DE19949378A1 - Abgeschirmte impedanzgesteuerte Gatling-Geschütz-Durchkontaktierung - Google Patents

Abgeschirmte impedanzgesteuerte Gatling-Geschütz-Durchkontaktierung

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Abstract

Eine "Gatling-Geschütz"-Durchkontaktierung zum Verbinden einer Schaltungsanordnung von einer ersten Seite eines Substrates oder einer gedruckten Schaltungsplatine aus mit einer zweiten Seite des Substrates oder der Platine wird geschaffen. Die vorliegende Durchkontaktierungsstruktur weist eine Mittelleiterdruckkontaktierung auf, die von einer Mehrzahl von Massendurchkontaktierungen umgeben ist. Die Mehrzahl von Massedurchkontaktierungen schirmen die Leiterdurchkontaktierung ab, und liefern folglich eine elektrische Trennung für die Leiterdurchkontaktierung von dem Rest der Schaltungsanordnung. Bei einem Ausführungsbeispiel ist die Leiterdurchkontaktierung mit der leitfähigen Struktur auf dem Substrat durch eine Drahtverbindung verbunden.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Mikro­ schaltungen und insbesondere auf eine "Gatling-Geschütz"- Durchkontaktierung, die eine Durchkontaktierung mit einer Mittelleiterdurchkontaktierung ist, die von Massedurchkon­ taktierungen umgeben ist.
Die heutigen komplexen integrierten Schaltungen verwenden typischerweise mehrere Millionen Transistoren auf einem ein­ zigen integrierten Schaltungssubstrat. Mehrere Schichten ei­ nes leitfähigen Materials sind über dem Substrat angeordnet gebildet, damit diese Millionen von Transistoren verbunden sind und als ein Ganzes wirken. Um die elektrische Kommu­ nikation zwischen den leitfähigen Schichten zu vereinfachen, werden Durchkontaktierungsstrukturen verwendet. Die Durch­ kontaktierungen sind Öffnungen, die durch die dielektrischen Schichten zwischen einer ersten leitfähigen Schicht und ei­ ner zweiten leitfähigen Schicht geätzt werden.
Die Schaltungsplatinenverbindungen lassen sich allgemein in drei Kategorien einteilen. Die erste Kategorie verwendet eine laminierte epoxydgefüllte Ummantelung. Die einzelnen Schichten weisen elektronisch leitfähige Wege aus struktu­ riertem Kupfer auf. Die zweite Kategorie verwendet eine Ba­ sisstruktur einer gefüllten Epoxydummantelung. Diese Basis wird daraufhin mit mehreren Schichten aus photobelichtbaren Dielektrikum und aus strukturiertem Kupfer bedeckt. Die dritte Kategorie besteht aus mehreren Schichten einer lami­ nierten Keramik, wobei das Kupfer einzeln strukturiert ist. Die vorliegende Erfindung ist auf das Bilden von "Gatling- Geschütz"-Durchkontaktierungen bezüglich der zweiten Kate­ gorie gerichtet, obwohl die Konzepte hierin auf die anderen zwei Verbindungsschemata angewendet werden können.
Durchkontaktierungen können durch Bohren von Löchern und ein darauffolgendes Metallisieren der Wege durch die Löcher ge­ bildet werden. Die Durchkontaktierungslöcher können sich durch die vollständige Mehrschichtplatine erstrecken. In dieser Konfiguration sind die Durchkontaktierungen mit jeder Kupfer- (d. h. leitfähigen) Schicht elektrisch gekoppelt. Alternativ können die Durchkontaktierungen unter Verwendung einer herkömmlichen photobelichtungserzeugten Durchkontak­ tierungsstruktur gebildet sein.
Ein Problem bei den Durchkontaktierungsstrukturen, die bei Hochfrequenzanwendungen verwendet werden, besteht in dem Mangel von elektrischer Wechselstromtrennung zwischen der Durchkontaktierung und dem Rest der Mikroschaltung. Ein wei­ teres Problem besteht darin, daß die Standarddurchkontaktie­ rungen (die entweder durch Bohren oder durch Photobelichtung gebildet sind) keine gesteuerte Impedanzumgebung bei hohen Frequenzen liefern.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Verbindungsstruktur zu schaffen, bei der die Impedanz der Durchkontaktierungen beim Entwurf einstellbar ist.
Diese Aufgabe wird durch eine Verbindungsstruktur gemäß An­ spruch 1 oder 3 gelöst.
Die vorliegende Erfindung schafft eine "Gatling-Geschütz"- Durchkontaktierung, um eine Schaltungsanordnung von einer ersten Seite eines Substrats oder einer gedruckten Schal­ tungsplatine aus mit einer zweiten Seite des Substrats oder der Platine zu verbinden. Die vorliegende Durchkontaktierung weist eine Mittelleiterdurchkontaktierung auf, die von einer Mehrzahl von Massedurchkontaktierungen umgeben ist. Die Mehrzahl von Massedurchkontaktierungen schirmt die Mittel­ leiterdurchkontaktierung ab, wodurch folglich eine elek­ trische Trennung für die Leiterdurchkontaktierung von dem Rest der Schaltungsanordnung geliefert wird. Ein Merkmal der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß die Mehrzahl von Massedurchkontaktierungen modifiziert werden können, wobei ihre Durchmesser und ihre Plazierung relativ zu der Mittel - leiterdurchkontaktierung eingestellt werden, um die gesamte charakteristische Impedanz der Gatling-Geschütz-Durchkon­ taktierung zu beeinflussen. Dieses Merkmal ist nützlich, wenn sich Signale mit einer hohen Frequenz von der ersten Seite zu der zweiten Seite des Substrats ausbreiten.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Querschnittansicht einer lami­ nierten Epoxydkernstruktur mit einer Gatling-Ge­ schütz-Durchkontaktierung gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 2 eine Ansicht der Gatling-Geschütz-Durchkontaktie­ rung von oben.
Richard J. Gatling wurde 1818 in Nordkalifornien, USA, ge­ boren. In seinen frühen 20er Jahren erfand und verbesserte Gatling viele Ackerbauimplementierungen, einschließlich ei­ ner Maschine zum Säen von Baumwolle und einen dampfbetriebe­ nen Pflug. Aber Gatling ist wahrscheinlich am meisten für seine Erfindung eines schnellfeuernden Gewehrs bekannt, das seinen Namen trägt.
Nach dem Ausbruch des Amerikanischen Bürgerkriegs interes­ sierte sich Gatling für Schußwaffen. 1862 ließ er das Gat­ ling-Handkurbelschnellfeuergeschütz patentieren. Das erste Gatling-Geschütz weist sechs Gewehrläufe auf, die um eine mittlere Welle angebracht sind. Die Läufe rotierten um die Welle, während das Geschütz betrieben wurde. Jeder Lauf wur­ de mechanisch geladen, sobald sich derselbe an dem oberen Ende einer Drehung befand, und abgefeuert, sobald sich der­ selbe an dem unteren Ende einer Drehung befand. Die leere Hülse wurde herausgestoßen, während der Lauf zu einem Nach­ laden vorbewegt wurde. Frühere Modelle des Gatling-Ge­ schützes feuerten etwa 300 Schuß pro Minute ab. Bis 1882 verbesserte Gatling seinen Entwurf, so daß das Geschütz 1.200 Schuß pro Minute abfeuerte.
Der Entwurf des Gatling-Geschützes inspiriert die vorliegen­ de Erfindung. Das Modell einer Mehrzahl von Läufen um eine mittlere Welle wird in einer verbesserten Durchkontaktie­ rungsstruktur übernommen, die eine bessere Trennung und eine verbesserte gesteuerte Impedanz liefert, um eine Schaltungs­ anordnung von einer ersten Seite eines Substrats oder einer gedruckten Schaltungsplatine aus mit einer Schaltungsanord­ nung auf einer zweiten Seite des Substrats oder der Platine zu verbinden. Die Erörterung im folgenden wird die vorlie­ gende Erfindung bei einer Umgebung einer gedruckten Schal­ tungsplatine offenbaren. Ein Fachmann auf dem Gebiet wird aber die Anwendbarkeit der vorliegenden Erfindung auf eine breite Vielzahl von Anwendungen, die einzelne Schichten und Mehrschichtsubstrate und -Keramiken aufweisen, verstehen.
Fig. 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer laminierten Epoxydkernstruktur mit einer Gatling-Geschütz- Durchkontaktierung. Ein Basis- oder Kernlaminat von mehreren epoxydgefüllten Ummantelungsschichten 110 weist eine Struk­ tur aus elektrisch leitfähigem Kupfer 120 auf, das auf des­ sen Oberseite 112 gebildet ist, während auf dessen Rückseite 114 eine weitere Struktur aus elektrisch leitfähigem Kupfer 122 gebildet ist. Es sind ferner Strukturen aus Kupfer (Ge­ genstände 124 und 126) auf dem Laminat 110 gebildet, die elektrisch an Masse angeschlossen sind, wie es detaillierter im folgenden erörtert werden wird. Die Strukturen (Gegen­ stände 120, 122, 124 und 126) sind allgemein in x- und y- Richtungsebenen angeordnet.
