EP1284027A1 - Photovoltaische zelle - Google Patents

Photovoltaische zelle

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EP1284027A1
EP1284027A1 EP01925188A EP01925188A EP1284027A1 EP 1284027 A1 EP1284027 A1 EP 1284027A1 EP 01925188 A EP01925188 A EP 01925188A EP 01925188 A EP01925188 A EP 01925188A EP 1284027 A1 EP1284027 A1 EP 1284027A1
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EP
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layer
photovoltaic cell
photoactive layer
electrode
transition layer
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EP01925188A
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Sean Shaheen
Christoph Brabec
Thomas Fromherz
Franz Padinger
Sedar Sariciftci
Erhard Gloetzl
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Konarka Austria Forschungs- und Entwicklungs GmbH
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Konarka Austria Forschungs- und Entwicklungs GmbH
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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    • Y10S977/949Radiation emitter using nanostructure
    • Y10S977/95Electromagnetic energy

Definitions

  • the invention relates to a photovoltaic cell with a photoactive layer of two molecular components, namely an electron donor and an electron acceptor, in particular a conjugated polymer component and a fullerene component, and with two metallic electrodes provided on both sides of the photoactive layer.
  • conjugated plastics Plastics with extensive ⁇ -electron systems, in which single and double bonds alternate, are referred to as conjugated plastics. These conjugated plastics have comparable energy bands in terms of electron energy to semiconductors, so that they can also be converted from the non-conductive to the metallic conductive state by doping. Examples of such conjugated plastics are polyphenylenes, polyvinylphenylenes (PPV), polythiophenes or polyanilines.
  • PV polyvinylphenylenes
  • polythiophenes polyanilines.
  • the efficiency of the energy conversion of photovoltaic polymer cells from a conjugated polymer is typically between 10 "3 and 10 " 2 %. To improve this efficiency, heterogeneous layers of two conjugated polymer components have already been proposed (US Pat. No.
  • the invention is therefore based on the object to design a photovoltaic cell of the type described so that a further increase in the efficiency of energy conversion is possible.
  • the invention solves this problem in that an electrically insulating transition layer with a thickness of at most 5 nm is provided at least between an electrode and the photoactive layer.
  • the invention is based on the fact that in the transition region between the photoactive layer and the electrode there is a considerable resistance to charge carrier transfer, which is probably due to reactions between the metallic electrode and the organic photoactive layer. If these direct influences can therefore be prevented, an improvement in charge transfer must be expected under otherwise constant conditions, which leads to an increase in efficiency.
  • electrically insulating transition layer By providing an electrically insulating transition layer, these immediate reactions between the photoactive layer and the electrode can now be largely eliminated, but the thickness of the electrically insulating transition layer must be limited to a maximum of 5 nm, so that the high electrical resistance of this transition layer does not facilitate the transfer of the charge carriers between Photoactive layer and electrode prevented.
  • the barrier that otherwise occurs between the electrode and the photoactive layer can surprisingly be largely removed without additionally complicating the charge carrier transfer.
  • this electrically insulating transition layer the efficiency of photovoltaic cells could be increased by up to 20 to 25% compared to cells of the same structure without this transition layer.
  • an optimization of the electrically insulating transition layer is necessary. Such optimization can be done by reducing the thickness of the transition layer to at most 2 nm.
  • the desired effect can also be influenced by the chemical layer structure.
  • transition layers made of a salt in particular of an alkali halide, have proven successful, and particularly good properties have also been found with regard to processing with a transition layer made of a lithium fluoride, which is evaporated in vacuo onto the photoactive layer or the electrode in the desired layer thickness can be.
  • Fig. 1 shows a photovoltaic cell according to the invention in a schematic section
  • Fig. 2 shows the current-voltage characteristic of a conventional and a photovoltaic cell according to the invention.
  • the photovoltaic cell according to FIG. 1 consists of a translucent glass substrate 1, on which an electrode layer 2 made of an indium / tin oxide (ITO) is applied.
  • This electrode layer 2 generally has a comparatively rough surface structure, so that it is covered with a smoothing layer 3 made of a polymer which is electrically conductive by doping, usually PEDOT.
  • the photoactive layer 4 comprising two components is applied to this smoothing layer 3 with a layer thickness of, for example, 100 nm to a few ⁇ m, depending on the application method.
  • the photoactive layer 4 consists of a conjugated polymer, preferably a PPV derivative, as an electron donor and a fullerene, in particular functionalized fullerene PCBM, as an electron acceptor.
