DE1514822A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung

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DE1514822A1 DE19651514822 DE1514822A DE1514822A1 DE 1514822 A1 DE1514822 A1 DE 1514822A1 DE 19651514822 DE19651514822 DE 19651514822 DE 1514822 A DE1514822 A DE 1514822A DE 1514822 A1 DE1514822 A1 DE 1514822A1
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Description

822
Tel ©funken Patentverwertungsgesellschaft
m.b.H.
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Heilbronn, den 9. Juni 1965 PE/PT-M/N - Hn 71/64
"Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung11
Für integrierte Halbleiterschaltungen verwendet man zur Zeit Flachgehäuee, die aus Keramik oder Glas bestehen und auf jeder Seite je fünf oder sechs eingeschmolzene Flachdurchführungen enthalten* In das Gehäuse werden die integrierten Schaltungen in Form von Halbleiterplättchen, von denen jedes Plättchen mehrere aktive oder passive Bauelemente enthält, eingeklebt und es werden dann Bondkontakte von den Halbleiterplättchen zu den Durchführungen hergestellt. Da es bei den integrierten Schaltungen darauf ankommt, möglichst kleine Abmessungen zu erzielen, hängt die Dimension des fertigen,integrierten Bauelements von der Größe dieses aeh&uses ab. Bei den bislang verwendeten Gehäusen n»h»en diese etwa io mal so viel Platz ein, wie die lialbleit*rplMttchem selbst.
die MiniaturisieruÄf bei gleichseitiger Vereinfachung Herstellungsverfahrens weiter vorantreiben zu können, wird *rfinduftgsge«**ß vorgeschlagen, daß «in zum Kontaktieren
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ψ - a -
15U822
geeignetes Blech derart mit Aussparungen versehen wird, daß ein rahmenförmiger Teil mit nach innen ragenden Zinken entsteht, auf die entweder ein Halbleiterkörper oder ein ZuIeitungsdraht zu einer albleiterelektrode aufgelötet wird, und daß die Zinken zusammen mit dem (den) Halbleiterkörper (η) in einen Kunststoff eingebettet und nach dem Einbetten vom rahmenförmigen Teil des Bleches getrent werden.
Der Vorteil dieses Verfahrens beruht darin, daß die Stanzoder geätzten Teile sehr klein gemacht werden können, und daß man den Schutz der Kristalloberfläche und den mechanischen Halt der Durchführungen mit einem Arbeitsgang durchführen kann. Um eine integrierte Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung aufbauen zu können, stanzt oder ätzt man ein geeignetes Blech so aus, daß ein rahmenförmiges Teil mit so vielen nach innen ragenden Zinken entsteht, wie Gehäusedurchführungen erforderlich sind· Die monolitische, integrierte Halbleiterschaltung wird in For« eines Plättchens auf einen dieser Zinken aufgelötet und von diesen Plättchen werden dann die Bondverbindungen zu den anderen Zinken hergestellt. Je nach der Zahl der Zinken können auch zwei oder «ehr integrierte Halbleiterplättchen »it dee erfindungagee&ß ausgebildeten Blechteiltontaktiert werden. Nach de» Kontaktieren wird eine Passivierung der Halbleiter-
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15H822
schaltungen vorgenommen, indem z.B. ein Glaspulver aufgesprüht und bei etwa 55o°C in einem Ofen zum Schmelzen gebracht wird. Auf diesen Arbeitsgang kann unter Umständen verzichtet werden,und man kann direkt nach dem Kontaktieren das System durch einen Backprozess in Kunststoff oder Glas einbetten. Dies geschieht bei- Temperaturen zwischen 15o und 2oo C bei Verwendung von Epoxydharz und bei 3<>o bis 600 C, wenn man Glas verwendet. Dabei legt sich der Isolierstoff zwischen die Zinken und über die Halbleiterplättchen und bildet ao eine se hut ζ axle Hülle für die integrierten Schaltelemente und gibt den Zinken, die nach dem anschließsenden Abtrennen des rahmenförmigen Teils als Gehäusedurchführungen dienen, den mechanischen Halt bei gleichzeitiger, gegenseitiger Isolierung.
Eine Weiterbildung des bisher beschriebenen Verfahrens besteht darin, daß die Zinken soweit in eine Feinstruktur übergehen, daß sie direkt auf die Kontaktstruktur der HaIbleiterplättchen zugeschnitten sind. Die Zinken sind nun so angeordnet, daß sie beim Auflegen eines Halbleiterplättchens direkt mit den Kontaktflecken des Plättchens in Berührung kommen. Nach dem richtigen Auflegen können die Kontaktflecken direkt mit den sie berührenden Zinken verlötet werden, oder man kontaktiert die Kontaktflecken mit den Zinken durch Bonden.
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Kontaktiert man durch Bonden, so wird das Halbleiterplättchen zuerst mit der den Kontaktflecken abgewandten Seite auf eine Unterlage gejagt· Dann wird das Blech mit der Kontaktierungsstruktur auf das Halbleiterplättchen gelegt und mit Hilfe eines Druckstempels bei gleichzeitiger Anwendung von erhöhter Temperatur oder von Ultraschall mit den Kontaktflecken in Kontakt gebracht· Passivierung und Festlegung der Durchführungen erfolgt in der gleichen Weise trie sie bereits oben beschrieben wurde.
Das Verfahren gemäß der Erfindung soll anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert, werden·
Die Figur zeigt das ausgestanzte oder geätzte Blech mit dem rahmenförmigen Teil 1 und den Zinken 2. Auf zwei der Zinken wurde eine auf einem Halbleiterplättchen untergebrachte integrierte Schaltung 3 aufgebracht. Von diesen Halbleiterplättchen gehen Bondkontakte k zu den noch freien Zinken. Im Bereich 5 werden die Zinken mit den Halbleiterplättchen in Epoxydharz oder Glas eingebettet. Anschliessend werden die Zinken durch Abtrennen des rahmenförmigen Teils 1 an den Schnittflächen 6 und 7 elektrisch voneinander getrennt. Die aus der Kunststoff- oder Glasmasse heraus· ragenden Zinkenenden werden nun als Gehäusedurchführungen verwendet.
909826/0572 - 5 -

Claims (3)

  1. - 5 - 1314822
    Patentansprüche
    l) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere integrierte Schaltungen, dadurch gekennzeichnet, daß ein zum Kontaktieren geeignetes Blech derart mit Aussparungen versehen wird, daß ein rahmenförmiger Teil mit nach innen ragenden Zinken entsteht, auf die entweder ein Halbleiterkörper oder ein ZuIeitungsdraht zu einer Halbleiterelektrode aufgelötet wird, und daß die Zinken zusammen mit dem(den) Haibleiterkörper(n) in einen Kunststoff eingebettet und nach dem Einbetten vom rahmenförmigen Teil des Bleches getrennt werden.
  2. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Einbetten ein aushärtbarer Kunststoff verwendet wird·
  3. 3) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Einbetten ein aufschmelzbares Glas verwendet wird·
    k) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Aussparungen durch Ausstanzen oder Ätzen hergestellt werden.
    90 98 26/0 572
    Leerseite
DE19651514822 1964-08-14 1965-06-12 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung Pending DE1514822A1 (de)

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