DE1300788C2 - Verfahren zur herstellung kugeliger loetperlen auf traegerplatten - Google Patents
Verfahren zur herstellung kugeliger loetperlen auf traegerplattenInfo
- Publication number
- DE1300788C2 DE1300788C2 DE19671300788 DE1300788A DE1300788C2 DE 1300788 C2 DE1300788 C2 DE 1300788C2 DE 19671300788 DE19671300788 DE 19671300788 DE 1300788 A DE1300788 A DE 1300788A DE 1300788 C2 DE1300788 C2 DE 1300788C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- solder
- layer
- mask
- circuit board
- production
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05124—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/05171—Chromium [Cr] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
- H01L2224/05572—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface the external layer extending out of an opening
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12033—Gunn diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Description
schichtet, durch aeMaskeLotsteuerbarerSchicbt^ | genau bestimmt jmd eingehalten werden können
dicke aSrnnpfTSd nach Entfemang der1 ß Geintiß der Erfindung *«^ TOgddapo, daß ie Maske die Träge^atte auf eine über der Schmelz- »s Trägerplatte mit emer sich über jeweifcüe Metalltemperatur del Lotes Hegende Temperatur er- flächen und deren unmittelbare Umgebung erwärmt wird streckende Öffnungen aufweisenden Maske be-
dicke aSrnnpfTSd nach Entfemang der1 ß Geintiß der Erfindung *«^ TOgddapo, daß ie Maske die Träge^atte auf eine über der Schmelz- »s Trägerplatte mit emer sich über jeweifcüe Metalltemperatur del Lotes Hegende Temperatur er- flächen und deren unmittelbare Umgebung erwärmt wird streckende Öffnungen aufweisenden Maske be-
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- schichtet, durch die Maske Lot m steuerbarer
kennzeichnet, daß die Metallflächen aus Kreis- Schichtdecke aufgedampft und nach Entfernung der
flächen bestehen und die einen bestimmten, etwas u Maske die Trägerplatte auf eine über der Schmelzgrößeren
Durchmesser aufweisenden Maskenöff- temperatur des Lotes hegende Temperatur erwannt
nungen konzentrisch dazu angeordnet werden. wird. Auf diese Weise bilden sich unter der Em-
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, wirkung der Oberflächenspannung des bei der Nachdadurch
gekennzeichnet, daß die Erwärmung der erwärmung gebildeten flüssigen Lotes in Verbindung
Trägerplatte zur Verhinderung der Oxydation in ·5 mit der vom flüssigen Lot nicht benetzbaren lragerreduzierender
Atmosphäre erfolgt. platte kugelige Lötperlen, deren Abmessungen durch
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, Wahl der Größe der Maskenöffnungen, der Große
dadurch gekennzeichnet, daß zur Verhinderung der Metallflächen und der Aufdampfgeschwindigkeit
der Oxydation das Schaltungsplättchen mit dem bestimmt werden können.
aufgebrachten Lot unter Einwirkung eines Fluß- 30 Insbesondere wird vorgeschlagen, daß die Metallmittels
erwari.it wird. flächen aus Kreisflächen bestehen und die einen be-
5. Anwendung der nach dem Verfahren nach stimmten, etwas größeren Durchmesser aufweisenden
Anspruch 1 hergestellten Imperien bei der An- Maskenöffnungen konzentrisch dazu angeordnet
Ordnung des Schaltungspläf chens auf einer werden. ,.
Grundplatte, dadurch gekennzeichnet, daß ein 35 Weiterhin wird vorgeschlagen, daß die Erwärmung Teil der Lötperlen als elektrischer Kontakt (40, der Trägerplatte zur Verhinderung der Oxydation in 42) und ein anderer Teil als Abstandshalter (44) reduzierender Atmosphäre oder unter Einwirkung dient. eines Flußmittels erfolgt.
Grundplatte, dadurch gekennzeichnet, daß ein 35 Weiterhin wird vorgeschlagen, daß die Erwärmung Teil der Lötperlen als elektrischer Kontakt (40, der Trägerplatte zur Verhinderung der Oxydation in 42) und ein anderer Teil als Abstandshalter (44) reduzierender Atmosphäre oder unter Einwirkung dient. eines Flußmittels erfolgt.
