WO1999027759A1 - Structured printed circuit boards, foil printed circuit boards and method for the production thereof - Google Patents

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WO1999027759A1
WO1999027759A1 PCT/CH1998/000500 CH9800500W WO9927759A1 WO 1999027759 A1 WO1999027759 A1 WO 1999027759A1 CH 9800500 W CH9800500 W CH 9800500W WO 9927759 A1 WO9927759 A1 WO 9927759A1
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layer
plating
plated
structures
layers
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PCT/CH1998/000500
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Inventor
Walter Schmidt
Thomas Jacob
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Dyconex Patente Ag
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    • H05K2203/0548—Masks
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    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548—Masks
    • H05K2203/0557—Non-printed masks

Definitions

  • the invention is in the field of the production of printed circuit boards and relates to printed circuit boards, film printed circuit boards and semi-finished products for printed circuit boards and film printed circuit boards with structured through-plating and relates to a method for their production.
  • circuit boards or foil guide plates and semi-finished products for guide plates and / or foil guide plates are produced in accordance with the invention as defined in the patent claims.
  • the present invention is a further development of the method described above for structuring insulator layers by means of mask foils, as disclosed by the applicant in International Application WO-95/02312.
  • the advantages of this method i.e. the reduction in the number of necessary photochemical structuring is maintained, the disadvantage of this method, i.e. the limiting plating through openings of mask foils is avoided.
  • a photochemical structuring of conductor layers of the prefabricated products into current path structures (XY structures in conductor layers) and through-contact structures (Z structures through conductor layers) is thus maintained.
  • What is new is the application of separating layers to conductor layers structured in this way.
  • Such separating layers have a low surface tension and are advantageously hydrophobic.
  • These separating layers can be etched locally by means of plasma or chemically or they can be removed locally by laser.
  • these separating layers do not interfere with the structuring of insulator layers by means of mask foils and plasma etching or chemical etching or by means of laser ablation, for example thermal in the IR range or ablative in the UV range.
  • Mask foils for attaching Z structures in insulator layers can thus be attached to prefabricated products and removed again after structuring.
  • the use of mask foils is not mandatory in the present process.
  • Z structures in insulator layers can also be attached to prefabricated products by laser ablation.
  • these separating layers prevent metal deposition. They enable selective plating in the absence of masking photoresist or mask foils.
  • Fig. 1-9 show a variant of the method of structuring
  • FIG. 10 shows a further variant of the method of structuring current paths and through-plating (through holes) on a part of a prefabricated product without using mask foils (by means of laser ablation).
  • Fig.ll shows another variant of the method of photochemical
  • FIGS. 1 to 9 show a variant of the method of structuring current paths and plated-through holes on part of a prefabricated product in accordance with mask foils.
  • the prefabricated product and the process steps are shown in these figures in a section along the planar extent of the prefabricated product.
  • the through plating to be produced should connect at least two electrically conductive layers or conductor layers separated from one another by a layer of insulator or plastic.
  • the through-plating thus alternately penetrates intermediate insulator layers arranged between conductor layers and in each case connects at least two such conductor layers.
  • the through-plating does not have to run perpendicular to the surface of the plastic layer to be penetrated, it can also pass through it obliquely.
  • the structuring of solder pads in conductor layers is not necessary for the process.
  • Figure 1 shows a prefabricated product of the method.
  • a multilayer prefabricated product is advantageously used, which consists, for example, of an insulator layer or plastic film 2 laminated on both sides with electrically conductive layers or conductor layers 1, 1 '.
  • Copper foils can be used as conductor layers 1, 1
  • suitable plastic foils for example polyimide foils or epoxy foils, can be used as insulator layers 2.
  • cold laminated composite foils consisting of a thick aluminum foil and thinner copper foils laminated on both sides can be used.
  • Other suitable starting products are, for example, films made of stainless steel, brass, bronze, aluminum-magnesium alloys, Invar, molybdenum etc.
  • These conductor layers 1, 1 'and the plastic film 2 are 3 to 100 ⁇ m thick. This and also the prefabricated products used for other process variants can be rigid or flexible.
  • FIG. 2 shows how the prefabricated product according to FIG. 1 is coated on both sides with photoresist 3,3 '.
  • the conductor layers 1, 1 ' are completely covered with photoresist 3,3 'covered. Solid or liquid photoresist can be used.
  • the layers of photoresist 3, 3 ' can be structured in known photochemical processes.
  • FIG. 3 shows this photochemically structured structuring of the layers of photoresist 3, 3 '.
  • Conductor pattern structures 5 and through-plating structures 4 are attached in the structured layer photoresist 3
  • conductor pattern structures 5 'and through-plating structures 4' are attached in the structured layer photoresist 3 '.
  • These structures extend down to the conductor layers 1, 1 '.
  • the geometry of these structures 4,4 ', 5,5' is freely selectable.
  • the size of the through plating structures 4,4 ' is typically 25 to 100 ⁇ m.
  • the conductor pattern structures 5.5 'and the through-plating structures 4.4' serve to transmit the circuit design (current paths, soldering eyes, etc.) and the information regarding the position and structure of the through-plating to be produced in the conductor layers 1,1 '. In the areas where photoresist 3, 3 'is located, no electrically conductive material of the conductor layers 1, 1' is removed in the following method steps.
  • FIG. 4 shows the prefabricated product structured in this way after wet-chemical etching of the material of the conductor layers 1, 1 'which is not covered by photoresist 3, 3'. This etching leads to the targeted removal of individual areas of the conductor layers 1, 1 '. As a result, current paths SP and preprocessed through-plating openings 4 *, 4 ** are formed by insulating regions 5 *, 5 **.
  • the wet chemical etching takes place in depth, ie the conductor layers 1, 1 'are removed down to the plastic film 2 in areas not covered by photoresist 3, 3'. Wet chemical etching takes place simultaneously in all exposed areas (ie the areas that are accessible to the caustic chemicals and liquids).
  • FIG. 5 shows the prefabricated product in the production stage according to FIG. 4 after removal (stripping) of the layers of photoresist 3, 3 '. This is done using known and proven chemical processes.
  • the exposed surface areas of the prefabricated product are then covered with thin separating layers.
  • Such separating layers can be applied in a variety of ways. For example, they are vaporized from the gas phase in an aerosol spray process or applied by dip coating. With knowledge of the present invention, the person skilled in the art can use other methods not mentioned here.
  • the separating layers are thin and, for example, only a few ⁇ m thick and advantageously completely cover the prefabricated product. Of course, thinner and thicker separating layers can also be used.
  • the separating layer also does not have to completely cover the prefabricated product.
  • the separating layers have a low surface tension, ie they cannot be covered with commercially available bath activators and nucleating agents from the electroplating industry.
  • the separating layers are advantageously chemically resistant to commonly used electroplating baths and liquids in the medium term. However, they can be removed by plasma etching, chemical etching or using a laser, for example by evaporation or decomposition. In conditions that are gentle on the underlying materials, they can also be removed without residue from the surface of the covered plastics and metals, for example by hot steam at 110 to 140 ° C. and / or by solvents.
  • silicone oils, silicone rubber, polyethylene waxes, paraffin waxes are used as residual layer materials.
  • Montan waxes, amide waxes, etc., and coatings made of polytetrafluoroethylene (PTFE), polyurethane, etc., and mixtures of cyclohexanone, tetrahydrofuran n-methylpyrolidone, etc. are used.
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • polyurethane polyurethane
  • a mixture of cyclohexanone, tetrahydrofuran n-methylpyrolidone used.
  • Preferred silicone oils are based on siloxanes of various structures. For example, dimethylsiloxanes are used, the unbranched chains of which are alternately made up of successive silicon and oxygen atoms.
  • the molecular weight and, depending on it, the kinematic viscosity is determined by the number n of the intermediate links in the molecule. Silicone oils with n> 2000 are still liquid at room temperature. If the molecular weights are even higher, sticky masses form, but still have fluidity.
  • Typical viscosities for the silicone oils that can be used for the invention vary between 0.65 and over 50000 mm 2 / s. The viscosity of the Trerinstoff can thus be based on the Mo ⁇ hologie the prefabricated.
  • Such silicone oils consisting of dimethylsiloxanes have a low surface energy and are hydrophobic. They are characterized by very flat viscosity and temperature curves, a high flash point, low volatility and high temperature resistance. Another characteristic property of silicone oils is the low surface tension. For higher pontics it is, for example, 21 rnN / m. It is usually less than that of organic solvents.
  • Silicone rubber can also be used as separating layers.
  • such silicone rubber has comparable hydrophobic, chemical and temperature-resistant properties to the silicone oils mentioned above.
  • Silicone rubber is in n-hexane / toluene and / or dioxane mixtures or n-heptane / toluene soluble and can be applied by spraying. After solvent drying, a homogeneous, tightly fitting film is formed on the surface, which film has a high temperature resistance up to 200 ° C.
  • FIG. 6 shows the prefabricated product according to FIG. 5 covered with separating layers 6, 6 'after masking films 7, 7' have been applied.
  • Two thin mask foils 7, 7 'with a thickness of less than 200 ⁇ m have been reversibly applied to the structured separating layers 6, 6'.
  • the mask foils 7, 7 ' are recyclable resources.
  • the through openings 8, 8 'are therefore also made larger than the pre-worked through-plating structures 4, 4' in order to compensate for any dimensional changes in the plastic film 2.
  • the dimensioning of the through openings is optimized to take up minimal space.
  • the through-etching of the through openings 8, 8 ′ takes place in a separate, known manufacturing method, not shown here.
