DE2607042C3 - Spannungsauswahlschaltung - Google Patents

Spannungsauswahlschaltung

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DE2607042C3 DE2607042A DE2607042A DE2607042C3 DE 2607042 C3 DE2607042 C3 DE 2607042C3 DE 2607042 A DE2607042 A DE 2607042A DE 2607042 A DE2607042 A DE 2607042A DE 2607042 C3 DE2607042 C3 DE 2607042C3
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Spannungs-Auswahlschaltung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs.
Aus der Veröffentlichung einer japanischen Patentanmeldung, Veröffentlichungs-Nr. 49-1 27 539 (1974) ist eine derartige Spannungsauswahlschaltung bekannt, an deren Ausgang abhängig von n-Eingangssignalen eine von n+1 unterschiedlich hohen Spannungen abgenommen werden kann. Eine niedrige und eine hohe Spannung erhält man mittels der beiden Gruppen von N-Kanal-MOS-Transistoren bzw. P-Kanal-MOS-Transistoren. Zwischen der hohen und der niedrigen Spannung liegende Spannungen können über die Reihenschaltung eines eigenen MOS-Transistors mit einer Diode, eine weitere Zwischenspannung mittels eines weiteren einzelnen MOS-Transistors abgenommen werden, denen jeweils Komplemente der Eingangssignale zugeführt werden. Bereits für vier unterschiedliche Spannungen benötigt die bekannte Anordnung drei Eingangssignale und zwei Inverter.
In jüngster Zeit werden Flüssigkristall-Anzeigenelemente bei mehrziffrigen Anzeigeeinrichtungen, wie z. B. bei elektronischen Tischrechnern, elektronischen Uhren od. dgl. benutzt, bei denen Ziffern, Markierungen od. dgl. anzuzeigen sind. Wird eine mehrziffrige Flüssigkristallanzeigeeinrichtung für die Anzeige gespeist, so wird eine dynamische Wechselspannung als Treiberspannung benutzt, um die Lebensdauer des Flüssigkristall zu vergrößern. Da hierzu beispielsweise eine Treiberanordnung benutzt wird, die mit einer einhalbfachcn oder eindrittelfachen Vorspannung arbeitet, muß entsprechend den Anzeigedaten eine mehrere Pegel, z. B. vier Pegel aufweisende Spannung ausgewählt und zwischen zwei Elektroden angelegt werden, zwischen denen der Flüssigkristall angeordnet ist Selbst bei elektronischen Schreibern oder Druckern, wie z. B. einem Tintenstrahlschreiber, muß eine Digital-Analog-Umwandlung eines Zeichensignals, das von einem Zeichensignalgenerator erzeugt wird, durchgeführt werden und anschließend ein dem Zeichensignal entsprechendes unterschiedliche Spannungen aufweisendes Signal an eine Ablenkelektrode gegeben werden.
Aus der US-PS 36 76 705 ist zwar ein Decodierer bekannt, der MOS-Feldeffekttransistoren verwendet, die in Source-Drain-Schaltung in Serie geschaltet sind. Die freien Source-Elektroden werden direkt, die freien Drain-Elektroden jeweils über einen komplementären MOS-Transistor mit einem Strobe-Impuls beschickt. Die freie Drain-Elektrode jeder Serienschaltung ist an die Gate-Elektrode je eines weiteren MOS-Transistors angelegt, wobei die Source-Drain-Elektroden dieser Transistoren wiederum in Serie geschaltet sind. Das Ausgangssignal kann nur zwei Werte annehmen. Es handelt sich somit bei diesem Decodierer um eine mehrstufige Verknüpfungsschaltung mit einem Ja/Nein-Ausgangssignal, so daß diese Schaltung nicht als Spannungsauswahlschaltung zur Abgabe von mehreren un-
JO terschiedlichen Spannungspegeln geeignet ist.
Aus dem Aufsatz von Michael M. Lacefield »Simple step-function generator aids in testing instruments«, Electronics 26.12.1974 ist eine Schaltungsanordnung bekannt, mit der stufenförmige Wellenformen generiert werden können. Auch dort wird eine Decoder/Treiber-Schaltung verwendet, in der zuerst die im BCD-Code vorliegenden Eingangssignale in einem l-aus-10-Code umgewandelt werden und diese Signale dann auf einen der auszuwählenden Spannung entsprechenden Widerstand gegeben werden.
