WO2002011201A2

WO2002011201A2 - Verfahren und vorrichtung zur herstellung von anschlusssubstraten für elektronische bauelemente

Info

Publication number: WO2002011201A2
Application number: PCT/DE2001/002891
Authority: WO
Inventors: Richard Thelen; Jozef Van Puymbroeck
Original assignee: Siemens Dematic Ag
Priority date: 2000-07-31
Filing date: 2001-07-31
Publication date: 2002-02-07
Also published as: WO2002011201A3; TW531817B; WO2002011202A3; DE10037292A1; WO2002011202A2

Abstract

Zur Herstellung von Anschlußsubstraten für Halbleiterchips, vorzugsweise von PSGA (Polymer Stud Grid Array)-Substraten, wird ein Rohkörper (1), vorzugsweise eine Folie erwärmt, und auf mindestens einer ihrer Oberflächen werden Höcker (3) und/oder Vertiefungen mittels eines Prägestempels oder einer Prägewalze erzeugt. Als Material für den Substratkörper die-nen hochtemperaturfeste Thermoplaste, vorzugsweise LCP (Li-quid Crystal Polymers). Deren Oberfläche kann vorzugsweise mit einer Metallschicht versehen sein, die als Prägehilfe mit Durchbrüchen versehen ist.

Description

VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON ANSCHLUSSSUBSTRATEN FÜR

ELEKTRONISCHE BAUELEMENTE

Beschreibung

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Anschlußsub^¬ straten für elektronische Bauelemente

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Anschlußsubstraten für jeweils mindestens ein elektronisches Bauelement mit einem Substratkörper aus Kunststoff, bei dem jeweils mindestens auf einer Oberfläche Höcker und/oder Vertiefungen einstückig angeformt werden.

Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf die Herstellung eines sogenannten Polymer-Stud-Grid-Array (PSGA) , wobei auf einem Substrat jeweils Kontakthöcker einstückig angeformt und mit einer lötfähigen Kontaktoberfläche versehen werden, die jeweils ihrerseits mittels Leiterzügen mit dem auf dem Substrat angeordneten Halbleiterbauelement verbunden werden.

Integrierte Schaltkreise, aber auch andere elektronische Bau- elemente, z.B. Oberflächenwellenfilter und dgl . , werden zunehmend miniaturisiert und zugleich mit immer mehr Anschlüssen versehen. Die dabei auftretenden Probleme der Kontaktie- rung auf engstem Raum werden mit neuen Gehäuseformen behoben, die als Single-, Few- oder Multi-Chip-Module gestaltet wer- den. Bekannt sind dabei Substrate mit einem sogenannten Ball- Grid-Array (BGA) , bei denen auf der Unterseite des Substrats flächig angeordnete Lothöcker eine Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte bzw. Baugruppe ermöglichen.

Bei der sogenannten MID-Technologie (MID=Moulded Interconnec- tion Devices) werden anstelle konventioneller gedruckter Schaltungen dreidimensionale Spritzgießteile mit integrierten Leiterzügen verwendet. Bei derartigen Substraten ist es auch bereits bekannt,, die Leiterzüge durch Strukturierung einer auf die Spritzgießteile aufgebrachten Metallschicht durch ein spezielles Laserstrukturierungsverfahren vorzunehmen. In die dreidimensionalen Spritzgießteile mit strukturierter Metalli- sierung sind dabei mehrere mechanische und elektrische Funk^¬ tionen integrierbar. Die Gehäuseträgerfunktion übernimmt gleichzeitig Führungen und Schnap erbindungen, während die Metallisierungsschicht neben der Verdrahtungs- und Verbin- dungsfunktion auch als elektromagnetische Abschirmung dient und für eine gute Wärmeabfuhr sorgt. Derartige Spritzgießteile mit integrierten Leiterzügen sind beispielsweise in der DE-A-37 32 249 bzw. der EP-A-0 361 192 beschrieben. Aus der US-A-5 081 520 ist ein Verfahren zur Befestigung von IC-Chips auf Substraten bekannt, bei welchem die Substrate als Spritzgießteile mit integrierten Höckern für die Befestigung der IC-Chips hergestellt werden. Nach dem Metallisieren der Hök- ker wird eine VerbindungsSchicht aufgebracht, so daß die IC- Chips auf den Substraten befestigt werden können, wobei die Chip-Anschlußflächen mit den zugeordneten Metallisierungen der Höcker elektrisch leitend verbunden werden.

