DE10229067A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDFInfo
- Publication number
- DE10229067A1 DE10229067A1 DE10229067A DE10229067A DE10229067A1 DE 10229067 A1 DE10229067 A1 DE 10229067A1 DE 10229067 A DE10229067 A DE 10229067A DE 10229067 A DE10229067 A DE 10229067A DE 10229067 A1 DE10229067 A1 DE 10229067A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cavity
- semiconductor chip
- optoelectronic component
- filling compound
- filling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 57
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- UAOUIVVJBYDFKD-XKCDOFEDSA-N (1R,9R,10S,11R,12R,15S,18S,21R)-10,11,21-trihydroxy-8,8-dimethyl-14-methylidene-4-(prop-2-enylamino)-20-oxa-5-thia-3-azahexacyclo[9.7.2.112,15.01,9.02,6.012,18]henicosa-2(6),3-dien-13-one Chemical compound C([C@@H]1[C@@H](O)[C@@]23C(C1=C)=O)C[C@H]2[C@]12C(N=C(NCC=C)S4)=C4CC(C)(C)[C@H]1[C@H](O)[C@]3(O)OC2 UAOUIVVJBYDFKD-XKCDOFEDSA-N 0.000 description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- NPRYCHLHHVWLQZ-TURQNECASA-N 2-amino-9-[(2R,3S,4S,5R)-4-fluoro-3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]-7-prop-2-ynylpurin-8-one Chemical compound NC1=NC=C2N(C(N(C2=N1)[C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H]1O)F)CO)=O)CC#C NPRYCHLHHVWLQZ-TURQNECASA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229940125810 compound 20 Drugs 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N gtpl8555 Chemical compound OC(=O)C[C@H](N)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1CCC[C@@H]1C(=O)N[C@H](B1O[C@@]2(C)[C@H]3C[C@H](C3(C)C)C[C@H]2O1)CCC1=CC=C(F)C=C1 JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
Die Erfindung beschreibt ein optoelektronisches Bauelement mit einem Grundgehäuse bzw. Rahmen (12) und wenigstens einem Halbleiterchip (20), speziell einem Strahlung emittierenden oder empfangenden Halbleiterchip, in einer Kavität (18) des Grundgehäuses. Zur Erhöhung des Wirkungsgrades des optoelektronischen Bauelements (10) sind in der Kavität im Bereich um den Halbleiterchip Reflektoren vorgesehen. Gemäß der vorliegenden Erfindung sind diese Reflektoren dadurch ausgebildet, dass eine zumindest teilweise in die Kavität (18) eingefüllte Füllmasse (28) vorgesehen ist, wobei das Material und die Menge der Füllmasse (28) derart gewählt sind, dass die Füllmasse aufgrund der Adhäsionskraft zwischen der Füllmasse und dem Grundgehäuse eine sich von unten nach oben in der Kavität im Wesentlichen konisch erweiternde Form einnimmt und die konischen Innenflächen (30) der Füllmasse als Reflektor dienen.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein optoelektronisches Bauelement, insbesondere ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement, mit mindestens einem eine Kavität aufweisenden Grundgehäuse und wenigstens einem in der Kavität angeordneten elektromagnetische Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchip, wobei sich die Kavität von einer Vorderseite des Grundgehäuses in das Grundgehäuse hinein erstreckt.
- Die vorliegende Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements.
- Herkömmlicherweise wird bei der Herstellung von oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementen beispielsweise zunächst ein vorgefertigter elektrischer Leiterrahmen (Leadframe) mit einem geeigneten Kunststoffmaterial umspritzt, welches das Grundgehäuse des Bauelements bildet. Dieses Grundgehäuse weist eine Kavität (oder auch Chipfenster) auf, in die von zwei gegenüberliegenden Seiten Leadframe-Anschlüsse eingeführt sind. Auf einem dieser Leadframe-Anschlüsse ist ein elektromagnetische Strahlung emittierender und/oder aussendender Halbleiterchip, wie beispielsweise ein LED-Chip, aufgeklebt und elektrisch kontaktiert. In die Kavität ist eine transparente oder transluzente Vergussmasse eingefüllt. Diese Grundform von oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementen ist beispielsweise aus dem Artikel „SIEMENS SMT-TOPLED für die Oberflächenmontage„ von F. Möllmer und G. Waitl, Siemens Components 29 (1991), Heft 4, Seiten 147–149, bekannt.
- Bei derartigen optoelektronischen Bauelementen ist es zur Erhöhung des externen Wirkungsgrades üblich, die Kavität mit schrägen Innenflächen auszubilden, die als Reflektor dienen.. Je nach Neigungswinkel der Innenflächen wird die Öffnung der Kavität hierdurch entsprechend vergrößert.
- Beispiele von optoelektronischen Bauelementen mit solchen Reflektoranordnungen sind zum Beispiel in der Druckschrift
DE 197 55 734 A1 und der DruckschriftDE 199 18 370 A1 offenbart. - Eine ähnliche Konstruktion ist in der Druckschrift
DE 195 36 454 A1 beschrieben. In diesem Fall ist in einer Kavität eines Grundgehäuses des Bauelements ein Metall-Chipträgerteil vorgesehen, auf dem der Halbleiterchip montiert ist. In dem Chipträgerteil ist in dem Bereich, in dem der Halbleiterchip befestigt ist, eine Wanne ausgebildet, deren Innenflächen etwa der Form eines invertierten Kegelstumpfes entsprechen und für die von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung einen Reflektor bilden. - Mit fortschreitender Miniaturisierung von optoelektronischen Bauelementen existiert immer häufiger das Erfordernis von möglichst engen Öffnungen der Kavität und/oder von komplexeren Halbleiterchip- und Verdrahtungsanordnungen in der Kavität. In diesen Fällen können die Seitenwände der Kavität häufig aus Platzmangel nur senkrecht oder in einem steilen Winkel zur Bodenfläche der Kavität ausgebildet werden.
- Aufgrund der zumeist Lambert'schen oder sogar nach hinten gerichteten Abstrahl- bzw. Empfangscharakteristik des Halbleiterchips entstehen deshalb deutliche Verluste des Lichtstroms und damit ein geringerer externer Wirkungsgrad des Bauelements. Es besteht deshalb Bedarf an optoelektronischen Bauelementen, die trotz fehlender bzw, nicht realisierbarer Re flektoren an den Innenflächen ihrer Kavitäten einen ausreichend guten Wirkungsgrad besitzen.
- Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein optoelektronisches Bauelement der eingangs genannten Art und ein Verfahren zu dessen Herstellung zur Verfügung zu stellen, das dem oben geschilderten Bedarf so weit wie möglich gerecht wird.
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird diese Aufgabe durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen von Patentanspruch 1 und ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 12 gelöst. Weitere Merkmale von vorteilhaften Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements bzw. des Verfahrens sind in den abhängigen Ansprüche 2 bis 11 bzw. 13 angegeben.
- Das optoelektronische Bauelement gemäß der Erfindung weist ein Grundgehäuse und wenigstens einen Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchip in einer Kavität des Grundgehäuses auf. Der Reflektor ist anders als bei herkömmlichen optoelektronischen Bauelementen zumindest nicht allein durch reflektierende Seitenflächen der Kavität des Grundgehäuses selbst, sondern zumindest zum Teil durch eine in die Kavität eingefüllte reflektierende Füllmasse realisiert. Das Material und die Menge der Füllmasse sind dazu derart gewählt, dass sich die Füllmasse beim und/oder nach dem Einfüllen aufgrund der Adhäsionskraft zwischen dem Material der Füllmasse und dem Material der Seitenflächen der Kavität an diesen Seitenflächen hochzieht und eine parabolartig geformte Oberfläche ausbildet. Diese zur Vorderseite des Gehäuses hin gewandte Oberfläche der Füllmasse dient als Reflektorfläche für eine von dem Halbleiterchip emittierte und/oder empfangene elektromagnetische Strahlung.
- Mit anderen Worten wird die Kavität mit der Füllmasse teilweise gefüllt und aufgrund der Adhäsionskraft zwischen Füllmasse und Grundgehäuse stellt sich automatisch eine aus Sicht des Halbleiterchips im Wesentlichen konvexe Innenfläche der Füllmasse in der Kavität ein, da die Füllmasse an den seitlichen Innenflächen der Kavität des Grundgehäuses hoch kriecht. Die so gebildeten parabolartigen Innenflächen der Füllmasse bilden den Reflektor für den in die Kavität eingesetzten Halbleiterchip.
- Diese Reflektorflächen können auch bei sehr kleinen Öffnungen der Kavitäten einfach durch geeignete Dosierung der Füllmasse in der Kavität erzeugt werden. Außerdem werden die in der Kavität vorhandenen Anschlüsse, Verdrahtungen und dergleichen durch die Füllmasse ohne Beeinträchtigung deren Funktionsweise umhüllt.
- Somit können mit der erfindungsgemäßen Maßnahme selbst bei optoelektronischen Bauelementen mit engen Öffnungen der Kavität und/oder komplexen Halbleiterchip- und Verdrahtungsanordnungen in der Kavität innerhalb der Kavität Reflektoren vorgesehen und damit der externe Wirkungsgrad der Bauelemente gesteigert werden.
- In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält das Material der Füllmasse Titanoxid (TiO2). Insbesondere ist das Material der Füllmasse vorzugsweise ein mit TiO2-Partikeln gefülltes Epoxidharz. Besonders bevorzugt ist ein Anteil an TiO2 in der Füllmasse (28) zwischen etwa 10 und 50 Vol.-%
- Ähnlich wie bei herkömmlichen optoelektronischen Bauelementen ist vorzugsweise eine nach
- – Montage des Chips in der Kavität und Verbinden des Chips mit externen elektrischen Anschlüssen beispielsweise mittels eines Bonddrahtes und
- – Einfüllen der Füllmasse verbleibende freie Oberfläche des Chips mit einer strahlungsdurchlässigen, insbesondere transparenten Einkapselungsmasse bedeckt, welche den Halbleiterchip umhüllt und vorzugsweise die Kavität weitestmöglich füllt.
- Bei einer vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einem Grundgehäuse und wenigstens einem Halbleiterchip in einer Kavität des Grundgehäuses umfasst die Verfahrensschritte:
(a) Ausbilden eines Grundgehäuses um einen Leiterrahmen (Leadframe), wobei der Grundgehäuse eine Kavität darin aufweist, in die Anschlüsse des Leiterrahmens eingeführt sind; (b) Platzieren und elektrisches Kontaktieren wenigstens eines Strahlung emittierenden oder empfangenden Halbleiterchips in die Kavität; und (c) teilweises Füllen einer Füllmasse in die Kavität, wobei das Material und die Menge der Füllmasse derart gewählt sind, dass die Füllmasse aufgrund der Adhäsionskraft zwischen der Füllmasse und dem Grundgehäuse eine sich. von unten nach oben in der Kavität im wesentlichen konisch erweiternde Form einnimmt und die konischen Innenflächen der Füllmasse als Reflektor dienen. - Vorzugsweise wird anschließend in einem weiteren Verfahrensschritt (d) eine strahlungsdurchlässige, insbesondere transparente Einkapselungsmasse in die Kavität eingefüllt, um den Halbleiterchip in der Kavität vollständig zu umhüllen.
- Das Reflexionsvermögen einer auf Epoxidharz basierenden Füllmasse mit darin enthaltenen TiO2-Anteil beträgt bis zu etwa 80%. Ein Vergleich zwischen optoelektronischen Bauelementen. gleicher Bauform aber mit unterschiedlich ausgeführten erfindungsgemäßen Füllmassen bzw. keiner erfindungsgemäßen Füllma sse in der Kavität, sondern ausschließlich mit einer transparenten Einkapselungsmasse für den Halbleiterchip, konnte eine auf der erfindungsgemäßen Füllmasse beruhende Steigerung des externen Wirkungsgrades um bis zu 20% und mehr erzielt werden.
- Weiter Vorteile und vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements und des Verfahrens zu dessen Herstellung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den
1 und2 beschriebenen Ausführungsbeispielen. - Es zeigen:
-
1 eine schematische Darstellung einer Schnittansicht des ersten Ausführungsbeispiels und -
2 eine schematische Schnittansicht einer Schnittansicht des zweiten Ausführungsbeispieles. - In den beiden Ausführungsbeispielen sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen.
