DE1439717B2 - Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, insbesondere Diode oder Transistor, wobei der Halbleiterkörper sperrschichtfrei auf einen Zinken eines Kontaktierungsbleches aufgelötet wird, danach die noch unkontaktierten Elektroden des Halbleiterkörpers mittels Drähten mit weiteren Zinken des Kontaktierungsbleches verbunden werden, dann die Zinken mit dem aufgebrachten Halbleiterkörper in einen isolierenden Stoff eingebettet und die Zinken nach dem Einbetten vom übrigen Teil des Bleches getrennt werden.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und insbesondere von Transistoren wird im allgemeinen der Halbleiterkörper sperrschichtfrei auf ein Blech aufgelötet und auf einem Sockel montiert, der der jeweils vorgesehenen Verschlußtechnik angepaßt ist. Die übrigen Elektroden des Halbleitersystems werden mittels Drähten oder Bändern mit entsprechenden Sockelstiften oder Sockeldrähten verbunden. Bei einem anderen bekannten Verfahren wird das Halbleitersystem entweder auf einen der Sockeldurchführungen oder unmittelbar auf die metallische Blechwand des Sockels sperrschichtfrei aufgelötet. Die übrigen Elektroden werden auch dabei mittels Drähten mit den ihnen zugeordneten Sockeldurchführungen verbunden. Weiterhin ist es bekannt, derartige auf Sockel montierte Halbleitersysteme entweder mit vakuumdicht aufgebrachten Gehäusekappen zu verschließen, oder die Sockel mit Kunststoffgehäusen, z. B. aus Epoxyharz, zu versehen.
Die ältere Patentschrift 1 439 349 hat ein Verfahren zum Gegenstand, bei dem ein Trägerkörper mit periodisch sich wiederholenden Einschnitten versehen ist. Hierbei handelt es sich um einen rahmenförmigen Kontaktierungsstreifen mit von zwei Seiten in das Innere des Rahmens ragenden Kontaktierungszinken. Auf einen dieser Zinken wird der Halbleiterkörper aufgelötet. Die übrigen Elektroden des Halbleiterkörpers werden mit Hilfe von dünnen Drähten mit den übrigen Zinken verbunden. Nach dem Eingießen des Halbleitersystems in eine isolierende Masse wird der rahmenförmige Teil des Kontaktierungsbleches von den Zinken abgetrennt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem die Herstellung von Halbleiterbauelementen noch weiter vereinfacht werden kann.
Dieses Verfahren soll sich vor allem für die Massenfertigung eignen. Die Erfindung besteht bei einem Verfahren der eingangs beschriebenen Art darin, daß zur Kontaktierung ein mit Zinken versehenes kammförmiges Kontaktierungsblech verwendet wird.
Das der Erfindung zugrunde liegende Prinzip der Verwendung eines kammförmigen Bleches zum Aufbau von Halbleitersystemen hat sich vor allem bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen mit kleinen Abmessungen und insbesondere bei der Herstellung von sogenannten Subminiaturtransistoren bewährt.
Kammförmige Kontaktierungskörper lassen sich sehr einfach herstellen und können unmittelbar nach der Kontaktierung mit den Zinken so in eine Gießharzmasse eingetaucht werden, daß das elektrische System vollständig geschützt ist.
Zur Einbettung des Halbleiterkörpers und der Zinken kann beispielsweise ein Kunststoff, z. B. Gießharz, verwendet werden. In manchen Fällen ist kein besonderes Halbleitergehäuse mehr erforderlich, so daß die Einbettung der Zinken und des Halbleiterkörpers bereits genügt. Es besteht aber auch die Möglichkeit, das bereits eingebettete System mit einem weiteren
irtbaren organischen oder anorganischen Kunststoff ι umgießen. In manchen Fällen ist es auch vorteiltft, das eingebettete System in ein Kunststoffgehäuse, .'etallgehäuse oder Glasgehäuse einzubringen und das ehäuse gegebenenfalls mit einem flüssigen Kunstoff, beispielsweise Gießharz, zu füllen und den unststoff anschließend auszuhärten.
Die Zinken können zugleich als Elektrodenzuleitun- ;n verwendet werden. Es besteht auch die Möglichst, an den Zinken die eigentlichen Elektrodenzuleingen anzubringen.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausihrungsbeispiel in Verbindung mit den F i g. 1 bis 8 iher erläutert.
