DE19919381A1 - Mehrfachverkapselung von Phosphor-LED-Bauelementen - Google Patents

Mehrfachverkapselung von Phosphor-LED-Bauelementen

Info

Publication number
DE19919381A1
DE19919381A1 DE19919381A DE19919381A DE19919381A1 DE 19919381 A1 DE19919381 A1 DE 19919381A1 DE 19919381 A DE19919381 A DE 19919381A DE 19919381 A DE19919381 A DE 19919381A DE 19919381 A1 DE19919381 A1 DE 19919381A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
resin
semiconductor device
fluorescent material
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19919381A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19919381B4 (de
Inventor
Christopher Haydn Lowery
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumileds Holding BV
Original Assignee
Hewlett Packard Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Publication of DE19919381A1 publication Critical patent/DE19919381A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19919381B4 publication Critical patent/DE19919381B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

Ein Halbleiterbauelement weist eine lichtemittierende Diode auf, die durch ein transparentes Beabstandungselement bedeckt ist, das die LED von einer gleichmäßig dicken Fluoreszensmaterial enthaltenden Schicht derart trennt, daß ein gleichmäßigeres Leuchten der Fluoreszenzmaterial enthaltenden Schicht erhalten wird, um ein gleichmäßig weißes Licht zu liefern.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf licht­ emittierende Dioden und insbesondere auf lichtemittierende Dioden, die Fluoreszenzmaterialien verwenden.
Derzeit wird eine lichtemittierende Diode oder eine LED, die blaues Licht emittiert, in Kombination mit einem Fluores­ zenzmaterial verwendet, um ein LED-Bauelement zu erzeugen, das weißes Licht ausgibt. Weißes Licht erstreckt sich üb­ licherweise gleichmäßig von 400 bis 600 Nanometer (nm) be­ züglich der Wellenlänge, aber Licht, das als eine Kombina­ tion von rot, blau und grün auftritt, wird ebenso als weiß erscheinen. Durch Verwenden von Indium-Gallium-Nitrid bei der LED, ist es möglich, ein intensives blaues Licht zu er­ zeugen. Durch Verwenden von Phosphor, der im allgemeinen rotes und grünes Licht mit niedrigen Intensitäten und blaues Licht mit höheren Intensitäten erzeugt, ist es möglich, ein intensives Licht zu erzeugen, das weiß erscheint. Im wesent­ lichen stößt das meiste des blauen Lichts bei 470 nm an den Phosphor in dem Fluoreszenzmaterial, wobei dieses Licht nach oben verschoben werden würde, derart, daß das grüne und rote Nebenlicht das restliche blaue Licht komplementieren, das an dem Phosphor vorbeigelangt. Dies liefert eine schließliche Kombination von Licht, die für das menschliche Auge als weiß erscheint.
Ungünstigerweise ist bestimmt worden, daß der herkömmliche Lösungsansatz des Verwendens eines Fluoreszenzmaterials, das auf die Blau-LED geschichtet wird, eine LED mit einem hel­ len, weißen Kern erzeugt, der durch einen ringförmigen Ring von gelb gefolgt von einem ringförmigen Ring von blau ge­ folgt durch einen schließlichen ringförmigen Ring von gelb umgeben ist. Diese ringförmigen Ringe treten von LED zu LED nicht immer in einer vorhersagbaren Art und Weise auf, so daß einige LEDs relativ gleichmäßiges weißes Licht liefern, wohingegen andere Variationen der ringförmigen Ringe auf­ weisen.
Es hat sich als schwierig herausgestellt, die Ursachen die­ ser Ringe zu bestimmen, und folglich als schwierig, zu be­ stimmen, wie dieses Problem zu lösen ist. Kunden sehen die Abweichungen von weiß als einen Fehler bei der LED an, so daß eine große Anzahl während der Qualitätskontrolle aus­ rangiert werden muß.
Das vorhergehende Problem tritt sowohl bei LED-Lampen als auch bei Oberflächen-befestigten LED-Leuchten auf.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, gleichmäßig leuchtende Halbleiterbauelemente mit geringem Ausschuß zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 1, 7 oder 14 gelöst.
Ein Halbleiterbauelement weist eine lichtemittierende Diode auf, die durch ein transparentes Beabstandungselement be­ deckt ist. Das transparente Beabstandungselement trennt die LED von dem Fluoreszenzmaterial, derart, daß ein gleichmäßi­ geres Leuchten des Fluoreszenzmaterials auftritt, um eine LED mit einem konstanten, gleichmäßigen weißen Licht zu lie­ fern. Dies beseitigt ein früheres Problem bei Weiß-Halb­ leiterleuchten, die gelbes und/oder blaues Licht emittieren.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 (stand der Technik) einen Querschnitt einer früh­ eren LED-Lampe;
Fig. 2 (stand der Technik) eine Nahansicht einer herkömm­ lichen LED und dessen Verkapselungssystem;
Fig. 3 eine Nahansicht der LED mit dem Verkapselungssystem der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 4 eine Nahansicht der LED bei einer Oberflächenbe­ festigungsvorrichtung, die das Verkapselungssystem der vorliegenden Erfindung verwendet.
Es wird nun auf Fig. 1 (Stand der Technik) Bezug genommen. Darin ist eine Lichtemittierende-Diode-Lampe 10 (LED-Lampe) gezeigt. Die LED-Lampe 10 weist erste und zweite Anschlüsse oder Anschlußleitungsrahmen 12 und 14 auf, durch die zu der LED-Lampe 10 eine elektrische Leistung zugeführt wird. Der Anschlußleitungsrahmen 12 weist einen Ausnehmungsreflektor­ bereich 16 auf, in dem eine LED 18 angeordnet ist. Die LED ist aus einer Indium-dotierten Gallium-Nitrid Epitaxie­ schicht auf einem transparenten Saphirsubstrat hergestellt. Wenn die obere Oberfläche der LED aus Indium-Gallium-Nitrid durch einen Gleichstrom bei der geeigneten Durchlaßspannung aktiviert wird, erzeugt dieselbe ein blaues Licht bei etwa 470 nm Wellenlänge.
Die LED 18 ist durch eine Drahtverbindung 20 mit dem An­ schlußleitungsrahmen 12 und durch eine Drahtverbindung 22 mit dem Anschlußleitungsrahmen 14 verbunden. Die LED 18 weist eine Schicht eines Fluoreszenzmaterials 24 auf, die über derselben angeordnet ist. Das Fluoreszenzmaterial 24 ist im allgemeinen ein transparentes Epoxidharz, das Parti­ kel von YAG/Gd:Ce-Phosphor enthält. Die gesamte Anordnung ist in ein transparentes Verkapselungsepoxidharz 26 einge­ bettet.
In Fig. 1 (Stand der Technik) sind ebenfalls Pfeile 28 und 30 gezeigt, die die Lichtstrahlen eines ringförmigen blauen Rings darstellen. Die Pfeile 32 und 34 stellen die Licht­ strahlen eines äußeren ringförmigen Rings dar, wobei die Pfeile 36 und 38 einen inneren ringförmigen gelben Ring dar­ stellen.
Es wird nun auf Fig. 2 (Stand der Technik) Bezug genommen. Darin ist der Anschlußleitungsrahmen 12 mit dessen Reflek­ torabschnitt 16 gezeigt, der eine Mulde bildet, die die LED 18 hält. Bei genauerem Hinsehen weist die Schicht des Fluo­ reszenzmaterials 24 dünne Bereiche bei 40 und 42 und einen dickeren Bereich bei 44 auf. Das schließliche Verkapselungs­ epoxidharz 26 ist aus Einfachheitszwecken nicht gezeigt.
Es wird nun auf Fig. 3 Bezug genommen. Darin ist ein Zulei­ tungsrahmen 12 mit dem Reflektor 16 gezeigt, der die LED 18 hält. Gleiche Bauteile wie die im Stand der Technik sind mit denselben Bezugszeichen gezeigt. Ein transparentes Beabstan­ dungselement 50 ist gezeigt, wie es die LED 18 verkapselt, wobei eine Ebene eines Fluoreszenzmaterials 52 gezeigt ist, die oberhalb des transparenten Beabstandungselements 50 an­ geordnet ist. Das schließliche Verkapselungsepoxidharz 26 ist aus Einfachheitszwecken nicht gezeigt.
Es wird nun auf Fig. 4 Bezug genommen. Darin ist eine ober­ flächenbefestigte LED-Leuchte 60 gezeigt, die auf einem Bauelementsubstrat 62 einer Oberflächenbefestigungsvorrich­ tung angeordnet ist. Die LED 60 ist in einem transparenten Beabstandungselement 64 verkapselt, das ferner durch eine Schicht eines Fluoreszenzmaterials 66 und einer schließ­ lichen transparenten Verkapselungsschicht 68 bedeckt ist.
Bei Betrieb würde die LED-Lampe 10 von Fig. 1 (Stand der Technik) eine Leistung aufweisen, die an dem Anschlußlei­ tungsrahmen 12 oder 14 angelegt ist, abhängig davon, welcher Teil der LED der p-Übergang und welcher Teil der n-Übergang war. Auf das Anlegen von Leistung hin würde die Oberseite der LED 18 intensives blaues Licht emittieren. Wo bei dem Bereich 44 die korrekte Dicke des Fluoreszenzmaterials vor­ gesehen war, würde die korrekte Kombination aus blauem Licht bei ungefähr 470 nm und dem grünen und roten Phosphorlicht bei 500 nm bzw. 550 nm ein weißes Licht erzeugen.
Wo die Schicht des Fluoreszenzmaterials bei den Bereichen 40 und 42 relativ dünn war, die in Fig. 2 (Stand der Technik) gezeigt sind, würde das blaue Licht im allgemeinen einen blauen ringförmigen Ring entlang der Lichtstrahllinien 28 und 30 liefern, da dort ein ungenügender Beitrag von Licht von dem Phosphor vorhanden sein würde. Innerhalb und außer­ halb des ringförmigen blauen Rings würden aufgrund der Lichtstrahlen 32 und 34 und der Lichtstrahlen 36 und 38 gelbe ringförmige Ringe vorhanden sein, wo der Phosphor einiges Licht beitragen würde, aber dasselbe nicht ausrei­ chen würde, um ein gleichmäßiges weißes Licht zu erzeugen.
Es ist bestimmt worden, daß die Oberflächenspannung des Materials 24 über der LED 18 Bereiche von verschiedenen Dicken bewirkt, die sich von den Dicken bei den Bereichen 40 und 42 durch die Ecken der LED 18 und die Dicke bei dem Bereich 44 oberhalb der Mitte der LED erstreckt. Dies be­ wirkt eine nicht gleichmäßige Abstrahlung des blauen Lichts und bewirkt die ringförmigen Ringe, die im vorhergehenden beschrieben wurden. Dies erscheint inhärent zu sein, wo die Schicht des Fluoreszenzmaterials 24 über und um die LED 18 aufgebracht ist.
Bei der vorliegenden Erfindung, wie sie in Fig. 3 gezeigt ist, ist es bestimmt worden, daß das Aufbringen eines transparenten Beabstandungselements 50 über und um die LED 18 und das Trennen einer im wesentlichen gleichmäßig dicken Schicht eines Fluoreszenzmaterials 52 von der LED 18 die ringförmigen Ringe beseitigen wird. Es ist ebenfalls be­ stimmt worden, daß das transparente Beabstandungselement 50 exakt mit der Oberseite der LED 18 abgeglichen sein kann, derart, daß die Schicht des Fluoreszenzmaterials 52 aus einer gleichmäßigen Dicke oberhalb der LED besteht, und daß dies ebenfalls das Problem beseitigen wird. Der letztere Lö­ sungsansatz erfordert jedoch eine vorsichtigere Volumenver­ teilung des transparenten Beabstandungselements 50 bei der Mulde, die durch den konischen Reflektorbereich 16 gebildet ist.
Für eine oberflächenbefestigte LED-Leuchte, wie sie in Fig. 4 gezeigt ist, ist es möglich, eine Oberflächenspannung (die bei der Größe einer LED 18 relativ zu den Gravitationskräf­ ten groß ist) in einer Kombination mit einer Viskosität zu verwenden, um den Tropfen einer halbsphärischen Abmessung eines zähflüssigen, transparenten ultraviolett-(UV-)Licht- aushärtenden Harzes über der LED 18 zu ermöglichen, der das transparente Beabstandungselement 60 bildet. Das Harz würde alle die Ecken bedecken und daraufhin unter Verwendung von UV-Licht ausgehärtet werden. Dieser Vorgang würde daraufhin von der Schicht des Fluoreszenzmaterials 66 gefolgt werden, das ebenfalls ein zähflüssiges UV-aushärtendes Harz ist. Das Aufbringen des transparenten Beabstandungselements 64 würde eine Halbsphäre als ein Tröpfchen liefern, und die Schicht des Fluoreszenzmaterials 66 würde daraufhin fließen, um sich der halbsphärischen Form des transparenten Beabstandungsele­ ments 64 anzupassen, und würde vor der schließlichen Ver­ kapselung 68 ausgehärtet werden und aushärten. Da die Schicht des Fluoreszenzmaterials 66 aus einer gleichmäßigen Dicke bestehen würde, würde dieselbe nicht von dem Problem des ringförmigen Rings betroffen sein.
Es ist notwendig, eine schnelle Aushärtung vorzunehmen, wie z. B. eine UV-Aushärtung, da es der normale Tropfen bezüglich der Viskosität während der thermischen Aushärtung ermög­ lichen würde, daß die meisten Harze, normalerweise Epoxid­ harze, von der LED 18 trotz der kleinen Größe wegfließen würden. Daraufhin kann die schließliche Verkapselungsschicht 68 aufgetragen werden.
Obwohl die Erfindung in Verbindung mit einem spezifischen besten Modus beschrieben worden ist, wird darauf hingewie­ sen, daß für Fachleute in dieser Technik aufgrund der vor­ hergehenden Beschreibung viele Alternativen, Modifikationen und Variationen offensichtlich sind. Dementsprechend ist beabsichtigt, alle solche Alternativen, Modifikationen und Variationen zu umfassen, die in den Schutzbereich der umfaß­ ten Ansprüche fallen. Alle Dinge, die hierin beschrieben wurden oder in den begleitenden Zeichnungen gezeigt wurden, sind in einem beispielhaften und nicht-begrenzenden Sinne zu interpretieren.

