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HINTERGRUND ZU DER ERFINDUNG
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Diese
Offenbarung betrifft allgemein magnetoresistive Sensoren zur Positions-
und Orientierungsbestimmung und insbesondere Positions- und Orientierungsverfolgungssysteme,
die Magnetfelder nutzen, um die Position und Orientierung eines
Objektes zu bestimmen.
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Positions-
und Orientierungsverfolgungssysteme werden in verschiedenen Industriezweigen
und Anwendungen verwendet, um Positions- und Orientierungsinformationen
in Bezug auf Objekte zu liefern. Beispielsweise können Positions-
und Orientierungsverfolgungssysteme in Luftfahrtanwendungen, industriellen
Anwendungen, Sicherheitsanwendungen, Spielanwendungen, Animationsanwendungen, Bewegungserfassungsanwendungen
und medizinischen Anwendungen nützlich
sein. Die durch diese Systeme genutzten Technologien variieren und
umfassen elektromagnetische (EM), Hochfrequenz- (HF), optische (Sichtlinien-)
und mechanische Technologien.
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In
medizinischen Anwendungen werden Systeme zur Verfolgung der Position
und Orientierung dazu verwendet, einen Bediener (z. B. einen Arzt
oder einen sonstigen medizinischen Experten) mit Informationen zu
versorgen, um ihn bei der genauen und schnellen Positionierung einer
medizinischen Vorrichtung zu unterstützen, die in einem Patientenkörper oder
in der Nähe
eines Patientenkörpers angeordnet
wird. Im Allgemeinen kann ein Bild auf einem Monitor angezeigt werden,
um Positionierungsinformationen an den Bediener zu liefern. Das
Bild kann eine Visualisierung der Patientenanatomie mit einer graphischen
Darstellung der medizinischen Vorrichtung, die auf dem Bild angezeigt
wird, enthalten. Wenn die medizinische Vorrichtung in Bezug auf den
Patientenkörper
positioniert wird, wird das angezeigte Bild aktualisiert, um die
genauen Vorrichtungskoordinaten wiederzugeben. Das Basisbild der Patientenanatomie
kann entweder vor oder während der
medizinischen Prozedur erzeugt werden. Beispielsweise können eine
beliebige geeignete medizinische Bildgebungstechnik, wie beispielsweise
Röntgen,
Computertomographie (CT), Magnetresonanz (MR), Positronen-Emissions-Tomographie
(PET), Ultraschall oder irgendeine sonstige geeignete Bildgebungstechnik,
sowie beliebige Kombinationen von diesen dazu verwendet werden,
das während
der Verfolgung angezeigte Basisbild zu liefern. Nach einer Registrierung
des Basisbilds in Bezug auf die Position und Orientierung des Patienten
oder die Position und Orientierung eines anatomischen Merkmals oder
interessierenden Bereichs liefert die Kombination aus dem Basisbild
und der graphischen Darstellung der verfolgten medizinischen Vorrichtung
Positions- und Orientierungsinformationen, die einem praktischen
Arzt ermöglichen,
die Vorrichtung durch Handhabung in eine gewünschte Position und Orientierung
zu bringen.
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Um
die Lage der Vorrichtung zu bestimmen, können Positions- und Orientierungsverfolgungssysteme
EM-Sensoren verwenden, die eine Magnetfelderzeugung und -detektion
durchführen.
Aus einem oder mehreren EM-Sensoren (z. B. Magnetfeldgeneratoren
oder -sendern) wird wenigstens ein Magnetfeld erzeugt, und das wenigstens
eine Magnetfeld wird durch einen oder mehrere ergänzende EM-Sensoren
(z. B. Magnetfeldempfänger)
detektiert. In einem derartigen System kann das Magnetfeld durch Messen
der gegenseitigen Induktivität
zwischen den EM-Sensoren erfasst werden. Die Messwerte werden verarbeitet,
um eine Posi tion und Orientierung der EM-Sensoren in Bezug aufeinander
zu bestimmen.
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EM-Sensoren
sind gewöhnlich
mit Spulen realisiert, um die Magnetfelder zu erzeugen und zu erfassen.
Während
spulenbasierte EM-Sensoren erfolgreich eingebaut worden sind, leiden
sie an einem schlechten Signal-Rausch-Verhältnis (SNR), wenn die Senderspulenfrequenz
reduziert ist und/oder das Empfängerspulenvolumen
reduziert ist. Eine Reduktion des SNR wirkt sich in einem reduzierten
Erfassungsbereich (Entfernung vom Sender zum Empfänger) der
EM-Sensoren aus, was einen klinisch bedeutsamen Positionsfehler
ergeben kann.