  • polymer here means both high polymers and oligomers.
  • the two components are mixed with a solvent and as a solution on the smoothing layer 3 z. B. applied by spin coating or dripping. Squeegee or printing processes can also be used to coat larger areas with such a photoactive layer 4.
  • a fining agent such as chlorobenzene is preferably used as the solvent in order to ensure a fine structure of the heterogeneous layer 4 then has an average grain size smaller than 500 nm.
  • the number of contact points between the electron donor and the electron acceptor can thus be increased considerably, which results in improved charge separation and an increase in efficiency to approximately 2.6% under simulated AM 1.5 conditions.
  • a thin transition layer 6 is applied to the photoactive layer 4 with a layer thickness of, for example, 0.6 nm, which must have an electrically insulating effect.
  • This transition layer in the exemplary embodiment of an alkali metal halide, namely a lithium fluoride, which is vapor-deposited in a vacuum of 2 x 10 "6 torr at a rate of 0.2 nm / min, wherein, however, due to the low layer thickness no continuous closed cover of the photoactive Layer 4 can be expected.
  • the electron-collecting electrode When using ITO as a hole-collecting electrode, aluminum is used as the electron-collecting electrode, which is vapor-deposited onto the electrically insulating transition layer 6. Since the interposition of an electrically insulating transition layer 6 between the photoactive layer 4 and the electrode 5 largely prevents the reactions which interfere with the charge transfer between the photoactive layer 4 and the electrode 5 in the immediate border area between the electrode 5 and the active photo layer 4, Because the electrode 5 does not directly adjoin the photoactive layer 4 in large areas, the charge carrier transfer from the photoactive layer 4 to the electrode 5 is improved, provided that the transition layer 6 does not itself form an additional barrier between the photoactive layer 4 and the Electrode 5 builds up, which can be ensured by limiting the layer thickness of the transition layer 6.
  • the electrical insulating properties of the transition layer 6 obviously prevent the effects that inhibit the transfer of charge carriers from becoming effective, particularly in the transition region from the photoactive layer 4 to the transition layer 6.
  • the current density I is plotted against the voltage U at an excitation energy of 80 mW / cm 2 under simulated AM 1.5 conditions of two photovoltaic cells, which differ only in the presence of a transition layer 6 according to the invention .
  • the invention is of course not limited to the illustrated embodiment, which shows the electrically insulating transition layer 6 between the electron-collecting electrode 5 and the photoactive layer 4.
  • the electrically insulating transition layer 6 could also be provided between the hole-collecting electrode 2 and the organic layer adjoining it, in the exemplary embodiment the smoothing layer 3.
  • the electrically insulating transition layer 6 could only be provided in the area of the electrode 2. Since the effect of the electrically insulating transition layer 6 is not limited to conjugated polymers as electron donors and fullerenes as electron acceptors, the effect according to the invention can also be observed in all photovoltaic cells with a molecular two-component layer composed of an electron donor and an electron acceptor.

Abstract

Es wird eine photovoltaische Zelle mit einer photoaktiven Schicht (4) aus zwei molekularen Komponenten, einem Elektronendonator und einem Elektronenakzeptor, insbesondere einer konjugierten Polymerkomponente und einer Fullerenkomponente, und mit zwei beidseits der photoaktiven Schicht (4) vorgesehenen, metallischen Elektroden (2, 5) beschrieben. Um vorteilhafte Konstruktionsverhältnisse zu schaffen, wird vorgeschlagen, dass zumindest zwischen einer Elektrode (5) und der photoaktiven Schicht (4) eine elektrisch isolierende Übergangsschicht (6) mit einer Dicke von höchstens 5nm vorgesehen ist.

Description

Photovoltaische Zelle
[0001] Die Erfindung bezieht sich auf eine photovoltaische Zelle mit einer photoaktiven Schicht aus zwei molekularen Komponenten, nämlich einem Elektronendonator und einem Elektronenakzeptor, insbesondere einer konjugierten Polymerkomponente und einer Fullerenkomponente, und mit zwei beidseits der photoaktiven Schicht vorgesehenen, metallischen Elektroden.