Eine vorteilhafte Anwendung des Verfahrens zur 40 elektrischen Verbindung von Schaltungsplättchen mit
einer Kontaktplättchen aufweisenden Grundplatte
unter Einhaltung eines bestimmten gegenseitigen Abstandes besteht darin, daß das oder die Schaltungsplättchen
mit kugeligen Lötperlen versehen und auf
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her- 45 der Grundplatte so angeordnet werden, daß die Lötstellung
kugeliger Lötperlen definierter Abmessungen perlen auf entsprechenden Kontaktplättchen und
auf ihre Ausdehnung begrenzenden Metallflächen, mindestens ein weiteres auf der eigentlichen Obsrdie
sich auf vom flüssigen Lot nicht benetzbaren fläche der Grundplatte aufliegen und daß an-Trägerplatten,
beispielsweise integrierten Schaltungs- schließend eine Erwärmung auf eine über der
plättchen, befinden. 50 Schmelztemperatur des Lotes liegende Temperatur
Bei bekannten Verfahren zur Herstellung in- erfolgt.
tegrierter Schaltungsplättchen werden an verschiede- Das erfindungsgemäße Verfahren ist weiterhin in
nen Stellen des Plättchens kleine Kupferkugeln an- der nachstehenden Beschreibung von in der Zeichgeordnet,
die beim Anbringen der Schaltungs- nung dargestellten Ausführungsbeispielen erläutert,
plättchen auf einer Trägerplatte als elektrische Kon- 55 Es zeigt
takte verwendet werden. Als passive Abstandshalter F i g. 1 einen Schnitt durch eine Seitenansicht
zur Festlegung eines geeigneten Abstandes zwischen eines integrierten Schaltungsplättchens, auf dessen
den Schaltungsplättchen und der Trägerplatte dienen Oberfläche eine die Ausdehnung der zu bildenden
gewöhnlich kleine Glasperlen oder keramische Lötperle begrenzende Metallfläche angeordnet ist;
Perlen. Die aktive Kontakte darstellenden Kupfer- 60 Fig. 2 zeigt dieses Schaltungsplättchen, nachdem
kugeln werden mit den Schaltungsplättchen ver- es durch eine Metallmaske mit Lot bedampft wurde;
bunden, indem sie auf kleinen Metallflächen ange- F i g. 3 zeigt eine fertige Lötperle, nachdem die zulötet
werden, die beispielsweise aus Chrom, Kupfer nächst aufgedampfte Lotschicht nacherwärmt wurde;
und Gold hergestellten Kreisflächen bestehen. Es ist Fig. 4a und 4b zeigen, wie durch Bestimmung
bereits erkannt worden, daß die Kupferkugeln 65 der Größe der Maskenöffnung und damit der Größe
und die Abstandshalter aus Glas durch Perlen aus der aufgedampften Lotschicht die Abmessungen der
Lot ersetzt werden können und daß damit eine Lötperlen festgelegt werden können, und
wesentliche Kosteneinsparung und Vereinfachung des Fig. 5 zeigt ein mit aktiven und passiven Lot-
wesentliche Kosteneinsparung und Vereinfachung des Fig. 5 zeigt ein mit aktiven und passiven Lot-
perlen versehenes Schaltungsplättchen, das auf einer Die Höhe der Lötperle wird vom Durchmesser
Trägerplatte angeordnet ist. der Metallfläcbe 18, dem Durchmesser der Masken-
In den einzelnen Figuren sind für gleichartige öffnung und von der Dicke der aufgedampften Lot-Teile
gleiche Bezugszeichen verwendet. In Fig. I ist schicht bestimmt. In einem typischen Beispiel kann
ein Teil eines integrierten Scbaltungsplättcbens 10 5 auf einer Metallfläcbe mit einem Durchmesser von
dargestellt, das aus Silizium besteht und dessen 0,15 mm durch Aufdampfen einer Lotschicht in einer
Oberfläche eine Siliziumdioxydschicht 12 und 14 Dicke von 40 bis 50 um durch eine Maskenöffnung
trägt. Ebenso ist eine Aluuchicht 16 vorge- mit einem Durchmesser von 0,3 ram eine Perle mit
sehen, die als elektrischer Kontakt für im Schaltungs- einer Höhe von etwa 0,15 bis 0,2 mm hergestellt
plättchen 10 gebildete, nicht dargestellte Schalt- io werden. Der Zusammenbang zwischen dem Duichelemente
