DE3335130A1 - Device for testing the surface of workpieces and application of the device - Google Patents
Device for testing the surface of workpieces and application of the deviceInfo
- Publication number
- DE3335130A1 DE3335130A1 DE19833335130 DE3335130A DE3335130A1 DE 3335130 A1 DE3335130 A1 DE 3335130A1 DE 19833335130 DE19833335130 DE 19833335130 DE 3335130 A DE3335130 A DE 3335130A DE 3335130 A1 DE3335130 A1 DE 3335130A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- image
- recording material
- transported
- developed
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
Abstract
Description
Vorrichtung zur Prüfung der Oberfläche von WerkstückenDevice for testing the surface of workpieces
und Anwendung der Vorrichtunq. ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ Die vorliegende Erfindung betrifft gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 eine Vorrichtung zur Prüfung der Oberfläche von Werkstücken und die Anwendung der Vorrichtung.and application of the device. ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ The present According to the preamble of claim 1, the invention relates to a device for testing the surface of workpieces and the application of the device.
Die Oberflächenqualität von Werkstücken wird im allgemeinen an der Größe der Abweichunq von einer vorgegebenen Sollgestalt gemessen. Je nach Abweichungsgrad werden die Werkstücke in verschiedene Qualitätsklassen unterteilt.The surface quality of workpieces is generally based on the The size of the deviation from a given target shape is measured. Depending on the degree of deviation the workpieces are divided into different quality classes.
Charakteristische Oberflächemängel sind beispielsweise Welligkeiten, gröbere Rauheiten, Kratzer, Risse, Löcher und so weiter.Characteristic surface defects are, for example, waviness, coarser roughness, scratches, cracks, holes and so on.
Die Messung derartiger Abweichungen von der Sollgestalt stellt in der Fertigung vieler Maschinenerzeugnisse einen Schwerpunkt dar. Um die Genauigkeitsanforderungen erfüllen zu können, ist es oft erforderlich, Qualitätskenngrößen bereits bei der Herstellung der Werkstücke zu kennen und Abweichungen rechtzeitig und nach Möglichkeit automatisch durch Änderung der Herstellungsbedingungen zu beeinflussen. Die berührungslose und schnelle Ermittlung der Kenngröße ist hierbei von großer technischer Bedeutung.The measurement of such deviations from the target shape represents in the manufacture of many machine products is a focus. To the accuracy requirements To be able to meet, it is often necessary to have quality parameters already at the Knowing about the manufacture of the workpieces and deviations in good time and if possible automatically influenced by changing the manufacturing conditions. The non-contact and quick determination of the parameter is of great technical importance here.
Vielfach genügen zur Oberflächenbeurteilung der subjektive Glanz- und/oder Tasteindruck. Wird aber ein ojektiver Nachweis der Einhaltung enger Toleranzgrenzen gefordert, so muß auf aufwendigere Prüfverfahren übergegangen werden.In many cases, the subjective gloss level is sufficient for surface assessment and / or key pressure. But it becomes an objective proof of compliance with narrow tolerance limits required, more complex test procedures must be used.
Bei dem im Einsatz befindlichen Prüfverfahren unterscheidet man berührende und berührungslose Verfahren. Die berührenden Verfahren sind mechanische Verfahren, während unter die berührungslosen Verfahren optische, pneumsatische und elektrische Verfahren fallen.A distinction is made between touching test methods in use and contactless processes. The touching processes are mechanical processes, while under the non-contact methods optical, pneumatic and electrical Procedure fall.
Bei modernen Fertigungstechniken haben sich die berührungslosen Verfahren - und davon in erster Linie die optischen - durchgesetzt, weil nur diese Verfahren den Vorteil bieten, daß die Meßgeräte in genügend großen Abständen von der zu prüfenden Oberfläche angebracht werden können. Es lassen sich außerdem sehr kurze Prüfzeiten erreichen und Verschleißerscheinungen vermeiden.In modern manufacturing techniques, the non-contact process - and primarily the optical ones - prevailed because only these procedures offer the advantage that the measuring devices are at sufficiently large distances from the one to be tested Surface can be attached. In addition, very short test times can be achieved and avoid signs of wear and tear.