- Bei dem optoelektronischen Bauelement
10 gemäß1 ist ein Grundgehäuse12 mit Kavität18 durch Umspritzen eines Leiterrahmens (Leadframes)14 mit einem geeigneten Kunststoffmaterial ausgebildet. - In der Kavität
18 befindet sich auf dem Leadframe14 ein elektromagnetische Strahlung emittierender und/oder empfangender Halbleiterchip20 , beispielsweise ein Leuchtdiodenchip, der zumindest einen Teil der Strahlung über seine Seitenflanken emittiert und/oder empfängt. Der Halbleiterchip20 ist mittels eines Bonddrahtes mit einem elektrischen Anschluß des Leadframes14 verbunden. Zwischen dem Halbleiterchip20 und den Seitenwänden26 der Kavität18 ist eine reflektierende Füllmasse28 eingefüllt, die beispielsweise aus mit TiO2-Partikeln gefülltem Epoxidharz besteht, wobei der Anteil an TiO2 in der Füllmasse28 vorzugsweise zwischen etwa 10 und 50 Vol.-% liegt. - Die zur Vorderseite
121 des Grundgehäuses12 hin gewandte Oberfläche30 der Füllmasse ist vom Halbleiterchip20 aus gesehen konvex gekrümmt und bildet eine Reflektorfläche zumindest für einen Teil der seitlich emittierten und/oder empfangenen Strahlung aus. - Zusätzlich zum Halbleiterchip
20 kann zwischen diesem und dem Grundgehäuse12 ein in der Figur nicht dargestelltes Chipträgersubstrat24 angeordnet sein, dessen Abmessungen derart gewählt sind, dass zwischen dessen Seitenflanken241 und den Seitenwänden26 der Kavität18 ein Graben ausgebildet ist, in dem sich die Füllmasse28 befindet. - Bezogen auf die Bodenfläche der Kavität
18 ist die Füllhöhe hF der Füllmasse28 benachbart zum Halbleiterchip20 geringer als der Abstand des Bereiches des betreffenden seitlich emittierenden und/oder empfangenden Bereichs des Halbleiterchips20 von der Bodenfläche. Die Füllhöhe hF steigt im Verlauf zur Seitenwand26 der Kavität18 hin über den oben genannten Abstand hinaus an. - Der oberhalb der Füllmasse liegende freie Oberflächenbereich des Halbleiterchips
20 ist von einer strahlungsdurchlässigen Einkapselungsmasse32 bedeckt und besteht beispielweise wiederum aus einem Epoxidharz oder einem anderen geeigneten Reaktionsharz. - Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß
2 sind externe elektrische Anschlüsse14 auf einem Trägerkörper16 aufgebracht, der beispielsweise aus Aluminium besteht. Die Kavität18 ist vermittels eines Kunststoff-Gehäuserahmens120 realisiert, der ebenfalls auf dem Trägerkörper16 angeordnet ist. - In der Kavität sind zwei elektromagnetische Strahlung emittierende und/oder empfangende Halbleiterchips
20 , beispielsweise zwei Leuchtdioden(LED)-Chips auf einem Chipträgersubstrat24 montiert, das beispielsweise aus Silizium besteht. Die beiden LED-Chips sind über Bonddrähte22 mit den elektrischen Anschlüssen14 elektrisch leitend verbunden. - Wie in der Schnittansicht der
2 deutlich erkennbar ist, sind die Innenflächen26 der Kavität18 ebenso wie beim zuerst beschriebenen Ausführungsbeispiel nahezu zylindrisch, das heißt, sie verlaufen sehr steil von der Bodenfläche zur Vorderseite des Grundgehäuses12 . Diese steilen Seitenwände26 haben nur eine vernachlässigbar geringe Reflektorwirkung. - Eine Verringerung der Steilheit der Seitenwände
26 der Kavität würde bei gleichbleibender Bodenfläche in der Kavität, deren minimale Größe durch die Größe und Anzahl der Chips und/oder den Platzbedarf bei der Chipmontage und – kontaktierung fest vorgegeben ist, eine Vergößerung des Bauteils mit sich bringen. Dies ist aufgrund des Platzmangels in vielen Applikationen in jedem Fall zu vermeiden. Dieses Ziel wird vermittels der Erfindung erreicht. - Im Ausführungsbeispiel gemäß
2 ist die Kavität18 im Bereich des Grabens zwischen dem Chipträgersubstrat24 und den Seitenwänden26 der Kavität18 mit einer Füllmasse28 gefüllt, die beispielsweise aus demselben Material besteht wie die Füllmasse28 des ersten Ausführungsbeispiels. - Wie in der Schnittansicht der
2 deutlich erkennbar, ist die Füllhöhe hF der Füllmasse28 benachbart zu den Halbleiterchips20 , d.h. benachbart zum Chipsträgersubstrat24 deutlich geringer als benachbart zu den Seitenwänden26 der Kavität18 , wo die Füllmasse28 im wesentlichen bis zur Kante mit der Vorderseite121 des Grundgehäuses12 hochgezogen ist. Auf diese Weise ergibt sich eine zur Vorderseite hin im wesentlichen parabolartig öffnende Form der Oberfläche der Füllmasse28 . Diese Form ergibt sich bei geeigneter Wahl des Materials und der Dosierung der Füllmasse28 automatisch aufgrund der Adhäsionskräfte zwischen der Füllmasse28 und dem Material des Gehäuserahmens120 . Die von den Halbleiterchips20 gesehen konvex gekrümmten Innenflächen30 der Füllmasse28 dienen als Reflektor für die von den Halbleiterchips20 seitlich emittierte und/oder empfangene Strahlung. - Das Reflexionsvermögen der Füllmasse
28 mit dem darin enthaltenen TiO2-Anteil beträgt bis zu etwa 80%. Im Vergleich zu einem optoelektronischen Bauelement, bei dem die Kavität ausschließlich mit einer transparenten Füllmasse gefüllt ist, konnte mit dem optoelektronischen Bauelement10 der vorliegenden Erfindung der externe Wirkungsgrad damit um bis zu 20% und mehr gesteigert werden. - Zum Schutz der Halbleiterchips
20 ist die Kavität18 vollständig mit einer strahlungsdurchlässigen, beispielsweise transparenten Einkapselungsmasse32 gefüllt, welche die Halbleiterchips20 umhüllt und für die von den Halbleiterchips20 zu emittierende bzw. zu empfangende Strahlung durchlässig ist. Für diese Einkapselungsmasse32 können wie bei den herkömmlichen Bauelementen geeignete Füllmassen aus transparenten Kunstharzen, wie beispielsweise Epoxidharz, oder aus Polycarbonat verwendet werden, die vorzugsweise besonders auf die Eigenschaften der Füllmasse28 abgestimmt ist (gilt auch für Ausführungsbeispiel gemäß1 ). - Die Anzahl der Halbleiterchips
20 in der Kavität18 des Grundgehäuses12 ist bei beiden Ausführungsbeispielen selbstverständlich nicht auf ein oder zwei beschränkt; vielmehr können auch mehr als zwei Halbleiterchips in der Kavität montiert werden. Außerdem kann in einem Grundgehäuse12 auch mehr als nur eine Kavität18 ausgebildet sein. - Zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
10 gemäß dem ersten oder dem zweiten Ausführungsbeispiel wird zunächst das Grundgehäuses12 mit der Kavität18 ausgebildet und dann der Halbleiterchips20 in der Kavität18 montiert und mit den externen elektrischen Anschlüssen14 elektrisch leitend verbunden. Nachfolgend wird die Füllmasse28 in die Kavität18 eingefügt. Dies erfolgt mit einer Dosierung, so dass - (i) bezogen
auf eine Bodenfläche
der Kavität
18 die Füllhöhe hF der Füllmasse benachbart zum Halbleiterchip20 geringer ist als der Abstand des seitlich Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Bereichs des Halbleiterchips20 von dieser Bodenfläche, und - (ii) (ii) sich die Oberfläche
der Füllmasse
gesehen vom Halbleiterchip
20 im Verlauf hin zu den Seitenwänden26 der Kavität18 aufgrund der Adhäsionskraft zwischen dem Material der Füllmasse28 und dem Material der Seitenwände26 , infolgedessen die Füllmasse an den Seitenwänden26 hochkriecht, konvex krümmt. - Auf diese Art und Weise wird eine Oberfläche
30 ausgebildet, die als Reflektor für die Strahlung dient. - Nachfolgend wird die strahlungsdurchlässige Einkapselungsmasse