[0002] Kunststoffe mit ausgedehnten π-Elektronensystemen, bei denen abwechselnd Einfach- und Doppelbindungen aufeinanderfolgen, werden als konjugierte Kunststoffe bezeichnet. Diese konjugierten Kunststoffe weisen hinsichtlich der Elektronenenergie mit Halbleitern vergleichbare Energiebänder auf, so daß sie auch durch ein Dotieren vom nichtleitenden, in den metallisch leitenden Zustand überführt werden können. Beispiele für solche konjugierten Kunststoffe sind Poly- phenylene, Polyvinylphenylene (PPV), Polythiophene oder Polyaniline. Der Wirkungsgrad der Energieumwandlung von photovoltaischen Polymerzellen aus einem konjugierten Polymer liegt allerdings typischerweise zwischen 10"3 und 10"2 %. Zur Verbesserung dieses Wirkungsgrades wurden zwar bereits heterogene Schichten aus zwei konjugierten Polymerkomponenten vorgeschlagen (US 5 670 791 A), von denen eine Polymerkomponente als Elektronendonator und die andere Polymerkomponente als Elektronenakzeptor dienen. Durch den Einsatz von Fulle- renen, insbesondere Buckminsterfullerenen Cεo, als Elektronenakzeptoren (US 5 454 880 A) konnte die sonst übliche Ladungsträgerrekombination in der photoaktiven Schicht weitgehend vermieden werden, was zu einer Wirkungsgradsteigerung auf 0,6 % bis 1 % unter AM (Air Mass) 1,5 Bedingungen führte. Trotzdem bleibt der erreichbare Wirkungsgrad für einen wirtschaftlichen, technischen Einsatz von solchen photoaktiven Schichten zum Aufbau von photovoltaischen Zellen im allgemeinen zu gering.
[0003] Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine photovoltaische Zelle der eingangs geschilderten Art so auszugestalten, daß eine weitere Steigerung des Wirkungsgrades der Energieumwandlung möglich wird.
[0004] Die Erfindung löst die gestellte Aufgabe dadurch, daß zumindest zwischen einer Elektrode und der photoaktiven Schicht eine elektrisch isolierende Übergangsschicht mit einer Dicke von höchstens 5 nm vorgesehen ist.
[0005] Die Erfindung baut auf dem Umstand auf, daß sich im Übergangsbereich zwischen der photoaktiven Schicht und der Elektrode ein erheblicher Widerstand gegen einen Ladungsträgerübertritt einstellt, was vermutlich auf Reaktionen zwischen der metallischen Elektrode und der organischen photoaktiven Schicht zurückzuführen ist. Können daher diese unmittelbaren Einflüsse unterbunden werden, so muß bei sonst gleichbleibenden Bedingungen mit einer Verbesserung des Ladungsübertrittes gerechnet werden, was zu einer Steigerung des Wirkungsgrades führt. Durch das Vorsehen einer elektrisch isolierenden Übergangsschicht können nun diese unmittelbaren Reaktionen zwischen photoaktiver Schicht und Elektrode weitgehend ausgeschaltet werden, doch muß die Dicke der elektrisch isolierenden Übergangsschicht auf höchstens 5 nm beschränkt werden, damit nicht der hohe elektrische Widerstand dieser Übergangsschicht den erleichterten Übertritt der Ladungsträger zwischen photoaktiver Schicht und Elektrode verhindert. Aufgrund der sehr kleinen Schichtdicke, die keine durchgehende, geschlossene Zwischenschicht zwischen der photoaktiven Schicht und der Elektrode erwarten läßt, kann überraschenderweise die sonst zwischen der Elektrode und der photoaktiven Schicht auftretende Barriere weitgehend abgebaut werden, ohne den Ladungsträgerübertritt zusätzlich zu erschweren. Mit Hilfe dieser elektrisch isolierenden Übergangsschicht konnte der Wirkungsgrad von photovoltaischen Zellen im Vergleich zu sonst gleich aufgebauten Zellen ohne diese Übergangsschicht bis zu 20 bis 25 % erhöht werden. Zu diesem Zweck ist allerdings eine Optimierung der elektrisch isolierenden Übergangsschicht erforderlich. [0006] Eine solche Optimierung kann durch eine Verminderung der Dicke der Ubergangsschicht auf höchstens 2 nm erfolgen. Selbstverständlich kann auch über den chemischen Schichtaufbau die angestrebte Wirkung beeinflußt werden. So haben sich Übergangsschichten aus einem Salz, insbesondere aus einem Alkali- halogenid, bewährt, wobei besonders gute Eigenschaften auch hinsichtlich der Verarbeitung mit einer Ubergangsschicht aus einem Lithiumfluorid festgestellt werden konnten, das im Vakuum auf die photoaktive Schicht oder die Elektrode in der gewünschten Schichtdicke aufgedampft werden kann.