In der EP-B-782765 wurde auch bereits ein sogenanntes Poly- er-Stud-Grid-Array (PSGA) vorgeschlagen, welches die Vortei- le eines Ball-Grid-Arrays (BGA) mit den Vorteilen der MID- Technologie vereinigt. Diese für Single-, Few- oder MultiChip-Module geeignete Bauform umfaßt im wesentlichen ein spritzgegossenes, dreidimensionales Substrat aus einem elektrisch isolierenden Polymer, auf dessen einer Seite beim Spritzgießen mitgeformte Polymerhöcker angeordnet sind, auf denen wiederum jeweils eine lötbare Endoberfläche einen Au- ßenanschluß bildet. Durch Leiterzüge auf dem Substrat werden diese Außenanschlüsse mit Innenanschlüssen verbunden, die ihrerseits mit den Anschlüssen eines auf dem Substrat angeord- neten Chips oder eines anderen Bauelementes elektrisch leitend verbunden sind.

Die Herstellung dieser bekannten Substrate durch Spritzgießen verlangt allerdings teure Spritzgußformen, wobei durch die hohen Drücke auch eine hohe Werkzeugbelastung mit entsprechendem Formverschleiß auftritt. Bei den geringen Abmessungen der in Betracht kommenden Substrate, beispielsweise mit einer Dicke von nur wenigen Zehntelmillimetern, können mit dem _Spritzgießverfahren nur relativ kleine Einheiten hergestellt werden. Überdies ist es mit dem Spritzgießverfahren auch problematisch, die Feinstrukturen auf dem Substrat mit der ge- wünschten Genauigkeit herzustellen. Es ist daher bereits vorgeschlagen worden, eine Feinstrukturierung der spritzgegossenen Substrate mittels Laserstrukturierung vorzunehmen. Diese Laserstrukturierung ist allerdings teuer und zeitaufwendig.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein kostengünstigeres Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Herstellung von Anschlußsubstraten der eingangs genannten Art anzugeben. Erfindungsgemäß besteht dieses Verfahren darin, daß zur Herstellung des Substratkörpers ein hochtemperaturbeständiges Thermoplastmaterial verwendet wird, dessen Schmelzpunkt oberhalb der für die Anschlußkontaktierung verwendeten Löttemperatur liegt, und daß die Höcker und/oder Vertiefungen durch Heißprägen der Oberfläche des Substratkörpers erzeugt werden.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird also durch Energiezufuhr in das Rohmaterial, das vorzugsweise eine Folie ist, dieses Grundmaterial soweit erweicht, daß es bei niedrigem Druck durch den Prägestempel einer bleibenden Verformung unterzogen werden kann, wobei in einer oder mehreren Oberflä- chen vorzugsweise Erhöhungen, gegebenenfalls aber auch Vertiefungen erzeugt werden. Diese können nach Metallisierung elektrische Verbindungen erzeugen. Darüber hinaus können aber auch andere funktionale Details auf diese Weise ausgebildet werden, die nach Bedarf metallisiert werden können.

Durch das erfindungsgemäße Heißprägen der Substratkörper, wie Folien, können große und gegebenenfalls geschlossene Einheiten, beispielsweise für PSGA, erzeugt werden, die wesentlich größer sind als durch Spritzguß erzeugte Substrate mit ver- gleichbarer Dicke. Gegenüber dem Spritzgießen derartiger Substrate ist die Werkzeugbelastung wesentlich geringer, weil der beim Spritzguß nötige Einspritzdruck entfällt; dadurch CO co M hO P¹ P¹ cπ o Cn o cπ o Cπ

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Die Erfindung wird nachfolgend an Ausführungsbeispielen an^¬ hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt Figur 1A eine Kunststoff-Folie,

Figur 1B einen Prägestempel und einen aus der Folie von 1A geprägten Substratkörper in schematischer Darstellung,

Figur 2A eine Folie mit beiderseitiger Metallbeschichtung, Figur 2B einen Prägestempel und einen aus einer Folie gemäß Figur 2A geprägten Substratkörper in schematischer Darstellung, Figur 3A eine Folie ähnlich Figur 2A, jedoch mit etwas abgewandelter Metallisierung,

Figur 3B einen Prägestempel und einen aus einer Folie gemäß Figur 3A geprägten Substratkörper, jeweils in schematischer Darstellung, Figur 4 die schematische Darstellung der Herstellung eines mit Höckern versehenen Substratkörpers aus einem Granulat über eine Präge-Walzvorrichtung,

Figur 5 die Herstellung eines mit Höckern versehenen Substratkörpers aus einer Folie mittels einer Präge- Walzvorrichtung,

Figuren 6A bis 6C einen Ausschnitt aus einem erfindungsgemäß gestalteten Prägestempel in verschiedenen Phasen beim Prägen eines unbeschichteten Substrats, Figuren 7A und 7B einen Ausschnitt eines Prägestempels in zwei verschiedenen Phasen beim Prägen eines Substrats mit Metalloberfläche, welche rastermäßig Öffnungen aufweist, Figuren 8A und 8B einen Ausschnitt eines Prägestempels in zwei verschiedenen Phasen beim Prägen eines mit einer Metalloberfläche beschichteten Substrats, wobei die zu prägenden Vorsprünge in der Oberfläche als Maske vorgegeben sind,

Figur 9 einen schematisehen Schnitt durch eine erfindungsgemäß gestaltete Prägewalze mit einer annähernd die gesamte Um- fangsfläche überdeckenden Prägeschicht, Figur 10 eine Prägewalze in einer gegenüber Figur 9 abgewan- delten Ausgestaltung,

Figur 11 eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäß gestalteten Prägevorrichtung, Figuren 12A bis 12C einen Ausschnitt aus einer Prägewalze ge^¬ mäß Figur 10 oder Figur 11 in verschiedenen Phasen beim Prä^¬ gen einer unbeschichteten Substratfolie,

Figuren 13A und 13B den Ausschnitt einer Prägewalze in zwei verschiedenen Phasen beim Prägen einer Substratfolie mit einer standardmäßig vorgegebenen metallischen Oberflächenbe- schichtung,

Figuren 14A und 14B einen Ausschnitt aus einer Prägewalze mit standardmäßig vorgegebenen Prägeschichten, gezeigt in zwei Phasen beim Prägen einer Substratfolie, auf deren Oberfläche eine Metallbeschichtung als Maske vorgegeben ist, Figur 15 die schematische Darstellung einer Prägevorrichtung mit einer Prägewalze, auf deren Oberfläche unterschiedliche Temperaturbereiche durch äußere Heiz- und Kühleinrichtungen erzeugt werden,

Figur 16 eine Prägewalze mit einer im Inneren angeordneten

Heizeinrichtung,

Figur 17 eine Prägevorrichtung mit einer eng begrenzten

Schmelzzone und Figur 18A und 18B die schematische Darstellung eines Prägestempels mit verschiebbaren Heiz- und Kühleinrichtungen.

In Figur 1A ist schematisch im Querschnitt eine Kunststoff- Folie 1, beispielsweise aus LCP, gezeigt, die als Rohkörper für die Gewinnung eines Substratkörpers 2 mit Kontakthöckern 3 gemäß Figur 1B dienen soll. Zu diesem Zweck wird die Folie erwärmt, so daß ihr Material erweicht wird und die Höcker 3 mittels eines Prägestempels 4 und darin ausgearbeiteten Vertiefungen 5 gewonnen werden. Die Erwärmung der Folie kann beispielsweise durch den Stempel selbst oder durch eine anderweitig vorgesehene Heizung erfolgen. Beispielsweise kann die Folie, wenn sie aus LCP oder einem ähnlichen Material besteht, auf eine Temperatur von 120 °C bis 350 °C erwärmt und dann mit einem kalten Stempel geprägt werden. Andererseits ist es auch möglich, die nicht vorgeheizte Folie mit einem

Stempel, der auf 120°C bis 300°C erwärmt ist, zu prägen. Bekanntlich werden LCP und ähnliche Materialien bei Temperatu- ren über 150°C bis 200°C weich, während die Verflüssigung ab 350°C bis 400°C beginnt.

In Figur 2A ist eine Folie 1 schematisch gezeigt, die gegen- über der Darstellung von Figur 1A beiderseitig mit jeweils einer Metallisierungsschicht 6 auf der Oberseite und 7 auf der Unterseite versehen ist. In den Metallisierungsschichten sind Aussparungen 8 vorgesehen, die im gezeigten Beispiel jedoch nur auf der Oberseite, d.h. in der Schicht 6 als Präge- hilfe dienen. Jeweils im Bereich einer Aussparung 8 ist es möglich, durch Erwärmen und Prägen einen Kontakthöcker 3 zu erzeugen. Da die Aussparungen 8 in der Darstellung von Figur 2A regelmäßig nach einem vorgegebenen Raster über die gesamte Oberfläche der Metallschicht 6 verteilt sind, wird durch die Form eines Prägestempels 9 gemäß Figur 2B und seine Aussparungen 5 festgelegt, an welchen Stellen tatsächlich Höcker 3 in den zu bildenden Substratkörper 10 erzeugt werden sollen.

Figur 3A zeigt wiederum eine Folie 1 mit beiderseitigen Me- tallschichten 6 und 7, wobei jedoch im Unterschied zu Figur 2A nunmehr nur an den Stellen der oberseitigen Schicht 6 Aussparungen 8 vorgesehen sind, an denen tatsächlich ein Höcker 3 erzeugt werden soll. In diesem Fall kann gemäß Figur 3B ein Prägestempel 11 verwendet werden, der Prägeaussparungen 5 in einem Standardraster besitzt, da die Metallisierungsschicht 6 in diesem Fall als Maske dient und nur die Prägung von Hök- kern 3 da zuläßt, wo Aussparungen 8 vorgesehen sind.

Sollen anstelle von Höckern 3 in der Folie 1 Vertiefungen durch Prägen erzeugt werden, so ist dies ebenfalls möglich. Bei einer Metallisierung der Folie muß dann die Auswahl der tatsächlich zu prägenden Vertiefungen über den Prägestempel erfolgen.

Zur praktischen Dimensionierung sei erwähnt, daß beispielsweise zur Erzeugung von PSGA-Substraten Folien mit einer Stärke von 0,1 bis 0,5 mm, vorzugsweise von 0,2 bis 0,3 mm in CO co r KJ ι-> P> cπ o Cπ o cπ o cπ tv> Hi Φ rt _ Φ Ό * i < s •d -3 a PJ S PJ Cfl rt rt- ω 3 Ö a Z I-¹ ö ≤ er d N o Φ td ιv> p: p- Φ P P 3 P- P- Φ J Φ P- φ P Φ er Φ P PJ PJ P- P- P- φ o P- Φ Φ P z P- φ tr P N P J P PJ iQ p. P" ii Φ P Hi rt- Φ P- ^j: P" P rt φ Φ P- φ P P- a P- o P rt

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schicht 52 und 53 angeordnet und wie im vorhergehenden Fall über Keilnuten und Befestigungskeile 54 aufgespannt sind. Während in der Vollwalze gemäß Figur 9 eine Temperierung un^¬ terschiedlicher Bereiche von außen, nämlich an den Gegenla- gern zu der Walze, erfolgt, ist bei der Hohlwalze gemäß Figur 10 eine Anordnung von Zonen unterschiedlicher Temperierung im Inneren vorgesehen. Es rotiert hier nur der äußere Teil mit der Hohlwalze 51, während innerhalb der Walze aktiv unterschiedliche Temperaturzonen aufgebaut werden können, im vor- liegenden Beispiel eine Heizzone 55 und eine Abkühlungszone 56 Je nachdem, an welcher Zone der rotierende Werkzeugteil, also die Hohlwalze 51 mit der Prägeschicht 52 bzw. 53, vorbeigeführt wird, wird die Prägeschicht und mit ihr das zu prägende Substrat erwärmt oder abgekühlt. Durch die geringere Gesamtmasse des rotierenden Werkzeugteils sind wesentlich reduzierte Prozeßzeiten zu erreichen. Erwärmung und Abkühlung der einzelnen Bereiche lassen sich wesentlich schneller erreichen als bei einer Vollwalze.

Figur 11 zeigt eine weiter abgewandelte Walze. In diesem Fall sind auf einer Hohlwalze 61 jeweils zwei Prägeschichten 62 und 63 bzw. 64 und 65 in zwei Segmenten angeordnet und wiederum über Keilnuten befestigt. Der Kern der Walze mit seinen Hälften 66 und 67 kann beispielsweise unterschiedliche Tempe- raturzonen enthalten und gegenüber der rotierenden Hohlwalze 61 feststehend angeordnet sein oder sich mit einer anderen Geschwindigkeit relativ zur Hohlwalze 61 bewegen. Zwischen der Hohlwalze 61 bzw. ihren Prägeschichten 62, 63, 64 und 65 und einer Gegenlage 68 wird eine zu prägende Substratfolie 69 bewegt und während des Durchlaufs geprägt.

Wie in Figur 11 weiterhin gezeigt ist, können zusätzliche Funktionen vorgesehen werden, beispielsweise das Einblasen von Druckluft oder Flüssigkeit unter die formgebenden Schich- ten in die Entlüftungszone 61a mit Hilfe einer nicht gezeigten Einspritzvorrichtung. Weiterhin ist eine aktive Unterstützung der Abkühlung und Entformung über einen gerichteten CO co X⁾ X) P¹ P¹

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Claims

Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung von Anschlußsubstraten für jeweils mindestens ein elektronisches Bauelement mit einem Sub- stratkörper (2; 10; 12;22; 32; 69) aus Kunststoff, bei dem jeweils mindestens auf einer Oberfläche Höcker (3) und/oder Vertiefungen einstückig angeformt werden, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zur Herstellung des Substratkörpers (2; 10; 12; 22; 32; 69) ein hochte - peraturbeständiges Thermoplastmaterial verwendet wird, dessen Schmelzpunkt oberhalb der für die Anschlußkontaktierung verwendeten Löttemperatur liegt, und daß die Höcker (3) und/oder Vertiefungen durch Heißprägen der Oberfläche des Substratkörpers (2; 10; 12;22;32; 69) mittels eines Prägewerkzeugs (4;9;11;23;31;41;51;61;81) erzeugt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zur Herstellung des Substratkörpers ein LCP-Material (Liquid Crystal Polymers) verwendet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zur Herstellung des Substratkörpers ein syntaktisches Polystyrol (SPS) oder ein Hochtemperatur-Nylon (HTN) verwendet wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß als Formkörper eine Folie (21; 32; 69) verwendet wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die zu prägende Oberfläche des Formkörpers (1) zunächst mit einer metallischen Schicht (6) versehen wird, welche an den Stellen der zu prägenden Höcker (3) oder Vertiefungen jeweils Aussparungen (8) aufweist.

6. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die metal^¬ lische Schicht (6) ein vorgegebenes Standardmuster von Aus^¬ sparungen (8) aufweist und daß über das Prägewerkzeug (9) nur an gewünschten Stellen Höcker (3) oder Vertiefungen erzeugt werden.

7. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die metal- lische Schicht (6) Aussparungen (8) definiert an den Stellen aufweist, an denen Höcker erzeugt werden sollen, und daß die metallische Schicht (6) beim Heißprägen als Maske dient.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Höcker (3) als Kontakthöcker ausgebildet und mit einer lötbaren Kon- taktbeschichtung (13) versehen sowie über Leiterzüge (14; 15; 17) mit Anschlüssen der Halbleiterkomponente verbunden werden.

9. Verfahren nach den Ansprüchen 5 und 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die metallische Schicht (6) in einem weiteren Schritt zu Leiterbahnen (15) strukturiert wird, die mit der jeweiligen Kontaktbe- Schichtung (13) der Höcker (3) verbunden werden.

10. Verfahren nach Anspruch 5 und 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die metallische Schicht (6) mit einer Isolierschicht (16) bedeckt wird, auf der eine weitere Schicht (17) mit strukturierten Leiterzügen aufgebracht wird.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zur Her- Stellung des Substratkörpers (2; 10; 12) die Oberfläche eines aus dem Thermoplastmaterial gebildeten Formkörpers (1) mit einem Prägestempel (4; 9; 11) verformt wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Substratkörper (22) durch Walzen des Thermoplastmaterials (20;21) gewonnen wird, wobei die Höcker (3) und/oder Vertie- fungen mittels einer profilierten Prägewalze (23) erzeugt werden.

13. Verfahren nach Anspruch 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Thermo- plastmaterial als amorphe Masse (20) einer die Prägewalze (23) enthaltenden Walzvorrichtung (23,25) zugeführt wird.

14. Verfahren nach Anspruch 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Thermo- plastmaterial in Form eines Strangprofils (21) einer die Prägewalze (23) enthaltenden Walzvorrichtung (23,25) zugeführt wird.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Thermoplastmaterial während des Prägevorgangs beheizt und/oder gekühlt wird.

16. Verfahren nach Anspruch 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß eine Erwärmung und/oder Abkühlung durch außerhalb des Prägewerkzeugs angeordnete Heiz- bzw. Kühleinrichtungen erfolgt.

17. Verfahren nach Anspruch 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Prägewerkzeug (51,61,81) abschnittsweise von innen beheizt und/oder gekühlt wird.

18. Vorrichtung zur Herstellung von Anschlußsubstraten für elektronische Bauelemente nach dem Verfahren gemäß einem der

Ansprüche 1 bis 17, welche ein Prägewerkzeug mit folgenden Merkmalen aufweist: einen bezüglich eines Widerlagers (68; 77) beweglichen Grund^¬ körper (31,41,51,61,81) mit einer dem Widerlager zugewandten Druckoberfläche (31a; 41a; 51; 61; 81a) und mindestens eine auf der Druckoberfläche befestigte Präge- schicht (35,36;42;52;62,63,64,65;82) , welche ein Negativmu^¬ ster der herzustellenden Prägestruktur aufweist.

19. Vorrichtung nach Anspruch 18, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Nega- tivmuster in der jeweiligen Prägeschicht

(35, 36; 42, 52, 53, 62, 63, 64, 65, 82) in Form von Durchbrüchen (35a, 36a; 62a, 63a) ausgebildet ist.

20. Vorrichtung nach Anspruch 18 oder 19, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zur Prägung von gestuften Prägestrukturen zwei oder mehr Prägeschichten (35,36,62,63,64,65) übereinander angeordnet sind, die jeweils zueinander ausgerichtete Durchbrüche (35a, 36a; 62a, 63a) unterschiedlicher Größe aufweisen.

21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 20, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Prägeschichten (35, 36; 2; 52, 53; 62, 63, 64, 65; 82) jeweils Folien sind, die auf die Druckoberfläche (31a; 41a; 51a; 61a) aufge- spannt sind.

22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 21, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß in dem Grundkörper (51; 61; 81) jeweils in der Druckoberfläche (51a; 61a; 81a) benachbarten Bereichen Heiz- und/oder Kühleinrichtungen (55, 56;66, 67;76;85,86) vorgesehen sind, um die Prägeschichten (52, 53; 62, 63, 64, 65; 82) bedarfsweise zu temperieren.

23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 22, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zwischen der innersten Prägeschicht (42; 52; 63, 65; 82) und der Druck^¬ oberfläche (31a; 1a; 51a; 61a; 81a) eine Entlüftungszone ange- ordnet ist.

24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 23, d a _d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Grundkörper ein im wesentlichen senkrecht zur Druckoberfläche be- wegbarer Prägestempel (31; 81) ist.

25. Vorrichtung nach Anspruch 24, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Prägestempel (81) in einem der Druckoberfläche (81A) benachbarten Bereich eine Aufnahme (83) für verschiebbare Heiz- und/oder Kühleinrichtungen (85,86) aufweist.

26. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 23, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Grund- körper eine Prägewalze (41; 51; 61) ist, auf deren Druckoberfläche (41a, 51a, 61a) eine oder mehrere Prägeschichten (42; 52, 53; 62, 36, 64) aufgespannt sind.

27. Vorrichtung nach Anspruch 26, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Prägewalze (51; 61) über ihren Umfang verteilt mindestens zwei Segmente aufweist, auf denen jeweils eine (52,53) oder mehrere (62, 63; 64, 65) Prägeschichten aufgespannt sind.

28. Verfahren nach Anspruch 26 oder 27, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß innerhalb und/oder außerhalb der Prägewalze (51,61) Heiz und/oder Kühleinrichtungen (55, 56; 66, 67; 75, 76; 77; 78, 79, 80) von der Drehbewegung der Prägewalze unabhängig angeordnet sind, welche in verschiedenen Bereichen der Prägeschichten unterschiedliche Temperaturen zu erzeugen vermögen.