Claims (20)

1. Halbleiterbauelement mit
einem lichtemittierenden Halbleiter (18);
einem transparenten Beabstandungselement (50), das um den lichtemittierenden Halbleiter (18) angeordnet ist;
einer Fluoreszenzmaterial-enthaltenden Schicht (52), die über dem lichtemittierenden Halbleiter (18) und dem transparenten Beabstandungselement (50) angeordnet ist; und
Eingangsanschlüssen (12, 14), die mit dem lichtemittie­ renden Halbleiter (18) verbunden sind, zum Erregen des lichtemittierenden Halbleiters (18), damit derselbe Licht emittiert.
2. Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 1, bei dem das transparente Beabstandungselement (50) über dem licht­ emittierenden Halbleiter (18) angeordnet ist, und die Fluoreszenzmaterial-enthaltende Schicht (52) durch das transparente Beabstandungselement (50) von dem licht­ emittierenden Halbleiter (18) beabstandet ist.
3. Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 1 oder 2, das eine Schutzschicht (68) aufweist, die über der Fluoreszenz­ material-enthaltenden Schicht (52) angeordnet ist.
4. Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 1-3, bei dem einer (12) der Eingangsanschlüsse einen Reflektor für den lichtemittierenden Halbleiter bildet.
5. Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 1-4, bei dem der lichtemittierende Halbleiter (18) Licht bei vor­ bestimmten Wellenlängen erzeugt, das teilweise durch die Fluoreszenzmaterial-enthaltende Schicht (52) in eine an­ dere Wellenlänge umgewandelt wird.
6. Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 1-5, bei dem
der lichtemittierende Halbleiter (18) blaues Licht er­ zeugt;
die Fluoreszenzmaterial-enthaltende Schicht (52) Phos­ phor enthält, der auf den größten Teil des blauen Lichts anspricht, um Licht zu erzeugen, das mit dem Rest des blauen Lichts kombinierbar ist, um aus demselben weißes Licht zu erzeugen.
7. Halbleiterbauelement mit
einer lichtemittierenden Diode (18);
einem transparenten Verkapselungsharz (64), das um die lichtemittierende Diode (18) angeordnet ist;
einem Harz (66), das ein Fluoreszenzmaterial enthält und über der lichtemittierenden Diode (18) und dem transpa­ renten Verkapselungsharz (64) angeordnet ist; und
Eingangsanschlüssen (12, 14), die mit der lichtemittie­ renden Diode (18) verbunden sind, zum Erregen der licht­ emittierenden Diode (18), damit dieselbe Licht emit­ tiert.
8. Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 7, bei dem das transparente Verkapselungsharz (64) über der licht­ emittierenden Diode (18) angeordnet ist, wobei das Harz (66), das das Fluoreszenzmaterial enthält, durch das transparente Verkapselungsharz (64) von der lichtemit­ tierenden Diode (18) beabstandet ist, und wobei das Harz (66), das das Fluoreszenzmaterial enthält, eine im we­ sentlichen gleichmäßige Dicke aufweist.
9. Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 7 oder 8, das eine Schutzharzschicht (68) aufweist, die über dem Harz (66), das das Fluoreszenzmaterial enthält, angeordnet ist.
10. Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 7-9, bei dem einer (12) der Eingangsanschlüsse (12, 14) einen Re­ flektor für die lichtemittierende Diode und eine Mulde für die Harze bildet.
11. Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 7-10, das ein Bauelementsubstrat aufweist, das auf sich angeord­ net die lichtemittierende Diode (18) und auf sich ge­ tropft das Harz aufweist.
12. Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 7-11, bei dem die lichtemittierende Diode (18) Licht bei vorbe­ stimmten Wellenlängen erzeugt, das teilweise durch das Fluoreszenzmaterial (66) in eine andere Wellenlänge umgewandelt wird, um ein gleichmäßiges weißes Licht zu liefern.
13. Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 7-12, bei dem
die lichtemittierende Diode (18) blaues Licht erzeugt;
das Fluoreszenzmaterial einen ersten Phosphor, der auf das blaue Licht anspricht, um grünes Licht zu erzeugen, und einen zweiten Phosphor enthält, der auf das blaue Licht anspricht, um rotes Licht zu erzeugen; und
das Fluoreszenzmaterial aus dem blauen Licht, das durch dasselbe läuft, und dem roten und dem grünen Licht, das von demselben emittiert wird, weiß-erscheinendes Licht erzeugt.
14. Halbleiterbauelement mit
einem Saphirsubstrat;
einer Indium-dotierten Gallium-Nitrid-Epitaxieschicht, die auf dem Saphirsubstrat angeordnet ist, um eine lichtemittierende Diode (18) zu bilden;
einem transparenten Verkapselungsharz (64), das um das Saphirsubstrat angeordnet ist;
einem YAG/Gd:Ce-Phosphor-enthaltenden Harz (66), das über der Epitaxieschicht und dem transparenten Verkap­ selungsharz angeordnet ist; und
Eingangsanschlüssen (12, 14), die mit der Epitaxie­ schicht verbunden sind, zum Erregen der Epitaxieschicht, damit dieselbe Licht emittiert.
15. Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 14, bei dem das transparente Verkapselungsharz (64) über der Epitaxie­ schicht angeordnet ist, und das Phosphor-enthaltende Harz (66) durch das transparente Verkapselungsharz (64) von der Epitaxieschicht beabstandet ist.
16. Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 14 oder 15, das eine Schutzschicht (68) aufweist, die über dem Phosphor-ent­ haltenden Harz (66) angeordnet ist.
17. Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 14-16, bei dem einer (12) der Eingangsanschlüsse (12, 14) einen Reflektor für die Epitaxieschicht auf dem Saphirsubstrat bildet.
18. Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 14-17, das ein Bauelementsubstrat (62) aufweist, das auf sich angeordnet das Saphirsubstrat aufweist.
19. Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 14-18, bei dem die Epitaxieschicht Licht bei vorbestimmten Wel­ lenlängen erzeugt, das teilweise durch das Phosphor-ent­ haltende Harz (66) in eine andere Wellenlänge umgewan­ delt wird, um ein gleichmäßiges weiß-erscheinendes Licht zu liefern.
20. Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 14-19, bei dem
die Epitaxieschicht blaues Licht erzeugt;
das YAG/Gd:Ce-Phosphor-enthaltende Harz (66) ansprechend auf das meiste des blauen Lichts grünes und rotes Licht emittiert; und
das YAG/Gd:Ce-Phosphor-enthaltende Harz (66) aus dem grünen und roten Licht, das von demselben emittiert wird, und dem restlichen blauen Licht, das durch das­ selbe läuft, weiß-erscheinendes Licht erzeugt.
DE19919381A 1998-09-01 1999-04-28 Mehrfachverkapselung von LED-Bauelementen Expired - Lifetime DE19919381B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/144744 1998-09-01
US09/144,744 US5959316A (en) 1998-09-01 1998-09-01 Multiple encapsulation of phosphor-LED devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19919381A1 true DE19919381A1 (de) 2000-03-09
DE19919381B4 DE19919381B4 (de) 2006-05-04

Family

ID=22509938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19919381A Expired - Lifetime DE19919381B4 (de) 1998-09-01 1999-04-28 Mehrfachverkapselung von LED-Bauelementen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5959316A (de)
JP (2) JP4562828B2 (de)
DE (1) DE19919381B4 (de)
GB (1) GB2341274A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005020695B4 (de) * 2004-04-30 2006-06-22 Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. Vorrichtung zur Emission von Strahlung mit einstellbarer Spektraleigenschaft
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen

Families Citing this family (570)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR100662955B1 (ko) * 1996-06-26 2006-12-28 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6613247B1 (en) 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
US6441943B1 (en) 1997-04-02 2002-08-27 Gentex Corporation Indicators and illuminators using a semiconductor radiation emitter package
AU747260B2 (en) 1997-07-25 2002-05-09 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
US6022124A (en) * 1997-08-19 2000-02-08 Ppt Vision, Inc. Machine-vision ring-reflector illumination system and method
US7014336B1 (en) 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US20030133292A1 (en) 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US7161313B2 (en) * 1997-08-26 2007-01-09 Color Kinetics Incorporated Light emitting diode based products
US6469322B1 (en) 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP3785820B2 (ja) 1998-08-03 2006-06-14 豊田合成株式会社 発光装置
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6335548B1 (en) 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6366018B1 (en) 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6299338B1 (en) 1998-11-30 2001-10-09 General Electric Company Decorative lighting apparatus with light source and luminescent material
DE19859274A1 (de) 1998-12-22 2000-06-29 Schlafhorst & Co W Vorrichtung zur Erkennung von Fremdstoffen in strangförmigen textilen Material
US6671397B1 (en) * 1998-12-23 2003-12-30 M.V. Research Limited Measurement system having a camera with a lens and a separate sensor
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
DE60043536D1 (de) 1999-03-04 2010-01-28 Nichia Corp Nitridhalbleiterlaserelement
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6788411B1 (en) 1999-07-08 2004-09-07 Ppt Vision, Inc. Method and apparatus for adjusting illumination angle
JP2001144331A (ja) 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6504301B1 (en) 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
AU7617800A (en) 1999-09-27 2001-04-30 Lumileds Lighting U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
US6686691B1 (en) 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US6299498B1 (en) * 1999-10-27 2001-10-09 Shin Lung Liu White-light emitting diode structure and manufacturing method
US20020176259A1 (en) 1999-11-18 2002-11-28 Ducharme Alfred D. Systems and methods for converting illumination
US7202506B1 (en) 1999-11-19 2007-04-10 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
US8829546B2 (en) * 1999-11-19 2014-09-09 Cree, Inc. Rare earth doped layer or substrate for light conversion
US6614056B1 (en) 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6350041B1 (en) 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
EP1113506A3 (de) * 1999-12-28 2005-03-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Diode
JP4406490B2 (ja) * 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
US6604971B1 (en) 2000-05-02 2003-08-12 General Electric Company Fabrication of LED lamps by controlled deposition of a suspension media
AUPQ818100A0 (en) * 2000-06-15 2000-07-06 Arlec Australia Limited Led lamp
US7320632B2 (en) * 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
JP2002190622A (ja) * 2000-12-22 2002-07-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード用透光性蛍光カバー
JP4926337B2 (ja) * 2000-06-28 2012-05-09 アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 光源
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
US7129638B2 (en) * 2000-08-09 2006-10-31 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting devices with a phosphor coating having evenly dispersed phosphor particles and constant thickness
US6635363B1 (en) * 2000-08-21 2003-10-21 General Electric Company Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip
EP1187226B1 (de) * 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Oberflächenmontierbare LED und Herstellungsverfahren dafür
JP2002084002A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
ATE412978T1 (de) * 2000-09-20 2008-11-15 Unity Opto Technology Co Ltd Herstellungsverfahren für eine led mit einer phosphor enthaltenden isolierschicht
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
JP2002176202A (ja) * 2000-12-11 2002-06-21 Rohm Co Ltd 光学装置、それを備えたフォトインタラプタ、および光学装置の製造方法
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US20020084745A1 (en) 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
JP4831870B2 (ja) * 2001-01-24 2011-12-07 ローム株式会社 Led装置
US6639360B2 (en) 2001-01-31 2003-10-28 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
US7075112B2 (en) * 2001-01-31 2006-07-11 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
JP4673986B2 (ja) * 2001-02-23 2011-04-20 星和電機株式会社 表面実装方発光ダイオードの製造方法
US6417019B1 (en) 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
US6642652B2 (en) 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
US6576488B2 (en) 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
JP4114331B2 (ja) * 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
JP2003017751A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
EP1437776B1 (de) * 2001-10-12 2011-09-21 Nichia Corporation Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
US7497596B2 (en) * 2001-12-29 2009-03-03 Mane Lou LED and LED lamp
JP3707688B2 (ja) * 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US6870311B2 (en) * 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
AU2003238234A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-31 Cree, Inc. Semiconductor emitter comprising a saturated phosphor
CA2488904A1 (en) * 2002-06-14 2003-12-24 Lednium Pty Ltd A lamp and method of producing a lamp
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
KR101030068B1 (ko) * 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
US7262074B2 (en) * 2002-07-08 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating underfilled, encapsulated semiconductor die assemblies
US6905237B2 (en) * 2002-08-26 2005-06-14 William Alan Jacobs Fiber optic lighting radial arrangement and method for forming the same
JP2004087812A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 発光体
US10340424B2 (en) * 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
EP1930959B1 (de) 2002-08-30 2019-05-08 GE Lighting Solutions, LLC Beschichtete Leuchtdiode mit erhöhter Effizienz
US10309587B2 (en) * 2002-08-30 2019-06-04 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
KR100622209B1 (ko) * 2002-08-30 2006-09-19 젤코어 엘엘씨 개선된 효율을 갖는 코팅된 발광다이오드
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
CA2495149A1 (en) * 2002-09-19 2004-04-01 Cree, Inc. Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor
US6682331B1 (en) * 2002-09-20 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Molding apparatus for molding light emitting diode lamps
JP4280050B2 (ja) * 2002-10-07 2009-06-17 シチズン電子株式会社 白色発光装置
AU2003297588A1 (en) * 2002-12-02 2004-06-23 3M Innovative Properties Company Illumination system using a plurality of light sources
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US6897486B2 (en) * 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
US6917057B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Gelcore Llc Layered phosphor coatings for LED devices
US6765237B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
US20040145289A1 (en) * 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar short pass reflector and method of making
US7157839B2 (en) * 2003-01-27 2007-01-02 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources utilizing total internal reflection
KR20050103200A (ko) * 2003-01-27 2005-10-27 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 인광계 광원 요소와 제조 방법
US6936857B2 (en) 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
US9142734B2 (en) 2003-02-26 2015-09-22 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
US20040223315A1 (en) * 2003-03-03 2004-11-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus and method of making same
EP1604402A1 (de) * 2003-03-12 2005-12-14 Lednium Pty Limited Lampe und verfahren zur herstellung einer lampe
JP2004288760A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Stanley Electric Co Ltd 多層led
US20040183081A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-23 Alexander Shishov Light emitting diode package with self dosing feature and methods of forming same
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
US20040252488A1 (en) * 2003-04-01 2004-12-16 Innovalight Light-emitting ceiling tile
US7125501B2 (en) * 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7368179B2 (en) * 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
KR101148332B1 (ko) 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7157745B2 (en) * 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
US7108386B2 (en) 2003-05-12 2006-09-19 Illumitech Inc. High-brightness LED-phosphor coupling
US6803607B1 (en) * 2003-06-13 2004-10-12 Cotco Holdings Limited Surface mountable light emitting device
AT412928B (de) 2003-06-18 2005-08-25 Guenther Dipl Ing Dr Leising Verfahren zur herstellung einer weissen led sowie weisse led-lichtquelle