dient Diese Alummiumschicht fehlt in den messer der Maskenöffnung und der Höhe der geFällen,
in denen die gebildete Lötpeiie nicht als bildeten Perle geht deutlich aus den Fig.4a und 4b
aktiver elektrischer Kontakt, sondern als passiver hervor. Da die aufgedampfte Lotschicht 28 einen be-Abstandshalter
verwendet wird. Über der Alu- trächtlich größeren Durchmesser als die Lotschicht
miniumschicht ist eine der Begrenzung der zu bilden- 15 30 aufweist, ist die aus der Schicht 28 gebildete Lötden
Lötperle dienende tellerförmige Metallschicht 18 perle 32 wesentlich höher als die aus der Schicht 30
angeordnet, die aus einer Gold-, Kupfer- und Chrom- gebildete Lötperle 34.
schicht bestehen kann. Die Herstellung dieser in Da die begrenzenden Metallflächen auf der Ober-
Fig. 1 gezeigten Struktur erfolgt nach bekannten Bäche des Schaltungsplättchens im allgemeinen den
Verfahren und ist nicht näher beschrieben, da sie ao gleichen Durchmesser aufweisen und da außerdem
nicht Teil der Erfindung ist. zweckmäßigenveise c"'j in allen Maskenöffnungen
Zur Beschreibung des erfindungsgemäßen Ver- eines Schaltungsplättchers aufgedampfte Lotschicht
f ahrens sei nunmehr auf die Ar .Ordnung der F i g. 2 dieselbe Dicke aufweist, besteht der geeignetste Weg
verwiesen. Eine aus Metall oder einem anderen ge- zur gleichzeitigen Herstellung von Lötperlen untereigneten Material bestehende Maske 20 ist auf dem as schiedlicher Höhe auf einem Schaltungsplättchen
Schaltungsplättchen 10 angebracht und weist öffnun- darin, daß die Größen der Maskenöffnungen in Abgen
auf. Der gezeigte Ausschnitt enthält lediglich hängigkeit von den gewünschten Höhen der Löteine
einzige Maskenöffnung. Die Anordnung der perlen variiert werden.
Maske erfolgt so, daß die öffnung konzentrisch zu F i g. 5 zeigt ein Schaltungsplättchen 10, das auf
der begrenzenden Metallfläche 18 zu liegen kommt 30 einer mit Kontaktplättchen 38 versehenen Grund-
und einen etwas größeren Durchmesser als diese platte 36 angeordnet ist. Das Schaltungsplättchen 10
Metallfläche aufweist. Dadurch liegt auch ein die trägt zwei in der eben beschriebenen Weise hei-Metallfläche
18 umgebendes kreisringförmiges Ge- gestellte Lötperlen 40 und 42, die als aktive elekbiet
der Oberfläche des Schaltungsplättchens 10 im trische Kontakte verwendet werden. Außerdem ist
Bereich der öffnung. Durch diese öffnung wird in 35 auf dem Schaitungsplättchen in derselben Weise eine
bekannter Weise eine Schicht 24 aus Lot, beispiels- etwas größere Lötperle 44 hergestellt, die als passiver
weise eine Blei-Zinn-Verbindung, aufgedampft. Diese Abstandshalter verwendet wird. Die als Kontakte
Lotschicht bedeckt die Metallfläche 18 und den diese verwendeten Lötperlen 40 und 43 liegen auf den entumgebenden
Oberflächenbereich 22 des Schaltungs- sprechenden Kontaktplättchen 38 der Grundplatte
plättchens 10 in einer vorausbestinimten Dicke. 40 36. Wird die Anordnung gemäß Fig. 5 bis zum
Nach dem Aufdampfen der Lotschicht wird die Schmelzen des Lotes erhitzt, fließen die Lötperlen 40
Maske entfernt. Anschließend wird das Schaltungs- und 42 mit dem ihnen zugeordneten Kontaktplättchen
plättchen in einer reduzierenden Atmosphäre oder 38 zusammen und bilden eine gute elektrische Verunter
der Einwirkung von Flußmittel zur Ver- bindung. Die als Abstandshalter verwendete Lötperle
hinderung der Oxydation erhitzt, bis das Lot den 45 44 wird dabei ihre ursprüngliche Gestalt beibehalten
geschmolzenen Zustand erreicht. Während des und einen geeigneten Abstand zwischen Schaltungs-Schmelzvorganges
zieht sich das Lot allmählich von plättchen und Grundplatte aufrechterhalten. Die als
