment, in particular at a temperature of ≥ 80 0 C to ≤ 100 0 C, preferably washed with water.
Die Bezeichnung „Sol-Gel-Prozess oder Sol-Gel-Verfahren" imThe term "sol-gel process or sol-gel process" in
Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet oder umfasst insbesondere alle Prozesse und/oder Verfahren bei denen Metallpre- cursormaterialien, insbesondere Metallhalogenide und/oder Metallalkoxide, sowie Mischungen daraus, in Lösung einer Hydro- lyse und anschließenden Kondensation unterworfen werden.Meaning of the present invention means or includes in particular all processes and / or processes in which Metallpre- cursormaterialien, in particular metal halides and / or metal alkoxides, and mixtures thereof, are subjected in solution to a hydrolysis and subsequent condensation.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass das porositätsverursachende Polymer nach Beenden des Sol-Gel-Prozesses ausgebrannt insbesondere bei einer Temperatur von ≥ 2500C ausgebrannt wird.A preferred embodiment of the invention is characterized in that the porosity-causing polymer is burned out after completion of the sol-gel process, in particular at a temperature of ≥ 250 0 C burned out.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine porositätsverursachende Komponente ein Polymer ist, wobei die durchschnittliche Molmasse des Polymers bevorzugt > 5.000 Da bis < 500.000 Da, noch bevorzugt > 10.000 Da bis < 350.000 Da beträgt. Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass das Polymer ein organisches Polymer, bevorzugt ausgewählt aus der Gruppe enthaltend Polyethylengly- kol, Polypropylenglykol, Copolymere aus Polyethylenglykol und Polypropylenglykol, Polyvinylpyrrolidon, Polyether, alkyl-, cycloalkyl- und/oder arylsubstituierte Polyether, Polyester, alkyl-, cycloalkyl- und/oder arylsubstituierte Polyester, insbesondere Polyhydroxybuttersäure oder Mischungen daraus.A preferred embodiment of the invention is characterized in that the at least one porosity-causing component is a polymer, wherein the average molecular weight of the polymer is preferably> 5,000 Da to <500,000 Da, more preferably> 10,000 Da to <350,000 Da. A preferred embodiment of the invention is characterized in that the polymer is an organic polymer, preferably selected from the group comprising polyethylene glycol, polypropylene glycol, copolymers of polyethylene glycol and polypropylene glycol, polyvinylpyrrolidone, polyether, alkyl, cycloalkyl and / or aryl-substituted polyethers, polyesters alkyl-, cycloalkyl- and / or aryl-substituted polyesters, in particular polyhydroxybutyric acid or mixtures thereof.
allgemeine Gruppen/ Moleküldefinition: Innerhalb der Beschreibung und den Ansprüchen werden allgemeine Gruppen oder Moleküle, wie z. B. Alkyl, Alkoxy, Aryl etc. beansprucht und beschrieben. Wenn nicht anders beschrieben, werden bevorzugt die folgenden Gruppen innerhalb der allgemein beschriebenen Gruppen/Moleküle im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendet:General Groups / Molecule Definition: Within the specification and claims, general groups or molecules, such as e.g. As alkyl, alkoxy, aryl, etc. claimed and described. Unless otherwise described, the following groups within the generally described groups / molecules are preferably used in the context of the present invention:
Alkyl: lineare und verzweigte Cl-C8-Alkyle,Alkyl: linear and branched C 1 -C 8 -alkyls,
langkettige Alkyle: lineare und verzweigte C5-C20 Alkyle,long-chain alkyls: linear and branched C5-C20 alkyls,
Alkenyl: C2-C6-alkenyl,Alkenyl: C2-C6-alkenyl,
Cycloalkyl: C3-C8-cycloalkyl,Cycloalkyl: C3-C8-cycloalkyl,
Alkoxid/Alkoxy : Cl-C6-alkoxy, linear und verzweigt,Alkoxide / alkoxy: Cl-C6-alkoxy, linear and branched,
langkettig Alkoxid/Alkoxy: lineare und verzweigte C5-C20 Alkoxy,long-chain alkoxide / alkoxy: linear and branched C5-C20 alkoxy,
Aryl: ausgewählt aus Aromaten mit einem Molekulargewicht unter 300 Da,Aryl: selected from aromatics having a molecular weight below 300 Da,
Polyether: ausgewählt aus der Gruppe enthaltend H- (0-CH2-CH(R) ) n-OH and H- (0-CH2-CH (R) ) n-H wobei R unabhängig ausgewählt ist aus: Wasserstoff, Alkyl, Aryl, Halogen und n von 1 to 250, Substituierte Polyether: ausgewählt aus der Gruppe enthaltend R2 - (0-CH2-CH(R1) )n-OR3 and R2 - (0-CH2-CH (R2) ) n-R3 wobei Ri, R2, R3 unabhängig ausgewählt ist aus: Wasserstoff, Alkyl, lang- kettige Alkyle, Aryl, Halogen und n von 1 to 250 beträgt,Polyether: selected from the group consisting of H- (O-CH 2 -CH (R)) n -OH and H- (O-CH 2 -CH (R)) n -H where R is independently selected from: hydrogen, alkyl , Aryl, halogen and n from 1 to 250, Substituted polyethers: selected from the group consisting of R 2 - (O-CH 2 -CH (R 1 )) n -OR 3 and R 2 - (O-CH 2 -CH (R 2 )) n -R 3 where R i, R 2 , R 3 is independently selected from: hydrogen, alkyl, long-chain alkyls, aryl, halogen and n is from 1 to 250,
Ether: Die Verbindung Ri-O-R2, wobei jedes Ri und R2 unabhängig ausgewählt sind aus der Gruppe enthaltend Wasserstoff, Halogen, Alkyl, Cycloalkyl, Aryl, langkettiges Alkyl.Ether: The compound Ri-OR 2 , wherein each Ri and R 2 are independently selected from the group consisting of hydrogen, halogen, alkyl, cycloalkyl, aryl, long chain alkyl.
Soweit nicht anders erwähnt, sind die folgenden Gruppen/Moleküle mehr bevorzugte Gruppen/Moleküle innerhalb der allgemeinen Gruppen/Moleküldefinition:Unless otherwise stated, the following groups / molecules are more preferred groups / molecules within the general group / molecule definition:
Alkyl: lineare und verzweigte Cl-C6-alkyl,Alkyl: linear and branched C 1 -C 6 -alkyl,
Alkenyl: C3-C6-alkenyl,Alkenyl: C3-C6 alkenyl,
Cycloalkyl: C6-C8-cycloalkyl,Cycloalkyl: C6-C8-cycloalkyl,
Alkoxy, Alkoxid: Cl-C4-alkoxy, insbesondere Isopropyloxid,Alkoxy, alkoxide: C 1 -C 4 -alkoxy, in particular isopropyl oxide,
langkettig Alkoxy: lineare und verzweigte C5-C10 Alkoxy, vorzugsweise lineare C6-C8 Alkoxy.long-chain alkoxy: linear and branched C5-C10 alkoxy, preferably linear C6-C8 alkoxy.