[0007] In der Zeichnung ist der Erfindungsgegenstand beispielsweise dargestellt. Es zeigen
Fig. 1 eine erfindungsgemäße photovoltaische Zelle in einem schematischen Schnitt, und
Fig. 2 die Strom-Spannungskennlinie einer herkömmlichen und einer erfindungsgemäßen photovoltaischen Zelle.
[0008] Die photovoltaische Zelle besteht gemäß der Fig. 1 aus einem lichtdurchlässigen Glasträger 1, auf dem eine Elektrodenschicht 2 aus einem Indium/Zinn- Oxid (ITO) aufgebracht ist. Diese Elektrodenschicht 2 weist im allgemeinen eine vergleichsweise rauhe Oberflächenstruktur auf, so daß sie mit einer Glättungs- schicht 3 aus einem durch eine Dotierung elektrisch leitfähigen Polymer, üblicherweise PEDOT, abgedeckt wird. Auf diese Glättungsschicht 3 wird die photoaktive Schicht 4 aus zwei Komponenten mit einer Schichtdicke je nach Auftragungsverfahren von beispielsweise 100 nm bis einige μm aufgetragen. Die photoaktive Schicht 4 besteht aus einem konjugierten Polymer, vorzugsweise einem PPV- Derivat, als Elektronendonator und einem Fulleren, insbesondere funktionalisiertes Fulleren PCBM, als Elektronenakzeptor. Unter dem Begriff Polymer sind dabei sowohl Hochpolymere als auch Oligomere zu verstehen. Die beiden Komponenten werden mit einem Lösungsmittel vermischt und als Lösung auf die Glättungsschicht 3 z. B. durch ein Aufschleudern oder Auftropfen aufgetragen. Zum Beschichten größerer Flächen mit einer solchen photoaktiven Schicht 4 können auch Rakel- oder Druckverfahren zum Einsatz kommen. Als Lösungsmittel wird anstelle des herkömmlichen Toluols vorzugsweise ein Feinungsmittel wie Chlorbenzol eingesetzt, um eine Feinstruktur der heterogenen Schicht 4 sicherzustellen, die dann eine durchschnittliche Korngröße kleiner als 500 nm aufweist. Damit kann die Anzahl der Berührungsstellen zwischen dem Elektronendonator und dem Elektronenakzeptor erheblich vergrößert werden, was sich in einer verbesserten Ladungstrennung und einer Wirkungsgradsteigerung auf ca. 2,6 % unter simulierten AM 1,5 Bedingungen auswirkt.
[0009] Bevor jedoch die Gegenelektrode 5 aufgebracht wird, wird auf die photoaktive Schicht 4 eine dünne Ubergangsschicht 6 mit einer Schichtdicke von beispielsweise 0,6 nm aufgetragen, die elektrisch isolierend wirken muß. Diese Ubergangsschicht besteht im Ausführungsbeispiel aus einem Alkalihalogenid, nämlich einem Lithiumfluorid, das in einem Vakuum von 2 x 10"6 Torr in einer Rate von 0,2 nm/min aufgedampft wird, wobei sich jedoch aufgrund der geringen Schichtdicke keine durchgehend geschlossene Abdeckung der photoaktiven Schicht 4 erwarten läßt.
[0010] Bei der Verwendung von ITO als lochsammelnde Elektrode wird als elektronensammelnde Elektrode Aluminium eingesetzt, das auf die elektrisch isolierende Ubergangsschicht 6 aufgedampft wird. Da durch die Zwischenschaltung einer elektrisch isolierenden Ubergangsschicht 6 zwischen der photoaktiven Schicht 4 und der Elektrode 5 die sich auf den Ladungsübertritt zwischen der photoaktiven Schicht 4 und der Elektrode 5 störend auswirkenden Reaktionen im unmittelbaren Grenzbereich zwischen Elektrode 5 und aktiver Photoschicht 4 weitgehend vermieden werden können, weil eben die Elektrode 5 in großen Bereichen nicht unmittelbar an die photoaktive Schicht 4 angrenzt, wird der Ladungsträgerübertritt von der photoaktiven Schicht 4 auf die Elektrode 5 unter der Voraussetzung verbessert, daß die Ubergangsschicht 6 nicht selbst eine zusätzliche Barriere zwischen der photoaktiven Schicht 4 und der Elektrode 5 aufbaut, was durch die Beschränkung der Schichtdicke der Ubergangsschicht 6 sichergestellt werden kann. Die elektrischen Isoliereigenschaften der Ubergangsschicht 6 verhindern dabei offensichtlich, daß insbesondere im Übergangsbereich von der photoaktiven Schicht 4 auf die Ubergangsschicht 6 den Übertritt der Ladungsträger hemmende Einflüsse wirksam werden. [0011] In der Fig. 2 ist die Stromdichte I über der Spannung U bei einer Anregungsenergie von 80 mW/cm2 unter simulierten AM 1 ,5 Bedingungen zweier pho- tovoltaischer Zellen aufgetragen, die sich lediglich durch das Vorhandensein einer erfindungsgemäßen Ubergangsschicht 6 unterscheiden. Aus dem Vergleich der Kennlinie 7 für eine erfindungsgemäße photovoltaische Zelle mit der Kennlinie 8 einer mit Ausnahme der Ubergangsschicht 6 übereinstimmend aufgebauten Vergleichszelle ergibt sich, daß bei annähernd gleichem Kurzschlußstrom von ca. 5,2 mA/cm2 eine Steigerung der Leerlaufspannung von 770mV auf 810 mV gemessen werden konnte. Da sich zusätzlich der Füllfaktor von 0,52 auf 0,62 verbesserte, konnte der Wirkungsgrad der erfindungsgemäßen photovoltaischen Zelle von 2,6 % der Vergleichszelle auf 3,2 % gesteigert werden, was einer Verbesserung der Energieumwandlung von 20 bis 25 % entspricht.
[0012] Die Erfindung ist selbstverständlich nicht auf das dargestellte Ausführungsbeispiel beschränkt, das die elektrisch isolierende Ubergangsschicht 6 zwischen der elektronensammelnden Elektrode 5 und der photoaktiven Schicht 4 zeigt. So könnte die elektrisch isolierende Ubergangsschicht 6 auch zwischen der lochsammelnden Elektrode 2 und der daran anschließenden organischen Schicht, im Ausführungsbeispiel die Glättungsschicht 3, vorgesehen werden. Außerdem könnte die elektrisch isolierende Ubergangsschicht 6 nur im Bereich der Elektrode 2 vorgesehen sein. Da die Wirkung der elektrisch isolierenden Ubergangsschicht 6 nicht auf konjugierte Polymere als Elektronendonator und Fullerene als Elektronenakzeptor beschränkt ist, kann die erfindungsgemäße Wirkung auch bei allen photovoltaischen Zellen mit einer molekularen Zweikomponentenschicht aus einem Elektronendonator und einem Elektronenakzeptor beobachtet werden.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e
1. Photovoltaische Zelle mit einer photoaktiven Schicht (4) aus zwei molekularen Komponenten, nämlich einem Elektronendonator und einem Elektronenakzeptor, insbesondere einer konjugierten Polymerkomponente und einer Fulleren- komponente, und mit zwei beidseits der photoaktiven Schicht (4) vorgesehenen, metallischen Elektroden (2, 5), dadurch gekennzeichnet, daß zumindest zwischen einer Elektrode (5) und der photoaktiven Schicht (4) eine elektrisch isolierende Ubergangsschicht (6) mit einer Dicke von höchstens 5 nm vorgesehen ist.
2. Photovoltaische Zelle nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Ubergangsschicht (6) eine Dicke von höchstens 2 nm aufweist.
3. Photovoltaische Zelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ubergangsschicht (6) aus einem Salz, insbesondere aus einem Alkalihalo- genid besteht.
4. Photovoltaische Zelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ubergangsschicht (6) aus einem Lithiumfluorid besteht.
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Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT411306B (de) 2000-04-27 2003-11-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
AT410729B (de) * 2000-04-27 2003-07-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
AT410859B (de) * 2000-04-27 2003-08-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Verfahren zum herstellen einer photovoltaischen zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei organischen komponenten
DE10140991C2 (de) * 2001-08-21 2003-08-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische Leuchtdiode mit Energieversorgung, Herstellungsverfahren dazu und Anwendungen
DE60132450T2 (de) * 2001-09-04 2008-04-17 Sony Deutschland Gmbh Solarzelle und Herstellungsmethode
EP1447860A1 (de) * 2003-02-17 2004-08-18 Rijksuniversiteit Groningen Photodiode aus organischem Material
DE10326546A1 (de) * 2003-06-12 2005-01-05 Siemens Ag Organische Solarzelle mit einer Zwischenschicht mit asymmetrischen Transporteigenschaften
EP1642348A2 (de) * 2003-07-01 2006-04-05 Konarka Technologies, Inc. Verfahren zur herstellung von organischen solarzellen oder photodetektoren
DE10348118A1 (de) * 2003-09-23 2005-04-28 Daimler Chrysler Ag Karosserieteil mit organischer Solarzelle
JP4857427B2 (ja) * 2004-03-25 2012-01-18 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体装置用の光透過性電極、半導体装置および電極の製造方法
US8466004B2 (en) * 2004-06-24 2013-06-18 The Trustees Of Princeton University Solar cells
EP1810344A2 (de) * 2004-11-10 2007-07-25 Daystar Technologies, Inc. Palleten-basiertes system zur bildung von dünnfilmsolarzellen
US20060105200A1 (en) * 2004-11-17 2006-05-18 Dmytro Poplavskyy Organic electroluminescent device
TWI251354B (en) * 2005-02-02 2006-03-11 Ind Tech Res Inst Solar energy power module with carbon nano-tube
WO2007040601A1 (en) * 2005-03-17 2007-04-12 The Regents Of The University Of California Architecture for high efficiency polymer photovoltaic cells using an optical spacer
US20090050204A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-26 Illuminex Corporation. Photovoltaic device using nanostructured material
US20100193768A1 (en) * 2005-06-20 2010-08-05 Illuminex Corporation Semiconducting nanowire arrays for photovoltaic applications
JP5298308B2 (ja) * 2005-09-06 2013-09-25 国立大学法人京都大学 有機薄膜光電変換素子及びその製造方法
EP2537874B1 (de) * 2006-07-21 2021-05-19 Nissan Chemical Corporation Sulfonierung von leitfähigen polymeren sowie oled-, photovoltaik- und esd-vorrichtungen
US9112447B2 (en) * 2006-11-03 2015-08-18 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
US8319092B1 (en) 2006-11-03 2012-11-27 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
US8080824B2 (en) * 2006-11-15 2011-12-20 Academia Sinica Suppressing recombination in an electronic device
DE102006059369A1 (de) * 2006-12-15 2008-06-26 Industrial Technology Research Institute, Chutung Fotoelement
US20090065053A1 (en) * 2007-08-24 2009-03-12 Julian Gulbinski Photovoltaic device
KR100927721B1 (ko) * 2007-09-17 2009-11-18 삼성에스디아이 주식회사 광전변환소자 및 이의 제조방법
EP2240286A4 (de) * 2007-12-20 2014-05-21 Cima Nano Tech Israel Ltd Transparente leitende beschichtung mit füllermaterial
EP2250207B1 (de) 2008-02-29 2012-01-04 Plextronics, Inc. Planierungsmittel und vorrichtungen
KR101710213B1 (ko) 2008-03-06 2017-02-24 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 변형된 평탄화제 및 장치
CN101978525A (zh) * 2008-03-25 2011-02-16 住友化学株式会社 有机光电转换元件
US8865025B2 (en) * 2008-04-11 2014-10-21 Solvay Usa, Inc. Doped conjugated polymers, devices, and methods of making devices
US20090277503A1 (en) * 2008-05-10 2009-11-12 Solfocus, Inc. Solar Cell with Current Blocking Layer
JP2010192863A (ja) * 2008-05-23 2010-09-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機光電変換素子およびその製造方法
JP5340656B2 (ja) * 2008-07-02 2013-11-13 シャープ株式会社 太陽電池アレイ
KR100983414B1 (ko) * 2008-07-22 2010-09-20 성균관대학교산학협력단 투명 전극 표면 패터닝에 의한 유기 태양전지 제조방법
JP5658161B2 (ja) * 2008-10-27 2015-01-21 プレックストロニクス インコーポレーティッド ポリアリールアミンケトン
KR101762964B1 (ko) 2008-10-27 2017-07-28 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 전하 주입 및 수송 층
JP5774996B2 (ja) * 2008-11-18 2015-09-09 ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド アミノベンゼン組成物ならびに関連する素子および方法
WO2010115767A1 (en) 2009-04-08 2010-10-14 Basf Se Pyrrolopyrrole derivatives, their manufacture and use as semiconductors
WO2010118370A1 (en) 2009-04-10 2010-10-14 Plextronics, Inc. Dehalogenation
US20110048489A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Gabriel Karim M Combined thermoelectric/photovoltaic device for high heat flux applications and method of making the same
US20110048488A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Gabriel Karim M Combined thermoelectric/photovoltaic device and method of making the same
US20120266960A1 (en) * 2009-09-24 2012-10-25 Bin Fan Multi layer organic thin film solar cell
WO2011041232A1 (en) 2009-09-29 2011-04-07 Plextronics, Inc. Organic electronic devices, compositions, and methods
JP5770268B2 (ja) 2010-05-11 2015-08-26 ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド 共役ポリマーおよびデバイスのドーピング
US8946376B2 (en) 2010-09-29 2015-02-03 Basf Se Semiconductors based on diketopyrrolopyrroles
JP5921554B2 (ja) 2010-09-29 2016-05-24 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ジケトピロロピロール系の半導体
JP6165135B2 (ja) 2011-06-22 2017-07-19 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se 有機半導体素子内で使用するためのジケトピロロピロールオリゴマー
CN103781845B (zh) 2011-07-05 2016-07-13 索尔维美国有限公司 垂直相分离半导体有机材料层
KR102030859B1 (ko) 2011-09-02 2019-10-10 바스프 에스이 디케토피롤로피롤 올리고머, 및 디케토피롤로피롤 올리고머를 포함하는 조성물
KR102032580B1 (ko) 2011-10-04 2019-10-15 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 정공 주입 및 수송 층을 위한 개선된 도핑 방법
WO2014039687A1 (en) 2012-09-06 2014-03-13 Plextronics, Inc. Electroluminescent devices comprising insulator-free metal grids
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
GB201310854D0 (en) * 2013-06-18 2013-07-31 Isis Innovation Photoactive layer production process
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US20160111473A1 (en) * 2014-10-17 2016-04-21 General Electric Company Organic photodiodes, organic x-ray detectors and x-ray systems
JP6620816B2 (ja) 2014-12-15 2019-12-18 日産化学株式会社 正孔輸送材料とフルオロポリマーとを含有する組成物及びその使用
US20180030291A1 (en) 2015-03-03 2018-02-01 Nissan Chemical Industries, Ltd. Compositions containing hole carrier compounds and polymeric acids, and uses thereof
WO2016171935A1 (en) 2015-04-22 2016-10-27 Solvay Usa Inc. Non-aqueous compositions suitable for use in organic electronics
KR102615481B1 (ko) 2015-07-17 2023-12-19 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 유기 전자 장치에 사용하기에 적합한 금속성 나노입자를 함유하는 비-수성 잉크 조성물
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
EP3405534B1 (de) 2016-01-20 2020-10-14 Nissan Chemical Corporation Nichtwässrige tintenzusammensetzungen mit übergangsmetallkomplexen und verwendungen davon in der organischen elektronik
WO2018035281A1 (en) 2016-08-17 2018-02-22 North Carolina State University Northern-southern route to synthesis of bacteriochlorins
US10782014B2 (en) 2016-11-11 2020-09-22 Habib Technologies LLC Plasmonic energy conversion device for vapor generation
WO2018102252A1 (en) 2016-11-30 2018-06-07 North Carolina State University Methods for making bacteriochlorin macrocycles comprising an annulated isocyclic ring and related compounds
EP3573119A4 (de) 2017-01-18 2020-08-26 Nissan Chemical Corporation Tintenzusammensetzung mit einem sulfonierten konjugierten polymer
WO2018135582A1 (ja) 2017-01-18 2018-07-26 日産化学工業株式会社 インク組成物
JP7099458B2 (ja) 2017-06-20 2022-07-12 日産化学株式会社 非水系インク組成物
US10672919B2 (en) * 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
CN112771130B (zh) 2018-09-25 2024-03-29 日产化学株式会社 墨液组合物
KR20200050144A (ko) 2018-11-01 2020-05-11 현대자동차주식회사 Adas 연계 상시 작동 액티브 후드 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996016449A1 (en) * 1994-11-23 1996-05-30 Philips Electronics N.V. A photoresponsive device
WO1999039395A1 (en) * 1998-02-02 1999-08-05 Uniax Corporation Organic diodes with switchable photosensitivity
WO1999039372A2 (en) * 1998-02-02 1999-08-05 Uniax Corporation Image sensors made from organic semiconductors

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57126173A (en) * 1981-01-29 1982-08-05 Toshiba Corp Solar cell
JPS60149177A (ja) * 1984-01-13 1985-08-06 Mitsubishi Electric Corp 光電変換素子の製造方法
US5009958A (en) * 1987-03-06 1991-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Functional devices comprising a charge transfer complex layer
US5185208A (en) * 1987-03-06 1993-02-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Functional devices comprising a charge transfer complex layer
US5006915A (en) * 1989-02-14 1991-04-09 Ricoh Company, Ltd. Electric device and photoelectric conversion device comprising the same
DE3912551A1 (de) * 1989-04-17 1990-10-25 Agfa Gevaert Ag Eisenkomplexe und diese enthaltende bleichbaeder
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
NL8901731A (nl) * 1989-07-06 1991-02-01 Stork Pmt Werkwijze voor het doden van bacterien bij geslacht gevogelte.
JP2548820B2 (ja) * 1990-03-29 1996-10-30 三菱電機株式会社 Si基板上化合物半導体光電変換素子
US5171373A (en) * 1991-07-30 1992-12-15 At&T Bell Laboratories Devices involving the photo behavior of fullerenes
US5178980A (en) * 1991-09-03 1993-01-12 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with a fullerene compound
DE4133621A1 (de) * 1991-10-10 1993-04-22 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Nanoskalige teilchen enthaltende kompositmaterialien, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung fuer optische elemente
US5221854A (en) * 1991-11-18 1993-06-22 United Solar Systems Corporation Protective layer for the back reflector of a photovoltaic device
JPH05308146A (ja) * 1992-05-01 1993-11-19 Ricoh Co Ltd 有機光起電力素子
US5331183A (en) * 1992-08-17 1994-07-19 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
US5759725A (en) * 1994-12-01 1998-06-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Photoconductors and electrophotographic photoreceptors containing amorphous fullerenes
GB2296815B (en) * 1994-12-09 1999-03-17 Cambridge Display Tech Ltd Photoresponsive materials
US5637518A (en) * 1995-10-16 1997-06-10 Micron Technology, Inc. Method of making a field effect transistor having an elevated source and an elevated drain
US5677572A (en) * 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
US5776622A (en) * 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device
US5986206A (en) * 1997-12-10 1999-11-16 Nanogram Corporation Solar cell
GB9806066D0 (en) 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
US6198092B1 (en) * 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration
EP1129496A2 (de) * 1998-10-09 2001-09-05 The Trustees of Columbia University in the City of New York Photoelektrische festkörpervorrichtung
EP1028475A1 (de) * 1999-02-09 2000-08-16 Sony International (Europe) GmbH Elektronisches Bauelement mit einer kolumnar-diskotischer Phase
US6291763B1 (en) * 1999-04-06 2001-09-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photoelectric conversion device and photo cell
AT411306B (de) 2000-04-27 2003-11-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
AT410859B (de) 2000-04-27 2003-08-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Verfahren zum herstellen einer photovoltaischen zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei organischen komponenten
AT410729B (de) * 2000-04-27 2003-07-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
EP1160888A1 (de) * 2000-05-29 2001-12-05 Sony International (Europe) GmbH Lochleitermaterial und Verwendung in einer (Farbstoff-)Solarzelle
DE60033038T2 (de) * 2000-11-24 2007-08-23 Sony Deutschland Gmbh Hybridsolarzelle mit thermisch abgeschiedener Halbleiteroxidschicht
US6580027B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-17 Trustees Of Princeton University Solar cells using fullerenes
DE60132450T2 (de) * 2001-09-04 2008-04-17 Sony Deutschland Gmbh Solarzelle und Herstellungsmethode
EP1289030A1 (de) * 2001-09-04 2003-03-05 Sony International (Europe) GmbH Dotierung eines Lochleitermaterials

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996016449A1 (en) * 1994-11-23 1996-05-30 Philips Electronics N.V. A photoresponsive device
WO1999039395A1 (en) * 1998-02-02 1999-08-05 Uniax Corporation Organic diodes with switchable photosensitivity
WO1999039372A2 (en) * 1998-02-02 1999-08-05 Uniax Corporation Image sensors made from organic semiconductors

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of WO0184645A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
US6933436B2 (en) 2005-08-23
AT411306B (de) 2003-11-25
AU2001252014A1 (en) 2001-11-12
US20040094196A1 (en) 2004-05-20
CN1426607A (zh) 2003-06-25
WO2001084645A1 (de) 2001-11-08
JP5517386B2 (ja) 2014-06-11
JP2003533034A (ja) 2003-11-05
JP2013157633A (ja) 2013-08-15
ATA7342000A (de) 2003-04-15

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