DE19736896A1 - Gehäuse für Halbleiterbauteile - Google Patents
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Gehäuse für Halbleiterbau
teile sowie auf die Leiterrahmen hierfür und insbesondere auf
ein Gehäuse für ein Hochleistungs-Halbleiterbauteil, das für
eine Oberflächenbefestigung ausgebildet ist.
Gehäuse für Hochleistungs-Halbleiterbauteile, die durch Ober
flächenbefestigung an einem isolierten Metallsubstrat (IMS) oder
einer anderen flachen Trägerplattenoberfläche befestigbar sind,
sind gut bekannt. Ein derartiges Gehäuse ist in der
DE-A-195 49 097 vom 29. Dezember 1995 gezeigt, deren Inhalt
durch diese Bezugnahme hier mitaufgenommen wird. Derartige
Gehäuse sind sehr gut für eine Oberflächenbefestigung an den
Leiterbahnen von ebenen Trägerplatten, wie z. B. einer IMS-Struk
tur geeignet (ein dickes Kupfer- oder Aluminiumsubstrat,
das mit einem dünnen Isolierfilm bedeckt ist, auf dem eine dünne
Kupfer- oder andere leitende lötbare obere Oberfläche angeordnet
ist, die mit einem Leiterbahnmuster versehen werden kann).
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Gehäuse der
eingangs genannten Art zu schaffen, das verbesserte
Eigenschaften aufweist und leichter herstellbar ist.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen
Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung
ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Erfindungsgemäß wird ein Gehäuse mit einem neuartigen Leiter
rahmen geschaffen, der ein oder mehrere Halbleiterplättchen,
wie z. B. ein Leistungs-MOSFET-Halbleiterplättchen, ein IGBT-Halb
leiterplättchen, eine Diode-Halbleiterplättchen mit kurzer
Erholzeit, ein Schottky-Dioden-Halbleiterplättchen und Kombina
tionen hiervon und anderen Halbleiterbauteile auf einem in der
Mitte liegenden ebenen Plattenabschnitt aufnehmen kann. Die
Halbleiterplättchen werden an ihren unteren Oberflächen durch
den Plattenabschnitt miteinander verbunden, während sie an ihren
Oberseiten durch geeignete Drahtverbindungen miteinander verbun
den werden. Der Leiterrahmen weist zwei Leistungsanschlüsse auf,
die an zwei benachbarten Ecken eines rechtwinkligen Gehäuses
miteinander verbunden werden können. Die Leistungsanschlüsse
sind für einen Anschluß außerhalb eines flachen Kunststoff
ormgehäuses zugänglich, das die Oberseite und die Seiten des
in der Mitte liegenden Leiterrahmen-Plattenabschnittes um
schließt. Eine Anzahl von Steueranschlußstiften oder Anschlüs
sen, die zu Anfang einen Teil des Leiterrahmens bilden, jedoch
von dem Kühlkörper-Plattenabschnitt nach dem Ausformen des
Gehäuses getrennt werden, erstrecken sich von der Seite des
Gehäuses aus, die der Seite gegenüberliegt, die den
Leistungsanschluß enthält.
Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung sind zu
mindest zwei mit engem Abstand voneinander angeordnete Steuer
anschlüsse oder Anschlußstifte vorgesehen, die durch eine
Drahtverbindung mit den Gate- und Kathoden- oder Strommeßan
schlüssen des Halbleiterplättchens im Inneren des Gehäuses
verbunden sind. Ein (von den mit engem Abstand angeordneten
ersten und zweiten Steueranschlüssen) entfernt angeordnet er
dritter Anschluß steht ebenfalls zur Verbindung mit irgend
einem anderen Anschluß zur Verfügung, wie z. B. dem Gate-
Anschluß eines Thyristor-Halbleiterplättchens, wenn ein der
artiges Halbleiterplättchen in dem Gehäuse enthalten ist.