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US20050006659A1 (en) * 2003-07-09 2005-01-13 Ng Kee Yean Light emitting diode utilizing a discrete wavelength-converting layer for color conversion
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
WO2005022654A2 (en) 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US6933535B2 (en) * 2003-10-31 2005-08-23 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with enhanced luminous efficiency
US7607801B2 (en) * 2003-10-31 2009-10-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus
US20050099808A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 Cheng Tzu C. Light-emitting device
WO2005067064A1 (en) * 2003-11-25 2005-07-21 Shichao Ge Light emitting diode and light emitting diode lamp
US7329887B2 (en) * 2003-12-02 2008-02-12 3M Innovative Properties Company Solid state light device
US20050116635A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
US20050116235A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Schultz John C. Illumination assembly
US7403680B2 (en) * 2003-12-02 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Reflective light coupler
US7456805B2 (en) 2003-12-18 2008-11-25 3M Innovative Properties Company Display including a solid state light device and method using same
DE10361650A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
KR100593161B1 (ko) 2004-03-08 2006-06-26 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
US7239080B2 (en) * 2004-03-11 2007-07-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd LED display with overlay
JP4504056B2 (ja) * 2004-03-22 2010-07-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
JP4229447B2 (ja) * 2004-03-31 2009-02-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び製造方法
US7326583B2 (en) * 2004-03-31 2008-02-05 Cree, Inc. Methods for packaging of a semiconductor light emitting device
US20050227394A1 (en) * 2004-04-03 2005-10-13 Bor-Jen Wu Method for forming die protecting layer
US7462086B2 (en) * 2004-04-21 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor for phosphor-converted semiconductor light emitting device
JP4471356B2 (ja) * 2004-04-23 2010-06-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR101256919B1 (ko) * 2004-05-05 2013-04-25 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 고체-상태 에미터 및 하향-변환 재료를 이용한 고효율 광소스
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
US7280288B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
CN100401536C (zh) * 2004-06-18 2008-07-09 江苏稳润光电有限公司 白光发光二极管的制造方法
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
KR101209488B1 (ko) * 2004-07-06 2012-12-07 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 효율적인, 녹색 발광 인광체 및 적색 발광 인광체와의 조합
US7750352B2 (en) 2004-08-10 2010-07-06 Pinion Technologies, Inc. Light strips for lighting and backlighting applications
US20060076908A1 (en) * 2004-09-10 2006-04-13 Color Kinetics Incorporated Lighting zone control methods and apparatus
WO2006059828A1 (en) * 2004-09-10 2006-06-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7081667B2 (en) * 2004-09-24 2006-07-25 Gelcore, Llc Power LED package
TWI256149B (en) * 2004-09-27 2006-06-01 Advanced Optoelectronic Tech Light apparatus having adjustable color light and manufacturing method thereof
JP4756841B2 (ja) * 2004-09-29 2011-08-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
US20060097385A1 (en) 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US7670872B2 (en) * 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US7473933B2 (en) * 2004-10-29 2009-01-06 Ledengin, Inc. (Cayman) High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement
US7772609B2 (en) * 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7671529B2 (en) * 2004-12-10 2010-03-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor converted light emitting device
US7322732B2 (en) * 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US7821023B2 (en) * 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7646033B2 (en) * 2005-01-11 2010-01-12 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light light emitting diodes
US7195944B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US8680534B2 (en) 2005-01-11 2014-03-25 Semileds Corporation Vertical light emitting diodes (LED) having metal substrate and spin coated phosphor layer for producing white light
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
US20060171152A1 (en) * 2005-01-20 2006-08-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of making the same
JP5109226B2 (ja) * 2005-01-20 2012-12-26 豊田合成株式会社 発光装置
US7939842B2 (en) * 2005-01-27 2011-05-10 Cree, Inc. Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
US7602116B2 (en) * 2005-01-27 2009-10-13 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light apparatus capable of emitting light of multiple wavelengths using nanometer fluorescent material, light device and manufacturing method thereof
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US8070329B1 (en) 2005-02-11 2011-12-06 Gentex Corporation Light emitting optical systems and assemblies and systems incorporating the same
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US8748923B2 (en) * 2005-03-14 2014-06-10 Philips Lumileds Lighting Company Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
WO2006130696A2 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 The Regents Of The University Of California Technique for the growth and fabrication of semipolar (ga,al,in,b)n thin films, heterostructures, and devices
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
WO2007103310A2 (en) 2006-03-07 2007-09-13 Qd Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
WO2006131924A2 (en) 2005-06-07 2006-12-14 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
KR101017917B1 (ko) * 2005-06-07 2011-03-04 가부시키가이샤후지쿠라 발광소자 실장용 기판, 발광소자 모듈, 조명장치, 표시장치및 교통 신호기
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
TWM284076U (en) * 2005-06-17 2005-12-21 Arima Optoelectronics Corp The structure of the base of the package of a semiconductor device
WO2007002234A1 (en) * 2005-06-23 2007-01-04 Rensselaer Polytechnic Institute Package design for producing white light with short-wavelength leds and down-conversion materials
US7294861B2 (en) * 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
US20070001182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
US20070007542A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Sumitomo Electric Industries,Ltd. White-Light Emitting Device
DE102005038698A1 (de) * 2005-07-08 2007-01-18 Tridonic Optoelectronics Gmbh Optoelektronische Bauelemente mit Haftvermittler
US8563339B2 (en) * 2005-08-25 2013-10-22 Cree, Inc. System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices
US20070047219A1 (en) * 2005-08-27 2007-03-01 3M Innovative Properties Company Direct-lit backlight having light sources with bifunctional diverters
TWI464494B (zh) * 2005-08-27 2014-12-11 3M Innovative Properties Co 照明組件及系統
US7537374B2 (en) * 2005-08-27 2009-05-26 3M Innovative Properties Company Edge-lit backlight having light recycling cavity with concave transflector
US20070047228A1 (en) * 2005-08-27 2007-03-01 3M Innovative Properties Company Methods of forming direct-lit backlights having light recycling cavity with concave transflector
US7815355B2 (en) * 2005-08-27 2010-10-19 3M Innovative Properties Company Direct-lit backlight having light recycling cavity with concave transflector
US7952108B2 (en) * 2005-10-18 2011-05-31 Finisar Corporation Reducing thermal expansion effects in semiconductor packages
US7765792B2 (en) 2005-10-21 2010-08-03 Honeywell International Inc. System for particulate matter sensor signal processing
US20070096139A1 (en) * 2005-11-02 2007-05-03 3M Innovative Properties Company Light emitting diode encapsulation shape control
US8514210B2 (en) 2005-11-18 2013-08-20 Cree, Inc. Systems and methods for calibrating solid state lighting panels using combined light output measurements
US7993021B2 (en) * 2005-11-18 2011-08-09 Cree, Inc. Multiple color lighting element cluster tiles for solid state lighting panels
EP1949765B1 (de) * 2005-11-18 2017-07-12 Cree, Inc. Festkörper-leuchttafeln mit ladestromquellen von variabler spannung
US7926300B2 (en) 2005-11-18 2011-04-19 Cree, Inc. Adaptive adjustment of light output of solid state lighting panels
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
EP1963743B1 (de) 2005-12-21 2016-09-07 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung
BRPI0620413A2 (pt) 2005-12-21 2011-11-08 Cree Led Lighting Solutions dispositivo de iluminação e método de iluminação
US20070145879A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Abramov Vladimir S Light emitting halogen-silicate photophosphor compositions and systems
EP1969633B1 (de) 2005-12-22 2018-08-29 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung
US7798678B2 (en) * 2005-12-30 2010-09-21 3M Innovative Properties Company LED with compound encapsulant lens
US7569406B2 (en) * 2006-01-09 2009-08-04 Cree, Inc. Method for coating semiconductor device using droplet deposition