Die F i g. 1 bis 8 befassen sich mit einem Verfah- :n zur Herstellung von Kunststoffgehäusetransisto- ;n, bei welchem kein Sockel benötigt wird und elches besonders geeignet ist zur Herstellung von lanartransistoren in Kunststoffgehäuseausführung, ur Herstellung des Transistors wird zunächst nach i g. 1 ein mit drei Zinken (2, 3, 4) versehenes Nikel- oder Kovarblech 1 erstellt. Die Oberfläche des leches ist mit einer etwa 3 μ dicken Goldauflage ersehen. Auf den mittleren Zinken 3 wird nach ' i g. 2 der Halbleiterkörper 5 des Planartransistors lit seiner Kollektorseite mittels eines geeigneten perrschichtfreien Lotes aufgelötet. Anschließend werden die Emitter- und Basiselektroden 6 und 7 litteis der Drähte 8 und 9 mit den Zinken 2 und 4 lektrisch leitend verbunden. Der Bereich 10 wird ann gemäß F i g. 3 mit Gießharz ein- oder beideitig überzogen und ausgehärtet. Die Kontaktieung der Zinken erfolgt nach F i g. 4 dadurch, daß η die von Gießharz nicht bedeckten Enden der Zin- :en 2, 3 und 4 die Zuleitungsdrähte 11,12 und 13 an len Stellen 14,15 und 16 angeschweißt oder angelötet verden. Anschließend wird das Blech längs der Linie i-B (Fi g. 4) zerschnitten, so daß die Zinken 2, 3 und 4 vereinzelt und elektrisch voneinander getrennt werden. Den Zusammenhalt der einzelnen dadurch entstandenen Streifen, die gleichzeitig Basis-, Emitter- und Kollektoranschlußstellen sind, gewährleistet nach F i g. 5 die Gießharzbrücke 10.
Dieser so erhaltene Aufbau wird nach F i g. 6 in ein Kunststoffgehäuse, Metallgehäuse oder Glasgehäuse 17, welches mit flüssigem Gießharz 18 gefüllt ist, eingebracht und das flüssige Gießharz 18 bei
ίο geeigneter Temperatur ausgehärtet, oder nach F i g. 7 nochmals in Gießharz eingetaucht und mit einer Gießharzperle 19 umgeben.
Es ist auch möglich, die Anordnung der Transistoranschlüsse in anderer Reihenfolge als in dem oben angeführten Beispiel vorzunehmen, indem der Kollektorkörper z. B. auf eine der äußeren Zinken 2 oder 4 aufgelötet wird, während die Basis- und Emitteranschlüsse an die Zinken 3 bzw. 4 oder an die Zinken 3 bzw. 2 gelegt werden. Falls dabei das Transistorelement in die Mitte der Gießharzmasse 10 zu liegen kommen soll, kann ein Blech gemäß F i g. 8 verwendet werden.
Hier ist das Transistorelement 5 auf den äußeren Zinken 2 aufgelötet, während der Emitter und die Basis an eine der Zinken 3 und 4 angeschlossen ist. Alle übrigen Arbeitsgänge sind die gleichen wie oben beschrieben; die Vereinzelung der Zinken erfolgt längs der Trennlinie A'-B'.
Weiterhin bestellt die Möglichkeit, die Zuführungsdrahte nicht in einer Ebene liegend anzuordnen, sondern in beliebiger Gruppierung auf vorgegebenem Teilkreis aus dem Gehäuse herauszuführen. Es ist in diesem Fall erforderlich, entweder die an das Blech anzuschweißenden Drähte mittels einer Lehre in die gewünschte Richtung zu biegen und die Knickpunkte innerhalb des Gehäuses zu belassen oder durch entsprechende Formgebung des Bleches die Zinken in mehreren Ebenen anzuordnen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (13)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, insbesondere Diode oder Transistor, wobei der Halbleiterkörper sperrschichtfrei auf einen Zinken eines Kontaktierungsbleches aufgelötet wird, danach die noch unkontaktierten Elektroden des Halbleiterkörpers mittels Drähten mit weiteren Zinken des Kontaktierungsbleches verbunden werden, dann die Zinken mit dem aufgebrachten Halbleiterkörper in einen isolierenden Stoff eingebettet und die Zinken nach dem Einbetten vom übrigen Teil des Bleches getrennt werden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Kontaktierung ein mit Zinken versehenes kammförmiges Kontaktierungsblech verwendet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Einbettung ein Kunststoff verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kunststoff aus Gießharz besteht.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das eingebettete System mit einem härtbaren organischen oder anorganischen Kunststoff umgössen wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das eingebettete System in ein Kunststoffgehäuse, Metall oder Glasgehäuse eingebracht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse mit einem Kunststoff wie z. B. Gießharz gefüllt wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Zinken zugleich als Elektrodenzuleitungen verwendet werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß an den Zinken Elektrodenzuleitungen angebracht werden.
9. Verfahren zur Herstellung eines Transistors nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper auf einen Zinken eines mit drei Zinken versehenen Blechkammes aufgelötet wird, daß die Emitterelektrode mittels eines Zuleitungsdrahtes mit dem zweiten Zinken und die Basis- oder Kollektorelektrode mittels eines Zuleitungsdrahtes mit dem dritten Zinken verbunden werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper auf den mittleren Zinken aufgelötet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch ge- r. kennzeichnet, daß der Halbleiterkörper auf einen der äußeren Zinken aufgelötet wird.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Blech mit den Zinken aus Nickel oder Kovar besteht.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Blech vergoldet ist.
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