Der Leiterrahmen besteht vorzugsweise aus einem leitenden
Einkaliber-Blech. Die sich durch die Kanten des Formgehäuses
erstreckenden Anschlüsse können teilweise in Vertikalrichtung
versetzt sein, um eine verbesserte Verankerung des Kunststoffes
des Gehäuseteils an dem Leiterrahmen zu erzielen. Die unteren
Oberflächen der Anschlüsse und des Leiterrahmen-Plattenabschnit
tes liegen in einer gemeinsamen Ebene. Der Haupt-Kühlkörper-
Plattenabschnitt kann durchgehende parallele Schlitze auf gegen
überliegenden Seiten des Halbleiterplättchens auf dem Plattenab
schnitt aufweisen, um eine weitere Verankerung des Kunststoffes
des Formgehäuses zu schaffen. Flache schwalbenschwanzförmige
Nuten können sich von einer Innenkante dieser Schlitze aus
erstrecken, um ebenfalls eine verbesserte Verankerung des
Kunststoffes zu erzielen.
Die Oberfläche des Plattenabschnittes kann eine gerippte oder
genarbte Oberfläche aufweisen, um das Verlöten der auf der
Unterseite der Halbleiterplättchen angeordneten Elektroden mit
dem Plattenabschnitt zu verbessern. Entsprechend einer bevor
zugten Ausführungsform der Erfindung kann die untere Oberfläche
des Plattenabschnittes, die durch Oberflächenbefestigung an
einen Kühlkörper oder an einem Leiterbahnmuster einer IMS-Plat
te befestigt werden soll, ebenfalls gerippt sein, um die
Lötbefestigung des Plattenabschnittes an den Kühlkörper zu
verbessern und um Lothohlräume aufgrund einer konkaven Form der
Unterseite des Leiterrahmens zu vermeiden.
Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die
Unterseite des Isoliergehäuses weiterhin mit Waschnuten
versehen, die sich vollständig über die Breite des Gehäuses er
strecken, parallel zu den die Eingangs- und Ausgangsanschlüsse
enthaltenden Seiten sind und zwischen den Anschlüssen und dem
Plattenabschnitt liegen. Diese Nuten vergrößern die Oberflächen
streckenentfernung zwischen den Anschlüssen und dem Plattenab
schnitt und ermöglichen das Auswaschen von Lotflußmittel während
des Lötenvorganges.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung können sich kurze
flache Vertiefungen von den unteren Enden der Nuten und über
die Breite des Gehäusebodens erstrecken, um die Flußmittel-
Waschfunktion zu verbessern.
Wie dies weiter oben beschrieben wurde, sind die verschiedenen
Anschlußstifte teilweise in Vertikalrichtung durch Scheren
geprägt oder versetzt, um die Verankerung der Kunststoffmate
rials zu verbessern. Entsprechend einem weiteren bevorzugten
Merkmal der Erfindung ist die teilweise abgerundete Kante des
versetzten Bereiches mit einer kleinen quadratischen Nut oder
einer abgestuften Ecke versehen, damit sich eine scharfe Kante
ergibt, um das Auslecken von Kunststoff über die Bodenober
flächen des Anschlusses während des Formvorganges zu verhindern.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Merkmal der Erfindung sind die
Anschlüsse mit langgestreckten quetschbaren Wülsten an ihren
Seitenoberflächen benachbart zu den Teilen der Anschlüsse
gerade außerhalb des Kunststoffgehäuses versehen. Diese Wülste
werden durch das Formwerkzeug nach innen gequetscht, wenn dieses
schließt, so daß sich eine Abdichtung ergibt, die verhindert,
daß das zum Abformen verwendete Kunststoffmaterial ausleckt und
über die Seiten der Anschlüsse kriecht, die sich aus dem Gehäu
seteil hinaus erstrecken, wobei ein derartiges herausgepreßtes
Kunststoffmaterial die Lötverbindung mit den Anschlüssen
behindern könnte.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung verbindet ein
einstückiger Leiterrahmensteg die Leistungseingangsanschlüsse
an den beiden Ecken des Gehäuses und im Inneren des Gehäuses.