Die obigen Spannungsauswahlschaltungen haben den Nachteil, wegen der Decodierung eine große Anzahl von Bauelementen zu benötigen. Darüber hinaus ist ihr Leistungsverbrauch relativ hoch.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine neue Spannungsauswahlschaltung zu schaffen, bei der mit weniger Bauelementen, einer geringeren Anzahl von Eingangssignalen und einem geringeren Leistungsverbrauch mehrere, auch eine große Anzahl von unterschiedlichen Spannungen erzeugt werden können.
Die Aufgabe wird durch die im Patentanspruch angegebene Erfindung gelöst.
Der Grundgedanke der Erfindung liegt darin, durch geeignete Anordnung nur von C-MOS-Transistoren ein zusätzliches Decodieren der Eingangs-Auswahlsignale überflüssig zu machen. Durch die direkte Ansteuerung der Gate-Elektroden der N- und P-Kanal-Transistoren mit logischen Pegeln »0« und »1« wird bei geschickter Anordnung der Transistoren erreicht, daß nur eine hintereinandergeschaltete Transistorgruppe leitet, während alle übrigen Gruppen sperren, da mindestens ein Transistor in jeder dieser Gruppen sperrt. Hierdurch wird eine starke Verminderung der benötigten Bauelemente sowie eine beträchtliche Herabsetzung der 5 Leistungsaufnahme erreicht.
Die Erfindung wird an Hand in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Im einzelnen zeigt
F i g. 1 die Schaltung einer ersten Ausführungsform der neuen Spannungs-Auswahlschaltung, mit der vier unterschiedliche Spannungen ausgewählt werden können, und
F i g. 2 die Schaltung einer anderen Ausf jhrungsform der neuen Spannungs-Auswahlschaltung, mit der acht unterschiedliche Spannungen ausgewählt werden können.
Bei der in F i g. t gezeigten erfindungsgemäßen Spannungs-Auswahlschaltung ist die Source-Elektrode eines P-üCanal-MOS-Transistors Ub mit der Drain-Elektrode eines P-Kanal-MOS-Transistors 11a verbunden, um eine erste in Reihe geschaltete P-Kanal-Transistorgruppe zu bilden und die Drain-Elektrode eines N-Kanal-MOS-Transistors 12a ist mit der Source-Elektrode eines N-Kanal-MOS-Transistors \2b verbunden, um eine zweite in Reihe geschaltete N-Kanal-Transistor-Gruppe zu bilden. Die freien Drain-Elektroden der beiden Transistorgruppen sind miteinander verbunden, um eine erste C-MOS-Schaltung zu bilden. In gleicher Weise ist die Source-Elektrode eines P-Kanal-MOS-Transistors 136 mit der Drain-Elektrode eines P-Kanal-MOS-Transistors 13a verbunden, um eine in Reihe geschaltete P-Kanal-Transistor-Gruppe zu bilden und die Drain-Elektrode einen N-Kanal-MOS-Transistors 14a ist mit der Source-Elektrode eines N-Kanal-MOS-Transistors 146 verbunden, um eine weitere in Reihe geschaltete N-Kanal-Transistor-Gruppe zu bilden. Die freien Drain-Elektroden beider dieser zusätzlichen Transistorgruppen sind miteinander verbunden, um eine zweite C-MOS-Schaltung zu bilden. Auszuwählende Spannungen V0 und V3 sind an Anschlüsse 15 und 16 jeweils gegeben, so daß sie an die freien Source-Elektroden der ersten C-MOS-Schaltung gelangen, während auszuwählende Spannungen Vi und V2 an Anschlüsse 17 und 18 jeweils gegeben werden, so daß diese an die freien Source-Eiektroden in der zweiten C-MOS-Schaltung gelangen können: Die Spannung V0 gibt einen logisch hohen Pegel und die Spannung V3 gibt einen logisch niedrigen Pegel an. Die Pegel der Spannungen sind in der abfallenden Reihenfolge V0, Vi, V2, V3 festgelegt. An einen Anschluß 19 wird ein binärcodiertes Signal A\ als ein Gate-Steuersignal an die Gate-Elektroden des P-Kanal-MOS-Transistors 11a und des N-Kanal-MOS-Transistors 12a in der ersten C-MOS-Schaltung gegeben, während ein binä.