Allen bisherigen Verfahren ist jedoch gemeinsam, daß die Meßdaten seriell, das heißt, zeitlich nacheinander erfaßt und ausgewertet werden. Parallel arbeitenden Verfahren, das heißt, Verfahren, bei denen mehrere Rechenprozesse gleichzeitig durchgeführt werden, wäre wegen der kürzeren Verarbeitungszeiten der Vorzug zu geben.What all previous methods have in common, however, is that the measurement data serially, that is, recorded and evaluated one after the other in time. Parallel working procedures, that is, procedures in which several computing processes are carried out simultaneously would be preferred because of the shorter processing times.
Aus der DE-OS 31 26 356 ist ein kohärentoptisches Verfahren zur Prüfung der Oberfläche von Werkstücken bekannt, mit dem die wesentlichen Vorgänge des Prüfungsprozesses parallel und damit schnell durchgeführt werden können.From DE-OS 31 26 356 is a coherent optical method for testing the surface of workpieces known, with which the essential operations of the inspection process can be carried out in parallel and therefore quickly.
Die direkte kohärentoptische Parallelprüfung der Oberfläche ist allerdings in den meisten Fällen nicht möglich, weil feine Oberflächenrauhigkeiten, die für die Qualitätsbeurteilung der Oberfläche unwesentlich sind, ein Störsignal erzeugen, welches das Nutzsignal vollständig überdecken kann. Hinzu kommt, daß beträchtliche Absorptionsverluste auftreten können.The direct coherent optical parallel inspection of the surface is, however in most cases not possible because of the fine surface roughness required for the quality assessment of the surface are insignificant, generate an interfering signal, which can completely cover the useful signal. On top of that, considerable Absorption losses can occur.
Um diese Störungen zu unterdrücken, wird in der kohärentoptischen Zeichenerkennung (siehe beispielsweise Israel J. of. Techn. 9 (1971), Nr. 3, Seiten 275 bis 279 oder Applied Optics 10/3 (1971)), das zu prüfende Objekt in einem Zwischenschritt auf beispielsweise eine fotografische.Platte abgebildet, wobei die störenden Oberflächenrauheiten durch diffuse Beleuchtung nicht mehr in Erscheinung treten und der Kontrast der Oberflächeninformation erhöht wird. Die Verarbeitungszeit verkürzt sich wesentlich, wenn anstatt der Fotoplatten thermoplastische Aufzeichnungsmaterialien eingesetzt werden (siehe Feinwerktechnik und Meßtechnik 84 (1976), Heft 2, Seite 50).In order to suppress this interference, the coherent optical system is used Character recognition (see, for example, Israel J. of. Techn. 9 (1971), No. 3, pp 275 to 279 or Applied Optics 10/3 (1971)), the object to be tested in one Intermediate step shown on, for example, a photographic plate, with the disturbing surface roughness due to diffuse lighting is no longer apparent step and the contrast of the surface information is increased. The processing time is shortened considerably if thermoplastic recording materials are used instead of photographic plates are used (see Feinwerktechnik und Messtechnik 84 (1976), Issue 2, page 50).
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine auf der bekannten thermoplastischen oder auch einer magnetooptischen Aufzeichnung und der bekannten parallel arbeitenden kohärentoptischen Zeichenerkennung basierende schnell arbeitende Vorrichtung zur optischen Prüfung der Oberfläche von Werkstücken zu schaffen.The object of the present invention is to provide one on the known thermoplastic or magneto-optical recording and the known coherent optical character recognition based, fast working, working in parallel To create a device for the optical inspection of the surface of workpieces.
Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung gelöst, welche die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Gestaltungsmerkmale aufweist.This object is achieved by a device which the in the characterizing Part of claim 1 has specified design features.
Eine besonders vorteilhafte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung, bei der das Aufzeichnungsmaterial in Form eines bewegbaren Bandes. ausgebildet ist, weist die im Anspruch 2-angegebenen Merkmale auf.A particularly advantageous embodiment of the invention Device in which the recording material is in the form of a movable belt. is formed, has the features specified in claim 2.