der nicht benetzbaren Oberfläche 22 zurück und Abstandshalter dienende Lötperle zerfließt bei der
iammelt sich auf der Metallfläche 18. Dort bildet Erwärmung nicht, da sie die keramische Oberfläche
das Lot unter dem Einfluß der Oberflächenspannung 50 der Grundplatte 36 nicht benetzt und durch die
eine kugelige Lötperle 26, wie es in F i g. 3 darge- im geschmolzenen Zustand wirksame Oberflächen-•tellt
ist. spannung in ihrer ursprünglichen Form gehalten wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- ^ 2HersteUungsverfaJwens verbunden wäre. Es fehltPatentansprüche: aber ein geeignetes Verfahren, durch das derartigernwiuttuajjiuuw. ^ ^* ^ ^ den erfor(jwi,Qheft Weinen Ab-i. Verfahren zur Herstellung kugeliger Lot- ' ™8S™ßs£ole™^
perlen definierter Abmessungen auf ihre Ausdeb* 5 ^^^^^ϊ^&^^αΆίΆ
nung begrenzenden MetallflMwn, die sieb auf Schmelzen von
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US52198866A | 1966-01-20 | 1966-01-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1300788C2 true DE1300788C2 (de) | 1974-11-21 |
DE1300788B DE1300788B (de) | 1974-11-21 |
Family
ID=24078966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19671300788 Expired DE1300788C2 (de) | 1966-01-20 | 1967-01-17 | Verfahren zur herstellung kugeliger loetperlen auf traegerplatten |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3458925A (de) |
BE (1) | BE692824A (de) |
CH (1) | CH447300A (de) |
DE (1) | DE1300788C2 (de) |
ES (1) | ES335777A1 (de) |
FR (1) | FR1509407A (de) |
GB (1) | GB1097898A (de) |
NL (1) | NL157145B (de) |
Families Citing this family (82)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3594619A (en) * | 1967-09-30 | 1971-07-20 | Nippon Electric Co | Face-bonded semiconductor device having improved heat dissipation |
US3599060A (en) * | 1968-11-25 | 1971-08-10 | Gen Electric | A multilayer metal contact for semiconductor device |
US3871014A (en) * | 1969-08-14 | 1975-03-11 | Ibm | Flip chip module with non-uniform solder wettable areas on the substrate |
US3871015A (en) * | 1969-08-14 | 1975-03-11 | Ibm | Flip chip module with non-uniform connector joints |
US3781609A (en) * | 1971-11-03 | 1973-12-25 | Ibm | A semiconductor integrated circuit chip structure protected against impact damage from other chips during chip handling |
US3719981A (en) * | 1971-11-24 | 1973-03-13 | Rca Corp | Method of joining solder balls to solder bumps |
US3894329A (en) * | 1972-07-28 | 1975-07-15 | Sperry Rand Corp | Method of making high density electronic interconnections in a termination device |
US3869787A (en) * | 1973-01-02 | 1975-03-11 | Honeywell Inf Systems | Method for precisely aligning circuit devices coarsely positioned on a substrate |
US3839727A (en) * | 1973-06-25 | 1974-10-01 | Ibm | Semiconductor chip to substrate solder bond using a locally dispersed, ternary intermetallic compound |
US4032058A (en) * | 1973-06-29 | 1977-06-28 | Ibm Corporation | Beam-lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam-leads with corresponding dielectric substrate leads |
US3881884A (en) * | 1973-10-12 | 1975-05-06 | Ibm | Method for the formation of corrosion resistant electronic interconnections |
JPS54139415A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-29 | Hitachi Ltd | Semiconductor channel switch |
US4246147A (en) * | 1979-06-04 | 1981-01-20 | International Business Machines Corporation | Screenable and strippable solder mask and use thereof |
US4290079A (en) * | 1979-06-29 | 1981-09-15 | International Business Machines Corporation | Improved solder interconnection between a semiconductor device and a supporting substrate |