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
KR101408622B1 (ko) 2006-01-20 2014-06-17 크리, 인코포레이티드 루미포르 필름의 공간적 분리에 의한 고체 상태 발광기의 스펙트럼 컨텐츠 시프팅
KR20080097208A (ko) * 2006-01-31 2008-11-04 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 백색 광원 및 발광 장치
EP1985884B1 (de) * 2006-02-08 2012-10-24 Hitachi, Ltd. Elektrische bremse
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
TWI460880B (zh) 2006-04-18 2014-11-11 Cree Inc 照明裝置及照明方法
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) * 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7997745B2 (en) 2006-04-20 2011-08-16 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
EP2011164B1 (de) * 2006-04-24 2018-08-29 Cree, Inc. Seitwärts emittierende oberflächenmontierte weisse led
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
JP2009538531A (ja) * 2006-05-23 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置、および、製造方法
KR20090031370A (ko) 2006-05-23 2009-03-25 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US8008676B2 (en) 2006-05-26 2011-08-30 Cree, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
WO2007142947A2 (en) * 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device with color control, and method of lighting
KR20140116536A (ko) 2006-05-31 2014-10-02 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
US7703945B2 (en) * 2006-06-27 2010-04-27 Cree, Inc. Efficient emitting LED package and method for efficiently emitting light
US20080074583A1 (en) * 2006-07-06 2008-03-27 Intematix Corporation Photo-luminescence color liquid crystal display
US8947619B2 (en) 2006-07-06 2015-02-03 Intematix Corporation Photoluminescence color display comprising quantum dots material and a wavelength selective filter that allows passage of excitation radiation and prevents passage of light generated by photoluminescence materials
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US7943952B2 (en) * 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US20080029720A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
JP4937845B2 (ja) * 2006-08-03 2012-05-23 日立マクセル株式会社 照明装置および表示装置
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7763478B2 (en) 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
CN101554089A (zh) * 2006-08-23 2009-10-07 科锐Led照明科技公司 照明装置和照明方法
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US7842960B2 (en) 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
US20080064131A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for the same
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
JP2010506006A (ja) * 2006-10-03 2010-02-25 ライトスケイプ マテリアルズ,インク. 金属ケイ酸塩ハロゲン化物燐光体及びそれを使用するled照明デバイス
US9018619B2 (en) 2006-10-09 2015-04-28 Cree, Inc. Quantum wells for light conversion
JP4984824B2 (ja) * 2006-10-26 2012-07-25 豊田合成株式会社 発光装置
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
CN101622493A (zh) * 2006-12-04 2010-01-06 科锐Led照明科技公司 照明装置和照明方法
EP2095011A1 (de) 2006-12-04 2009-09-02 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Beleuchtungsanordnung und beleuchtungsverfahren
WO2008073794A1 (en) 2006-12-07 2008-06-19 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US9178121B2 (en) 2006-12-15 2015-11-03 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for light emitting diodes
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9196799B2 (en) * 2007-01-22 2015-11-24 Cree, Inc. LED chips having fluorescent substrates with microholes and methods for fabricating
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US8021904B2 (en) * 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
US7781783B2 (en) * 2007-02-07 2010-08-24 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. White light LED device
US9061450B2 (en) * 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US20080192458A1 (en) * 2007-02-12 2008-08-14 Intematix Corporation Light emitting diode lighting system
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
TW200834968A (en) * 2007-02-13 2008-08-16 Harvatek Corp Method of making light-emitting diode structure with high heat dissipation effect and structure made thereby
WO2008100991A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-21 3M Innovative Properties Company Led devices having lenses and methods of making same
US8456388B2 (en) * 2007-02-14 2013-06-04 Cree, Inc. Systems and methods for split processor control in a solid state lighting panel
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
JP5476128B2 (ja) 2007-02-22 2014-04-23 クリー インコーポレイテッド 照明装置、照明方法、光フィルタ、および光をフィルタリングする方法
WO2008105428A1 (ja) 2007-02-27 2008-09-04 Kyocera Corporation 発光装置
US7972030B2 (en) 2007-03-05 2011-07-05 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) based lighting systems
US8203260B2 (en) * 2007-04-13 2012-06-19 Intematix Corporation Color temperature tunable white light source
US20080258130A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
TWI350012B (en) * 2007-05-04 2011-10-01 Lite On Technology Corp White light emitting diode and base thereof
US7910944B2 (en) 2007-05-04 2011-03-22 Cree, Inc. Side mountable semiconductor light emitting device packages and panels
US7703943B2 (en) * 2007-05-07 2010-04-27 Intematix Corporation Color tunable light source
JP2010527157A (ja) 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
JP2010527155A (ja) * 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
JP2010527156A (ja) 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
US8079729B2 (en) * 2007-05-08 2011-12-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
EP2156090B1 (de) 2007-05-08 2016-07-06 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung und beleuchtungsverfahren
JP5006102B2 (ja) * 2007-05-18 2012-08-22 株式会社東芝 発光装置およびその製造方法
US7712917B2 (en) 2007-05-21 2010-05-11 Cree, Inc. Solid state lighting panels with limited color gamut and methods of limiting color gamut in solid state lighting panels
WO2008146290A2 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Method and device for providing circumferential illumination
US7999283B2 (en) * 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US7942556B2 (en) 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
CN101345273B (zh) * 2007-07-09 2011-03-23 上海威廉照明电气有限公司 发光二极管及其制作方法
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
TWI347687B (en) * 2007-07-13 2011-08-21 Lite On Technology Corp Light-emitting device with open-loop control
TWI429731B (zh) * 2007-07-16 2014-03-11 Lumination Llc 由4價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體
WO2009012287A1 (en) 2007-07-17 2009-01-22 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US20090033612A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Roberts John K Correction of temperature induced color drift in solid state lighting displays
WO2009019836A2 (en) * 2007-08-03 2009-02-12 Panasonic Corporation Light-emitting device
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US8829820B2 (en) * 2007-08-10 2014-09-09 Cree, Inc. Systems and methods for protecting display components from adverse operating conditions
CN101369619B (zh) * 2007-08-14 2011-01-05 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 表面贴装型发光二极管组件及发光二极管背光模组
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
JP5044329B2 (ja) * 2007-08-31 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
US8866185B2 (en) * 2007-09-06 2014-10-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. White light LED with multiple encapsulation layers
US20090065792A1 (en) 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
US8783887B2 (en) 2007-10-01 2014-07-22 Intematix Corporation Color tunable light emitting device
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
BRPI0818048B1 (pt) 2007-10-10 2018-11-21 Cree Led Lighting Solutions Inc dispositivo de iluminação
US7915627B2 (en) 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US7984999B2 (en) 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
US9086213B2 (en) 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
KR101525274B1 (ko) * 2007-10-26 2015-06-02 크리, 인코포레이티드 하나 이상의 루미퍼를 갖는 조명 장치, 및 이의 제조 방법
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US8376577B2 (en) * 2007-11-05 2013-02-19 Xicato, Inc. Modular solid state lighting device
US8946987B2 (en) 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
TWI401820B (zh) * 2007-11-07 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 發光元件及其製作方法
US9634191B2 (en) * 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8536584B2 (en) * 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US8866410B2 (en) * 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8823630B2 (en) * 2007-12-18 2014-09-02 Cree, Inc. Systems and methods for providing color management control in a lighting panel
US8182128B2 (en) 2007-12-19 2012-05-22 Oree, Inc. Planar white illumination apparatus
US20090159915A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Shaul Branchevsky Led insert module and multi-layer lens
US7907804B2 (en) * 2007-12-19 2011-03-15 Oree, Inc. Elimination of stitch artifacts in a planar illumination area
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8940561B2 (en) * 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
US8058088B2 (en) * 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
US20090309114A1 (en) 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
US8040070B2 (en) 2008-01-23 2011-10-18 Cree, Inc. Frequency converted dimming signal generation
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
JP2009176661A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Nec Lighting Ltd Led照明装置
US20090225566A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Micha Zimmermann Illumination apparatus and methods of forming the same
US8740400B2 (en) 2008-03-07 2014-06-03 Intematix Corporation White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation
US8567973B2 (en) * 2008-03-07 2013-10-29 Intematix Corporation Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs)
KR100998009B1 (ko) * 2008-03-12 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
US7859000B2 (en) * 2008-04-10 2010-12-28 Cree, Inc. LEDs using single crystalline phosphor and methods of fabricating same
EP2297762B1 (de) 2008-05-06 2017-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Halbleiter-beleuchtungsanordnungen mit quanteneingeschlossenen halbleiternanopartikeln
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
KR101495071B1 (ko) * 2008-06-24 2015-02-25 삼성전자 주식회사 서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
US20090321758A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Wen-Huang Liu Led with improved external light extraction efficiency
EP2312658B1 (de) * 2008-07-03 2018-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Wellenlängenumsetzender leuchtdioden-(led-)chip und verhfahren zur herstelung einer mit diesem chip ausgestatteten led-anordnung
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US7928458B2 (en) * 2008-07-15 2011-04-19 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
US20100027293A1 (en) * 2008-07-30 2010-02-04 Intematix Corporation Light Emitting Panel
US8384115B2 (en) * 2008-08-01 2013-02-26 Cree, Inc. Bond pad design for enhancing light extraction from LED chips
CN102112807B (zh) * 2008-08-08 2014-04-23 吉可多公司 颜色可调光源
JP5284006B2 (ja) * 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US20100060462A1 (en) * 2008-09-09 2010-03-11 Revere Supply Co., Inc. Led rescue light
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US8822954B2 (en) * 2008-10-23 2014-09-02 Intematix Corporation Phosphor based authentication system
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
TWI508331B (zh) 2008-11-13 2015-11-11 Maven Optronics Corp 用於形成螢光轉換型發光元件之薄膜螢光層的系統及方法、以及用於螢光轉換型發光元件之薄膜螢光層
TWI608760B (zh) 2008-11-13 2017-12-11 行家光電有限公司 形成螢光粉轉換發光元件之方法
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
US8288785B2 (en) * 2008-12-03 2012-10-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lead frame having light-reflecting layer, light emitting diode having the lead frame, and backlight unit having the light emitting diode
US7897419B2 (en) 2008-12-23 2011-03-01 Cree, Inc. Color correction for wafer level white LEDs
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US8390193B2 (en) * 2008-12-31 2013-03-05 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8368112B2 (en) * 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US8563963B2 (en) * 2009-02-06 2013-10-22 Evergrand Holdings Limited Light-emitting diode die packages and methods for producing same
TWI463708B (zh) * 2009-02-24 2014-12-01 Advanced Optoelectronic Tech 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法
RU2011137495A (ru) * 2009-03-23 2013-04-27 Ибериус, Ллс Улучшенный измеритель волос и одноразовый картридж
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
CN101894901B (zh) 2009-04-08 2013-11-20 硅谷光擎 用于多个发光二极管的封装
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
US8741715B2 (en) * 2009-04-29 2014-06-03 Cree, Inc. Gate electrodes for millimeter-wave operation and methods of fabrication
US20100320904A1 (en) 2009-05-13 2010-12-23 Oree Inc. LED-Based Replacement Lamps for Incandescent Fixtures
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US8651692B2 (en) * 2009-06-18 2014-02-18 Intematix Corporation LED based lamp and light emitting signage
KR100963743B1 (ko) * 2009-06-23 2010-06-14 한국광기술원 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법
WO2010150202A2 (en) 2009-06-24 2010-12-29 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US20110031516A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
US8455910B2 (en) * 2009-09-21 2013-06-04 Walsin Lihwa Corporation Method of manufacturing light emitting diode packaging lens and light emitting diode package
KR20120094477A (ko) 2009-09-25 2012-08-24 크리, 인코포레이티드 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US20110110095A1 (en) * 2009-10-09 2011-05-12 Intematix Corporation Solid-state lamps with passive cooling
TWI403005B (zh) 2009-10-12 2013-07-21 Intematix Technology Ct Corp 發光二極體及其製作方法
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US20110101409A1 (en) * 2009-11-02 2011-05-05 Akron Brass Company LED Lamp Package with Integral Driver
US8779685B2 (en) * 2009-11-19 2014-07-15 Intematix Corporation High CRI white light emitting devices and drive circuitry
TWI381563B (zh) * 2009-11-20 2013-01-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝及其製作方法
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
US20110149548A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Intematix Corporation Light emitting diode based linear lamps
US20110176301A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-21 Dsem Holdings Sdn. Bhd. Method to produce homogeneous light output by shaping the light conversion material in multichip module
US20110215348A1 (en) * 2010-02-03 2011-09-08 Soraa, Inc. Reflection Mode Package for Optical Devices Using Gallium and Nitrogen Containing Materials
US8771577B2 (en) * 2010-02-16 2014-07-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with molded wavelength converting layer
US8420415B2 (en) 2010-03-02 2013-04-16 Micron Technology, Inc. Method for forming a light conversion material
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US8632196B2 (en) * 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US8562161B2 (en) 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
US20110220920A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Brian Thomas Collins Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US8651703B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Intellectual Discovery Co., Ltd. Light emitting device using filter element
MX2012012462A (es) 2010-04-26 2012-11-30 Xicato Inc Acoplamiento del modulo de iluminacion a base de diodos emisores de luz para una instalacion de luz.
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US8237381B2 (en) 2010-05-04 2012-08-07 Xicato, Inc. Flexible electrical connection of an LED-based illumination device to a light fixture
US8450770B2 (en) * 2010-05-11 2013-05-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light emitting package structure
CN101876407A (zh) * 2010-05-17 2010-11-03 中山大学佛山研究院 一种led光源模组
US8807799B2 (en) 2010-06-11 2014-08-19 Intematix Corporation LED-based lamps
US8888318B2 (en) 2010-06-11 2014-11-18 Intematix Corporation LED spotlight
KR20130095719A (ko) 2010-06-18 2013-08-28 시카토, 인코포레이티드. 온-보드 진단을 수행하는 led 기반 조명 모듈
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
US8946998B2 (en) 2010-08-09 2015-02-03 Intematix Corporation LED-based light emitting systems and devices with color compensation
JP5242641B2 (ja) * 2010-08-25 2013-07-24 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
US8297767B2 (en) 2010-09-07 2012-10-30 Xicato, Inc. LED-based illumination modules with PTFE color converting surfaces
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8610340B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
TW201215817A (en) 2010-10-05 2012-04-16 Advanced Connectek Inc Complementary color light source device
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
US9140429B2 (en) 2010-10-14 2015-09-22 Cree, Inc. Optical element edge treatment for lighting device
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
TWI447969B (zh) * 2010-10-20 2014-08-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US8425065B2 (en) 2010-12-30 2013-04-23 Xicato, Inc. LED-based illumination modules with thin color converting layers
US9508904B2 (en) 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
RU2456712C1 (ru) * 2011-03-02 2012-07-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Источник белого света
KR101251738B1 (ko) 2011-03-22 2013-04-05 엘지이노텍 주식회사 표시장치
KR101241511B1 (ko) * 2011-03-22 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치
US8899767B2 (en) 2011-03-31 2014-12-02 Xicato, Inc. Grid structure on a transmissive layer of an LED-based illumination module
US9004705B2 (en) 2011-04-13 2015-04-14 Intematix Corporation LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US20120313296A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Aliphcom Component protective overmolding