-codiertes Signal A0 über einen Anschluß 20 an die Gate-Elektroden des P-Kanal-MOS-Transistors üb und des N-Kanal-MOS-Transistors 12i> gegeben wird. Das in binärcodierte Signal Ai gelangt auch an die Gate-Elektroden des P-Kanal-MOS-Transistors 13a und des N-Kanal-MOS-Transistors 14a in der zweiten C-MOS-Schaltung, während das binärcodierte Signal Ao über einen Inventer 21 an die Gate-Elektroden des P-Kanal-MOS-Transistors 13£> und des N-Kanal-MOS-Transistors 14b gegeben wird. Die einem logisch hohen Pegel entsprechende Spannung Vo wird an die Substratelektroden der P-Kanal-MOS-Transistoren 11a, 11£> sowie 13a, 136 gegeben, während die Spannung V3, die einen logisch niedrigen Pegel darstellt, an die Substratelektroden der N-Kanal-MOS-Transistoren 12a, 126 und 14a, 146 gegeben wird. Ein Verbindungspunkt zwischen den freien Drain-Elektroden der P-Kanal-MOS-Transistorgruppe und der N-Kanal-MOS-Transistorgruppe in der ersten C-MOS-Schaltung bildet einen Ausgangsanschluß 22, an dem eine ausgewählte Spannung abgenommen werden kann, während ein Verbindungspunkt zwischen den freien Drain-Elektroden der P-Kanal-MOS-Transistorgruppe und der N-Kanal-MOS-Transistorgruppe in der zweiten C-MOS-Schaltung einen Ausgangsanschluß 23 bildet, an dem eine auszuwählende Spannung abgegeben werden kann.
Bei der so aufgebauten Schaltung haben die an die Anschlüsse 19 und 20 jeweils zu gebenden codierten Signale A0 und Ax solche Potentialpegei, daß wenn ein logisches »0«-Signal niedrigen Pegels bei einer positiven Logik zugeführt wird, der P-Kanal-Transistor in seinen leitenden Zustand geschaltet wird, und wenn ein logisches »1«-Signal hohen Pegels bei positiver Logik zugeführt wird, der N-Kanal-Transistor in seinen leitenden Zustand geschaltet wird. Geben beide binärcodierten Signale Ao und A\ eine logische »0«, so werden beide P-Kanal-MOS-Transistoren Ua und 116, die der Spannung Vo zugeordnet sind, in ihren leitenden Zustand geschaltet und mindestens einer eines Paars von MOS-Transistoren in der jeweiligen MOS-Transistorgruppe, die den Spannungen Vi bis V3 zugeordnet ist, wird gesperrt Als Folge davon erscheint die Spannung V0 am Ausgangsanschluß 22 über die P-Kanal-Transistoren 11a und 116. Geben das codierte Signal A0 logische »1« und das codierte Signal A\ logische »0« an, so werden die der Spannung Vi zugeordneten P-Kanal-MOS-Transistoren 13a und 13b in ihren leitenden Zustand geschaltet und mindestens einer eines Paars von MOS-Transistoren in den jeweiligen MOS-Transistorgruppen, die den Spannungen V0, V2 und V3 zugeordnet sind, wird gesperrt. Dadurch erscheint die Spannung Vi am Ausgangsanschluß 23. In gleicher Weise erscheint, wenn das codierte Signal Ao eine logische »0« und das codierte Signal A\ eine logische »1« angeben, die Spannung V2 am Ausgangsanschluß 23 und, wenn die codierten Signale A0 und A, beide logische »1« angeben, die Spannung V3 an dem Ausgangsanschluß 22. Die Tabelle 1 zeigt die Beziehung zwischen den codierten Signalen Ao, Ai und den Spannungen Vobis V3.
Tabelle 1
Αι A0 Ausgang
O O V0
O 1 Vi
1 O
1 1 V^
F i g. 2 zeigt eine weitere Ausführungsform der neuen Spannungs-Auswahlschaltung, mit der ach*. Spannungen Vo bis Vy unterschiedlichen Pegels ausgewählt werden können.
Bei dieser Ausführungsform weist eine erste C-MOS-Schaltung 35 eine P-Kanal-Transistorgruppe auf, die aus drei P-Kanal-MOS-Transistoren 31a bis 31c besteht und eine N-Kanal-Transistorgruppe auf, die aus drei N-Kanal-MOS-Transistoren 31c/bis 31/besteht. Eine zweite C-MOS-Schaltung 36 weist eine aus drei P-Kanal-MOS-Transistoren 32a bis 32c bestehende P-Kanal-Transistorgruppe und eine aus drei N-Kanal-Transistoren 32c/bis 32/bestehende N-Kanal-Transistorgruppe auf. Eine dritte C-MOS-Schaltung 37 weist eine aus drei P-Kanal-MOS-Transistoren 33a bis 33c bestehende P-Kanal-Transistorgruppe und aus drei N-Kanal-Transistoren 33c/ bis 33/ bestehende N-Ka-
nal-Transistorgruppe auf. Schließlich weist eine vierte C-MOS-Schaltung 38 eine aus drei P-Kanal-MOS-Transistoren 34a bis 34c bestehende P-Kanal-Transistorgruppe und eine aus drei N-Kanal-MOS-Transistoren 34c/ bis 34/bestehende N-Kanal-Transistorgruppe auf. -, Ein Verbindungspunkt zwischen den freien Drain-Elektroden der P-Kanal-Transistorgruppe und der N-Kanal-Transistorgruppe in den jeweiligen C-MOS-Schaltungen führt zu einem Ausgangsanschluß 23. Da die Anzahl von P- oder N-Kanal-MOS-Transistoren nach ι ο der Anzahl von Bits des als Steuersignal benutzten codierten Signals, das an die Gate-Elektrode zu geben ist, bestimmt ist, ergibt sich die folgende Beziehung, wobei η die Anzahl von Bits ist, während Λ/die Anzahl der auszuwählenden Spannungen ist.
2" = N.
Sollten acht verschiedene Spannungen ausgewählt werden können, ist n—3. Die auszuwählenden Spannungen V0- V7 werden an die freien Source-Elektroden der N- und P-Kanal-Transistorgruppen in den jeweiligen C-MOS-Schaltungen 35, 36, 37 und 38 gegeben. Die Gate-Elektroden der jeweils paarweise zusammengefaßten P- und N-Kanal-MOS-Transistoren in den C-MOS-Schaltungen, die symmetrisch zum Verbindungspunkt der P- und N-Kanal-Transistorgruppen als Mittelpunkt angeordnet sind, sind miteinander verbunden. Die Gate-Elektroden der paarweise zusammengefaßten P- und N-Kanal-MOS-Transistoren in der ersten C-MOS-Schaltung sind gemeinsam mit den Gate-Elektroden der zugehörigen, paarweise zusammengefaßten P- und N-Kanal-MOS-Transistoren der übrigen C-MOS-Schaltungen verbunden, wie dieses in F i g. 2 gezeigt ist und die Gate-Elektroden der paarweise zusammengefaßten P- und N-Kanal-MOS-Transistoren in der C-MOS-Schaltung sind unmittelbar oder über einen Inverter 42, 43 mit Anschlüssen 39, 40 und 41 verbunden, an die die binärcodierten Steuersignale gegeben werden.
Werden an die in Fig.2 gezeigte Schaltung binärcodierte Signale A0, A\ und Ai als Gate-Steuersignale, die alle logische »0« angeben, gegeben, so werden die P-Kanal-MOS-Transistoren 31a bis 31c; die einer auszuwählenden Spannung Vo zugeordnet sind, alle in ihren leitenden Zustand geschaltet und mindestens einer der MOS-Transistoren in jeder der übrigen Transistorgruppen, die den Spannungen Vj bis V zugeordnet sind, gesperrt Als Folge davon erscheint die Spannung Vo am Ausgangsanschluß 23 über die Transistoren 31a bis 31c. Gibt das Signal /4o logische »1« und geben die Signale A\ und A7 beide logische »0« an, so werden die P-Kanal-MOS-Transistoren 32a bis 32c, die der Spannung Vi zugeordnet sind, in ihren leitenden Zustand geschaltet und mindestens einer der MOS-Transistoren in jeder der übrigen Transistorgruppen, die den Spannungen V0 und V2 bis V? zugeordnet sind, gesperrt. Als Folge davon erscheint die Spannung Vi am Ausgangsanschluß 23 über die P-Kanal-MOS-Transistoren 32a bis 32c. Auf diese Weise wird irgendeine der Spannungen Vo bis V7 entsprechend der Codierung der Signale Ao, A\ und Ai ausgewählt Die Tabelle 2 zeigt eine Beziehung zwischen den codierten Signalen Λο, A1 und Ai und den auszuwählenden Spannungen V0 bis V7.