JPS5728337A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Hitachi Ltd | Connecting constructin of semiconductor element |
US4505029A (en) * | 1981-03-23 | 1985-03-19 | General Electric Company | Semiconductor device with built-up low resistance contact |
EP0111611B1 (de) * | 1982-10-28 | 1987-05-13 | International Business Machines Corporation | Verfahren und Vorrichtung zum Überziehen durch Vakuumaufdampfen mittels einer Elektronenkanone |
US4545610A (en) * | 1983-11-25 | 1985-10-08 | International Business Machines Corporation | Method for forming elongated solder connections between a semiconductor device and a supporting substrate |
IT1215268B (it) * | 1985-04-26 | 1990-01-31 | Ates Componenti Elettron | Apparecchio e metodo per il confezionamento perfezionato di dispositivi semiconduttori. |
US4742023A (en) * | 1986-08-28 | 1988-05-03 | Fujitsu Limited | Method for producing a semiconductor device |
US4760948A (en) * | 1986-12-23 | 1988-08-02 | Rca Corporation | Leadless chip carrier assembly and method |
US4935627A (en) * | 1989-03-13 | 1990-06-19 | Honeywell Inc. | Electrical interconnection apparatus for achieving precise alignment of hybrid components |
FR2651025B1 (fr) * | 1989-08-18 | 1991-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Assemblage de pieces faisant un angle entre elles et procede d'obtention de cet assemblage |
US5255840A (en) * | 1989-12-26 | 1993-10-26 | Praxair Technology, Inc. | Fluxless solder coating and joining |
JPH045844A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-09 | Nippon Mektron Ltd | Ic搭載用多層回路基板及びその製造法 |
US5198695A (en) * | 1990-12-10 | 1993-03-30 | Westinghouse Electric Corp. | Semiconductor wafer with circuits bonded to a substrate |
US5173763A (en) * | 1991-02-11 | 1992-12-22 | International Business Machines Corporation | Electronic packaging with varying height connectors |
US5266520A (en) * | 1991-02-11 | 1993-11-30 | International Business Machines Corporation | Electronic packaging with varying height connectors |
US5316788A (en) * | 1991-07-26 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Applying solder to high density substrates |
US5203075A (en) * | 1991-08-12 | 1993-04-20 | Inernational Business Machines | Method of bonding flexible circuit to cicuitized substrate to provide electrical connection therebetween using different solders |
US5133495A (en) * | 1991-08-12 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Method of bonding flexible circuit to circuitized substrate to provide electrical connection therebetween |
US5186383A (en) * | 1991-10-02 | 1993-02-16 | Motorola, Inc. | Method for forming solder bump interconnections to a solder-plated circuit trace |
US5281684A (en) * | 1992-04-30 | 1994-01-25 | Motorola, Inc. | Solder bumping of integrated circuit die |
JP2796919B2 (ja) * | 1992-05-11 | 1998-09-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | メタライゼーション複合体および半導体デバイス |
US5367195A (en) * | 1993-01-08 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | Structure and method for a superbarrier to prevent diffusion between a noble and a non-noble metal |
US5396702A (en) * | 1993-12-15 | 1995-03-14 | At&T Corp. | Method for forming solder bumps on a substrate using an electrodeposition technique |
US5473814A (en) * | 1994-01-07 | 1995-12-12 | International Business Machines Corporation | Process for surface mounting flip chip carrier modules |
US6319810B1 (en) | 1994-01-20 | 2001-11-20 | Fujitsu Limited | Method for forming solder bumps |
