DE2702921A1 - SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH PROTECTIVE LAYER AND SOLUTION FOR PRODUCING THE PROTECTIVE LAYER - Google Patents
SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH PROTECTIVE LAYER AND SOLUTION FOR PRODUCING THE PROTECTIVE LAYERInfo
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Description
Halbleiterelement mit ocnutzschicnt sowie Lösung zur Herstellung aer SchutzschientSemiconductor element with ocnutzschicnt as well Solution for the production of a protective rail
L>ie i^rfirmung betrifft nalbleiterelemente mit einer Scnutzscniclit sowie eine l-iösung ^ur Herstellung einer solcnen Jchutzscnicht.The terminations apply to semiconductor elements with a protective edge as well as a solution for the production of such a protective layer.
iiisner sind ausgewählte freibele^te Überflächenbereiche von iialbleitereleiuenten mit elentrisch isolierenden Oxydmaterialien überzogen woruen. Üolche Überzüge sinu uünne Schienten, die praktiscn Keinen Wiaerstand gegenüber inecnaniscnem Abrieb haben und die eine relativ teure Ausrüstung für inre Aufbringung erfordern. In fast allen Fällen wurde daner ein zweiter und dickerer überzug aus einem ocnutzmaterial aufgebracht, um aas zuerst aufgebracnteThese are selected free-energy surface areas of conductive elements covered with electrically insulating oxide materials woruen. Such covers are thin splints that are practical Have no resistance to internal abrasion and the require relatively expensive equipment for internal deposition. In almost all cases a second and thicker coating was then used Made of an ocnutzmaterial applied to aas first burned up
7 0 9 ■') 3 5 / 0 6 TU7 0 9 ■ ') 3 5/0 6 TU
elektrisch isolierende Material zu schützen. Siliconfette, Lacke, Xautscnuke unu narze, die ais Decküberzug verwenuet wurden, naben sicn als nicht die geeigneten physikalischen eigenschaften aufweisend erwiesen.electrically insulating material to protect. Silicone greases, varnishes, Xautscnuke unu mars that were used as a top coat Not having the appropriate physical properties proven.
In der US-PS ~j> 615 913 ist das Aufbringen eines Überzuges aus einem gehärteten Material aus Polyimiden und Polyamiu-Polyiniiden besenrieben, uie auf die freigelegten ündteile mindestens eines P-N-Überganges aufgebracnt werden, um diesen zu passivieren. Obwohl diese Materialien gute Abriebsbeständigkeit aufweisen, ist üocn die Passivierung ues nalbleiterelementes durch diese Materialien verbesserungsbedürftig.In US-PS ~ j> 615,913 application is swept rubbing a coating of a hardened material of polyimides and Polyamiu-Polyiniiden, uie to the exposed ündteile at least one PN junction are aufgebracnt to passivate them. Although these materials have good abrasion resistance, the passivation of a semiconductor element by these materials is in need of improvement.
iiä werden derzeit in weitem umfange Oxyd/Glas-Scnichten zur Passivierung und iiinkapselung von nalbleiterelementen benutzt, wo es auf die Stabilität des Elementes unu eine lange Lebensdauer ankommt. \tienn die glasartige Schicht jedocn aufgebracht werden muss, nachdem eine Metallisierung mit Aluminium stattgefunden hat (letzteres ist eine weit verbreitete Anforderung), dann ist die Auswahl ues geeigneten Glases ernstlich beschränkt durch die maximal zulässige Aufbringtemperatur von etwa y(7°ü. Diese Temperatur wird durcn das Aluiuiniumsiliciumeutektikum bestimmt, und sie muss bei allen Behandlungsstufen nach der Aluminierung des SiIiciums sorgfältig beachtet werden. IIä are currently widely used oxide / glass layers for passivation and encapsulation of semiconductor elements, where the stability of the element and a long service life are important. If the vitreous layer has to be applied after metallization with aluminum has taken place (the latter is a widespread requirement), then the selection of a suitable glass is seriously limited by the maximum permissible application temperature of about y (7 ° above temperature is determined by the aluminum-silicon eutectic, and it must be carefully observed at all stages of treatment after the aluminizing of the silicon.
Derzeit sind verschiedene Methoden zum überziehen mit Glas in Gebrauch. Diese schliessen aas cnemiscne bedampfen, die Verwendung von Glasfritte und aufgesponnene glasbiluenue Alkonolate ein. bei dem letztgenannten Verfanren kann man nur senr dünne Schienten in aer Grössenordnung von ^uJO A aus Gläsern bilden, die menr als erwünscht reaktionsfänig sind und uie dauer beim Verpacken von DescnränKteiu Gebrauch sind. Glasfrilten weruen dagegen beim Verpacken in weitem Umfange angewendet, üblicherweise jedoch nicht zur Oberflächenpassivierung, da es scnwieri^ ist, solche Glas-Various methods of covering with glass are currently in use. These close aas cnemiscne steaming, the use of glass frit and spun glasbiluenue alconolates. in the latter case one can only use thin splints in the order of magnitude of ^ uJO A from glasses, the menr Are responsive as desired and can be used for a long time when packing discrete items. Glass frilts, on the other hand, are used Packaging has been widely used, but typically not for surface passivation, since it is easier to use such glass
709 /Ji)/ OG 3709 / Ji) / OG 3
•S.• S.
fx'itten wit einer an oilicium angepassten tnermiscnen Ausdennung zusammenzustellen, aie gleicnzeitig homogene und chemisch stabile Passivierungsmittel sind, Das cnemiscne bedampfen gestattet das Herstellen angemessener Dicken, eine weite Auswanl ninsicntlicn uer Zusammensetzung, des thermischen Ausdehnungskoeffizienten usw., docn gibt es ocnwierigkeiten bei aer ueherrscnung aer Uatriumverunreinigung in den zum cnemiscnen bedampfen benutzten Reaktoren, so dass es scnwierig ist, durcn uirektes ctiemiscnes bedampfen des Üiliciuius annehmbare Passivierungsscnicaten zu erhalten. Das cneiiiische beaarnpfen ist aaher üblicner^eise auf aas Aufbringen eines Decküberzu^es auf JiJ-. und Metallisierun^sscnicnten beschränkt. Keines der genannten Veri'anren wiru im t;et,enwärtigen £lntwieklunijsstanu für brauenbar an^esenen, ein zuverlässiges Passivieruncs/iiinkapsel-Verfanren für trosse Thyristoren una andere Lei3tunt,shalbleitei'elemente rzu liefern.fx'itten with a thermal design adapted to oilicium, which are at the same time homogeneous and chemically stable passivating agents, the cnemical steaming allows the production of appropriate thicknesses, a wide selection of the composition, the thermal expansion coefficient, etc., there are problems if there are no problems aerium contamination in the reactors used for chemical vapor deposition, so that it is difficult to obtain acceptable passivation scnicates by direct chemical vapor deposition of the silicon. The cneiiiische beaarnpfen is more common to the application of a cover over the jiJ-. and limited metallization. None of the above Veri'anren Wiru in t; et, enwärtigen £ lntwieklunijsstanu for brauenbar to ^ esenen a reliable Passivieruncs / iiinkapsel-Verfanren for hawser thyristors una other Lei3tunt shalbleitei'elemente to supply r.
liei-3teller von nalbleitereleriienten bevorzugen einfacne liinkomponentenmaterialien, die einfacn aui'cebracht unu an Ort unu Jtelle gehärtet weraen können, bei uer aerstellunti ailcemeiner rialbleiterelemente. Aussei't,ewönnliche Materialien, Auftra^uncstecnniken und liärtun^szyklen sowie Meiirfachüberzüije aus dem gleicnen oaer verscniedenen Materialien weruen nur in solchen Fällen benutzt, wo die Funktion dies erfordert unu/oder die Kosten keine Holle spielen.Line-3 plates of semiconductor-relievers prefer simple line-component materials, The simple aui'ce brought unu in place unu Jtelle Can be hardened, with external aerstellunti ailcemeiner semiconducting elements. Appearance, customary materials, application techniques and cycles of action as well as multiple overlaps from the same oaer Different materials are only used in such cases where the function requires it and / or the costs do not matter.
In der Uo-Po 3 7^0 30b ist uie Verwendung eines Heaktionsproduktes aus einem organischen Diamin, einem ortianiscnen Tetracarbonsäureuianhydrid und einem Polysiloxanaiamin in einem geeigneten organischen Lösungsmittel als Klebstoff zur Herstellung von Verbunamaterialien oeschrieben. In der Uo-Po 3 jdb ^i^O ist das gleiche Material als uielektrischer Überzug für Dränte bescnrieDen. Dieses Material nat sich innernalb eines vorbescnriebenen beix'icnes des oilicongei.altes als geeignet zum überzienen und Passivieren dex· Oberflächen von iiaibleitereleiuenten und aer freigelegten kUo-Po 3 7 ^ 0 30b describes the use of a reaction product of an organic diamine, an ortianic tetracarboxylic anhydride and a polysiloxane amine in a suitable organic solvent as an adhesive for the production of composite materials. In the Uo-Po 3 jdb ^ i ^ O the same material is used as a dielectric coating for wires. This material is of course suitable for coating and passivating the surfaces of conductive elements and the exposed surfaces within a previously described part of the oil icon
709 J J b / O6 3 4709 J J b / O6 3 4
von P-u-iibergängen erwiesen. Wenn dieses Material auf P-ii-übergänge aufgebracht wira, die bereits mittels tnermisch aufgewachsener Üxyuscnicnten passiviert sind, aann dient aieses Material ausseruent als wirksamer Schutz gegen überfläcnenionenverunreinigung zur Verringerung der Leckströme und aie Elemente ernalten eine verbesserte Leistungsfähigkeit.proved by P-u-transitions. If this material on P-ii transitions upset wira who have already grown up by means of tnermisch If they are passivated, this material is then used excellent as an effective protection against surface ion contamination to reduce leakage currents and remove all elements improved performance.
Ls ist daher eine AufgaDe der vorliegenden Erfindung, ein neues und verbessertes Material für Schutzüberzüge auf der Oberfläche von iialbleiterelementen zu scnaffen, aas ein Polyimid/Siloxan-Copolymer mit 15 bis ^O /» Silicondiamin sein soll.This is therefore an object of the present invention, a new one and to create an improved material for protective coatings on the surface of semiconductor elements, a polyimide / siloxane copolymer should be with 15 to ^ O / »silicon diamine.
Durcii uie vorliegende ^rfinaung wird ein neues und verbessertes ualbleiterelement mit einem Körper aus nalbleitermaterial und mindestens zwei uereicnen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps unu einem P-W-übergang, der durch die gegeneinanaerstossencien Oberflächen jedes Paares von iiereichen entgegengesetzten Leitfäiiigkeitstyps gebildet wird, geschaffen. Ein Endteil des mindestens einen P-iJ-Uberganges ist an einer Oberfläche des Körpers freigelegt. r,ine Schient aus schützendem Überzugsmaterial ist auf dem freigelegten miüteil des mindestens einen P-N-Überganges angeordnet. Dieses Material ist ein Reaktionsprodukt eines siliciumfreien organiscnen üiamins, eines organischen Tetracarbonsäuredianhyarias und eines Diaminopolysiloxans, wobei das Reaktionsprodukt wiederkehrenue Struktureinheiten der folgenden Forme 1The present refinement will be a new and improved one Semiconductor element with a body made of semiconductor material and at least two externally opposite conductivity types unu a P-W transition that pushes against each other Surfaces of each pair of rich, opposite conductivity types is formed, created. An end portion of the at least one P-iJ junction is on a surface of the body exposed. The splint is made of protective cover material on the exposed part of the at least one P-N junction arranged. This material is a reaction product of a silicon-free one organic diamine, an organic tetracarboxylic dianhyarias and a diaminopolysiloxane, wherein the reaction product Recurring structural units of the following form 1
IlIl
IlIl
-N R" I -NR " I
VVVV
IlIl
ItIt
IT!IT!
709 iJ 35/0634709 iJ 35/0634
mit 15 bis 4ü Mol-% interkcmdensierter ötruktureinheiten der Formelwith 15 to 4 mol-% intercondensed structural units of the formula
aufweist, wobei R ein zweiwertiger kunlenwasserstofi'rest, H1 ein einwertiger Kohlenwasserstoffrest, R" ein vierwertit;er organischer Rest, Q ein zweiwertige*" siliciumfreier organischer Rest ist, der der Rest eines organischen Üiaiuins ist, χ eine ganze Zanl von 1 bis H und rii und η ganze Zanlen cr^sser als I1 z.ü.where R is a divalent hydrocarbon radical, H 1 is a monovalent hydrocarbon radical, R "is a tetravalent; he organic radical, Q is a divalent *" silicon-free organic radical, which is the radical of an organic oil, χ a whole number from 1 to H and rii and η whole numbers c r ^ s ser as I 1 z.ü.
10 bis 10 000 ouer mehr sind.10 to 10,000 or more.
Wachi'olgend wird die nrfinaun^ unter Bezugnahme auf uie Zeicnnunc näner erläutert. Im einzelnen zeigen:The following is the nrfinaun ^ with reference to uie Zeicnnunc näner explained. Show in detail:
Figuren 1> ü unu J> üeitenansicnten im ocnnitt von Halbleiter-Figures 1> ü unu J> üeitenansicnten in the section of semiconductor
elementen, uie mit einem ocnutzUberzug ^,ernäss der voriirfinuunti versehen sind,elements, uie with an ocnutzcoat ^, wears the voriirfinuunti are provided
4 eine Draufsicht des Elementes der Fijjur i und4 is a plan view of the element of Fijjur i and
Figuren lj und 6 oeitenansicnten ira ocanitt von Teilen der iialb leitereleiiente. L j figures and 6 oeitenansicnten ira ocanitt of parts of the iialb leitereleiiente.
7 0 9 : η / 0 G 3 47 0 9: η / 0 G 3 4
-JS--JS-
In Figur 1 ist ein nalbleiterlement 10 bezeigt, das einen Körper 12 aus nalbleitermaterial aufweist. Dieser Körper 12 ist auf geeignete vieise, z.B. durch Polieren und Läppen, bis zur Parallelität der beiden gegenüberliegenden Oberflächen 14 und Ib zubereitet worden. Der Körper 12 weist zwei oder menr Bereiche entgegengesetzten Leitl'ähigkeitstyps und einen P-J-übergang auf, der durcii die gegeneinanderstossenden Oberflächen jedes Paares von Regionen entgegengesetzten LeitfähigKeitstyps gebildet wiru. Der Knuteil mindestens eines derp-N-Übergänge ist in einer Oberfläche des Körpers 12 freigelegt. Der Körper 12 besteht aus einem geeigneten Halbleitermaterial, wie Silicium, oiliciumcarbia, Germanium, einer Verbindung eines Elementes der Gruppe II und eines Elementes der Gruppe VI oder einer Verbindung eines Elementes der Gruppe III und der Gruppe V der Periodensystems uer Elemente.In Figure 1, a semiconductor element 10 is shown, which has a body 12 has nalbleitermaterial. This body 12 is suitable vieise, e.g. by polishing and lapping, up to parallelism the two opposite surfaces 14 and Ib prepared been. The body 12 has two or more areas opposite one another Conductivity type and a P-J junction passing through the abutting surfaces of each pair of Regions of opposite conductivity type are formed. Of the Part of at least one of the p-N junctions is exposed in a surface of the body 12. The body 12 consists of a suitable one Semiconductor material, such as silicon, oiliciumcarbia, germanium, a compound of a Group II element and an element of group VI or a compound of an element of group III and group V of the Periodic Table of the Elements.
Lediglich zur näheren Beschreibung der vorliegenden Erfindung wird davon ausgegangen, dass der Körper 12 in Figur 1 aus Silicium bestent, fünf Leitfähigkeitsbereiche und vier P-N-Übergänge aufweist. Ein derart ausgebildetes Element 10 kann als Thyristor wirken. Der Körper 12 hat daner Regionen 18 und 20 mit P-Leitfähigkeit, eine Hegion 19 mit P -Leitfänigkeit sowie Regionen 22, 24 und 26 mit N-Leitfänigkeit. P-N-Übergänge 28, 30, 32 und 34 werden durch die gegeneinanderstossenden Überflächen der jeweiligen Paare von Bereichen Ib und 20, 22 und 20, 20 und 24 sowie 20 und c'D entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp3 gebildet.Merely for the purpose of a more detailed description of the present invention, it is assumed that the body 12 in FIG. 1 is made of silicon, has five conductivity areas and four PN junctions. An element 10 designed in this way can act as a thyristor. The body 12 then has regions 18 and 20 with P conductivity, a region 19 with P conductivity and regions 22, 24 and 26 with N conductivity. PN junctions 28, 30, 32 and 34 are formed by the abutting surfaces of the respective pairs of regions Ib and 20, 22 and 20, 20 and 24 and 20 and c'D of opposite conductivity types3.