Besonders zweckmäßig ist es dabei wiederum, wenn.das Band ein umlaufendes endloses Band ist und die Vorrichtung gemäß Anspruch 3 ausgestaltet wird.Again, it is particularly useful if the belt is a circulating one is endless belt and the device according to claim 3 is configured.
Eine bevorzugte Transporteinrichtung der Vorrichtung gemäß Anspruch 3 ist im Anspruch 4 angegeben.A preferred transport device of the device according to claim 3 is specified in claim 4.
Bevorzugterweise arbeitet die kohärentoptische Verarbeitungseinrichtung gemäß Anspruch 5 nach einem kohärentoptischen Filterverfahren. Ein Beispiel für eine derartige Verarbeitungseinrichtung ist in der DE-OS 31 26 356 beschrieben.The coherent-optical processing device preferably operates according to claim 5 according to a coherent optical filter method. An example for Such a processing device is in DE-OS 31 26 356 described.
Vorteilhafterweise wird eine erfindungsgemäße Vorrichtung gemäß Anspruch 6 zur Prüfung der Oberflächenrauhigkeit oder Welligkeit von in Bandform gezogenen Kristallen verwendet.Advantageously, a device according to the invention according to claim 6 for testing the surface roughness or waviness of those drawn in tape form Crystals used.
Insbesondere wird eine erfindungsgemäße Vorrichtung vorteilhaft zur laufenden Überwachung eines Übergangs von der kontrollierten zur unkontrollierten Kristallisation eines in Bandform gezogenen Kristalls verwendet (Anspruch 7). Dadurch kann die Ziehtechnik bei der Herstellung von Halbleitermaterialien in Bandform gesteuert werden. Beispielsweise ist es möglich, mit Hilfe von Steuerungseinrichtungen Bänder aus Halbleitermaterial mit der gewünschten Oberfläche um den einer hohen Qualität zu ziehen.In particular, a device according to the invention is advantageous for ongoing monitoring of a transition from the controlled to the uncontrolled Crystallization of a crystal drawn in the form of a ribbon is used (claim 7). Through this can control the drawing technique in the manufacture of semiconductor materials in ribbon form will. For example, it is possible with the help of control devices belts made of semiconductor material with the desired surface and a high quality to pull.
Die Erfindung wird an einem Ausführungsbeispiel und an einem Anwendungsbeispiel in der folgenden Beschreibung anhand der Figuren näher erläutert. Von den Figuren zeigen: Figur 1 in schematischer Darstellung das Ausführungsbeispiel der Vorrichtung zur optischen Prüfung der Oberfläche von Werkstücken, und Figur 2 in schematischer Darstellung eine Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen in Bandform, die mit der Vorrichtung nach Figur 1 laufend überwacht werden kann.The invention is based on an exemplary embodiment and an application example explained in more detail in the following description with reference to the figures. From the figures show: FIG. 1 a schematic representation of the embodiment of the device for the optical inspection of the surface of workpieces, and FIG. 2 in schematic form Representation of a device for pulling crystals in ribbon form, which with the Device according to Figure 1 can be continuously monitored.
Die Vorrichtung nach Figur 1 besteht aus dem über die Rollen R1 bis R4 umlaufenden und durch die Antriebsrolle R1 in Richtung des Pfeiles LR angetriebenen Band A aus thermoplastischem Aufzeichnungsmaterial, von dem das gezogene Trum in der Bildebene EB des generell mit E be- zeichneten Episkops verläuft. Das Episkop E weist zwei Lichtquellen 8 mit Hohlspiegel 81 auf, welche die Oberfläche OW des zu prüfenden Werkstückes W von zwei Seiten schräg beleuchten. Das von der Oberfläche OW zurückgeworfene Licht wird über einen Planspiegel 9 einem Projektionsobjektiv 10 zugeleitet, das in der Bildebene EB und damit auf dem bereits sensibilisierten Aufzeichnungsmaterial des Bandes A ein reelles Bild erzeugt.The device of Figure 1 consists of the roles R1 to R4 revolving and driven by the drive roller R1 in the direction of arrow LR Tape A made of thermoplastic recording material, of which the drawn strand in the image plane EB of the generally loaded with E drawn episcope runs. The episcope E has two light sources 8 with concave mirrors 81, which cover the surface Illuminate OW of the workpiece W to be tested from two sides at an angle. That of the Light reflected back from the surface OW is transmitted via a plane mirror 9 to a projection objective 10, the one in the image level EB and thus on the one that has already been sensitized Recording material of the tape A creates a real image.