Tabelle 2 A1 A0 Ausgang
A2 0 0 va
0 0 1 Vx
0 1 0 V2
0 1 1 V3
0 0 0 v,
1 0 1 V5
1 1 0 V6
1 1 1 V1
1
Obwohl bei dem zuvor erläuterten Ausführungsbeispiel die P- und N-Kanal-Transistorgruppen für jede Gatterschaltung in wechselseitig gegenüberliegender Beziehung angeordnet sind, kann eine Kanal-Transistorgruppe bei jeder Gatterschaltung fortgelassen werden. Dadurch kann jede beliebige Anzahl von Spannungen ausgewählt werden, ohne daß diese Anzahl von auszuwählenden Spannungen auf 2" begrenzt ist.
Die bei dem zuvor erläuterten Ausführungsbeispiel auszuwählende Spannung weist einen Grundpegel auf. Obwohl dieses Ausführungsbeispiel die gleiche Anzahl von P- und N-Kanal-Transistorgruppen benutzt, können die P- und N-Kanal-Transistorgruppen in ihrer Anzahl voneinander abweichen, wenn die Anzahl der auszuwählenden Spannungen nicht 2" ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Spannungsauswahlschaltung mit π Eingangsklemmen zum Empfang binär verschlüsselter Signale, einer Gruppe von P-Kanal-MOS-Transistoren, die in Source-Drain-Schaltung in Serie geschaltet sind, so daß eine freie Source-Elektrode und eine freie Drain-Elektrode verbleiben, mit einer Gruppe von N-Kanal-MOS-Transistoren, die in Source-Drain-Schaltung in Serie geschaltet sind, so daß eine freie Source-Elektrode und eine freie Drain-Elektrode verbleiben, mit einer Ausgangsklemme, die mit der freien Drain-Elektrode der P-Kanal-Transistorgruppe und der freien Drain-Elektrode der N-Kanal-Transistorgruppe verbunden ist und mit Klemmen an den freien Source-Elektroden der beiden Transistorgruppen mit denen jeweils Spannungsquellen unterschiedlicher, auszuwählender Spannungen verbindbar sind, wobei die Gate-Elektroden beider Transistorgruppen die Eingangsklemmen darstellen, dadurch gekennzeichnet, daß für jeden von maximal 2" unterschiedlichen Spannungswerten eine Gruppe von P-Kanal-MOS-Transistoren (Ua, lib, 136, 31a — c, 32a—c, 33a —c, 34a— c) oder eine Gruppe von N-Kanal-MOS-Transistoren (12a, 12i>, 14a, 14Zj, 3id-f,32d-f,33d-f, 34d-f)&n die Ausgangsklemme (22, 23) angeschlossen sind und daß die Gate-Steueranschlüsse so ausgebildet sind, daß die Gate-Elektroden derart mit binären Signalen und zu diesen komplementären binären Signalen beschaltbar sind, daß die ausgewählte Spannung zur Ausgangsklemme (22, 23) durch das öffnen der Transistoren einer Gruppe durchgeschaltet wird, während in allen anderen Gruppen mindestens ein Transistor sperrt.
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52122097A (en) * 1976-04-06 1977-10-13 Citizen Watch Co Ltd Electric optical display unit
US4158786A (en) * 1976-07-27 1979-06-19 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Display device driving voltage providing circuit
US4174541A (en) * 1976-12-01 1979-11-13 Raytheon Company Bipolar monolithic integrated circuit memory with standby power enable
DE2818085C2 (de) * 1977-04-26 1986-05-22 Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha, Shinjuku, Tokio/Tokyo Spannungsmeßschaltung
JPS54150036A (en) * 1978-05-18 1979-11-24 Sharp Corp Lsi device
US4271410A (en) * 1978-08-10 1981-06-02 Rockwell International Corporation LCD Data processor driver and method
US4324991A (en) * 1979-12-12 1982-04-13 Casio Computer Co., Ltd. Voltage selector circuit
US4408135A (en) * 1979-12-26 1983-10-04 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Multi-level signal generating circuit
JPS57129024A (en) * 1981-02-02 1982-08-10 Nec Corp Pulse generating circuit
EP0061513B1 (de) * 1981-04-01 1984-10-10 Deutsche ITT Industries GmbH Integrierte Auswahlschaltung in CMOS-Technik für vier Potentiale und deren Vereinfachung für drei Potentiale
JPS57166713A (en) * 1981-04-08 1982-10-14 Nec Corp Output circuit
JPS5847275A (ja) * 1981-09-16 1983-03-18 Seiko Instr & Electronics Ltd 電子時計用集積回路のテスト回路
JPH0756542B2 (ja) * 1985-09-25 1995-06-14 カシオ計算機株式会社 液晶駆動回路
US4712058A (en) * 1986-07-22 1987-12-08 Tektronix, Inc. Active load network
US4912339A (en) * 1988-12-05 1990-03-27 International Business Machines Corporation Pass gate multiplexer
US5221865A (en) * 1991-06-21 1993-06-22 Crosspoint Solutions, Inc. Programmable input/output buffer circuit with test capability
US5298814A (en) * 1992-08-18 1994-03-29 Micro Power Systems, Inc. Active analog averaging circuit and ADC using same
US5703617A (en) * 1993-10-18 1997-12-30 Crystal Semiconductor Signal driver circuit for liquid crystal displays
JPH07202681A (ja) * 1993-11-30 1995-08-04 Electron & Telecommun Res Inst 論理演算器および演算方法
US5815100A (en) * 1996-06-04 1998-09-29 Hewlett-Packard Company Voltage multiplexed chip I/O for multi-chip modules
US5742181A (en) * 1996-06-04 1998-04-21 Hewlett-Packard Co. FPGA with hierarchical interconnect structure and hyperlinks
DE19844728C1 (de) * 1998-09-29 2000-03-30 Siemens Ag Decoderelement zur Erzeugung eines Ausgangssignals mit drei unterschiedlichen Potentialen
AU3906200A (en) * 1999-03-22 2000-10-09 University Of Southern California Line reflection reduction with energy-recovery driver
US6512401B2 (en) * 1999-09-10 2003-01-28 Intel Corporation Output buffer for high and low voltage bus
US6396329B1 (en) 1999-10-19 2002-05-28 Rambus, Inc Method and apparatus for receiving high speed signals with low latency
US7161513B2 (en) * 1999-10-19 2007-01-09 Rambus Inc. Apparatus and method for improving resolution of a current mode driver
US7124221B1 (en) * 1999-10-19 2006-10-17 Rambus Inc. Low latency multi-level communication interface
US7269212B1 (en) 2000-09-05 2007-09-11 Rambus Inc. Low-latency equalization in multi-level, multi-line communication systems
US8861667B1 (en) 2002-07-12 2014-10-14 Rambus Inc. Clock data recovery circuit with equalizer clock calibration
US7292629B2 (en) 2002-07-12 2007-11-06 Rambus Inc. Selectable-tap equalizer
US7362800B1 (en) 2002-07-12 2008-04-22 Rambus Inc. Auto-configured equalizer
FR2874468B1 (fr) * 2004-08-17 2007-01-05 Atmel Nantes Sa Sa Dispositif d'aiguillage d'au moins deux tensions, circuit electronique et memoire correspondants
US8026740B2 (en) 2008-03-21 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Multi-level signaling for low power, short channel applications
US8259461B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-04 Micron Technology, Inc. Apparatus for bypassing faulty connections
US8570061B2 (en) * 2011-07-05 2013-10-29 Honeywell International Inc. (N-1)-out-of-N voter mux with enhanced drive

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3676705A (en) * 1970-05-11 1972-07-11 Rca Corp Logic circuits employing switches such as field-effect devices
GB1373626A (en) * 1970-11-27 1974-11-13 Smiths Industries Ltd Electrical dividing circuits
JPS4940851A (de) * 1972-08-25 1974-04-17
JPS4977538A (de) * 1972-11-27 1974-07-26
JPS4977537A (de) * 1972-11-27 1974-07-26
JPS5311171B2 (de) 1973-02-09 1978-04-19
JPS57509B2 (de) * 1973-04-06 1982-01-06
JPS5620734B2 (de) * 1973-07-31 1981-05-15
US3911428A (en) * 1973-10-18 1975-10-07 Ibm Decode circuit
US3936676A (en) * 1974-05-16 1976-02-03 Hitachi, Ltd. Multi-level voltage supply circuit for liquid crystal display device
US3900742A (en) * 1974-06-24 1975-08-19 Us Navy Threshold logic using complementary mos device

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