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Ein
mit Spulen basierten EM-Sensoren verbundenes Problem besteht darin,
dass sie für
Magnetfeldverzerrungen anfällig
sind, die von Wirbelströmen
in nahegelegenen leitenden Objekten herrühren. Die mit spulenbasierten
EM-Sensoren verwendete Verfolgungstechnik beruht auf einem stabilen Magnetfeld
oder einer bekannten Magnetfeldkarte. Deshalb reduzieren unvorhersagbare
Störungen,
die von metallischen Objekten in dem Magnetfeld herrühren, die
Genauigkeit, oder sie können
sogar die Verfolgungstechnik unbrauchbar machen. Eine Auswahl einer
Magnetfeldfrequenz so niedrig, wie die Anwendung es zulässt, reduziert
von Wirbelströmen resultierende
Probleme, wobei sie jedoch auch die Empfindlichkeit spulenbasierter
EM-Sensoren reduziert, weil diese auf einer Induktion basieren.
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Andere
Probleme, die mit spulenbasierten EM-Sensoren verbunden sind, bestehen
darin, dass diese im Allgemeinen teuer herzustellen und auch auf
parasitäre
Induktivität
und Kapazität
von den Kabeln, Verbindern und der Elektronik inhärent empfindlich
sind, weil das Sensorsignal proportional kleiner wird, während das
parasitäre
Signal gleich bleibt. Während
einige der parasitären
Beiträge
durch Verwendung teurerer Kompo nenten und Herstellungsprozesse teilweise
ausgelöscht
werden können,
hat die verbleibende Parasitärinduktivität und -kapazität einen
reduzierten Erfassungsbereich zur Folge.
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Zusätzlich zu
spulenbasierten EM-Sensoren existiert eine große Vielfalt von magnetischen
Sensoren mit unterschiedlichen Preis- und Verhaltenseigenschaften.
Halleffektsensoren werden gewöhnlich dazu
verwendet, Felder bis zu etwa 10–6 Tesla
hinunter zu erfassen. Diese Sensoren sind stabil, kompakt, relativ
kostengünstig
und weisen einen großen
Dynamikbereich auf. Anisotrope magnetoresistive Sensoren (AMR-Sensoren)
können
Felder bis zu etwa 10–9 Tesla detektieren.
Während
diese Sensoren kompakt und relativ kostengünstig sind, neigen sie in hohem Maße zum Driften
und haben einen kleinen Dynamikbereich. Deshalb müssen AMR-Sensoren
häufig
unter Verwendung von Hochstromimpulsen neu initialisiert werden.
Fluxgate-Magnetometer können
Felder bis zu etwa 10–11 Tesla detektieren.
Jedoch sind diese Sensoren kostspielig, sperrig und haben einen
relativ kleinen Dynamikbereich. SQUID-Magnetometer können Felder
bis zu etwa 10–15 Tesla detektieren.
Diese sind ebenfalls teuer und mit wesentlichen Betriebskosten verbunden,
weil sie Kryogene oder ein Hochleistungs-Kühlsystem mit geschlossenem
Kreislauf erfordern.
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Folglich
besteht ein Bedarf nach einem Positions- und Orientierungsverfolgungssystem
mit magnetoresistiven Sensoren, die einen kleinen Formfaktor, ein
sehr gutes Signal-Rausch-Verhältnis, eine sehr
gute Niederfrequenz-Funktionsweise, eine geringe Empfindlichkeit
für parasitäre Induktivität und Kapazität, eine
geringe Empfindlichkeit für
Verzerrung haben und sehr kostengünstig herzustellen sind.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Gemäß einem
Aspekt der Offenbarung weist ein magnetoresistiver Sensor bzw. Magnetowiderstands-Sensor
zur Verwendung mit einem Positions- und Orientierungsverfolgungssystem
auf: ein isolierendes Substrat; ein abwechselndes Muster aus einem
Metallmaterial und einem Halbleitermaterial, die auf einer Oberfläche des
isolierenden Substrats angeordnet sind; ein Vormagnetisierungsmaterial,
das über
dem abwechselnden Muster aus einem Metallmaterial und einem Halbleitermaterial
angeordnet ist.
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Gemäß einem
Aspekt der Offenbarung weist ein Positions- und Orientierungsverfolgungssystem auf:
wenigstens einen magnetoresistiven Referenzsensor, der an einem
ortsfesten Objekt angebracht ist; wenigstens einen magnetoresistiven
Sensor, der an einem Objekt angebracht ist, der verfolgt wird; und einen
Prozessor, der mit dem wenigstens einen magnetoresistiven Referenzsensor
und dem wenigstens einen magnetoresistiven Sensor gekoppelt ist.