Der so belichtete Abschnitt des Bandes A wird zur Bildentwicklungseinrichtung BE transportiert und dort entwickelt. Das entwickelte Bild wird anschließend zur kohärentoptischen Verarbeitungseinrichtung BA transportiert, wo sein Informationsgehalt verarbeitet wird.The portion of the belt A thus exposed becomes the image developing device BE transported and developed there. The developed image then becomes the coherent optical processing device BA transported where its information content is processed.
Die kohärentoptische Verarbeitungseinrichtung BA entspricht aufbaumäßig der in der DE-OS 31 26 356 beschriebenen Vorrichtung zum Prüfen einer Faser, die nach einem kohärentoptischen Filterverfahren arbeitet.The coherent-optical processing device BA corresponds in terms of structure the device described in DE-OS 31 26 356 for testing a fiber that works according to a coherent optical filter method.
Dementsprechend weist die Verarbeitungseinrichtung BA einen Laser 1 auf, der einen Laserstrahl 11 ausstrahlt.The processing device BA accordingly has a laser 1, which emits a laser beam 11.
Im Strahlengang dieses Laserstrahls 11 ist eine Aufweitungsoptik angeordnet, aus welcher der aufgeweitete Laserstrahl als Parallelstrahl austritt, der das gezogene Trum des Bandes A vertikal trifft und durchstrahlt. Im Strahlengang des durch das gezogene Trum des Bandes A hindurchgegangenen Lichts ist eine Transformationslinse 4 angeordnet, in deren bildseitiger Brennebene 5 das zur Informationsauswertung verwendete Filter anzuordnen ist.In the beam path of this laser beam 11, an expansion optic is arranged, from which the expanded laser beam emerges as a parallel beam, the drawn one The run of the belt A hits vertically and radiates through it. In the beam path of the The drawn strand of the light passed through the band A is a transformation lens 4 arranged, in the image-side focal plane 5 for information evaluation used filter is to be arranged.
Eine hinter der Brennebene 5 der Transformationslinse 4 im Strahlengang angeordnete Sammellinse 6 bildet ein in der objektseitigen Brennebene 3 der Transformationslinse 4 befindliches Bild auf eine Bildebene 7 reell ab, in der beispielsweise die lichtempfindliche Fläche eines zum Aus- werten der Bildinformation dienenden Detektors angeordnet sein kann.One behind the focal plane 5 of the transformation lens 4 in the beam path arranged converging lens 6 forms a in the object-side focal plane 3 of the transformation lens 4 located image on a real image plane 7, in which, for example, the light-sensitive Surface of a evaluate the image information serving detector can be arranged.
Das in der Bildentwicklungseinrichtung BE entwickelte Bild der Oberfläche OW wird durch Vorschub des Bandes A in der Richtung LR in den aufgeweiteten Laserstrahl in die objektseitige Ebene 3 in der Nähe der Brennebene gebracht, die auch als Objektebene zur Bildebene 7 des aus den Linsen 4 und 6 bestehenden optischen Systems angesehen werden kann.The image of the surface developed in the image developing device BE OW is created by advancing tape A in direction LR into the expanded laser beam brought into the object-side plane 3 near the focal plane, which is also called the object plane viewed to the image plane 7 of the optical system consisting of the lenses 4 and 6 can be.
Das zur Verarbeitung der Objektinformation verwendete Filter hängt vom Anwendungsfall ab und kann mehr oder weniger der Fouriertransformierten der Oberfläche OW angepaßt sein.The filter used to process the object information depends on the application and can be more or less the Fourier transform of the Surface to be adapted to OW.