Drahtverbindungen von dem Halbleiterplättchen innerhalb des
Gehäuses erfolgen zu diesem einzigen Steg, der in dem Gehäuse
enthalten ist. Der Steg verbessert den Drahtverbindungsanschluß
und bewirkt ebenfalls eine zusätzliche Verankerung des Kunst
stoffmaterials des Gehäuseteils.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der
Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung einer
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung anhand der beigefügten
Zeichnungen.
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf das Gehäuse gemäß der
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 2 eine Unteransicht des Gehäuses des bevorzugten
Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 3 eine Seitenansicht des Gehäuses der bevorzugten
Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 4 eine Endansicht des Endes eines Hauptleistungs
anschlusses des Gehäuses der bevorzugten Aus
führungsform der Erfindung,
Fig. 5 eine Querschnittsansicht einer IMS-Trägerplatte,
an der das Gehäuse nach den Fig. 1-4 befestig
bar ist,
Fig. 6 eine Draufsicht auf den Leiterrahmen, der in dem
Gehäuse nach den Fig. 1-4 verwendet wird,
Fig. 7 eine Querschnittsansicht der Fig. 6 entlang der
Schnittlinie 7-7 nach Fig. 6,
Fig. 8 eine Unteransicht des Leiterrahmens nach Fig. 6,
Fig. 9 eine Vergrößerung des von einem Kreis umgebenen
Bereiches ′A′ nach Fig. 7,
Fig. 10 eine vergrößerte Einzelheit des von einem Kreis
umgebenen Bereiches ′B′ in Fig. 3, die die
Verankerung eines Steueranschlusses in dem
Kunststoffgehäuse und die neuartige Wasch
nutenstruktur zeigt,
Fig. 11 einen Teil eines ebenen Einzelkaliber-Leiter
rahmens der bevorzugten Ausführungsform der
Erfindung ohne Versetzung der Anschlußleiter,
Fig. 12 den Leiterrahmen nach Fig. 11 nach der Ver
setzung der Anschlußleiter,
Fig. 13 die Ausbildung einer abgestuften Ecke an dem
Eckenbereich ′C′ in Fig. 12 zum Verhindern eines
Ausleckens des Kunststoffmaterials über die
Bodenfläche des Anschlusses während des
Formungsvorganges,
Fig. 14 eine Vergrößerung des mit einem Kreis umgebenen
Bereiches ′D′ in Fig. 6, wobei eine Kunststoff
verankerungsnut gezeigt ist, die sich von dem
Ende des Kunststoffverankerungsschlitzes in dem
Leiterrahmen aus erstreckt,
Fig. 15 einen Querschnitt der Fig. 14 entlang der
Schnittlinie 15-15 in Fig. 14,
Fig. 16 eine Draufsicht auf einen abgetrennten Leiter
rahmen-Anschluß, die zur Verarbeitung bestimmte
vertikale quetschbare Vorsprünge oder Wülste
auf den Seiten des Anschlusses zeigt, die das
Formwerkzeug abdichten, um ein Auslecken des
Kunststoffmaterials auf die freiliegende lötbare
Oberfläche des Anschlusses zu verhindern,
Fig. 17 eine Seitenansicht der Fig. 16,
Fig. 18 den Leiterrahmen nach Fig. 6 mit einem an dem
Plattenteil angelöteten Halbleiterplättchen und
einem Verbindungsdraht, der das Halbleiter
plättchen mit externen Anschlüssen verbindet,
wobei die Art und Weise gezeigt ist, wie der
Leiterrahmen abgeschnitten wird, nachdem das
(nicht gezeigte) Formgehäuse geformt wurde,
Fig. 19 ein Schaltbild der Fig. 18,
Fig. 20 eine Querschnittsansicht des Gehäuses nach
Fig. 1 entlang der Linie 20-20, wobei weiter
hin ein U-förmiger Kühlkörper vorgesehen ist.