Polyether: ausgewählt aus der Gruppe enthaltendPolyether: selected from the group containing
H- (0-CH2-CH(R) )n-OH and H- (0-CH2-CH (R) ) n-H wobei R unabhängig ausgewählt ist aus: Wasserstoff, Alkyl, Aryl, halogen und n von 10 bis 250 beträgt.H- (O-CH 2 -CH (R)) n -OH and H- (O-CH 2 -CH (R)) n -H wherein R is independently selected from: hydrogen, alkyl, aryl, halo and n of 10 to 250.
Substituierte Polyether: ausgewählt aus der Gruppe enthaltend R2 - (0-CH2-CH(Ri) )n-OR3 and R2 - (0-CH2-CH (R2) ) n-R3 wobei Ri, R2, R3 unabhängig ausgewählt ist aus: Wasserstoff, Alkyl, lang- kettige Alkyle, Aryl, Halogen und n von 10 bis 250.Substituted polyether: selected from the group consisting of R 2 - (0-CH 2 -CH (Ri)) n -OR 3 and R 2 - (0-CH 2 -CH (R 2)) n -R 3 wherein Ri, R 2 , R 3 is independently selected from hydrogen, alkyl, long chain alkyl, aryl, halogen and n is from 10 to 250.
Des Weiteren eignen sich beispielsweise Polymere mit eingearbeiteten Polymerkugeln, die in den Lösungsmitteln nicht oder schlecht löslich sind, so dass sie als Platzhalter beim Aufbringen und Herstellen der Schicht fungieren können, wobei sie hinterher, beispielsweise wieder durch mildes Erwärmen und/oder Erzeugung von Unterdruck, entfernbar sind. Es ist überflüssig zu erwähnen, dass unter den Bedingungen, unter denen diese Polymerkugeln entfernbar sind, die Schicht jedoch stabil ist. Als Polymerkugeln können beispielsweise Polystyrolkugeln oder Latexkugeln verwendet werden. Diese sind beispielsweise bei Temperaturen unter 2500C, bei denen die Schichtmaterialien stabil sind, auswaschbar.Furthermore, for example, polymers with incorporated polymer spheres, which are not soluble or poorly soluble in the solvents, so that they can act as a placeholder in applying and producing the layer are suitable, wherein they are subsequently removable, for example, again by mild heating and / or generation of negative pressure, removable. Needless to say, under the conditions in which these polymer beads are removable, the layer is stable. For example, polystyrene spheres or latex spheres can be used as polymer spheres. These are, for example, at temperatures below 250 0 C, in which the layer materials are stable, washable.
Beispielsweise sind die Streupartikel aus einem anderen Metalloxid als die Matrix und haben einen Brechungsindex bei sichtbarem Licht von ca. 1,5.For example, the scattering particles are of a different metal oxide than the matrix and have a visible light refractive index of about 1.5.
In einer besonderen Ausgestaltung sind die Streupartikel aus Silizium-Dioxid. Der Streuzentren-Brechungsindex ns von Silizium-Dioxid liegt für sichtbares Licht bei etwa 1,5. Vorteilhaft erweist sich die Verwendung von Silizium-Dioxid-Partikeln, die nach einem von Stöber et al . entwickelten Verfahren hergestellt werden (Journal of Colloid & Interface Science 1968 (26) S. 62 - 69). Solche Silizium-Dioxid-Partikel werden aus Tetra-Ethoxy-Silan unter ammoniakalischen Bedingungen synthetisiert. Die so erhaltenen Silizium-Dioxid-Partikel liegen nicht nur in einer sehr engen Größenverteilung vor, sondern können durch entsprechende Prozesssteuerung in belie- bigen Größen mit Partikel-Durchmesser von etwa 30 nm bis etwa 1 μm erzeugt werden. Sie liegen durch elektrostatische Stabilisierung in einem nicht agglomerierten Zustand vor.In a particular embodiment, the scattering particles of silicon dioxide. The scattering center refractive index n s of silicon dioxide is about 1.5 for visible light. The use of silicon dioxide particles which have been prepared according to a method described by Stöber et al. developed methods (Journal of Colloid & Interface Science 1968 (26) pp. 62-69). Such silica-dioxide particles are synthesized from tetra-ethoxy-silane under ammoniacal conditions. The silicon dioxide particles thus obtained are not only present in a very narrow size distribution, but can be produced by appropriate process control in any sizes with particle diameters of about 30 nm to about 1 micron. They are present by electrostatic stabilization in a non-agglomerated state.
Gemäß einer besonderen Ausgestaltung weisen die Streupartikel eine Oberflächenbeschichtung auf. Die Oberflächen der Streupartikel sind modifiziert. Beispielsweise wird zum Aufbringen der Elektrodenschicht ein Sol-Gel-Verfahren eingesetzt. Durch den Wegfall der elektrostatischen Stabilisierung beim Einbringen der Streupartikel in ein zur Beschichtung verwendetes Beschichtungs-Sol kann mit Hilfe einer entsprechenden Oberflächenmodifizierung eine Agglomeration und Sedimentation der Streupartikel unterdrückt werden. Besonders gute Ergebnisse werden mit organischen Oberflächenbeschichtungen mit Alkyl- gruppen erzielt. Gemäß einer besonderen Ausgestaltung weist daher die Oberflächenbeschichtung mindestens eine Art Kohlenwasserstoff mit aliphathischen Gruppen auf. Die eingesetzten Kohlenwasserstoffe mit den aliphathischen Gruppen können He- tero-Atome aufweisen. Eine Oberflächenbeschichtung, mit der sehr gute Ergebnisse erzielt werden, basiert beispielsweise auf Methyl-Trichloro-Silan.According to a particular embodiment, the scattering particles have a surface coating. The surfaces of the scattering particles are modified. For example, a sol-gel method is used to apply the electrode layer. By eliminating the electrostatic stabilization during introduction of the scattering particles into a coating sol used for the coating, an agglomeration and sedimentation of the scattering particles can be suppressed with the aid of a corresponding surface modification. Particularly good results are obtained with organic surface coatings with alkyl scored. According to a particular embodiment, therefore, the surface coating on at least one kind of hydrocarbon having aliphatic groups. The hydrocarbons with the aliphatic groups used can have heteroatoms. A surface coating with which very good results are achieved is based, for example, on methyl trichlorosilane.