Nach Beendigung des Filterungsvorganges oder der Auswertung wird das entwickelte Bild durch Weitertransport des Bandes A der Bildlöscheinrichtung BL zugeführt, wo das Bild wieder gelöscht wird. Danach wird der gelöschte Abschnitt der Sensibilisierungseinrichtung SE zugeführt, wo der gelöschte Abschnitt des Bandes wieder elektrostatisch aufgeladen und damit sensibilisiert wird, so daß der Abschnitt erneut zur episkopischen Belichtung verwendet werden kann, wenn er in die Bildebene EB des Epis kops E transportiert worden ist.After completion of the filtering process or the evaluation, the developed image by advancing the tape A of the image erasing device BL fed, where the image is deleted again. After that, the deleted section the sensitization device SE, where the erased section of the tape again electrostatically charged and thus sensitized, so that the section can be used again for episcopal exposure if it is in the image plane EB of the episcope E has been transported.
Die Dauer eines Zyklus, in dem ein Bild aufgezeichnet und wieder gelöscht wird, beträgt derzeit etwa 100 msec.The duration of a cycle in which an image is recorded and then deleted is currently about 100 msec.
Die beschriebene Vorrichtung läßt sich mit besonderem Vorteil zur Prüfung der Oberflächenrauhigkeit bzw.The device described can be used with particular advantage Examination of the surface roughness or
Welligkeit von Kristallen anwenden, die in Bandform gezogen werden. Diese Technik wird seit mehreren Jahren in große Umfang für Silizium in der Solartechnik angewandt.Apply ripple of crystals pulled in ribbon shape. This technology has been used on a large scale for silicon in solar technology for several years applied.
Neben dem EFG (edge-defined film-fed growth)-Verfahren spielt in diesem Rahmen neuerdings vor allem die sogenannte S-Web-Technik eine größere Rolle (siehe beispiels- weise Bekudo: J. Cryst. Growth 50 (1980), Seite 247).In addition to the EFG (edge-defined film-fed growth) process, this Recently, the so-called S-Web technology has played a bigger role (see exemplary wise Bekudo: J. Cryst. Growth, 50 (1980), p. 247).
In der Figur 2 ist diese S-Web-Technik schematisch veranschaulicht. Von einer Vorratsrolle 21 wird ein Carbonfasernetz 22 durch eine schlitzförmige Ziehdüse 23 in einem mit Siliziumschmelze 24 gefüllten Tiegel 25 gezogen und das mit Silizium beschichtete Netz 26 auf einer Aufwickelrolle 27 aufgewickelt. Die Oberfläche des mit Silizium beschichteten Netzes 26, in dem das Silizium kristallin vorliegt, weist insbesondere bei hohen Ziehgeschwindigkeiten periodische Dickenschwankungen auf. Der Grund dafür liegt in Konvektionsströmungen und Temperaturfluktuationen im Bereich 28 eines Schmelzmeniskus, der zwischen der Ziehdüse 23 und einer Kristallisationszone 29 liegt, und insbesondere an der Kristallisationsfront 291 der Kristallisationszone 29.This S-Web technology is illustrated schematically in FIG. From a supply roll 21, a carbon fiber network 22 is passed through a slot-shaped one Drawing nozzle 23 drawn in a crucible 25 filled with silicon melt 24 and that silicon-coated net 26 wound on a take-up roll 27. the Surface of the silicon-coated network 26 in which the silicon is crystalline is present, exhibits periodic thickness fluctuations, especially at high drawing speeds on. The reason for this lies in convection currents and temperature fluctuations in the area 28 of a melt meniscus between the drawing nozzle 23 and a crystallization zone 29 lies, and in particular on the crystallization front 291 of the crystallization zone 29
Die Geometrie des Meniskus wird generell, das heißt auch bei den anderen Techniken allein vom Abstand h der Kristallisationsfront 291 von der Ziehdüse 23 bestimmt.The geometry of the meniscus becomes general, that is, also with the others Techniques based solely on the distance h of the crystallization front 291 from the drawing nozzle 23 certainly.
Wird durch Temperaturfluktuation in der Schmelze 24 diese Kristallisationsfront, die mit der Schmelzpunktsisothermie identisch ist, etwa nach oben oder nach unten verschoben, so muß das gezogene Siliziumband, das heißt das beschichtete Netz 26 im Fall der Figur 2 zwangsläufig dünner oder dicker werden. Aufzeichenbare Dickenschwankungen lassen somit Rückschlüsse auf Temperaturschwankungen in der Si-Schmelze zu.If the temperature fluctuates in the melt 24, this crystallization front, which is identical to the melting point isotherm, for example upwards or downwards shifted, so the drawn silicon ribbon, that is, the coated network 26 in the case of FIG. 2 necessarily become thinner or thicker. Recordable thickness fluctuations allow conclusions to be drawn about temperature fluctuations in the Si melt.
Bei der Technik nach Figur 2 kann bei sehr hohen Ziehgeschwindigkeiten beispielsweise von 1 m/min noch eine zusätzliche Störung auftreten, die eine Folge unkontrollierter Maschenkristallisation ist. Dabei erfolgt die Kristallisation des Schmelzfilms in den einzelnen Netzmaschen völlig individuell, und zwar vom Rand der Masche her. Da sich Silizium beim Erstarren ähnlich wie Wasser ausdehnt, kommt es hierbei im Zentrum der Masche zu Er- hebungen, sogenannten Pickeln, und das Siliziumband erhält eine rauhe Oberfläche, die bei der Weiterverarbeitung stört.In the technique according to FIG. 2, very high drawing speeds For example, an additional disturbance of 1 m / min may occur, which is a consequence uncontrolled mesh crystallization is. The crystallization of the takes place Melt film in the individual net meshes completely individually, from the edge the mesh. Since silicon expands like water when it solidifies, comes it is to be found in the center of the mesh. lifts, so-called pimples, and the silicon strip is given a rough surface during further processing disturbs.
Erfolgt dagegen die Kristallisation in der Masche kontrolliert, so lassen sich diese Pickel auf der Bandoberfläche vermeiden. Dies ist beispielsweise dann der Fall, wenn das Siliziumband unter Bedingungen gezogen wird, bei denen senkrecht zum Meniskus und zum entstehenden Siliziumband ein Temperaturgradient herrscht. Dieser läßt die Siliziumschmelze im oberen Bereich des Meniskus auf der kälteren Seite des Meniskus erstarren. Anschließend folgt dann die Erstarrung der Restschmelze mit einer Kristallisation senkrecht zum Band und im allgemeinen in der Art, wie sie für eine Maschenkristallisation üblich ist. Bei der Maschenkristallisation unter den genannten Bedingungen ist die zuerst erstarrende Siliziumbandoberfläche völlig glatt, die Rückseite dagegen im allgemeinen rauh, was für die Weiterverarbeitung des Siliziumbandes nicht störend ist.If, on the other hand, the crystallization in the mesh takes place in a controlled manner, then so you can avoid these pimples on the belt surface. This is for example then the case when the silicon ribbon is drawn under conditions where perpendicular there is a temperature gradient to the meniscus and to the resulting silicon band. This leaves the silicon melt in the upper area of the meniscus on the colder one Freeze side of the meniscus. This is followed by the solidification of the residual melt with a crystallization perpendicular to the ribbon and generally in the manner of it is common for mesh crystallization. In the case of mesh crystallization under The silicon strip surface which solidifies first is completely under the conditions mentioned smooth, the reverse is generally rough, which is good for further processing of the silicon tape is not bothersome.
Mit einer vorstehend beschriebenen Vorrichtung, beispielsweise mit der Vorrichtung nach Figur 1 läßt sich der Übergang von der kontrollierten zur unkontrollierten Kristallisation des Siliziumbandes leicht erkennen, so daß es mit Hilfe von Steuerungseinrichtungen möglich ist, Siliziumbänder mit der gewünschten Oberfläche und einer hohen Qualität zu ziehen. Dazu ist lediqlich die Oberfläche des kritischen Bereichs zwischen der Schmelze 24 und dem oberen Ende der Kristallisationszone 29 episkopisch auf das Band A abzubilden und eine fortlaufende Auswertung aufgezeichneter Bild in der Bildauswerteeinrichtung vorzunehmen. With a device described above, for example with the device according to FIG. 1, the transition from the controlled to the uncontrolled crystallization of the silicon ribbon can be easily recognized, so that it is possible with the aid of control devices to draw silicon ribbons with the desired surface and a high quality. For this purpose, only the surface of the critical area between the melt 24 and the upper end of the crystallization zone 29 has to be episcopically mapped onto the strip A and a continuous evaluation of the recorded images has to be carried out in the image evaluation device.
2 Figuren - Leerseite -2 figures - blank page -
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833335130 DE3335130A1 (en) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | Device for testing the surface of workpieces and application of the device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833335130 DE3335130A1 (en) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | Device for testing the surface of workpieces and application of the device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3335130A1 true DE3335130A1 (en) | 1985-04-11 |
Family
ID=6210304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833335130 Withdrawn DE3335130A1 (en) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | Device for testing the surface of workpieces and application of the device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3335130A1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5168322A (en) * | 1991-08-19 | 1992-12-01 | Diffracto Ltd. | Surface inspection using retro-reflective light field |
US5206700A (en) * | 1985-03-14 | 1993-04-27 | Diffracto, Ltd. | Methods and apparatus for retroreflective surface inspection and distortion measurement |
EP0216923B1 (en) * | 1985-03-14 | 1993-06-09 | Diffracto Ltd. | Diffractosight improvements |
-
1983
- 1983-09-28 DE DE19833335130 patent/DE3335130A1/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5206700A (en) * | 1985-03-14 | 1993-04-27 | Diffracto, Ltd. | Methods and apparatus for retroreflective surface inspection and distortion measurement |
EP0216923B1 (en) * | 1985-03-14 | 1993-06-09 | Diffracto Ltd. | Diffractosight improvements |
US5168322A (en) * | 1991-08-19 | 1992-12-01 | Diffracto Ltd. | Surface inspection using retro-reflective light field |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2256736A1 (en) | METHOD FOR AUTOMATIC SURFACE PROFILE MEASUREMENT AND DEVICE FOR PERFORMING THE METHOD | |
CH678196A5 (en) | ||
EP0225590A2 (en) | Method and device for determining variations in thickness or orientation within a web of optically active material | |
DE1910048A1 (en) | Method for indicating defects on the surface of a web and apparatus therefor | |
DE3335130A1 (en) | Device for testing the surface of workpieces and application of the device | |
DE2731947A1 (en) | CAMERA WITH DEVICE FOR RECORDING THE RECORDING LIGHT AMOUNT | |
DE4122149A1 (en) | ACCESSORIES AND CRYSTAL ELEMENT FOR INFRARED SPECTROSCOPY WITH DAMPERED TOTAL REFLECTION | |
DE2625951C3 (en) | Device for the detection of crystal defects | |
DE2812633C2 (en) | Method and device for non-contact, continuous measurement and monitoring of magnetic tracks on moving film tapes | |
DE3204295A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING SURFACE DEFECTS ON MECHANICAL PARTS, ESPECIALLY ON PARTS WITH A CURVED SURFACE | |
DE2816986C3 (en) | Arrangement for searching for errors on moving tapes | |
DE1173327B (en) | Arrangement for detecting and automatically adjusting the focus in a photographic device | |
EP0141392B1 (en) | Photographic roll printer with a threading device | |
DE2943170A1 (en) | PROCESSOR CAMERA | |
DE555016C (en) | Oscillograph | |
DE815895C (en) | Device in which film strips with a thickness of a few tens of microns are guided over non-toothed rollers when wet | |
DE3923275C2 (en) | ||
DE2557795C3 (en) | Process for the signal identity-conforming recording of optical data signals on a thermoplastic film | |
DE3104911C2 (en) | Tire testing device | |
DE702116C (en) | Device for the continuous recording and / or playback of endless optical sound films | |
DE606393C (en) | Method and device for copying photographic sound recordings | |
DE275989C (en) | ||
DE869462C (en) | Device for taking and playing back pictures | |
DE601594C (en) | Process and device for the production of negatives for sound films | |
DE698398C (en) | Sound film copier with shrinkage compensation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |