DE2610014C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Musters in einer Schicht gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1.

Danach ist es aus der US-PS 36 49 503 bekannt, eine mit Muster versehene Schicht aus Titan für eine darunterliegende Gold­ schicht als Maske zum Zerstäubungsätzen zu verwenden. Dabei kann das so gebildete Goldmuster beispielsweise direkt als Teil einer integrierten Schaltung oder als röntgenstrahlenab­ sorbierende Komponente einer zur Röntgenstrahlen-Lithographie verwendeten Maskenstruktur dienen. (Eine besonders vorteil­ hafte Maskenstruktur, die eine mit einem Muster versehene Goldschicht aufweist, ist in der DE-OS 25 06 266 angegeben.)

Natürlich muß die Zwischenmaskierungsschicht aus Titan zu­ nächst selbst in Musterstruktur gebracht werden. Gemäß der US-PS 36 49 503 wird die gewünschte Maskenkonfiguration in der Titanschicht dadurch erzeugt, daß in einer auf dem Titan aufgebrachten Fotolackschicht ein primäres Maskenmuster ge­ bildet wird. Nach der Lehre der US-PS 36 49 503 werden diejenigen Teile der Titanschicht, die nicht mit der Fotolack­ maske bedeckt sind, dadurch entfernt, daß das freiliegende Titan chemisch abgeätzt wird. Das nicht abgeätzte oder übrig­ gebliebene Titan dient dann als die zuvor erwähnte Maske für das Zerstäubungsätzen des darunterliegenden Goldes.

Bei zahlreichen, praktisch wichtigen Anwendungen, bei welchen eine sehr hohe Auflösung in der Goldschicht erwünscht ist, hat es sich gezeigt, daß die zunächst in der Fotolackschicht erhaltene Auflösung ernsthaft verschlechtert wird, und zwar wegen Unterschneidens der Lackschicht und übermäßigen Ätzens des Titans während des erwähnten chemischen Ätzschrittes.

Insbesondere können die bemerkenswerten Vorteile der Sub­ mikrometerauflösung, die man in einem Elektronen-Lack (d. h. gegenüber Elektronenbestrahlung empfindlicher "Foto"-Lack) mittels einer Elektronenstrahlenbündel-Beaufschlagungsanlage erhält, in der Praxis für die darunterliegende Schichten oft nicht verwirklicht werden, und zwar auf Grund der zuvor beschriebenen Unterschneidungserscheinung. In manchen Fällen ist ein Unterschneiden bis zu 5 Mikrometer auf Grund chemischen Ätzens beobachtet worden. Dies macht offensichtlich die der Elektronenstrahlenbündel-Lithographie innenwohnenden Möglichkeiten der Submikrometerauflösung voll­ ständig zunichte. (Eine Beschreibung eines Elektronenstrahlen­ bündel-Expositionssystems, das ein Submikrometermuster in einer Elektronenlackschicht zu erzeugen vermag, ist in der DE-OS 25 16 390 angegeben.)

Es ist auch versucht worden, in einer mit Lack maskierten Titanschicht mittels herkömmlicher Zerstäubungsätzmethoden ein Muster zu erzeugen. In vielen praktisch wichtigen Fällen hat es sich jedoch gezeigt, daß das Lack-Maskenmaterial beim Zerstäubungsvorgang weggeätzt ist, bevor im darunterliegenden Titan das Muster vollständig erzeugt ist. Dies ist ein be­ sonders ärgerliches Problem dann, wenn eine sehr hohe Auf­ lösung erwünscht ist, da in solchen Fällen eine dünne und deshalb leicht wegzuätzende Schicht aus Maskierungslack ver­ wendet wird.

Die US-PS 38 06 365 zeigt ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei dem zur Beseitigung von übrig­ bleibendem Photolack die geätzte Struktur einem Gasgemisch bei einem bestimmten Druck ausgesetzt wird. Das in der Druck­ schrift angewendete Ätzverfahren ist jedoch ein einfaches Plasmaätzen. Dieser Druckschrift läßt sich entnehmen, daß Resistmaterial von einem Halogenkohlenstoff-Plasma ange­ griffen wird. Diese Tatsache wird ausgenutzt, um unerwünschte Resistmaterialreste nach dem Ätzen zu entfernen. Aus diesem bekannten Verfahren läßt sich schlußfolgern, daß sich ein Halogenkohlenstoff-Plasma nicht als Ätzmedium bei Verwen­ dung einer aus Resistmaterial bestehenden Maske eignet.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, mit dessen Hilfe in der Zwischen-Maskierungsschicht eine gut definierte Maske ge­ bildet werden kann.

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfin­ dung gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unter­ ansprüchen angegeben.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Zwischen-Maskie­ rungsschicht im Vergleich zu der darüberliegenden Resist­ material-Schicht sehr rasch geätzt.

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine mit Muster zu versehende spezielle Vielschicht­ struktur genereller Art;

Fig. 2 bis 5 Formen der Struktur gemäß Fig. 1 bei verschie­ denen Stufen des Verfahrens zur Musterherstellung; und

Fig. 6 eine weitere mit Muster versehene Struktur, die mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens herge­ stellt ist.

Eine speziell als Beispiel aufzufassende Vielschicht­ anordnung 10 ist in Fig. 1 gezeigt. Sowohl die Gesamt­ struktur gemäß Fig. 1 als auch die zu deren Herstellung erforderlichen Herstellungsmethoden sind unkompliziert und herkömmlich. Von oben nach unten enthält Fig. 1 eine 0,3 Mikrometer dicke Schicht 12 aus beispielsweise Elektronen-Lack; eine 0,05 Mikrometer dicke Schicht 14 aus beispielsweise Titan; eine 0,8 Mikrometer dicke Schicht 16 aus beispielsweise Gold; eine 0,1 Mikro­ meter dicke Schicht 18 aus beispielsweise Platin und eine 0,1 Mikrometer dicke Schicht 20 aus beispielsweise Titan. Diese angegebenen Schichten werden von einem Substrat 22 getragen, das beispielsweise aus Polyäthylen­ terephthalat (PET) hergestellt ist. Eine PET-Schicht weist eine attraktive Kombination von Merkmalen auf, wie mechanische Festigkeit, geringe Röntgenstrahlenab­ sorption, Widerstandsfähigkeit gegenüber organischen Lösungsmitteln, optische Transparenz, thermische Stabilität und leichte Erhältlichkeit in verschiedenen Dicken mit Oberflächen optischer Qualität.

Die Struktur gemäß Fig. 1 wird behandelt, um ein Muster hoher Auflösung in der relativ dicken Goldschicht 16 zu erzeugen. Ein solches vom Substrat 22 getragenes Muster ist beispielsweise als Röntgenstrahlenmaske nützlich, wie ausführlich in der DE-OS 25 06 266 beschrieben ist.

Es sind viele Elektronen-Lackmaterialien (d. h., gegenüber Elektronenbestrahlung empfindliche Lacke) bekannt, die zur Verwendung als Schicht 12 in Fig. 1 geeignet sind. Es sind sowohl negative als auch positive Elektronen-Lacke verfüg­ bar. Eine beispielsweise Liste solcher Lacke, zusammen mit einer Beschreibung von deren Eigenschaften und deren Ge­ brauch bei der Elektronen-Lithographie, ist enthalten in einem zweiteiligen Artikel von L. F. Thompson mit dem Titel "Design of Polymer Resists for Electron Lithography", Solid State Technology, Teil 1: Juli 1974, Seiten 27 bis 30; Teil 2: August 1974, Seiten 41 bis 46.

Bei Verwendung der Elektronen-Lithographieverfahren (bei­ spielsweise die im Thompson-Artikel und in der DE-OS 25 16 390 beschriebenen) wird ein Muster mit hoher Auflösung in der obersten Schicht 12 in Fig. 1 gebildet. Diejenigen Teile der Lackschicht 12, die an der darunterliegenden Schicht 14 nach diesem anfäng­ lichen Verarbeitungsschritt haften bleiben, werden in Fig. 2 durch Bezugsziffern 23 bis 25 repräsentiert. Diese zurückbleibenden Teile 23 bis 25 dienen dazu, direkt darunterliegende Teile der Titanschicht 14 dagegen zu maskieren oder zu schützen, daß sie während des nächsten Verarbeitungsschrittes entfernt werden.

Die ungeschützten Teile der Titanschicht 14 werden dann nach der vorliegenden Zerstäubungsätzmethode entfernt.

Aus dem Stand der Technik sind verschiedene Zerstäubungs­ ätzmethoden bekannt. Wie beispielsweise in "Sputter Etch Removal Rates of Insulators, Semiconductors and Conductors" von L. L. Fritz, Solid State Technology, Dezember 1971, Seiten 43 bis 48, beschrieben ist, umfassen diese Methoden eine physikalische Erosion einer selektiv maskierten Targetoberfläche durch Ionenbeschuß. Insbesondere umfaßt eine Zerstäubungsätzung generell ein Teilchen- oder Ionen­ strahlenbündel, das senkrecht auf die Maske und die Target­ oberflächen auftritt. Die Maskierungsmaterialien sind so gewählt, daß sie gegenüber dem Zerstäubungsätzen unempfind­ licher als die unmaskierten Targetoberflächen sind. Die maskierenden Bereiche schützen das direkt darunterliegende Material davor, erodiert zu werden, was dazu führt, daß die ungeschützten Targetschichten mit relativ scharf definierten senkrechten Seitenwänden vollständig entfernt werden.

Um in der Elektronen-Lackschicht 12 gemäß Fig. 1 eine sehr hohe Auflösung zu erreichen, muß diese Schicht sehr dünn sein (typischerweise etwa 0,3 Mikrometer). Folglich sind die Lackteile 23 bis 25 (Fig. 2), die zur Maskierung der Titanschicht 14 gemäß Fig. 2 dienen, ebenfalls sehr dünn. Wenn man ein herkömmliches Zerstäubungsätzen der maskierten Schicht 14 versucht (beispielsweise in reiner Argonatmosphäre), findet man, daß die maskierenden Teile 23 bis 25 weggeätzt sind, bevor die unmaskierten Teile der Schicht 14 voll­ ständig entfernt sind. Wenn dies auftritt, ist es natürlich unmöglich, die gewünschte Musterbildung in der Schicht 14 zu erreichen.

Die Zerstäubungsätzung der in Fig. 2 gezeigten Anordnung wird nun ausgeführt in einer Atmosphäre gasförmigen Halogen­ kohlenstoffs, die hergestellt ist in einer herkömmlichen Dioden-Zerstäubungsätzkammer, die entweder für Gleich­ strom- oder für Hochfrequenzbetrieb geeignet ist. Folgende spezielle Halogenkohlenstoffe sind beispielsweise zur Ausführung dieses Verfahrensschrittes geeignet: CCl₄, CF₄, CHCl₃, CCl₃F, CCl₂F₂, CHCl₂F, CHCl₂F, CHClF₂, (CCl₂F)₂ und CCl₂FCClF₂. Allgemeiner ausgedrückt: Halogenkohlen­ stoffe der Form C _m Cl _n F_{2 m + 2 - n} oder C _m HCl _n F_{2 m + 1 - n} , wobei m und n positive ganze Zahlen sind, eignen sich zur Durch­ führung des beschriebenen Schrittes. Diese Materialien sind relativ stabil und korrosionsfrei im Vergleich beispiels­ weise zu HF.

Vorteilhafterweise wird in der Zerstäubungsätzkammer ein Halogenkohlenstoff-Gasdruck im Bereich von 0,1 bis 50 Millitorr (0,13-6,67 Pa) eingestellt. Wenn das mit dem Muster zu ver­ sehende Substrat der Anordnung nichtleitend ist, ist eine Hochfrequenzaktivierung der Zerstäubungsvorrichtung erforderlich. In diesem Fall können Aktivierungsfrequenzen im Bereich von 150 kHz bis einige hundert MHz verwendet werden. Wenn eine Gleichstromaktivierung verwendet wird (mit einem leitenden Substrat), werden typischerweise Spannungen im Bereich von 200 bis 2000 V verwendet.

Wenn in der Zerstäubungsvorrichtung eine Halogenkohlenstoff­ atomsphäre allein erzeugt wird, bombardieren Ionen, die während der elektrischen Aktivierung der Vorrichtung erzeugt werden, die obenliegenden Oberflächen der in Fig. 2 ge­ zeigten Struktur. Es wird angenommen, daß die bombardie­ renden Teilchen Halogenionen oder andere Ionen aufweisen, was vom Grad der Dissoziation des Halogenkohlenstoffes ab­ hängt. Zusätzlich tritt in der Kammer eine chemische Reaktion zwischen dem Halogenkohlenstoff und dem zu zerstäubenden Material (Titan) auf und dadurch werden hochflüchtige Haligenide gebildet. Als Folge davon wird die Zerstäubungs­ geschwindigkeit der Schicht 14 wesentlich verbessert gegenüber beispielsweise einer reinen Argonatmosphäre, bei welcher lediglich ein physikalisches Bombardement auftreten würde.

Eine weitere vorteilhafte Eigenschaft der Halogenkohlenstoffatmosphäre ist die, daß sie mit jeglichem in der Zerstäubungskammer vorhandenen Sauerstoff reagiert und so die Wirkung des Sauerstoffs sowohl auf die Lackteile 23 bis 25 als auch die Titanschicht 14 drastisch begrenzt. Jeglicher in der Kammer vor­ handene Sauerstoff, der nicht auf diese Weise gebunden wird, tendiert die Ätzgeschwindigkeit der Schicht 14 zu verlangsamen und diejenige der Lackteile 23 bis 25 zu beschleunigen, und diese Tendenzen sind generell unerwünscht.

Der zuvor beschriebene, in einer Halogenkohlenstoff-Atmosphäre ausgeführte reaktive Zerstäubungsätzschritt ist wirksam, um die unmaskierten Teile der Titanschicht 14 zu entfernen. An­ schließend werden die Lackteile 23 bis 25 entfernt, und zwar z. B. durch ein Zerstäubungsätzen mit einer sauerstoffhaltigen Gasmischung. An diesem Punkt im Musterherstellungsablauf er­ scheint die Mehrschichtstruktur so, wie sie in Fig. 3 ge­ zeigt ist. In Fig. 3 handelt es sich bei den Bereichen 27 bis 29 um die zuvor lackmaskierten Teile der ursprünglichen Titanschicht 14. Obwohl sie relativ dünn sind, dienen diese Titanteile 27 bis 29 nun als wirksame ätzbeständige Maske beim Zerstäubungsätzen der relativ dicken Goldschicht 16.

Bevor mit der Beschreibung der Musterbildung in der Gold­ schicht 16 fortgefahren wird, werden einige Varianten des zuvor beschriebenen reaktiven Zerstäubungsätzschrittes spezifiziert. An Stelle der Verwendung einer reinen Halogenkohlenstoff-Atomsphäre bei diesem Schritt kann in der Zerstäubungskammer eine Gasmischung eingestellt werden. Beispielsweise kann einer der zuvor aufgelisteten Halogenkohlenstoffe mit einem inerten oder im wesentlichen inerten Gas, wie beispielsweise Argon, Helium, Krypton, Neon, Xenon oder Stickstoff, gemischt werden. Beispielsweise ist eine Mischung aus 75 bis 80% Argon und 20 bis 25% Tetrachlor­ kohlenstoff als vorteilhafte reaktive Zerstäubungsätzatmosphäre bestimmt worden. In einer solchen Mischung verbessert das zugefügte Gas (beispielsweise Argon) den zuvor beschriebenen physikalischen Bombardementvorgang und reduziert zudem die Wahrscheinlichkeit, daß schädliche Kohlenstoffablagerungen auf dem während des Ätzschrittes wegzuätzenden Material auftreten.

Alternativ kann ein Halogenkohlenstoff mit einem anderen reaktiven Gas (beispielsweise Sauerstoff) kombiniert werden, um die zur Ätzung der Titanschicht 14 (Fig. 2) erforderliche Atmosphäre zu erzeugen. Ein solches zugefügtes Gas (Sauerstoff) ist besonders nützlich, um Kohlenstoffniederschläge möglichst klein zu machen, hat jedoch die schädliche Wirkung, daß das Verhältnis der Titanätzgeschwindigkeit zur Lackätz­ geschwindigkeit ernsthaft reduziert wird. Trotzdem ist eine Mischung von weniger als 20% Sauerstoff kombiniert mit einem Halogenkohlenstoff bei einem Druck von 1 bis 25 Millitorr (0,13-3,33 Pa) eine mögliche Alternative für einige Anwen­ dungen, für die praktisches Interesse besteht.

Die Mustererzeugung in der titanmaskierten Goldschicht 16 (Fig. 3) wird vorteilhafterweise durch Zerstäubungs­ ätzen in einer oxidierenden Atmosphäre durchgeführt. Eine solche Atmosphäre bewirkt, daß auf den Oberflächenteilen der Titanbereiche 27 bis 29 eine gegen Ätzen hoch wider­ standsfähige Oxidschicht gebildet wird. Als Folge davon werden diese Titanbereiche während des Zerstäubungsätzens der relativ dicken unmaskierten Goldteile der Schicht 16 lediglich in einem kleinen Ausmaß erodiert.

Für das Zerstäubungsätzen der Goldschicht 16 (und ebenfalls der Platinschicht 18), wie sie in Fig. 3 gezeigt ist, sind verschiedene oxidierende Atmosphären geeignet. Beispiels­ weise ist jedes inerte oder praktisch inerte Gas (Argon, Helium, Krypton, Neon, Xenon oder Stickstoff), das mit Luft oder mit Sauerstoff kombiniert ist, geeignet. Oder es kann ein Halogenkohlenstoff der vorstehend spezifizierten Art mit Sauerstoff kombiniert werden, um die zum Ätzen der Schicht 16 erforderliche Atmosphäre zu erzeugen. Auch Luft oder Sauerstoff alleine erzeugen eine zufriedenstellende Zerstäubungsatmosphäre. Es wurde bestimmt, daß Drücke von 1 bis 50 Millitorr (0,13-6,67 Pa) und Mischungen mit 10 bis 100% Luft oder Sauerstoff für diesen Verfahrensschritt möglich sind.

Eine Umstellung von einer Halogenkohlenstoffatmosphäre zu einer oxidierenden Atmosphäre erfordert einfach einen Austausch der in der Zerstäubungskammer vorhandenen Gase. Es ist nicht nötig, während dieses Austauschs die mit einem Muster zu versehende Struktur aus der Kammer zu entfernen. Eine Handhabung der Struktur wird demgemäß überflüssig gemacht, und deshalb ist ein kostengünstiger, kontinuierlicher Verfahrensablauf ermöglicht.

In den in Fig. 3 gezeigten Gold- und Platinschichten 16 bzw. 18 wird ein Muster hergestellt durch den zuvor be­ schriebenen Zerstäubungsätzvorgang, der in einer oxi­ dierenden Atmosphäre ausgeführt wird, um die in Fig. 4 dargestellte Struktur zu erzeugen. Wie in Fig. 4 ge­ zeigt ist, liegen die Titanmaskenbereiche 27 bis 29 direkt über Teilen 31 bis 33 der Goldschicht 16, die während des zuletzt erwähnten Zerstäubungsätzschrittes geschützt waren. Außerdem bleiben entsprechende Teile 35 bis 37 der direkt unter den Goldteilen 31 bis 33 liegenden Platin­ schicht 18 ungeätzt. Die in Fig. 4 gezeigte untere Titan­ schicht 20 bleibt während des selektiven Ätzens der Schichten 16 und 18 praktisch unberührt (ungemustert). Dies beruht darauf, daß auf der Schicht 20 eine gegenüber Ätzen hoch­ widerstandsfähige Oxidschicht gebildet wird. Folglich ist das Substrat 22 während des Entfernens der nichtmaskierten Teile der Schichten 16 und 18 durch die Schicht 20 vor einer Beschädigung geschützt.

Anschließend wird in der Zerstäubungskammer wieder eine Halogenkohlenstoffatmosphäre der zuvor beschriebenen Art eingestellt, und die Titanbereiche 27 bis 29 und die nunmehr frei­ liegenden Teile der unteren Titanschicht 20 werden geätzt, bis sie fast vollständig entfernt sind. An diesem Punkt wird mit der Zerstäubungsätzung aufgehört. Die Anordnung oder Struktur wird aus der Zerstäubungskammer genommen und die Titanreste werden mit Hilfe eines geeigneten chemischen Ätzmittels (beispielsweise HBF₄) entfernt. Auf diese Weise wird eine Beschädigung des Substrats 22 möglichst klein gemacht. Die endgültige Musterstruktur hat dann die in Fig. 5 gezeigte Form (in Fig. 5 bilden die Bereiche 39 bis 41 die ungeätzten Teile der unteren Titanschicht 20).

Die in den Fig. 1 bis 5 gezeigte spezielle Struktur stellt lediglich ein Beispiel einer Vielzahl von Vielschichtan­ ordnungen dar, die mit einem Verfahren gemäß der Erfindung mit einem Muster versehen werden können. Bei manchen Anwen­ dungen kann die Lackschicht 12 einen Fotolack oder einen Röntgenstrahlenlack an Stelle eines Elektronen-Lackmaterials aufweisen. (Muster in der Lackschicht 14 können dann durch Licht oder Röntgenstrahlen festgelegt werden.) Die Schicht 14 kann anstatt von Titan aus Nickel, Chrom oder Aluminium (oder anderen Elementen der Gruppe IV, wie Silicium oder Germanium) hergestellt werden. Tatsächlich kann jegliches Material als Schicht 14 verwendet werden, das in einer Halogenkohlenstoffatmosphäre im Verhältnis zu einem darüber­ liegenden Lackmaterial eine schnelle Zerstäubungsätzung zeigt und das eine stabile, ätzwiderstandsfähige Oberflächen­ oxidschicht zu bilden vermag. Überdies kann die mit einem Muster zu versehende relativ dicke Schicht 16 beispiels­ weise Permalloy, Silber, Platin, Palladium, Rhodium, Silicium, Galliumarsenid, Germanium, Wolfram, Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid an Stelle von Gold aufweisen. Außerdem kann die Schicht 18, die beispielsweise die Galvanisierung von Gold zur Erzeugung der Schicht 16 ermöglicht, Palladium, Rhodium oder Nickel an Stelle von Platin aufweisen. Bei manchen Anwendungen kann die Schicht 18 gänzlich weggelassen werden. Ferner kann die Schicht 20, die generell sowohl zur Verbesserung der Haftung am Substrat 22 als auch als Zer­ stäubungsätzungsbegrenzungsschicht dient, bei manchen strukturellen Anordnungen ebenfalls weggelassen werden. Wenn sie nicht weggelassen wird, kann die Schicht 20 alternativ aus Nickel, Chrom oder Aluminium hergestellt sein.

Eine in Fig. 6 gezeigte vereinfachte Struktur genereller Art kann durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellt werden. Fig. 6 entspricht der in Fig. 4 der zuvor erwähnten deutschen Patentanmeldung P 25 06 266.2 gezeigten grund­ sätzlichen Röntgenstrahlenmaskenstruktur. In Fig. 6 ist ein Substrat 46, das aus einer dünnen, optisch transparenten PET-Folie hergestellt ist, über ein Tragelement 48 gespannt und an diesem befestigt. Das Tragelement 48 ist beispielsweise hergestellt aus einem starken, dauerhaften und maßhaltigen Material, wie einem geeigneten Metall, Silicium oder Quarzglas, das in Ringform hergestellt ist. Ein Goldmuster mit hoher Auflösung, das in Fig. 6 durch Streifen 50 bis 52 darge­ stellt ist, ist auf dem Substrat 46 unter Anwendung des hier zuvor beschriebenen Zerstäubungsätzverfahrens herge­ stellt.

Bei der Herstellung der vereinfachten Struktur gemäß Fig. 6 wird die mit Muster zu versehende Goldschicht direkt auf dem Substrat 46 niedergeschlagen, ohne daß zwischen der Gold­ schicht und dem Substrat 46 irgendwelche Zwischenschichten erzeugt werden. In diesem Fall umfaßt die ursprüngliche Mehrschichtstruktur, aus welcher durch Anwendung der zuvor beschriebenen Zerstäubungsätzmethode die vereinfachte Maske gemäß Fig. 6 hergestellt wird, lediglich darüberliegende Schichten aus Titan und Lack (in Fig. 6 nicht gezeigt).

Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich generell auf die Herstellung einer Vielzahl anderer elektronischer Strukturen höher Auflösung anwenden, einschließlich beispielsweise Magnetdomänen-Schaltungen, Galliumarsenid-Feldeffekttransisto­ ren, Galliumarsenid-Laser mit verteilter Rückkopplung und bipolare Silicium-Mikrowellentransistoren.

Claims (12)

1. Verfahren zur Herstellung eines Musters in einer Schicht, auf der sich eine Zwischen-Maskierungsschicht und darüber ein Maskierungslack befindet, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Maskierungslack maskierte Zwischen-Maskierungsschicht (14) in einer Kammer in halogen­ kohlenstoffhaltiger Atmosphäre einer Zerstäubungsätzung unterzogen wird, um in der Zwischen-Maskierungsschicht (14) eine durch den Maskierungslack (12) definierte Maske zu bilden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Muster zu versehende, nicht von der Zwischenmaske (14) bedeckte Schicht (16) einer Zer­ stäubungsätzung unterzogen wird, um in der Schicht (16) ein dem Muster im Lack (12) entsprechendes Muster zu erzeugen.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Zerstäubungsätzen der Schicht (16) in einer oxidierenden Atmosphäre ausge­ führt wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die halogenkohlenstoff­ haltige Atmosphäre eine reine Halogenkohlenstoff­ atmosphäre aufweist, die zur Ionendissoziation in der Kammer und zur chemischen Reaktion mit Material der Zwischen-Maskierungsschicht (14) unter Erzeu­ gung flüchtiger Verbindungen in der Kammer in der Lage ist.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete halogenkohlenstoff­ haltige Atmosphäre aus einem Halogenkohlenstoff besteht, der entweder aus C _m Cl _n F_{2 m + 2 - n} oder C _m HCl _n F_{2 - m + 1 - n} ausgewählt ist, wobei m und n ganze positive Zahlen sind.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Halogenkohlenstoff ausgewählt ist aus CCl₄, CF₄, CHCl₃, CCl₃F, CCl₂F₂, CHCl₂F, CHClF₂, (CCl₂F₂)₂ und CCl₂FCClF₂.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß in der Kammer ein Halogen­ kohlenstoff-Gasdruck von 0,1 bis 50 Millitorr verwendet wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete halogenkohlenstoff­ haltige Atmosphäre eine gasförmige Mischung aus einem Halogenkohlenstoff und einem inerten oder im wesentlichen inerten Gas aufweist.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das inerte oder im wesentlichen inerte Gas aus Argon, Helium, Krypton, Neon, Xenon und Stickstoff ausgewählt wird.

10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein halogenkohlenstoff­ haltiges Gas mit einer Mischung aus 75 bis 80% Argon und 20 bis 25% Kohlenstofftetrachlorid bei einem Druck von 1 bis 25 Millitorr verwendet wird.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine Zwischenmaskierungs­ schicht (14) verwendet wird, die ein aus der Gruppe Titan, Nickel, Chrom, Silicium, Germanium und Aluminium ausgewähltes Material aufweist.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß für die mit einem Muster zu versehene Schicht (16) ein Material verwendet wird, das aus­ gewählt ist aus der Gruppe Gold, Permalloy, Silber, Platin, Palladium, Rhodium, Silicium, Galliumarensid, Germanium, Wolfram, Siliciumdioxid und Siliciumnitrid.