Ein Mittel zum Benerrschen des elektrischen Oberflächenfeldes auf einem solc.ien gesteuerten Gleichrichter bestent darin, der Seitenoberfläche 36 nacn uem Befestigen des teilweise behandelten Körpers 12 an einem grossflächigen Kontakt 3o mittels einer Schicht 40 aus einem geeigneten Lötmaterial mit Ohm'schem Widerstand eine geeignete Kontur zu geben. Elektrische Kontakte 42 und 44 werden an den entsprecnenden Bereichen 24 und 26 befestigt. Das Konturieren der Oberfläche 36 führt, wie dargestellt, zu derA means for controlling the surface electrical field a solc.ien controlled rectifier bests the side surface 36 after attaching the partially treated Body 12 on a large-area contact 3o by means of a layer 40 made of a suitable soldering material with ohmic resistance to give a suitable contour. Electrical contacts 42 and 44 are attached to the corresponding areas 24 and 26. The contouring of the surface 36, as shown, results in the
709335/0634 ORlGfNAL INSPECTED709335/0634 ORlGfNAL INSPECTED
"ti."ti.
bekannten Doppelkegeloberfläche. Ungeachtet des angewendeten Verfahrens sind ausgewählte Endteile mindestens einiger der P-N-Übergänge in der Oberfläche des Körpers 12 freigelegt. Es ist daher erforderlich, ein geeignetes Material aufzubringen, um die freigelegten Endteile der P-N-übergänge zu schützen.known double cone surface. Regardless of the applied In the process, selected end portions of at least some of the P-N junctions in the surface of the body 12 are exposed. It It is therefore necessary to apply a suitable material to protect the exposed end portions of the P-N junctions.
In Figur 2 ist ein Halbleiterelement 50 mit einer doppelt positiven Kegelstumpfkonfiguration gezeigt, um das elektrische Oberflächenfeld zu steuern. Alle mit den gleichen Bezugszahlen bezeichneten Teile der Figur 2 sind die gleichaiwie im Element 10 der Figur 1 und sie wirken in der gleichen Weise wie die entsprechenden Teile des Elementes 10. Mit der dagestellten Konfiguration wirkt das Element 50 als Thyristor. Unabhängig von dem Verfahren, das zum Steuern des elektrischen Oberflächenfeldes angewandt wird, sind ausgewählte Endteile mindestens einiger der P-N-übergänge an der Oberfläche des Körpers 12 freigelegt. Es ist daher erforderlich, ein geeignetes Material aufzubringen, um die freigelegten Endteile dieser P-N-übergänge zu schützen.In Figure 2 there is a semiconductor element 50 with a double positive Truncated cone configuration shown to control the surface electrical field. All with the same reference numbers designated parts of Figure 2 are the same as in the element 10 of Figure 1 and they act in the same way as the corresponding parts of the element 10. With the depicted Configuration, the element 50 acts as a thyristor. Regardless of the method used to control the surface electric field is applied, selected end portions of at least some of the P-N junctions on the surface of the body 12 are exposed. It is therefore necessary to apply a suitable material around the exposed end portions of these P-N junctions to protect.
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709035/0634709035/0634
EineSchicht ho aus scnützendem Überzugsn.aterial, wie ζ.ό. einem Polyimid/Silicon-Copolymer, ist auf mindestens der Oberfläcne 36 und aeiu freigelegten Endteil mindestens der P-N-Übergänge 2ύ und 30 aufgebracnt. Das schützenue Überzugsmaterial kann auf die überfläcne 36 als Polymervorläufer, gelöst in einem geeigneten Lösungsmittel, aufgebracht werden. Beim Erhitzen oaer durch Verdampfen bei Zimmertemperatur wird das schützende Uberzugsmaterial der Scnicnt kG an Ort und Stelle auf der Oberfläche 3b und dem Endteil mindestens eines P-N-Überganges polymerisiert. Vorzugsweise wird das Material der Schicht 46 auf aen ausgewänlten Oberflächenbereicn eier Oberfläche 36 des Körpers 12 als Lösung eines polymeren Zwischenproduktes aufgebracht. Dieses Aufbringen kann auf geeignete Weise erfolgen, wie Sprühen, Spinnen, bürsten, Siebdruck und in ähnlicher Art. Der Körper 12 mit dem aufgebrachten scnützenden Überzugsmaterial wird dann erhitzt, um das harzartige lösliche Polymerzwischenprouukt in ein genärtetes festes una selektiv unlöslicnes Material umzuwandeln.A layer of ho scnützendem Überzugsn.aterial as ζ.ό. a polyimide / silicone copolymer, is applied to at least the surface 36 and an exposed end portion of at least the PN junctions 2ύ and 30. The protective coating material can be applied to the surface 36 as a polymer precursor dissolved in a suitable solvent. When heating or by evaporation at room temperature, the protective coating material of the Scnicnt kG is polymerized in place on the surface 3b and the end part of at least one PN junction. Preferably, the material of the layer 46 is applied to a selected surface area of a surface 36 of the body 12 as a solution of a polymeric intermediate product. This application can be in any suitable manner such as spraying, spinning, brushing, screen printing and the like. The body 12 with the applied protective coating material is then heated to convert the resinous soluble polymer intermediate into a hardened solid and selectively insoluble material.
Das scnützende Überzugsmaterial aer Schicht 46 ist vorzugsweise eines, aas nach eiern närten eine ausgezeicnnete Haftung an der Oberfläche 36 aufweist. Weiter sollte aas Material eine gute Abriebsbestänaigkeit und bestänaigkeit gegenüber chemischen Reagenzien aufweisen, aie bei der weiteren Herstellung de3 Elementes 10 eingesetzt weraen.The protective cover material of layer 46 is preferred one thing that after eggs has an excellent adhesion to the Has surface 36. Furthermore, the material should have good abrasion resistance and have resistance to chemical reagents, aie in the further manufacture of the 3 element 10 are used.
Ein geeignetes Material für aie Schicht 46, aas die vorgenannten Anforderungen erfüllt, ist das Reaktionsprodukt eines Silicium-A suitable material for aie layer 46, aas the foregoing Requirements are met, the reaction product of a silicon
709035/0634709035/0634
- r-- r-
freien organischen Diamins, eines organischen Tetracarbonsäuredianhydriüs und eine3 Polysiloxandiamins, das ein Polymervorläufer ist, der in einem Geeigneten organischen Lösungsmittel löslich ist. beim närten erhält man ein Copolymer mit wiederkehrenden Struktureinheiten der folgenden Formel:free organic diamine, an organic tetracarboxylic acid dianhydride and a3 polysiloxane diamine which is a polymer precursor which is soluble in a suitable organic solvent. when quenching, you get a copolymer with recurring Structural units of the following formula:
ItIt
•N• N
R1 R 1
IlIl
N-N-
mit von 15 bis 40 MoI-/. und vorzugsweise 25 Dis j$5 Mol-/i interkonaensierter Struktureinneiten der Formel:with from 15 to 40 MoI- /. and preferably 25 disj $ 5 mol- / i interconated Structure units of the formula:
worin R ein zweiwertiger Kohlenwasserstoffre3t, R1 ein einwertiger
Kohlenwasserstoffrest, R" ein vierwertiger organischer Rest,
Q ein zweiwertiger siliciumfreier organischer Rest ist, der der Rest eines organischen Diamins ist, χ ein ganze Zahl mit einem
Wert von 1 bis 1I und m und η verschiedene ganze Zahlen grosser
als 1, z.ü. von 10 bis 10 000 oder menr, sind.where R is a divalent hydrocarbon radical, R 1 is a monovalent hydrocarbon radical, R "is a tetravalent organic radical,
Q is a divalent, silicon-free organic radical which is the radical of an organic diamine, χ an integer with a value from 1 to 1 I and m and η various integers greater than 1, e.g. from 10 to 10,000 or less.