32 in die Kavität18 eingefüllt, die zumindest die nach den vorhergehenden Schritten noch freiliegenden Oberflächen des Halbleiterchips (20 ) bedeckt. - Die obige Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele ist selbstverständlich nicht Einschränkung der Erfindung auf diese zu verstehen. Vielmehr ist der in den Ansprüchen 1 und 12 dargelegte Erfindungsgedanke bei einer Vielzahl von verschiedensten Bauformen anwendbar.
Claims (13)
- Optoelektronisches Bauelement (
10 ) mit mindestens einem eine Kavität (18 ) aufweisenden Grundgehäuse (12 ) und wenigstens einem in der Kavität (18 ) angeordneten elektromagnetische Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchip (20 ), wobei sich die Kavität (18 ) von einer Vorderseite (121 ) des Grundgehäuses (12 ) in das Grundgehäuse (12 ) hinein erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass in der Kavität (18 ) zwischen dem Halbleiterchip (20 ) und Seitenwänden (26 ) der Kavität eine reflektierende Füllmasse (28 ) angeordnet ist, von der mindestens eine ihrer zur Vorderseite (121 ) des Grundgehäuses (12 ) hin gewandten Oberflächen (30 ) vom Halbleiterchip (20 ) aus gesehen konvex gekrümmt ist und eine Reflektorfläche für einen Teil der Strahlung ausbildet. - Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Halbleiterchip (
20 ) und dem Grundgehäuse (12 ) ein Chipträgersubstrat (24 ) angeordnet ist, dessen Abmessungen derart gewählt sind, dass zwischen dessen Seitenflanken (241 ) und den Seitenwänden (26 ) der Kavität (18 ) ein Graben ausgebildet ist, in dem sich die Füllmasse (28 ) befindet. - Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass bezogen auf eine Bodenfläche der Kavität (
18 ) die Füllhöhe (hF) der Füllmasse (28 ) benachbart zum Halbleiterchip (20 ) geringer ist als der Abstand des Bereiches des betreffenden seitliche emittierenden und/oder empfangenden Bereichs des Halbleiterchips (20 ) von der Bodenfläche und die Füllhöhe (hF) im Verlauf zur Seitenwand der Kavität hin über diesen Abstand hinaus ansteigt. - Optoelektronisches Bauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Füllmasse (
28 ) TiO2 enthält. - Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Füllmasse (
28 ) ein mit TiO2-Partikeln gefülltes Epoxidharz ist. - Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil an TiO2 in der Füllmasse (
28 ) zwischen etwa 10 und 50 Vol.-% beträgt. - Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (
20 ) zumindest zum Teil mit einer strahlungsdurchlässigen Einkapselungsmasse (32 ) eingekapselt ist. - Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Grundgehäuse (
12 ) einen Trägerkörper (16 ) aufweist, auf dem ein die Kavität (18 ) ausbildender Gehäuserahmen (120 ) und mindestens ein in die Kavität (18 ) hinein reichender externer elektrischer Anschluss (14 ) für den Halbleiterchip (20 ) angeordnet sind. - Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 2 und 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerkörper (
16 ) und das Chipträgersubstrat (24 ) aus thermisch gut leitfähigen Materialien gefertigt sind. - Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerkörper (
16 ) im Wesentlichen metallisches Material aufweist. - Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Chipträgersubstrat (
24 ) im Wesentlichen Silizium aufweist. - Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (
10 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 11 mit den Verfahrensschritten: (a) Ausbilden des Grundgehäuses (12 ) mit der Kavität (18 ) (b) Plazieren des Halbleiterchips (20 ) in der Kavität (18 ) ; und (c) Einfüllen einer Füllmasse (28 ) in die Kavität (18 ), dadurch gekennzeichnet, dass Material und Menge der Füllmasse (28 ) derart gewählt werden, dass – bezogen auf eine Bodenfläche der Kavität (18 ) deren Füllhöhe (hF) benachbart zum Halbleiterchip (20 ) geringer ist als der Abstand eines seitlich Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Bereichs des Halbleiterchips (20 ) von der Bodenfläche und – sich deren Oberfläche gesehen vom Halbleiterchip (20 ) im Verlauf hin zu Seitenwänden (26 ) der Kavität (18 ) aufgrund der Adhäsionskraft zwischen dem Material der Füllmasse (28 ) und dem Material der Seitenwände (26 ) konvex krümmt, und die Oberfläche (30 ) auf diese Weise als Reflektor für die Strahlung ausgebildet wird. - Verfahren nach Anspruch 12, bei dem nach dem Einfüllen der Füllmasse (
28 ) eine strahlungsdurchlässige Einkapselungsmasse (32 ) in die Kavität (18 ) eingefüllt wird, die zumindest die nach den vorhergehenden Schritten noch freiliegenden Oberflächen des Halbleiterchips (20 ) bedeckt.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10229067A DE10229067B4 (de) | 2002-06-28 | 2002-06-28 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2003182480A JP2004040099A (ja) | 2002-06-28 | 2003-06-26 | オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法 |
US10/611,225 US6900511B2 (en) | 2002-06-28 | 2003-06-27 | Optoelectronic component and method for producing it |
US11/002,326 US7514279B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-12-02 | Optoelectronic component and method for producing it |
US11/141,721 US7429758B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-05-31 | Optoelectronic component and method for producing it |
US12/242,170 US7795633B2 (en) | 2002-06-28 | 2008-09-30 | Optoelectronic component |
US12/879,130 US7948046B2 (en) | 2002-06-28 | 2010-09-10 | Optoelectronic component |
US13/084,149 US8314441B2 (en) | 2002-06-28 | 2011-04-11 | Optoelectronic component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10229067A DE10229067B4 (de) | 2002-06-28 | 2002-06-28 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10229067A1 true DE10229067A1 (de) | 2004-01-22 |
DE10229067B4 DE10229067B4 (de) | 2007-08-16 |
Family
ID=29761526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10229067A Expired - Lifetime DE10229067B4 (de) | 2002-06-28 | 2002-06-28 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US6900511B2 (de) |
JP (1) | JP2004040099A (de) |
DE (1) | DE10229067B4 (de) |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005093853A1 (de) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil mit mehrteiligem gehäusekörper |
EP1770797A2 (de) | 2005-09-30 | 2007-04-04 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement |
US7456500B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-11-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light source module and method for production thereof |
DE102007029369A1 (de) * | 2007-06-26 | 2009-01-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
WO2009076922A1 (de) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen halbleiterbauelement |
US7872278B2 (en) | 2006-10-11 | 2011-01-18 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Light emitting diode system, method for producing such a system, and backlighting device |
WO2011064072A1 (de) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines gehäuses |
DE102010027748A1 (de) * | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
WO2011127909A1 (de) * | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Excelitas Technologies Elcos Gmbh | Flüssigreflektor |
DE102010028407A1 (de) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Optoelektronischen Bauelements |
DE102010021791A1 (de) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Verbunds |
WO2011157522A1 (de) * | 2010-06-15 | 2011-12-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelements |
DE102010024864A1 (de) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
WO2011161183A1 (de) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
DE102010027253A1 (de) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102011079403A1 (de) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
DE102011118290A1 (de) * | 2011-11-10 | 2013-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
EP1806792B1 (de) * | 2006-01-06 | 2013-07-24 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
WO2013178469A1 (de) * | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches modul und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen moduls |
WO2014032924A1 (de) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Osram Gmbh | Verfahren zum herstellen eines led-moduls und led-modul |
US9054279B2 (en) | 2007-01-11 | 2015-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component disposed in a recess of a housing and electrical componenet disposed in the housing |
WO2015114063A1 (de) * | 2014-01-30 | 2015-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement |
WO2013017364A3 (de) * | 2011-08-04 | 2015-08-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung |
DE102014114914A1 (de) * | 2014-10-14 | 2016-04-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
WO2017178332A1 (de) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung von bauelementen |
DE102017115252A1 (de) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Schichtstapels und Schichtstapel |
DE102005046418B4 (de) | 2004-09-29 | 2019-06-27 | Stanley Electric Co. Ltd. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterleuchtvorrichtung |
US10923640B2 (en) | 2015-10-28 | 2021-02-16 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic component and method of producing same |
Families Citing this family (133)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10131698A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10229067B4 (de) * | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10245930A1 (de) * | 2002-09-30 | 2004-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul |
WO2004064154A1 (en) * | 2003-01-16 | 2004-07-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame for a semiconductor device |
JP4493013B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2010-06-30 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
TWM271252U (en) * | 2004-12-14 | 2005-07-21 | Niching Ind Corp | Package structure of light-emitting device |
JP4571139B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2010-10-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP4389126B2 (ja) * | 2004-10-04 | 2009-12-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
TWM271255U (en) * | 2004-10-08 | 2005-07-21 | Bright Led Electronics Corp | High-power surface-mounted light-emitting diode with high heat dissipation property |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US7821023B2 (en) | 2005-01-10 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US9793247B2 (en) | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US8449973B2 (en) * | 2005-03-29 | 2013-05-28 | Kyocera Corporation | Reflective member, light-emitting device using same and illuminating device |
JP2006313321A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-11-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 発光ユニット、該発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置 |
JP2006314082A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-11-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 発光ユニット、該発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置 |
JP4991173B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2012-08-01 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基体ならびにこれを用いた発光装置 |
US8669572B2 (en) * | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
KR101161383B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2012-07-02 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법 |
JP2009530798A (ja) | 2006-01-05 | 2009-08-27 | イルミテックス, インコーポレイテッド | Ledから光を導くための独立した光学デバイス |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
US20070181897A1 (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Been-Yu Liaw | High heat dissipating package baseplate for a high brightness LED |
JP3940423B1 (ja) | 2006-03-02 | 2007-07-04 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 機能素子実装モジュール及びその製造方法 |
US7675145B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US9780268B2 (en) | 2006-04-04 | 2017-10-03 | Cree, Inc. | Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods |
US8748915B2 (en) * | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US7635915B2 (en) * | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
US8033692B2 (en) * | 2006-05-23 | 2011-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
TWI321857B (en) * | 2006-07-21 | 2010-03-11 | Epistar Corp | A light emitting device |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
US20080029775A1 (en) * | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Lustrous Technology Ltd. | Light emitting diode package with positioning groove |
US8367945B2 (en) * | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
JP2008060344A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
WO2008042351A2 (en) | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Illumitex, Inc. | Led system and method |
TW200826311A (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-16 | Prolight Opto Technology Corp | Side emitting LED |
JP5102051B2 (ja) * | 2007-01-18 | 2012-12-19 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
US9711703B2 (en) * | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8511571B2 (en) * | 2007-03-19 | 2013-08-20 | Nagraid S.A. | Intermediate product intervening in the manufacturing of electronic cards |
WO2008113677A1 (fr) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Nagraid S.A. | Carte incorporant un affichage electronique |
JP2009064842A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミックス焼結体およびそれを用いた基板およびそれを用いた発光素子搭載用パッケージおよびそれを用いた発光装置 |
CN101388161A (zh) * | 2007-09-14 | 2009-03-18 | 科锐香港有限公司 | Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器 |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
USD615504S1 (en) | 2007-10-31 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Emitter package |
US8866169B2 (en) * | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
KR101488448B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2015-02-02 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
KR100996919B1 (ko) | 2008-07-08 | 2010-11-26 | (주) 아모엘이디 | 반도체 패키지 |
KR100987152B1 (ko) | 2008-11-12 | 2010-10-11 | (주) 아모엘이디 | 반도체 패키지 |
KR100996918B1 (ko) * | 2008-05-16 | 2010-11-26 | (주) 아모엘이디 | 전자부품 패키지 |
USD633631S1 (en) | 2007-12-14 | 2011-03-01 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
US8049237B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
USD634863S1 (en) | 2008-01-10 | 2011-03-22 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
CN101499506B (zh) * | 2008-01-30 | 2012-06-13 | 旭丽电子(广州)有限公司 | 发光二极管元件 |
WO2009100358A1 (en) | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Illumitex, Inc. | System and method for emitter layer shaping |
TWI419357B (zh) * | 2008-03-12 | 2013-12-11 | Bright Led Electronics Corp | Manufacturing method of light emitting module |
JP2009272369A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Nec Lighting Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
US8049230B2 (en) * | 2008-05-16 | 2011-11-01 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and system for miniature surface mount devices |
US9425172B2 (en) * | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
JP5280818B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-09-04 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
US20110037083A1 (en) * | 2009-01-14 | 2011-02-17 | Alex Chi Keung Chan | Led package with contrasting face |
TWI423421B (zh) * | 2009-01-17 | 2014-01-11 | Bright Led Electronics Corp | A light emitting device and a manufacturing method thereof |
JP2010199547A (ja) | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP6133004B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2017-05-24 | 日立化成株式会社 | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
US9305189B2 (en) * | 2009-04-14 | 2016-04-05 | Owl Computing Technologies, Inc. | Ruggedized, compact and integrated one-way controlled interface to enforce confidentiality of a secure enclave |
US8415692B2 (en) * | 2009-07-06 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | LED packages with scattering particle regions |
JP5431818B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2014-03-05 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード光源装置 |
US8097894B2 (en) * | 2009-07-23 | 2012-01-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with molded reflective sidewall coating |
US8598809B2 (en) * | 2009-08-19 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | White light color changing solid state lighting and methods |
US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
RU2525325C2 (ru) * | 2010-02-09 | 2014-08-10 | Нития Корпорейшн | Светоизлучающее устройство и способ изготовления светоизлучающего устройства |
US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
JP5572013B2 (ja) | 2010-06-16 | 2014-08-13 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US8455907B2 (en) | 2010-06-16 | 2013-06-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having an optical plate including a meniscus control structure and method of manufacturing |
DE102010026344A1 (de) * | 2010-07-07 | 2012-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiode |
JP2012033823A (ja) | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP5622494B2 (ja) | 2010-09-09 | 2014-11-12 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US10050179B2 (en) * | 2010-10-12 | 2018-08-14 | Rohm Co., Ltd. | LED module |
JP5472031B2 (ja) * | 2010-10-21 | 2014-04-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5886584B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-03-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
US8581287B2 (en) | 2011-01-24 | 2013-11-12 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing |
JP5582048B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2014-09-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10147853B2 (en) | 2011-03-18 | 2018-12-04 | Cree, Inc. | Encapsulant with index matched thixotropic agent |
KR20130014887A (ko) * | 2011-08-01 | 2013-02-12 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
TW201330332A (zh) * | 2012-01-02 | 2013-07-16 | Lextar Electronics Corp | 固態發光元件及其固態發光封裝體 |
KR101849223B1 (ko) * | 2012-01-17 | 2018-04-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
JP6078948B2 (ja) | 2012-01-20 | 2017-02-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置 |
JP5956167B2 (ja) * | 2012-01-23 | 2016-07-27 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法 |
DE102012101102A1 (de) | 2012-02-10 | 2013-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Anordnung mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen |
US9735198B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-08-15 | Cree, Inc. | Substrate based light emitter devices, components, and related methods |
US10222032B2 (en) | 2012-03-30 | 2019-03-05 | Cree, Inc. | Light emitter components and methods having improved electrical contacts |
US10134961B2 (en) * | 2012-03-30 | 2018-11-20 | Cree, Inc. | Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods |
US9887327B2 (en) | 2012-06-11 | 2018-02-06 | Cree, Inc. | LED package with encapsulant having curved and planar surfaces |
US9818919B2 (en) | 2012-06-11 | 2017-11-14 | Cree, Inc. | LED package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces |
US10468565B2 (en) | 2012-06-11 | 2019-11-05 | Cree, Inc. | LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces |
US10424702B2 (en) * | 2012-06-11 | 2019-09-24 | Cree, Inc. | Compact LED package with reflectivity layer |
JP5855554B2 (ja) * | 2012-10-25 | 2016-02-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TW201428925A (zh) * | 2013-01-04 | 2014-07-16 | 矽品精密工業股份有限公司 | 光電模組結構 |
JP6097084B2 (ja) | 2013-01-24 | 2017-03-15 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
USD735683S1 (en) | 2013-05-03 | 2015-08-04 | Cree, Inc. | LED package |
FR3005784B1 (fr) | 2013-05-14 | 2016-10-07 | Aledia | Dispositif optoelectronique et son procede de fabrication |
FR3005785B1 (fr) * | 2013-05-14 | 2016-11-25 | Aledia | Dispositif optoelectronique et son procede de fabrication |
JP5610036B2 (ja) * | 2013-06-03 | 2014-10-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9461024B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips |
USD758976S1 (en) | 2013-08-08 | 2016-06-14 | Cree, Inc. | LED package |
DE102013112549B4 (de) * | 2013-11-14 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
JP6176101B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂パッケージ及び発光装置 |
JP2015185760A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 東芝ライテック株式会社 | 発光モジュール |
JP2015225942A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
JP6369266B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2018-08-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
USD790486S1 (en) | 2014-09-30 | 2017-06-27 | Cree, Inc. | LED package with truncated encapsulant |
KR102346798B1 (ko) | 2015-02-13 | 2022-01-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
USD777122S1 (en) | 2015-02-27 | 2017-01-24 | Cree, Inc. | LED package |
USD783547S1 (en) | 2015-06-04 | 2017-04-11 | Cree, Inc. | LED package |
DE102015109324A1 (de) * | 2015-06-11 | 2016-12-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren und Anordnung |
DE102015112042B4 (de) * | 2015-07-23 | 2021-07-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Leuchtvorrichtung |
US9859480B2 (en) | 2015-08-20 | 2018-01-02 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
JP6633881B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-01-22 | ローム株式会社 | Led照明器具およびその製造方法 |
CN109791968A (zh) | 2016-07-26 | 2019-05-21 | 克利公司 | 发光二极管、组件和相关方法 |
JP6533766B2 (ja) * | 2016-09-07 | 2019-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置 |
DE102017105035A1 (de) | 2017-03-09 | 2018-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes bauteil und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauteils |
JP2019017734A (ja) * | 2017-07-18 | 2019-02-07 | 新日本無線株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP7037044B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2022-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US11024785B2 (en) * | 2018-05-25 | 2021-06-01 | Creeled, Inc. | Light-emitting diode packages |
US11233183B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-01-25 | Creeled, Inc. | Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices |
USD902448S1 (en) | 2018-08-31 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Light emitting diode package |
US11335833B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-05-17 | Creeled, Inc. | Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices |
JP7277276B2 (ja) * | 2019-06-18 | 2023-05-18 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
US11101411B2 (en) | 2019-06-26 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures |
US11594662B2 (en) * | 2019-07-31 | 2023-02-28 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP7071680B2 (ja) * | 2021-01-12 | 2022-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5353983U (de) * | 1976-10-12 | 1978-05-09 | ||
JPS6063970A (ja) * | 1983-09-17 | 1985-04-12 | Fanuc Ltd | 平行光線を放射する発光ダイオ−ド |
FR2593930B1 (fr) * | 1986-01-24 | 1989-11-24 | Radiotechnique Compelec | Dispositif opto-electronique pour montage en surface |
US4905075A (en) * | 1986-05-05 | 1990-02-27 | General Electric Company | Hermetic semiconductor enclosure |
US4935665A (en) * | 1987-12-24 | 1990-06-19 | Mitsubishi Cable Industries Ltd. | Light emitting diode lamp |
US5043716A (en) * | 1988-07-14 | 1991-08-27 | Adaptive Micro Systems, Inc. | Electronic display with lens matrix |
US5245620A (en) * | 1990-04-28 | 1993-09-14 | Rohm Co., Ltd. | Laser diode system for reflecting and maintaining laser light within the system |
EP0660467B1 (de) * | 1993-12-22 | 1997-03-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE19536454B4 (de) * | 1995-09-29 | 2006-03-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
DE19549818B4 (de) * | 1995-09-29 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
DE19621124A1 (de) * | 1996-05-24 | 1997-11-27 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren |
JP3316838B2 (ja) | 1997-01-31 | 2002-08-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
DE29825022U1 (de) * | 1997-07-29 | 2004-04-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
JP3704941B2 (ja) * | 1998-03-30 | 2005-10-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP3985332B2 (ja) | 1998-04-02 | 2007-10-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置 |
DE19854733A1 (de) * | 1998-11-27 | 2000-05-31 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Abtasteinheit einer Positionsmeßeinrichtung |
JP2000183407A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Rohm Co Ltd | 光半導体装置 |
DE19918370B4 (de) * | 1999-04-22 | 2006-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Weißlichtquelle mit Linse |
JP4125848B2 (ja) * | 1999-12-17 | 2008-07-30 | ローム株式会社 | ケース付チップ型発光装置 |
US6486499B1 (en) * | 1999-12-22 | 2002-11-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
US6680568B2 (en) * | 2000-02-09 | 2004-01-20 | Nippon Leiz Corporation | Light source |
JP2001223390A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP3685018B2 (ja) * | 2000-05-09 | 2005-08-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子とその製造方法 |
DE10051159C2 (de) | 2000-10-16 | 2002-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle |
JP2003017751A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード |
US6737681B2 (en) * | 2001-08-22 | 2004-05-18 | Nichia Corporation | Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element |
JP4193446B2 (ja) | 2001-08-22 | 2008-12-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP3948650B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2007-07-25 | アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2003338019A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-11-28 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
US20030219919A1 (en) * | 2002-05-23 | 2003-11-27 | Wang Der-Nan | Package method for enhancing the brightness of LED |
DE10229067B4 (de) * | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10245580B4 (de) * | 2002-09-27 | 2006-06-01 | Siemens Ag | Einrichtung zur Erzeugung eines Bildes |
DE10245933B4 (de) * | 2002-09-30 | 2013-10-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Einrichtung zur Erzeugung eines gebündelten Lichtstroms |
DE10245930A1 (de) * | 2002-09-30 | 2004-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul |
DE10245892A1 (de) * | 2002-09-30 | 2004-05-13 | Siemens Ag | Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung einer Bildwiedergabevorrichtung |
JP2004140185A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
KR20040092512A (ko) * | 2003-04-24 | 2004-11-04 | (주)그래픽테크노재팬 | 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치 |
JP4773048B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-09-14 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
KR100586970B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 액정 디스플레이 표시장치의 백라이트 유닛 |
TWM271255U (en) * | 2004-10-08 | 2005-07-21 | Bright Led Electronics Corp | High-power surface-mounted light-emitting diode with high heat dissipation property |
JP2008060344A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
-
2002
- 2002-06-28 DE DE10229067A patent/DE10229067B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-06-26 JP JP2003182480A patent/JP2004040099A/ja active Pending
- 2003-06-27 US US10/611,225 patent/US6900511B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-12-02 US US11/002,326 patent/US7514279B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-05-31 US US11/141,721 patent/US7429758B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-09-30 US US12/242,170 patent/US7795633B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-10 US US12/879,130 patent/US7948046B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-11 US US13/084,149 patent/US8314441B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7456500B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-11-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light source module and method for production thereof |
WO2005093853A1 (de) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil mit mehrteiligem gehäusekörper |
US8735930B2 (en) | 2004-03-23 | 2014-05-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component with multi-part housing body |
DE102005046418B4 (de) | 2004-09-29 | 2019-06-27 | Stanley Electric Co. Ltd. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterleuchtvorrichtung |
EP1770797A3 (de) * | 2005-09-30 | 2008-01-23 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement |
EP1770797A2 (de) | 2005-09-30 | 2007-04-04 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement |
US7728507B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-06-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting component provided with metallic injected-molded carrier |
EP1806792B1 (de) * | 2006-01-06 | 2013-07-24 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
US7872278B2 (en) | 2006-10-11 | 2011-01-18 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Light emitting diode system, method for producing such a system, and backlighting device |
US9054279B2 (en) | 2007-01-11 | 2015-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component disposed in a recess of a housing and electrical componenet disposed in the housing |
DE102007029369A1 (de) * | 2007-06-26 | 2009-01-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
WO2009076922A1 (de) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen halbleiterbauelement |
US8994047B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Arrangement comprising at least one optoelectronics semiconductor component |
WO2011064072A1 (de) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines gehäuses |
US9006773B2 (en) | 2009-11-25 | 2015-04-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for an optoelectronic component and method for producing a housing |
DE102010027748A1 (de) * | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
WO2011127909A1 (de) * | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Excelitas Technologies Elcos Gmbh | Flüssigreflektor |
DE102010028407B4 (de) * | 2010-04-30 | 2021-01-14 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
DE102010028407A1 (de) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Optoelektronischen Bauelements |
US8692275B2 (en) | 2010-05-27 | 2014-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component and a compound structure |
DE102010021791A1 (de) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Verbunds |
US9240536B2 (en) | 2010-06-15 | 2016-01-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Surface-mountable optoelectronic component and method for producing a surface-mountable optoelectronic component |
WO2011157522A1 (de) * | 2010-06-15 | 2011-12-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelements |
US10020434B2 (en) | 2010-06-15 | 2018-07-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Surface-mountable optoelectronic component and method for producing a surface-mountable optoelectronic component |
WO2011161183A1 (de) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
CN102959746A (zh) * | 2010-06-24 | 2013-03-06 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子半导体构件 |
US9818921B2 (en) | 2010-06-24 | 2017-11-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
WO2011160968A1 (de) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil |
DE102010024864A1 (de) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
CN102959746B (zh) * | 2010-06-24 | 2015-08-26 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子半导体构件 |
DE102010024864B4 (de) * | 2010-06-24 | 2021-01-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
US10217915B2 (en) | 2010-06-24 | 2019-02-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
US8860062B2 (en) | 2010-07-15 | 2014-10-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
DE102010027253B4 (de) | 2010-07-15 | 2022-05-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102010027253A1 (de) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102011079403A1 (de) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
US9368700B2 (en) | 2011-07-19 | 2016-06-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
WO2013017364A3 (de) * | 2011-08-04 | 2015-08-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung |
DE102011118290A1 (de) * | 2011-11-10 | 2013-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
WO2013178469A1 (de) * | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches modul und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen moduls |
US9209372B2 (en) | 2012-06-01 | 2015-12-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic module and method for producing an optoelectronic module |
WO2014032924A1 (de) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Osram Gmbh | Verfahren zum herstellen eines led-moduls und led-modul |
US9923129B2 (en) | 2012-08-31 | 2018-03-20 | Osram Gmbh | Method for producing an LED module and LED module |
WO2015114063A1 (de) * | 2014-01-30 | 2015-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement |
DE102014114914A1 (de) * | 2014-10-14 | 2016-04-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
US10923640B2 (en) | 2015-10-28 | 2021-02-16 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic component and method of producing same |
WO2017178332A1 (de) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung von bauelementen |
US10615323B2 (en) | 2016-04-13 | 2020-04-07 | Osram Oled Gmbh | Component having a reflector and method of producing components |
DE102017115252A1 (de) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Schichtstapels und Schichtstapel |
US11508878B2 (en) | 2017-07-07 | 2022-11-22 | Osram Oled Gmbh | Method of producing a layer stack and layer stack |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110180822A1 (en) | 2011-07-28 |
DE10229067B4 (de) | 2007-08-16 |
US7514279B2 (en) | 2009-04-07 |
US20050218531A1 (en) | 2005-10-06 |
JP2004040099A (ja) | 2004-02-05 |
US20090026482A1 (en) | 2009-01-29 |
US20050093005A1 (en) | 2005-05-05 |
US8314441B2 (en) | 2012-11-20 |
US20100327307A1 (en) | 2010-12-30 |
US20040089898A1 (en) | 2004-05-13 |
US6900511B2 (en) | 2005-05-31 |
US7948046B2 (en) | 2011-05-24 |
US7429758B2 (en) | 2008-09-30 |
US7795633B2 (en) | 2010-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10229067B4 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP1095411B1 (de) | Strahlungaussendendes und/oder -empfangendes bauelement | |
EP1440481B1 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
EP2345074B1 (de) | Trägerkörper für ein halbleiterbauelement, halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines trägerkörpers | |
EP0852816B1 (de) | Optoelektronisches halbleiter-bauelement | |
EP1751806B1 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement | |
EP1565948B1 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
WO2004068594A1 (de) | Elektromagnetische strahlung aussendendes und/oder empfangendes halbleiter-bauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement | |
DE29825022U1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
EP1540745A2 (de) | Leadframe-basiertes gehäuse, oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung | |
EP1378013A2 (de) | Leiterrahmen und gehäuse für ein strahlungsemittierendes bauelement, strahlungsemittierendes bauelement sowie verfahren zu dessen herstellung | |
EP1597764A1 (de) | Optoelektronisches bauteil mit strukturiert metallisiertem gehäusekörper, verfahren zur herstellung eines derartigen bauteils und verfahren zur strukturierten metallisierung eines kunststoff enthaltenden körpers | |
DE102018118697B4 (de) | Bauelement mit Begrenzungselement | |
EP2583318A1 (de) | Oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelements | |
WO2016202917A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement | |
WO2002091478A2 (de) | Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement und optoelektronisches bauelement | |
DE202004005228U1 (de) | Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement | |
DE10308917A1 (de) | Optoelektronisches Bauteil mit metallisiertem Reflektor | |
DE10117890B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfangenden und/oder -emittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsempfangendes und/oder -emittierendes Halbleiterbauelement | |
DE112017008008T5 (de) | Lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelements | |
DE20306928U1 (de) | Elektromagnetische Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement und Gehäuse-Grundkörper für ein derartiges Bauelement | |
WO2015117946A1 (de) | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung | |
WO2023006667A1 (de) | Oberflächenmontierbares optoelektronisches halbleiterbauteil und leiterrahmenverbund | |
WO2010043205A1 (de) | Elektrischer anschlussleiter für ein halbleiterbauelement, halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines elektrischen anschlussleiters | |
WO2021074009A1 (de) | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines solchen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right |