  • the tight pressing of the mask films 7, 7 'onto the prefabricated product is facilitated in that the mask films 7, 7' are slightly concave in such a way that they bend slightly outwards at their edges, away from the planar extent of the prefabricated product, so that the fastening by means of clamps generates bending forces which ensure that the mask foils lie on the prefabricated product in a manner that is free from blurring and dislocation to form film packages. This is important because the foil packets thus formed have to be transported, for example for plasma etching or for chemical etching.
  • FIG. 7 shows a foil package according to FIG. 6 after plasma etching or chemical etching of the exposed areas, separating layers 6, 6 'and the through-plating openings 10 in the plastic film 2.
  • the through-plating openings 10 are, for example, through holes, but they can also be blind holes (see Figure 11).
  • Such plated-through openings 10 are etched at the position of the through openings 8,8 'of the mask foils 7,7'. Other areas of the prefabricated product according to FIG. 5 are protected from an etching attack by the mask foils 7, 7 '.
  • FIG. 8 shows an etched prefabricated product according to FIG. 7 after removal of the mask foils 7, 7 'and after plating on a contact layer 11 made of an electrically conductive material, for example made of copper, brass, nickel, palladium, etc.
  • an electrically conductive material for example made of copper, brass, nickel, palladium, etc.
  • the electrically conductive material is preferably chemically deposited and plated.
  • Through-plated openings 10 are referred to as through-plating 12.
  • the through plating 12 can be plated through holes according to FIG. 8 or 9 or blind holes (see FIG. 11). his.
  • the contact layer 11 of such plated-through layers 12 is thin and typically has thicknesses of less than 25 ⁇ m. There is electrical contact between the through-plating 12 and the current paths SP via connection areas. Due to the low surface tension of the separating layers 6, 6 ', these cannot be coated with commercially available bath activators and nucleating agents in the electroplating industry.
  • the separating layers 6, 6 ' are advantageously chemically resistant in the medium term to commonly used electroplating baths and liquids. In particular, these separating layers 6, 6 'remain hydrophobic even after plasma etching treatment or chemical etching treatment.
  • FIG. 9 shows the two-layer foil guide plate according to FIG. 8 after removal of the separating layers 6, 6, for example by means of superheated steam or solvent. Only the via structures and not the current path structures are covered with a plated-on, electrically conductive contact layer 11. The area of the edges of the through-plating 12 in the form of through holes has protective and reinforcing peaks made of contact layer material. These elevations are of a small thickness of a few ⁇ m and thus do not interfere with further processing, for example attaching superstructures, further layers, etc.
  • a two-layer foil guide plate is provided with further insulator and conductor layers and structured in the first variant according to FIGS.
  • the foil conductive plate provided with insulator and / or conductor layers according to FIG. 9 is again a part or even the prefabricated product itself. Those areas of the prefabricated product are always structured that are accessible and accessible to light, chemicals, liquids (from the outside) to which mask foils are positioned let or that can be removed by laser. With knowledge of the present invention, the person skilled in the art has many possible variations.
  • FIG. 10 shows a further variant of the method of structuring current paths and through-plating on part of a prefabricated product by means of laser ablation.
  • the prefabricated product is shown in a section along the planar extent of the prefabricated product.
  • the laser With a suitable choice of the laser, not only insulator layers but also conductor layers can be removed directly with the aid of the laser, which basically eliminates the photochemical structuring of prepared through-plating openings 4 *, 4 ** according to FIG. 4.
  • through-holes be made in a plastic film with the laser, but through-openings can also be made in single or multi-layer structures of conductor layers and / or insulator layers.
  • a first structure 2 * can thus be a relatively thin insulator layer 2, for example in the prefabricated product according to Figure 1, and / or it can be a relatively thick and / or rigid structure for or from a conductive plate, and / or it can be a multi-layer foil guide plate, for example according to FIG. 9.
  • the process sequence of this further variant otherwise largely follows that of the first variant in the description according to FIGS. 1 to 9, except that the method steps according to FIGS. 6 and 7 are replaced by this FIG. As shown in FIG.
  • through-plating openings 10 are made in the first structure 2 * by means of a laser.
  • the optics together with the laser beam is drawn schematically as an arrangement 70.
  • the locally focused laser steel specifically removes the separating layers 6, 6 'and underlying material of the first structure 2 *.
  • the laser ablation can be carried out on one or both sides to produce through plating openings 10.
  • only one arrangement 70 is shown in FIG. In principle, it is possible to work with two such arrangements simultaneously or with one arrangement sequentially in order to produce through holes.
  • the focusing of the laser beam and the scanning of the surface of the product is computer-controlled and is now state of the art in the semiconductor and circuit board industry.
  • FIG. 11 shows a multilayer film guide plate produced according to a further variant of the method of structuring current paths and through-plating.
  • the Folieleite ⁇ latte is shown in a section along the planar extent. Only the via structures and not the current path structures are covered with a plated-on, electrically conductive contact layer 11.
  • a blind hole is made as a through plating.
  • the region of the edges of the through-plating 12 in the form of a blind hole has protective and reinforcing peaks made of contact layer material. These elevations are of a small thickness of a few ⁇ m and thus do not interfere with further processing, for example attaching superstructures, further layers, etc.
  • second structure 1 * can, for example, be a relatively thin conductor layer 1 'as in the prefabricated product according to FIG. 1, and / or it can be a relatively thick and / or rigid structure for or from a conductor plate, and / or it can be a multilayer film conductor plate, for example according to FIG. 9.
  • the process sequence of this further variant largely follows that of the first variant in the description according to FIGS. 1 to 9, except that 10 blind holes are produced as through-plating openings in this variant.
  • the through-plating 12 in the form of plated blind holes is produced by instead of structuring on both sides as described in the introduction, only by structuring on one side. This means one-sided structuring of a conductor layer 1, one-sided application of a separating layer 6, one-sided plasma etching or chemical etching or one-sided laser ablation, and one-sided plating of a contact layer 11 in the blind hole.
  • blind holes of the variant according to FIG. 11 can also be made in a prefabricated product according to FIG. 10 by laser, which blind hole accordingly extends through a first construction.
  • First superstructures 2 * of the variant according to FIG. 10 can also be used in the first variant according to FIGS. 1 to 9.

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Abstract

The invention relates to a method for producing multilayered printed circuit boards and/or foil printed circuit boards and for producing semi-finished products for printed circuit boards and foil printed circuit boards using prefabricated items, comprising at least one insulator layer (2) or first structure (2*) and one or several conductor layers (1, 1') and a second structure (1*). Current path structures and through-plating structures are introduced into the conductor layers (1, 1') in a photochemical stage of said method, whereby the separating layers (6, 6') can be etched and/or removed by laser but cannot be plated. Through-plated openings (10) can be etched according to masking film through-plating structures (8, 8') in at least one insulating layer (2) or through-plated openings (10) can be made using laser removal in at least one insulating layer (2) or in a first structure (2*) whereupon said openings are subsequently plated.

Description

STRUKTURIERTE LEITERPLATTEN UND FOLIENLEITERPLATTEN UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG STRUCTURED CIRCUIT BOARDS AND FILM CIRCUIT BOARDS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Herstellung von Leiterplatten und sie betrifft Leiterplatten, Folienleiterplatten und Halbzeuge für Leiterplatten und Folienleiterplatten mit strukturierten Durchplattierungen und sie betrifft ein Verfahren zu deren Herstellung.The invention is in the field of the production of printed circuit boards and relates to printed circuit boards, film printed circuit boards and semi-finished products for printed circuit boards and film printed circuit boards with structured through-plating and relates to a method for their production.
Bei der Herstellung dünner, mehrlagiger Leiterplatten und Folienleiterplatten aus Isolatorschichten und Leiterschichten werden bisher eine grössere Anzahl getrennter Strukturierungen mittels photochemischer Verfahren vorgenommen. Somit werden zur Strukturierung von Durchplattierungen in Isolatorschichten zuerst vorbereitete Durchplattierungen strukturiert, an deren Position dann später die Durchplattierungen mechanisch oder per Laser gebohrt oder mittels Plasma oder chemisch geätzt und aufplattiert werden. Im Unter- schied hierzu werden Strompfaden und Lötaugen photochemisch direkt in elektrisch leitenden Schichten strukturiert. Solche Strukturierungen laufen nach bekannten und bewährten photochemischen Verfahren ab. Sie werden nacheinander angewendet und weisen als mehrstufige Herstellungsprozesse die folgenden prinzipielle Nachteile auf:In the manufacture of thin, multilayer printed circuit boards and foil printed circuit boards from insulator layers and conductor layers, a large number of separate structuring processes have hitherto been carried out by means of photochemical processes. Thus, for the structuring of through-plating in insulator layers, prepared through-plating is first structured, at the position of which the through-plating is subsequently drilled mechanically or by laser or etched and plated using plasma or chemically. In contrast to this, current paths and pads are structured photochemically directly in electrically conductive layers. Such structuring takes place according to known and proven photochemical processes. They are used in succession and, as multi-stage manufacturing processes, have the following basic disadvantages:
- Je mehr Strukturierungen benötigt werden, desto teuerer wird die Herstellung. Für jede Strukturierung müssen Photomasken hergestellt werden, Photomasken müssen genau positioniert werden, ferner müssen Photore- sistschichten auf das Vorfabrikat aufgebracht und wieder entfernt werden.- The more structuring required, the more expensive it is to manufacture. For each structuring, photomasks have to be produced, photomasks have to be positioned exactly, and photoresist layers have to be applied to the prefabricated product and removed again.