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- ir -• /ft.- ir - • / ft.
Die üben genannten Dlockcopolymeren kühnen Derbes teilt weruen, inuem niari in den ricntiL,en molaren Anteilen eine Mischung von bestanuteilen unisetzt, aie ein Diaminoailoxan uer FormelThe practice named dlock copolymers boldly Derbes shares weruen, inuem niari in the ricntiL, en molar proportions a mixture of It is recommended to use a diamino ailoxane formula
IIIIII
eine Jiliciuin-i'reie DianiinoverbinuuhL; der Formela Jiliciuin-i'reie DianiinoverbinuuhL; the formula
sowie ein 'leti'acaruonaäureuiannyuriu uer Formelas well as a 'leti'acaruonaäureuiannyuriu uer formula
IlIl
IlIl
entliält, worin it, it1, Λ", tiaben.contains, in which it, it 1 , Λ ", tiaben.
ItIt
unu χ uie oben Lieiiaiinten i3eüeutunt;enUNU χ uie above Li EIIA iinten i3eüeutunt; s
L)U3 Poly iiuiu/Ji loxan, uas im Haniiien uer vorliegenden hirVindunk AnwenuunL, 1'inuet, bestent in. wesentlichen aus aen Imidostrukturen uer I1OrIiIeIn 1 unu II. bie bei uer Umsetzung, ues Luaminosiloxane, uoa oiliciuiü-freien or^aniacuen biamins unu ues Tetracarbonsäureuiannyui'ids entstenenuen Materialien haben jedocn eine Polyainicsäuresti'uktui1, uie aus JtruKtureinheiLen uer rollenden Formeln zusamiuenL,eüt;tzt ist; L) U3 Poly iiuiu / Ji loxan, uas in the Haniiien uer present hirVindunk application, 1'inuet, consisting essentially of aen imido structures oi I 1 OrIiIeIn 1 and II. In the case of our implementation, ues luaminosiloxane, uoa oiliciuiü-free or ^ Aniacuene biamins and tetracarboxylic acid materials, however, have a polyainic acid structure 1 , which is made up of structural units and rolling formulas;
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.Q.Q
-ve--ve-
N -·N -
HOOC COOHHOOC COOH
IlIl
r Di r Tue
IlIl
-c--c-
HOOC COOH HOOC COOH
worin K, Λ', K", *i, χ, ία unu η uie eben genannten bedeutun^en haben.where K, Λ ', K ", * i, χ, ία and η have the meanings just mentioned.
Die ^aminosiloxane aev l'Orruel III, uie in uer vorlie£;enaen Erfinüunij Verwenuung i'iiiuen können, scnliessen Veroindun^en der folgenden Foi-ineln ein:The aminosiloxanes aev l'Orruel III, which can be used in their present form, include compounds of the following foi-inles:
CH-CH-
CH,CH,
ι 3 Γ3 ι 3 Γ 3
H2N (CH2)3 Si 0 Si (CH2)3 NH2 ;H 2 N (CH 2) 3 Si 0 Si (CH 2) 3 NH 2;
CH,CH,
CHCH
CH.CH.
CIl,CIl,
(CH.(CH.
S
CHS.
CH
I J I J
1 U ο 11 U ο 1
(CH2 )4 NH2 (CH 2 ) 4 NH 2
CH,CH,
3 33 3
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-M--M-
CAH<; CAHS C A H <; C A H S
j 6 5 Ij 6 5 I.
Si O — Si —Si O - Si -
C6H5 C6H5 C 6 H 5 C 6 H 5
•NH• NH
CHCH
H2N-(CH2)4—Si—0—Si —(CH2)4-CH C6H5 H 2 N- (CH 2 ) 4 -Si-O-Si - (CH 2 ) 4 -CH C 6 H 5
-NH-NH
sowie ähnliene Verbindungen.and similar compounds.
Die Diamine uer obigen Formel IV sind bekannt und in grodseiii Ausmass im uandei ernältlich. oeiapiele Tür Diaiuine, von denen das Vorpolymer ner^estellt weruen kann, sind aie folgenaen:The diamines under formula IV above are known and to a great extent im uandei serious. oeiapiele door diaiuine of which the A prepolymer that can be produced includes the following:
m-Phenylenaiaruin, p-Phenylendiaiiiini 4, il'-Diaminouipneny lpropan, k ,k '-Ldaminodipnenyliuelhan (nacni'ol^enu als "Ketnylenuianilin"m-Phenylenaiaruin, p-Phenylendiaiiiini 4, il'-Diaminouipneny lpropane, k, k '-Ldaminodipnenyliuelhan (nacni'ol ^ enu as "Ketnylenuianilin"
beüeicnnet), benzidin,beüeicnnet), benzidine,
k,4'-Diaminodipnenylsuiriu, 4,4' -Diarninodipaenylsuli'on, k , 4'-Diaminodipnenylsuiriu , 4,4'-Diaminodipaenylsuli'on,
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'*, V -üianiitiOuipnenylätiier, 1 ,ij-biaiuinophtnalien; 3, 31 -Dimethylbenzidin, 3,3' -Diraetnoxybenuid in, d, ^-iiis (ii-ariiino-t-buty 1) toluol, L>i3 (p-ß-aiiiino-t-butylpnenyl)ätner, (p-ii-iiietriyl-o-aminoperity 1 )beti^ol'*, V -üianiitiOuipnenylätiier, 1, ij-biaiuinophtnalien; 3, 3 1- dimethylbenzidine, 3,3 '-diraetnoxybenuid in, d , ^ -iiis (ii-ariiino-t-buty 1) toluene, L> i3 (p-ß-aiiiino-t-butylpnenyl) ether, (p -ii-iiietriyl-o-aminoperity 1) beti ^ ol
1,2-üis ( j-ai.iinopropoxy ),'ithan , in- Xy Iy 1 enai aiuin,1,2-üis (j-ai.iinopropoxy), 'ithan, in- Xy Iy 1 enai aiuin,
p-Xyly lendiaiiiiii,p-Xyly lendiaiiiiii,
η id ('(-an.itiocyclonexyljmetnari,η id ('(-an.itiocyclonexyljmetnari,
3-Methylheptaii.etnyleriuiaiuin, *4, 'I-Diinetiiylneptaiiietnylendiaiain, 2 ,11-üouecandiaii.in, 'c ,ίί-Dime thy !propylendiamin, üctametny leridiaiiiin, 3-Methoxynexametliylendiamin, 2 , 'j-Dimethy lnexamethylendiamin, 2, b-üiniethy lheptaiaethylenuianiin, 3-MethyIneptamethy lendiamiη, 5-Methylnonamethylenuiamin, 1, ^-Cyclonexahdiaiuin, 1,12-Uctaüecandiamin, uis ( 3~aminopropy 1 )sull"id, W-Methy1-bia(3~amiropropy1)amin, liexamethylendiamin > iieptametnylenaiamin, Nonamethylendianiin3-Methylheptaii.etnyleriuiaiuin, * 4, 'I-Diinetiiylneptaiiietnylendiaiain, 2, 11-üouecandiaii.in, ' c , ίί-Dime thy! Propylenediamine, üctametny leridiaiiiin, 3-Methoxynexametliylenediamine, 2 , 'j-dimethylenediamine, 2,' j-dimethylenediamine -üiniethy lheptaiaethylenuianiin, 3-MethyIneptamethy lendiamiη, 5-Methylnonamethyleneuiamin, 1, ^ -Cyclonexahdiaiuin, 1,12-Uctaüecandiamine, uis (3 ~ aminopropy 1) sull "id, W-Methy1-bia (3 ~ aminendiamin >) iieptamethylenedianiine, nonamethylenedianiine
sowie deren Mischungen, iis können neben den vorgenannten aelbstverstänulicn noch anuei-e Diamine i i.i Haumen uer vorlie^enuen lir-[T eingesetzt weroen.and their mixtures, in addition to the aforementioned, can be self-explanatory still anuei-e diamines i i Haumen uer available lir- [T used weroen.