US9069380B2 (en) 2011-06-10 2015-06-30 Aliphcom Media device, application, and content management using sensory input
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
TW201312807A (zh) 2011-07-21 2013-03-16 Cree Inc 光發射器元件封裝與部件及改良化學抵抗性的方法與相關方法
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US8403529B2 (en) 2011-08-02 2013-03-26 Xicato, Inc. LED-based illumination module with preferentially illuminated color converting surfaces
US8449129B2 (en) 2011-08-02 2013-05-28 Xicato, Inc. LED-based illumination device with color converting surfaces
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
US8485692B2 (en) 2011-09-09 2013-07-16 Xicato, Inc. LED-based light source with sharply defined field angle
US8410508B1 (en) * 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
US20130088848A1 (en) 2011-10-06 2013-04-11 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US8992051B2 (en) 2011-10-06 2015-03-31 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US9365766B2 (en) 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
US9115868B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Intematix Corporation Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion
US8884508B2 (en) 2011-11-09 2014-11-11 Cree, Inc. Solid state lighting device including multiple wavelength conversion materials
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9217560B2 (en) 2011-12-05 2015-12-22 Xicato, Inc. Reflector attachment to an LED-based illumination module
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US8820951B2 (en) 2012-02-06 2014-09-02 Xicato, Inc. LED-based light source with hybrid spot and general lighting characteristics
US8957580B2 (en) 2012-02-13 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device including multiple wavelength conversion material layers
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US8779687B2 (en) 2012-02-13 2014-07-15 Xicato, Inc. Current routing to multiple LED circuits
US8946747B2 (en) 2012-02-13 2015-02-03 Cree, Inc. Lighting device including multiple encapsulant material layers
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
JP6009792B2 (ja) * 2012-03-29 2016-10-19 オリンパス株式会社 光源装置
CN104205374B (zh) 2012-03-30 2020-10-16 亮锐控股有限公司 具有波长转换侧面涂层的发光器件
CN102629649B (zh) * 2012-03-30 2014-11-26 广东科立盈光电技术有限公司 高亮度led灯中荧光粉的填充方法
CN104247058B (zh) 2012-04-26 2017-10-03 英特曼帝克司公司 用于在远程波长转换中实施色彩一致性的方法及设备
TW201344979A (zh) * 2012-04-27 2013-11-01 Delta Electronics Inc 發光裝置及其製造方法
CN103378274A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 台达电子工业股份有限公司 发光装置及其制造方法
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US8680785B2 (en) 2012-05-18 2014-03-25 Xicato, Inc. Variable master current mirror
US9685585B2 (en) 2012-06-25 2017-06-20 Cree, Inc. Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs
WO2014006501A1 (en) 2012-07-03 2014-01-09 Yosi Shani Planar remote phosphor illumination apparatus
US8994056B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Intematix Corporation LED-based large area display
CN102810537B (zh) * 2012-08-17 2016-03-09 江苏脉锐光电科技有限公司 白光led发光装置
US20140003044A1 (en) 2012-09-06 2014-01-02 Xicato, Inc. Integrated led based illumination device
JP2015535951A (ja) 2012-09-19 2015-12-17 ヴェンティス テクノロジーズ エルエルシー 光を散乱させる装置
US20140159084A1 (en) 2012-12-12 2014-06-12 Cree, Inc. Led dome with improved color spatial uniformity
US8845380B2 (en) 2012-12-17 2014-09-30 Xicato, Inc. Automated color tuning of an LED based illumination device
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
US8870617B2 (en) 2013-01-03 2014-10-28 Xicato, Inc. Color tuning of a multi-color LED based illumination device
US9217543B2 (en) 2013-01-28 2015-12-22 Intematix Corporation Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns
US8770800B1 (en) 2013-03-15 2014-07-08 Xicato, Inc. LED-based light source reflector with shell elements
US9587790B2 (en) 2013-03-15 2017-03-07 Cree, Inc. Remote lumiphor solid state lighting devices with enhanced light extraction
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
CN105121951A (zh) 2013-03-15 2015-12-02 英特曼帝克司公司 光致发光波长转换组件
CN104124327B (zh) * 2013-04-26 2017-06-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
US9591726B2 (en) 2013-07-02 2017-03-07 Xicato, Inc. LED-based lighting control network communication
US9596737B2 (en) 2013-07-02 2017-03-14 Xicato, Inc. Multi-port LED-based lighting communications gateway
WO2015042193A2 (en) 2013-09-17 2015-03-26 Xicato, Inc. Led based illumination device with integrated output window
US9425896B2 (en) 2013-12-31 2016-08-23 Xicato, Inc. Color modulated LED-based illumination
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
US9788379B2 (en) 2014-03-28 2017-10-10 Xicato, Inc. Deep dimming of an LED-based illumination device
CN103943618A (zh) * 2014-04-18 2014-07-23 江苏新广联绿色照明工程有限公司 可调色温和显指的led光源模块
US9781799B2 (en) 2014-05-05 2017-10-03 Xicato, Inc. LED-based illumination device reflector having sense and communication capability
US9318670B2 (en) 2014-05-21 2016-04-19 Intematix Corporation Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
CN107004677B (zh) 2014-11-26 2020-08-25 硅谷光擎 用于温暖调光的且颜色可调谐的灯的紧凑型发射器
US9788397B2 (en) 2015-02-27 2017-10-10 Xicato, Inc. Lighting communication advertising packets
US9960848B2 (en) 2015-02-27 2018-05-01 Xicato, Inc. Commissioning of devices on a lighting communications network
US9853730B2 (en) 2015-02-27 2017-12-26 Xicato, Inc. Lighting based authentication of a mobile electronic device
US9930741B2 (en) 2015-02-27 2018-03-27 Xicato, Inc. Synchronized light control over a wireless network
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
WO2016154214A1 (en) 2015-03-23 2016-09-29 Intematix Corporation Photoluminescence color display
US9781798B2 (en) 2015-04-08 2017-10-03 Xicato, Inc. LED-based illumination systems having sense and communication capability
US10009980B2 (en) 2015-05-18 2018-06-26 Xicato, Inc. Lighting communications gateway
US9943042B2 (en) 2015-05-18 2018-04-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Grow light embodying power delivery and data communications features
US9844116B2 (en) 2015-09-15 2017-12-12 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
US9788387B2 (en) 2015-09-15 2017-10-10 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
US9750092B2 (en) 2015-10-01 2017-08-29 Xicato, Inc. Power management of an LED-based illumination device
US10193031B2 (en) 2016-03-11 2019-01-29 Rohinni, LLC Method for applying phosphor to light emitting diodes and apparatus thereof
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
US10595376B2 (en) 2016-09-13 2020-03-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
WO2019019495A1 (zh) * 2017-07-26 2019-01-31 卢旋坤 一种led造型荧光软胶灯
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
CN208385406U (zh) * 2018-05-25 2019-01-15 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种led模组
US11313671B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Mitutoyo Corporation Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3787684A (en) * 1970-12-30 1974-01-22 S Isenberg Beta activated ultraviolet radiation source surrounded by a visible light producing fluorescent agent
JPS4985068U (de) * 1972-11-10 1974-07-23
JPS5640994B2 (de) * 1973-03-22 1981-09-25
JPS49122677A (de) * 1973-03-23 1974-11-22
GB2124614B (en) * 1982-07-01 1985-10-30 Erba Farmitalia Easily cleavable carboxylic esters and their use in the synthesis of penems and other b-lactam antibiotics
US5379186A (en) * 1993-07-06 1995-01-03 Motorola, Inc. Encapsulated electronic component having a heat diffusing layer
JPH0799345A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH07335790A (ja) * 1994-06-06 1995-12-22 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 半導体素子保護用組成物および半導体装置
JP3261922B2 (ja) * 1994-07-26 2002-03-04 株式会社村田製作所 圧電共振部品の製造方法
JPH0927642A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Clarion Co Ltd 照明装置
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR100662955B1 (ko) * 1996-06-26 2006-12-28 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
US5729029A (en) * 1996-09-06 1998-03-17 Hewlett-Packard Company Maximizing electrical doping while reducing material cracking in III-V nitride semiconductor devices
JP3065263B2 (ja) * 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたled表示器
JP3434658B2 (ja) * 1997-01-14 2003-08-11 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP2868085B2 (ja) * 1997-05-20 1999-03-10 日亜化学工業株式会社 面状光源
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
JP3266072B2 (ja) * 1997-10-14 2002-03-18 富士電機株式会社 多色発光有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
DE29804149U1 (de) * 1998-03-09 1998-06-18 Chen Hsing Leuchtdiode (LED) mit verbesserter Struktur
JP4171107B2 (ja) * 1998-07-09 2008-10-22 スタンレー電気株式会社 面状光源
JP3486345B2 (ja) * 1998-07-14 2004-01-13 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen
DE102005020695B4 (de) * 2004-04-30 2006-06-22 Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. Vorrichtung zur Emission von Strahlung mit einstellbarer Spektraleigenschaft

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010161423A (ja) 2010-07-22
GB2341274A (en) 2000-03-08
JP2000077723A (ja) 2000-03-14
GB9920418D0 (en) 1999-11-03
US5959316A (en) 1999-09-28
JP4562828B2 (ja) 2010-10-13
DE19919381B4 (de) 2006-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19919381A1 (de) Mehrfachverkapselung von Phosphor-LED-Bauelementen
DE102004057499B4 (de) Ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von unverfärbtem, weissem Licht unter Verwendung von gebrochen weissen Lichtemittierungsdioden
DE102008003670B4 (de) Lichtquelle mit mehreren LED-Chips
DE102005053217A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer LED-Vorrichtung
DE102007057710B4 (de) Strahlungsemittierendes Bauelement mit Konversionselement
DE10135306A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Vorrichtungen, die Licht gleicher Farbtemperatur abstrahlen
DE19918370A1 (de) LED-Weißlichtquelle mit Linse
DE112016002349T5 (de) Lichtemissionseinrichtung und Fahrzeuglampe mit dieser
EP3132180B1 (de) Led-modul zur abgabe von weisslicht
DE112016004229B4 (de) Licht emittierende Vorrichtung
DE102007021904A1 (de) Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper
DE102005053218A1 (de) LED-Vorrichtung und Verfahren zum Herstellung derselben
DE102004006513A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Led
DE112018000656T5 (de) LED-Baugruppe und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102014108377A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102016116000A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102016116617A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung
DE102014113844B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE112016002425T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102007020011A1 (de) Halbleiterleuchtvorrichtung
WO2016087509A1 (de) Optoelektronisches bauelement sowie optoelektronisches bauteil
DE102017113573A1 (de) Anordnung mit einer Mehrzahl von Leuchtmodulen und Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einer Mehrzahl von Leuchtmodulen
DE102014114914A1 (de) Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
EP3424081B1 (de) Csp led modul mit verbesserter lichtemission
DE102013220674A1 (de) Leuchtvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: AGILENT TECHNOLOGIES, INC. (N.D.GES.D.STAATES DELA

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: LUMILEDS LIGHTING, U.S., LLC, SAN JOSE, CALIF., US

8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY,LLC, SAN JOS, US

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: LUMILEDS HOLDING B.V., NL

Free format text: FORMER OWNER: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC, SAN JOSE, CALIF, US

R082 Change of representative
R071 Expiry of right