Zunächst wird auf die Fig. 1-4 Bezug genommen, in denen das
Äußere eines Oberflächenbefestigungs-Gehäuses der bevorzugten
Ausführungsform der Erfindung gezeigt ist. Dieses Gehäuses be
steht aus einem isolierenden Kunststoffgehäuseteil 30, der ein
langgestrecktes Rechteck bildet und obere Oberflächen und Teile
der Kanten eines flachen Einkaliber-Leiterrahmens enthält, der
aus einer üblichen Kupferlegierung mit einer Dicke von ungefähr
1,27 mm bestehen kann. Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist
der Gehäuseteil 30 ungefähr 29 mm lang, 14,2 mm breit und 4,27 mm
hoch. Der Leiterrahmen wird weiter unten ausführlicher unter
Bezugnahme auf die Fig. 6, 7 und 8 beschrieben. Die in den Fig. 1-4
gezeigten Leiterrahmenelemente sind ein Leiterrahmen-
Kühlkörper-Plattenabschnitt 31, Leistungsanschlüsse 32 und 33
an den Ecken einer Kante des rechtwinkligen Gehäuseteils 30 und
Steueranschlüsse oder Anschlußstifte 34, 35 und 36 entlang der
gegenüberliegenden Seite des Gehäuses. Die Anschlüsse 32 bis 36
erstrecken sich um ungefähr 1 mm über die Enden des Gehäuses
hinaus. Die Anschlüsse 34 und 35 weisen vorzugsweise einen engen
Abstand von beispielsweise 2,5 mm von Mittelpunkt zu Mittelpunkt
auf, während die Anschlüsse 35 und 36 vorzugsweise einen
größeren Abstand aufweisen, beispielsweise einen Mittenabstand
von ungefähr 6,0 mm.
Wie dies in Fig. 3 gezeigt ist, sind die Bodenflächen des
Plattenabschnittes 31 und der Anschlüsse 32 bis 36 in der
gleichen Ebene angeordnet, und sie können mit der mit einem
Leitermuster versehenen Oberfläche einer Kühlkörperhalterung,
wie z. B. einer IMS-Leiterplatte verbunden werden. Fig. 5 zeigt
einen Querschnitt einer typischen IMS-Leiterplatte, die aus
einem dicken thermisch leitenden (Kupfer- oder Aluminium
legierungs-) Substrat besteht, das mit einem sehr dünnen
Isolierpolymermaterial 41 bedeckt ist. Eine mit einem Muster zu
versehene dünne leitende lötbare Schicht 42 ist über dem Isola
tor 41 angeordnet. Es kann irgendein gewünschtes Leiterbahn
muster in der Schicht 42 ausgebildet werden, doch ist in
Fig. 5 die Schicht 42 in einen Abschnitt 42a und eine Vielzahl
von Segmenten unterteilt, die mit den Anschlüssen 32 bis 36
ausgerichtet sind. Lediglich die Segmente 42b und 42c, die
beispielsweise mit den Anschlüssen 32 bzw. 34 ausgerichtet sind,
sind in Fig. 5 gezeigt. Es ist dann zweckmäßig, die Unterseite
des Gehäuses nach den Fig. 1-4 auf der IMS-Leiterplatte nach
Fig. 5 unter Verwendung üblicher Löttechniken anzulöten.
Wie dies in den Fig. 1 und 20 gezeigt ist, erstreckt sich der
Plattenabschnitt 31 bei Betrachtung von der Oberseite und von
der Seite über den Gehäuseteil 30 hinaus. Im einzelnen erstrecken
sich Plattenabschnitt-Teile 31a und 31b seitlich über die
Seitenflächen des Gehäuseteils 30 hinaus. Diese sich seitlich
erstreckenden Plattenabschnitt-Teile 31a, 31b ergeben einen
vergrößerten Kühlkörper-Kontaktbereich und ermöglichen die
Verbindung des Plattenabschnittes 31 beispielsweise mit einem
U-förmigen Kühlkörper 31c für eine verbesserte Wärmeableitung
von dem Gesamtgehäuse. Vorzugsweise ist der U-förmige Kühlkörper
31c mit den Plattenabschnitt-Teilen 31a, 31b verlötet.