- Je mehr Strukturierungen benötigt werden, desto geringer ist die Ausbeute. Die Gesamtausbeute mehrerer sequentieller Herstellungsprozesse wird aus dem Produkt der Einzelausbeuten gebildet, der Ausschuss eines jeden Prozesses begrenzt die Ausbeute aller darauffolgenden Prozesse.- The more structuring required, the lower the yield. The total yield of several sequential manufacturing processes is formed from the product of the individual yields, the reject of each process limits the yield of all subsequent processes.
- Je mehr Strukturierungen benötigt werden, desto grösser ist der fabrikationstechnische Mehraufwand. Potentielle physikalische und elektronische Möglichkeiten der verwendeten photochemischen Verfahren werden durch die hohe Anzahl durchgeführter Strukturierungen beschränkt. Beschränkend sind die einzuhaltenden Fertigungstoleranzen, welche die Grössenordnung der herzustellenden Strukturen selbst erreichen. Beschränkend sind die Dicken der Strompfade und der Durchplattierungen, welche die Dimensionen vergrössern und zu Spannungen führen (Dimensionsstabilität). Beschränkend sind schliesslich die zeit- und materialaufwendige Durchführung dieser photochemischen Strukturierungen. Nach- teilig sind dabei die hohen Installationskosten für die notwendigen Maschinen, Öfen, etc. sowie die hohen Verfahrenskosten, bedingt durch deren geringe Umweltverträglichkeit (Einsatz von Nasschemie und Abwasser-Aufbereitung, etc.). Als Lösung dieser Nachteile hat die Anmelderin ein als Internationale Anmeldung WO-95/02312 offenbartes Verfahren entwickelt, bei dem Strukturen in Isolatorschichten und in Abdeckschichten nicht nur mit bekannten "chemischen" Masken (strukturiertes Photoresist), sondern auch mit "mechanischen" Masken (strukturierte ätzresistente Folie) simultan und mit einer hohe Auflösung von kleiner 100 um eingebracht werden. Dazu werden Maskenfolien auf ein Vorfabrikat aufgepresst und Strukturen in Isolator- und Abdeckschichten gemäss Öffnungen der Maskenfolien strukturiert.- The more structuring required, the greater the additional manufacturing effort. Potential physical and electronic possibilities of the photochemical processes used are limited by the high number of structuring carried out. The manufacturing tolerances to be observed, which reach the order of magnitude of the structures to be manufactured, are limiting. The thicknesses of the current paths and through-plating are limiting, which increase the dimensions and lead to tension (dimensional stability). Finally, the time-consuming and material-intensive implementation of these photochemical structures is restrictive. Disadvantages are the high installation costs for the necessary machines, ovens, etc. as well as the high process costs, due to their low environmental impact (use of wet chemicals and wastewater treatment, etc.). As a solution to these disadvantages, the applicant has developed a method disclosed as international application WO-95/02312, in which structures in insulator layers and in covering layers not only with known "chemical" masks (structured photoresist), but also with "mechanical" masks (structured etch-resistant film) can be introduced simultaneously and with a high resolution of less than 100 µm. For this purpose, mask foils are pressed onto a pre-manufactured product and structures are structured in insulator and cover layers according to openings in the mask foils.
Nachteilig ist, dass die Aufplattierung durch die Maskenfolien-Öffnungen erfolgt. Dies kann limitierend sein, da Aufplattierungen durch kleinen Öffnungen der Maskenfolien hindurch relativ schwierig durchzuführen sind, da es mit steigender Dicke der Aufplattierungen in den Verbindungsbereichen zu Mas- kenfolien hin zu unkontrollierten Trennungen kommen kann, was wiederum zu Abrissen von Aufplattierungsbereichen und beispielsweise zu Beschädigungen von Durchplattierungen führen kann und da die Maskenfolien selbst ebenfalls aufplattiert werden, und deshalb gereinigt werden müssen.It is disadvantageous that the cladding takes place through the mask foil openings. This can be limiting, since plating through small openings in the mask films is relatively difficult to carry out, since with increasing thickness of the plating in the connection areas to mask films, uncontrolled separations can occur, which in turn leads to tearing of the plating areas and, for example, to damage Can lead through plating and since the mask foils themselves are also plated, and therefore must be cleaned.
Wünschenswert ist ein photochemisches Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten, Folienleiterplatten und zur Herstellung von Halbzeugen für Leiterplatten und Folienleiterplatten, die die oben beschriebenen Nachteile der mehrfachen Strukturierungen mittels photochemischer Verfahren sowie der Strukturierung mittels Maskenfolien mindern. Ein solches Verfahren soll kostengünstig sein, es soll geringen Ausschuss aufweisen, es soll eine hohe Strukturauflösung und Dimensionsstabilität ermöglichen und es soll bezüglich der Formgebung solcher Strukturen in Leiterschichten und Isolatorschichten flexibel sein. Des weiteren sollen bekannte und bewährte Techniken, Materialien und dergleichen zur Anwendung kommen. Auch soll das Verfahren bezüglich der Weiterverarbeitung und bei wechselnden Dimensionen der zu bestückenden Bauelemente mit bekannten Verfahren kompatibel sein. Insbesondere soll die Anzahl der benötigten photochemischen Strukturierungen erniedrigt werden.It is desirable to have a photochemical process for the production of printed circuit boards, film printed circuit boards and for the production of semi-finished products for printed circuit boards and film printed circuit boards which reduce the disadvantages of the multiple structuring described above by means of photochemical processes and the structuring using masking films. Such a method should be inexpensive, it should have little waste, it should enable high structure resolution and dimensional stability, and it should be flexible with regard to the shape of such structures in conductor layers and insulator layers. Furthermore, known and proven techniques, materials and the like are to be used. The procedure should also refer to the further processing and, in the case of changing dimensions of the components to be assembled, be compatible with known methods. In particular, the number of photochemical structuring required should be reduced.
Solche Leiterplatten oder Folienleiteφlatten und Halbzeuge für Leiteφlatten und/oder Folienleiteφlatten werden gemäss der in den Patentansprüchen definierten Erfindung hergestellt.Such circuit boards or foil guide plates and semi-finished products for guide plates and / or foil guide plates are produced in accordance with the invention as defined in the patent claims.
Die vorliegende Erfindung ist eine Weiterentwicklung des oben beschriebenen Verfahrens der Strukturierung von Isolatorschichten mittels Maskenfolien, wie es von der Anmelderin in der Internationalen Anmeldung WO-95/02312 offenbart ist. Die Vorteile dieses Verfahrens, d.h. die Erniedrigung der Anzahl notwendiger photochemischer Strukturierungen wird beibehalten, der Nachteil dieses Verfahrens, d.h. die limitierende Aufplattierung durch Öffnungen von Maskenfolien hindurch wird vermieden.The present invention is a further development of the method described above for structuring insulator layers by means of mask foils, as disclosed by the applicant in International Application WO-95/02312. The advantages of this method, i.e. the reduction in the number of necessary photochemical structuring is maintained, the disadvantage of this method, i.e. the limiting plating through openings of mask foils is avoided.
Beibehalten wird somit eine photochemische Strukturierang von Leiterschichten der Vorfabrikate zu Strompfad-Strakturen (XY-Strukturen in Leiterschichten) sowie zu Durchkontaktierungs-Strukturen (Z-Strukturen durch Leiterschichten). Neu ist ein Aufbringen von Trennschichten auf derart struktu- rierte Leiterschichten. Solche Trennschichten weisen eine geringe Oberflächenspannung auf und sind vorteilhafterweise hydrophob. Diese Trennschichten lassen sich lokal mittels Plasma oder chemisch ätzen oder sie lassen sich lokal per Laser abtragen. Insbesondere stören diese Trennschichten nicht bei einer Strukturierung von Isolatorschichten mittels Maskenfolien und Plasmaät- zen oder chemischem Ätzen bzw. mittels Laserabtrag, beispielsweise thermisch im IR-Bereich oder ablativ im UV-Bereich. Somit lassen sich Maskenfolien zum Anbringen von Z-Strukturen in Isolatorschichten an Vorfabrikaten befestigen und nach erfolgter Strukturierung wieder entfernen. Die Verwendung von Maskenfolien ist im vorliegenden Verfahren nicht zwingend. Alternativ hierzu lassen sich Z-Strukturen in Isolatorschichten an Vorfabrikaten auch durch Laserabtrag anbringen. Ferner verhindern diese Trennschichten eine Metallabscheidung. Sie ermöglichen eine selektive Aufplattie- rung in Abwesenheit von maskierendem Photoresist oder von Maskenfolien.A photochemical structuring of conductor layers of the prefabricated products into current path structures (XY structures in conductor layers) and through-contact structures (Z structures through conductor layers) is thus maintained. What is new is the application of separating layers to conductor layers structured in this way. Such separating layers have a low surface tension and are advantageously hydrophobic. These separating layers can be etched locally by means of plasma or chemically or they can be removed locally by laser. In particular, these separating layers do not interfere with the structuring of insulator layers by means of mask foils and plasma etching or chemical etching or by means of laser ablation, for example thermal in the IR range or ablative in the UV range. Mask foils for attaching Z structures in insulator layers can thus be attached to prefabricated products and removed again after structuring. The use of mask foils is not mandatory in the present process. As an alternative to this, Z structures in insulator layers can also be attached to prefabricated products by laser ablation. Furthermore, these separating layers prevent metal deposition. They enable selective plating in the absence of masking photoresist or mask foils.
Anhand der nachfolgenden Figuren wird die Erfindung näher erläutert.The invention is explained in more detail with reference to the following figures.
Fig.1-9 zeigen eine Variante des Verfahrens der Strukturierung vonFig. 1-9 show a variant of the method of structuring
Strompfaden und Durchkontaktierungen (Durchgangslöcher) auf einem Teil eines Vorfabrikats unter Verwendung von Maskenfolien (mittels Plasmaätzen oder chemischem Ätzen).Current paths and vias (through holes) on part of a prefabricated product using mask foils (using plasma etching or chemical etching).