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Die 'ietracaruonsäuredianayuriue aer Formel V können weiter uaain- ^eiiena dei'iniert weruen, ua3s H" ein vi.erwei'tij/er rtest i:st, z.ij. ein liest, aer· abgeleitet ist von einer aroi,.atijenen Gruppe, die minuestens 3ecns uonlenatulTatoiue entaält una uurca eine benzolarti^e Uri[;e3ätti(_;tneit cnaruKteriaiert iat, wobei jeue uer vier Carbonylci'uppen ues üiannyuriua an ein separates i\.onlenstorfatoi;i in ueiu vierwertij_,en Heat gebunden iöt, uie Car-bonyi^rap|>en in Paaren vorliegen, in denen aie Gr'uppen in jeaein Paar an benacnbai'te Koiilenstoi'fatome ues K"-Hesteü oder an KonlentitoiTatoiae im H"-Het3t t_,ebunuen sina, uie nöcnstens ein nonitnstofi'atoiu voneinander entl'ernt sind, ui.i einen 5- oder u-L.lieui-iLen Hin^ uer ioi-[,eriuen Forineln zu scnaiTeri:The 'ietracaruonsäuredianayuriue aer Formel V can also include ^ eiiena dei'iniert weruen, ua3s H "a vi.erwei'tij / er rtest i: st, z.ij. a reads, aer · is derived from an aroi, .atijenen group, the At least 3ecns uonlenatulTatoiue contains una uurca a benzolarti ^ e Uri [; e3ätti (_; tneit cnaruKteriaiert iat, whereby each uer four Carbonylci'uppen ues üiannyuriua to a separate i \ .onlenstorfatoi; i in ueiu vierwertij_, en Heat bound iöt, uie Car-bonyi ^ rap |> en in There are pairs in which each group in each case benefits from one pair Koiilenstoi'fatome ues K "-Hesteü or an KonlentitoiTatoiae im H "-Het3t t_, ebunuen sina, uie at most a nonitnstofi'atoiu from each other are removed, ui.i a 5- or u-L.lieui-iLen Hin ^ uer ioi - [, eriuen Formula for scnaiTeri:
00000 000000 0
It μ H Μ Ί l'It μ H Μ Ί l '
C 0 C ; C 0 C oatr C 0 CC 0 C; C 0 C oatr C 0 C
Λ U-L-J- Uc- Λ ULJ- Uc-
/ ι/ ι
odei' der eine solcne aroiuatiscne Gi'Upi>e entnült.odei 'who drains a solcne aroiuatic Gi'Upi> e.
i'ui' uie Diannyuriue, uie iiu itaniuen uer vorliegenden i'inuunc ein^eaetzt weruen können, oinu uie Tul^enuen:i'ui 'uie Diannyuriue, uie iiu itaniuen uer present i'inuunc a ^ eaetzt weruen, oinu uie Tul ^ enuen:
Pyromellitnoäureuianhyurid (PMLA),Pyromellitnoäureuianhyurid (PMLA),
<ί,),ϋ, 7-Napntnalintetracaroonsäurediannyuriu; 3, b ' , ^ j ^ ' -Uipnenylteti'acarbonsäurediannydriu , 1,2 , -j , tj-Naphthaliritetracarbonsäureuianhyuriu , ^ j^'j 3,3'-Diphenyltetracarbcnaäureuiannyuriu, ^,t!-uis( $,4-uicarboxypnenyl)propandianhydi<iu, bis(3> Ί-αίcarboxyphenyl)suliondiannycriu, 2,2-üisf4-(j,4-uicarboxypnenoxy)phenyl! propanuiannydrid (HPA-Dianhyurid),<ί,), ϋ, 7-Napntnalintetracaroonäurediannyuriu; 3, b ' , ^ j ^'-Uipnenylteti'acarbonsäurediannydriu, 1 , 2 , -j , tj-Naphthaliritetracarbonsäureuianhyuriu, ^ j ^ 'j 3,3'-Diphenyltetracarbcnaäureuiannyuriu, ^, t! -Uis ( $ , 4-uicarboxypnenyl) propandianhydi < iu, bis (3> Ί-αίcarboxyphenyl) suliondiannycriu, 2,2-üisf4- (j, 4-uicarboxypnenoxy) phenyl! propanol anhydride (HPA dianhyuride),
^-(2, j-aicarboxypaenoxy )pneny ljpropanuianaydriu ; ^ - (2, j-aicarboxypaenoxy) pneny ljpropanuianaydriu ;
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Lenzophenoncetracarbonsüureuianhyux'id (ι^ΡϋΛ} , Perylen-1 , <: ,7,o-tetracarbonsäurediannydrid, uis( 3, 4-uicai'boxypnenyl )ätneruiannydriu, und .iis (3,4-dicarboxypnenyl)metnandiannyurid sowie alipnatische Annyariue, wie Cyclopentautetracaruonoäurediannyurid, (Jyclonexantetracarbonsäurediannydriu, Jutantetracarbonsäureuianhydrid usw. Der einbau anderer Anhydride, wie i'rimellithsäureannydrid, um Amid/imiu/öiloxan-Polymere herzustellen, ist nicnt ausgeschlossen.Lenzophenoncetracarbonsüureuianhyux'id (ι ^ ΡϋΛ}, Perylene-1, <:, 7, o-tetracarboxylic acid diannydride, uis (3, 4-uicai'boxypnenyl) ätneruiannydriu, and .iis (3,4-dicarboxypnenyl) metnandiannyuride as well as aliphatic Annyariue, such as Cyclopentautetracaruonoäurediannyurid, (Jyclonexanetetracarboxylic acid diannydride, jutanetetracarboxylic acid anhydride etc. The incorporation of other anhydrides, such as i'rimellitic anhydride, to produce amide / imiu / oiloxane polymers, is not excluded.
Das Aurbrin^en eier lilockcopolymeren oder Mischungen von PoIylueren in einein geeigneten ijösun^diuittel, das z.a. N-^ethyl-i?- pyrrolidon, n ,lJ-Diinetnylacetaniin und W, N-Dimethyl formamid einschliesst, allein oder in Kombination mit liicntlösunjsmitteln auf das oubstratmaterial kann auT üblicne v^eise eri"ol[jen, wie durcn eintauchen, oprünen, Anstreichen, Aui'spinnen usw. Die dlockcopolymeren oder Mischungen von Copolymeren können in einer anfänglichen ueizstufe bei Teiiiperaturen von 7u bis 1^0°C für eine ausreichende Zeit, näufi^, unter Vakuum, zur beseiti^unc ues Lösungsmittels c&trocKnet weraen. Dann wird die Polyamicsäure in das entsprechende Polyimiu/oiloxan durcn Li-hitzen auf Temperaturen von l!;ü bis 300 C für eine ausreichende Zeit umgewandelt, um die Polyixiiidstruktur und abschliesserme aärtunc zu ernalten.Brin ^ en egg lock copolymers or mixtures of polymers in a suitable ijösun ^ diumittel, the za N- ^ ethyl-i? -Pyrrolidone, n , lJ-Diinetnylacetaniin and W, N-dimethyl formamide, alone or in combination with liicntlösunjsmittel The substrate material can also be produced in the usual way, such as by dipping, spraying, painting, spinning, etc. Sufficient time to remove and dry the solvent under vacuum, then the polyamic acid is converted into the corresponding polyimiu / oiloxane by heating to temperatures of 110 ° to 300 ° C. for a time sufficient to reduce the temperature Polyamide structure and final terms aärtunc to maintain.
bevorzugter närtunj_,szyklus für Matex'ialien der obicen Koriiiel ist der folgende:Preferred närtunj_, s cycle for materials of the obicen Koriiiel is the following:
(a) 15 bis jiO Minuten auf 13^ bis IdO0C in trockenem Stickstoff,(a) from 15 to jio minutes to 13 ^ to the ITE 0 C in dry nitrogen
(b) 15 bis υθ Minuten auf lob + 10 C in trockenem LJticKstoff, una(b) 15 to ½ minutes at + 10 ° C in dry cloth, etc.
(c) 1 bis 3 stunden auf etwa ad-j C im Vakuum.(c) 1 to 3 hours at about ad-j C in a vacuum.
Man kann jedocn die iiilrtun^ des Überzugsmatex-ials auch in anderen Atmosphären, wie z.H. in Luft, ausfünren, was die kommerzielle Anwendung der vorliegenden iirfindunt; erleicntert.One can jedocn the iiilrtun ^ of Überzugsmatex-IALS in other atmospheres such as the attention to air, ausfünren what the commercial application iirfindunt the present; enlightened.
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- να -- να -
Im besonderen wurue eine Lösung ues Polymervorläufers in Forin der Polyamicsäure, gelöst in iJ-Methylpyrroliuon, mit 2Lj Gew.-% Feststoffgehalt folgendermassen zubereitet:In particular, a solution ues polymer precursor wurue Forin in the polyamic acid dissolved in IJ Methylpyrroliuon, j with 2 L wt - prepared as follows% solids.:
In ein mit Stickstoff gespültes rteaktionsgefäss gab man die folgenden bestandteile:The following were placed in a reaction vessel flushed with nitrogen Ingredients:
2fj g H-toethyl-2-pyrroliaon,
10,6 g l,3-Bis(.T-aniinopropyl)tetraii.ethyluisiloxan und
34,6-j g Methylendianilin.2 f jg H-toethyl-2-pyrroliaon,
10.6 gl, 3-bis (.T aniinopropyl) tetraii.ethyluisiloxan and 34, 6-j g methylenedianiline.
Die Keaktionsmischung wurde gerührt, bis man eine ausreichend homogene Mischung erhalten hatte. Dann gab man zu der Miscnung kO,3 g üenzopnenontetracarbonsäureüiannycu'id unter fortwänrendem Hühren hinzu. Um eine homogene Flüssigkeit zu erhalten, setzte man das Rühren für weitere ό Stunden fort. Die Flüssigkeit war sehr harzartig und die Länge aer Künrzeit sicherte eine vollständige Umsetzung der chemischen bestandteile.The reaction mixture was stirred until a sufficiently homogeneous mixture was obtained. Then 0.3 g of zopnenon tetracarboxylic acid was added to the mixture while stirring continuously. In order to obtain a homogeneous liquid, the stirring was continued for a further ό hours. The liquid was very resinous and the length of the Künr period ensured complete conversion of the chemical components.
Auf die Überfläche 3d wurde ausreichend Material aufgebracnt, um eine Schicht ^c zu schaffen, deren Dicke im Bereich von 1 bis lüO /um liegt. Die Miniiualdicke ist durch das Erfordernis bestimmt, dass das gehärtete Material das Kindringen der Umgebungsfeuchtigkeit und von Natriumionenverunreinigung uurch die Schient 46 zum Silicium der überfläcne 36 vernindern und der Oberfläcne 3b einen guten Schutz gegen Zerstörung durch Abrieb verleihen muss. Wurde die Scnicht als Decküberzug von üxyd-passivierten Elementen benutzt, dann gibt die Minimaldicke die notwendige räumliche Isolierung zwischen der überflächenionenverunreinigung und dem darunter liegenden P-W-Übergang.Sufficient material was applied to the surface 3d in order to to create a layer ^ c whose thickness ranges from 1 to lüO / um lies. The minimum thickness is determined by the requirement that the hardened material wrestles with the ambient moisture and sodium ion contamination through the rail 46 to the Reduce silicon of the surface 36 and the surface 3b one must give good protection against destruction by abrasion. If the surface was not used as a top coat for oxide-passivated elements, then the minimum thickness gives the necessary spatial isolation between the surface ion impurity and that below lying P-W transition.
bis ist zweckmässig, das Material des Überzuges 46 als Polymervorläufer auf die Oberfläche 36 aufzubringen. Dieser Polymervorläufer bestent aus einem harzartigen Material in einem geeigneten Lösungsmittel. Es wurde festgestellt, dass eine Konzentration vonbis is expedient to use the material of the coating 46 as a polymer precursor to be applied to the surface 36. This polymer precursor best of a resinous material in a suitable solvent. It was found that a concentration of
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.11..11.
10 bis 40 Gew.-* ues Polymervorläufer3 in der Lösung für ualbleiter geeignet ist. Vorzugsweise weist die Polymervorläuferlösung 20 bis 40 % harzartige Feststoffe auf.10 to 40% by weight of polymer precursor3 in the solution is suitable for semiconductors. Preferably the polymer precursor solution has 20 to 40 percent resinous solids.
In den Figuren 3 und 4 ist ein Halbleiterelement 110 gezeigt, welches das polymere Material der vorliegenden Erfindung aufweist. Das Clement 110 weist einen Körper 112 aus lialbleitermaterial auf. Dieser Körper 112 ist auf geeignete Weise, wie durch Polieren und Läppen der beiden gegenüberliegenden Oberflächen 114 und 116 bi3 zur Parallelität zubereitet worden. Der Körper 112 weist drei Bereiche 118, 120 und 122 abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps auf. Der Bereich 122 kann die gleiche Leitfänigkeitsart wie die beiden Bereiche 124 und 126 naben, jedoch einen anderen spezifischen Widerstand. Durch die gegeneinander tossenden Oberflächen der jeweiligen Bereicne 118 und 120 sowie 120 und 124 mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp werden die P-N-Übergänge 128 und 130 gebildet. Das abgebildete Element 110 soll als Transistor wirken, bei dem der Bereich 118 der Emitter, der Bereicn 120 die Basis und der Bereich 122 der Kollektor ist.In Figures 3 and 4, a semiconductor element 110 is shown which comprises the polymeric material of the present invention. The clement 110 has a body 112 made of semiconductor material. This body 112 is in a suitable manner, such as by polishing and lapping the two opposing surfaces 114 and 116 bi3 been prepared for parallelism. The body 112 has three regions 118, 120 and 122 of alternately opposite conductivity types on. Area 122 can have the same conductivity type as the two areas 124 and 126, but different specific resistance. Because of the surfaces rushing against each other of the respective areas 118 and 120 as well as 120 and 124 with opposite conductivity types become the P-N junctions 128 and 130 formed. The depicted element 110 is intended to act as a transistor in which the area 118 is the emitter, the area 120 the Base and area 122 is the collector.
An den Bereichen 118, 120 und 122 werden die elektriscnen Kontakte 132, 134 bzw. 136 angebracht, die als emitter-, ßasis- und Kollektorkontakte wirken. Eine Schicht 13Ö aus thermisch aufgewachsenem Oxyd, z.B. Siliciumdioxyd, oder einem aufgebrachten Überzug, wie aus Aluminiumoxyd, Siliciumnitrid, Aluminiumnitrid und ähnlicnem Material, wird auf dem Rest der Oberfläche 114 angeordnet. In dem Körper 112 wird eine elektrische Isolationsrille 140 gebildet, die sich von der oberen Oberflacne 114 nach unten durch den Bereich 120, über den P-N-übergang I30, durcn den Bereich 124 in den Bereich 126 erstreckt. Die Kille 140 in dem äußeren peripheren Teil des Elementes hilft die elektrischen Eigenschaften des Elementes 110 zu beherrschen. Auf die Oberflächen der Rille 140 ist Polymermaterial 142 aufgebracht.The electrical contacts are made in areas 118, 120 and 122 132, 134 and 136 attached, which are used as emitter, base and Collector contacts work. A layer 130 of thermally grown Oxide, e.g. silicon dioxide, or an applied coating such as aluminum oxide, silicon nitride, aluminum nitride and similar material, is placed on the remainder of the surface 114. An electrical isolation groove is formed in the body 112 140, which extends from the upper surface 114 downwards through the area 120, via the P-N junction I30, through the area 124 extends into area 126. The groove 140 in the outer peripheral part of the element helps the electrical properties of element 110 to master. Polymer material 142 is applied to the surfaces of the groove 140.
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-w--w-
In Figur b> ist das clement llü als NPN-Transistor gezeigt, wobei das Material üer Schient 46 sicn als ausgezeichnetes Mittel zur stabilisierung der elektrischen Eigenscnaften erwiesen nat. beim betrieb sinu mobile Natriumionen als Verunreinigung auf uer Oberi'läche 144 einer Passivierungsschicnt 13ö aus Siliciumaioxya vorhanden, wie uurch die Pluszeichen angedeutet ist. Die Scnicht lj>b hat eine ungefähre Dicke von 3000 A. Als Ergebnis der Anwesenheit der mobilen Natriumionen wird die bildung aes Kanales 142 in dem P-ßereich 142 von aeru bereich 120 übei' den ?-ri-Übergano liiä durch den bereich llü bis zur Oberfläcne 114 induziert. Infolgeuessen weist das Element 110 einen hohen Leckütrom und eine geringe irreversible Durcnbrucnsspannung auf.In FIG. 8, the element 11 is shown as an NPN transistor, with the material used for the rail 46 having proven to be an excellent means of stabilizing the electrical properties. During operation, mobile sodium ions are present as an impurity on the outer surface 144 of a passivation layer 13ö made of silicon dioxide, as indicated by the plus signs. The notch lj> b has an approximate thickness of 3000 A. As a result of the presence of the mobile sodium ions, the formation of a channel 142 in the P area 142 from aeru area 120 via the? -Ri transition o liiä through area llü induced up to the surface 114. As a result, the element 110 has a high leakage current and a low irreversible breakdown voltage.
Wird, wie in der Figur υ dargestellt, eine dünne Scnicnt 146 aus dem oben bescnriebenen polymeren Material aufgebracht, das bereits die Schient 46 aes Elementes 10 in Figur 1 bildete, uann ist die Wirkung der mobilen Natriumionen beträcntlich vermindert. Die Dicke der Schicht 146 kann wie die der Scnicht 46 von 1 bis 100 /um variieren. Der Leckstrom ist im Vergleicn zum nicnt überzogenen Element senr gering unu die Durchbruchsspannung auf tnear als das Doppelte ernöht. Es wiru angenommen, dass aas Material aer Scnicnt 146 einige der mobilen Ionen unbeweglich macht und den Kest deplaziert, indem sie für einen weiteren Abstana von der Überfläche 114 des Elementes 110 sorgt, als in Figur 5 vorhanden ist.As shown in FIG. 1, a thin section 146 is made applied to the polymeric material described above, which is already the rail 46 of aes element 10 in Figure 1 formed, uann is the Effect of mobile sodium ions considerably reduced. the The thickness of the layer 146, like that of the layer 46, can vary from 1 to 100 µm. The leakage current is in comparison to the non-coated one Element is low and the breakdown voltage is increased to tnear than twice. It is believed that the material aer Scnicnt 146 immobilizes some of the mobile ions and displaces the kest, by providing a further spacing from the surface 114 of the element 110 than is present in FIG.
Andere Vorteile der Verwenuung aes Materials der Schient 146 sind bereits erwännt worden. So kann das gehärtete polymere Material Temperaturen von etwa 4^ü C widerstehen. Dies ermöglicht es, das Element 110 vor der Montage und aem Anbringen der Zuleitungen zu passivieren. Das element 110 ist daher während üer relativ schmutzbringenden Verarbeitungsstufen vor Verunreinigung geschützt.Other advantages of using any material of the splint 146 are has already been mentioned. The hardened polymeric material can withstand temperatures of around 4 ° C. This enables that Passivate element 110 prior to assembly and attachment of the leads. The element 110 is therefore relatively dirt-causing during overuse Processing stages protected from contamination.
Es wird aucii angenommen, dass der Siliconteil aes Copolymers als uaftungsföraerer wirkt, es können aaner sehr geringe Mengen davonIt is also assumed that the silicone part is a copolymer as uaftungsföraerer works, there can be very small amounts of it
7 0 9 Γ. 3 5 / 0 6 3 U 7 0 9 Γ. 3 5/0 6 3 U
- kr -- kr -
genügen und der molare Anteil des Siloxans iiu Polymer braucht nur etwa Lj μ zu betragen.suffice and the molar proportion of the siloxane iiu polymer only needs to be about L j μ .
Um die vorliegende Erfindung zu veranschaulichen, wurden Leistungstransistoren für hohe Spannung nach der Planartechnologie zubereitet. Die Transistorkonfiguration, die in den Figuren 3 und k veranscnaulicht ist, ist eine Mesakonfiguration, bei der der Übergang zwischen Kollektor und basis an der Oberfläche eines geätzten Grabens freigelegt ist. Diese Transistoren werden durcn Aufbringen der Polymervorläuferlösung selektiv in dem Grabenbereich zum überziehen des freigelegten oiliciums passiviert. Eine Lösung aes Polymervorläufers in Form der Polyamicsäure, gelöst in W-MethyI-2-pyrrolidon mit 25 Gew.-;* Feststoff genalt wurde auf die Oberfläche jedes Körpers aufgebracht, in der Endteile von P-W-übergängen freigelegt waren.To illustrate the present invention, high voltage power transistors were prepared using planar technology. The transistor configuration which is shown in FIGS. 3 and k is a mesa configuration in which the transition between collector and base is exposed on the surface of an etched trench. These transistors are selectively passivated by applying the polymer precursor solution in the trench area to coat the exposed oil. A solution of a polymer precursor in the form of polyamic acid, dissolved in W-methyl-2-pyrrolidone at 25% by weight, was applied to the surface of each body, in which end portions of PW transitions were exposed.
Die Polymervurläuierlösung war hergestellt worden durch Umsetzen von Benzophenontetracarbonsäuredianhyarid mit Metnylendianilin und iiis(y-aminopropyl)tetramethyldisiloxan, wobei die beiden letztgenannten Diamine im molaren Verhältnis von 70 : 30 eingesetzt worden waren. Die Umsetzung wurde b^i einer Temperatur von weniger als bO 0C ausgeführt und es wurden au3reicner.d gereinigte und getrocknete Materialien eingesetzt, um die Bildung eines hochmolekularen Polymers zu begünstigen.The polymer curl solution had been prepared by reacting benzophenone tetracarboxylic dianhyaride with methylenedianiline and iiis (γ-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, the latter two diamines having been used in a molar ratio of 70:30. The reaction was carried out at a temperature of less than 0 ° C. and cleaned and dried materials were used to promote the formation of a high molecular weight polymer.
Das schützende Überzugsmaterial wurde in drei iteizstufen genärtet. Jedes überzogene Element wurde zuerst für 20 Minuten auf eine Temperatur von lyj ± lj°C in einer Atmosphäre trockenen Stickstoffgases ernitzt. Danacn erhöhte man die Temperatur auf Ib5 + 5°C und die Elemente wurden bei dieser Temperatur in trockenem Stickstoff für 30 Minuten gehalten und dann noch mindestens eine Stunde bei 223°C im Vakuum.The protective cover material was hardened in three heating stages. Each coated element was first heated for 20 minutes at a temperature of ly ± 1 ° C. in an atmosphere of dry nitrogen gas. The temperature was then increased to Ib5 + 5 ° C and the elements were kept at this temperature in dry nitrogen for 30 minutes and then for at least one hour at 223 ° C in a vacuum.
Eine Untersuchung der gehärteten überzüge zeigte, daß sie klar und blasenfrei waren. Alle Elemente wurden auch elektrisch ge-Examination of the cured coatings showed them to be clear and were free of bubbles. All elements were also electrically
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prüft. Die überzogenen Elemente zeigten Hervorragende elektrische Eigenschaften. Messungen des LecKstromes in Sperrichtung und uie Durcnbruchsspannung von basis zu KolleKtor (BV . . ) ergaben reproduzierbare werte von etwa oüü Volt, die sicn aem theoretiscnen κ/ert annänerten, der Tür das 20 - 4ü Oiiii.-cm η -Material zu erwarten war·. Dies zeigt, dass aer Durcnbruch uurch uie Masse des Elementes erfolgte und kein überi'läcnenaurciibruch war. ueckströme unter Sperrspannungsbeuingungen bei Spannungen nahe der Durchbruchsspannung betrugen 1 Mikroaiiipere bei Zimmertemperatur (Kollektorbereicn ungefähr 0,4 cm^).checks. The coated elements showed excellent electrical properties Properties. Measurements of the leakage current in the reverse direction and uie Breakdown voltage from base to collector (BV..) Resulted in reproducible values values of about 100 volts, which are aem theoretical κ / ert agreed to expect the 20 - 4ü Oiiii.-cm η -material for the door was ·. This shows that the breakthrough is caused by the mass of the Element took place and there was no superficial breakdown. return currents under reverse voltage conditions at voltages close to the breakdown voltage amounted to 1 micro-particles at room temperature (collector area about 0.4 cm ^).
Im Gegensatz uazu zeigten ähnlicne Elemente, uie jedoch keinen Schutzüberzug; (_,eniäss uer vorlie^enaen Lriinaun^; aufwiesen, einen Leckstrorn in operrichtun^ von etwa 0,1 Milliampere bei einigen aundert Volt und einen Durchbruch irreversibel bei Spannungen von 200 bis 400 Volt.In contrast, similar elements showed none, but none Protective cover; (_, eniäss uer vor ^ enaen Lriinaun ^; exhibited, a Leakage current in the operating direction of about 0.1 milliamperes in some one hundred volts and a breakthrough irreversible at voltages of 200 to 400 volts.
Die Dielektrizitätskonstante aes gehärteten Materials aes Überzuges 46 betrug j>,0. Die aielektriscne Festigkeit war 400 Volt pro Mikrometer iür eine MaterialaicRe von 2 >k /uni. Der spezifische diderstana des genärteten Materials betrug 10 Ohm-cm bei 25°C. Die Oberfläcnenladung des genärteten Materials betrug l,ö χ 10 pro cn» ur.a war positiv.The dielectric constant of the cured material of the coating 46 was j> 0.0. The electrical strength was 400 volts per micrometer for a material strength of 2> k / uni. The specific diderstana of the hardened material was 10 ohm-cm at 25 ° C. The Oberfläcnenladung of genärteten material was l, ö χ 10 per cn "ur.a was positive.
Die überzogenen ^lernente wurden 12 Stunden mit nur vernacnlässigbarem einfluss auf die uetriebsei^enscnaften in Leitungswasser eingetaucht. Die dauernde Vorspannung in operricntung verursachte keine Veränaerung aes Leckstromes für Zeiten bis zu 6 Stunden bei einer Temperatur von etwa ^u0C.The coated students were immersed in tap water for 12 hours with only a negligible influence on the operating system. The permanent bias in operation did not cause any change in the leakage current for times of up to 6 hours at a temperature of about ^ u 0 C.
Beträft der Silicongehalt aes Materials 2p bis 3cj », dann erhält man ausgezeichnete physikalische und eleKtrische eigenschaften. Das Material zeigt eine ausgezeichnete Haftung an der Oberfläche des Halbleiters. Ausserdem hat das gehärtete Material eine ausgezeichnete Abriebsbeständigkeit und bildet eine ausgezeicnneteBeträft the silicone content aes material 2p to 3 c j », we obtain excellent physical and electrical properties. The material shows excellent adhesion to the surface of the semiconductor. In addition, the hardened material has excellent abrasion resistance and forms an excellent one
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barriere tjegen das KindrinL,en von Feucntigkeit und mobilen Ionen zum Clement.barrier against the child's element of fire and mobile ions to the Clement.
Die obigen Merkmale i»acnen das Material der vorliegenden Erfindung besser als die bekannten Materialien, leiter föraert die iieicfttit;-keit uer Aufbrin^unt; als üinkomponentenmaterial una der einfacae riärtungszyklus seine Anpassbarkeit an die iterstelluncsbenandlunß in der nalbleiterindustrie.The above features make up the material of the present invention better than the known materials, ladder promotes the reliability uer Aufbrin ^ unt; as a component material and the simple facae setting cycle its adaptability to the creation process in the semiconductor industry.
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Claims (1)
Material eines Paares von Bereichen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps bis zu einer Oberfläche des Körpers erstreckt und eine Schicht aus Siliziumdioxid direkt auf der Oberfläche des Körpers und dem P-N-Übergang angeordnet ist und eine
Schicht aus schützendem Überzugsmaterial auf der Schicht aus Siliziumdioxid angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß das schützende Überzugsmaterial ein copolymeres Reaktionsprodukt eines Silizium-freien organischen Diamins, eines organischen Tetracarbonsäuredianhydrids und eines Aminoendgruppen aufweisenden Polysiloxans ist, das nach dem Härten wiederkehrende Struktureinheiten der folgenden Formel aufweist:at least two regions of opposite conductivity type in the body, a PN junction between the regions of opposite conductivity type formed by the abutting surfaces of each pair of regions of opposite conductivity type, the
Material of a pair of regions of opposite conductivity type extends to a surface of the body and a layer of silicon dioxide is disposed directly on the surface of the body and the PN junction and a
A layer of protective coating material is arranged on the layer of silicon dioxide, characterized in that the protective coating material is a copolymeric reaction product of a silicon-free organic diamine, an organic tetracarboxylic acid dianhydride and an amino-terminated polysiloxane which, after curing, has recurring structural units of the following formula:
Formel;with 15 to
Formula;
\\
//
\\
ist.17. A precursor solution according to claim 15, characterized in that the amine-terminated polysiloxane is 1,3-bis (gamma-aminopropyl) tetramethyldisiloxane
is.
gekennzeichnet , daß das Si Iiζium-freie organische Diamin 4,4'-Diaminodiphenylmethan ist.18. precursor solution according to claim 15 or I7
characterized in that the Si Iiζium-free organic diamine is 4,4'-diaminodiphenylmethane.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0349010A1 (en) * | 1988-06-30 | 1990-01-03 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Polyimide copolymers |
| US5126826A (en) * | 1989-09-29 | 1992-06-30 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Light-emitting or receiving device and method for preparing the same |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL59344A (en) * | 1979-03-01 | 1983-06-15 | M & T Chemicals Inc | Precursor solutions of silicone copolymer materials made from a siloxane containing a bis-amino aryl ether or thioether |
| JPS58152018A (en) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Coating composition for protecting semiconductor device |
| US4668755A (en) * | 1984-08-10 | 1987-05-26 | General Electric Company | High molecular weight siloxane polyimides, intermediates therefor, and methods for their preparation and use |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3325450A (en) * | 1965-05-12 | 1967-06-13 | Gen Electric | Polysiloxaneimides and their production |
| US3615913A (en) * | 1968-11-08 | 1971-10-26 | Westinghouse Electric Corp | Polyimide and polyamide-polyimide as a semiconductor surface passivator and protectant coating |
| US3740305A (en) * | 1971-10-01 | 1973-06-19 | Gen Electric | Composite materials bonded with siloxane containing polyimides |
| GB1325319A (en) * | 1969-09-30 | 1973-08-01 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductors |
| DE2655725A1 (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-16 | Gen Electrit Co | SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH A PROTECTIVE COVER |
| DE2655963A1 (en) * | 1976-12-10 | 1978-06-15 | Agfa Gevaert Ag | OPTICAL COPY DEVICE |
| DE2655803C2 (en) * | 1975-12-11 | 1986-04-17 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Method for treating a selected surface area of a semiconductor element |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1230421A (en) * | 1967-09-15 | 1971-05-05 | ||
| US3553282A (en) * | 1969-09-08 | 1971-01-05 | Gen Electric | Siloxane containing polyamide acid blends |
| JPS5421073B2 (en) * | 1974-04-15 | 1979-07-27 |
-
1977
- 1977-01-12 GB GB1219/77A patent/GB1585477A/en not_active Expired
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- 1977-01-26 JP JP52006882A patent/JPS6047741B2/en not_active Expired
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3325450A (en) * | 1965-05-12 | 1967-06-13 | Gen Electric | Polysiloxaneimides and their production |
| US3615913A (en) * | 1968-11-08 | 1971-10-26 | Westinghouse Electric Corp | Polyimide and polyamide-polyimide as a semiconductor surface passivator and protectant coating |
| GB1325319A (en) * | 1969-09-30 | 1973-08-01 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductors |
| US3740305A (en) * | 1971-10-01 | 1973-06-19 | Gen Electric | Composite materials bonded with siloxane containing polyimides |
| DE2655725A1 (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-16 | Gen Electrit Co | SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH A PROTECTIVE COVER |
| DE2655803C2 (en) * | 1975-12-11 | 1986-04-17 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Method for treating a selected surface area of a semiconductor element |
| DE2655963A1 (en) * | 1976-12-10 | 1978-06-15 | Agfa Gevaert Ag | OPTICAL COPY DEVICE |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0349010A1 (en) * | 1988-06-30 | 1990-01-03 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Polyimide copolymers |
| US5126826A (en) * | 1989-09-29 | 1992-06-30 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Light-emitting or receiving device and method for preparing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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