Um den Anlötvorgang zu unterstützen und zu verbessern, sind
Flußmittel-Waschnuten 50 und 51 (Fig. 2 und 3) über die Unter
seite des Kunststoffgehäuseteils 30 hinweg zwischen den gegen
überliegenden Kanten des Plattenabschnittes 31 und den Reihen
der Anschlüsse 32 bis 33 bzw. 34 bis 36 und parallel hierzu
ausgebildet. Die Nuten 50 und 51 haben vorzugsweise einen ge
krümmten Querschnitt und einen Radius von ungefähr 0,4 mm. Diese
Nuten sind sehr nützlich, um das Abwaschen von Löt-Flußmittel
nach dem Lötvorgang zu unterstützen, und sie vergrößern weiter
hin den Spurabstand über die Kunststoffoberfläche hinweg
zwischen dem Plattenabschnitt 31 und den Anschlüssen 32 bis 36.
Um die Flußmittelwaschfunktion zu verbessern, hat es sich als
nützlich herausgestellt, flache kurze Vertiefungen, die in
Form der Vertiefungen 60 und 61 in Fig. 10 gezeigt sind, vorzu
sehen. Die Vertiefungen 60 und 61 haben eine Tiefe von ungefähr
0,1 mm und stellen sicher, daß die jeweiligen Waschnuten 50 und
51 mit Abstand von dem Substrat angeordnet sind und über diesen
offen sind, nachdem das Gehäuse an dem Substrat verlötet wurde.
Der Leiterrahmen selbst ist vor der Aufnahme der Halbleiter
plättchen oder eines Gehäuses in den Fig. 6, und 8 gezeigt.
Der Plattenabschnitt 31 und die Anschlüsse 32 bis 36 sind ein
stückige Teile des Leiterrahmens und sind durch Segmente mit
einander verbunden, die nach dem Abformen abgetrennt werden, um
die Kontakte 34 bis 36 von den Kontakten 32, 33 und von dem
Plattenabschnitt 31 sowie voneinander zu trennen. Der Leiter
rahmen enthält weiterhin einen massiven Quersteg 70 (Fig. 6-8
und 18), der die Leistungsanschlüsse 32 und 33 miteinander
verbindet und weiterhin als Kunststoffverankerung wirkt, um zur
Verankerung des Leiterrahmens an dem Kunststoffgehäuseteil bei
zutragen. Der Steg 70 dient weiterhin als Verbindungsoberfläche
für Drahtverbindungen, wie dies in Verbindung mit den Fig. 18
und 19 beschrieben wird.
Der Plattenabschnitt 31 weist zwei dünne parallele Schlitze
71 und 72 (Fig. 6-8, 14 und 15) auf, die während des Abformungs
vorganges mit Kunststoff gefüllt werden, wodurch ebenfalls eine
Verankerung des Kunststoffmaterials geschaffen wird, die zur
Verankerung des Plattenabschnittes 31 an dem Gehäuseteil 30
beiträgt. Absichtlich vorgesehene kurze Widerhaken 73 und 74
erstrecken sich von den Innenwänden der Schlitze 71 bzw. 72,
wodurch eine weitere Kunststoffverankerung geschaffen wird, um
den Leiterrahmen-Plattenabschnitt 31 weiter an dem Kunststoff
gehäuseteil zu verankern.
Um die Verankerung des Kunststoffmaterials weiterhin zu unter
stützen, erstrecken sich schwalbenschwanzförmige Nuten 80 bis
83 (Fig. 6, 14 und 15) von den Enden der Schlitze 71 und 72 auf
der oberen Oberfläche des Plattenabschnittes 31 in Richtung
auf deren Enden. Diese füllen sich mit Kunststoffmaterial wäh
rend des Abformvorganges, um den Plattenabschnitt 31 weiter
an dem Gehäuseteil zu befestigen.
Es sei bemerkt, daß die obere Mitteloberfläche des Plattenteils
31 eine ′gerippte′ Oberfläche 85 aufweist. Die obere Oberfläche
des Plattenteils 31 kann mit Nickel beschichtet sein und sie
weist ein Muster von flachen (vorzugsweise ungefähr 0,05 mm),
mit Abstand voneinander angeordneten Einprägungen, vorzugsweise
punktförmige Einprägungen mit einem Durchmesser von 0,25 mm
auf Mittelpunkten von 0,6 mm auf. Es ist bekannt, daß dieses
gerippte oder geprägte Muster das Anlöten eines Halbleiter
plättchens an der gerippten Oberfläche verbessert. Gemäß einem
weiteren Grundgedanken der bevorzugten Ausführungsform der
Erfindung ist die gegenüberliegende Seite des Plattenteils 31
ebenfalls mit einem gerippten Muster 86 (Fig. 8) versehen. Diese
Oberfläche ist üblicherweise eben und glatt, es wurde jedoch
festgestellt, daß, wenn die Oberfläche geringfügig konkav ist,
unerwünschte Lothohlräume während des Anlötvorganges gebildet
werden können. Gemäß der Erfindung verbessert ein geripptes
Muster auf der Unterseite der konkaven Leiterrahmenoberfläche
die Fähigkeit, diesen an einer ebenen Kühlkörperoberfläche
anzulöten, weil hierdurch die Benetzung und der Lotfluß zwischen
diesen Teilen verbessert wird.
Fig. 11 zeigt einen Querschnitt eines Teils des Leiterrahmens,
der den Plattenabschnitt 31 und den Kontakt 36 enthält. Dieser
Rahmen ist ursprünglich ein vollständig ebener Rahmen mit
ebenen planaren oberen und unteren Oberflächen. Es wurde fest
gestellt, daß durch geringfügiges Versetzen der Anschlußab
schnitte des Leiterrahmens durch einen teilweisen Stanzvorgang
gemäß Fig. 13 die Anschlüsse besser in dem Kunststoffgehäuse
teil 30 verankert werden. Die tatsächliche Versetzung, die
verwendet wurde, beträgt ungefähr 0,5 mm für einen Leiterrahmen
mit einer Dicke von 1,27 mm. Es wurde festgestellt, daß während
des Abformvorganges (nach diesem Versetzungsvorgang) das Kunst
stoffmaterial dazu neigte, über die geringfügig abgerundete
Kante an der Stelle ′C′ in Fig. 12 über die Unterseite des
Anschlusses 36 und über die anderen versetzten Anschlüsse 32 bis
35 auszulecken. Es wurde festgestellt, daß das Einstanzen einer
quadratischen Nut 95 (Fig. 9 und 13) an der Ecke ′C′ in jedem
Anschluß dieses unerwünschtes Auslecken des Kunststoffmaterials
verhinderte. Die Nut 95 wird vorzugsweise durch Scheren des
Materials (im Gegensatz zu einem Biegen) hergestellt, weil ein
derartiges Verfahren keinen zusätzlichen seitlichen Raum er
fordert. Die Nut 95 ist ungefähr 0,2 mm tief und 0,3 mm lang.
Die Nut 95 ist in den Fig. 6 und 7 für jeden der versetzten An
schlüsse 32 bis 36 gezeigt.
Als weiteres Merkmal des neuartigen Gehäuses weist jeder der
Anschlußstifte oder Anschlüsse, die sich durch den Kunststoff
gehäuseteil 30 hindurcherstrecken, ein oder mehrere kleine
Wülste auf, die sich von der Dicke des Anschlusses aus er
strecken. Die Dicke der Wülste 100, 101 sollte sich entspre
chend der Dicke des Leiterrahmens ändern. Allgemein weisen die
Wülste 100, 101 eine Dicke von 0,05 bis 0,5 mm auf. Wie dies
in den Fig. 16 und 17 gezeigt ist, dienen zwei quetschbare
Wülste 100 und 101 mit Radien von beispielsweise 0,2 mm (für
einen Leiterrahmen von 1,2 mm) dazu, durch ein Formwerkzeug
gequetscht oder teilweise abgeflacht zu werden, um das Auslecken
von Kunststoffmaterial über die Grenze hinaus zu verhindern,
die durch die Wülste 100 und 101 gebildet ist. Die quetschbaren
Wülste sind in den Fig. 6 und 7 an allen erforderlichen Stellen
an dem Leiterrahmen gezeigt.
Fig. 18 zeigt den Leiterrahmen-Plattenabschnitt 31, nachdem
zwei Halbleiterbauteil-Plättchen 110 und 111 an dem Plattenab
schnitt 31 angelötet wurden, wobei diese Anordnung als ′COPACK′
bezeichnet wird. Die Halbleiterplättchen 110 und 111 des
′COPACK′ können von irgendeiner Art sein, doch sind sie in
Fig. 18 und 19 als ein Leistungs-IGBT und als eine Diode mit
kurzer Erholzeit (FRED) gezeigt.
Es ist zu erkennen, daß in Fig. 19 die Kollektorelektrode des
IGBT 110 mit der Kathode der FRED-Diode 111 verbunden ist, weil
diese Elektroden mit dem leitenden Plattenabschnitt 33 verlötet
und mit diesem verbunden sind. Damit ergibt der leitende Plat
tenabschnitt 31 eine Einrichtung zur elektrischen Verbindung
des ′COPACK′ mit einer externen Schaltung. Die obere Emitter
elektrode des IGBT 110 ist durch eine Drahtverbindung, bei
spielsweise durch Drähte 112, mit der Anodenelektrode der FRED-Diode
111 verbunden. Drahtverbindungen 113 stellen eine Fort
setzung dar und sind mit der Querstrebe 70 und den Anschlüssen
32, 33 verbunden.
Weiterhin ist eine Drahtverbindung 115 von dem Gate-Anschluß
kissen des IGBT 110 zum Gate-Anschluß 35 hergestellt, und es
kann weiterhin ein Kelvin-Emitteranschluß 116 am Anschluß 34
vorgesehen sein, wie dies in Fig. 18 gezeigt ist.
Claims (10)
1. Oberflächenbefestigungs-Halbleitergehäuse mit einem
Halbleiterbauteil, einem Metallplattenabschnitt, auf dem das
Halbleiterbauteil befestigt ist, und mit einem Gehäuseteil, der
aus einem zum Fließen bringbaren Material gebildet ist, das sich
mit dem Metallplattenabschnitt verbindet und das Halbleiterbau
teil einkapselt, wenn es ausgehärtet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß der Gehäuseteil zumindest eine
Waschnut einschließt, die quer über den Boden des Gehäuseteils
ausgebildet ist und sich zwischen gegenüberliegenden Seiten
hiervon erstreckt, und daß die Waschnut an diese angrenzende
flache Abschnitte aufweist, die entlang zumindest einer Kante
der Waschnut angeordnet sind, wobei die flachen Abschnitte eine
geringere Tiefe als die Waschnut aufweisen.
2. Gehäuse nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse ein oder mehrere An
schlüsse aufweist, die koplanar zu dem Metallplattenabschnitt
sind und mit Abstand von diesem angeordnet sind, wobei die
Waschnut zwischen dem Metallplattenabschnitt und den Anschlüssen
verläuft.
3. Oberflächenbefestigungs-Halbleitergehäuse mit einem
Halbleiterbauteil, einem Metallplattenabschnitt, auf dem das
Halbleiterbauteil befestigt ist und einem Gehäuseteil, der aus
einem zum Fließen bringbaren Material gebildet ist, das sich mit
dem Metallplattenabschnitt verbindet und das Halbleiterbauteil
nach dem Aushärten einkapselt,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Quersteg vorgesehen ist, daß
zumindest erste und zweite Anschlüsse vorgesehen sind, die
koplanar zu dem Metallplattenabschnitt und mit Abstand von
diesem angeordnet sind, wobei die ersten und zweiten Anschlüsse
mit Abstand voneinander angeordnet sind und durch den Quersteg
miteinander verbunden sind, wobei der Quersteg den Metallplat
tenabschnitt, die ersten und zweiten Anschlüsse und den Gehäuse
teil aneinander verankert, wenn das zum Fließen bringbare
Material des Gehäuseteils aushärtet.