Neben den Streupartikeln als Streuzentren weisen in einer be- sonderen Ausgestaltung die Streuzentren der Streuschicht Poren auf. Die Streuzentren sind als Poren ausgebildet. Dabei können nur Steupartikel, nur Poren oder Streupartikel und Poren als Streuzentren vorliegen. Die Poren können sich während des Herstellprozesses der Streuschicht automatisch bilden. Vorzugsweise werden die Poren über ein Templateverfahren erzeugt. Dabei werden selbstorganisierende Polymere oder Polymer-Kugeln in eine Ausgangsschicht der Streuschicht eingebracht und nach einer Verfestigung der Streuschicht herausgelöst oder thermisch entfernt. Zurück bleiben die Poren, die evakuiert, also leer, oder mit einem Gas oder einem Gasgemisch (z. B. Luft) gefüllt sein können, als Streuzentren fungieren .In a special embodiment, besides the scattering particles as scattering centers, the scattering centers of the scattering layer have pores. The scattering centers are formed as pores. Only Steupartikel, only pores or scattering particles and pores can be present as scattering centers. The pores can form automatically during the manufacturing process of the litter layer. Preferably, the pores are generated via a template process. In this case, self-organizing polymers or polymer spheres are introduced into an initial layer of the litter layer and, after hardening of the litter layer, are removed or thermally removed. The pores, which can be evacuated, ie empty, or filled with a gas or a gas mixture (eg air), remain as scattering centers.
Gemäß einer besonderen Ausgestaltung ist innerhalb des Bau- teils eine Glättungsschicht angeordnet, insbesondere zwischen der Streuschicht und der transparenten Elektrodenschicht. Die Glättungsschicht sorgt für einen Ausgleich von Oberflächen- Rauhigkeiten der Streuschicht. Zudem ist sie geeignet, die Rissbildungsneigung der keramischen Beschichtung beim thermi- sehen Härten zu senken. Durch die Glättungsschicht ist eine mittlere Rauhigkeit von vorzugsweise unter 50 nm zugänglich. Dadurch ist es möglich, einen Stapel aus Schichten mit Schichtdicken im nm-Bereich zu realisieren, ohne dass es zu Kurzschlüssen oder Ähnlichem, beispielsweise durch so genann- te „spikes" zwischen den Schichten kommt. Dazu bietet sich beispielsweise die Verwendung von polymeren Filmbildnern wie beispielsweise Polyethylenglykole, Polyacryle etc. an. Alternativ oder ergänzend zur Aufbringung einer separaten Schicht mit Streuzentren bietet sich auch die Möglichkeit, Streuzentren direkt ins Elektrodenmaterial einzubringen, entweder in Partikel- und/oder in Porenform. Hierfür eignen sich gemäß vorteilhaften Ausführungen des erfindungsgemäßen Verfahrens Sol-Gel-basierte ITO-Materialien und/oder ITO-Dis- persionen, die mit entsprechenden Partikeln oder Polymeren versetzt zu einer Streuelektrode gemacht werden. Dabei ist das Matrixmaterial bevorzugt aus Lösung prozessierbar und kann über einen Sol-Gel-Prozess hergestellt und als Flüssigkeit abgeschieden werden. Die Aufbringung als Flüssigkeit eröffnet die Anwendung vieler kostengünstiger und massenfertigungstauglicher Herstellungsverfahren wie Spraying, Spin Coa- ting, Aufschleudern, Eintauchen, Rakeln, Fluten und viele mehr.According to a particular embodiment, a smoothing layer is arranged within the component, in particular between the scattering layer and the transparent electrode layer. The smoothing layer compensates for surface roughness of the litter layer. In addition, it is suitable for reducing the cracking tendency of the ceramic coating during thermal curing. The smoothing layer provides an average roughness of preferably less than 50 nm. This makes it possible to realize a stack of layers with layer thicknesses in the nm range without causing short circuits or the like, for example due to so-called "spikes" between the layers, for example the use of polymeric film formers such as for example, polyethylene glycols, polyacrylics, etc. Alternatively or in addition to the application of a separate layer with scattering centers, it is also possible to introduce scattering centers directly into the electrode material, either in particle and / or in pore form. For this purpose, according to advantageous embodiments of the method according to the invention, sol-gel-based ITO materials and / or ITO dispersions which are made into a scattering electrode with corresponding particles or polymers are suitable. In this case, the matrix material is preferably processable from solution and can be prepared via a sol-gel process and deposited as a liquid. Application as a liquid opens up the application of many cost-effective and mass-producible manufacturing processes such as spraying, spin coating, spin coating, dipping, knife coating, flooding and many more.
Nach einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist die transparente untere Elektrode beispielsweise aus Indium Zinn Oxid, kurz, ITO. Dieses Material hat einen Brechungsin- dex für beispielsweise sichtbares Licht von etwa 1,9, so dass als Matrixmaterial einer Streuschicht beispielsweise eine sichtbares Licht emittierenden oder absorbierenden organischen optoelektronischen Bauteils bevorzugt ein Material mit einem Brechungsindex ≥ 1,9 zum Einsatz kommt. Weitere geeig- nete Elektroden-Materialien sind Zinn-Oxid, das mit Fluor dotiert ist (Fluor-Tin-Oxide, FTO) , Zinn-Oxid, das mit Aluminium dotiert ist (Aluminium-Zinn-Oxide, AZO) oder Zinn-Oxid, das mit Antimon dotiert ist (Antomony-Tin-Oxide, ATO) . Die genannten transparenten Elektroden-Materialien weisen für sichtbares Licht, und dazu zählt auch das Lumineszenzlicht der Licht emittierenden Diode, jeweils einen Elektroden- Material-Brechungsindex ne von 1,8 bis 2,0 auf.According to an advantageous embodiment of the invention, the transparent lower electrode is made, for example, of indium tin oxide, in short, ITO. This material has a refractive index for visible light of about 1.9, for example, so that a material with a refractive index ≥ 1.9 is used as the matrix material of a scattering layer, for example a visible light-emitting or absorbing organic optoelectronic component. Further suitable electrode materials are tin oxide which is doped with fluorine (fluorine tin oxide, FTO), tin oxide which is doped with aluminum (aluminum tin oxide, AZO) or tin oxide, which is doped with antimony (Antomony-Tin-Oxide, ATO). The above-mentioned transparent electrode materials are for visible light, and among them, the luminescent light of the light-emitting diode each has an electrode material refractive index n e of 1.8 to 2.0.
Danach richtet sich gemäß den bevorzugten Ausführungformen der Erfindung auch der Brechungsindex des Matrixmaterials der Streuschicht (bevorzugte Bedingung nm ≥ ne) und wiederum der Brechungsindex der Streuzentren (Unterschied nm zu ns zumindest 0, 05) . Eine nichttransparente Gegenelektrode ist im Sinne der Erfindung grundsätzlich unkritisch, da sie geringe Beteiligung an Strahlungsverlusten (gefangene Moden) innerhalb der transpa- renten Zone des Bauteils hat.Thereafter, according to the preferred embodiments of the invention, the refractive index of the matrix material of the scattering layer (preferred condition n m ≥ n e ) and in turn the refractive index of the scattering centers (difference n m to n s at least 0, 05). A nontransparent counterelectrode is fundamentally uncritical in the sense of the invention, since it has little involvement in radiation losses (trapped modes) within the transparent zone of the component.
Das Substrat ist bevorzugt transparent und zumindest semitransparent, wobei Glas, Metalloxid (Korund) , Kunststoff (Ac- rylat) auch flexible Kunststoffe wie Polyethylenfolien, zum Einsatz kommen können.The substrate is preferably transparent and at least semitransparent, wherein glass, metal oxide (corundum), plastic (acrylate) and flexible plastics such as polyethylene films can be used.
Als optoelektronisch aktive organische Schicht können je nach Bauteil verschiedene Materialien und/oder Verbundmaterialien zum Einsatz kommen. Die funktionale Schicht kann auch mehrere Schichten umfassen, genau wie sie aus einer Mischung (Blend) mehrerer Materialien bestehen kann. Des Weiteren können Additive, Lösungsmittel, Partikel und/oder Füllstoffe eingemischt sein, insbesondere auch Nanopartikel . Beispielsweise handelt es sich um ein Polymer, es können aber auch organische Funk- tionsmaterialien, die mit small molecules aufgebaut sind, verwendet werden.Depending on the component, different materials and / or composite materials may be used as the optoelectronically active organic layer. The functional layer may also comprise multiple layers, just as it may consist of a blend of several materials. Furthermore, additives, solvents, particles and / or fillers may be mixed in, in particular also nanoparticles. For example, it is a polymer, but it can also organic tion tion materials, which are constructed with small molecules, are used.
Die Dichte oder Konzentration der Streuzentren innerhalb der transparenten Zone kann in weiten Bereichen variieren. Dies ist zum einen davon abhängig, ob die Streuzentren in einer separaten Schicht angeordnet oder beliebig in der transparenten Zone verteilt sind und zum anderen richtet sich das nach den Streupartikeln und ihrer Matrix. Dabei wurde festgestellt, dass beispielsweise eine Anteilsfläche von 2 % pro durchstrahlter Elektrodenfläche eine sinnvolle untere Bereichsgrenze ist, wobei nach oben hin keine Grenzen gesetzt sind, da die Erhaltung der Funktionalität des Bauteils einer beliebigen Erhöhung der Konzentration sowieso im Wege steht.The density or concentration of the scattering centers within the transparent zone can vary within wide limits. This depends on the one hand on whether the scattering centers are arranged in a separate layer or distributed arbitrarily in the transparent zone and on the other, this depends on the scattering particles and their matrix. It was found that, for example, a share area of 2% per irradiated electrode surface is a useful lower range limit, with no limits are set to the top, since maintaining the functionality of the component of any increase in concentration anyway in the way.
Zum Aufbringen der Schichten kann grundsätzlich jedes beliebige Verfahren angewendet werden, bevorzugt sind jedoch aus Lösung prozessierbare Schichten. So können metallische oder anorganische Schichten aus der Gasphase abgeschieden werden, beispielsweise über Physical Vapour Deposition (PVD) oder Chemical Vapour Deposition (CVD) . Gemäß einer besonderen Ausgestaltung werden zum Aufbringen der Streuschicht, der Elektrodenschicht, der Funktionsschicht und/oder der weiteren Elektrodenschicht eine jeweilige Lösung und/oder eine jeweilige Paste verwendet. Ein derartiges Verfahren eignet sich sowohl für anorganische als auch organische Schichten.For the application of the layers, basically any method can be used, but preferred are solution-processable layers. Thus, metallic or inorganic layers can be separated from the gas phase, for example via Physical Vapor Deposition (PVD) or Chemical Vapor Deposition (CVD). According to a particular embodiment, a respective solution and / or a respective paste are used for applying the litter layer, the electrode layer, the functional layer and / or the further electrode layer. Such a method is suitable for both inorganic and organic layers.
Im Hinblick auf die Verwendung einer entsprechenden Lösung ist die Verwendung eines Sol-Gel-Verfahrens besonders günstig. Es wird jeweils ein Beschichtungs-Sol aufgetragen. Insbesondere besteht durch Einrühren der Streupartikel ins Beschichtungs-Sol für die transparente Elektrodenschicht eine einfache Möglichkeit, Streuzentren ins Matrix-Material einzu- bringen und kontrolliert statistisch in die resultierendeWith regard to the use of a corresponding solution, the use of a sol-gel method is particularly favorable. In each case a coating sol is applied. In particular, by stirring the scattering particles into the coating sol for the transparent electrode layer, there is an easy way of introducing scattering centers into the matrix material and statistically controlling the resulting
Elektrodenschicht zu integrieren. Dazu werden beispielsweise Titan- und/oder Zirkonium basierte Beschichtungs-Sole verwendet. Beispielsweise werden als Platzhalter für Poren Templates eingesetzt, wie sie in der 2007P14435* beschrieben sind.Integrate electrode layer. Titanium- and / or zirconium-based coating sols are used for this purpose, for example. For example, as placeholders for pores templates are used, as described in the 2007P14435 *.
Nach dem Aufbringen des Beschichtungs-Sole oder der Beschichtungs-Sole findet eine Wärmebehandlung (Temperierung) statt. In Folge der Wärmebehandlung bildet sich die entsprechende Schicht. Dabei kann ein einziger Temperierungsschritt für al- Ie Schichten zusammen vorgesehen sein. Insbesondere wird aber jeweils nach dem Auftragen des jeweiligen Beschichtungs-Sols temperiert. Im Hinblick auf eine mit Poren als Streuzentren ausgestaltete Streuschicht ist dabei folgendes Vorgehen besonders vorteilhaft: Es wird das entsprechende Beschichtungs- SoI mit eingebrachten Polymer-Kugeln auf ein Glassubstrat aufgebracht und anschließend bei so hohen Temperaturen temperiert, dass die eingebrachten Polymer-Kugeln thermisch zersetzt werden. Es bilden sich die als Streuzentren fungierenden Poren. Nachfolgend wird das Beschichtungs-Sol für die Elektrodenschicht aufgebracht und wiederum temperiert. Anschließend wird das Beschichtungs-Sol für die Funktionsschicht aufgebracht. Der sich daran anschließende Temperierungsschritt kann bei niedrigeren Temperaturen durchgeführt werden, als der Temperierungsschritt für die Herstellung der Streuschicht .After application of the coating brine or the coating brine, a heat treatment (tempering) takes place. As a result of the heat treatment, the corresponding layer is formed. In this case, a single temperature control step for all layers can be provided together. In particular, however, tempered in each case after the application of the respective coating sol. With regard to a litter layer configured with pores as scattering centers, the following procedure is particularly advantageous: The corresponding coating sol with polymer balls introduced is applied to a glass substrate and then tempered at temperatures so high that the introduced polymer spheres are thermally decomposed , The pores that form the scattering centers are formed. Subsequently, the coating sol for the electrode layer is applied and tempered again. Subsequently, the coating sol for the functional layer is applied. The subsequent tempering step can be carried out at lower temperatures be as the tempering step for the production of the litter layer.
Um die Verarbeitbarkeit der für die Herstellung der Schichten verwendeten Lösungen zu verbessern (beispielsweise eine Viskosität des Beschichtungs-Sols) , können Zusätze (Additive) vorgesehen sein. Es ist aber auch die Verwendung von Additiven vorteilhaft, die eine Stabilität der herzustellenden Schichten positiv beeinflussen. So wird gemäß einer besonde- ren Ausgestaltung zum Aufbringen der Streuschicht, der Elektrodenschicht, der Funktionsschicht und/oder der weiteren Elektrodenschicht mindestens ein polymerer Filmbildner verwendet. Ein derartiger Filmbildner verhindert eine Rissbildung in den entsprechenden Schichten. Darüber hinaus ist es vorteilhaft, Metall-Alkoholate mit Alkylgruppen den eingesetzten Lösungen zuzugeben. Solche Metall-Alkoholate können eine Rissbildungsneigung bei der Bildung der Schichten zusätzlich vermindern.In order to improve the processability of the solutions used for the preparation of the layers (for example, a viscosity of the coating sol), additives may be provided. However, it is also advantageous to use additives which positively influence the stability of the layers to be produced. Thus, according to a particular embodiment, at least one polymeric film former is used to apply the litter layer, the electrode layer, the functional layer and / or the further electrode layer. Such a film former prevents cracking in the respective layers. In addition, it is advantageous to add metal alkoxides with alkyl groups to the solutions used. Such metal alkoxides may further reduce cracking tendency in the formation of the layers.
Anhand mehrerer Ausführungsbeispiele und der dazugehörigen Figuren wird die Erfindung im Folgenden näher beschrieben. Die Figuren sind schematisch und stellen keine maßstabsgetreuen Abbildungen dar.With reference to several embodiments and the associated figures, the invention will be described in more detail below. The figures are schematic and do not represent true to scale figures.
Figur 1 zeigt einen Ausschnitt eines ersten Ausführungsbeispiels einer Licht emittierenden Diode in einem seitlichen Querschnitt .FIG. 1 shows a section of a first exemplary embodiment of a light-emitting diode in a lateral cross-section.
Figur 2 zeigt einen Ausschnitt eines zweiten Ausführungsbei- spiels einer Licht emittierenden Diode in einem seitlichen Querschnitt .FIG. 2 shows a detail of a second exemplary embodiment of a light-emitting diode in a lateral cross-section.
Figur 3 zeigt einen Ausschnitt einer Licht emittierenden Diode mit Glättungsschicht .FIG. 3 shows a section of a light-emitting diode with a smoothing layer.
Figur 4 zeigt die Leuchtdichte einer Streuschicht in Abhängigkeit von der Schichtdicke der Streuschicht und vom Beobachtungswinkel . Die Ausführungsbeispiele beziehen sich auf eine Licht emittierende Diode 1 in Form einer OLED. Die OLED weist einen Schichtstapel 11 auf mit einer für Licht transparenten Elek- trodenschicht 12, einer weiteren Elektrodenschicht 13 und einer zwischen den Elektrodenschichten angeordneten optoelektronisch aktiven Schicht 14.FIG. 4 shows the luminance of a scattering layer as a function of the layer thickness of the scattering layer and of the observation angle. The exemplary embodiments relate to a light-emitting diode 1 in the form of an OLED. The OLED has a layer stack 11 with a light-transparent electrode layer 12 for light, a further electrode layer 13 and an opto-electronically active layer 14 arranged between the electrode layers.
Die transparente Elektrodenschicht 12 kann in ihrer Schicht- dicke um einige 10 bis einige 100 nm variieren und ist beispielsweise etwa 120 nm dick. Das Elektroden-Material der transparenten Elektrodenschicht 12 ist ITO. In einer alternativen Ausführungsform ist das Elektroden-Material ATO. Das weitere Elektroden-Material der Elektrodenschicht 13 ist AIu- minium. Die weitere Elektrodenschicht ist beispielsweise auch etwa gleich dick, also etwa 120 nm dick. Die weitere Elektrodenschicht oder Gegenelektrode kann deckend, also nichttransparent oder auch transparent ausgeführt sein, so dass sich beispielsweise ein komplett transparentes OLED-Bauteil ergibt.The transparent electrode layer 12 may vary in thickness by several tens to several hundreds of nm in its layer thickness, and is about 120 nm thick, for example. The electrode material of the transparent electrode layer 12 is ITO. In an alternative embodiment, the electrode material is ATO. The further electrode material of the electrode layer 13 is aluminum. The further electrode layer is, for example, also about the same thickness, ie about 120 nm thick. The further electrode layer or counterelectrode can be designed to be opaque, ie nontransparent or even transparent, so that, for example, a completely transparent OLED component results.
Die zumindest 3 Schichten Substrat 16, transparente Elektrode 12 und optoelektronisch aktive Schicht 14 mit allen eventuell dazwischen liegenden optionalen Schichten ergeben zusammen die transparente Zone, wobei eine weitere transparente Zone im Bauteil dadurch entstehen kann, dass die obere Elektrodenschicht auch transparent ist, so dass die zweite transparente Zone dem Bereich zwischen der optoelektronisch aktiven Schicht 14 und der oberen, dann auch transparenten Elektro- denschicht 13, entspricht.The at least 3 layers of substrate 16, transparent electrode 12 and optoelectronically active layer 14 with all optionally intervening optional layers together form the transparent zone, wherein a further transparent zone in the component may arise because the upper electrode layer is also transparent, so that the second transparent zone corresponds to the region between the optoelectronically active layer 14 and the upper, then also transparent electrode layer 13.
Gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ist der Stapel 11 auf einer Substratoberfläche 161 eines für die Strahlung transparenten Glassubstrats 16 aufgebracht (Figur 1). Eine derartige Struktur wird als „Bottom-Aufbau" bezeichnet. Der Schichtstapel ist auf einer Streuschicht 15 mittelbar auf die Substratoberfläche aufgebracht. Die Streuschicht 15 ist beispielsweise gleich dick wie die Elektrodenschicht oder dicker oder dünner, das hängt natürlich auch von der Größe der Streuzentren ab, insbesondere wenn es sich um feste Partikel handelt, und ist hier etwa 120 nm dick.According to the first exemplary embodiment, the stack 11 is applied to a substrate surface 161 of a radiation-transparent glass substrate 16 (FIG. 1). Such a structure is referred to as a "bottom structure." The layer stack is applied indirectly to the substrate surface on a scattering layer 15. The scattering layer 15 is, for example, the same thickness as the electrode layer or thicker or of course, this also depends on the size of the scattering centers, especially if they are solid particles, and is about 120 nm thick here.
Gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel ist der Stapel 11 über die weitere Elektrodenschicht 13 auf dem Substrat aufgebracht (Figur 2) . Die Streuschicht 15 ist auf der transparenten Elektrodenschicht 12 aufgebracht. Die Strahlung wird ausgehend von der Funktionsschicht zunächst in die transparente Elektrodenschicht 12 eingekoppelt. Von dort aus gelangt es in die Streuschicht 15. Ausgehend von der Streuschicht wird die Strahlung in die Umgebung ausgekoppelt.According to the second exemplary embodiment, the stack 11 is applied to the substrate via the further electrode layer 13 (FIG. 2). The scattering layer 15 is applied on the transparent electrode layer 12. The radiation is first coupled into the transparent electrode layer 12 starting from the functional layer. From there, it enters the litter layer 15. Starting from the litter layer, the radiation is decoupled into the environment.
Im Matrix-Material 152 der Streuschicht sind Streuzentren 153 beispielsweise in Form von Streupartikeln aus Silizium-Dioxid verteilt. Die Streupartikel weisen eine Oberflächenbeschich- tung aus Methyl-Trichloro-Silan auf. Der mittlere Streuzentren-Durchmesser beträgt etwa 100 nm. Mehr als 90 % der Streupartikel haben einen Streuzentren-Durchmesser aus dem Bereich von etwa 75 nm bis etwa 125 nm. In einer alternativen Ausführungsform sind die Streuzentren in Form von Luft vorhanden, das heißt, sie bilden die Poren 153 des Matrixmaterials 152 mit dem angegeben durchschnittlichen Streuzentren-Durchmesser .In the matrix material 152 of the scattering layer scattering centers 153 are distributed, for example in the form of scattering particles of silicon dioxide. The scattering particles have a surface coating of methyl trichlorosilane. The average scatter center diameter is about 100 nm. More than 90% of the scattering particles have a scatter center diameter in the range of about 75 nm to about 125 nm. In an alternative embodiment, the scattering centers are in the form of air, that is, they form the pores 153 of the matrix material 152 with the specified average scatter center diameter.
Nach einer weiteren Ausführungsform variieren die Streuzentrendurchmesser in weiten Grenzen, insbesondere dann, wenn nicht monochromatische Strahlung vorliegt, da bei einer gewünschten Wechselwirkung ein direkter Zusammenhang zwischen der Größe der Streuzentren und der Wellenlänge der Strahlung besteht .According to a further embodiment, the scattering center diameters vary within wide limits, in particular when monochromatic radiation is not present, since with a desired interaction there is a direct relationship between the size of the scattering centers and the wavelength of the radiation.
Die Funktionsschicht 14 besteht beispielsweise aus zwei Teilschichten, einer Loch-Leitungs-Schicht 141 aus PEDOTiPSS und einer Emitter-Schicht 142. Die Emitter-Schicht ist die optoelektronisch aktive Schicht. Durch elektrische Ansteuerung der Elektrodenschichten (die transparente Elektrodenschicht 12 fungiert beispielsweise als Anode, die Elektrodenschicht 13 fungiert dann als Kathode) wird die Funktionsschicht zu Emission von Strahlung angeregt. Aufgrund der Streuschicht wird die Wahrscheinlichkeit für das Auftreten von Mehrfachreflexionen des Lumineszenzlichts oder gar von Totalreflexion verringert, so dass die Strahlung mit hoher Effizienz aus der transparenten Elektrodenschicht in die Umgebung bzw. in das Glassubstrat ausgekoppelt werden kann. Die inneren Verluste bezüglich der Strahlung sind deutlich reduziert. Die Elektrodenschicht 13 fungiert als Spiegel für die Strahlung, so dass diese mit hoher Effizienz und sehr geringen Verlusten aus dem Stapel 11 der OLED ausgekoppelt werden kann.The functional layer 14 consists for example of two partial layers, a hole-line layer 141 of PEDOTiPSS and an emitter layer 142. The emitter layer is the opto-electronically active layer. By electrically driving the electrode layers (the transparent electrode layer 12 functions, for example, as an anode, the electrode layer 13 then acts as a cathode), the functional layer is excited to emit radiation. Due to the scattering layer, the probability of the occurrence of multiple reflections of the luminescent light or even of total reflection is reduced, so that the radiation can be coupled out of the transparent electrode layer into the environment or into the glass substrate with high efficiency. The internal losses in terms of radiation are significantly reduced. The electrode layer 13 acts as a mirror for the radiation, so that it can be coupled out of the stack 11 of the OLED with high efficiency and very low losses.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel ist zwischen der Streuschicht 15 und der transparenten Elektrodenschicht 12 eine Glättungsschicht 17 zur Reduzierung der Oberflächen- Rauhigkeit angeordnet (Figur 3) .According to a further embodiment, a smoothing layer 17 for reducing the surface roughness is arranged between the scattering layer 15 and the transparent electrode layer 12 (FIG. 3).
Zum Herstellen der Schichten wird auf das Sol-Gel-Verfahren zurückgegriffen. Dazu werden in einem ersten Verfahrensschritt entsprechende Beschichtungs-Sole aufgebracht, die anschließend temperiert werden. Bei der Temperierung werden die entsprechenden Schichten gebildet. Um Rissbildung zu vermeiden werden polymere Filmbildner und/oder Metall-Alkoholate in den Beschichtungs-Solen eingesetzt.To prepare the layers, the sol-gel method is used. For this purpose, corresponding coating sols are applied in a first process step, which are then tempered. During tempering, the corresponding layers are formed. In order to avoid cracking, polymeric film formers and / or metal alkoxides are used in the coating sols.
Zur Demonstration der Eignung einer Streuschicht mit einem Metall-Oxid als Matrix-Material wurde eine dünne Schicht mit Tiθ2 als Matrix-Material hergestellt. Tiθ2 wurde entweder kommerziell bezogen oder wie folgt hergestellt:To demonstrate the suitability of a litter layer with a metal oxide as a matrix material, a thin layer with Tiθ2 was prepared as a matrix material. TiO 2 was either obtained commercially or prepared as follows:
1/50 mol Titan-Isopropoxyd und 1/500 mol Octyl-Triethoxy- Silan werden in 16/50 mol Isopropyl-Alkohol (IPA) 30 min unter Rühren gelöst (Lösung) . Es werden 0,5 g Brij56® in 2/50 mol IPA gelöst und zur Lösung gegeben. Nach Ih weiterem Ruh- ren wurde eine Mischung aus 2g 5N HCl und 2/50 mol EtOH langsam unter Rühren zugetropft.1/50 mole of titanium isopropoxide and 1/500 mole of octyl triethoxy silane are dissolved in 16/50 mole of isopropyl alcohol (IPA) for 30 minutes with stirring (solution). Dissolve 0.5 g of Brij56® in 2/50 mol of IPA and add to the solution. After your further rest A mixture of 2 g of 5N HCl and 2/50 mol of EtOH was slowly added dropwise with stirring.
Die Herstellung der Tiθ2~Partikel erfolgte durch Lösung von 6 g Tetra-Ethoxy-Silan in 50g Ethanol. Diese Mischung wird unter Rühren auf 600C erhitzt. Anschließend werden 6 g 25%ige Ammoniak-Lösung hinzugegeben. Nach 3h weiterem Rühren wird die Lösung auf Raumtemperatur abgekühlt. Die Lösung wird mit 3 ml Trichlor-Methyl-Silan versetzt und geschüttelt. Die her- gestellten Partikel setzen sich am Boden des Behälters ab.The preparation of the Tiθ 2 ~ particles was carried out by dissolving 6 g of tetra-ethoxy-silane in 50 g of ethanol. This mixture is heated to 60 ° C. with stirring. Subsequently, 6 g of 25% ammonia solution are added. After stirring for a further 3h, the solution is cooled to room temperature. The solution is mixed with 3 ml of trichloro-methyl-silane and shaken. The particles produced settle on the bottom of the container.
Die überstehende Flüssigkeit wird abgegossen und mit Ethanol wieder aufgefüllt und abermals ausgeschüttelt. Dieser Waschvorgang wird mehrmals wiederholt. Die abgesetzten Partikel werden mit einer Pipette aus der Lösung entnommen und unter Rühren zum Beschichtungs-Sol für die Streuschicht gegeben. Der Schichtauftrag erfolgt mittels Tauchbeschichten. Anschließend folgte ein Temperierschritt bei 4000C für 15 min.The supernatant liquid is poured off and refilled with ethanol and shaken out again. This washing process is repeated several times. The settled particles are removed from the solution using a pipette and added with stirring to the coating sol for the litter layer. The layer application takes place by means of dip coating. This was followed by a tempering at 400 0 C for 15 min.
Die Streuwirkung der Probe wurde winkelabhängig aufgelöst (Figur 4) . Es zeigt sich ein Streueffekt, der mit zunehmender Dicke der Beschichtung (eingestellt durch Mehrfachbeschichten xl, x2, x4 usw.), gleichbedeutend mit der Zunahme der Streuereignisse pro durchstrahlter Fläche, zunimmt.The scattering effect of the sample was resolved as a function of the angle (FIG. 4). It shows a scattering effect, which increases with increasing thickness of the coating (set by multiple coating xl, x2, x4, etc.), which is equivalent to the increase of the scattering events per irradiated area.
Zusammenfassend sind folgende Vorteile der Erfindung hervorzuheben :In summary, the following advantages of the invention should be emphasized:
- Durch die Streuschicht gelingt es, die Lichtausbeute der Licht emittierenden Diode deutlich zu erhöhen.- Through the litter layer, it is possible to increase the luminous efficacy of the light-emitting diode significantly.
- Für das Herstellverfahren des Schichtstapels der Licht emittierende Diode kann auf bekannte Verfahren, insbesondere Sol-Gel-Verfahren, zurückgegriffen werden.- For the manufacturing process of the layer stack of the light-emitting diode can be used on known methods, in particular sol-gel method.
- Die Herstellung der Licht emittierenden Diode ist kostengünstig und kann im großtechnischen Maßstab durchgeführt werden . - The production of the light-emitting diode is inexpensive and can be carried out on a large scale.

Claims

Patentansprüche claims
1. Organisches optoelektronisches Bauteil folgenden Schichtaufbau umfassend, auf einem transparenten Substrat befindet sich eine untere transparente Elektrode darauf zumindest eine optoelektronisch aktive organische Schicht, darauf eine obere Elektrode, wobei in der transparenten Zone Streuzentren angeordnet sind.1. organic optoelectronic component comprising the following layer structure, on a transparent substrate is a lower transparent electrode thereon at least one optoelectronically active organic layer, thereon an upper electrode, wherein in the transparent zone scattering centers are arranged.
2. Bauteil nach Anspruch 1, wobei die Streuzentren in der transparenten Elektrode angeordnet sind.2. Component according to claim 1, wherein the scattering centers are arranged in the transparent electrode.
3. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Streuzentren in einer separaten Schicht angeordnet sind.3. Component according to one of claims 1 or 2, wherein the scattering centers are arranged in a separate layer.
4. Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Brechungsindex der optoelektronisch aktiven Schicht innerhalb der transparenten Zone des Bauteils den kleinsten Brechungsindex für die relevante Strahlung hat.4. Component according to one of the preceding claims, wherein the refractive index of the optoelectrically active layer within the transparent zone of the component has the smallest refractive index for the relevant radiation.
5. Bauteil nach Anspruch 4, wobei der Brechungsindex von der optoelektronisch aktiven Schicht weg bis zum Substrat oder der Verkapselung von Schicht zu Schicht größer wird oder zumindest gleich bleibt.5. The component according to claim 4, wherein the refractive index increases from the optoelectronically active layer to the substrate or the encapsulation from layer to layer, or at least remains the same.
6. Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Streuzentren eine Mindestgröße im Bereich von 30 nm bis 10 μm haben.6. Component according to one of the preceding claims, wherein the scattering centers have a minimum size in the range of 30 nm to 10 microns.
7. Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Größenverteilung der Streuzentren nicht mehr als 7 % ist.7. Component according to one of the preceding claims, wherein the size distribution of the scattering centers is not more than 7%.
8. Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Unterschied der Brechungsindizes zwischen den Streuzentren und dem Matrixmaterial in das die Streuzentren eingebettet sind, 0,05 oder mehr beträgt. 8. The component according to one of the preceding claims, wherein the difference of the refractive indices between the scattering centers and the matrix material in which the scattering centers are embedded, is 0.05 or more.
9. Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Matrixmaterial der Streuschicht ein Metalloxid ist.9. Component according to one of the preceding claims, wherein the matrix material of the scattering layer is a metal oxide.
10. Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Streuzentren diskrete Partikel oder Poren sind.10. Component according to one of the preceding claims, wherein the scattering centers are discrete particles or pores.
11. Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Streuzentren in Form von Poren in einem Templatematerial ein- gebettet sind.11. Component according to one of the preceding claims, wherein the scattering centers are embedded in the form of pores in a template material.
12. Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Streuzentren Partikel aus Silizium-Dioxid umfassen.12. Component according to one of the preceding claims, wherein the scattering centers comprise particles of silicon dioxide.
13. Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Streuzentren in Form von Partikel eine Oberflächenbeschich- tung aufweisen.13. Component according to one of the preceding claims, wherein the scattering centers in the form of particles have a surface coating.
14. Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, das eine Glättungsschicht (17) hat.14. Component according to one of the preceding claims, which has a smoothing layer (17).
15. Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauteils folgende Verfahrensschritte umfassend: a) Aufbringung einer unteren transparenten Elektrodenschicht auf einem transparenten Substrat, wobei zumindest in der transparenten Zone Streuzentren vorhanden sind, b) Aufbringen einer funktionellen optoelektronisch-aktiven organischen Schicht c) Aufbringen einer zweiten Elektrodenschicht.15. A method for producing an organic optoelectronic component comprises the following method steps comprising: a) applying a lower transparent electrode layer on a transparent substrate, wherein scattering centers are present at least in the transparent zone, b) applying a functional optoelectronically active organic layer c) applying a second electrode layer.
16. Verfahren nach Anspruch 15, noch den Verfahrensschritt d) Aufbringen einer Glättungsschicht umfassend.16. The method of claim 15, nor the process step d) applying a smoothing layer comprising.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 oder 16, wobei zumindest eine Schicht aus Lösung prozessiert wird. 17. The method according to any one of claims 15 or 16, wherein at least one layer of solution is processed.