US5643831A (en) * | 1994-01-20 | 1997-07-01 | Fujitsu Limited | Process for forming solder balls on a plate having apertures using solder paste and transferring the solder balls to semiconductor device |
US6025258A (en) * | 1994-01-20 | 2000-02-15 | Fujitsu Limited | Method for fabricating solder bumps by forming solder balls with a solder ball forming member |
US6271110B1 (en) | 1994-01-20 | 2001-08-07 | Fujitsu Limited | Bump-forming method using two plates and electronic device |
US6528346B2 (en) | 1994-01-20 | 2003-03-04 | Fujitsu Limited | Bump-forming method using two plates and electronic device |
MY112145A (en) * | 1994-07-11 | 2001-04-30 | Ibm | Direct attachment of heat sink attached directly to flip chip using flexible epoxy |
US5539153A (en) * | 1994-08-08 | 1996-07-23 | Hewlett-Packard Company | Method of bumping substrates by contained paste deposition |
DE29500428U1 (de) * | 1995-01-12 | 1995-03-30 | Hewlett Packard Gmbh | Verbindungsbauteil |
US6388203B1 (en) | 1995-04-04 | 2002-05-14 | Unitive International Limited | Controlled-shaped solder reservoirs for increasing the volume of solder bumps, and structures formed thereby |
WO1996031905A1 (en) | 1995-04-05 | 1996-10-10 | Mcnc | A solder bump structure for a microelectronic substrate |
US6344234B1 (en) * | 1995-06-07 | 2002-02-05 | International Business Machines Corportion | Method for forming reflowed solder ball with low melting point metal cap |
US5660321A (en) * | 1996-03-29 | 1997-08-26 | Intel Corporation | Method for controlling solder bump height and volume for substrates containing both pad-on and pad-off via contacts |
JP3292068B2 (ja) * | 1996-11-11 | 2002-06-17 | 富士通株式会社 | 金属バンプの製造方法 |
US6000603A (en) * | 1997-05-23 | 1999-12-14 | 3M Innovative Properties Company | Patterned array of metal balls and methods of making |
US7819301B2 (en) * | 1997-05-27 | 2010-10-26 | Wstp, Llc | Bumping electronic components using transfer substrates |
US7007833B2 (en) | 1997-05-27 | 2006-03-07 | Mackay John | Forming solder balls on substrates |
US6293456B1 (en) | 1997-05-27 | 2001-09-25 | Spheretek, Llc | Methods for forming solder balls on substrates |
US7654432B2 (en) | 1997-05-27 | 2010-02-02 | Wstp, Llc | Forming solder balls on substrates |
US7288471B2 (en) * | 1997-05-27 | 2007-10-30 | Mackay John | Bumping electronic components using transfer substrates |
US6609652B2 (en) | 1997-05-27 | 2003-08-26 | Spheretek, Llc | Ball bumping substrates, particuarly wafers |
US7842599B2 (en) * | 1997-05-27 | 2010-11-30 | Wstp, Llc | Bumping electronic components using transfer substrates |
US6456099B1 (en) * | 1998-12-31 | 2002-09-24 | Formfactor, Inc. | Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit |
US6047637A (en) * | 1999-06-17 | 2000-04-11 | Fujitsu Limited | Method of paste printing using stencil and masking layer |
WO2002039802A2 (en) | 2000-11-10 | 2002-05-16 | Unitive Electronics, Inc. | Methods of positioning components using liquid prime movers and related structures |
US6863209B2 (en) | 2000-12-15 | 2005-03-08 | Unitivie International Limited | Low temperature methods of bonding components |
US6489229B1 (en) | 2001-09-07 | 2002-12-03 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor device having conductive bumps without using gold |
US6732908B2 (en) * | 2002-01-18 | 2004-05-11 | International Business Machines Corporation | High density raised stud microjoining system and methods of fabricating the same |
US6960828B2 (en) | 2002-06-25 | 2005-11-01 | Unitive International Limited | Electronic structures including conductive shunt layers |
US7531898B2 (en) | 2002-06-25 | 2009-05-12 | Unitive International Limited | Non-Circular via holes for bumping pads and related structures |