Der Querschnitt zeigt ebenfalls drei gebohrte Löcher an den Positionen 130, 132 und 134, die sich durch das Basislaminat 110 sowie die Kupferstrukturen 120, 122, 124 und 126 er­ strecken. Die Löcher 130, 132 und 134 sind allgemein in einer z-Richtung interplanar bezüglich der Strukturen 120, 122, 124 und 126 angeordnet.
Sobald die Löcher gebohrt sind, kann ein trockener Film (nicht gezeigt) auf eine herkömmliche Art und Weise an die Rückseite 114 vakuumlaminiert werden. Das Loch bei 130 wird daraufhin mit einem leitfähigen, metallisierbaren und löt­ baren Polymer (nicht gezeigt) gefüllt, das auf eine herkömm­ liche Art und Weise als eine Paste oder eine Flüssigkeit aufgebracht werden kann. Das Polymer wird daraufhin ausge­ härtet, wobei der Trockenfilm abgezogen wird. Dies bildet dann die Mittelleiterdurchkontaktierung bei 130. Auf gleiche Art und Weise werden die Löcher bei 132 und 134 gefüllt und ausgehärtet.
Eine Drahtverbindung 140 verbindet die Mittelleiterdurchkon­ taktierung 130 elektrisch mit der elektrisch leitfähigen Struktur 120. Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbei­ spiel könnte die Drahtverbindung 140 eine Bandverbindung oder ein dielektrischer Film oder ein beliebiges Material sein, das dazu in der Lage ist, ein elektrisches Signal über die Massedurchkontaktierung 132 hinweg von dem Mittelleiter 130 zu der elektrisch leitfähigen Struktur 120 zu leiten.
Fig. 2 zeigt eine Ansicht der Gatling-Geschütz-Durchkontak­ tierung gemäß der vorliegenden Erfindung von oben. Die Mit­ telleiterdurchkontaktierung 130 ist durch eine Mehrzahl von Massedurchkontaktierungen 132, 134 und 232 umgeben. Ein Raum 220 trennt die Leiterdurchkontaktierung 130 von einer Masse­ ebene 210, die die Mehrzahl von Massedurchkontaktierungen 132, 134 und 236 elektrisch erdet.
Fig. 2 stellt den Mittelleiter 130 dar, der durch acht Mas­ sedurchkontaktierungen umgeben ist. Diese Anzahl ist nicht erheblich. Die Trennung könnte mit so wenigen wie zwei Durchkontaktierungen durchgeführt werden. Das Erhöhen der Anzahl von Massedurchkontaktierungen erhöht die elektrische Trennung. Das Steuern der Impedanz der Struktur wird durch Variieren der Durchmesser der Leiter- und Masse-Durchkontak­ tierungen sowie ihrer relativen Position voneinander durch­ geführt. Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht da­ rin, daß die Ausbreitung von Signalen in einem Paket, das die Gatling-Geschütz-Durchkontaktierungen verwendet, verbes­ sert wird, während das Übersprechen zwischen den Signallei­ tern und das Leistungsverteilungsrauschen minimiert wird. Eine Verwendung der Gatling-Geschütz-Durchkontaktierung ermöglicht es dem Schaltungsentwickler ferner, den Raum zwischen beispielsweise zwei Schaltungsregionen enger zu machen.

Claims (3)

1. Verbindungsstruktur zum Verbinden einer ersten Seite einer Schaltungsplatine mit einer zweiten Seite der Schaltungsplatine, wobei die Struktur folgende Merk­ male aufweist:
eine Mittelleiterdurchkontaktierung (130); und
eine Mehrzahl von Massedurchkontaktierungen (132, 134), wobei die Mehrzahl von Massedurchkontaktierungen die Leiterdurchkontaktierung im wesentlichen umgeben, wobei die Leiterdurchkontaktierung elektrische Signale von der ersten Seite (112) zu der zweiten Seite (114) der Schaltungsplatine leitet.
2. Verbindungsstruktur gemäß Anspruch 1, die ferner fol­ gendes Merkmal aufweist:
eine Drahtverbindung (140), wobei die Drahtverbindung an einem ersten Ende mit der Leiterdurchkontaktierung und an einem zweiten Ende mit einer leitfähigen Struk­ tur (120) verbunden ist.
3. Verbindungsstruktur zum Verbinden einer ersten Seite eines Substrats mit einer zweiten Seite des Substrats, wobei die Struktur folgende Merkmale aufweist:
eine Mittelleiterdurchkontaktierung (130);
eine Mehrzahl von Massedurchkontaktierungen (132, 134), wobei die Mehrzahl von Massedurchkontaktierungen die Leiterdurchkontaktierung im wesentlichen umgeben; und
eine Drahtverbindung (140), wobei die Drahtverbindung an einem ersten Ende mit der Leiterdurchkontaktierung und an einem zweiten Ende mit einer leitfähigen Struk­ tur (120) verbunden ist, wobei die leitfähige Struktur auf der ersten Seite (112) des Substrats gebildet ist,
wobei die Leiterdurchkontaktierung elektrische Signale von der ersten Seite (112) zu der zweiten Seite (114) des Substrats leitet.
DE19949378A 1998-10-29 1999-10-13 Abgeschirmte impedanzgesteuerte Gatling-Geschütz-Durchkontaktierung Withdrawn DE19949378A1 (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6727777B2 (en) * 2001-04-16 2004-04-27 Vitesse Semiconductor Corporation Apparatus and method for angled coaxial to planar structure broadband transition
JP3820955B2 (ja) * 2001-10-12 2006-09-13 日本電気株式会社 ビルドアップ基板とその製造方法
US6828513B2 (en) * 2002-04-30 2004-12-07 Texas Instruments Incorporated Electrical connector pad assembly for printed circuit board
EP1557075A4 (de) 2002-10-22 2010-01-13 Sullivan Jason Nicht-peripheres verarbeitungssteuermodul mit verbesserten wärmeableiteigenschaften
JP2006505874A (ja) 2002-10-22 2006-02-16 ジェイソン エイ サリヴァン ダイナミックにモジュラー式の処理ユニットを提供するためのシステムおよび方法
AU2003284329A1 (en) 2002-10-22 2004-05-13 Isys Technologies Robust customizable computer processing system
FR2849346B1 (fr) * 2002-12-20 2006-12-08 Thales Sa Boitier hyperfrequence a montage de surface et montage correspondant avec un circuit multicouche.
DE10305855A1 (de) * 2003-02-13 2004-08-26 Robert Bosch Gmbh HF-Multilayer-Platine
JP4652230B2 (ja) 2003-06-02 2011-03-16 日本電気株式会社 プリント回路基板用コンパクトビア伝送路およびその設計方法
US7030712B2 (en) * 2004-03-01 2006-04-18 Belair Networks Inc. Radio frequency (RF) circuit board topology
CN100544559C (zh) * 2004-03-09 2009-09-23 日本电气株式会社 用于多层印刷电路板的通孔传输线
US20060151869A1 (en) * 2005-01-10 2006-07-13 Franz Gisin Printed circuit boards and the like with improved signal integrity for differential signal pairs
TWI248330B (en) * 2005-01-14 2006-01-21 Ind Tech Res Inst High frequency and wide band impedance matching via
US7492146B2 (en) * 2005-05-16 2009-02-17 Teradyne, Inc. Impedance controlled via structure
CN100562214C (zh) * 2005-07-02 2009-11-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有改良过孔的印刷电路板
CN1916915A (zh) * 2005-08-19 2007-02-21 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 改良过孔阻抗的方法
TWI286049B (en) * 2006-04-04 2007-08-21 Advanced Semiconductor Eng Circuit substrate
US7781889B2 (en) * 2006-06-29 2010-08-24 Intel Corporation Shielded via
CN101513144B (zh) * 2006-08-02 2012-07-18 日本电气株式会社 印刷布线板
CN101282614A (zh) * 2007-04-04 2008-10-08 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有改良过孔的印刷电路板
DE102008014742A1 (de) * 2008-03-18 2009-09-24 Qimonda Ag Anordnung in Flip-Chip-Montagebauweise, Überprüfungsanordnung zum Überprüfen der Positionierung eines integrierten Schaltkreises relativ zu einem Träger einer Anordnung in Flip-Chip-Montagebauweise und Verfahren zum Überprüfen der Positionierung eines integrierten Schaltkreises relativ zu einem Träger einer Anordnung in Flip-Chip-Montagebauweise
US7830301B2 (en) * 2008-04-04 2010-11-09 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Dual-band antenna array and RF front-end for automotive radars
US7733265B2 (en) * 2008-04-04 2010-06-08 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Three dimensional integrated automotive radars and methods of manufacturing the same
US8022861B2 (en) 2008-04-04 2011-09-20 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Dual-band antenna array and RF front-end for mm-wave imager and radar
US20100110650A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Maxwell Martha A Soldering Strategies for Printed Circuit Board Assemblies
US7990237B2 (en) * 2009-01-16 2011-08-02 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. System and method for improving performance of coplanar waveguide bends at mm-wave frequencies
CN101945537A (zh) * 2009-07-10 2011-01-12 英华达(上海)电子有限公司 一种具有过孔结构的印刷电路板及其制造方法
EP2278613B1 (de) * 2009-07-21 2013-06-05 STMicroelectronics (Crolles 2) SAS Röhrenförmige Durchkontaktierung, welche aus mehreren leitfähigen Einzel-Durchkontaktierungen besteht
US8729405B2 (en) * 2010-03-31 2014-05-20 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
US20120002455A1 (en) * 2010-06-07 2012-01-05 Sullivan Jason A Miniturization techniques, systems, and apparatus relatng to power supplies, memory, interconnections, and leds
US8786496B2 (en) 2010-07-28 2014-07-22 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Three-dimensional array antenna on a substrate with enhanced backlobe suppression for mm-wave automotive applications
US8570765B2 (en) * 2010-08-31 2013-10-29 Asustek Computer Inc. Circuit board with via hole and electronic device equipped with the same
US8957325B2 (en) 2013-01-15 2015-02-17 Fujitsu Limited Optimized via cutouts with ground references
TWI484876B (zh) * 2013-12-20 2015-05-11 Ind Tech Res Inst 具傳輸孔之電路板及其製造方法
TWI576026B (zh) 2015-07-17 2017-03-21 財團法人工業技術研究院 電路結構
US10201074B2 (en) 2016-03-08 2019-02-05 Amphenol Corporation Backplane footprint for high speed, high density electrical connectors
CN105891740B (zh) * 2016-04-08 2018-08-31 北京航空航天大学 一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构及其构建方法
WO2019094549A1 (en) * 2017-11-08 2019-05-16 Amphenol Corporation Backplane footprint for high speed, high density electrical connectors
US11057995B2 (en) 2018-06-11 2021-07-06 Amphenol Corporation Backplane footprint for high speed, high density electrical connectors
CN114900947A (zh) * 2022-04-15 2022-08-12 深南电路股份有限公司 印制电路板

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3895435A (en) * 1974-01-23 1975-07-22 Raytheon Co Method for electrically interconnecting multilevel stripline circuitry
SE426894B (sv) 1981-06-30 1983-02-14 Ericsson Telefon Ab L M Impedansriktig koaxialovergang for mikrovagssignaler
US4816791A (en) 1987-11-27 1989-03-28 General Electric Company Stripline to stripline coaxial transition
US5200580A (en) * 1991-08-26 1993-04-06 E-Systems, Inc. Configurable multi-chip module interconnect
JPH05206678A (ja) * 1992-01-28 1993-08-13 Nec Corp 多層配線基板
US5401912A (en) * 1993-06-07 1995-03-28 St Microwave Corp., Arizona Operations Microwave surface mount package
GB9515233D0 (en) * 1995-07-25 1995-09-20 Cinch Connectors Ltd Co-axial connector system
US5644276A (en) * 1996-05-29 1997-07-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Multi-layer controllable impedance transition device for microwaves/millimeter waves
JP4195731B2 (ja) * 1996-07-25 2008-12-10 富士通株式会社 多層プリント板及びこれを利用した高周波回路装置
JPH10173410A (ja) * 1996-12-12 1998-06-26 Sharp Corp ストリップ線路を用いた伝送回路
US5842877A (en) 1996-12-16 1998-12-01 Telefonaktiebolaget L M Ericsson Shielded and impedance-matched connector assembly, and associated method, for radio frequency circuit device
US5920242A (en) * 1997-06-09 1999-07-06 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Multielement-type piezoelectric filter with through-hole connection of resonators to a base substrate circuit
US6031188A (en) * 1998-04-30 2000-02-29 Lockheed Martin Corp. Multi-circuit RF connections using molded and compliant RF coaxial interconnects

Also Published As

Publication number Publication date
FR2785454B1 (fr) 2002-10-11
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