Fig.10 zeigt eine weitere Variante des Verfahrens der Strukturierung von Strompfaden und Durchplattierungen (Durchgangslöcher) auf einem Teil eines Vorfabrikats ohne Verwendung von Maskenfolien (mittels Laserabtrag).10 shows a further variant of the method of structuring current paths and through-plating (through holes) on a part of a prefabricated product without using mask foils (by means of laser ablation).
Fig.ll zeigt eine weitere Variante des Verfahrens der photochemischenFig.ll shows another variant of the method of photochemical
Strukturierung von Strompfaden und Durchplattierungen (Sack- löcher) auf einem Teil eines Vorfabrikats.Structuring of current paths and through plating (blind holes) on part of a prefabricated product.
In den Figuren 1 bis 9 sieht man eine Variante des Verfahrens der Strukturierung von Strompfaden und Durchkontaktierungen auf einem Teil eines Vor- fabrikats gemäss Maskenfolien. Das Vorfabrikat und die Verfahrensschritte sind in diesen Figuren in einem Schnitt entlang der flächigen Ausdehnung des Vorfabrikats dargestellt. Die herzustellenden Durchplattierungen sollen mindestens zwei voneinander durch eine Schicht Isolator oder Kunststoff getrennte, elektrisch leitende Schichten oder Leiterschichten miteinander verbinden. Die Durchplattierungen durchdringen also alternierend zwischen Leiterschichten angeordnete, intermediäre Isolatorschichten und verbinden jeweils mindestens zwei solcher Leiterschichten. Die Durchplattierungen müssen nicht senkrecht zur Oberfläche der zu durchdringenden Kunststoffschicht verlaufen, sie können auch schräg durch sie hindurchgehen. Für das Verfahren ist die Struk- turierung von Lötaugen in Leiterschichten nicht notwendig.FIGS. 1 to 9 show a variant of the method of structuring current paths and plated-through holes on part of a prefabricated product in accordance with mask foils. The prefabricated product and the process steps are shown in these figures in a section along the planar extent of the prefabricated product. The through plating to be produced should connect at least two electrically conductive layers or conductor layers separated from one another by a layer of insulator or plastic. The through-plating thus alternately penetrates intermediate insulator layers arranged between conductor layers and in each case connects at least two such conductor layers. The through-plating does not have to run perpendicular to the surface of the plastic layer to be penetrated, it can also pass through it obliquely. The structuring of solder pads in conductor layers is not necessary for the process.
Figur 1 zeigt ein Vorfabrikat des Verfahrens. Vorteilhafterweise wird ein mehrlagiges Vorfabrikat verwendet, das beispielsweise aus einer doppelseitig mit elektrisch leitenden Schichten oder Leiterschichten 1,1' kaschierten Isolatorschicht oder Kunststoff-Folie 2 besteht. Als Leiterschichten 1,1' können Kupferfolien, als Isolatorschichten 2 können geeignete Kunststofffolien, beispielsweise Polyimidfolien oder Epoxydfolien verwendet werden. Anstelle von Kupferfolien können auch kalt laminierte Kompositfolien bestehend aus einer dickeren Aluminiumfolie und beidseitig darauf laminierten, dünneren Kupferfolien verwendet werden. Ebenfalls geeignete Ausgangsprodukte sind beispielsweise Folien aus rostfreiem Stahl, Messing, Bronze, Aluminium-Magnesium-Legierungen, Invar, Molybdän etc. Diese Leiterschichten 1,1' und die Kunststoff-Folie 2 sind 3 bis 100 μm dick. Dieses und auch die für andere Verfahrensvarianten verwendeten Vorfabrikate können starr oder flexibel sein.Figure 1 shows a prefabricated product of the method. A multilayer prefabricated product is advantageously used, which consists, for example, of an insulator layer or plastic film 2 laminated on both sides with electrically conductive layers or conductor layers 1, 1 '. Copper foils can be used as conductor layers 1, 1, and suitable plastic foils, for example polyimide foils or epoxy foils, can be used as insulator layers 2. Instead of copper foils, cold laminated composite foils consisting of a thick aluminum foil and thinner copper foils laminated on both sides can be used. Other suitable starting products are, for example, films made of stainless steel, brass, bronze, aluminum-magnesium alloys, Invar, molybdenum etc. These conductor layers 1, 1 'and the plastic film 2 are 3 to 100 μm thick. This and also the prefabricated products used for other process variants can be rigid or flexible.
Figur 2 zeigt wie das Vorfabrikat gemäss Figur 1 beidseitig mit Photoresist 3,3' beschichtet wird. Die Leiterschichten 1,1' sind vollständig mit Photoresist 3,3' bedeckt. Es kann festes oder flüssiges Photoresist verwendet werden. Die Schichten Photoresist 3,3' können in bekannten photochemischen Verfahren strukturiert werden.FIG. 2 shows how the prefabricated product according to FIG. 1 is coated on both sides with photoresist 3,3 '. The conductor layers 1, 1 'are completely covered with photoresist 3,3 'covered. Solid or liquid photoresist can be used. The layers of photoresist 3, 3 'can be structured in known photochemical processes.
Figur 3 zeigt diese photochemisch durchgeführte Strukturierung der Schichten Photoresist 3,3'. In der strukturierten Schicht Photoresist 3 sind Leiterbildstrukturen 5 und Durchplattierungsstrukturen 4 angebracht, in der strukturierten Schicht Photoresist 3' sind Leiterbildstrukturen 5' und Durchplattie- rungsstrukturen 4' angebracht. Diese Strukturen reichen bis auf die Leiterschichten 1,1' herab. Die Geometrie dieser Strukturen 4,4',5,5' ist frei wählbar. Die Grosse der Durchplattierungsstrukturen 4,4' beträgt typischerweise 25 bis 100 μm. Die Leiterbildstrukturen 5,5' und die Durchplattierungsstrukturen 4,4' dienen zur Übertragung des Schaltungsentwurfs (Strompfade, Lötaugen, etc.) und der Informationen bezüglich Position und Struktur der herzustellenden Durchplattierungen in den Leiterschichten 1,1'. In den Bereichen, wo sich Photoresist 3,3' befindet, wird in den folgenden Verfahrensschritten kein elektrisch leitendes Material der Leiterschichten 1,1' entfernt.FIG. 3 shows this photochemically structured structuring of the layers of photoresist 3, 3 '. Conductor pattern structures 5 and through-plating structures 4 are attached in the structured layer photoresist 3, conductor pattern structures 5 'and through-plating structures 4' are attached in the structured layer photoresist 3 '. These structures extend down to the conductor layers 1, 1 '. The geometry of these structures 4,4 ', 5,5' is freely selectable. The size of the through plating structures 4,4 'is typically 25 to 100 μm. The conductor pattern structures 5.5 'and the through-plating structures 4.4' serve to transmit the circuit design (current paths, soldering eyes, etc.) and the information regarding the position and structure of the through-plating to be produced in the conductor layers 1,1 '. In the areas where photoresist 3, 3 'is located, no electrically conductive material of the conductor layers 1, 1' is removed in the following method steps.
Figur 4 zeigt das derart photochemisch strukturierte Vorfabrikat nach erfolgtem nasschemischen Ätzen des von Photoresist 3,3' unbedeckten Materials der Leiterschichten 1,1'. Dieses Ätzen führt zum gezielten Entfernen einzelner Bereiche der Leiterschichten 1,1'. Hierdurch werden durch Isolierbereiche 5*,5** getrennte Strompfade SP und vorgearbeitete Durchplattierungsoffnungen 4*,4** gebildet. Das nasschemische Ätzen findet gezielt in der Tiefe statt, d.h. die Leiterschichten 1,1' werden in von Photoresist 3,3' unbedeckten Bereichen bis auf die Kunststoff-Folie 2 herunter entfernt. Das nasschemische Ätzen findet in allen exponierten Bereichen (d.h. die Bereiche die für die ätzenden Chemikalien und Flüssigkeiten zugänglich sind) gleichzeitig statt. Figur 5 zeigt das sich im Herstellungsstadium gemäss Figur 4 befindliche Vorfabrikat nach Entfernen (Strippen) der Schichten Photoresist 3,3'. Dies geschieht mittels bekannter und bewährter chemischer Prozesse. Daraufhin werden die exponierten Oberflächenbereiche des Vorfabrikats mit dünnen Trennschichten bedeckt. Solche Trennschichten lassen sich in vielfältiger Art und Weise aufbringen. Beispielsweise werden sie im Aerosol-Sprayverfahren aus der Gasphase aufgedampft oder durch Tauchbeschichtung appliziert. Bei Kenntnis der vorliegenden Erfindung kann der Fachmann andere, hier nicht erwähnte Verfahren anwenden. Die Trennschichten sind dünn und beispielsweise lediglich einige um dick und bedecken das Vorfabrikat vorteilhafterweise vollständig. Natürlich lassen sich auch dünnere und dickere Trennschichten verwenden. Auch muss die Trennschicht das Vorfabrikat nicht vollständig bedecken. Die Trennschichten weisen eine geringe Oberflächenspan- nung auf, d.h. sie sind mit handelsüblichen Badaktivatoren und Keimbildnern der Galvanikindustrie nicht belegbar. Die Trennschichten sind vorteilhafterweise chemisch mittelfristig resistent gegen üblicherweise eingesetzte Galvanikbäder und -flüssigkeiten. Sie sind aber durch Plasmaätzen, durch chemisches Ätzen oder mittels Laser abtragbar, beispielsweise durch Verdampfen oder Zersetzen. Auch sind sie bei für die unterliegenden Materialien schone- nen Bedingungen beispielsweise durch Heissdampf bei 110 bis 140°C und/oder durch Lösemittel von der Oberfläche der bedeckten Kunststoffe und Metalle wieder rückstandslos entfernbar.FIG. 4 shows the prefabricated product structured in this way after wet-chemical etching of the material of the conductor layers 1, 1 'which is not covered by photoresist 3, 3'. This etching leads to the targeted removal of individual areas of the conductor layers 1, 1 '. As a result, current paths SP and preprocessed through-plating openings 4 *, 4 ** are formed by insulating regions 5 *, 5 **. The wet chemical etching takes place in depth, ie the conductor layers 1, 1 'are removed down to the plastic film 2 in areas not covered by photoresist 3, 3'. Wet chemical etching takes place simultaneously in all exposed areas (ie the areas that are accessible to the caustic chemicals and liquids). FIG. 5 shows the prefabricated product in the production stage according to FIG. 4 after removal (stripping) of the layers of photoresist 3, 3 '. This is done using known and proven chemical processes. The exposed surface areas of the prefabricated product are then covered with thin separating layers. Such separating layers can be applied in a variety of ways. For example, they are vaporized from the gas phase in an aerosol spray process or applied by dip coating. With knowledge of the present invention, the person skilled in the art can use other methods not mentioned here. The separating layers are thin and, for example, only a few µm thick and advantageously completely cover the prefabricated product. Of course, thinner and thicker separating layers can also be used. The separating layer also does not have to completely cover the prefabricated product. The separating layers have a low surface tension, ie they cannot be covered with commercially available bath activators and nucleating agents from the electroplating industry. The separating layers are advantageously chemically resistant to commonly used electroplating baths and liquids in the medium term. However, they can be removed by plasma etching, chemical etching or using a laser, for example by evaporation or decomposition. In conditions that are gentle on the underlying materials, they can also be removed without residue from the surface of the covered plastics and metals, for example by hot steam at 110 to 140 ° C. and / or by solvents.
Als Trermschichtmaterialien werden beispielsweise Silikonöle, Silikonkautschuk, Polyethylenwachse, Paraffinwachse. Montanwachse, Amidwachse, usw., sowie Beschichtungen aus Polytetrafluorethylen (PTFE), Polyurethan, usw., sowie Gemische aus Cyclohexanon, Tetrahydrofuran n-Methylpyrolidon, usw. verwendet. Beispielsweise wird ein Gemisch aus 5 Teilen PTFE, 5 Teilen Polyurethan und 90 Teilen eines Gemischs aus Cyclohexanon, Tetrahydrofu- ran n-Methylpyrolidon verwendet. Diese Liste ist naturgemäss unvollständig. Dem Fachmann stehen bei Kenntnis der vorliegenden Erfindung weitere, hier nicht genannte Trenn ittel zur Verfügung, welche den gleichen erfindungs- gemässen Zweck erfüllen.For example, silicone oils, silicone rubber, polyethylene waxes, paraffin waxes are used as residual layer materials. Montan waxes, amide waxes, etc., and coatings made of polytetrafluoroethylene (PTFE), polyurethane, etc., and mixtures of cyclohexanone, tetrahydrofuran n-methylpyrolidone, etc. are used. For example, a mixture of 5 parts PTFE, 5 parts Polyurethane and 90 parts of a mixture of cyclohexanone, tetrahydrofuran n-methylpyrolidone used. This list is naturally incomplete. With knowledge of the present invention, the person skilled in the art has access to further separating agents, not mentioned here, which fulfill the same purpose according to the invention.
Bevorzugte Silikonöle basieren auf Siloxanen verschiedener Struktur. Beispielsweise werden Dimethylsiloxane verwendet, deren unverzweigte Ket- ten wechselweise aus aufeinanderfolgenden Silicium- und Sauerstoffatomen aufgebaut sind. Das Molekulargewicht und abhängig davon die kinematische Viskosität wird durch die Anzahl n der Zwischenglieder im Molekül bestimmt. Silikonöle mit n > 2000 sind bei Raumtemperatur noch flüssig. Bei noch höheren Molekulargewichten bilden sich klebrige Massen, die aber noch Fliessvermögen besitzen. Typische Viskositäten für die Erfindung anwendbare Silikonöle varieren zwischen 0.65 und über 500O00 mm2/s. Die Viskosität der Trerinmittel lässt sich somit auf die Moφhologie des Vorfabrikats abstellen. Derartige Silikonöle bestehend aus Dimethylsiloxanen besitzen eine geringe Oberflächenenergie und sind hydrophob. Sie kennzeichnen sich durch sehr fla- ehe Viskositäts- und Temperaturkurven, einen hohen Flammpunkt, geringe Flüchtigkeit und eine hohe Temperaturbeständigkeit. Eine weitere charakteristische Eigenschaft der Silikonöle ist die geringe Oberflächenspannung. Für höhere Zwischenglieder liegt sie beispielsweise bei 21 rnN/m. Sie ist meist geringer als diejenige von organischen Lösemitteln.Preferred silicone oils are based on siloxanes of various structures. For example, dimethylsiloxanes are used, the unbranched chains of which are alternately made up of successive silicon and oxygen atoms. The molecular weight and, depending on it, the kinematic viscosity is determined by the number n of the intermediate links in the molecule. Silicone oils with n> 2000 are still liquid at room temperature. If the molecular weights are even higher, sticky masses form, but still have fluidity. Typical viscosities for the silicone oils that can be used for the invention vary between 0.65 and over 50000 mm 2 / s. The viscosity of the Trerinmittel can thus be based on the Moφhologie the prefabricated. Such silicone oils consisting of dimethylsiloxanes have a low surface energy and are hydrophobic. They are characterized by very flat viscosity and temperature curves, a high flash point, low volatility and high temperature resistance. Another characteristic property of silicone oils is the low surface tension. For higher pontics it is, for example, 21 rnN / m. It is usually less than that of organic solvents.
Als Trennschichten lässt sich ebenfalls Silikonkautschuk verwenden. Solcher Silikonkautschuk weist als dreidimensional vernetztes Polysiloxan vergleichbare hydrophobe, chemische und temperaturbeständige Eigenschaften auf, wie die oben erwähnten Silikonöle. Silikonkautschuk ist in n-Hexan/Toluol und/oder Dioxangemischen bzw. n-Heptan/Toluol löslich und kann im Sprühverfahren appliziert werden. Nach Lösemitteltrocknung entsteht ein homogener, dicht schliessender Film auf der Oberfläche, welcher Film eine grosse Temperaturbeständigkeit bis 200°C aufweist.Silicone rubber can also be used as separating layers. As a three-dimensionally cross-linked polysiloxane, such silicone rubber has comparable hydrophobic, chemical and temperature-resistant properties to the silicone oils mentioned above. Silicone rubber is in n-hexane / toluene and / or dioxane mixtures or n-heptane / toluene soluble and can be applied by spraying. After solvent drying, a homogeneous, tightly fitting film is formed on the surface, which film has a high temperature resistance up to 200 ° C.
Figur 6 zeigt das mit Trennschichten 6,6' bedeckte Vorfabrikat gemäss Figur 5 nach dem Anbringen von Maskenfolien 7,7'. Zwei dünne Maskenfolien 7,7' mit einer Dicke kleiner 200 um sind auf den strukturierten Trennschichten 6,6' reversibel angebracht worden. Die Maskenfolien 7,7' sind wiederverwertbare Betriebsmittel. Die Maskenfolien 7,7' bestehen beispielsweise aus Materialien wie Kupfer, rostfreiem Stahl, Messing, Bronze, Aluminium-Magnesium- Legierungen, Invar, Molybdän, etc, die einigermassen resistent gegenüber das verwendete Ätzmedium sein sollen. Sie werden mittels nicht eingezeichneter Klammern fixiert und können durch Lösen derselben wieder entfernt werden. Das Fixieren ist ein dichtes Anpressen. Die Maskenfolien 7,7' sind durch Formätzen strukturiert und weisen Durchgangsöffnungen 8,8' auf. Diese werden fluchtend mit Durchplattierungsstrukturen 4,4' der Leiterschichten 1,1' positioniert. Die Durchgangsöffnungen 8,8' sind vorteilhafterweise grösser als die vorgearbeiteten Durchplattierungsstrukturen 4,4' der Leiterschichten 1,1'. Es können beliebige Formen und Strukturen, wie runde und eckige Öffnungen, längliche gerade und gebogene Öffnungen etc. verwendet werden. Die Durchgangsöffnungen 8,8' sind auch deshalb grösser gearbeitet als die vorgearbeiteten Durchplattierungsstrukturen 4,4', um allfällige Dimensionsände- rungen der Kunststoff-Folie 2 auszugleichen. Vorteilhafterweise wird die Dimensionierung der Durchgangsöffnungen auf einen minimalen Platzverbrauch hin optimiert. Das Formätzen der Durchgangsöffnungen 8,8' findet in einem gesonderten, hier nicht gezeigten, bekannten Herstellungsverfahren statt. Das dichte Anpressen der Maskenfolien 7,7' auf das Vorfabrikat wird dadurch erleichtert, dass die Maskenfolien 7,7' leicht konkav geformt sind, derart, dass sie sich an ihren Rändern leicht nach aussen, von der flächigen Ausdehnung des Vorfabrikats wegbiegen, sodass durch das Befestigen mittels Klammern Biegekräfte generiert werden, welche ein verwackel- und verrückungsfreies Aufliegen der Maskenfolien auf dem Vorfabrikat zur Bildung von Folienpaketen gewährleisten. Dies ist wichtig, da diese so gebildeten Folienpakete transportiert werden müssen, beispielsweise für das Plasma-Ätzen oder für das chemische Ätzen.FIG. 6 shows the prefabricated product according to FIG. 5 covered with separating layers 6, 6 'after masking films 7, 7' have been applied. Two thin mask foils 7, 7 'with a thickness of less than 200 µm have been reversibly applied to the structured separating layers 6, 6'. The mask foils 7, 7 'are recyclable resources. The mask foils 7, 7 'consist, for example, of materials such as copper, stainless steel, brass, bronze, aluminum-magnesium alloys, Invar, molybdenum, etc., which are said to be somewhat resistant to the etching medium used. They are fixed using brackets (not shown) and can be removed by loosening them. The fixation is a tight pressing. The mask foils 7, 7 'are structured by form etching and have through openings 8, 8'. These are positioned in alignment with through-plating structures 4, 4 'of the conductor layers 1, 1'. The through openings 8, 8 'are advantageously larger than the pre-worked through-plating structures 4, 4' of the conductor layers 1, 1 '. Any shapes and structures such as round and square openings, elongated straight and curved openings etc. can be used. The through openings 8, 8 'are therefore also made larger than the pre-worked through-plating structures 4, 4' in order to compensate for any dimensional changes in the plastic film 2. Advantageously, the dimensioning of the through openings is optimized to take up minimal space. The through-etching of the through openings 8, 8 ′ takes place in a separate, known manufacturing method, not shown here. The tight pressing of the mask films 7, 7 'onto the prefabricated product is facilitated in that the mask films 7, 7' are slightly concave in such a way that they bend slightly outwards at their edges, away from the planar extent of the prefabricated product, so that the fastening by means of clamps generates bending forces which ensure that the mask foils lie on the prefabricated product in a manner that is free from blurring and dislocation to form film packages. This is important because the foil packets thus formed have to be transported, for example for plasma etching or for chemical etching.