4. Gehäuse nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß der Metallplattenabschnitt zumindest
einen Schlitz einschließt, der entlang einer Kante des Metall
plattenabschnittes angeordnet ist, und daß der Schlitz das zum
Fließen bringbare Material des Gehäuseteils aufnimmt und den
Metallplattenabschnitt an dem Gehäuseteil verankert, wenn der
Gehäuseteil ausgehärtet ist.
5. Gehäuse nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß der Schlitz einen Widerhaken ein
schließt, der sich von einer Innenwand des Schlitzes aus er
streckt und mit dem Material des Gehäuseteils in Eingriff
kommt, um den Metallplattenabschnitt an dem Gehäuseteil zu
verankern.
6. Gehäuse nach einem der Ansprüche 3-5,
dadurch gekennzeichnet, daß der Metallplattenabschnitt eine
schwalbenschwanzförmige Nut einschließt, die entlang zumindest
eines Teils der zumindest einen Kante des Metallplattenabschnit
tes angeordnet ist, wobei die Nut das zum Fließen bringbare
Material des Gehäuseteils aufnimmt und den Metallplattenab
schnitt an dem Gehäuseteil verankert, wenn der Gehäuseteil aus
härtet.
7. Oberflächenbefestigungs-Halbleiterbauteil-Gehäuse mit
einem Halbleiterbauteil, einem Metallplattenabschnitt, auf dem
das Halbleiterbauteil befestigt ist und mit einem Gehäuseteil,
der aus einem zum Fließen bringbaren Material gebildet ist,
das sich mit dem Metallplattenabschnitt verbindet und das Halb
leiterbauteil einkapselt, wenn es aushärtet,
dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Anschluß vorgesehen
ist, der mit Abstand von dem Metallplattenteil angeordnet ist
und einen Abschnitt, der koplanar zu dem Metallplattenabschnitt
ist, und einen versetzten Abschnitt aufweist, wobei der Anschluß
eine Kerbe einschließt, die entlang einer Unterkante des kopla
naren Abschnittes angeordnet ist, um zu verhindern, daß das zum
Fließen bringbare Material des Gehäuseteils auf die Bodenfläche
des koplanaren Abschnittes ausleckt, während der Gehäuseteil
aushärtet.
8. Oberflächenbefestigungs-Halbleiterbauteil-Gehäuse mit
einem Halbleiterbauteil, einem Metallplattenabschnitt, auf dem
das Halbleiterbauteil befestigt ist und mit einem Gehäuseteil,
der sich mit dem Metallplattenabschnitt verbindet und das Halb
leiterbauteil einkapselt,
dadurch gekennzeichnet, daß der Metallplattenabschnitt sich
seitlich erstreckende Abschnitte aufweist, die sich über seit
liche Kanten des Gehäuseteils hinaus erstrecken, so daß sich
eine verbesserte Wärmeabstrahlung des Gehäuses ergibt und eine
obere Oberfläche geschaffen wird, auf der ein Kühlkörper an dem
Gehäuse befestigbar ist, wobei der Metallplattenabschnitt
weiterhin eine untere Oberfläche aufweist, die auf einem
Substrat befestigbar ist.
9. Gehäuse nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß der Metallplattenabschnitt erste
und zweite sich seitlich erstreckende Teile aufweist, daß sich
der erste sich seitlich erstreckende Teil über eine Seitenkante
des Gehäuseteils hinaus erstreckt, während sich der zweite
seitlich erstreckende Teil über eine gegenüberliegende seitli
che Kante des Gehäuseteils hinaus erstreckt, und daß der Kühl
körper mit den ersten und zweiten sich seitlich erstreckenden
Teilen gekoppelt ist.
10. Gehäuse nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper U-förmig ist.
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