US7547623B2 (en) | 2002-06-25 | 2009-06-16 | Unitive International Limited | Methods of forming lead free solder bumps |
TWI225899B (en) | 2003-02-18 | 2005-01-01 | Unitive Semiconductor Taiwan C | Etching solution and method for manufacturing conductive bump using the etching solution to selectively remove barrier layer |
US6951775B2 (en) * | 2003-06-28 | 2005-10-04 | International Business Machines Corporation | Method for forming interconnects on thin wafers |
US7049216B2 (en) * | 2003-10-14 | 2006-05-23 | Unitive International Limited | Methods of providing solder structures for out plane connections |
WO2005101499A2 (en) | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Unitive International Limited | Methods of forming solder bumps on exposed metal pads and related structures |
US20060205170A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Rinne Glenn A | Methods of forming self-healing metal-insulator-metal (MIM) structures and related devices |
US8957511B2 (en) * | 2005-08-22 | 2015-02-17 | Madhukar B. Vora | Apparatus and methods for high-density chip connectivity |
US7745301B2 (en) * | 2005-08-22 | 2010-06-29 | Terapede, Llc | Methods and apparatus for high-density chip connectivity |
EP1981675B1 (de) * | 2006-01-30 | 2011-10-26 | Behr GmbH & Co. KG | Verfahren zur herstellung eines metallteils |
US7932615B2 (en) | 2006-02-08 | 2011-04-26 | Amkor Technology, Inc. | Electronic devices including solder bumps on compliant dielectric layers |
US7674701B2 (en) | 2006-02-08 | 2010-03-09 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming metal layers using multi-layer lift-off patterns |
TW201208007A (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor package |
JP5870303B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2016-02-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
US10096540B2 (en) * | 2011-05-13 | 2018-10-09 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming dummy pillars between semiconductor die and substrate for maintaining standoff distance |
KR101782503B1 (ko) * | 2011-05-18 | 2017-09-28 | 삼성전자 주식회사 | 솔더 범프 붕괴를 억제하는 반도체 소자의 범프 형성방법 |
US20130140671A1 (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-06 | Win Semiconductors Corp. | Compound semiconductor integrated circuit with three-dimensionally formed components |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1072455B (de) * | 1959-12-31 | Siemens ß. Halske Aktiengesellschaft, Berlin und München | Lötverfahren für gedruckte Schaltungen | |
US2925647A (en) * | 1958-01-28 | 1960-02-23 | Engelhard Ind Inc | Method of making electrical contacts |
GB1013333A (en) * | 1963-08-08 | 1965-12-15 | Ibm | Improvements in the connection of electrical devices to printed wiring |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2781282A (en) * | 1953-09-21 | 1957-02-12 | Libbey Owens Ford Glass Co | Method and apparatus for masking support bodies |
US3321828A (en) * | 1962-01-02 | 1967-05-30 | Gen Electric | Aluminum brazing |
US3261713A (en) * | 1962-03-03 | 1966-07-19 | Philips Corp | Method of coating surface with solder |
US3293076A (en) * | 1962-04-17 | 1966-12-20 | Nat Res Corp | Process of forming a superconductor |
US3235959A (en) * | 1962-06-25 | 1966-02-22 | Alloys Res & Mfg Corp | Brazing aluminum based parts |
US3303393A (en) * | 1963-12-27 | 1967-02-07 | Ibm | Terminals for microminiaturized devices and methods of connecting same to circuit panels |
US3286340A (en) * | 1964-02-28 | 1966-11-22 | Philco Corp | Fabrication of semiconductor units |
-
1966
