DE19954259A1 - Thin layer semiconductor solar cell is combined with patch antenna suitable for micro communication base stations - Google Patents
Thin layer semiconductor solar cell is combined with patch antenna suitable for micro communication base stationsInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein in Dünnschichttechnik ge fertigtes Halbleiterbauelement mit einem Bauelementkörper, der einen Dünnschichtaufbau zur Bereitstellung einer elektri schen oder elektronischen Nutzfunktion umfaßt. Ein wichtiger Anwendungsfall der Erfindung sind Photovoltaikmodule, d. h. Halbleiterbauelemente, bei denen die Nutzfunktion des Dünn schichtaufbaus eine Photovoltaikfunktion ist, d. h. eine Funk tion zur photovoltaischen Energiewandlung. Insbesondere eig net sich die Erfindung für Dünnschicht-Solarzellenmodule.The invention relates to a ge in thin film technology manufactured semiconductor component with a component body, a thin-film structure to provide an electrical includes or electronic utility function. An important Application of the invention are photovoltaic modules, i. H. Semiconductor components in which the useful function of the thin layer structure is a photovoltaic function, d. H. a funk tion for photovoltaic energy conversion. In particular the invention for thin-film solar cell modules.
Solarzellenmodule finden vielfältige Anwendung zur Energie speisung von elektrisch autonom, d. h. ohne Anschluß an ein Stromverteilungsnetz, zu betreibende elektrische oder elek tronische Bauteile. Vorzugsweise ist dabei das Solarzellenmo dul in das zu speisende Bauteil integriert oder direkt an dieses angekoppelt, so daß keine Anschlußkabel erforderlich sind.Solar cell modules are used in a variety of ways for energy feeding of electrically autonomous, d. H. without connecting to a Power distribution network, electrical or elec tronic components. Preferably, the solar cell mo dul integrated in the component to be fed or directly this is coupled so that no connecting cables are required are.
In vielen Fällen besteht eine weitere Anforderung an solche elektrisch autonom gespeiste, elektrische oder elektronische Bauteile darin, daß selbige innerhalb eines mehrkomponentigen Systems mit einer oder mehreren anderen Systemkomponenten an schlußkabelfrei kommunizieren können, insbesondere über eine drahtlose Signalübertragungsstrecke, z. B. mittels Funkwellen. Als beispielhafter Anwendungsfall seien elektrisch autonome und damit anschlußkabelfreie Sensoren genannt, wie sie z. B. in der Gebäudeleittechnik zur Heizungssteuerung und derglei chen verwendet werden, wobei sie an bestimmten Stellen im Ge bäude positioniert sind und dort erfaßte, lokale Meßdaten an eine zentrale Stelle zur Weiterverarbeitung melden. Ein wei teres Beispiel sind Relaissender, die lokal, z. B. innerhalb von Gebäuden, eine Kommunikation mit tragbaren Telekommunika tions- oder Datenverarbeitungsgeräten aufrechterhalten sollen und deren Montage ohne Neuverlegung von Anschlußkabeln mög lich sein soll. In beiden Fällen benötigen die betreffenden Bauteile eine geeignete Antenne zur Erfüllung der Kommunika tionsfunktion. Wenn für die Kommunikation Frequenzen im Giga hertzbereich verwendet werden, wie sie beispielsweise für die mobile Telefonie gängig sind, liegen die Wellenlängen und so mit die typischen Antennendimensionen im Bereich von Dezime tern bis Zentimetern.In many cases there is a further requirement for such electrically autonomously powered, electrical or electronic Components in that the same within a multi-component Systems with one or more other system components can communicate without a cable, especially via a wireless signal transmission link, e.g. B. by means of radio waves. An example of an application is electrically autonomous and thus called connection-cable-free sensors, such as those used for. B. in building management systems for heating control and the like Chen are used, at certain points in Ge are positioned and local measured data recorded there report to a central office for further processing. A white teres example are relay transmitters that are local, e.g. B. within of buildings, communication with portable telecommunications tion or data processing devices should maintain and their assembly possible without re-laying connection cables should be. In both cases, those need Components a suitable antenna to fulfill the communication tion function. If for communication frequencies in the Giga Hertz range can be used, such as for the mobile telephony are common, the wavelengths and so on with the typical antenna dimensions in the range of decime tern to centimeters.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstel lung eines Dünnschicht-Halbleiterbauelementes der eingangs genannten Art zugrunde, bei dem in einer vorteilhaften Weise die Voraussetzung dafür geschaffen ist, daß es neben der Er füllung seiner eigentlichen, vom Dünnschichtaufbau bereitge stellten elektrischen oder elektronischen Nutzfunktion, wie einer photovoltaischen Energieerzeugungsfunktion, eine draht lose Kommunikationsfunktion zu unterstützen vermag.The invention is the technical problem of providing development of a thin-film semiconductor component at the beginning mentioned type, in which in an advantageous manner the prerequisite for this is that in addition to the Er filling its actual, prepared by the thin-layer structure presented electrical or electronic utility, such as a photovoltaic power generation function, a wire can support loose communication function.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines Dünnschicht-Halbleiterbauelementes mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Bei diesem Halbleiterbauelement ist in des sen Bauelementkörper charakteristischerweise zusätzlich zum Nutzfunktions-Dünnschichtaufbau eine Flachantennenstruktur integriert. Auf diese Weise kann das Halbleiterbauelement nicht nur die ihm mit seinem Dünnschichtaufbau zugedachte Nutzfunktion erfüllen, sondern darüber hinaus über seine Flachantennenstruktur die Funktion einer Antennenendstufe ei ner drahtlosen Kommunikationsstrecke.The invention solves this problem by providing it a thin-film semiconductor device with the features of claim 1. In this semiconductor device is in the component body characteristically in addition to Functional thin-film structure a flat antenna structure integrated. In this way, the semiconductor device not only that intended for him with his thin-layer structure Fulfill useful function, but also beyond its Flat antenna structure the function of an antenna output stage a wireless communication link.
Durch Zuordnen des so ausgelegten Halbleiterbauelementes zu einem elektrischen oder elektronischen Bauteil kann dieses Bauteil sowohl die elektrische oder elektronische Nutzfunkti on des Halbleiterbauelements für sich nutzen als auch von dessen Flachantennenstruktur zwecks Kommunikation mit anderen elektrischen oder elektronischen Bauteilen Gebrauch machen und dadurch in seinem eigenen Aufbau vereinfacht werden. Dies gilt zum Beispiel für die oben erwähnten, elektrisch autonom zu betreibenden elektrischen oder elektronischen Bauteile mit Kommunikationsfunktion, wie Sensoren in der Gebäudeleittech nik oder Relaissender, wenn diesen ein erfindungsgemäßes So larzellenmodul zugeordnet wird, welches die zum Betrieb des Bauteils benötigte elektrische Energie bereitstellt und gleichzeitig die zur drahtlosen Kommunikation benötigte An tenne enthält. Die typischen Leistungsanforderungen z. B. von Sensoren, die über eine Luftschnittstelle mit einer Zentral station kommunizieren, oder von Mikrobasisstationen, die Da ten und Telefoniedienste vermitteln, lassen sich durch Solar zellenmodule mit einer gängigen Flächenausdehnung von ca. 100 cm2 bis ca. 1000 cm2 problemlos erfüllen. Diese vom Ener giebedarf bestimmte Solarmoduldimensionierung ist kompatibel mit den charakteristischen Antennendimensionen im Dezimeter- bis Zentimeterbereich, wie sie für gängige drahtlose Kommuni kationsanwendungen mit Frequenzen im Gigahertzbereich benö tigt werden.By assigning the semiconductor component designed in this way to an electrical or electronic component, this component can both use the electrical or electronic useful function of the semiconductor component for itself and also make use of its flat antenna structure for the purpose of communication with other electrical or electronic components, thereby simplifying its own structure . This applies, for example, to the above-mentioned, electrically autonomously operated electrical or electronic components with a communication function, such as sensors in building management technology or relay transmitters, if they are assigned an inventive solar cell module which provides the electrical energy required to operate the component and at the same time contains the antenna required for wireless communication. The typical performance requirements e.g. B. from sensors that communicate via an air interface with a central station, or from micro base stations that provide data and telephony services, can be easily met by solar cell modules with a common surface area of about 100 cm 2 to about 1000 cm 2 . This solar module dimensioning, which is determined by the energy requirement, is compatible with the characteristic antenna dimensions in the decimeter to centimeter range, as is required for common wireless communication applications with frequencies in the gigahertz range.
Bei einem nach Anspruch 2 weitergebildeten Dünnschicht- Halbleiterbauelement wird eine Randzone, die den Nutzfunkti ons-Dünnschichtaufbau umgibt, dazu genutzt, dort die Flachan tennenstruktur unterzubringen. Die Auslegung des Dünnschicht aufbaus bleibt dadurch völlig unabhängig von der Flachanten nenstruktur. In a further developed according to claim 2 thin film Semiconductor device becomes an edge zone, the Nutzfunkti ons thin-film structure surrounds, used for this purpose, the Flachan to accommodate the tennis structure. The interpretation of the thin film construction remains completely independent of the flat edges structure.
Bei einem nach Anspruch 3 weitergebildeten Dünnschicht- Halbleiterbauelement ist die Flachantennenstruktur auf oder unter dem Nutzfunktions-Dünnschichtaufbau angeordnet, so daß zur Realisierung der Flachantennenstruktur kein weiterer Flä chenbedarf erforderlich ist. Bei Bedarf kann eine elektrische Isolationsschicht zwischen der Flachantennenstruktur und dem Nutzfunktions-Dünnschichtaufbau vorgesehen sein.In a further developed according to claim 3 thin film Semiconductor component is the flat antenna structure on or arranged under the functional thin film structure, so that no further area for realizing the flat antenna structure is required. If necessary, an electrical Isolation layer between the flat antenna structure and the Functional thin-film structure can be provided.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung, wie sie in den Ansprü chen 4 und 5 angegeben sind, beziehen sich speziell auf ein Photovoltaikmodul mit integrierter Flachantennenstruktur. In diesem Fall kann die Flachantennenstruktur z. B. von einer Aufeinanderfolge mehrerer, integriert serienverschalteter Photovoltaik-Einzelzellen selbst gebildet sein, wozu diese in einer entsprechenden Antennenschleifengeometrie im zugehöri gen Bauelementkörper aufeinanderfolgen, z. B. in einer U-Form oder einer Mäanderform. Alternativ kann die Flachantennen struktur aus einer Frontkontaktschicht oder einer Rückkon taktschicht oder aus wenigstens einem Teil der Front- bzw. Rückkontaktschicht gebildet sein. In allen diesen Fällen er gibt sich der Vorteil, daß die Flachantennenstruktur Teil des ohnehin für die Photovoltaik-Nutzfunktion benötigten Dünn schichtaufbaus ist und daher keine weiteren Schichten auf dem Bauelementkörper vorgesehen werden müssen.Further refinements of the invention, as set out in the claims Chen 4 and 5 are given, refer specifically to Photovoltaic module with integrated flat antenna structure. In in this case, the flat antenna structure z. B. from one Sequence of several, integrated series-connected Single photovoltaic cells themselves, which is why in a corresponding antenna loop geometry in the belonging successive gene component body, for. B. in a U-shape or a meander shape. Alternatively, the flat antennas structure from a front contact layer or a back contact clock layer or from at least part of the front or Be back contact layer formed. In all of these cases he there is the advantage that the flat antenna structure is part of the thin ones required anyway for the photovoltaic useful function layer structure and therefore no further layers on the Component body must be provided.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung nach Anspruch 6 ist das Dünnschicht-Halbleiterbauelement ein Photovoltaikmo dul mit integrierter Flachantennenstruktur, dessen Dünn schichtaufbau aus mehreren Photovoltaik-Einzelzellen gleicher Flächenausdehnung in einer konzentrischen Anordnung besteht. Durch ihre Flächengleichheit haben die Einzelzellen bei glei chem Aufbau auch die gleiche Energieerzeugungsleistung. Ihre konzentrische Anordnung ermöglicht es in einfacher Weise, ei nen Teil einer Einzelzelle, z. B. deren Front- oder Rückkon taktschicht, gleichzeitig als Flachantennenstruktur zu ver wenden.In a further embodiment of the invention according to claim 6 the thin-film semiconductor component is a photovoltaic mo dul with integrated flat antenna structure, its thin layer structure of several photovoltaic single cells of the same Area expansion in a concentric arrangement. Thanks to their equal area, the individual cells at glei chem build also the same power generation performance. Your Concentric arrangement makes it easy to egg NEN part of a single cell, e.g. B. the front or back con clock layer, at the same time as a flat antenna structure turn.
Vorteilhafte Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Hierbei zeigen:Advantageous embodiments of the invention are in the Drawings are shown and are described below. Here show:
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Solarzellenmodul mit in eine Randzone integrierter Flachantennenstruktur, Fig. 1 is a plan view of a solar cell module with integrated in an edge zone flat antenna structure,
Fig. 2 eine schematische Schnittansicht längs der Linie II-II von Fig. 1, Fig. 2 is a schematic sectional view taken along the line II-II of Fig. 1,
Fig. 3 eine Draufsicht auf ein Solarzellenmodul mit über dem Photovoltaik-Dünnschichtaufbau aufgebrachter Flachan tennenstruktur, Figure 3 is a plan view of antenna structure. On a solar cell module with applied over the photovoltaic thin-film structure Flachan,
Fig. 4 eine Draufsicht auf ein Solarzellenmodul mit mehre ren, integriert serienverschaltet in einer U-Anten nenschleifengeometrie aufeinanderfolgenden, eine Flachantennenstruktur bildenden Einzelzellen und Fig. 4 is a plan view of a solar cell module with several Ren, integrated in a series connection in a U-antenna loop geometry successive, a flat antenna structure forming individual cells and
Fig. 5 eine Draufsicht auf ein Solarzellenmodul mit mehre ren, flächengleichen Einzelzellen in konzentrischer Anordnung und integrierter Einzelzellenfrontkontakt- Flachantennenstruktur. Fig. 5 is a plan view of a solar cell module with several Ren, identical single cells in a concentric arrangement and integrated single cell front contact flat antenna structure.
Fig. 1 zeigt in einer Draufsicht ein Dünnschicht-Halbleiter bauelement in Form eines Photovoltaikmoduls, speziell eines Solarzellenmoduls, mit etwa quadratischen Abmessungen. Alter nativ sind selbstverständlich andere Gestaltungen möglich, wie eine runde Form, eine Streifenform oder dgl. Das Solar zellenmodul (auch kurz Solarmodul bezeichnet) beinhaltet neun streifenförmige Einzelzellen E1 bis E9, die in einer Reihe nebeneinanderliegend angeordnet und in herkömmlicher Weise integriert serienverschaltet sind, d. h. im zugehörigen Dünn schichtaufbau D1 der Gesamtzelle ist eine Vorder- oder eine Rückkontaktschicht einer jeweils nächsten Zelle elektrisch mit der Rück- bzw. der Frontkontaktschicht der vorhergehenden Einzelzelle kontaktiert. Alternativ ist natürlich jede andere Anzahl von Einzelzellen möglich. Das Solarzellenmodul liefert somit an zwei zugehörigen Anschlüsssen A1, A2, von denen der eine mit einer Kontaktschicht der ersten Einzelzelle E1 und der andere mit einer Kontaktschicht der letzten Einzelzelle E9 verbunden ist, eine Ausgangsspannung, die der Summe der neun Einzelspannungsbeiträge der Einzelzellen E1 bis E9 ent spricht. Fig. 1 shows a plan view of a thin-film semiconductor device in the form of a photovoltaic module, especially a solar cell module, with approximately square dimensions. Alternatively, of course, other designs are possible, such as a round shape, a stripe shape or the like. The solar cell module (also called solar module for short) contains nine stripe-shaped individual cells E1 to E9, which are arranged in a row next to one another and are integrated in series in a conventional manner, ie In the associated thin layer structure D1 of the entire cell, a front or a back contact layer of a respective next cell is electrically contacted with the back or front contact layer of the preceding individual cell. Alternatively, any other number of individual cells is of course possible. The solar cell module thus supplies an output voltage to two associated connections A1, A2, one of which is connected to a contact layer of the first individual cell E1 and the other to a contact layer of the last individual cell E9, which is the sum of the nine individual voltage contributions of the individual cells E1 to E9 speaks accordingly.
Das Feld mit den neun integriert serienverschalteten Solarmo dul-Einzelzellen E1 bis E9 wird von einer rahmenförmigen Randzone R umgeben, die von dem Photovoltaik-Dünnschicht aufbau D1 frei ist, entweder dadurch, daß selbiger dort nicht gebildet wird, oder dadurch, daß er nach ganzflächiger Erzeu gung dort wieder entfernt wird. In diese quadratrahmenförmige Randzone R ist eine Flachantennenstruktur in Form einer ent sprechend quadratrahmenförmigen Antennenstromschleife FA1 eingebracht, die von einer vom Solarzellen-Dünnschichtaufbau D1 elektrisch isolierten Leiterbahn mit zwei nahe beieinan derliegenden Endpunkten gebildet ist, mit denen eine zugehö rige Antennenanschlußleitung AL1 kontaktiert ist.The field with the nine integrated series-connected Solarmo dul single cells E1 to E9 is of a frame-shaped Edge zone R surrounded by the photovoltaic thin film construction D1 is free, either because the same is not there is formed, or by the fact that after full-area production is removed there again. In this square frame Edge zone R is a flat antenna structure in the form of an ent speaking square-frame antenna current loop FA1 introduced by one of the solar cell thin-film construction D1 electrically insulated trace with two close together the endpoints is formed, with which an associated Other antenna connection line AL1 is contacted.
Fig. 2 zeigt eine Realisierung des Solarzellenmoduls von Fig. 1, bei welcher der Dünnschichtaufbau D1 auf einer Rückseiten abdeckung 1 aufsitzt, die z. B. von einem Glasträger gebildet sein kann. Der Solarzellen-Dünnschichtaufbau D1 kann dabei auf die Rückseitenabdeckung aufgebondet sein. Er besteht aus einer an die Rückseitenabdeckung 1 angrenzenden Rückkontakt schicht 2, z. B. aus Molybdän, einer auf die Rückkontakt schicht 2 aufgebrachten, vorzugsweise mehrlagigen, photovol taisch aktiven Schicht 3, z. B. einer CIS(CuInSe2)-Schicht, und einer auf die photovoltaisch aktive Schicht 3 aufgebrach ten Frontkontaktschicht 4, z. B. aus ZnO. Der Solarzellen- Dünnschichtaufbau D1 ist von einer elektrisch isolierenden Einbettung 5 z. B. aus EVA umgeben. Auf die Einbettungsschicht 5 ist mit Abstand zum Solarzellen-Dünnschichtaufbau D1 eine Frontabdeckung 6 aufgebracht, die z. B. wiederum aus einer Glasplatte bestehen kann. Fig. 2 shows an implementation of the solar cell module of Fig. 1, in which the thin-film structure D1 sits on a rear cover 1 , which, for. B. can be formed by a glass support. The solar cell thin-film structure D1 can be bonded to the rear cover. It consists of an adjacent to the back cover 1 back contact layer 2 , z. B. made of molybdenum, an applied to the back contact layer 2 , preferably multi-layer, photovoltaically active layer 3 , z. B. a CIS (CuInSe 2 ) layer, and an applied to the photovoltaically active layer 3 th front contact layer 4 , z. B. from ZnO. The solar cell thin-film structure D1 is of an electrically insulating embedding 5 z. B. surrounded by EVA. On the embedding layer 5 , a front cover 6 is applied at a distance from the solar cell thin-layer structure D1, which, for. B. can in turn consist of a glass plate.
In der Randzone R bildet das Einbettungsmaterial 5 eine seit liche Abschluß-Schutzschicht für den Solarzellen-Dünnschicht aufbau D1. In das Einbettungsmaterial 5 der Randzone R ist die Antennenschleifen-Leiterbahn FA1 elektrisch isoliert vom Solarzellen-Dünnschichtaufbau D1 eingebettet, wobei sie im gezeigten Beispiel auf der Rückseitenabdeckung 1 aufsitzt. Alternativ kann die Antennenleiterbahn FA1 innerhalb der Randzone R angrenzend an die Frontabdeckung 6 oder mit Ab stand sowohl von der Rückseitenabdeckung 1 als auch von der Frontabdeckung 6 angeordnet sein.In the edge zone R, the embedding material 5 forms an end protective layer for the solar cell thin-film construction D1. The antenna loop conductor track FA1 is embedded in the embedding material 5 of the edge zone R in an electrically insulated manner from the solar cell thin-layer structure D1, in the example shown being seated on the rear cover 1 . Alternatively, the antenna conductor track FA1 can be arranged within the edge zone R adjacent to the front cover 6 or from both the rear cover 1 and the front cover 6 .
Da die von der Antennenleiterbahn FA1 gebildete Flachanten nenstruktur außerhalb des Solarzellen-Dünnschichtaufbaus D1 diesen umgebend angeordnet ist, kann der Dünnschichtaufbau D1 vollkommen unabhängig von der Flachantennenstruktur FA1 aus gelegt werden. Die Flächenausdehnung des Solarzellen-Dünn schichtaufbaus D1 liegt in einer herkömmlichen Größenordnung z. B. zwischen etwa 100 cm2 und etwa 1000 cm2. Dementsprechend liegt der Durchmesser der Antennenschleife FA1 in einem vom Senden und/oder Empfangen von Signalen mit Frequenzen im Be reich von mehreren hundert Megahertz bis mehreren Gigahertz geeigneten Bereich, wie sie standardmäßig für übliche Funksy steme und für mobile Telefonie in Gebrauch sind. Andererseits reicht die besagte Fläche des Solarzellenmoduls aus, kleinere elektrische oder elektronische Bauteile, wie Sensoren oder zur Vermittlung von Daten und Telefoniediensten dienende Mi krobasisstationen, im allgemeinen mit ausreichender solarer Energie zu speisen. Somit paßt für solche Anwendungsfälle die Größe der benötigten photovoltaisch aktiven Fläche gut zur benötigten Abmessung der Flachantennenschleife. Die Integra tion der Solarzellenfunktion des Dünnschichtaufbaus D1 mit der Antennenfunktion der Antennenschleife FA1 in einem ge meinsamen Bauelementkörper ermöglicht für ein elektrisches oder elektronisches Bauteil, dem ein solches Solarzellenmodul mit integrierter Antenne zugeordnet wird, sowohl dessen elek trisch autonome Energiespeisung als auch eine Kommunikationsfähigkeit, ohne daß dafür eine separate Antenne für das Bau teil vorgesehen werden muß. Dies kann den Aufbau solcher Bau teile oder Geräte beträchtlich vereinfachen und entsprechende Kosten einsparen.Since the flat antenna structure formed by the antenna conductor track FA1 is arranged outside the solar cell thin-film structure D1, the thin-layer structure D1 can be laid out completely independently of the flat antenna structure FA1. The surface area of the thin-film solar cell structure D1 is in a conventional order of magnitude, for. B. between about 100 cm 2 and about 1000 cm 2 . Accordingly, the diameter of the antenna loop FA1 lies in a range suitable for sending and / or receiving signals with frequencies in the range from several hundred megahertz to several gigahertz, as is standard for conventional radio systems and for mobile telephony in use. On the other hand, the said area of the solar cell module is sufficient to generally feed sufficient electrical energy to smaller electrical or electronic components, such as sensors or micro base stations serving to convey data and telephony services. Thus, for such applications, the size of the photovoltaically active area required fits well with the required dimension of the flat antenna loop. The integration of the solar cell function of the thin-film structure D1 with the antenna function of the antenna loop FA1 in a common component body enables an electrical or electronic component to which such a solar cell module with an integrated antenna is assigned, both its electrically autonomous energy supply and a communication capability without this requires a separate antenna for the construction part must be provided. This can considerably simplify the construction of such construction parts or devices and save corresponding costs.
Fig. 3 zeigt eine weitere Möglichkeit der Integration einer Flachantennenstruktur und eines Solarzellen-Dünnschichtauf baus in einem gemeinsamen Bauelementkörper. Das dort gezeigte Ausführungsbeispiel ist wiederum ein Dünnschicht-Solarzel lenmodul mit beispielhaft wiederum etwa quadratischer Abmes sung, das einen Solarzellen-Dünnschichtaufbau D2 mit zehn in einer Reihe nebeneinanderliegenden, integriert serienver schalteten Einzelzellen E10 bis E19 umfaßt, der von einer rahmenförmigen Randzone R1 umgeben ist. In seinem Aufbau ent spricht das Solarzellenmodul von Fig. 3 demjenigen von Fig. 2, mit Ausnahme der Lage der integrierten Flachantennenstruk tur. Fig. 3 shows a further possibility of integrating a flat antenna structure and a solar cell thin-film structure in a common component body. The embodiment shown there is again a thin-film solar cell module with, for example, again approximately square dimensions, which comprises a solar cell thin-film structure D2 with ten adjacent, integrated series-connected individual cells E10 to E19, which is surrounded by a frame-shaped edge zone R1. In its structure, the solar cell module of FIG. 3 corresponds to that of FIG. 2, with the exception of the location of the integrated flat antenna structure.
Denn statt in der Randzone R1 ist beim Solarzellenmodul von Fig. 3 eine Antennenschleifen-Leiterbahn FA2 innerhalb des Flächenbereichs des Solarzellen-Dünnschichtaufbaus D2 über demselben und elektrisch von diesem isoliert angeordnet. Die Antennenleiterbahn FA2 kann aus einem metallischen oder einem transparenten, elektrisch leitfähigen Material bestehen. Zur Verdeutlichung ist die Lage dieser Antennenleiterbahnschleife FA2 in der Ansicht von Fig. 2 gestrichelt angedeutet. Wie daraus ersichtlich, liegt die Antennenleiterbahn FA2 mit Ab stand über der Frontkontaktschicht 4 direkt unter der Front abdeckung 6. Alternativ kann die Antennenleiterbahn FA2 all seitig von der Einbettungsschicht 5 umgeben zwischen der Frontkontaktschicht 4 und der Frontabdeckung 6 angeordnet sein. In Fällen, in denen der Dünnschichtaufbau D2 nicht di rekt auf der Rückseitenabdeckung 1 aufsitzt, sondern unter Zwischenfügung von Einbettungsmaterial 5 mit Abstand zu der selben angeordnet ist, kann die Antennenleiterbahn FA2 auch unterhalb des Dünnschichtaufbaus D2 mit Abstand zur Rückkon taktschicht 2 angeordnet sein, z. B. direkt auf der Rückseitenabdeckung 1. In jedem Fall bleibt in diesen Ausführungs beispielen die Randzone R1 von der Flachantennenstruktur FA2 frei und kann unabhängig von dieser ausgelegt werden. Im üb rigen entsprechen Aufbau, Funktion und Anwendungsmöglichkei ten des Bauelements von Fig. 3 denjenigen, wie sie oben zum Bauelement von Fig. 1 angegeben sind.For, instead of in the edge zone R1 in the solar cell module of FIG. 3, an antenna loop conductor track FA2 is arranged above the surface of the solar cell thin-layer structure D2 and electrically insulated therefrom. The antenna conductor track FA2 can consist of a metallic or a transparent, electrically conductive material. The position of this antenna conductor track loop FA2 is indicated by dashed lines in the view of FIG. 2 for clarification. As can be seen from this, the antenna conductor track FA2 is located above the front contact layer 4 directly under the front cover 6 . Alternatively, the antenna conductor track FA2 can be arranged on all sides surrounded by the embedding layer 5 between the front contact layer 4 and the front cover 6 . In cases in which the thin-film structure D2 does not sit di rectly on the rear cover 1 , but is arranged with the interposition of embedding material 5 at a distance from the same, the antenna conductor track FA2 can also be arranged below the thin-film structure D2 at a distance from the rear contact layer 2 , e.g. . B. directly on the back cover 1 . In any case, in these exemplary embodiments, the edge zone R1 remains free of the flat antenna structure FA2 and can be designed independently of this. In üb engined corresponding structure, function and Anwendungsmöglichkei th of the device of FIG. 3 to those as indicated above for the device of FIG. 1,.
Fig. 4 zeigt ein wiederum quadratförmiges Solarzellenmodul, bei dem umrahmt von einer Randzone R2 fünfzehn Photovoltaik- Einzelzellen E20 bis E34 in einem entsprechenden Dünnschicht aufbau D3 integriert serienverschaltet sind. Charakteristi scherweise folgen die Einzelzellen E20 bis E34 in einer huf eisenförmigen bzw. U-förmigen Konfiguration aufeinander. Dazu sind für den Dünnschichtaufbau zunächst analog zu den Bei spielen der Fig. 1 bis 3 mehrere, hier acht, streifenförmige Einzelzellstrukturen ausgebildet, die dann mit Ausnahme einer randseitigen Einzelzellstruktur längs einer zu diesem Zweck eingebrachten Trennlinie T in je zwei Einzelzellen aufge trennt werden. Die vom Solarzellenmodul gelieferte Spannung kann dann an den beiden getrennten, gleichseitigen seitlichen Einzelzellen E20, E34 der Zellenreihenschaltung über zugehö rige Speisespannungsanschlüsse A3, A4 abgegriffen werden. Fig. 4 shows a turn square-shaped solar cell module in which are series-framed integrated by an edge zone R2 fifteen photovoltaic single cells E20 to E34 construction in a corresponding thin film D3. Characteristically, the individual cells E20 to E34 follow one another in a hoof-iron or U-shaped configuration. For this purpose, several, in this case eight, strip-shaped individual cell structures are first formed for the thin-layer structure analogously to the case of FIGS. 1 to 3, which are then separated into two individual cells with the exception of an edge-side individual cell structure along a dividing line T introduced for this purpose. The voltage supplied by the solar cell module can then be tapped on the two separate, equilateral lateral individual cells E20, E34 of the cell series connection via associated supply voltage connections A3, A4.
Die U-förmige Konfiguration der Einzelzellenanordnung von Fig. 4 macht es möglich, die Reihenschaltung aus den fünfzehn hintereinandergeschalteten Photovoltaik-Einzelzellen E20 bis E34 selbst als Flachantennenstruktur zu verwenden, wozu eine Antennenanschlußleitung AL2 an die beiden getrennten endsei tigen Einzelzellen E20, E34 angeschlossen ist. Es versteht sich, daß in diesem Ausführungsbeispiel der Photovoltaik- Dünnschichtaufbau D3 so ausgelegt ist, daß er eine für die Erfüllung der Antennenfunktion ausreichende elektrische Leit fähigkeit besitzt. Durch die U-Form erfüllt diese Einzelzel lenkonfiguration die zum Senden und/oder Empfangen von Hoch frequenzsignalen bestehenden Anforderungen an die Antennen schleifengeometrie und kann somit als Flachantennenstruktur dienen, insbesondere für die oben zu den Ausführungsbeispie len der Fig. 1 bis 3 bereits genannten Anwendungszwecke.The U-shaped configuration of the single cell arrangement of FIG. 4 makes it possible to use the series connection of the fifteen series-connected photovoltaic single cells E20 to E34 itself as a flat antenna structure, for which purpose an antenna connecting line AL2 is connected to the two separate end-side single cells E20, E34. It is understood that in this embodiment, the photovoltaic thin-film structure D3 is designed so that it has a sufficient electrical conductivity for the fulfillment of the antenna function. Due to the U-shape this single cell configuration fulfills the existing requirements for the transmission and / or reception of high-frequency signals on the antenna loop geometry and can thus serve as a flat antenna structure, in particular for the above-mentioned application examples of FIGS . 1 to 3.
Fig. 5 zeigt ein wiederum etwa quadratisches Solarzellenmo dul, das mehrere, hier vier, integriert serienverschaltete Photovoltaik-Einzelzellen E35 bis E38 in einem entsprechenden Dünnschichtaufbau D4 aufweist. Charakteristischerweise sind die Einzelzellen E35 bis E38 konzentrisch ineinanderliegend angeordnet und flächengleich gestaltet, d. h. ausgehend von der inneren Einzelzelle E38 nimmt nach außen hin die Breite der Einzelzellen E35 bis E38 entsprechend der zunehmenden Länge der Einzelzellen E35 bis E38 ab. Dadurch besitzen bei gleichem Schichtaufbau die Einzelzellen E35 bis E38 alle die selbe Energieerzeugungsleistung. Der Spannungsabgriff über entsprechende Ausgangsspannungsleitungen A5, A6 erfolgt dem entsprechend einerseits an einem Anschlußpunkt der innersten Einzelzelle E38 und andererseits an einem Anschlußpunkt der äußersten Einzelzelle E35. Es versteht sich, daß die Einzel zellen statt der gezeigten U-Form auch eine andere schleifen förmige Gestalt besitzen können, insbesondere auch eine kreisringförmige Gestalt. Fig. 5 shows an approximately square solar cell module, which has several, here four, integrated series-connected photovoltaic individual cells E35 to E38 in a corresponding thin-layer structure D4. Characteristically, the individual cells E35 to E38 are arranged concentrically one inside the other and are designed with the same area, ie, starting from the inner individual cell E38, the width of the individual cells E35 to E38 decreases towards the outside in accordance with the increasing length of the individual cells E35 to E38. As a result, the individual cells E35 to E38 all have the same power generation capacity with the same layer structure. The voltage tapping via corresponding output voltage lines A5, A6 takes place accordingly on the one hand at a connection point of the innermost individual cell E38 and on the other hand at a connection point of the outermost individual cell E35. It goes without saying that the individual cells can also have a different loop-shaped shape instead of the U-shape shown, in particular also an annular shape.
Beim Solarzellenmodul von Fig. 5 dient die Rückkontakt- oder die Frontkontaktschicht einer der U-förmigen, konzentrisch ineinanderliegenden Einzelzellen E35 bis E37 gleichzeitig als Antennenschleifen-Leiterbahn und damit als Flachantennen struktur zum Übertragen von Hochfrequenzsignalen. Im gezeig ten Fall dient die metallische Rückkontaktschicht der äußer sten Einzelzelle E35 als Antennenschleife, wozu sie über eine Anschlußstruktur A5 an eine zugehörige Antennenanschlußlei tung AL3 angeschlossen ist. Je nach geforderter Antennendi mensionierung kann alternativ die Rückkontakt- oder Frontkon taktschicht einer weiter innen liegenden U-förmigen Einzel zelle E36, E37 als Flachantennenstruktur dienen.When solar cell module of FIG. 5, the back contact or front contact layer is one of the U-shaped, lying concentrically one within individual cells E35 to E37 as an antenna loop conductor and thus as a flat antenna structure for transmitting high-frequency signals. In the case shown, the metallic back contact layer of the outermost single cell E35 serves as an antenna loop, for which purpose it is connected via a connection structure A5 to an associated antenna connection line AL3. Depending on the required antenna dimensioning, the back contact or front contact layer of an internal U-shaped single cell E36, E37 can alternatively serve as a flat antenna structure.
Wie die obige Beschreibung vorteilhafter Ausführungsformen zeigt, vereinigt die Erfindung in vorteilhafter Weise einen Dünnschichtaufbau zur Erfüllung einer Nutzfunktion eines Dünnschicht-Halbleiterbauelementes mit einer Flachantennen struktur zur Bereitstellung einer Kommunikationsfähigkeit, insbesondere für gängige Übertragungsfrequenzen, in einem einzigen Bauelementkörper. Es versteht sich, daß die Erfin dung eine derartige Integration einer Flachantennenstruktur nicht nur, wie beschrieben, in ein Photovoltaikmodul, sondern auch in andere Typen von Dünnschicht-Halbleiterbauelementen in gleicher Weise ermöglicht.As the above description of advantageous embodiments shows, the invention advantageously combines one Thin-film construction to fulfill a useful function of a Thin-film semiconductor component with a flat antenna structure to provide communication skills, especially for common transmission frequencies, in one single component body. It is understood that the inventor such an integration of a flat antenna structure not only, as described, in a photovoltaic module, but also in other types of thin-film semiconductor components enables in the same way.
Claims (6)
- - einem Bauelementkörper, der einen Nutzfunktions-Dünn schichtaufbau (D1) zur Bereitstellung einer elektrischen oder elektronischen Nutzfunktion umfaßt, gekennzeichnet durch
- - eine in den Bauelementkörper integrierte Flachantennen struktur (FA1).
- - A component body comprising a useful function thin layer structure (D1) for providing an electrical or electronic useful function, characterized by
- - A flat antenna structure (FA1) integrated in the component body.
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7129493B2 (en) * | 2001-10-10 | 2006-10-31 | Ambient Control Systems, Inc. | Method and apparatus for photovoltaic cells of solar powered radiation sensing system antenna |
| US7154095B2 (en) | 2001-10-10 | 2006-12-26 | Ambient Control Systems, Inc. | Solar powered narrow band radiation sensing system for detecting and reporting forest fires |
| US7256401B2 (en) | 2001-10-10 | 2007-08-14 | Ambient Control Systems, Inc. | System and method for fire detection |
| ITTE20100003A1 (en) * | 2010-03-12 | 2010-06-11 | Nepi Green Power Di Nepi Maurizio | PHOTOVOLTAIC AND / OR THERMAL SOLAR PANEL WITH INCORPORATED FLAT ANTENNA. |
| WO2011039000A3 (en) * | 2009-09-30 | 2011-06-03 | Saint-Gobain Glass France | Thin-film component on glass, a method for the production thereof and the use thereof |
| CN102097503A (en) * | 2010-11-09 | 2011-06-15 | 李淑英 | Antenna-integrating device of solar battery |
| WO2011134512A1 (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Nokia Corporation | Photovoltaic cell arrangements |
| WO2011134509A1 (en) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Nokia Corporation | Producing electrical power with solar cell arrangement |
| FR2963704A1 (en) * | 2010-08-05 | 2012-02-10 | St Microelectronics Crolles 2 | PHOTOVOLTAIC CELL AND AUTONOMOUS SENSOR |
| WO2013034349A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Robert Bosch Gmbh | Solar module and photovoltaic plant |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0324484A2 (en) * | 1988-01-12 | 1989-07-19 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Light sensible semiconductor device |
| DE4208101A1 (en) * | 1992-03-13 | 1993-09-16 | Thomson Brandt Gmbh | Satellite aerial with parabolic dish - has surface covered with solar cell elements maintaining charge of battery supplying receiver circuit. |
| JPH10242443A (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Toshiba Corp | Function-integrated semiconductor device |
| JPH10270925A (en) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Nec Corp | Antenna loading solar battery |
| DE19807227A1 (en) * | 1998-02-20 | 1999-09-02 | Meinen | Current supply arrangement for a mobile telephone made of one or more IC cards |
-
1999
- 1999-11-11 DE DE19954259A patent/DE19954259B4/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0324484A2 (en) * | 1988-01-12 | 1989-07-19 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Light sensible semiconductor device |
| DE4208101A1 (en) * | 1992-03-13 | 1993-09-16 | Thomson Brandt Gmbh | Satellite aerial with parabolic dish - has surface covered with solar cell elements maintaining charge of battery supplying receiver circuit. |
| JPH10242443A (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Toshiba Corp | Function-integrated semiconductor device |
| JPH10270925A (en) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Nec Corp | Antenna loading solar battery |
| DE19807227A1 (en) * | 1998-02-20 | 1999-09-02 | Meinen | Current supply arrangement for a mobile telephone made of one or more IC cards |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Engl. Abstract von JP 10242443 A, JPO, 1998 * |
| Engl. Abstract von JP 10270925 A, JPO, 1998 * |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7154095B2 (en) | 2001-10-10 | 2006-12-26 | Ambient Control Systems, Inc. | Solar powered narrow band radiation sensing system for detecting and reporting forest fires |
| US7256401B2 (en) | 2001-10-10 | 2007-08-14 | Ambient Control Systems, Inc. | System and method for fire detection |
| US7129493B2 (en) * | 2001-10-10 | 2006-10-31 | Ambient Control Systems, Inc. | Method and apparatus for photovoltaic cells of solar powered radiation sensing system antenna |
| US9099588B2 (en) | 2009-09-30 | 2015-08-04 | Saint-Gobain Glass France | Thin-film component on glass, a method for the production thereof and the use thereof |
| WO2011039000A3 (en) * | 2009-09-30 | 2011-06-03 | Saint-Gobain Glass France | Thin-film component on glass, a method for the production thereof and the use thereof |
| ITTE20100003A1 (en) * | 2010-03-12 | 2010-06-11 | Nepi Green Power Di Nepi Maurizio | PHOTOVOLTAIC AND / OR THERMAL SOLAR PANEL WITH INCORPORATED FLAT ANTENNA. |
| US9287427B2 (en) | 2010-04-28 | 2016-03-15 | Nokia Technologies Oy | Solar cell arrangement having an induction loop arrangement |
| WO2011134512A1 (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Nokia Corporation | Photovoltaic cell arrangements |
| WO2011134509A1 (en) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Nokia Corporation | Producing electrical power with solar cell arrangement |
| CN103003950B (en) * | 2010-04-28 | 2016-03-09 | 诺基亚技术有限公司 | Utilize solar cell to arrange and produce power supply |
| CN103003950A (en) * | 2010-04-28 | 2013-03-27 | 诺基亚公司 | Producing electrical power with solar cell arrangement |
| US9209324B2 (en) | 2010-04-28 | 2015-12-08 | Nokia Technologies Oy | Photovoltaic cell arrangements |
| FR2963704A1 (en) * | 2010-08-05 | 2012-02-10 | St Microelectronics Crolles 2 | PHOTOVOLTAIC CELL AND AUTONOMOUS SENSOR |
| US9006851B2 (en) | 2010-08-05 | 2015-04-14 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Photovoltaic device with through-vias |
| CN102097503B (en) * | 2010-11-09 | 2013-04-17 | 李淑英 | Antenna-integrating device of solar battery |
| CN102097503A (en) * | 2010-11-09 | 2011-06-15 | 李淑英 | Antenna-integrating device of solar battery |
| WO2013034349A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Robert Bosch Gmbh | Solar module and photovoltaic plant |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19954259B4 (en) | 2005-09-15 |
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| DE102010043905A1 (en) | Solar cell module and method for its production |
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