PCT/EP2009/061284 2008-09-19 2009-09-01 Optoelectronic organic component with improved light output and/or injection WO2010031688A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09782466A EP2329545A1 (en) 2008-09-19 2009-09-01 Optoelectronic organic component with improved light output and/or injection

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008048161.0 2008-09-19
DE102008048161A DE102008048161A1 (en) 2008-09-19 2008-09-19 Optoelectronic organic component with improved Lichtaus- and / or coupling

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010031688A1 true WO2010031688A1 (en) 2010-03-25

Family

ID=41351692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2009/061284 WO2010031688A1 (en) 2008-09-19 2009-09-01 Optoelectronic organic component with improved light output and/or injection

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2329545A1 (en)
DE (1) DE102008048161A1 (en)
WO (1) WO2010031688A1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103518269A (en) * 2011-04-12 2014-01-15 阿科玛股份有限公司 Internal optical extraction layer for OLED devices
WO2015067245A1 (en) * 2013-11-06 2015-05-14 Technische Universität Dresden Method for producing an electro-optical organic component
WO2016102401A1 (en) * 2014-12-23 2016-06-30 Agc Glass Europe Translucent conductive substrate for an organic light emitting device and method for its production
CN105742510A (en) * 2014-12-11 2016-07-06 固安翌光科技有限公司 Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011086168B4 (en) * 2011-11-11 2023-05-04 Pictiva Displays International Limited Organic light-emitting component and method for producing an organic optoelectronic component
DE102012200084B4 (en) 2012-01-04 2021-05-12 Pictiva Displays International Limited RADIATION-EMITTING ORGANIC COMPONENT
DE102012207151A1 (en) 2012-04-30 2013-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT
DE102012112999B4 (en) 2012-12-21 2017-05-11 Technische Universität Dresden Method for producing an organic light-emitting component
DE102014222946A1 (en) * 2014-11-11 2016-05-12 Osram Oled Gmbh Light-emitting device and method for producing a light-emitting device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002037568A1 (en) * 2000-11-02 2002-05-10 3M Innovative Properties Company Brightness and contrast enhancement of direct view emissive displays
EP1445095A1 (en) * 2001-10-25 2004-08-11 Matsushita Electric Works, Ltd. Composite thin film holding substrate, transparent conductive film holding substrate, and panel light emitting body
US20060232195A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
JP2007254499A (en) * 2006-03-20 2007-10-04 Mitsui Chemicals Inc Composite of organic polymer with metal oxide, method for producing the same and use thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002037568A1 (en) * 2000-11-02 2002-05-10 3M Innovative Properties Company Brightness and contrast enhancement of direct view emissive displays
EP1445095A1 (en) * 2001-10-25 2004-08-11 Matsushita Electric Works, Ltd. Composite thin film holding substrate, transparent conductive film holding substrate, and panel light emitting body
US20060232195A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
JP2007254499A (en) * 2006-03-20 2007-10-04 Mitsui Chemicals Inc Composite of organic polymer with metal oxide, method for producing the same and use thereof

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CARTER S A ET AL: "ENHANCED LUMINANCE IN POLYMER COMPOSITE LIGHT EMITTING DEVICES", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, vol. 71, no. 9, 1 September 1997 (1997-09-01), pages 1145 - 1147, XP000720223, ISSN: 0003-6951 *
DEMIR M M ET AL: "IN-SITU BULK POLYMERIZATION OF DILUTE PARTICLE/MMA DISPERSIONS", MACROMOLECULES, ACS, WASHINGTON, DC, US, vol. 40, no. 12, 12 June 2007 (2007-06-12), pages 4140 - 4198, XP001506009, ISSN: 0024-9297 *
YAMAMOTO M ET AL: "NEW MACROMOLECULAR SILANE COUPLING AGENTS SYNTHESISED BY LIVING ANIONIC POLYMERISATION; GRAFTING OF THESE POLYMERS ON TO INORGANIC PARTICLES AND METALS", WORLD SURFACE COATINGS ABSTRACTS, (PAINT RESEARCH ASS.) PERGAMON PRESS LTD. OXFORD, GB, vol. 68, no. 632, 1 February 1995 (1995-02-01), pages 232, XP000489975, ISSN: 0043-9088 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103518269A (en) * 2011-04-12 2014-01-15 阿科玛股份有限公司 Internal optical extraction layer for OLED devices
EP2697840A1 (en) * 2011-04-12 2014-02-19 Arkema, Inc. Internal optical extraction layer for oled devices
EP2697840A4 (en) * 2011-04-12 2014-11-05 Arkema Inc Internal optical extraction layer for oled devices
WO2015067245A1 (en) * 2013-11-06 2015-05-14 Technische Universität Dresden Method for producing an electro-optical organic component
CN105742510A (en) * 2014-12-11 2016-07-06 固安翌光科技有限公司 Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
WO2016102401A1 (en) * 2014-12-23 2016-06-30 Agc Glass Europe Translucent conductive substrate for an organic light emitting device and method for its production

Also Published As

Publication number Publication date
EP2329545A1 (en) 2011-06-08
DE102008048161A1 (en) 2010-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010031688A1 (en) Optoelectronic organic component with improved light output and/or injection
Kumawat et al. Ligand engineering to improve the luminance efficiency of CsPbBr3 nanocrystal based light-emitting diodes
CN101926019B (en) Substrate carrying electrode, organic electroluminescent device comprising said substrate, and production thereof
DE69937641T2 (en) OPTICAL COMPONENTS
US9605156B2 (en) Inorganic oxide coating
DE102011086168B4 (en) Organic light-emitting component and method for producing an organic optoelectronic component
US20110162711A1 (en) Wavelength-converting composition and photovoltaic device comprising layer composed of wavelength-converting composition
DE112015006988T5 (en) Quantum dot based optoelectronic device
DE10392855T5 (en) Solar electricity cell with nanoarchitecture / arrangement
JP2010219551A5 (en)
WO2012055860A2 (en) Transparent layer composite assemblies
DE102012206955B4 (en) Method for producing a scattering layer for electromagnetic radiation
KR101021659B1 (en) Method for producing solar collector module coating solution
DE102012206967A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
EP1459396A1 (en) Organic light-emitting diode (led) and method for the production thereof
EP2287938A1 (en) Load holder transport layer, method for production of same and electro-optical construction element
DE102012201457A1 (en) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
DE102010054279A1 (en) Method for producing a radiation conversion element, radiation conversion element and optoelectronic component comprising a radiation conversion element
Pugliese et al. Visible Light–Near-Infrared Dual-Band Electrochromic Device
WO2010086136A2 (en) Thin-film solar cell
DE102009036135A1 (en) Structured substrate glass for luminescent diodes and method for the production thereof
DE102015122788A1 (en) Process for the production of conductive structures
US8956910B2 (en) Method for fabricating photoanode for dye-sensitized solar cell
DE102013210942A1 (en) A light extraction substrate for an organic light emitting device and a substrate manufacturing method
EP2936583B1 (en) Method for producing an organic light-emitting component

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09782466

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009782466

Country of ref document: EP