Figur 7 zeigt ein Folienpaket gemäss Figur 6 nach erfolgtem Plasma-Ätzen oder chemischen Ätzen der exponierten Bereiche Trennschichten 6,6' und der Durchplattierungsoffnungen 10 in der Kunststoff-Folie 2. Die Durchplattierungsoffnungen 10 sind beispielsweise Durchgangslöcher, aber es können auch Sacklöcher sein (siehe Figur 11). Solche Durchplattierungsoffnungen 10 wer- den an der Position der Durchgangsöffnungen 8,8' der Maskenfolien 7,7' geätzt. Andere Bereiche des Vorfabrikats gemäss Figur 5 werden durch die Maskenfolien 7,7' vor einem Ätz- Angriff geschützt.FIG. 7 shows a foil package according to FIG. 6 after plasma etching or chemical etching of the exposed areas, separating layers 6, 6 'and the through-plating openings 10 in the plastic film 2. The through-plating openings 10 are, for example, through holes, but they can also be blind holes (see Figure 11). Such plated-through openings 10 are etched at the position of the through openings 8,8 'of the mask foils 7,7'. Other areas of the prefabricated product according to FIG. 5 are protected from an etching attack by the mask foils 7, 7 '.
Figur 8 zeigt ein geätztes Vorfabrikats gemäss Figur 7 nach Entfernen der Maskenfolien 7,7' und nach Aufplattierung einer Kontaktschicht 11 aus einem elektrisch leitenden Material, beispielsweise aus Kupfer, Messing, Nickel, Paladium, usw.. Bei diesem bekannten und bewährten chemischen und galvanischen Prozess werden alle von Trennschichten , ' unbedeckten Bereiche der Leiterschichten 1,1' und der Durchplattierungsoffnungen 10 dieses gemäss Figur 7 weiterbehandelte Vorfabrikat mit einer elektrisch leitenden Kontaktschicht 11 überzogen. Das elektrisch leitende Material wird bevorzugt chemisch abgeschieden und aufplattiert. Durchplattierte Öffnungen 10 werden als Durchplattierungen 12 bezeichnet. Die Durchplattierungen 12 können plattier- te Durchgangslöcher gemäss Figur 8 oder 9 oder Sacklöcher (siehe Figur 11) sein. Die Kontaktschicht 11 solcher Durchplattierungen 12 ist dünn und weist typischerweise Dicken kleiner 25 μm auf. Über Verbindungsbereiche besteht elektrischer Kontakt zwischen den Durchplattierungen 12 und den Strompfaden SP. Aufgrund der geringen Oberflächenspannung der Trennschichten 6,6' kann diese mit handelsüblichen Badaktivatoren und Keimbildnern der Galvanikindustrie nicht belegt werden. Die Trennschichten 6,6' sind vorteilhafterweise chemisch mittelfristig resistent gegen üblicherweise eingesetzte Galva- nikbäder und -flüssigkeiten. Insbesondere bleiben diese Trennschichten 6,6' auch nach Plasmaätzbehandlung oder chemischer Ätzbehandlung hydrophob.FIG. 8 shows an etched prefabricated product according to FIG. 7 after removal of the mask foils 7, 7 'and after plating on a contact layer 11 made of an electrically conductive material, for example made of copper, brass, nickel, palladium, etc. In this known and proven chemical and galvanic Process, all of the separating layers, 'uncovered areas of the conductor layers 1, 1' and the through-plating openings 10 of this prefabricated product, which is further treated according to FIG. The electrically conductive material is preferably chemically deposited and plated. Through-plated openings 10 are referred to as through-plating 12. The through plating 12 can be plated through holes according to FIG. 8 or 9 or blind holes (see FIG. 11). his. The contact layer 11 of such plated-through layers 12 is thin and typically has thicknesses of less than 25 μm. There is electrical contact between the through-plating 12 and the current paths SP via connection areas. Due to the low surface tension of the separating layers 6, 6 ', these cannot be coated with commercially available bath activators and nucleating agents in the electroplating industry. The separating layers 6, 6 'are advantageously chemically resistant in the medium term to commonly used electroplating baths and liquids. In particular, these separating layers 6, 6 'remain hydrophobic even after plasma etching treatment or chemical etching treatment.
Figur 9 zeigt die zweilagige Folienleiteφlatte gemäss Figur 8 nach Entfernen der Trennschichten 6,6 beispielsweise mittels Heissdampf oder Lösemittel. Nur die Durchkontaktierungsstrukturen und nicht die Strompfadstrukturen sind mit einer aufplattierten, elektrisch leitenden Kontaktschicht 11 bedeckt. Der Bereich der Ränder der Durchplattierungen 12 in Form von Durchgangslöchern weist schützende und verstärkende Überhöhungen aus Kontaktschichtmaterial auf. Diese Überhöhungen sind von geringer Dicke von einigen μm und stören so eine Weiterverarbeitung, bspw. ein Anbringen von Aufbauten, von weiteren Schichten usw. nicht. Zur Herstellung von Folienleiteφlatten mit mehr als zwei Lagen Leiterschichten 1,1' wird beispielsweise eine solche zweilagige Folienleiteφlatte mit weiteren Isolator- und Leiterschichten versehen und durch Wiederholung des erfindungsgemässen Verfahrens in der ersten Variante gemäss den Figuren 1 bis 9 strukturiert. Dies kann beispielsweise auch in Verfahren gemäss den weiteren Varianten gemäss der im folgenden beschriebenen Figuren 10 und/oder 11 geschehen. Hierbei ist die mit Isolator- und/oder Leiterschichten versehene Folienleiteφlatte gemäss Figur 9 wiederum ein Teil oder auch das Vorfabrikat selbst. Es werden immer solche Bereiche des Vorfabrikats strukturiert, die für Licht, Chemikalien, Flüssigkei- ten (von aussen) zugänglich sind und an denen sich Maskenfolien positionie- ren lassen bzw. die durch Laser abgetragen werden können. Dem Fachmann stehen hierbei bei Kenntnis der vorliegenden Erfindung viele Variationsmöglichkeiten offen.FIG. 9 shows the two-layer foil guide plate according to FIG. 8 after removal of the separating layers 6, 6, for example by means of superheated steam or solvent. Only the via structures and not the current path structures are covered with a plated-on, electrically conductive contact layer 11. The area of the edges of the through-plating 12 in the form of through holes has protective and reinforcing peaks made of contact layer material. These elevations are of a small thickness of a few μm and thus do not interfere with further processing, for example attaching superstructures, further layers, etc. For the production of foil guide plates with more than two layers of conductor layers 1, 1 ', for example, such a two-layer foil guide plate is provided with further insulator and conductor layers and structured in the first variant according to FIGS. 1 to 9 by repeating the method according to the invention. This can also be done, for example, in methods according to the further variants according to FIGS. 10 and / or 11 described below. Here, the foil conductive plate provided with insulator and / or conductor layers according to FIG. 9 is again a part or even the prefabricated product itself. Those areas of the prefabricated product are always structured that are accessible and accessible to light, chemicals, liquids (from the outside) to which mask foils are positioned let or that can be removed by laser. With knowledge of the present invention, the person skilled in the art has many possible variations.
Figur 10 zeigt eine weitere Variante des Verfahrens der Strukturierung von Strompfaden und Durchplattierungen auf einem Teil eines Vorfabrikats mittels Laserabtrag. Das Vorfabrikat ist in einem Schnitt entlang der flächigen Ausdehnung des Vorfabrikats dargestellt. Bei geeigneter Wahl des Lasers lassen sich nicht nur Isolatorschichten sondern auch Leiterschichten mit Hilfe des Lasers direkt abtragen, was die photochemische Strukturierung von vorgearbeiteten Durchplattierungsoffnungen 4*,4** gemäss Figur 4 grundsätzlich eliminiert. Auch können mit dem Laser nicht nur Durchgangsöffnungen in einer Kunststoff-Folie angebracht werden, sondern es lassen sich Durchgangsöffnungen in ein- oder mehrlagigen Aufbauten von Leiterschichten und/oder von Isolatorschichten anbringen. Per Laser hergestellte Durchgangsöffnungen können sich somit durch eine mehr oder weniger grosse, frei einstellbare Anzahl von Isolator- und/oder von Leiterschichten erstrecken. Gemäss Figur 10 kann es sich somit bei einem ersten Aufbau 2* um eine relativ dünne Isolatorschicht 2 wie beispielsweise im Vorfabrikat gemäss Figur 1 handeln, und/oder es kann sich um einen relativ dicken und/oder starren Aufbau für oder von einer Leiteφlatte handeln, und/oder es kann sich um eine mehrlagige Folienleiteφlatte wie beispielsweise gemäss Figur 9 handeln. Dem Fachmann stehen hier bei Kenntnis der vorliegenden Erfindung vielfältige Möglichkleiten offen. Der Verfahrensablauf dieser weiteren Variante folgt ansonsten weitgehend demjenigen der ersten Variante in der Beschreibung gemäss den Figuren 1 bis 9, ausser dass die Verfahrensschritte gemäss der Figuren 6 und 7 durch diese Figur 10 ersetzt werden. Wie in Figur 10 gezeigt, erfolgt das Anbringen von Durchplattierungsoffnungen 10 im ersten Aufbau 2* mittels Laser. Die Optik samt Laserstrahl ist schematisch als Anordnung 70 gezeichnet. Der lokal fokusierte Laserstahl entfernt gezielt die Trennschichten 6,6' und darunterliegendes Material des ersten Aufbaus 2*. Zum Herstellen von Durchplattierungsoffnungen 10 kann der Laserabtrag ein- oder zweiseitig erfolgen. Aus Platzgründen ist in Figur 10 lediglich eine Anordnung 70 eingezeichnet. Prinzipiell kann zum Erzeugen von Durchgangslöchern mit zwei solchen Anordnungen gleichzeitig oder mit einer Anordnung sequentiell gearbeitet werden. Die Fokusierung des Laser- Strahls und das Abrastern der Oberfläche vom Voφrodukt erfolgt computergesteuert und ist heute Stand der Technik in der Halbleiter- und Leiteφlat- tenindustrie.FIG. 10 shows a further variant of the method of structuring current paths and through-plating on part of a prefabricated product by means of laser ablation. The prefabricated product is shown in a section along the planar extent of the prefabricated product. With a suitable choice of the laser, not only insulator layers but also conductor layers can be removed directly with the aid of the laser, which basically eliminates the photochemical structuring of prepared through-plating openings 4 *, 4 ** according to FIG. 4. Not only can through-holes be made in a plastic film with the laser, but through-openings can also be made in single or multi-layer structures of conductor layers and / or insulator layers. Through openings made by laser can thus extend through a more or less large, freely adjustable number of insulator and / or conductor layers. According to FIG. 10, a first structure 2 * can thus be a relatively thin insulator layer 2, for example in the prefabricated product according to Figure 1, and / or it can be a relatively thick and / or rigid structure for or from a conductive plate, and / or it can be a multi-layer foil guide plate, for example according to FIG. 9. With knowledge of the present invention, the person skilled in the art has many options here. The process sequence of this further variant otherwise largely follows that of the first variant in the description according to FIGS. 1 to 9, except that the method steps according to FIGS. 6 and 7 are replaced by this FIG. As shown in FIG. 10, through-plating openings 10 are made in the first structure 2 * by means of a laser. The optics together with the laser beam is drawn schematically as an arrangement 70. The locally focused laser steel specifically removes the separating layers 6, 6 'and underlying material of the first structure 2 *. The laser ablation can be carried out on one or both sides to produce through plating openings 10. For reasons of space, only one arrangement 70 is shown in FIG. In principle, it is possible to work with two such arrangements simultaneously or with one arrangement sequentially in order to produce through holes. The focusing of the laser beam and the scanning of the surface of the product is computer-controlled and is now state of the art in the semiconductor and circuit board industry.
Figur 11 zeigt eine mehrlagige Folienleiteφlatte hergestellt gemäss einer weiteren Variante des Verfahrens der Strukturierung von Strompfaden und Durchplattierungen. Die Folienleiteφlatte ist in einem Schnitt entlang der flächigen Ausdehnung dargestellt. Nur die Durchkontaktierungsstrukturen und nicht die Strompfadstrukturen sind mit einer aufplattierten, elektrisch leiten- den Kontaktschicht 11 bedeckt. In dieser Variante wird als Durchplattierugn ein Sackloch angebracht. Der Bereich der Ränder der Durchplattierungen 12 in Form eines Sacklochs weist schützende und verstärkende Überhöhungen aus Kontaktschichtmaterial auf. Diese Überhöhungen sind von geringer Dicke von einigen μm und stören so eine Weiterverarbeitung, bspw. ein Anbringen von Aufbauten, von weiteren Schichten usw. nicht. Da das Anbringen eines Sacklochs einseitig in der Leiterschicht 1 und in einer Isolatorschicht 2 wie beispielsweise im Vorfabrikat gemäss Figur 1 gezeigt erfolgt, kann die Zusammensetzung eines weiteren Aufbauten frei gewählt werden. Bei einem solchen weiteren, bspw. zweiten Aufbau 1* kann es sich bspw. um eine relativ dünne Leiterschicht 1' wie im Vorfabrikat gemäss Figur 1 handeln, und/oder es kann sich um einen relativ dicken und/oder starren Aufbau für oder von einer Leiteφlatte handeln, und/oder es kann sich um eine mehrlagige Folienleiteφlatte wie beispielsweise gemäss Figur 9 handeln.FIG. 11 shows a multilayer film guide plate produced according to a further variant of the method of structuring current paths and through-plating. The Folieleiteφlatte is shown in a section along the planar extent. Only the via structures and not the current path structures are covered with a plated-on, electrically conductive contact layer 11. In this variant, a blind hole is made as a through plating. The region of the edges of the through-plating 12 in the form of a blind hole has protective and reinforcing peaks made of contact layer material. These elevations are of a small thickness of a few μm and thus do not interfere with further processing, for example attaching superstructures, further layers, etc. Since a blind hole is made on one side in the conductor layer 1 and in an insulator layer 2, as shown, for example, in the prefabricated product according to FIG. 1, the composition of a further structure can be chosen freely. Such a further, for example, second structure 1 * can, for example, be a relatively thin conductor layer 1 'as in the prefabricated product according to FIG. 1, and / or it can be a relatively thick and / or rigid structure for or from a conductor plate, and / or it can be a multilayer film conductor plate, for example according to FIG. 9.
Der Verfahrensablauf dieser weiteren Variante folgt weitgehend demjenigen der ersten Variante in der Beschreibung gemäss den Figuren 1 bis 9, ausser dass als in dieser Variante als Durchplattierungsoffnungen 10 Sacklöcher hergestellt werden. Die Herstellung von Durchplattierungen 12 in Form von plattierten Sacklöchern erfolgt, indem anstatt beidseitiger Strukturierung wie eingangs beschrieben, lediglich eine einseitige Strukturierung vorgenommen wird. Dies bedeutet eine einseitige Strukturierung einer Leiterschicht 1, ein einseitiges Aufbringen einer Trennschicht 6, ein einseitiges Plasmaätzen oder chemisches Ätzen bzw. ein einseitiger Laserabtrag, sowie eine einseitige Auf- plattierung einer Kontaktschicht 11 im Sackloch.The process sequence of this further variant largely follows that of the first variant in the description according to FIGS. 1 to 9, except that 10 blind holes are produced as through-plating openings in this variant. The through-plating 12 in the form of plated blind holes is produced by instead of structuring on both sides as described in the introduction, only by structuring on one side. This means one-sided structuring of a conductor layer 1, one-sided application of a separating layer 6, one-sided plasma etching or chemical etching or one-sided laser ablation, and one-sided plating of a contact layer 11 in the blind hole.
Dem Fachmann steht es bei Kenntnis der Erfindung frei, die beschriebenen Varianten gemäss der Figuren 1 bis 9, der Figur 10 sowie der Figur 11 mit- einander zu kombinieren. Beispielsweise lassen sich Sacklöcher der Variante gemäss Figur 11 auch in einem Vorfabrikat gemäss Figur 10 per Laser anbringen, welches Sackloch demgemäss durch einen ersten Aufbau reicht. Auch lassen sich erste Aufbauten 2* der Variante gemäss Figur 10 auch in der ersten Variante gemäss den Figuren 1 bis 9 verwenden. With knowledge of the invention, the person skilled in the art is free to combine the variants described according to FIGS. 1 to 9, FIG. 10 and FIG. 11 with one another. For example, blind holes of the variant according to FIG. 11 can also be made in a prefabricated product according to FIG. 10 by laser, which blind hole accordingly extends through a first construction. First superstructures 2 * of the variant according to FIG. 10 can also be used in the first variant according to FIGS. 1 to 9.

Claims

P A T E N T A N S P R Ü C H E PATENT CLAIMS
1. Verfahren zur Herstellung mehrlagiger Leiteφlatten und/oder Folienleiteφlatten und/oder zur Herstellung von Halbzeugen für Leiteφlatten und/oder Folienleiteφlatten, unter Verwendung mindestens eines Vorfabrikats mit mindestens einer Isolatorschicht (2) oder erstem Aufbau (2*) und mindestens einer Leiterschicht (1,1') und zweitem Aufbau (1*), dadurch gekennzeichnet, dass in einem photochemischen Verfahrensschritt in mindestens einer Leiterschicht (1,1') Strompfad-Strukturen und Durchkontaktierungs-Strukturen eingebracht werden, dass auf diese Strompfad-Strukturen und Durchkontaktierungs-Strukturen mindestens eine Trennschicht (6,6'') aufgebracht werden, welche Trennschichten (6,6') ätzbar und/oder laserabtragbar sind, welche Trennschichten (6,6') aber nicht aufplattierbar sind, dass in der mindestens einen Isolatorschicht (2) Durchplattierungsöffnun- gen (10) gemäss Durchplattierungsstrukturen (8,8') von Maskenfolien1. A process for the production of multi-layer lead plates and / or foil lead plates and / or for the production of semi-finished products for lead plates and / or foil lead plates, using at least one prefabricated product with at least one insulator layer (2) or first structure (2 *) and at least one conductor layer (1 , 1 ') and second structure (1 *), characterized in that in a photochemical process step in at least one conductor layer (1,1') current path structures and plated-through structures are introduced that onto these current path structures and plated-through structures at least one separating layer (6,6 '') is applied, which separating layers (6,6 ') can be etched and / or laser-ablated, but which separating layers (6,6') cannot be plated on, that in the at least one insulator layer (2) Through-plating openings (10) according to through-plating structures (8,8 ') of mask foils
(7,7') geätzt oder dass in der mindestens einen Isolatorschicht (2) oder ersten dem ersten Aufbau (2*) Durchplattierungsoffnungen (10) durch Laserabtrag angelegt werden und dass Durchplattierungsoffnungen (10) aufplattiert werden.(7,7 ') or that in the at least one insulator layer (2) or first the first structure (2 *) through-plating openings (10) are created by laser ablation and that through-plating openings (10) are plated.
2. Verfahren gemäss Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, dass beim photochemischen Verfahrensschritt durch Isolierbereiche (5*,5**) getrennte Strompfade (SP) und vorgearbeitete Durchplattierungsoffnungen (4* ,4**) gebildet werden, welche bis auf die Isolatorschicht (2) oder den ersten Aufbau (2*) reichen.2. The method according to spoke 1, characterized in that in the photochemical process step by isolating regions (5 *, 5 **) separate current paths (SP) and pre-worked through plating openings (4 *, 4 **) are formed, which extend to the insulator layer (2) or the first structure (2 *).
3. Verfahren gemäss Ansprach 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Trennschicht (6,6') im Aerosol-Sprayverfahren aus der Gasphase aufgedampft oder durch Tauchbeschichtung appliziert wird.3. The method according spoke 1 or 2, characterized in that at least one separating layer (6,6 ') is vapor-deposited in the aerosol spray process from the gas phase or is applied by dip coating.
4. Verfahren gemäss Ansprach 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Trennschicht 6,6' als einige μm dicke, das Vorfabrikat vollständig bedeckende Schicht aufgebracht wird.4. The method according to spoke 1 or 3, characterized in that the at least one separating layer 6, 6 'is applied as a few μm thick layer that completely covers the prefabricated product.
5. Verfahren gemäss Ansprach 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Trennschicht (6,6') eine geringe Oberflächenspannung aufweist, sodass sie mit handelsüblichen Badaktivatoren und Keimbildnern der Galvanikindustrie nicht belegbar ist.5. The method according spoke 1 or 3, characterized in that the at least one separating layer (6, 6 ') has a low surface tension, so that it cannot be occupied with commercially available bath activators and nucleating agents in the electroplating industry.
6. Verfahren gemäss Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Trennschicht (6,6y) mittels Laser verdampft werden kann oder dass sie durch Plasmaätzen oder durch chemisches Ätzen zersetzt werden kann und dass sie durch Heissdampf oder Lösemittel rückstands- los entfernt werden kann.6. The method according to claim 1 or 3, characterized in that the at least one separating layer (6,6 y ) can be evaporated by means of a laser or that it can be decomposed by plasma etching or by chemical etching and that it is residue-free by hot steam or solvent can be removed.
7. Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass als mindestens eine Trennschicht (6,6') Silikonöle, Silikonkautschuk, Polyethylenwachse, Paraffinwachse. Montanwachse, Amidwachse, oder Beschichtungen aus Polytetrafluorethylen (PTFE), Polyurethan, oder Gemische aus Cyclohexanon, Tetrahydrofuran n- Methylpyrolidon verwendet werden.7. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that as at least one separating layer (6,6 ') silicone oils, silicone rubber, polyethylene waxes, paraffin waxes. Montan waxes, amide waxes, or Coatings made of polytetrafluoroethylene (PTFE), polyurethane, or mixtures of cyclohexanone, tetrahydrofuran n-methylpyrolidone can be used.
8. Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass als mindestens eine Maskenfolie (7,7') eine dünne Folie aus Kupfer, rostfreiem Stahl, Messing, Bronze, Aluminium-Magnesium-Legierangen,8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that as at least one mask foil (7,7 ') is a thin foil made of copper, stainless steel, brass, bronze, aluminum-magnesium alloy rods,
Invar, Molybdän verwendet wird und dass die Dicken dieser Maskenfolie (7,7') kleiner 200 μm beträgt.Invar, molybdenum is used and that the thickness of this masking film (7.7 ') is less than 200 μm.
9. Verfahren gemäss Ansprach 8, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Maskenfolie (7,7') über Haltemittel auf dem Vorfabrikat fixiert und durch Lösen derselben wieder entfernt wird und dass sie durch dieses9. The method according spoke 8, characterized in that the at least one masking film (7, 7 ') is fixed on the prefabricated product by means of holding means and is removed again by loosening the same and that it is removed by the latter
Fixieren dicht auf das Vorfabrikat angepresst wird und dass in der mindestens einen Isolatorschicht (2) oder erstem Aufbau (2*) Durchplattierungsoffnungen (10) gemäss Durchplattierungsstrukturen (8,8') von Maskenfolien (7,7') mittels Plasma oder chemisch geätzt werden.Fixing is pressed tightly onto the prefabricated product and that in the at least one insulator layer (2) or first structure (2 *) through-plating openings (10) according to through-plating structures (8,8 ') of mask foils (7,7') are etched by means of plasma or chemically .
10. Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Vorfabrikat nach Entfernen der mindestens einen Maskenfolie (7,7') mit elektrisch leitenden Material selektiv belegt wird, wobei von Trennschicht (6,6') unbedeckte Bereiche der Durchplattierungsoffnungen10. The method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that after removal of the at least one mask film (7,7 ') the prefabricated product is selectively coated with electrically conductive material, areas of the through-plating openings uncovered by the separating layer (6,6')
(10) mit einer Kontaktschicht (11) überzogen und zu Durchplattierungen (12) durchplattiert werden und von Trennschicht (6,6'') bedeckte Bereiche des Vorfabrikats nicht mit elektrisch leitendem Material belegt werden. (10) are covered with a contact layer (11) and plated through to form plated-through layers (12) and areas of the prefabricated product covered by separating layer (6,6 ' ') are not covered with electrically conductive material.
11. Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass mittels Laser mindestens ein lokal fokusierter Laserstahl gezielt mindestens eine Trennschicht (6,6') und darunterliegendes Material der Isolatorschicht (2) oder vom ersten Aufbau (2*) entfernt und Durchplattierungsoffnungen (10) gebildet werden.11. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that by means of laser at least one locally focused laser steel deliberately removes at least one separating layer (6,6 ') and underlying material of the insulator layer (2) or from the first structure (2 *) and Through plating openings (10) are formed.
12. Verfahren gemäss Ansprach 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Vorfabrikat mit elektrisch leitenden Material selektiv belegt wird, wobei von Trennschicht (6,6') unbedeckte Bereiche der Durchplattierungsoffnungen12. The method according spoke 11, characterized in that the prefabricated product is selectively coated with electrically conductive material, areas of the through-plating openings uncovered by the separating layer (6, 6 ')
(10) mit einer Kontaktschicht (11) überzogen und zu Durchplattierungen (12) durchplattiert werden und von Trennschicht (6,6') bedeckte Bereiche des Vorfabrikats nicht mit elektrisch leitendem Material belegt werden.(10) are coated with a contact layer (11) and plated through to through-plating (12) and areas of the prefabricated product covered by the separating layer (6,6 ') are not covered with electrically conductive material.
13. Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Vorfabrikat ein- oder zweiseitig straktiert wird.13. The method according to any one of claims 1 to 12, characterized in that the prefabricated product is contracted on one or two sides.
14. Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass Leiteφlatten und/oder Folienleiteφlatten mit weiteren Isolatorund/oder Leiterschichten versehen werden und diese mit Isolatorund/oder Leiterschichten versehene Leiteφlatten und/oder Folienleiterplatten als Vorfabrikate im vorliegenden Verfahren verwendet werden.14. The method according to any one of claims 1 to 13, characterized in that Leiteφlatten and / or Folienleiteφlatten are provided with further insulator and / or conductor layers and these Leiteφlatten and / or foil conductor plates provided with insulator and / or conductor layers are used as prefabricated products in the present method.
15. Mehrlagige Leiteφlatten und Folienleiteφlatten hergestellt im Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass nur die Durchkontaktierangsstrakturen und nicht die Strompfadstrukturen mit einer aufplattierten, elektrisch leitenden Kontaktschicht (11) bedeckt sind. 15. Multi-layer Leiteφlatten and Folienleiteφlatten manufactured in the process according to one of claims 1 to 14, characterized in that only the through-contact structures and not the current path structures are covered with a plated-on, electrically conductive contact layer (11).
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