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Gemäß einem
Aspekt der Offenbarung weist ein Positions- und Orientierungsverfolgungssystem auf:
wenigstens einen magnetoresistiven Referenzsensor, der an einem
feststehenden Objekt angebracht ist; wenigstens einen magnetoresistiven
Sensor, der an einem gerade verfolgten Objekt angebracht ist; einen
Prozessor, der mit dem wenigstens einen magnetoresistiven Referenzsensor
und dem wenigstens einen magnetoresistiven Sensor gekoppelt ist;
und eine Benutzerschnittstelle, die mit dem Prozessor gekoppelt
ist.
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Verschiedene
weitere Merkmale, Aspekte und Vorteile erschließen sich für Fachleute aus den beigefügten Zeichnungen
und deren detaillierter Beschreibung.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 zeigt
eine vergrößerte Draufsicht
einer beispielhaften Ausführungsform
eines magnetoresistiven Sensors;
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2 zeigt
eine vergrößerte Seitenansicht einer
beispielhaften Ausführungsform
eines magnetoresistiven Sensors;
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3 zeigt
ein Blockschaltbild einer beispielhaften Ausführungsform eines Positions-
und Orientierungsverfolgungssystems;
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4 zeigt
ein Blockschaltbild einer beispielhaften Ausführungsform eines Positions-
und Orientierungsverfolgungssystems in Gegenwart wenigstens eines
Verzerrers;
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5 zeigt
eine graphische Darstellung eines Vergleichs des Sensorbereichs
gegenüber
Frequenz zwischen einem magnetoresistiven Sensor und zwei unterschiedlich
bemessenen Spulen in einem Positions- und Orientierungsverfolgungssystem.
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6 zeigt
einen schematisierten Schaltplan einer beispielhaften Ausführungsform
einer elektrischen Konfiguration von magnetoresistiven Sensoren
zur Verwendung in einem Positions- und Orientierungsverfolgungssystem;
und
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7 zeigt
einen schematisierten Schaltplan einer beispielhaften Ausführungsform
einer elektrischen Konfiguration von magnetoresistiven Sensoren
zur Verwendung in einem Positions- und Orientierungsverfolgungssystem.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
DER ERFINDUNG
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Indem
nun auf die Zeichnungen Bezug genommen wird, veranschaulicht 1 eine
vergrößerte Draufsicht
auf eine beispielhafte Ausführungsform eines
magnetoresistiven Sensors oder Magnetowiderstands-Sensors 10.
Eine magnetoresistive Vorrichtung ist eine Vorrichtung, die eine
Veränderung des
elektrischen Widerstands eines Leiters oder Halbleiters ergibt,
wenn ein Magnetfeld angelegt wird. Der Widerstand der Vorrichtung
hängt von
dem angelegten Magnetfeld ab. Wie in 2 veranschaulicht,
weist der magnetoresistive Sensor 10 ein isolierendes Substrat 12,
ein Wechselmuster aus einem Metallmaterial 14 und einem
Halbleitermaterial 16, die auf einer Oberfläche 18 des
Isoliersubstrats angeordnet sind, und ein Vormagnetisierungs-Magnetmaterial 20 auf,
das über
dem Wechselmuster des Metallmaterials 14 und des Halbleitermaterials 16 aufgebracht
ist. 2 veranschaulicht eine vergrößerte Seitenansicht einer beispielhaften
Ausführungsform
eines magnetoresistiven Sensors 10. Das Wechselmuster aus
dem Metallmaterial 14 und dem Halbleitermaterial 16 erzeugt
eine Verbundstruktur mit einander abwechselnden Bändern des
Metallmaterials 14 und des Halbleitermaterials 16.
Wenigstens ein Eingangsanschlusskontakt 22 ist mit dem
Metallmaterial 14 verbunden, und wenigstens ein Ausgangsanschlusskontakt 24 ist
mit dem Metallmaterial 14 verbunden.
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Das
Halbleitermaterial 16 kann in Reihe angeschlossen sein,
um den Widerstand des magnetoresistiven Sensors 10 zu erhöhen. In
einer beispielhaften Ausführungsform
kann das Halbleitermaterial 16 aus einem einzelnen Halbleiterelement
bestehen. Das Vormagnetisierungsmaterial 20 setzt das Halbleitermaterial 16 einem
Magnetfeld aus, das erforderlich ist, um eine benötigte Empfindlichkeit
zu erreichen. Der magnetoresistive Sensor 10 liefert ein
Signal in Abhängigkeit
von der Stärke
und Richtung eines Magnetfeldes. Das Magnetfeld kann ungefähr 0,1 bis
0,2 Tesla betragen.
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Die
Anwendung eines Magnetfeldes schränkt die Elektronen auf das
Halbleitermaterial 16 ein, was zu einer vergrößerten Weglänge führt. Eine Vergrößerung der
Weglänge
steigert die Empfindlichkeit des magnetoresistiven Sensors 10.
Das Magnetfeld erhöht
auch den Widerstand des magnetoresistiven Sensors 10. In
der in den 1 und 2 offenbarten
Geometrie ist bei einem Null-Magnetfeld die Stromdichte durch den
gesamten magnetoresistiven Sensor 10 hindurch gleichförmig. Bei
einem hohen Magnetfeld breiten sich die Elektronen (oder Löcher) radial
nach außen
zu den Ecken des Halbleitermaterials 16 hin, was einen
großen
Magnetowiderstand (hohen Widerstand) zur Folge hat.
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Viele
neue klinische Anwendungen enthalten eine Verfolgung vielfältiger Vorrichtungen,
einschließlich
Katheter, Führungsdrähte und
sonstiger endovaskulärer
Instrumente, die es erfordern, dass die Sensoren eine sehr kleine
Größe (in Millimeterdimensionen
oder kleiner) haben. Der Formfaktor des magnetoresistiven Sensors 10 kann
auf Größen von weniger
als 0,1 mm × 0,1
mm skaliert werden.
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In
einer beispielhaften Ausführungsform kann
der magnetoresistive Sensor mit verschiedenen Architekturen und
Geometrien, einschließlich
Riesenmagnetowiderstand-Sensoren (GMR-Sensoren) und außerordentlichen Magnetowiderstands-Sensoren
(EMR-Sensoren), aufgebaut werden.
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Der
magnetoresistive Sensor 10 bietet einen sehr kleinen Formfaktor,
ein hervorragendes Signal-Rausch-Verhältnis (eine rauscharme Funktionsweise)
und eine hervorragende Niederfrequenzantwort. Niedriges Rauschen
kombiniert mit einem weiten Dynamikbereich ermöglicht dem magnetoresistiven
Sensor 10, zur Positions- und Orientierungsverfolgung eingesetzt
zu werden. Die Niederfrequenzantwort des magnetoresistiven Sensors 10 ermöglicht einem
Positions- und Orientierungsverfolgungssystem, bei sehr niedrigen
Frequenzen zu arbeiten, bei denen die Metalltoleranz maximiert wird.
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3 veranschaulicht
ein Blockschaltbild einer beispielhaften Ausführungsform eines Positions- und
Orientierungsverfolgungssystems 30. Das Positions- und
Orientierungsverfolgungssystem 30 kann wenigstens einen
magnetoresistiven Sensor 32 und wenigstens einen magnetoresistiven
Referenzsensor 34 enthalten. Der wenigstens eine magnetoresistive Sensor 32 kann
verwendet werden, um eine Dimension oder mehrere Dimensionen einer
Positions- und/oder Orientierungsinformation relativ zu dem wenigstens
einen magnetoresistiven Referenzsensor 34 oder relativ
zu einem oder mehreren magnetoresistiven Sensoren 32 zu
bestimmen. Der wenigstens eine magnetoresistive Sensor 32 und
wenigstens ein magnetoresistiver Referenzsensor 34 sind
mit wenigstens einem Prozessor 36 gekoppelt. Der wenigstens
eine Prozessor 36 ist wiederum mit einer Benutzerschnittstelle 38 gekoppelt.
Die Benutzerschnittstelle 38 kann eine Anzeige zum Anzeigen
von Positions- und Orientierungsinformationen für einen Bediener enthalten.
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Der
wenigstens eine magnetoresistive Sensor 32 ist an wenigstens
einem Objekt, das verfolgt werden soll, angebracht. Der wenigstens
eine magnetoresistive Referenzsensor 34 ist an einem feststehenden
Objekt angebracht. Der wenigstens eine magnetoresistive Referenzsensor 34 kommuniziert
mit und empfängt
Daten von dem wenigstens einen magnetoresistiven Sensor 32.
Der wenigstens eine Prozessor 36 ist mit dem wenigstens
einen magnetoresistiven Referenzsensor 34 und dem wenigstens
einen magnetoresistiven Sensor 32 gekoppelt und empfängt Daten von
diesen. Das Positions- und Orientierungsverfolgungssystem 30 bietet
die Fähigkeit, die
Position und Orientierung von mehreren Objekten, an denen die magnetoresistiven
Sensoren 32 angebracht sind, zu verfolgen und anzuzeigen.
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Der
wenigstens eine magnetoresistive Sensor 32 und der wenigstens
eine magnetoresistive Referenzsensor 34 können mit
dem Prozessor 36 entweder über eine festverdrahtete oder
eine drahtlose Verbindung gekoppelt sein und kommunizieren.
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In
einer beispielhaften Ausführungsform kann
der wenigstens eine magnetoresistive Sensor 32 als ein
Sender oder Magnetfeldgenerator konfiguriert sein, und der wenigstens
eine magnetoresistive Referenzsensor 34 kann als ein Magnetfeldempfänger konfiguriert
sein. Es sollte jedoch verständlich sein,
dass gemäß abgewandelten
Ausführungsformen
der wenigstens eine magnetoresistive Sensor 32 als ein
Magnetfeldempfänger
konfiguriert sein kann, während
der wenigstens eine magnetoresistive Referenzsensor 34 als
ein Magnetfeldgenerator konfiguriert sein kann.
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In
einer beispielhaften Ausführungsform
erzeugt der wenigstens eine magnetoresistive Referenzsensor 34 wenigstens
ein Magnetfeld, das durch wenigstens einen magnetoresistiven Sensor 32 erfasst
wird. In einer beispielhaften Ausführungsform erzeugt der wenigstens
eine magnetoresistive Sensor 32 wenigstens ein Magnetfeld,
das durch wenigstens einen magnetoresistiven Referenzsensor 34 erfasst
wird.
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Die
Magnetfeldmesswerte können
dazu verwendet werden, die Position und Orientierung der Objekte,
die verfolgt werden, gemäß jedem
beliebigen geeigneten Verfahren oder System zu berechnen. Nachdem
die Magnetfeldmesswerte unter Verwendung einer Elektronik, die mit
dem wenigstens einen magnetoresistiven Sensor 32 verbunden
ist, digitalisiert worden sind, werden die digitalisierten Signale
von dem wenigstens einen magnetoresistiven Sensor 32 zu
dem Prozessor 36 übermittelt.
Die digitalisierten Signale können
von dem wenigstens einen magnetoresistiven Sensor 32 zu
dem Prozessor 36 unter Verwendung von drahtgebundenen oder
drahtlosen Kommunikationsprotokollen und Schnittstellen übertragen
werden. Die durch den Prozessor empfangenen digitalisierten Signale
repräsentieren
Magnetfeldinformationen, die durch den wenigstens einen magnetoresistiven
Sensor 32 erfasst werden.
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In
einer beispielhaften Ausführungsform
repräsentieren
die durch den Prozessor 36 empfangenen digitalisierten
Signale Magnetfeldinformationen von dem wenigstens einen magnetoresistiven
Referenzsensor 34, die durch den wenigstens einen oder durch
wenigstens einen magnetoresistiven Sensor 32 erfasst werden.
Der Prozessor 36 berechnet Positions- und Orientierungsfinformationen
der Objekte, die verfolgt werden, auf der Basis der empfangenen digitalisierten
Signale.
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Der
Prozessor 36 empfängt
und/oder übermittelt
digitalisierte Signale von wenigstens einem magnetoresistiven Referenzsensor 34 oder
wenigstens einem magnetoresistiven Sensor 32. Gemäß verschiedenen
beispielhaften Ausführungsformen können die
digitalisierten Signale von dem wenigstens einen magnetoresistiven
Referenzsensor 34 oder wenigstens einem magnetoresistiven
Sensor 32 zu dem Prozessor 36 unter Verwendung
alternativer drahtgebundener oder drahtloser Kommunikationsprotokolle
und -schnittstellen übermittelt
werden.
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Die
Positions- und Orientierungsinformationen können zu der Benutzerschnittstelle 38 zur Durchsicht
durch den Bediener übermittelt
werden.
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Der
Prozessor 36 ist prinzipmäßig dargestellt und kann unter
Verwendung jeder Kombination von dedizierten Hardwareplatinen, digitalen
Signalprozessoren, feldprogrammierbaren Logikgattern und Prozessoren
implementiert sein. Beispielsweise kann der Prozessor 36 einen
Speicher enthalten, der entweder ein flüchtiges oder ein nichtflüchtiges
Medium sein kann. Zusätzlich
kann der Prozessor ferner entweder auswechselbare oder nicht wechselbare Speichermedien
enthalten. Alternativ kann der Prozessor 36 unter Verwendung
eines serienmäßigen Standardcomputers
mit einem einzelnen Prozessor oder mehreren Prozessoren mit zwischen
den Prozessoren verteilten Funktionsoperationen implementiert sein.
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Ein
beispielhaftes System zur Implementierung des Prozessors 36 und/oder
der Benutzerschnittstelle 38 kann eine Universalzweck-Rechenvorrichtung
in Form eines Computers enthalten, die eine Verarbeitungseinheit,
einen Systemspeicher und einen Systembus enthält, der verschiedene Systemkomponenten,
einschließlich
des Systemspeichers, mit der Verarbeitungseinheit verbindet. Der Systemspeicher
kann einen Festwertspeicher (ROM) und einen Direktzugriffsspeicher
(RAM) enthalten. Der Computer kann ferner ein magnetisches Festplattenlaufwerk
zum Lesen aus und Schreiben auf eine magnetische Festplatte, ein
Magnetplattenlaufwerk zum Lesen von oder Schreiben auf eine wechselbare
Magnetplatte und ein optisches Plattenlaufwerk zum Lesen von oder
Schreiben auf eine wechselbare optische Platte, wie beispielsweise
eine CD-ROM oder ein sonstiges optisches Medium, enthalten. Die
Laufwerke und ihre zugehörigen
maschinenlesbaren Medien ergeben nicht flüchtige Speicher für Maschinen
ausführbare
Instruktionen, Datenstrukturen, Programmmodule und weitere Daten für den Computer.
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4 veranschaulicht
ein Blockschaltbild einer beispielhaften Ausführungsform eines Positions- und
Orientierungsver folgungssystems 30 in Gegenwart wenigstens
eines Verzerrers 40. Der wenigstens eine Verzerrer 40 kann
die Magnetfelder verzerren und somit die Messungen der Position
und Orientierung der gerade verfolgten Objekte versetzen oder schräg verschieben.
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Wirbelströme, die
mit dem wenigstens einen Verzerrer 40 in der Nähe des Positions-
und Verfolgungssystems 30 in Zusammenhang stehen, können deutliche
Verzerrungen des Magnetfeldes hervorrufen, die wesentliche Fehler
in der berechneten Position und Orientierung des Positions- und
Orientierungsverfolgungssystems 30 zur Folge haben. Diese Verzerrungen
können
selbst in relativ nahen Bereichen bedeutende Fehler ergeben.
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Die
Verwendung von magnetoresistiven Sensoren in dem Positions- und
Orientierungsverfolgungssystem ermöglicht deutliche Verbesserungen der
Unanfälligkeit
für Störungen aufgrund
von metallischen Objekten im Vergleich zu den herkömmlichen elektromagnetischen
Positions- und Orientierungsverfolgungssystemen nach dem Stand der
Technik. Magnetoresistive Sensoren haben eine hervorragende rauscharme
Antwort, die von stationären
Magnetfeldern (Gleichstrommagnetfeldern) bis zu Frequenzen von hunderten
von kHz reicht. Das Niederfrequenzverhalten ermöglicht den von dem Sender erzeugten
Magnetfeldern, bei Frequenzen zu oszillieren, die hinreichend klein
sind, um deutliche Störungen
aufgrund von in metallischen Objekten induzierten Wirbelströmen zu vermeiden.
Frequenzen, die kleiner sind als 100 Hz, zeigen deutliche Verbesserungen
hinsichtlich der Toleranz gegenüber
von metallischen Objekten ausgehenden Verzerrungen.
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Folglich
kann ein auf einem Magnetowiderstand basierendes EM-Verfolgungssystem
unter Verhältnissen
hinreichend kleiner Frequenz betrieben werden, um mit Wirbelströmen verbundene
Po sitionsfehler zu minimieren, während
weiterhin ein klinisch sinnvoller Bereich in stark eingeschränkten Geometrien,
wie beispielsweise Führungsdrähten, Kathetern,
Nadeln und sonstigen endovaskulären
medizinischen Vorrichtungen, aufrechterhalten wird.
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5 veranschaulicht
eine graphische Darstellung eines Vergleichs 50 des Sensorbereichs
gegenüber
Frequenz zwischen einem magnetoresistiven Sensor 52 und
zwei unterschiedlich bemessenen Spulen 54, 56 in
einem Positions- und Orientierungsverfolgungssystem.
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Im
Vergleich zu einem spulenbasierten EM-Sensor erfordert ein magnetoresistiver
Sensor keinen unerwünschten
Kompromiss zwischen der Senderfrequenz, dem Spulenvolumen und dem
maximalen Bereich, wie dies in 5 veranschaulicht ist.
Folglich kann ein magnetoresistiver Sensor, der in einem Positions-
und Orientierungsverfolgungssystem eingesetzt wird, bei Frequenzen
betrieben werden, die hinreichend gering sind, um Positions- und Orientierungsfehler,
die mit Wirbelströmen
im Zusammenhang stehen, zu minimieren, während ein klinisch nützlicher
Bereich in stark eingeschränkten Geometrien,
wie beispielsweise Führungsdrähten, Kathetern
und anderen endovaskulären
medizinischen Vorrichtungen, weiterhin aufrechterhalten wird.
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Magnetoresistive
Sensoren sind an sich unabhängig
von der Frequenz und können
auf Größen von
weniger als 0,1 mm × 0,1
mm ohne merklichen Verlust an Signalwidergabegüte verkleinert werden.
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Ein
auf einem Magnetowiderstands-Sensor basierendes Positions- und Orientierungsverfolgungssystem,
das eine phasenempfindliche Detektion nutzt, ist gegenüber parasitären Induktivitäten und Kapazitäten von
Kabeln, Verbindern, der Auslese elektronik oder von sonstigen Quellen
viel weniger empfänglich.
Repräsentative
Konfigurationen sind in den 6 und 7 veranschaulicht. 6 veranschaulicht
ein schematisiertes Schaltbild einer beispielhaften Ausführungsform
einer elektrischen Konfiguration von magnetoresistiven Sensoren
zur Verwendung in einem Positions- und Orientierungsverfolgungssystem.
In dieser Konfiguration wird eine Gleichstrom-Wheatstone-Viertelbrücke 60 verwendet,
um ein Wechselstrom-Magnetfeld von einem Sender 62 zu detektieren.
Wie in der Technik bekannt, wird häufig eine abgeglichene Wheatstone-Brücke verwendet,
um kleine Veränderungen
der Widerstände
zu messen. Durch Verwendung einer phasenempfindlichen Detektion
kann die Realkomponente des Ausgangs des magnetoresistiven Sensors 64 selbst
in Gegenwart eines großen
parasitären
Beitrags gesondert bestimmt werden.
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Der
Sender 62 ist bei einer Frequenz w betrieben. An die Brücke 60 wird
eine Gleichspannungs-Vorspannung V0 angelegt.
Der Nullwiderstand wird abgestimmt, um die Gleichspannung zu minimieren.
Die Phasenverschiebung wird durch Messen des Ausgangssignals bei
der Nullbrückenvorspannung
bestimmt. Jedes Signal muss einer parasitären Induktivität und Kapazität zugeordnet
werden. Die Phase wird geeignet angepasst. Ein Einfangverstärker wird
verwendet, um die Wechselspannung bei der Referenzfrequenz zu messen.
Die Realkomponente ist das Wechselstrom-Magnetfeld. Die Imaginärkomponente
ist die parasitäre
Induktivität
und Kapazität.
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7 zeigt
ein schematisiertes Schaltbild einer beispielhaften Ausführungsform
einer elektrischen Konfiguration von magnetoresistiven Sensoren
zur Verwendung in einem Positions- und Orientierungsverfolgungssystem.
In dieser Konfiguration wird eine Wheatstone’sche Gleichstrom-Vollbrücke 70 verwendet,
um ein Wechselstrom-Magnetfeld von einem Sender 72 zu erfassen.
Wie in der Technik bekannt ist, wird häufig eine abgeglichene Wheatstone-Brücke verwendet,
um kleine Veränderungen
der Widerstände
zu messen. Durch Verwendung phasenempfindlicher Detektion kann die
Realkomponente der magnetoresistiven Sensoren selbst in Gegenwart
eines großen
parasitären
Beitrags gesondert bestimmt werden.
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Sensoren 74, 75, 76, 77 sind
an allen Armen der Brücke
vorgesehen. Die Sensoren 74, 77 in dem oberen
linken und unteren rechten Arm sind negativ vorgespannt. Ein positives
Magnetfeld führt
zu einer negativen Widerstandsänderung.
Die Sensoren 75, 76 in dem unteren linken und
oberen rechten Arm sind positiv vorgespannt. Ein positives Magnetfeld führt zu einer
positiven Änderung
des Widerstands.
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Die
Vorteile der Verwendung der Vollbrücke im Vergleich zu der Viertelbrücke liegen
darin, dass die Vollbrücke
einen höheren
Signalpegel ergibt und für
Temperaturdrifts weniger empfänglich
ist. Die Nachteile der Verwendung der Vollbrücke im Vergleich zu der Viertelbrücke liegen
in der größeren Anschlussfläche der
Vollbrücke
und darin, dass sie schwieriger herzustellen ist.
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Die
Vorteile der Verwendung magnetoresistiver Sensoren zur Positions-
und Orientierungsbestimmung liegen darin, dass die magnetoresistiven Sensoren
sehr geringe Herstellungskosten, einen sehr kleinen Formfaktor,
ein hervorragendes Signal-Rausch-Verhältnis für eine Größe und auf
der Basis von Wheatstone-Brücken-Konstruktionen
sowie einen Niederfrequenzbetrieb ergeben, der eine geringe Empfindlichkeit
auf eine Verzerrung ergibt.
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Die
vorstehend Beschreibung von Ausführungsformen
der Erfindung ist für
die Zwecke der Veranschaulichung und Beschrei bung dargelegt worden.
Es besteht keine Absicht, dass diese erschöpfend sein soll oder dass die
Erfindung auf die genaue Form, wie sie offenbart ist, beschränkt sein
soll, so dass Modifikationen und Veränderungen im Lichte der obigen
Lehre möglich
und durch Ausführen
der Erfindung geschaffen werden können. Die Ausführungsformen
sind ausgewählt
und beschrieben worden, um die Prinzipien der Erfindung und ihre
praktische Anwendung zu erläutern,
um einem Fachmann zu ermöglichen,
die Erfindung in verschiedenen Ausführungsformen und mit verschiedenen
Modifikationen, wie sie für
den speziellen vorgesehenen Einsatz geeignet sind, zu verwenden.
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Während die
Erfindung unter Bezugnahme auf verschiedene Ausführungsformen beschrieben worden
ist, werden Fachleute verstehen, dass bestimmte Ersetzungen, Modifikationen
und Weglassungen an den Ausführungsformen
vorgenommen werden können,
ohne dass von dem Rahmen der Offenbarung abgewichen wird. Demgemäß soll die
vorstehende Beschreibung lediglich beispielhafter Natur sein und
sollte den Schutzumfang der Erfindung, wie er in den folgenden Ansprüchen angegeben
ist, nicht beschränken.
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Ein
magnetoresistiver Sensor 10 zur Verwendung in einem Positions-
und Orientierungsverfolgungssystem 30 enthält ein isolierendes
Substrat 12, ein Muster aus einem Metallmaterial 14 und/oder einem
Halbleitermaterial 16, die auf einer Oberfläche 18 des
isolierenden Substrats 12 aufgebracht sind, und ein Vormagnetisierungsmaterial 20,
das über dem
Wechselmuster aus einem Metallmaterial 14 und einem Halbleitermaterial 16 aufgebracht
ist. Das Positions- und Orientierungsverfolgungssystem 30 enthält wenigstens
einen magnetoresistiven Referenzsensor 34, der an einem
ortsfesten Objekt angebracht ist, wenigstens einen magnetoresistiven
Sensor 32, der an einem zu verfolgenden Objekt angebracht
ist, und einen mit dem wenigs tens einen magnetoresistiven Referenzsensor 34 und
dem wenigstens einen magnetoresistiven Sensor 32 gekoppelten Prozessor 36.
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- 10
- Magnetoresistiver
Sensor
- 12
- Isolierendes
Substrat
- 14
- Metallmaterial
- 16
- Halbleitermaterial
- 18
- Oberfläche
- 20
- Vormagnetisierungsmaterial
- 22
- Eingangsanschlusskontakt
- 24
- Ausgangsanschlusskontakt
- 30
- Positions-
und Orientierungsverfolgungssystem
- 32
- Magnetoresistiver
Sensor
- 34
- Magnetoresistiver
Referenzsensor
- 36
- Prozessor
- 38
- Benutzerschnittstelle
- 40
- Verzerrer
- 50
- Graphische
Darstellung des Bereichs gegenüber
Frequenz
- 52
- Magnetoresistiver
Sensor
- 54
- Elektromagnetischer
Spulensensor
- 56
- Elektromagnetischer
Spulensensor
- 60
- Wheatstone’sche Gleichstrom-Virtelbrückenschaltung
- 62
- Sender
- 64
- Magnetoresistiver
Sensor
- 70
- Wheatstone’sche Gleichstrom-Vollbrückenschaltung
- 72
- Sender
- 74
- Magnetoresistiver
Sensor
- 75
- Magnetoresistiver
Sensor
- 76
- Magnetoresistiver
Sensor
- 77
- Magnetoresistiver
Sensor