- 1966-01-20 US US521988A patent/US3458925A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-12-06 GB GB54443/66A patent/GB1097898A/en not_active Expired
-
1967
- 1967-01-16 FR FR8303A patent/FR1509407A/fr not_active Expired
- 1967-01-17 DE DE19671300788 patent/DE1300788C2/de not_active Expired
- 1967-01-18 BE BE692824D patent/BE692824A/xx unknown
- 1967-01-18 ES ES0335777A patent/ES335777A1/es not_active Expired
- 1967-01-20 NL NL6700992.A patent/NL157145B/xx unknown
- 1967-01-20 CH CH87967A patent/CH447300A/de unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1072455B (de) * | 1959-12-31 | Siemens ß. Halske Aktiengesellschaft, Berlin und München | Lötverfahren für gedruckte Schaltungen | |
US2925647A (en) * | 1958-01-28 | 1960-02-23 | Engelhard Ind Inc | Method of making electrical contacts |
GB1013333A (en) * | 1963-08-08 | 1965-12-15 | Ibm | Improvements in the connection of electrical devices to printed wiring |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3458925A (en) | 1969-08-05 |
FR1509407A (fr) | 1968-01-12 |
GB1097898A (en) | 1968-01-03 |
BE692824A (de) | 1967-07-03 |
CH447300A (de) | 1967-11-30 |
ES335777A1 (es) | 1967-12-01 |
NL6700992A (de) | 1967-07-21 |
DE1300788B (de) | 1974-11-21 |
NL157145B (nl) | 1978-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1300788C2 (de) | Verfahren zur herstellung kugeliger loetperlen auf traegerplatten | |
DE3042085C2 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1640457C2 (de) | ||
DE4135189B4 (de) | Verfahren zur Montage des Gehäuses eines Halbleiter-Bauelements | |
DE112018001998B4 (de) | Basismaterial, formpackung, die dasselbe verwendet, basismaterialherstellungsverfahren und formpackungsherstellungsverfahren | |
DE2314731B2 (de) | Halbleiteranordnung mit höckerartigen Vorsprüngen auf Kontaktflecken und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiteranordnung | |
DE4133183A1 (de) | Verfahren zur montage eines ccd-gehaeuses sowie ccd-gehaeusekonstruktion | |
DE2844888A1 (de) | Vormaterial fuer elektrische kontakte | |
EP0781186B1 (de) | Verfahren zur belotung von anschlussflächen, sowie verfahren zur herstellung einer lotlegierung | |
DE1627762A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
DE69015385T3 (de) | Herstellung von beheizten Fenstern. | |
DE3305952A1 (de) | Verfahren zum anbringen einer platte mit integrierter schaltung auf einem substrat | |
CH631291A5 (de) | Verfahren zur stabilisierenden oberflaechenbehandlung von halbleiterkoerpern. | |
DE3827318A1 (de) | Dichtung zwischen keramischen gegenstaenden oder zwischen keramischen und metallischen gegenstaenden | |
DE1915148C3 (de) | Verfahren zur Herstellung metallischer Höcker bei Halbleiteranordnungen | |
DE4425943B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Leiter- bzw. Anschlusselements und Leiter- bzw. Anschlusselement | |
DE2238569C3 (de) | Verfahren zum Löten einer Halbleiterplatte | |
DE2259792A1 (de) | Elektrischer kontakt mit einem aus kupfer bestehenden grundkoerper und verfahren zur herstellung eines solchen | |
DE3211499C2 (de) | Verfahren zum Verbinden von Metallscheiben durch Kaltpressen | |
DE3642221C2 (de) | ||
DE2237616C3 (de) | Verfahren zum Einschmelzen eines Halbleiterelements in ein Glasgehäuse | |
DE3930859C2 (de) | Verfahren zum Verlöten wenigstens zweier Elemente | |
DE1221424B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Mehrscheiben-Verglasungseinheit | |
DE19712219A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Lothöckern definierter Größe | |
EP1324850B1 (de) | Abtragen von kontaktstellen (de-bumping) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |