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Patents

  1. Advanced Patent Search
Publication numberDE102008040316 A1
Publication typeApplication
Application numberDE200810040316
Publication date22 Jan 2009
Filing date10 Jul 2008
Priority date11 Jul 2007
Also published asUS20090015814
Publication number0810040316, 200810040316, DE 102008040316 A1, DE 102008040316A1, DE 2008/10040316 A1, DE-A1-102008040316, DE0810040316, DE102008040316 A1, DE102008040316A1, DE2008/10040316A1, DE200810040316
InventorsUlrich Müller
ApplicantCarl Zeiss Smt Ag
Export CitationBiBTeX, EndNote, RefMan
External Links: DPMA, Espacenet
Detektor zur Aufnahme einer Lichtintensität sowie System mit einem derartigen Detektor Detector for receiving a light intensity and system with such a detector translated from German
DE 102008040316 A1
Abstract  translated from German
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Detektion einer ersten Strahlung mit einer Wellenlänge λ < 100 nm, bevorzugt EUV-Strahlung in einem Wellenlängenbereich 5 nm < λ EUV < 30 nm in einem Beleuchtungssystem. The invention relates to a device for detecting a first radiation with a wavelength λ <100 nm, preferably EUV radiation in a wavelength range of 5 nm <λ EUV <30 nm in an illumination system.
Die Vorrichtung umfasst: The apparatus comprising:
- ein Konversionselement, das ein Szintillatormaterial aufweist, das auf das Konversionselement auftreffende erste Strahlung mit Wellenlängen < 100 nm in eine zweite Strahlung mit einer Wellenlänge λ Fluoreszenz > 100 nm umwandelt, - A conversion element having a scintillator which converts incident on the conversion element first radiation with wavelengths <100 nm into a second radiation having a wavelength λ Fluorescence> 100 nm,
- ein Detektionselement zur Detektion der von dem Lichtleitelement aufgenommenen zweiten Strahlung mit einer Wellenlänge λ Fluoreszenz > 100 nm. - A detection element for detecting the power absorbed by the light-guiding second radiation having a wavelength λ fluorescence of> 100 nm.
Claims(45)  translated from German
  1. Vorrichtung zur Detektion einer ersten Strahlung mit einer ersten Wellenlänge λ < 100 nm, in einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, umfassend: – ein Konversionselement, das ein Szintillatormaterial aufweist, welches die auf das Konversionselement auftreffende erste Strahlung in eine zweite Strahlung mit einer Wellenlänge λ Floureszenz > 100 nm umwandelt, – ein Lichtleitelement, das die zweite Strahlung aufnimmt, und – einen Detektor zur Detektion der von dem Lichtleitelement aufgenommenen zweiten Strahlung. Device for detecting a first radiation with a first wavelength λ <100 nm, in a microlithography projection exposure apparatus, comprising: - a conversion element that has a scintillator material, which is the incident on the conversion element first radiation into a second radiation having a wavelength λ fluorescence> 100 nm converts, - a light guide which receives the second radiation, and - a detector for detecting the power consumed by the second radiation light-guiding element.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Szintillatormaterial ein anorganisches Material, ausgewählt aus einem der nachfolgenden Materialien ist: mit Cer oder anderen fluoreszierenden Atomen dotiertes Quarzglas, mit Cer-dotierte YAG- oder YAP-Kristalle mit Europium-dotiertes CaF mit Europium-dotiertes BaF Mit Tellur-dotiertes ZnS CdWO 4 mit Thallium-dotiertes CsI. The apparatus of claim 1, wherein the scintillator material is an inorganic material selected from one of the following materials: with cerium or other fluorescent atoms doped quartz glass with cerium-doped YAG or YAP crystals with europium-doped CaF europium-doped BaF With tellurium-doped ZnS CdWO 4 with thallium-doped CsI.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Lichtleitelement eine Lichtleitfaser umfasst. The apparatus of claim 1, wherein the light guide comprises an optical fiber.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Lichtleitfaser einen Kern und einen Mantel umfasst und der Kern einen größeren Brechungsindex aufweist als der Mantel. Apparatus according to claim 3, wherein the optical fiber comprises a core and a cladding and the core has a larger refractive index than the cladding.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei das Szintillatormaterial im Bereich des Mantels der Lichtleitfaser angeordnet ist oder Teil des Mantels selbst ist. Apparatus according to claim 4, wherein the scintillator material is arranged in the region of the jacket of the optical fiber or is part of the jacket itself.
  6. Vorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei die Lichtleitfaser eine Stirnseite aufweist und das Szintillatormaterial auf der Stirnseite angeordnet ist. Apparatus according to claim 3, wherein the optical fiber has an end face and the scintillator material is disposed on the front side.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Lichtleitfaser eine angeschnittene Fläche aufweist und das Szintillatormaterial im Bereich der angeschnittenen Fläche angeordnet ist. Apparatus according to claim 3, wherein the optical fiber has a cut area of the scintillator material and is arranged in the region of the cut surface.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Lichtleitelement einen Reflektor umfasst. The apparatus of claim 1, wherein the light guide comprises a reflector.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei der Reflektor ein metallisches Material umfasst. The apparatus of claim 8, wherein said reflector comprises a metallic material.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Detektor einen Fotodetektor oder einen thermischen Sensor umfasst. The apparatus of claim 1, wherein the detector comprises a photodetector or a thermal sensor.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei der Fotodetektor eine Fotodiode, ein Fotomultiplier oder ein Fotowiderstand ist. The apparatus of claim 10, wherein the photodetector is a photodiode, a photomultiplier or photo resistor.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Konversionselement als Szintillatormaterial eine Szintillatorschicht mit einer Schichtdicke D 1 umfasst die Schichtdicke D 1 < 1 mm ist. The apparatus of claim 1, wherein the conversion element includes a scintillator layer as a scintillator material with a layer thickness D 1 is the layer thickness D 1 <1 mm.
  13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12, wobei das Konversionselement eine Filterschicht aufweist und die Filterschicht auf die Szintillatorschicht aufgebracht ist. Device according to one of claims 12, wherein the conversion element comprises a filter layer and the filter layer is applied to the scintillator layer.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Filterschicht eine Transmission für die erste Strahlung, die höher als 80% ist, aufweist und zugleich für die zweite Strahlung eine hohe Reflektivität aufweist, die höher als 60% ist. The apparatus of claim 13, wherein the filter layer has a transmittance for the first radiation, which is higher than 80%, and at the same time having the second radiation has a high reflectivity higher than 60%.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Filterschicht Zirkon umfasst. The apparatus of claim 13, wherein the filter layer comprises zirconium.
  16. Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage wobei das Beleuchtungssystem eine Lichtquelle, die eine erste Strahlung mit einer Wellenlänge λ emittiert, umfasst, und ein Konversionselement mit einem Szintillatormaterial, das die erste Strahlung in eine zweite Strahlung mit einer Wellenlänge λ Floureszenz > λ umwandelt und einen Detektor, der die zweite Strahlung detektiert. An illumination system for a microlithography projection exposure system wherein the illumination system comprises a light source emitting a first radiation having a wavelength λ comprising, and a conversion element with a scintillator material, the first radiation into a second radiation having a wavelength λ fluorescence converts> λ and a detector which detects the second radiation.
  17. Beleuchtungssystem nach Anspruch 16, wobei das Beleuchtungssystem ein Lichtleitelement umfasst, das die zweite Strahlung aufnimmt und an den Detektor leitet. Illumination system according to claim 16, wherein the illumination system comprises a light guide that receives the second radiation and passes to the detector.
  18. Beleuchtungssystem nach Anspruch 16, wobei die Wellenlänge λ der ersten Strahlung im Bereich 5 nm bis 200 nm, bevorzugt im Bereich 5 nm bis 30 nm liegt. Illumination system according to claim 16, wherein the wavelength λ of the first radiation in the range 5 nm 5 nm to 200 nm, preferably in the range of up to 30 nm.
  19. Beleuchtungssystem nach Anspruch 16, wobei der Detektor oder das Lichtleitelement in einer Feldebene oder in einem Zwischenfokus oder in einer Pupillenebene angeordnet ist. Illumination system according to claim 16, wherein said detector or said light guiding member is arranged in a field plane or in an intermediate focus, or in a pupil plane.
  20. Beleuchtungssystem nach Anspruch 19, wobei der Detektor oder das Lichtleitelement mit einem Abstand von weniger als 500 mm zu einer Feldebene oder zu einem Zwischenfokus oder zu einer Pupillenebene angeordnet ist. Illumination system according to claim 19, wherein said detector or said light guiding member is arranged at a distance of less than 500 mm to a field plane or to an intermediate focus, or to a pupil plane.
  21. Beleuchtungssystem nach Anspruch 16, wobei die erste Strahlung mit Hilfe eines Spiegels ausgekoppelt wird und die ausgekoppelte Strahlung auf den Detektor trifft. Illumination system according to claim 16, wherein the first radiation with the aid of a mirror is coupled out and the coupled-out radiation is incident on the detector.
  22. Beleuchtungssystem nach Anspruch 21, wobei der Spiegel ein grazing-incidence-Spiegel ist. Illumination system according to claim 21, wherein the mirror is a grazing-incidence mirror.
  23. Beleuchtungssystem nach Anspruch 21, wobei der Spiegel ein Multilayer-Spiegel ist. Illumination system according to claim 21, wherein the mirror is a multilayer mirror.
  24. Beleuchtungssystem nach Anspruch 16, wobei der Detektor derart angeordnet ist, dass die erste Strahlung direkt auf das Szintillatormaterial auftrifft. Illumination system according to claim 16, wherein the detector is arranged such that the first radiation impinges directly on the scintillator material.
  25. Projektionsobjektiv für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage zur Abbildung eines Objektes in einer Objektebene in eine Bildebene mit einer ersten Strahlung einer Wellenlänge λ, wobei das Projektionsobjektiv ein Konversionselement mit einem Szintillatormaterial umfasst, welches die auf das Konversionselement auftreffende erste Strahlung in eine zweite Strahlung mit einer Wellenlänge λ Floureszenz > λ umwandelt sowie einen Detektor, der die zweite Strahlung detektiert. Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus for imaging an object in an object plane into an image plane having a first radiation of a wavelength λ, wherein the projection objective includes a conversion element comprising a scintillator material, which λ impinging upon the conversion element first radiation into a second radiation having a wavelength fluorescence converts> λ and a detector that detects the second radiation.
  26. Projektionsobjektiv nach Anspruch 25, wobei das Projektionsobjektiv ein Lichtleitelement umfasst, das die zweite Strahlung aufnimmt und an den Detektor leitet. Projection objective according to claim 25, wherein the projection lens comprises a light guide that receives the second radiation and passes to the detector.
  27. Projektionsobjektiv nach Anspruch 25, wobei die Wellenlänge λ der ersten Strahlung im Bereich 5 nm bis 200 nm liegt. Projection objective according to claim 25, wherein the wavelength λ of the first 5 nm radiation in the range up to 200 nm.
  28. Projektionsobjektiv nach Anspruch 25, wobei der Detektor oder das Lichtleitelement in einer Objektebene oder in einer Bildebene oder in einer Pupillenebene angeordnet ist. Projection objective according to claim 25, wherein said detector or said light guiding member is arranged in an object plane or at an image plane or in a pupil plane.
  29. Projektionsobjektiv nach Anspruch 25, wobei der Detektor oder das Lichtleitelement in einem Abstand von weniger als 500 mm zu einer Objektebene oder einer Bildebene oder einer Pupillenebene angeordnet ist. Projection objective according to claim 25, wherein said detector or said light guiding member is arranged at a distance of less than 500 mm to an object plane or an image plane or pupil plane.
  30. Projektionsobjektiv nach Anspruch 25, wobei die erste Strahlung mit Hilfe eines Spiegels ausgekoppelt wird und die ausgekoppelte Strahlung auf den Detektor trifft. Projection objective according to claim 25, wherein the first radiation with the aid of a mirror is coupled out and the coupled-out radiation is incident on the detector.
  31. Projektionsobjektiv nach Anspruch 30, wobei der Spiegel ein grazing-incidence-Spiegel ist. Projection objective according to claim 30, wherein the mirror is a grazing-incidence mirror.
  32. Projektionsobjektiv nach Anspruch 30, wobei der Spiegel ein Multilayer-Spiegel ist. Projection objective according to claim 30, wherein the mirror is a multilayer mirror.
  33. Projektionsobjektiv nach Anspruch 25, wobei der Detektor derart angeordnet ist, dass die erste Strahlung direkt auf das Szintillatormaterial auftrifft. Projection objective according to claim 25, wherein the detector is arranged such that the first radiation impinges directly on the scintillator material.
  34. Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem und einem Projektionsobjektiv, wobei die Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage ein Konversionselement mit einem Szintillatormaterial umfasst, das eine erste Strahlung mit einer Wellenlänge λ in eine zweite Strahlung mit einer Wellenlänge λ Floureszenz > λ umwandelt und einen Detektor, der die zweite Strahlung detektiert. A microlithography projection exposure apparatus comprising an illumination system and a projection objective, wherein the microlithography projection exposure apparatus comprises a conversion element having a scintillator, the λ> λ converts a first radiation with a wavelength in a second radiation with a wavelength λ fluorescence and a detector, the second radiation detected.
  35. Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 34, wobei die Wellenlänge λ der ersten Strahlung im Bereich 5 nm bis 200 nm liegt. Microlithography projection exposure system according to claim 34, wherein the wavelength λ of the first 5 nm radiation in the range up to 200 nm.
  36. Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 34, wobei die Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage ein Lichtleitelement umfasst, das die zweite Strahlung aufnimmt und an den Detektor leitet. Microlithography projection exposure system according to claim 34, wherein the microlithography projection exposure system comprises a light guide that receives the second radiation and passes to the detector.
  37. Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 34, wobei der Detektor derart angeordnet ist, dass die erste Strahlung direkt auf das Szintillatormaterial auftrifft. Microlithography projection exposure system according to claim 34, wherein the detector is arranged such that the first radiation impinges directly on the scintillator material.
  38. Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 34, wobei die Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage eine Vorrichtung umfasst, die wenigstens ein Lichtintensitätssignal des Detektors aufnimmt und wenigstens in Abhängigkeit von dem aufgenommenen Lichtintensitätssignal ein Steuersignal zur Verfügung stellt, mit dem eine Scan-Geschwindigkeit eines lichtempfindlichen Objektes in einer Bildebene des Projektionsobjektives oder die Lichtintensität der Lichtquelle eingestellt werden kann. Microlithography projection exposure system according to claim 34, wherein the microlithography projection exposure system comprises a device which receives at least a light intensity signal from the detector and at least in dependence on the light intensity recorded signal provides a control signal, with that of a scanning speed of a light-sensitive object in an image plane projection lens or the light intensity of the light source can be adjusted.
  39. Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 38, wobei die Vorrichtung eine Regeleinheit mit einer Speichereinheit, in der wenigstens ein erster Kalibrierwert für eine Ausleuchtung eines Bereiches in einer Bildebene des Projektionsobjektives abgelegt ist, umfasst. Microlithography projection exposure system according to claim 38, wherein the device comprises a control unit having a memory unit in which at least a first calibration value is stored for an illumination of an area in an image plane of the projection objective comprising.
  40. Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 39, wobei in der Speichereinheit eine Vielzahl von Kalibrierwerten, ergebend eine Kalibriertabelle, abgelegt sind. Microlithography projection exposure system according to claim 39, wherein in the storage unit are stored a plurality of calibration values, yielding a calibration table.
  41. Verfahren zur Detektion einer ersten Strahlung mit einer Wellenlängen < 100 nm in einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, wobei die erste Strahlung durch ein Szintillationsmaterial in eine zweite Strahlung mit einer Wellenlänge > 100 nm umgewandelt wird und die zweite Strahlung von einem Detektor detektiert wird. A method of detecting a first radiation with a wavelength <100 nm in a microlithography projection exposure apparatus, wherein the first radiation with a wavelength by a scintillation material in a second radiation of> 100 nm is converted, and the second radiation is detected by a detector.
  42. Verfahren zur Detektion nach Anspruch 41, wobei die zweite Strahlung mittels eines Lichtleitelementes zu dem Detektor geleitet wird. Method for detection according to claim 41, wherein the second radiation is guided by means of a light guide to the detector.
  43. Verfahren zum Belichten eines lichtempfindlichen Objektes in einer Bildebene einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer ersten Strahlung mit einer Wellenlänge λ < 100 nm, insbesondere mit einer EUV-Strahlung in einem Wellenlängenbereich von 5 nm < λ EUV < 30 nm, wobei die erste Strahlung durch ein Szintillationsmaterial in eine zweite Strahlung einer Wellenlänge > 100 nm umgewandelt wird, – ein Istwert für eine Lichtintensität der zweiten Strahlung von einem Detektor detektiert wird, – der Istwert mit einem Sollwert verglichen wird, und – auf Basis des Vergleiches eine Scanning-Geschwindigkeit des lichtempfindlichen Objektes und/oder eine Lichtintensität einer Lichtquelle eingestellt wird. A method of exposing a photosensitive object in an image plane of a microlithography projection exposure apparatus having a first radiation with a wavelength λ <100 nm, in particular with an EUV radiation in a wavelength range of 5 nm <λ EUV <30 nm, wherein the first radiation through a scintillation material to a second radiation of a wavelength> 100 nm is converted, - an actual value for a light intensity of the second radiation is detected by a detector, - the actual value is compared with a setpoint value, and - on the basis of the comparison of a scanning speed of the photosensitive object and / or a light intensity of a light source is adjusted.
  44. Verfahren nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass eine Taktfrequenz der Lichtquelle eingestellt wird. A method according to claim 43, characterized in that a clock frequency of the light source is adjusted.
  45. Verfahren nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass eine Energiemenge eines Lichtpulses der Lichtquelle eingestellt wird. A method according to claim 43, characterized in that an amount of energy of a light pulse of the light source is adjusted.
Description  translated from German
  • Gebiet der Erfindung Field of the Invention
  • [0001] [0001]
    Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Detektion von Strahlung mit Wellenlängen < 250 nm, bevorzugt < 160 nm, insbesondere < 100 nm, ganz besonders bevorzugt in einem Wellenlängenbereich 5 nm < λ EUV < 30 nm. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein optisches System, insbesondere ein Beleuchtungssystem, ein Projektionsobjektiv oder eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Detektor. The invention relates to a device for detecting radiation with wavelengths <250 nm, preferably <160 nm, especially <100 nm, most preferably in a wavelength range of 5 nm <λ EUV <30 nm. Furthermore, the invention relates to an optical system, in particular an illumination system, a projection lens or a microlithography projection exposure apparatus with such a detector. Die Erfindung stellt außerdem ein Verfahren zur Detektion von Strahlung mit Wellenlängen < 160 nm, bevorzugt < 100 nm, insbesondere EUV-Strahlung in einem Wellenlängenbereich 5 nm < λ EUV < 30 nm sowie ein Verfahren zur Einstellung einer vorgegebenen Lichtintensität in einer Objektebene einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem Detektor zur Verfügung. The invention also provides a method for detecting radiation with wavelengths <160 nm, preferably <100 nm, in particular EUV radiation in a wavelength range of 5 nm <λ EUV <30 nm and a method for setting a predetermined light intensity in an object plane of a microlithography Projection exposure apparatus with a detector available.
  • Stand der Technik State of the art
  • [0002] [0002]
    Um die Strukturbreiten für elektronische Bauteile noch weiter reduzieren zu können, insbesondere in den Submikron-Bereich, ist es erforderlich, die Wellenlänge des für die Mikrolithographie eingesetzten Lichtes zu verringern. In order to reduce the structural widths of electronic components even further, particularly in the submicron range, it is necessary to reduce the wavelength of the light utilized for microlithography. Denkbar ist die Verwendung von Lichtwellenlängen λ < 100 nm, beispielsweise die Lithographie mit weichen Röntgenstrahlen, die sogenannte EUV-Lithographie. It is conceivable, the use of light wavelengths λ <100 nm, for example, lithography with soft X-rays, known as EUV lithography. Als Wellenlängen für die EUV-Lithographie werden derzeit Wellenlängen im Bereich 11 bis 14 nm, insbesondere 13,5 nm, diskutiert. As wavelengths for EUV lithography are currently wavelengths in the range 11 to 14 nm, 13.5 nm, particularly discussed. Die Bildqualität in der EUV-Lithographie wird bestimmt einerseits durch das Projektionsobjektiv, andererseits durch das Beleuchtungssystem. The image quality in EUV lithography is determined, on the one hand through the projection lens, on the other hand by the illumination system. Das Beleuchtungssystem soll eine möglichst gleichförmige Ausleuchtung in einer Feldebene des Beleuchtungssystemes, in der eine Struktur tragende Maske, das sogenannte Retikel, angeordnet ist, zur Verfügung stellen. The illumination system will provide a uniform possible illumination in a field plane of the illumination system, in which a structure bearing mask, the so-called reticle, is disposed available. Das Projektionsobjektiv bildet eine Objektebene in eine Bildebene ab, in der ein lichtsensitives Objekt angeordnet ist. The projection objective images an object plane into an image plane in which a light-sensitive object is positioned.
  • [0003] [0003]
    In einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage sind das Beleuchtungssystem und das Projektionsobjektiv bevorzugt derart angeordnet, dass die Feldebene des Beleuchtungssystems mit der Objektebene des Projektionsobjektives übereinstimmt, dh der vom Beleuchtungssystem ausgeleuchtete Bereich wir vom Projektionsobjektiv in ein Bildfeld in der Bildebene des Projektionsobjektives abgebildet. In a microlithography projection exposure apparatus, the illumination system and the projection lens are preferably arranged such that the field plane of the illumination system coincides with the object plane of the projection objective, ie, the area illuminated by the illumination system field, we imaged by the projection objective into an image field in the image plane of the projection objective.
  • [0004] [0004]
    Die Form des Feldes in der Feldebene einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage kann beispielsweise eine Rechteckform sein oder beispielsweise in der EUV-Lithographie ein Ringfeld mit einem hohen Aspektverhältnis. The shape of the field in the field plane of a microlithography projection exposure apparatus can be for example a rectangular shape or, for example, in EUV lithography, a ring box with a high aspect ratio.
  • [0005] [0005]
    Die Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen werden üblicherweise im Scanning Mode betrieben. The microlithography projection exposure systems are usually operated in scanning mode.
  • [0006] [0006]
    In der Scanning-Lithographie ist die Dimension des ausgeleuchteten Feldes in der Objektebene in einer Richtung senkrecht zur Scan-Richtung größer als die Dimension in Scan-Richtung. In the scanning lithography, the dimension of the illuminated field in the object plane in a direction perpendicular to the scanning direction is larger than the dimension in the scanning direction. Bei einem Ringfeld wird die Dimension des Feldes im Allgemeinen durch die Breite und die Bogenlänge charakterisiert. In a ring field the dimension of the array is generally characterized by the width and arc length. Hierbei ist die Breite des Feldes die Ausdehnung in Scanrichtung. Here, the width of the field extending in the scanning direction. In einer beispielhaften Ausführungsform beträgt die Breite W des Ringfeldes mehr als 1 mm, bevorzugt mehr als 2 mm und die Bogenlänge mehr als 22 mm, bevorzugt mehr als 26 mm. In an exemplary embodiment, the width W of the ring field is more than 1 mm, preferably more than 2 mm and the arc length of more than 22 mm, preferably more than 26 mm.
  • [0007] [0007]
    Im allgemeinen sind Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen für die EUV-Lithographie mit reflektiven optischen Elementen ausgeführt. In general microlithography projection exposure systems are designed for EUV lithography with reflective optical elements. Betreffend EUV-Projektionsbelichtungsanlagen wird auf die nachfolgenden Schriften verwiesen: With respect to EUV projection exposure systems, refer to the following publications:
    US 2005/0088760A US 2005 / 0088760A
    US 6,438,199B US 6,438,199B
    US 6,859328B US 6,859328B
  • [0008] [0008]
    Um möglichst feine Strukturen in der Mikrolithographie von dem Retikel, das in der Objektebene des Projektionsobjektives angeordnet ist, auf einen mit einer lichtsensitiven Schicht, insbesondere einem Fotolack beschichteten Substrat, beispielsweise einen Wafer abzubilden, ist es erforderlich, die Bestrahlungsdosis der lichtempfindlichen Schicht sehr genau zu kontrollieren. To finest possible structures in microlithography of the reticle which is arranged in the object plane of the projection objective, for example imaged on a support coated with a light-sensitive layer, particularly a photoresist substrate, a wafer, it is necessary to the irradiation dose of the photosensitive layer very accurately control. Insbesondere ist dies notwendig, wenn die lichtempfindliche Schicht eine nicht lineare Sensitivität aufweist. In particular, this is necessary when the photosensitive layer has a non-linear sensitivity.
  • [0009] [0009]
    Von refraktiven Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen, insbesondere für Wellenlängen bei 248 nm und 193 nm, ist bekannt, dass in oder in der Nähe der Objektebene des Projektionsobjektives Fotodioden angeordnet sind, die ein elektrisches Signal liefern, das für die Bestrahlungsintensität in der Ebene, in der das zu belichtende Objekt angeordnet ist, repräsentativ ist. Of refractive microlithography projection exposure systems, in particular for wavelengths at 248 nm and 193 nm, is known to be located in or near the object plane of the projection objective photodiodes which provide an electrical signal representative of the irradiation intensity in the plane in which the object to be exposed is arranged, is representative. Das von der Fotodiode aufgenommene elektrische Signal dient als Ist-Größe in einem Regelkreis. The captured by the photodiode electrical signal is used as the actual size in a loop. Durch Vergleich mit einem Soll-Wert ergibt sich ein Differenzsignal, das dazu benutzt werden kann, die Intensität der Lichtquelle nachzuregeln, beispielsweise indem man die Pulsrate der Lichtquelle steuert. By comparison with a desired value results in a difference signal which can be used to readjust the intensity of the light source, for example by controlling the pulse rate of the light source. Auf diese Art und Weise kann man eine konstante Bestrahlungsdosis über der Zeit sicherstellen. In this way one can ensure a constant exposure dose over time. Alternativ oder zusätzlich zur Ansteuerung der Lichtquelle ist es möglich, die Scan-Geschwindigkeit des zu belichtenden Objektes in der Bildebene zu steuern. Alternatively, or in addition to controlling the light source, it is possible to control the scanning speed of the object to be exposed in the image plane. Refraktive Systeme mit einer derartigen Dosiskontrolle sind aus nachfolgenden Schriften bekannt geworden: Refractive systems with such a dose control are known from the following publications:
    US 6211947B US 6211947B
    US 6603533B US 6603533B
    US 6842500B US 6842500B
    US 20050057739A1 US 20050057739A1
  • [0010] [0010]
    Die aus dem Stand der Technik für refraktive Systeme bekannten Sensoren sind für Messungen im EUV-Wellenlängenbereich von 5 nm ≤ λ EUV ≤ 30 nm nur bedingt geeignet. Known from the prior art for refractive systems sensors are suitable ≤ 30 nm only partially for measurements in the EUV wavelength range of 5 nm ≤ λ TEU. Zwar sind Sensoren wie Fotodioden zur Messung von EUV-Strahlung bekannt geworden, die direkt die EUV-Strahlung aufnehmen, wie in den nachfolgenden Patenten bzw. Patentanmeldungen While sensors have become known as photodiodes to measure EUV radiation directly absorb the EUV radiation, as in the following patents and patent applications
    US 6855932B US 6855932B
    US 2003/0146391A US 2003 / 0146391A
    dargestellt, jedoch hat eine direkte Bestrahlung von Fotodioden mit EUV-Licht Nachteile. shown, however, has a direct irradiation of photodiodes with EUV light disadvantages.
  • [0011] [0011]
    Ein wesentliches Problem der Fotodioden stellt deren Einsatz im Vakuumbereich der EUV-Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage dar. A major problem of the photodiodes is their use in the vacuum region of the EUV microlithography projection exposure apparatus.
  • [0012] [0012]
    Durch den Einbau der Sensoren im Vakuum können Fotoelektronen ausgelöst werden. The installation of the sensors in the vacuum photoelectrons can be triggered. Die aus der bestrahlten Fläche ausgelösten Fotoelektronen der Fotodiode führen dann zu elektrostatischen Aufladungen und damit zu einer Veränderung des inneren Raumladungsfeldes. The triggered from the irradiated surface photoelectron the photodiode lead to electrostatic charges and thus to a change in the internal space charge field.
  • [0013] [0013]
    Ein weiterer negativer Effekt der derzeit eingesetzten Sensoren im Vakuum ist, dass, wenn das EUV-Licht direkt auf den Sensor auftrifft, es möglich ist, dass durch den äußeren Fotoeffekt oder durch Zünden parasitärer Plasmen das Mess-Signal verfälscht wird. Another negative effect of the sensors currently used in vacuum is that if the EUV light impinges directly on the sensor, it is possible that the measurement signal is distorted by the external photoelectric effect or by igniting parasitic plasmas.
  • [0014] [0014]
    Ein weiterer negativer Effekt von im Vakkum eingesetzten Fotoelektroden ist, dass die auf die Fotodiode auftreffende EUV-Strahlung zu einer starken Erwärmung der Fotodiode führen. Another negative effect of employed in vacuo Photo electrode is that the incident on the photodiode EUV radiation lead to excessive heating of the photodiode. Eine Kühlung ist im Vakuum aber nur bedingt über den mechanischen Kontakt mit Umgebungsteilen wie beispielsweise dem Rahmen möglich. Cooling is in a vacuum but only possible via the mechanical contact with surrounding parts such as the frame.
  • [0015] [0015]
    Das sich im Betrieb der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage im Vakuum durch die elektrostatische Aufladung ändernde Raumladungsfeld führt dazu, dass die an für sich gute Linearität der Photodiode beeinträchtigt wird. This is resulting in the operation of the microlithography projection exposure system in vacuum by the electrostatic charge changing space charge field to the impairing of offering good linearity of the photodiode.
  • [0016] [0016]
    Ein weiterer Nachteil der Fotodioden ist, dass die sensitive Fläche viel kleiner ist als die geometrischen Abmaße der Fotodiode. Another drawback of the photodiodes is that the sensitive surface is much smaller than the geometric dimensions of the photodiode.
  • [0017] [0017]
    Des Weiteren ist die Fotodiode als elektronisches Bauteil anfällig für Beschädigungen durch elektrostatische Entladung und thermische Überlastung. Furthermore, the photodiode as an electronic component susceptible to damage from electrostatic discharge and thermal overload.
  • Zusammenfassung der Erfindung Summary of the Invention
  • [0018] [0018]
    Aufgabe der Erfindung ist es somit, einen Sensor zur Messung von Strahlung in einem Beleuchtungssystem insbesondere für Wellenlängen < 100 nm anzugeben, der die Nachteile des Standes der Technik überwindet. The object of the invention is thus to provide a sensor for measuring radiation in an illumination system in particular for wavelengths <100 nm, which overcomes the disadvantages of the prior art.
  • [0019] [0019]
    Erfindungsgemäß wird dies durch eine Vorrichtung zur Detektion einer ersten Strahlung insbesondere mit Wellenlängen < 100 nm, bevorzugt EUV-Strahlung in einem Wellenlängenbereich 5 nm < λ EUV < 30 nm gelöst, die ein Konversionselement, welches ein Szintillatormaterial aufweist, umfasst. This is according to the invention. By a device for detecting a first radiation in particular with wavelengths <100 nm, preferably EUV radiation dissolved in a wavelength region 5 nm <λ EUV <30 nm, which comprises a conversion element having a scintillator, Das Konversionselement wandelt die auftreffende erste Strahlung mit einer Wellenlänge < 100 nm durch Wechselwirkung mit dem Szintillatormaterial in eine zweite Strahlung mit einer Wellenlänge größer als die Wellenlänge der ersten Strahlung um. The conversion element converts the incident first radiation with a wavelength <100 nm by interaction with the scintillator into a second radiation having a wavelength greater than the wavelength to the first radiation. Die Wellenlänge λ der zweiten Strahlung ist größer als 100 nm, und liegt bevorzugt im sichtbaren oder infraroten Wellenlängenbereich. The wavelength λ of the second radiation is greater than 100 nm, and is preferably in the visible or infrared wavelength range.
  • [0020] [0020]
    Die zweite Strahlung mit Wellenlängen größer 100 nm wird von einem Detektionselement aufgenommen. The second radiation with wavelengths greater than 100 nm is detected by a detection element. Das Detektionselement kann beispielsweise eine VIS Photodiode sein. The detection element can be for example a VIS photodiode.
  • [0021] [0021]
    In einer bevorzugten Ausführungsform wird die zweite Strahlung mit einer Wellenlänge λ fluoreszenz > 100 nm von einem Lichtleitelement aufgenommen. In a preferred embodiment, the second radiation having a wavelength λ Fluorescence> 100 nm is received by a light-guiding element. Die aufgenommene Strahlung wird von dem Lichtleitelement an ein Detektionselement zur Detektion der zweiten Strahlung mit einer Wellenlänge λ fluoreszenz > 100 nm geleitet. The absorbed radiation is guided by the light guide element to a detection element for detecting the second radiation having a wavelength λ fluorescence of> 100 nm.
  • [0022] [0022]
    Wird die erfindungsgemäße Vorrichtung aber zur Detektion von Strahlung mit einer Wellenlänge < 250 nm eingesetzt, so wird durch das Konversionselement diese Strahlung in Strahlung mit einer Wellenlängen > 250 nm gewandelt. If the device according to the invention but having a wavelength for detecting radiation <250 nm used, this radiation is radiation having a wavelength in by the conversion element> converted 250 nm.
  • [0023] [0023]
    Die erfindungsgemäße Vorrichtung zeichnet sich insbesondere dadurch aus, dass die Vorrichtung mechanisch sehr stabil ist und aus sehr wenigen Komponenten besteht. The device of the invention is characterized in particular by the fact that the device is mechanically very stable and consists of very few components. Des Weiteren erfolgt keine direkte Bestrahlung des Detektionselementes bzw. des Detektors, insbesondere der Fotodiode mit Licht kurzer Wellenlänge, beispielsweise EUV-Licht. Furthermore, there is no direct exposure of the detection element or the detector, in particular of the photo diode with light of short wavelength, for example EUV light. Hierdurch kann die Lebensdauer des Detektiors wesentlich erhöht werden. As a result, the life of the Detektiors be substantially increased. Ein weiterer Vorteil ist, dass im Bereich, in der die genutzte Strahlung, beispielsweise das EUV-Licht, welches das Beleuchtungssystem durchläuft, lediglich das Konversionselement sowie das Lichtleitelement als passive Komponenten angeordnet sind. A further advantage is that in which the radiation used, for example, the EUV light which passes through the illumination system, only the conversion element and the light-guiding element are arranged as passive components in the field. Der Detektor als aktives elektronisches Bauteil kann aufgrund des Lichtleitelementes außerhalb der Vakuumkammer, in der das Beleuchtungssystem angeordnet ist, platziert werden. The detector as an active electronic component can be placed due to the light-guiding element outside the vacuum chamber, in which the lighting system is arranged. Bevorzugt umfasst das Konversionselement ein Szintillatormaterial. Preferably, the conversion element includes a scintillator. Die Szintillatormaterialien führen dazu, dass die EUV-Strahlung Lichtblitze sogenannte Szintillationen erzeugt. The scintillator cause the EUV radiation produces flashes of light called scintillations. In vorliegender Anmeldung werden die Begriffe Szintillation und Lumineszenz synonym verwandt. In the present application, the terms scintillation and luminescence are used synonymously. Szintillation und Lumineszenz beschreiben die Absorption von Licht und die anschießende Emission von Licht, wobei das emittierte Licht eine Wellenlänge aufweist, die ins Langwellige verschoben ist. Scintillation and luminescence describe the absorption of light and the anschießende emit light, the emitted light has a wavelength that is shifted to the long wavelength. Szintillatormaterialien werden oft auch als Phosphor bezeichnet. Scintillator materials are often also referred to as phosphorus. Besonders bevorzugt werden als Szintillatormaterialien Quarzglas, YAG- oder YAP-Kristalle, die mit Cer dotiert sind, Europium-dotiertes Calzium-Fluorid, Barium-Fluorid, Zink-Selenid dotiert mit Tellur, CdWO 4 , Cäsium-Iodid dotiert mit Thallium eingesetzt. Particularly preferred scintillator quartz, YAG or YAP crystals doped with cerium, europium-doped calcium fluoride, barium fluoride, zinc selenide doped with tellurium, CdWO 4, cesium iodide doped with thallium used. Als Szintillatormaterial werden wie oben beispielhaft angegeben im wesentlichen nur anorganische Materialien mit den entsprechenden Eigenschaften ausgewählt, um die Ultra-Hochvakuum-Kompatibilität des Konversionselementes sicherzustellen. As a scintillator material are as above exemplified selected substantially only inorganic materials with the appropriate properties to ensure the ultra-high vacuum compatibility of the conversion element. Würden als Materialien für das Konversionselement organische Materialien verwendet, so würde das Ultra-Hochvakuum im Allgemeinen durch Kohlenwasserstoffe kontaminiert. Would as materials for the conversion element organic materials used, the ultra-high vacuum would generally contaminated by hydrocarbons.
  • [0024] [0024]
    Sensoren, die Szintillationsmaterialien umfassen, sind beispielsweise aus der Sensors comprising scintillation materials are, for example, from US 6,551,231 US 6,551,231 bekannt geworden oder der known, or US 5,640,017 US 5,640,017 . ,
  • [0025] [0025]
    Ebenfalls bekannt geworden sind zur Beobachtung von UV- und Röntgenstrahlung Systeme mit Fluoreszenzmaterialien, die dazu dienen, Strahlen kurzer Wellenlänge in langwellige Strahlung zu konvertieren. Become are also known for the observation of UV and X-ray systems with fluorescent materials that are used to convert short wavelength radiation into long-wave radiation. Diesbezüglich wird beispielsweise auf die In this regard, for example, the US 5,498,923 US 5,498,923 verwiesen. referenced.
  • [0026] [0026]
    Als Lichtleitelement kann eine Lichtleitfaser, bevorzugt eine Glas- oder Quarzfaser eingesetzt werden, deren Lichtleitfunktion auf einer Totalreflexion beruht. As a light-guiding element an optical fiber can, preferably a glass or quartz fiber are used, the light guiding function is based on a total reflection. Hierfür hat die Faser im Kern einen größeren Brechungsindex als im Mantel. For this purpose, the fiber has a larger refractive index than the sheath in the core. Alternativ zu den Lichtleitern ist es möglich, als Lichtleitelement Metalle als Reflektoren einzusetzen, z. B. in Form eines innen polierten Rohres oder eines reflektierend bedampften Glasstabs. As an alternative to the optical fibers it is possible to use as a light-guiding element metals as reflectors, for. Example in the form of an internally polished tube or a reflective vapor-deposited glass rod. Auch denkbar ist der Einsatz eines Spiegels, der das durch Szintillation entstandene Fluoreszenzlicht bzw. Lumineszenzlicht aufnimmt und auf das Detektionselement leitet. Also conceivable is the use of a mirror which receives the fluorescence light caused by scintillation or luminescence light and guides on the detection element. Selbstverständlich ist auch eine Kombination eines Spiegels mit einer Lichleitfaser denkbar. Of course, a combination of a mirror with a Lichleitfaser is conceivable.
  • [0027] [0027]
    Bevorzugt ist die Lichtleitfaser eine Glas- oder Quarzfaser. Preferably, the optical fiber is a glass or quartz fiber.
  • [0028] [0028]
    Bevorzugt ist das Konversionselement, umfassend das Szintillatormaterial, so ausgestaltet, dass es das vom Szintillator erzeugte Fluoreszenzlicht bzw. Lumineszenzlicht möglichst effektiv in das lichtleitende Element, hier bevorzugt in den Lichtleiter, eingekoppelt wird. Preferably, the conversion element, comprising the scintillator material, such that it is the fluorescent light or luminescent light generated by the scintillator as effectively as possible, here, preferably in the light guide is coupled into the light-conducting element. Da die Eintrittstiefe von EUV-Strahlung in das Szintillatormaterial nur wenige Nanometer beträgt, ist vorteilhaft vorgesehen, dass das Konversionselement als Szintillatormaterial eine Szintillatorschicht aufweist, die eine Flächen-Absorption der auftreffenden EUV-Strahlung ermöglicht. Since the entry depth of EUV radiation is only a few nanometers in the scintillator material is advantageously provided that the conversion element has a scintillator as a scintillator material which allows surface absorption of the incident EUV radiation. Die Schichtdicke der Szintillatorschicht ist bevorzugt < 1 mm, bevorzugt < 0,1 mm, ganz bevorzugt < 0,01 mm, insbesondere bevorzugt < 0,001 mm. The layer thickness of the scintillator layer is preferably <1 mm, preferably <0.1 mm, more preferably <0.01 mm, more preferably <0,001 mm.
  • [0029] [0029]
    Die Szintillatorschicht kann auf der Lichtleitfaser an völlig unterschiedliche Orten aufgebracht werden. The scintillator can be applied to the optical fiber at completely different places. So ist in einer ersten Ausgestaltung der Erfindung es möglich, die Szintillatorschicht auf die Stirnseite der Lichtleitfaser aufzubringen. Thus, in a first embodiment of the invention it is possible to apply the scintillator layer on the end face of the optical fiber. Besteht die Lichtleitfaser aus einem Mantel und einem Kern, so kann die Szintillatorschicht auch im Bereich des Mantels aufgebracht werden oder ein Teil des Mantels selbst als Szintillatorschicht wirken. If there is a fiber of a shell and a core, the scintillator layer can also be applied in the area of the shell or act a part of the jacket itself as a scintillator. Alternativ kann auch die Lichtleitfaser angeschrägt werden und die Szintillatorschicht auf die angeschrägte Fläche aufgebracht werden. Alternatively, the optical fiber are bevelled and the scintillator layer are applied to the angled surface.
  • [0030] [0030]
    Die unterschiedlichen Anordnungen der Szintillatorschicht auf der Lichtleitfaser haben den Vorteil, dass je nach Bauraumverfügbarkeit und Emissionsverhalten der zu detektierenden Strahlung die Szintillatorschicht ausgerichtet werden kann. The different arrangements of the scintillator layer on the optical fiber have the advantage that depending on the space availability and emission behavior of the radiation to be detected, the scintillator layer can be aligned. Es ist dann kein Biegen der Lichtleitfaser nötig um ein bestimmtes Raumwinkelelement detektieren zu können, vielmehr kann die Lichtleitfaser an die unterschiedlichen Einbausituationen bereits durch Aufbringen der Szintillatorschicht an der entsprechenden Stelle der Lichtleitfaser optimal angepasst werden. It is then no bending of the optical fiber necessary to be able to detect a particular element of solid angle, but the optical fiber to the different installation conditions can already be optimally adjusted by applying the scintillator layer at the corresponding position of the optical fiber.
  • [0031] [0031]
    Alternativ zur Aufbringung einer Szintillatorschicht, beispielsweise auf eine Lichtleitfaser, ist es auch möglich, die Lichtleitfaser direkt mit fluoreszierenden Atomen auszurüsten. Alternatively, for applying a scintillator layer, for example, an optical fiber, it is also possible to equip the optical fiber directly with fluorescent atoms. Die in eine Schicht der Lichtleitfaser implantierte Ionen können dann zur Szintillation bzw. Fluoreszenz führen. The implanted in a layer of the optical fiber ions then can lead to scintillation or fluorescence.
  • [0032] [0032]
    Um eine Unterdrückung von Falschlicht, das in EUV-Mikrolithographie-Projektionsanlagen aufgrund des Emissionsverhaltens der Lichtquelle stets enthalten ist, herbeizuführen, kann vorgesehen sein, dass der Szintillatorschicht ein Filtermaterial im Lichtweg vorgeschaltet ist. To bring about a suppression of stray light, which is included in EUV microlithography projection equipment due to the emission characteristics of the light source always, can be provided that the scintillator is preceded by a filter material in the light path. Beispielsweise ist es möglich, auf die Fläche der Szintillatorschicht, auf die das EUV-Licht auftrifft, eine Filterschicht beispielsweise aus Zirkon mit einer Schichtstärke von beispielsweise 50 nm aufzubringen. For example, it is possible to the surface of the scintillator, the incident EUV light, apply a filter layer for example of zirconium with a film thickness of 50 nm, for example. Die Filterschicht zeichnet sich dadurch aus, dass sie eine hohe Transmission von mehr als 80%, insbesondere mehr als 95% für EUV-Licht aufweist, das durch Szintillationen entstandene Fluoreszenz-Licht längerer Wellenlängen jedoch zu mehr als 60%, insbesondere mehr als 80%, bevorzugt mehr als 90% reflektiert. The filter layer is characterized in that it has a high transmittance of more than 80%, in particular more than 95% for EUV light caused by scintillation fluorescent light of longer wavelengths, however, to more than 60%, in particular more than 80% , preferably more than 90% reflected. Hierdurch kann man neben einer Unterdrückung von Falschlicht zudem noch die Sammel-Effizienz des Fluoreszenz-Lichtes deutlich erhöhen. In this way you can increase the collection efficiency of the fluorescence light next to a clear suppression of stray light also yet. Filterschichten sind beispielsweise aus der Filter layers are, for example, from the US 7,154,666 US 7,154,666 bekannt. known.
  • [0033] [0033]
    In einer bevorzugten Ausführungsform ist das Detektionselement als Fotodetektor ausgebildet. In a preferred embodiment, the detection element is designed as a photodetector. Bei einem Fotodetektor kann es sich um eine Fotodiode, einen Fotomultiplier oder einen Fotowiderstand handeln. In a photodetector may be a photodiode, a photomultiplier or a photoresistor. Alternativ wäre auch denkbar, anstelle eines Fotodetektors einen thermischen Sensor einzusetzen. Alternatively, it would also be conceivable to use a thermal sensor in place of a photo detector.
  • [0034] [0034]
    Bei Mikrolithographie-Projektionsanlagen sind die optischen Elemente, beispielsweise die Spiegel in einem Projektionsobjektiv in einer Vakuumkammer angeordnet. In microlithography projection systems, the optical elements, such as the mirror in a projection objective are arranged in a vacuum chamber.
  • [0035] [0035]
    In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen den Detektor außerhalb der Vakuumkammer anzuordnen. In a preferred embodiment of the invention the detector outside the vacuum chamber to order. Das in der Vakuumkammer durch das Konversionselement aufgenommene EUV-Licht, das in Fluoreszenlicht bzw. gewandelt wurde, wird über den Lichtleiter und eine Vakuumdurchführung, beispielsweise ein Vakuumfenster, aus der Vakuumkammer, in der die optischen Elemente angeordnet sind, ausgekoppelt und auf den Fotodetektor geführt. The captured in the vacuum chamber by the conversion element EUV light that has been in Fluoreszenlicht changed or is via the optical waveguide and a vacuum feedthrough, such as a vacuum window, from the vacuum chamber in which the optical elements are arranged, is coupled out and guided to the photodetector ,
  • [0036] [0036]
    Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Detektion von EUV-Strahlung mit einem Konversionselement, das die einfallende erste Strahlung mit einer Nutzwellenlänge λ Nutz in längerwellige zweite Strahlung mit einer Wellenlänge λ Fluoreszenz konvertiert wird bevorzugt in einem optischen System für die Mikrolithographie verwandt. The inventive device for detection of EUV radiation with a conversion element which converts the incident radiation at a first operating wavelength λ useful in longer wavelength radiation with a wavelength λ second fluorescence preferably used in an optical system for microlithography.
  • [0037] [0037]
    Die Erfindung stellt daher zum einen ein Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage wie auch ein Projektionsobjektiv für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage insbesondere für Wellenlängen < 100 nm zur Verfügung mit einer derartigen Vorrichtung zur Verfügung. The invention therefore provides for a lighting system for a microlithography projection exposure system as well as a projection objective for a microlithography projection exposure apparatus especially for wavelengths <100 nm are available with such a device is available.
  • [0038] [0038]
    In einer bevorzugten Ausgestaltung gibt die Erfindung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage eine Vorrichtung an, die das Lichtintensitätssignal des Detektors aufnimmt und wenigstens in Abhängigkeit von dem aufgenommenen Lichtintensitätssignal ein Steuersignal zur Verfügung stellt, mit dem beispielsweise eine Scan-Geschwindigkeit eines lichtempfindlichen Objektes in einer Bildebene eines Projektionsobjektives, der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage eingestellt werden kann. In a preferred embodiment of the invention for a micro lithography projection exposure system provides a device which receives the light intensity signal from the detector and at least in dependence on the light intensity recorded signal provides a control signal is available with which, for example, a scanning speed of a light-sensitive object in an image plane of a projection objective for microlithography projection exposure system can be set. Alternativ oder gleichzeitig hierzu kann die Lichtquelle angesteuert werden. Alternatively or simultaneously to this, the light source can be controlled.
  • [0039] [0039]
    Der Teil der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Detektion von Strahlung mit einer Wellenlänge größer 100 nm gemäß der Erfindung, der das Lichtintensitätssignal aufnimmt wird auch als Dosis-Sensor bezeichnet. The part of the apparatus of the invention for detecting radiation having a wavelength greater than 100 nm according to the invention, which receives the light intensity signal is also referred to as a dose sensor.
  • [0040] [0040]
    In einem Beleuchtungssystem beispielsweise einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage ist ein erfindungsgemäßer Dosis-Sensor bevorzugt an einer Stelle im Beleuchtungssystem angeordnet, die für die Dosis im Gesamtfeld, das in der Feldebene des Beleuchtungssystems, in der beispielsweise ein Retikel angeordnet ist, ausgeleuchtet wird, repräsentativ ist. In an illumination system, for example, a microlithography projection exposure system a according to the invention dose-sensor is preferably disposed at a position in the illumination system, which is representative of the dose in the total field which is in the field plane of the illumination system in which, for example, a reticle is arranged illuminated.
  • [0041] [0041]
    In einer möglichen Ausgestaltung der Erfindung wird im Strahlengang von der Lichtquelle zum zu beleuchtenden Objekt beispielsweise eine Spiegel vorgesehen, der im Lichtweg vor der Feldebene im Beleuchtungssystem angeordnet ist und einen Bruchteil der Intensität des Lichtes aus dem Strahlengang auskoppelt. In one possible embodiment of the invention, for example, a mirror in the beam path from the light source to the object to be illuminated positioned in the light path before the field level in the illumination system and decouples a fraction of the intensity of the light from the beam path. Das vom Spiegel ausgekoppelte Licht wird dann auf einen Dosis-Sensor gelenkt. The decoupled from the mirror is then directed to a dose sensor. Der Spiegel mit dem Licht ausgekoppelt wird, wird auch als Auskoppelspiegel bezeichnet. The mirror is coupled with the light, is also known as the output mirror. Der Auskoppelspiegel kann sowohl ein grazing incidence Spiegel wie auch ein normal incidence Spiegel sein. The output mirror can be a grazing incidence mirror as well as a normal-incidence mirror.
  • [0042] [0042]
    In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass der im Beleuchtungssystem ausgeleuchtete Bereich in der Feldebene des Beleuchtungssystems größer ist als der Bereich, der in der Feldebene genutzt wird. In a preferred embodiment of the invention it is provided that the illuminated area in the illumination system in the field plane of the illumination system is greater than the range, which is used in the field plane. In dem nicht genutzten Bereich in der Feldebene des Beleuchtungssystems kann dann ein Dosis-Sensor angeordnet werden. In the unused area in the field plane of the illumination system a dose-sensor can then be arranged. Nachteilig an einer derartigen Anordnung eines Dosis-Sensor im nicht genutzten Bereich in der Feldebene des Beleuchtungssystems ist jedoch, das in der Regel das in der Feldebene angeordnete strukturierte Objekt, das auch als Retikel bezeichnet wird, mechanisch ein- und ausgewechselt werden muss. However, a disadvantage of such an arrangement, a dose-sensor in the unused area in the field plane of the illumination system which is arranged at the field level structured object, which is also called reticle, mechanically usually once and must be replaced. Ein in der Feldebene angeordneter Dosis-Sensor ist daher mit diesen mechanischen Anforderungen nur schwierig vereinbar. An arranged at the field level dose-sensor is therefore difficult to comply with these mechanical requirements.
  • [0043] [0043]
    In einer weiteren alternativen Ausgestaltung der Erfindung ist daher vorgesehen, dass der Dosis-Sensor im Beleuchtungssystem nahe zur Feldebene des Beleuchtungssystems angeordnet ist und zwar derart, dass die mechanischen Komponenten zur Bewegung der Maske problemlos ausgebildet werden können. In a further alternative embodiment of the invention it is therefore provided that the dose sensor is arranged in the illumination system near to the field plane of the illumination system in such a way that the mechanical components can be adapted to move the mask easily.
  • [0044] [0044]
    Andererseits soll der Abstand gerade so bemessen sein, dass der durch den Öffnungswinkel der Beleuchtung gegebene Halbschatten des Sensors möglichst gering gehalten wird, um das nutzbare Feld in der Feldebene des Beleuchtungssystems nicht zu sehr einzuschränken. On the other hand, the distance just be sized so that the given by the opening angle of the lighting penumbra of the sensor is kept to a minimum, so as not to be too restricting the usable field at the field level of the illumination system. Bevorzugt ist der Abstand des Dosis-Sensors so gewählt, dass die durch den Öffnungswinkel der Beleuchtung gegebenen Halbschatten in der Feldebene des Beleuchtungssystems eine derartige Größe aufweisen, dass der aufgrund der Halbschatten in der Feldebene nicht nutzbare Feldbereich weniger als 40%, bevorzugt weniger als 30%, ganz bevorzugt weniger als 20% der Größe des Sensors beträgt. Preferably, the distance of the dose-sensor is chosen so that the penumbra given by the opening angle of the illumination in the field plane of the illumination system having such a size that the result of the penumbra at the field level not usable field area less than 40%, preferably less than 30 %, most preferably less than 20% of the size of the sensor.
  • [0045] [0045]
    Ist der Dosis-Sensor beispielsweise rund und hat einen Durchmesser von 1 mm und soll der nicht nutzbare Feldbereich in der Feldebene nur um 44% größer sein als der Sensor selbst, so beträgt der Durchmesser des nicht nutzbaren Feldbereiches in der Feldebene 1,2 mm. If the dose-sensor, for example round and has a diameter of 1 mm and is the unusable field region at the field level be greater by only 44% than the sensor itself, the diameter of the non-usable field region at the field level is 1.2 mm. Bei einer objektseitigen Apertur NA obj von 0,0625 an einem Retikel, dass in der Objektebene angeordnet ist, ergibt sich dann ein maximaler Abstand des Sensors von 1,6 mm zu Retikelebene, damit die Forderung erfüllt ist, dass der nicht nutzbare Feldbereich nur um 44% größer als der Dosis-Sensor selbst ist. In an object-side aperture NA obj of 0.0625 on a reticle that is disposed in the object plane is then given a maximum distance of the sensor from 1.6 mm to reticle plane, so that the requirement is fulfilled that the non-usable field area only is greater than 44% of the dose-sensor itself.
  • [0046] [0046]
    Der Dosissensors wird bevorzugt mit einem absoluten Abstand des Dosissensors von der Feldebene von weniger als 500 mm, insbesondere weniger als 300 mm, bevorzugt weniger als 200 mm, insbesondere weniger als 100 mm, ganz bevorzugt weniger als 50 mm angeordnet. The dose sensor is preferably an absolute distance of the sensor from the field level dose of less than 500 mm, in particular less than 300 mm, preferably less than 200 mm, in particular less than 100 mm, most preferably located less than 50 mm.
  • [0047] [0047]
    Erfindungsgemäß kann eine Anordnung eines Dosissensors auch in einem Projektionsobjektiv erfolgen. According to the invention can also be done in a projection lens arrangement of a dose sensor. Bevorzugt wird ein derartiger Dosis-Sensor in oder nahe einer Objektebene des Projektionsobjektives angeordnet. Preferably, such dose sensor is arranged in or near an object plane of the projection objective. Alternativ wäre auch eine Anordnung in oder nahe der Bildebene eines Projektionsobjektives. Alternatively, an arrangement would be in or near the image plane of a projection lens.
  • [0048] [0048]
    Bevorzugt ist das Projektionsobjektiv für eine erste Strahlung, dh eine Nutzstrahlung im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 200 nm, insbesondere im Bereich im Bereich 5 nm bis 30 nm ausgelegt. Preferably, the projection lens for a first radiation, ie, a useful radiation in the wavelength range of 5 nm to 200 nm, in particular in the range in the range 5 nm to 30 nm designed.
  • [0049] [0049]
    Bevorzugt ist ein derartiger Dosis-Sensor im Projektionsobjektiv im nicht genutzten Bereich in oder nahe der Objektebene und/oder der Bildebene des Projektionsobjektives angeordnet. Preferably, a dose of such sensor in the projection lens in the non-used area is arranged in or near the object plane and / or the image plane of the projection objective.
  • [0050] [0050]
    Bevorzugt wird der Dosis-Sensors mit einem Abstand von beispielsweise weniger als 500 mm, insbesondere weniger als 300 mm, insbesondere weniger als 200 mm, bevorzugt weniger als 100 mm, insbesondere bevorzugt weniger als 50 mm zu einer Objektebene oder zu einer Bildebene oder zu einer Pupillenebene des Projektionsobjektives angeordnet. Preferably, the dose sensor is at a distance of for example less than 500 mm, in particular less than 300 mm, in particular less than 200 mm, preferably less than 100 mm, particularly preferably less than 50 mm to an object plane or an image plane or to a pupil plane of the projection objective arranged.
  • [0051] [0051]
    Ganz allgemein ist der Sensor so anzuordnen, dass der Sensor von der Lichtquelle beleuchtet wird und ein repräsentatives Signal erzeugt wird, aber der Abbildungsstrahlengang von der Objektebene des Projektionsobjektives in die Bildebene nicht beeinträchtigt wird. In general, the sensor must be located so that the sensor is illuminated by the light source and a representative signal is generated, but the imaging beam path is not affected by the object plane of the projection objective into the image plane.
  • [0052] [0052]
    Die Ausdehnung des Sensors ist nur in der Richtung senkrecht zur Scanrichtung (x-Richtung) von Bedeutung. The extension of the sensor is only in the direction perpendicular to the scanning direction (x-direction) is important. In Scanrichtung (y-Richtung) ist die Ausdehnung unerheblich, da in diese Richtung der Scan erfolgt. In the scanning direction (y-direction), the extension is insignificant since in this direction of the scan. Deswegen ist der Sensor vorteilhaft in y-Richtung sogar oft größer in seinen Abmessungen als die Ausdehnung des Feldes selbst. In einem solchen Fall spielen Positionsfehler in erster Näherung keine Rolle. Therefore, the sensor is advantageous in the y-direction even often larger in size than the size of the field itself. In such a case, the position error play no role in the first approximation. Ein derartiger länglicher Sensor ist beispielsweise in Such elongated sensor, for example, in 3b 3b gezeigt. shown. Ein in y-Richtung ausgedehnter Sensor ist vorteilhaft, da er in einer besonderen Ausführungsform das gesamte Feld in y-Richtung abdeckt. An extended in the y-direction sensor is advantageous because it covers the entire array in the y direction in a particular embodiment. Ein in y-Richtung derart ausgedehnter Sensor ist unempfindlich gegen mechanische Instabilitäten und Verschiebungen in y-Richtung. A in the y direction so extensive sensor is insensitive to mechanical instabilities and displacements in the y direction. Bevorzugt wird die Ausdehnung des Sensors in x-Richtung möglichst gering gewählt, damit der ausgeleuchtete, aber nicht genutzte Bereich beispielsweise in der Feldebene des Beleuchtungssystems so gering als möglich gewählt werden kann. Preferably, the expansion of the sensor in the x-direction is chosen as small as possible so that the illuminated but unused portion can be chosen as small as possible, for example, at the field level of the illumination system.
  • [0053] [0053]
    In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass der Dosis-Sensor zur Detektion der Ausleuchtung in einer Pupillenebene einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage verwendet wird. In a further embodiment of the invention provides that the dose sensor is used for detecting the illumination in a pupil plane of a microlithography projection exposure apparatus. Der Sensor weist dann eine maximale Sensitivität in Bezug auf die Ausleuchtung in der Pupillenebene auf. The sensor then has a maximum sensitivity with respect to the illumination in the pupil plane. Der Sensor wird zur Detektion der Ausleuchtung in der Pupillenebene bevorzugt in der Pupillenebene selber oder einer hierzu konjugierten Ebene angeordnet bzw. um die Pupillenvignettierung gering zu halten, nicht in der Ebene selbst, sondern nahe zur Ebene. The sensor for the detection of the illumination in the pupil plane preferably in the pupil plane itself or a plane conjugated thereto or arranged to keep the Pupillenvignettierung low, not in the plane itself, but close to the plane.
  • [0054] [0054]
    Unter einer Anordnung nahe einer Pupillenebene kann eine Anordnung des Dosis-Sensors mit einem Abstand von beispielsweise weniger als 500 mm, insbesondere weniger als 300 mm, insbesondere weniger als 200 mm, bevorzugt weniger als 100 mm, insbesondere bevorzugt weniger als 50 mm zur Pupillenebene verstanden werden. Under an arrangement near a pupil plane, an arrangement of the dose sensor at a distance of for example less than 500 mm, in particular less than 300 mm, in particular less than 200 mm, preferably less than 100 mm, in particular meant preferably less than 50 mm from the pupil plane be.
  • [0055] [0055]
    In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, den Dosis-Sensor im oder nahe einem Zwischenfokus der Lichtquelle anzuordnen. In a further embodiment of the invention it is provided to arrange the dose sensor in or near an intermediate focus of the light source.
  • [0056] [0056]
    Bei einer Anordnung des Sensors in einem Zwischenfokus, beispielsweise nach einem ersten grazing-incindence-Kollektor kann ein Signal erhalten werden, das unabhängig von Änderungen der Charakteristik des Beleuchtungssystems ist. In one arrangement of the sensor in an intermediate focus, for example after a first grazing-incindence-collector, a signal can be obtained which is independent of changes in the characteristics of the illumination system.
  • [0057] [0057]
    Neben der Vorrichtung zur Detektion von EUV-Strahlung und dem optischen System stellt die Erfindung auch ein Verfahren zur Detektion von EUV-Strahlung zur Verfügung sowie ein Verfahren zur Einstellung einer im Wesentlichen gleichen Lichtintensität, beispielsweise in einer Feldebene des Beleuchtungssystems, einer Objektebene des Projektionsobjektives, einer Bildebene des Projektionsobjektives oder einer Pupillenebene einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage. In addition to the apparatus for the detection of EUV radiation and the optical system, the invention also provides a method for the detection of EUV radiation is available as well as a method for adjusting a substantially equal light intensity, for example, in a field plane of the illumination system, an object plane of the projection objective, an image plane of the projection objective or a pupil plane of a microlithography projection exposure apparatus. Bei dem Verfahren zur Einstellung der im Wesentlichen gleichen Lichtintensität, beispielsweise in einer Feldebene des Beleuchtungssystems, einer Objektebene des Projektionsobjektives, einer Bildebene des Projektionsobjektives oder einer Pupillenebene einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage wird wenigstens ein erfindungsgemäßer Detektor in dieser Ebene oder wie zuvor beschrieben in der Nähe dieser Ebene angeordnet. In the method for setting substantially the same light intensity, for example, in a field plane of the illumination system, an object plane of the projection objective, an image plane of the projection objective or a pupil plane of a microlithography projection exposure apparatus, at least an inventive detector in this plane or as described above in the vicinity of these plane. Die Lichtintensität der Nutzstrahlung, beispielsweise der EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich 11 bis 14 nm, wird mittels des erfindungsgemäßen Detektors gemessen, ergebend einen Istwert. The light intensity of the effective radiation, such as EUV radiation in the wavelength range 11 to 14 nm, as measured by the detector according to the invention, yielding an actual value. Der gemessene Istwert wird sodann mit einem Sollwert, der beispielsweise mit Hilfe beispielsweise einer Kalibriermessung ermittelt wird, verglichen. The measured value is then compared with a reference value, which is determined for example by means such as a calibration measurement. Um die Kalibriermessung ausführen zu können, kann beispielsweise ein Kalibriersensor vorgesehen sein. To perform the calibration, a calibration sensor can be provided for example. Nachdem die Anlage außer Betrieb gesetzt wurde, wird der Kalibriersensor in die Bildebene des Projektionsobjektives, in der das zu belichtende Objekt, beispielsweise der Wafer angeordnet ist, eingebracht, beispielsweise durch mechanisches Einschwenken. After the plant has been decommissioned, the calibration sensor is in the image plane of the projection objective, which is located in the object to be exposed, for example, the wafer is introduced, for example by mechanical swinging. Der Kalibriersensor ist aus Gründen der Stabilität und der Reproduzierbarkeit zumeist als kalibrierte Photodiode ausgeführt. The calibration sensor is usually carried out for reasons of stability and reproducibility as a calibrated photodiode.
  • [0058] [0058]
    Nachdem der Sollwert mit dem Istwert verglichen wurde, wird ein Differenzsignal von Soll- und Istwert gebildet und aufgrund des Differenzsignals mit Hilfe einer Regeleinheit beispielsweise eine Scanning-Geschwindigkeit eines lichtempfindlichen Objektes in einer Bildebene des Projektionsobjektives eingestellt und/oder die Lichtintensität der Lichtquelle entsprechend geregelt bzw. gesteuert. After the target value was compared with the actual value, a differential signal of setpoint and actual value is formed and adjusted due to the differential signal by means of a control unit, for example, a scanning speed of a light-sensitive object in an image plane of the projection objective and / or regulated by the light intensity of the light source corresponding respectively controlled.. Die Lichtintensität der Lichtquelle kann zum einen eingestellt werden über die Taktfrequenz der Lichtquelle oder die Energiemenge der Lichtpulse. The light intensity of the light source can be set to one on the clock frequency of the light source or the amount of energy of the light pulses. Bei Plasmaentladungsquellen kann beispielsweise die Energiemenge der Lichtpulse durch die Entladespannung bzw. den Entladestrom oder die Ladungsmenge je Puls eingestellt werden In plasma discharge sources, for example, the amount of energy of the light pulses are adjusted by the discharge voltage and discharge current and the charge amount per pulse
  • [0059] [0059]
    Neben den oben aufgeführten Möglichkeiten der Regelung der Lichtquelle über die Taktfrequenz, besteht bei den in EUV-Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen verwendeten Plasmalichtquellen eine weitere Möglichkeit die Pulsenergie der Plasmalichtquelle zu beeinflussen darin den Gasdruck und den Gasfluß der Plasmalichtquelle sowie die Gaszusammensetzung zu ändern. In addition to the above-mentioned possibilities of controlling the light source via the clock frequency exists with the plasma light sources used in EUV microlithography projection exposure apparatuses, a further possibility, the pulse energy of the plasma light source influence is to change the gas pressure and the gas flow of the plasma light source, and the gas composition. Betreffend die Gaszusammensetzung wäre es zum Beispiel möglich, dem Plasma Zusatzstoffe, wie beispielsweise Zinn zuzusetzen. Regarding the gas composition, it would be possible, for example, the plasma additives, such as tin add. Des Weiteren könnte das Plasma mit Hilfe einer Zündhilfe, einer Vorionisation oder eines Zündlasers im Zündvorgang beeinflusst werden. Furthermore, the plasma using a starting aid, a pre-ionization or ignition laser could be affected in ignition.
  • [0060] [0060]
    Alternativ oder zusätzlich könnte die Ausleuchtung in der Feldebene eines Beleuchtungssystems durch ein Element zur Beeinflussung der Ausleuchtung in der Feldebene, wie beispielsweise in der Alternatively or additionally, the illumination could at the field level of a lighting system by an element for influencing the illumination in the field level, such as in the WO 2005/040927 WO 2005/040927 offenbart, durch das Signal des Sensors eingestellt werden. revealed to be set by the signal of the sensor. Derartige Elemente werden auch als Abschwächer oder als Elemente zur Einstellung der Uniformität der Feldebene bezeichnet. Such elements are referred to as attenuators or as elements to adjust the uniformity of the field level.
  • [0061] [0061]
    Wird die erfindunggemäße Vorrichtung in einer Pupillenebene platziert, so kann beispielsweise die Pupillenausleuchtung beeinflusst werden, beispielsweise durch ein Abschwächerelement zur Einstellung der Pupillenausleuchtung wie in der The-inventive device placed in a pupil plane, as can be influenced, for example, the pupil illumination, for example by a Abschwächerelement to adjust the pupil illumination as in the WO 2006/06638 WO 2006/06638 offenbart. disclosed.
  • [0062] [0062]
    Der erfindungsgemäße Detektor kann im Beleuchtungssystem, im Bereich des Projektionsobjektives und ganz generell in einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage verwandt werden. The detector according to the invention in the lighting system can be more generally used in a microlithography projection exposure system in the area of the projection objective and.
  • [0063] [0063]
    Mögliche Orte an denen ein erfindungsgemäßer Detektor Verwendung finden kann, ist beispielsweise eine Anordnung als Intensitätssensor in oder nahe einer Pupillenebene. Possible Places Where an inventive detector can be used, for example, an array of intensity sensor in or near a pupil plane. Auch eine Anordnung in oder nahe der Bildebene des Projektionsobjektives, in der der Wafer zu liegen kommt, kommt in Frage. An arrangement in or near the image plane of the projection objective, in which the wafer comes to rest, comes into consideration. Dort kann der Detektor als Unifomitätssensor oder als Spotsensor eingesetzt werden. Where the detector may be used as Unifomitätssensor or as a spot sensor.
  • [0064] [0064]
    Der erfindungsgemäße Detektor kann insbesondere auch bei einem Verfahren zum Belichten eines lichtempfindlichen Objektes in einer Bildebene einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer ersten Strahlung mit Wellenlängen λ < 100 nm, insbesondere mit einer EUV-Strahlung in einem Wellenlängenbereich von 5 nm < λ EUV < 30 nm eingesetzt werden. The detector according to the invention can, in particular in a method for exposing a photosensitive object in an image plane of a microlithography projection exposure apparatus having a first radiation with wavelengths λ <100 nm, in particular with an EUV radiation in a wavelength range of 5 nm <λ EUV <30 nm be used. Bei diesem Verfahren wird die erste Strahlung durch ein Szintillationsmaterial in eine zweite Strahlung einer Wellenlänge > 100 nm umgewandelt. In this method, the first radiation is converted to> 100 nm by a scintillating material to a second radiation of a wavelength. Das Verfahren ist durch nachfolgende Schritte gekennzeichnet: The method being characterized by the following steps:
    • – ein Istwert für eine Lichtintensität der zweiten Strahlung wird von einem Detektor detektiert, - An actual value for a light intensity of the second radiation is detected by a detector,
    • – der Istwert wird mit einem Sollwert verglichen, und - The actual value is compared with a setpoint value, and
    • – auf Basis des Vergleiches eine Scanning-Geschwindigkeit des lichtempfindlichen Objektes und/oder eine Lichtintensität einer Lichtquelle eingestellt. - A scanning speed of the photosensitive object and / or a light intensity of a light source set on the basis of the comparison.
  • [0065] [0065]
    Die Erfindung soll nachfolgend anhand der Ausführungsbeispiele beispielhaft beschrieben werden. The invention will be described below with reference to the embodiments exemplified. Es zeigen: In the drawings:
  • [0066] [0066]
    1 1 einen schematischen Aufbau einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung; a schematic construction of a first embodiment of a device according to the invention;
  • [0067] [0067]
    2a 2a bis to 2c 2c mögliche Ausgestaltungen einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einer Szintillatorschicht possible embodiments of an apparatus according to the invention with a scintillator layer
  • [0068] [0068]
    3a 3a –c mögliche Ausgestaltung des Feld in einer Feldebene des Beleuchtungssystems sowie Definition des Abstandes eines feldnah angeordneten Sensors -c possible embodiment of the field in a field plane of the illumination system and the definition of the distance of a sensor arranged near the field
  • [0069] [0069]
    4 4 eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem und einem Projektionsobjektiv für die EUV-Lithographie mit einem erfindungsgemäßen Sensorelement an unterschiedlichen Positionen. a microlithography projection exposure apparatus with an illumination system and a projection objective for EUV lithography with a sensor element according to the invention at different positions.
  • [0070] [0070]
    5 5 detaillierte Ansicht eines erfindungsgemäßen Sensorelementes in der Nähe einer Feldebene des Beleuchtungssystems detailed view of a sensor element according to the invention in the vicinity of a field plane of the illumination system
  • [0071] [0071]
    6 6 Regelkreis zur Kontrolle einer EUV-Quelle mit einem erfindungsgemäßen Sensorelement. Control circuit for controlling an EUV source with a sensor element according to the invention.
  • [0072] [0072]
    In In 1 1 ist schematisch ein möglicher Aufbau einer erfindungsgemäßen Vorrichtung bzw. eines erfindungsgemäßen Detektors schematically shows a possible configuration of a device according to the invention or a detector 2 2 gezeigt. shown. Der erfindungsgemäße Aufbau umfasst ein Konversionselement The structure of the present invention comprises a conversion element 4 4 mit einem Szintillatormaterial with a scintillator 1 1 , das vorliegend nicht näher dargestellt ist. Which is not shown here in detail. Die auf das Konversionselement auftreffende Strahlung mit einer Wellenlänge < 100 nm, insbesondere im EUV-Wellenlängenbereich wird durch Wechselwirkung mit dem Szintillatormaterial The incident on the conversion element radiation with a wavelength <100 nm, in particular in the EUV wavelength range by interaction with the scintillator material 1 1 in Strahlung mit einer Wellenlänge > 100 nm umgewandelt, ergebend Lumineszenz- bzw. Fluoreszenzlicht. converted into radiation with a wavelength of> 100 nm, yielding luminescent or fluorescent light. Das Lumineszenz- bzw. Fluoreszenzlicht wird mit Hilfe des Lichtleitelements, das vorliegend als Lichtleiter The luminescent or fluorescent light using the light-guiding element, which in the present case as a light guide 3 3 ausgebildet ist, beispielsweise einer Glas- oder Quarzfaser, deren Funktion auf Totalreflexion beruht, an ein Detektionselement, hier eine Fotodiode is formed, for example a glass or quartz fiber whose function is based on total reflection, at a detecting element, here a photodiode 5 5 geleitet und mit Hilfe der Fotodiode guided and with the aid of the photodiode 5 5 detektiert. detected.
  • [0073] [0073]
    In den In the 2a 2a bis to 2c 2c sind mögliche Ausgestaltungen des Konversionselementes im Bereich eines Endes des Lichtleitelementes bzw. Lichtleiters are possible embodiments of the conversion element in the region of one end of the light guide or light conductor 3 3 dargestellt. shown. Für gleiche Bauteile werden in den For the same components are used in the 2a 2a bis to 2b 2b dieselben Bezugszeichen wie in The same reference numerals as in 1 1 verwandt. related.
  • [0074] [0074]
    Das lichtleitende Element gemäß den The light-conducting element in accordance with the 2a 2a bis to 2c 2c besteht aus einer Lichtleitfaser consists of an optical fiber 11 11 mit einem Kern having a core 10 10 sowie einem Mantel and a jacket 12 12 . , Die Lichtleitfaser The optical fiber 11 11 , die als Glasfaser ausgebildet ist, dient dazu, mit Hilfe von Totalreflexion das im Konversionselement mit Szintillatormaterial konvertierte Licht langer Wellenlänge, das auch als Lumineszenz- bzw. als Fluoreszenzlicht bezeichnet wird, zum Fotodetektor zu leiten. , Which is constructed as glass fiber, is used to guide by means of total reflection in the conversion element converted with scintillator long wavelength light, which is also referred to as a luminescent or a fluorescent light to the photodetector. Das Konversionselement The conversion element 20 20 besteht aus einer Szintillatorschicht consists of a scintillator 22 22 . , Die Szintillatorschicht The scintillator 22 22 weist eine erste Fläche has a first surface 24 24 und eine zweite Fläche and a second surface 26 26 sowie eine Dicke D auf. and a thickness D. Die Dicke D der Szintillatorschicht ist bevorzugt < 1 mm, ganz bevorzugt < 0,1 mm, insbesondere bevorzugt < 0,01 mm, insbesondere kleiner 0,001 mm. The thickness D of the scintillator layer is preferably <1 mm, very preferably <0.1 mm, particularly preferably <0.01 mm, in particular less than 0.001 mm. Am bevorzugtesten sind Dicken D zwischen 1 μm und 100 μm, insbesondere 10 μm und 50 μm. Most preferred are thicknesses D between 1 .mu.m and 100 .mu.m, preferably 10 .mu.m and 50 .mu.m. Die Eindringtiefe von Licht in das Szintillatormaterial der Szintillatorschicht beträgt nämlich nur wenige Nanometer, so dass Schichtdicken von weniger als 1 mm ausreichend sind. The penetration depth of light in the scintillator of the scintillator is namely only a few nanometers, so that layer thicknesses of less than 1 mm are sufficient.
  • [0075] [0075]
    Um die Lumineszenz- bzw. Fluoreszenzausbeute zu erhöhen und das Eindringen unerwünschter Strahlung mit Wellenlängen, die sich von der Betriebswellenlänge unterscheiden, zu verhindern, ist vorgesehen, dass die erste Fläche In order to increase the luminescence or fluorescence yield and to prevent the penetration of unwanted radiation with wavelengths which are different from the operating wavelength, it is provided that the first surface 24 24 der Szintillatorschicht the scintillator 22 22 mit einer Filterschicht with a filter layer 30 30 , beispielsweise einer Zirkonschicht von etwa 50 nm Dicke überzogen ist. , For example, a zirconium layer thickness of about 50 nm is coated.
  • [0076] [0076]
    Beim Ausführungsbeispiel gemäß In the embodiment of 2a 2a ist die Szintillatorschicht the scintillator 22 22 auf die Stirnseite on the front face 23 23 der Lichtleitfaser the optical fiber 11 11 aufgebracht. applied.
  • [0077] [0077]
    Beim Ausführungsbeispiel gemäß In the embodiment of 2b 2b ersetzt die Szintillatorschicht replaces the scintillator 22.1 22.1 den Mantel der Lichtleitfaser auf einem kurzen Stück. the sheath of the optical fiber for a short distance. Die Szintillatorschicht hat dann bevorzugt einen kleineren Brechungsindex als der Kern. The scintillator layer has then preferably a lower refractive index than the core. Die Szintillatorschicht kann auch durch Dotierung eines herkömmlichen Mantels in dem entsprechenden Bereich, der mit Bezugsziffer The scintillator can also by doping a conventional jacket in the corresponding area of the reference number 22.1 22.1 gekennzeichnet ist, hergestellt werden. is characterized, can be produced. Der Filter The filter 30 30 umschließt den Mantel von außen. enclosing the shell from the outside.
  • [0078] [0078]
    In einer weiter gebildeten Ausführungsform gemäß In a refined embodiment according to 2c 2c ist die Glasfaser is the fiber 11 11 angeschnitten und die Szintillatorschicht cut and the scintillator 22.2 22.2 auf der angeschnittenen Fläche on of the cut surface 41 41 des Kerns of the core 10 10 angeordnet. arranged.
  • [0079] [0079]
    Die unterschiedlichen Anordnungen der Szintillatorschicht auf der Lichtleitfaser wie in den The different arrangements of the scintillator layer on the optical fiber as in the 2a 2a bis to 2c 2c dargestellt ermöglichen eine optimale Anpassung des Detektorelementes an Bauraumgegebenheiten und Emissionsverhalten des zu detektierenden Signales, ohne dass beispielsweise die Lichtleitfaser gebogen werden muss, was oft zum Bruch der Lichtleitfaser führt. represented allow you to adjust the detector element to space conditions and emission behavior of the signal to be detected, without, for example, the optical fiber must be bent, which often leads to breakage of the fiber.
  • [0080] [0080]
    Bevorzugt weist die Filterschicht eine hohe Transmission für Strahlung < 100 nm, insbesondere EUV-Licht auf. Preferably, the filter layer has a high transmission for radiation <100 nm, in particular EUV-light on. Bevorzugt ist die Transmission für EUV-Licht 80%, insbesondere > 95% und die Reflektion für Floureszenzlicht > 60% insbesondere > 80%. Preferably, the transmission for EUV light is 80%, in particular> 95%, and the reflectance for Floureszenzlicht> 60%, in particular> 80%.
  • [0081] [0081]
    In In 3a 3a und and 3b 3b sind beispielhaft in der Feldebene eines Beleuchtungssystems einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage ausgeleuchtete Felder dargestellt. are shown as an example in the field plane of an illumination system of a microlithography projection exposure apparatus illuminated fields. In In 3c 3c ist die Enstehung eines Halbschattens in der Feldebene dargestellt durch die Anordnung eines Sensors im Beleuchtungsstrahlengang, wobei der Sensor nahe der Feldebene des Beleuchtungssystems angeordnet ist. is the emergence of a half-shadow represented at the field level by the arrangement of a sensor in the illumination beam path, wherein the sensor is positioned close to the field level of the illumination system.
  • [0082] [0082]
    Eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage umfasst ein Beleuchtungssystem zur Ausleuchtung eines Feldes in einer Feldebene sowie ein Projektionsobjektiv, die ein in einer Objektebene angeordnetes Objekt in eine Bildebene abbildet. A microlithography projection exposure apparatus comprises an illumination system for illuminating a field in a field plane and a projection lens that maps a valve disposed in an object plane object in an image plane. Bevorzugt ist das System derart aufgebaut, dass die Feldebene des Beleuchtungssystems mit der Objektebene des Projektionsobjektives zusammenfällt. Preferably, the system is constructed such that the field plane of the illumination system with the object plane of the projection objective coincides. Daher sieht analog zu den Therefore, analogous to see the 3a 3a und and 3b 3b die Form der durch ein Projektionsobjektiv erzeugten Ausleuchtung in der Bildebene des Projektionsobjektives gleich aus. the shape of the illumination generated by a projection lens in the image plane of the projection objective same. Das Bild des ausgeleuchteten Objektes in der Objektebene ist allerdings um den Abbildungsmaßstab des Projektionsobjektives verkleinert. The image of the illuminated object in the object plane is, however, reduced by the magnification of the projection lens. Insofern gelten die nachfolgenden Ausführungen auch für die Bildebene und nicht nur für die Objektebene. In this respect, the following remarks apply to the image plane, and not only for the object level.
  • [0083] [0083]
    Die ausgeleuchteten Felder können beispielsweise eine bogenförmige Form ( The illuminated fields, for example, an arcuate shape ( 3b 3b ) oder eine rechteckige Form ( ) Or a rectangular shape ( 3a 3a ) aufweisen. ) Have. In Systemen, die mit Nutzwellenlängen im Bereich ≥ 193 nm arbeiten, dh bei Systemen die refraktiv aufgebaut sind, sind die ausgeleuchteten Felder im Allgemeinen Rechteckfelder. In systems working with 193 nm in the range ≥ Nutzwellenlängen, ie systems which are composed of refractive, the illuminated fields generally rectangular fields. Bei Systemen, die mit Nutzwellenlängen im Bereich ≤ 100 nm, insbesondere im EUV-Bereich arbeiten sind dies im Allgemeinen bogenförmige Felder. For systems that use Nutzwellenlängen in the range ≤ 100 nm, in particular in the EUV range, these are generally arcuate fields.
  • [0084] [0084]
    Sowohl in Both in 3a 3a wie how 3b 3b ist das lokale karthesische Koordinatensystem in der Feldebene des Beleuchtungssystems eingezeichnet. is located at the field level of the illumination system, the local Cartesian coordinate system. Hierbei bezeichnet die y-Richtung, die Richtung, die parallel zur Scanrichtung ist, und die x-Richtung, die Richtung, die in der Feldebene senkrecht auf der Scanrichtung steht. Herein, the y-direction, the direction which is parallel to the scanning direction, and the x-direction, the direction which is perpendicular to the field level on the scanning direction. Die in The in 3a 3a und and 3b 3b gezeigte Ausleuchtung wird durch das Projektionsobjektiv durch den Abbildungsmaßstab verkleinert und beispielsweise 4-fach, 6-fach oder 8-fach verkleinert in die Bildebene des Projektionsobjektives abgebildet. illumination shown is reduced through the projection lens by the magnification and, for example, 4-fold, 6-fold and 8-fold reduced displayed in the image plane of the projection objective. Dabei bleibt die Form der Ausleuchtung weitgehend erhalten, das heißt die Form der Ausleuchtung in der Bildebene des Projektionsobjektives entspricht der des Objektfeldes in der Objektebene des Projektionsobjektives um den Abbildungsmaßstab verkleinert. The shape of the illumination is substantially maintained, that is, the shape of the illumination in the image plane of the projection objective is that of the object field in the object plane of the projection objective reduced by the image scale. Da bei einer Scanning-Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage das in einer Feldebene ausgeleuchtete Feld relativ zu einer in der Feldebene angeordneten Maske bzw. einem Retikel in einer Scanrichtung verfahren wird, kann die Breite in Richtung des ausgeleuchteten Feldes relativ gering sein und liegt im Bereich einiger mm. Since, in a scanning microlithography projection exposure system the illuminated in a field plane field is moved relative to a arranged at the field level mask or reticle in a scanning direction, the width can be relatively low in the direction of the illuminated field and is in the range of a few mm. In der Richtung senkrecht zur Scanrichtung ist die Ausdehnung des Feldes wesentlich größer und entspricht bevorzugt der Breite des lichtempfindlichen Objektes in der Bildebene. In the direction perpendicular to the scanning direction, the expansion of the field is substantially larger and preferably corresponds to the width of the light-sensitive object in the image plane.
  • [0085] [0085]
    Das Verfahren in Scanrichtung kann durch Verfahren der Ausleuchtung, der Maske oder sowohl von Ausleuchtung als auch Maske erreicht werden. The process in the scanning direction can be achieved by moving the illumination of the mask, or both illumination and mask.
  • [0086] [0086]
    In der Objektebene des Projektionsobjektives ist der Bereich, der für die Ausleuchtung in der Bildebene des Projektionsobjektives benötigt wird mit In the object plane of the projection objective, the area required for the illumination in the image plane of the projection objective is provided with 50 50 bezeichnet. referred to. Wie aus den As seen from the 3a 3a und and 3b 3b hervorgeht, ist der ausgeleuchtete Bereich shows the illuminated area 52 52 in der Objektebene des Projektionssystems größer als der in der Bildebene des Projektionssystems benötigte Bereich in the object plane of the projection system greater than the required in the image plane of the projection system area 50 50 . , Der ausgeleuchtete Bereich The illuminated area 52 52 in der Objektebene des Projektionsobjektives hat Überstände in the object plane of the projection objective has supernatants 54.1 54.1 , . 54.2 54.2 . , Im Bereich der Überstände In the area of the supernatants 54.1 54.1 und and 54.2 54.2 kann ein Sensorelement gemäß der Erfindung, wie beispielsweise in a sensor element according to the invention, such as in 2a 2a bis to 2c 2c gezeigt, angeordnet sein. shown to be arranged. Der Überstand The supernatant 54.1 54.1 mit einem im Bereich des Überstandes angeordneten Sensorelement ist in den Detailansichten with, disposed in the region of the projection sensor element is in the detail views 56.1 56.1 und and 56.2 56.2 dargestellt. shown. In Detailansicht In Detail 56.1 56.1 ist ein in Scanrichtung längliches Sensorelement is an elongated in the scanning direction sensor element 58.1 58.1 mit den durch das Sensorelement verursachten Halbschatten the problems caused by the sensor element penumbra 60.1 60.1 , . 60.2 60.2 gezeigt. shown. In Figur Detailansicht In figure Detail 56.2 56.2 ist ein rundes Sensorelement is a circular sensor element 58.2 58.2 mit durch das Sensorelement verursachtem Halbschatten with arisings by the sensor element penumbra 62 62 gezeigt. shown.
  • [0087] [0087]
    Die Halbschatten The penumbra 60.1 60.1 , . 60.2 60.2 , . 62 62 werden durch die Anordnung des Sensorelementes im Strahlengang vor der Objektebene des Projektionsobjektives erzeugt. are generated by the arrangement of the sensor element in the beam path in front of the object plane of the projection objective. Dies ist in This is in 3c 3c für ein rundes Sensorelement for a round sensor element 58.2 58.2 gezeigt. shown. In In 3c 3c bezeichnet: referred to:
    h: h:
    den in senkrechter Richtung gemessenenen Abstand des Sensorelementes the gemessenenen in the direction perpendicular distance of the sensor element 68 68 von der Feldebene from the field level 70 70 , in der eine strukturierte Maske In which a patterned mask 72 72 , das sogenannte Retikel angeordnet ist , The so-called reticle is arranged
    w: w:
    die Ausdehnung des Sensorelementes the extension of the sensor element
    v: v:
    die Ausdehnung des aufgrund der Anordnung des Sensorelementes in der Objektebene nicht ausgeleuchteten Bereiches mit Halbschatten the extension of the due to the arrangement of the sensor element in the object plane is not illuminated area with partial shade 62 62
  • [0088] [0088]
    Gibt man als maximalen Ausdehnung der Halbschatten eine Ausdehnung vor, die 44% der Ausdehnung des Sensorelementes bei einem runden Sensorelement nicht überschreiten darf, so ergibt sich bei einer für EUV-Systeme üblichen numerischen Apertur NA Obj = 0,0625 am Objekt in der Objektebene und einer Ausdehnung w = 1 mm für das Sensorelement eine maximale Ausdehnung des Halbschattens von u = 0,1 mm. Is specified as the maximum extension of the penumbral an extension before, which may not exceed 44% of the expansion of the sensor element in a circular sensing element so will result from the usual for EUV systems numerical aperture NA obj = 0.0625 on the object in the object plane and an extension w = 1 mm for the sensor element, a maximum expansion of the penumbra of u = 0.1 mm. Der maximale Abstand h beträgt dann: The maximum distance h is then:
    h ≈ u/NA = 0,1 mm/0,0625 = 1,6 mm h ≈ u / NA = 0.1 mm / 0.0625 = 1.6 mm
  • [0089] [0089]
    Nah an der Objektebene angeordnet bedeutet dann, dass der Abstand dieses Sensorelementes von der Objektebene geringer als 500 mm, bevorzugt geringer als 300 mm, bevorzugt geringer als 200 mm, insbesondere geringer als 100 mm, ganz bevorzugt geringer als 50 mm ist. Arranged close to the object plane, then means that the distance of this sensing element from the object plane is less than 500 mm, preferably less than 300 mm, preferably less than 200 mm, in particular less than 100 mm, more preferably less than 50 mm.
  • [0090] [0090]
    In In 4 4 ist beispielhaft eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage dargestellt, bei der ein erfindungsgemäßer Detektor eingesetzt wird. is shown as an example of an EUV projection exposure system in which an inventive detector is used.
  • [0091] [0091]
    Die Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage gemäß The microlithography projection exposure apparatus according 4 4 umfasst ein Beleuchtungssystem comprises an illumination system 240 240 und ein Projektionsobjektiv and a projection lens 250 250 . , Das Beleuchtungssystem The illumination system 240 240 umfasst eine Lichtquelle includes a light source 100 100 , die Licht mit einer bestimmten Wellenlänge, insbesondere einer Nutzstrahlung, emittiert. Light having a specific wavelength, particularly a useful radiation emitted. Das Licht der Wellenlänge < 100 nm und liegt bevorzugt im, EUV-Bereich beispielsweise bei 13,5 nm. Das von der Lichtquelle emittierte Licht wird durch den Kollektor The light of wavelength <100 nm and is preferably in the EUV range, for example at 13.5 nm. The light emitted by the light source light is transmitted through the collector 102 102 , der als grazing-incidence-Kollektor gemäß dem in der , As the grazing-incidence collector in accordance with the in WO 2002/27400 WO 2002/27400 gezeigt, aufgebaut ist, gesammelt. is shown constructed collected.
  • [0092] [0092]
    Die von der Lichtquelle ausgesandte Strahlung wird mit Hilfe des spektralen Filterelementes The light emitted by the light source radiation is by means of the spectral filter element 107 107 zusammen mit der Aperturblende together with the aperture stop 109 109 gefiltert, so dass hinter der Aperturblende filtered, leaving behind the aperture stop 109 109 im Wesentlichen nur Nutzstrahlung, bspw. von 13,5 nm vorliegt. essentially only useful radiation, eg. of 13.5 nm is present. Der Spektralfilter in Form eines Gitterelementes beugt das auf das Gitterelement auftreffende Licht in unterschiedliche Richtungen bspw. in die –1. The spectral filter in the form of a grating element diffracts the example, on the grating element incident light in different directions. In the -1. Beugungsordnung. Diffraction order. Die Aperturblende The aperture 109 109 ist in oder nahe des Zwischenbildes is in or near the intermediate image, 111 111 der primären Lichtquelle the primary light source 100 100 in der –1. in the -1. Beugungsordnung angeordnet. Diffraction order placed.
  • [0093] [0093]
    In einer Ausgestaltung der Erfindung kann vorgesehen sein, einen erfindungsgemäßen Detektor In one embodiment of the invention can be provided according to the invention a detector 200.1 200.1 wie in den as in the 2a 2a bis to 2c 2c dargestellt nahe des Zwischenfokus shown near the intermediate focus 111 111 der Lichtquelle im Lichtweg von der Lichtquelle the light source in the light path from the light source 100 100 zur Feldebene the field level 202 202 des Beleuchtungssystems of the illumination system 240 240 vor der Aperturblende in front of the aperture 109 109 anzuordnen. to arrange. Der Detektor The detector 200.1 200.1 , kann in dieser Position ein Lichtsignal der Lichtquelle Can in this position, a light signal of the light source 100 100 , falls das Zwischenbild If the intermediate image 111 111 der Lichtquelle the light source 100 100 größer ist als die Aperturöffnung der Aperturblende larger than the aperture of the aperture stop 109 109 . , In einer derartigen Position kann ein Lichtintensitätssignal detektieren werden, das unbeeinflusst von den optischen Komponenten des nachfolgenden Beleuchtungssystems ist. In such a position, a light intensity signal to be detected, which is unaffected by the subsequent optical components of the illumination system. Bevorzugt werden vor der Aperturblende Preference is given before the aperture 109 109 vier oder mehr Detektoren angeordnet. four or more detectors arranged. Beispielsweise mit einer Quadrantendetektion wie in der For example, with a quadrant detection as in the WO2004/031 854 WO2004 / 031854 offenbart, kann nicht nur die Lichtintensität gemessen werden, sondern aus den gemessenen Intensitäten der jeweiligen Quadrantendetektoren Assymmetriesignale und Symmetriesignale erhalten werden, mit denen zusätzlich eine Dejustage der Lichtquelle reveals not only the light intensity can be measured, but can be obtained from the measured intensities of the respective quadrant detectors Assymmetriesignale and symmetry signals that an additional misalignment of the light source 100 100 relativ zum Beleuchtungssystem, das im Lichtweg hinter der Aperturblende relative to the illumination system in the light path behind the aperture stop 109 109 liegt, detektiert weden kann. is, can Vedas detected. Der Offenbarungsgehalt betreffend die Quadrantendetektion wie in der The disclosure relating to the quadrant detection as in the WO2004/031 854 WO2004 / 031854 beschrieben, wird in den Inhalt der vorliegenden Anmeldung vollumfänglich miteingeschlossen. described, is included in full in the content of this application.
  • [0094] [0094]
    Das Beleuchtungssystem The illumination system 240 240 der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage umfasst im Lichtweg nach dem Zwischenfokus microlithography projection exposure apparatus includes in the light path after the intermediate focus 111 111 des Weiteren ein erstes facettiertes optisches Element further comprises a first facetted optical element 113 113 mit ersten Facetten sog. Feldrasterelementen, die bei katoptrischen Systemen als kleine Facettenspiegel ausgebildet sind und ein zweites optisches Element with so-called first facet. field raster elements formed at catoptric systems as small facet mirror and a second optical element 115 115 mit zweiten Facetten sog. Pupillenrasterelementen bzw. Pupillenfacetten, die bei katoptrischen Systemen ebenfalls als Facettenspiegel ausgebildet sind. with so-called second facets. pupil raster elements or pupil facets formed at catoptric systems also as a facet mirror. Das erste optische Element The first optical element 113 113 , umfassend die Feldfacetten zerlegt das Lichtbüschel Comprising the field facet splits the light pencil 117 117 , dass von der primären Lichtquelle That of the primary light source 100 100 her auftrifft in eine Vielzahl von Lichtbündeln. forth incident into a plurality of light beams. Jedes Lichtbündel wird fokussiert und bildet eine sekundäre Lichtquelle aus am Ort oder nahe des Ortes an der das zweite optische facettierte Element Each light beam is focused and forms a secondary light source at the site or near the place at which the second optical element faceted 115 115 mit Pupillenrasterelementen angeordnet ist. is arranged with pupil raster elements.
  • [0095] [0095]
    Eine weitere Möglichkeit wäre eine Anordnung wenigstens eines Detektors Another possibility would be an arrangement of at least one detector 200.2 200.2 auf dem Feldfacettenspiegel on the field facet mirror 113 113 . , Ein derartiger Detektor ist dann im Fernfeld der aus Lichtquelle Such a detector is then in the far field of the light source 100 100 und Kollektor and collector 102 102 bestehenden sogenannten Quelle/Kollektoreinheit angeordnet. existing so-called source / collector unit arranged. Der erfindungsgemäße Detektor ist ein Detektor wie in einer der The detector according to the invention is a detector as described in one of the 2a 2a bis to 2c 2c dargestellt. shown. Es kann ein Detektor oder mehrere Detektoren auf dem Feldfacettenspiegel It can be a detector or multiple detectors on the field facet mirror 113 113 angeordnet sein. be located. Der oder die Detektoren The one or more detectors 200.2 200.2 sind auf dem Feldfacettenspiegel, der eine Vielzahl von Feldfacetten umfasst neben den einzelnen Feldfacetten beispielsweise in Lücken zwischen zwei benachbarten Feldfacetten auf einem Trägerelement für die einzelnen Feldfacetten angeordnet. are on the field facet mirror arranged a plurality of field facets includes not only the individual field facets for example in gaps between two adjacent field facets on a support element for each field facets. Die Feldfacetten sind bei einem EUV-Beleuchtungssystem reflektiv als Feldfacettenspiegel ausgebildet. The field facets are formed at a reflective EUV illumination system as a field facet mirror. Mit Detektoren With detectors 200.2 200.2 , die auf dem Feldfacettenspiegel angeordnet sind, ist es möglich Schwankungen der Quell-Intensität zu messen. Which are arranged on the field facet mirror, it is possible to measure variations in the source intensity. Eine Anordnung von Detektoren auf einem Feldfacettenspiegel neben einzelnen Feldfacetten auf dem Trägerelement ist in der An array of detectors on a field facet mirror next to each field facet on the support element is in the WO2004/031 854 WO2004 / 031854 gezeigt. shown. Der Inhalt der The content of the WO 2004/031854 WO 2004/031854 wird diesbezüglich vollumfänglich in den Offenbarungsgehalt der vorliegenden Anmeldung mitaufgenommen. in this respect is fully included in the disclosure of the present application.
  • [0096] [0096]
    Besonders bevorzugt ist die Anordnung eines Detektors im Projektionsobjektiv Particularly preferred is the arrangement of a detector in the projection objective is 250 250 . ,
  • [0097] [0097]
    In der Objektebene In the object plane 203 203 des Projektionsobjektives ist ein Retikel of the projection objective is a reticle 201 201 auf einem Transportsystem angeordnet. disposed on a conveyor system. Das in der Objektebene That in the object plane 203 203 angeordnete Retikel wird mit Hilfe des Projektionsobjektives reticle is arranged with the aid of the projection objective 250 250 auf ein lichtsensitives Substrat onto a light-sensitive substrate 220 220 bspw. einen Wafer in der Bildebene for example, a wafer in the image plane 205 205 des Projektionsobjektives abgebildet. of the projection objective shown. Der Wafer bzw. das Substrat ist im Wesentlichen in der Bildebene The wafer or substrate is substantially in the image plane 205 205 des Projektionsobjektives of the projection objective 250 250 angeordnet. arranged. Die gleichmäßige Belichtung des lichtempfindlichen Substrates wird durch eine Regeleinheit The uniform exposure of the photosensitive substrate is controlled by a control unit 209 209 , die die Scan-Geschwindigkeit des Trägersystems That the scanning speed of the carrier system 270 270 auf dem das lichtempfindliche Substrat angeordnet ist, einstellt oder die Taktfrequenz der Lichtquelle in Abhängigkeit von dem vom Detektor at which the photosensitive substrate is disposed, or adjusts, the clock frequency of the light source in response to the detector from 200.1 200.1 , . 200.2 200.2 , . 200.3.1 200.3.1 , . 200.3 200.3 , . 200.4 200.4 aufgenommenen Lichtsignal geregelt. received light signal regulated.
  • [0098] [0098]
    Um die Änderung der Lichtintensität in einer Objektebene To the change in light intensity in an object plane 203 203 des Projektionsobjektives und damit auch in der Bildebene of the projection objective, and thus also in the image plane 205 205 des Projektionsobjektives, in der das auszuleuchtende Objekt, beispielsweise der Wafer angeordnet ist, beispielsweise aufgrund von Schwankungen der Lichtquelle oder durch das Einbringen einer Blende zur Einstellung der Ausleuchtungen aufzunehmen, kann in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung vorgesehen sein, wenigstens einen erfindungsgemäßen Detektor wie in den of the projection lens in which the to be illuminated object, such as the wafer is arranged to receive for adjusting the illumination, for example due to fluctuations of the light source or by the introduction of a collimator may be provided in a further embodiment of the invention, at least one detector of the present invention as described in the 2a 2a bis to 2c 2c dargestellt, in oder nahe der Objektebene oder in oder nahe der Bildebene shown, in or near the object plane or in or near the image plane 205 205 anzuordnen. to arrange.
  • [0099] [0099]
    Der in The in 4 4 gezeigte Detektor detector shown 200.3 200.3 ist nahe der Objektebene is near the object plane 203 203 des Projektionsobjektives in der eine strukturierte Maske, das sogenannte Retikel of the projection objective in a patterned mask, the so-called reticle 201 201 angeordnet ist, plaziert. is arranged, placed. Eine Anordnung in der Objektebene An arrangement in the object plane 203 203 ist im Regelfall nicht möglich, weil das Retikel is usually not possible because the reticle 201 201 mechanisch austauschbar ausgebildet sein soll. should be designed to be mechanically interchangeable. Bei einer Anordnung nahe der Objektebene In one arrangement, near the object plane 203 203 ist darauf zu achten, dass der durch das Öffnungsverhältnis der Beleuchtung gegebene Halbschatten den ausgeleuchteten Bereich in der Objektebene make sure that the given through the aperture ratio of lighting penumbra the illuminated region in the object plane 203 203 nur so wenig wie möglich vignettiert wird. as little as possible vignetting. Diesbezüglich wird auf die Beschreibung zu In this regard, to the description 3c 3c verwiesen. referenced.
  • [0100] [0100]
    In In 4 4 stimmt die Objektebene determines the object plane 203 203 des Projektionsobjektives of the projection objective 250 250 im wesentlichen mit der Feldebene substantially with the field plane 202 202 des Beleuchtungssystems of the illumination system 240 240 überein. match.
  • [0101] [0101]
    Möglich wäre auch eine Anordnung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung im Projektionsobjektiv It could also be an arrangement of a device according to the invention in the projection objective 250 250 mit sechs Spiegeln S1, S2, S3, S4, S5, S6, beispielsweise als Intensitätssensor in oder nahe einer Pupillenebene E des Projektionsobjektives. with six mirrors S1, S2, S3, S4, S5, S6, for example, as intensity sensor in or near a pupil plane E of the projection objective. Ein derartiger Sensor ist mit Bezugsziffer Such a sensor is the reference number 200.5 200.5 bezeichnet. referred to. Auch eine Anordnung in oder nahe der Bildebene An arrangement in or near the image plane 205 205 des Projektionsobjektives of the projection objective 250 250 , in der der Wafer , In which the wafer 220 220 zu liegen kommt, kommt in Frage. comes to rest, comes into consideration. Dort kann der Detektor als Unifomitätssensor oder als Spotsensor eingesetzt werden. Where the detector may be used as Unifomitätssensor or as a spot sensor. Ein in der Bildebene In the image plane 205 205 des Projektionsobjektives of the projection objective 250 250 angeordneter Sensor ist mit Bezugsziffer sensor disposed with reference number 200.6 200.6 bezeichnet. referred to.
  • [0102] [0102]
    In dem gezeigten Ausführungsbeispiel umfasst das Projektionsobjektiv In the illustrated embodiment comprises the projection lens 250 250 sechs Spiegel, einen ersten Spiegel S1, einen zweiten Spiegel S2, einen dritten Spiegel S3, einen vierten Spiegel S4, einen fünften Spiegel S5 und einen sechsten Spiegel S6, die um eine gemeinsame optische Achse HA zentriert angeordnet sind. six mirrors, a first mirror S1, S2 a second mirror, a third mirror S3, a fourth mirror S4, a fifth mirror S5 and a sixth mirror S6 arranged centered around a common optical axis HA. Das dargestellte Projektionsobjektiv The projection lens shown 250 250 hat eine positive Schnittweite. has a positive intercept length. Dies bedeutet, dass der Hauptstrahl CR zum zentralen Feldpunkt, der vom Retikel reflektiert wird in eine Richtung hin zum Retikel in das Projektionsobjektiv läuft. This means that the chief ray CR running to the central field point, which is reflected by the reticle in a direction toward the reticle to the projection objective. Auch Projektions-Objektive mit negativer Schnittweite sind möglich, wie beispielsweise in der Also projection lenses with negative length are possible, such as in the WO 2004/010224 WO 2004/010224 offenbart. disclosed. Der Schnittpunkt S der optischen Achse HA des Objektivs mit dem am Retikel reflektierten Hauptstrahl CR zum zentralen Feldpunkt ergibt die Lage der Eintrittspupille E, die mit der Austrittspupille des Beleuchtungssystems übereinstimmt. The point of intersection S of the optical axis HA of the lens with the reflected chief ray CR at the reticle to the central field point gives the position of the entrance pupil E, which coincides with the exit pupil of the illumination system. Durch eine Blende (nicht gezeigt) bzw. eine veränderbare Zuordnung von Feldfacetten zu Pupillenfacetten, kann die Ausleuchtung in der Pupillenebene bzw. in der Eintrittspupille geändert, werden. Through a hole (not shown) and a variable assignment of field facets to pupil facets, the illumination in the pupil plane or in the entrance pupil can be changed,.
  • [0103] [0103]
    Die zuvor erläuterten Anordnungen sind lediglich beispielhaft. The above-described arrangements are merely exemplary.
  • [0104] [0104]
    Der Detektor gemäß der Erfindung kann im Lichtweg von der Lichtquelle zur Objektebene The detector according to the invention can in the light path from the light source to the object plane 203 203 auch an anderen beliebigen Orten im Projektionsobjektiv plaziert werden. be placed in other anywhere in the projection lens. Auch ist es möglich, mehrere Detektoren (nicht gezeigt) einzusetzen, die an verschiedenen Orten angeordnet sind. It is also possible to have multiple detectors (not shown) inserted which are arranged in different places. Alternativ kann der Detektor Alternatively, the detector 200.1 200.1 , . 200.2 200.2 , . 200.3 200.3 ., ., 200.4 200.4 , . 200.5 200.5 , . 200.6 200.6 auch verfahrbar ausgebildet sein. also be designed movable. Selbstverständlich sind die Detektoren Of course, the detectors 200.1 200.1 , . 200.2 200.2 , . 200.3 200.3 , . 200.4 200.4 , . 200.5 200.5 , . 200.5 200.5 , . 200.6 200.6 lediglich beispielhaft; example only; in den eingezeichneten Positionen wäre es auch möglich nicht nur einen Detektor anzuordnen, sondern eine Vielzahl derartiger Detektoren wie zuvor ja auch bereits beschrieben. in the marked positions, it would also be possible not only to arrange a detector, but a large number of such detectors as previously described, too.
  • [0105] [0105]
    Eine weitere mögliche Anordnung des Detektors könnte in einer Pupillenebene sein. Another possible arrangement of the detector could be in a pupil plane.
  • [0106] [0106]
    Im Beleuchtungssystem ist eine Pupillenebene eine Ebene, in der die Austrittspupille des Beleuchtungsystems zu liegen kommt bzw. eine zur Austrittspupille konjugierte Ebene. In the illumination system pupil plane is a plane in which the exit pupil of the illumination system comes to lie or a conjugated plane to the exit pupil. Beispielsweise ist das zweite facettierte optische Element, der sogenannte Pupillenfacettenspiegel in einer Pupillenebene angeordnet. For example, the second facetted optical element, the so-called pupil facet mirror is arranged in a pupil plane. Ein Detektor A detector 200.4 200.4 gemäß der Erfindung könnte daher auf dem Pupillenfacettenspiegel according to the invention may therefore on the pupil facet mirror 115 115 angeordnet sein. be located. Der auf dem Pupillenfacettenspiegel angeordnete Detektor The arranged on the pupil facet mirror detector 200.4 200.4 bzw. die auf dem Pupillenfacettenspiegel angeordneten Detektoren werden in der Regel mit Licht beleuchtet, dass von einer oder mehreren Feldfacette des Feldfacettenspiegels or arranged on the pupil facet mirror illuminated detectors are usually light with that of one or more field facet of the field facet mirror 113 113 aufgenommen und auf den Detektor was added and the detector 200.4 200.4 gelenkt wird. is directed. Das Licht wird von der Feldfacette des Feldfacettenspiegels The light from the field facet of the field facet mirror 113 113 aus dem Beleuchtungsstrahlengang, der zur Ausleuchtung der Feldebene beiträgt, ausgekoppelt und trägt daher zu der Feldausleuchtung nicht bei. of the illumination beam path, which contributes to illuminate the field level, decoupled and therefore does not contribute to the illumination field. Mit Hilfe eines derartigen Detektors, der auf dem Trägerelement des Pupillenfacettenspiegels angeordnet ist, kann nicht nur eine Schwankung der Lichtintensität der Lichtquelle With the help of such a detector, which is arranged on the carrier element the pupil facet mirror, not only a variation in the light intensity of the light source 100 100 bestimmt werden, sondern auch die Positionierung des aus Lichtquelle be determined, but also the positioning of the light source from 100 100 und Kollektor and collector 102 102 bestehenden Quell-/Kollektormoduls relativ zu dem nachfolgenden Belichtungssystem wie in der existing source / collector module relative to the subsequent exposure system as in the WO2004/031854 WO2004 / 031854 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mit aufgenommen wird. the disclosure of which is hereby fully incorporated into the present application.
  • [0107] [0107]
    Das vom Detektor The detector from 200.1 200.1 , . 200.2 200.2 , . 200.3 200.3 ., ., 200.4 200.4 ., ., 200.4 200.4 aufgenommene Lichtsignal kann direkt als Steuersignal oder als Regelsignal für eine Steuer-/Regeleinheit received light signal can directly control signal or as a control signal for a control / regulating unit 209 209 beispielsweise zur Einstellung der Scangeschwindigkeit beispielsweise über Leitung For example, to set the scan speed, for example via line 211 211 und/oder der Lichtintensität der Lichtquelle verwandt werden. the light intensity of the light source can be used and / or. Mit dem Signal des erfindungsgemäßen Detektors können beispielsweise Intensitätsschwankungen der Lichtquelle geregelt bzw. kompensiert werden. The signal of the detector according to the invention, for example, intensity fluctuations of the light source can be controlled or compensated.
  • [0108] [0108]
    Im vorliegenden Ausführungsbeispiel einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage sind darüber hinaus im Lichtweg hinter dem zweiten facettierten optischen Element dem Pupillenfacettenspiegel zwei normal-incidence-Spiegel In the present embodiment, a microlithography projection exposure system two normal-incidence mirrors are also in the light path behind the second faceted optical element the pupil facet mirror 170 170 , . 172 172 , und ein grazing-incidence-Spiegel And a grazing-incidence mirror 174 174 zur Abbildung der Pupillenfacetten in die Eintrittspupille E des Projektionsobjektives zur Formung des Feldes in der Objektebene dargestellt. shown for imaging the pupil facets in the entrance pupil E of the projection lens for forming the field in the object plane. Besitzen die Feldrasterelemente die Form des auszuleuchtenden Feldes so ist es nicht erforderlich einen Spiegel für die Feldformung vorzusehen Do the field raster elements in the form of the field to be illuminated so it is not necessary to provide a mirror for the field shaping
  • [0109] [0109]
    Detektoren zur Pupillenausleuchtung können nicht nur in einer Pupillenebene im Beleuchtungssystem, sondern auch in einer Pupillenebene im Projektionsobjektiv angeordnet sein. Detectors for pupil illumination can be arranged not only in a pupil plane in the illumination system, but also in a pupil plane of the projection lens.
  • [0110] [0110]
    Die Eintrittspupille E des Projektionsobjektives, die mit der Austrittspupille des Beleuchtungssystems übereinstimmt und eine Pupillenebene im Projektionsobjektiv darstellt, ergibt sich durch den Schnittpunkt der optischen Achse HA des Projektionsobjektives The entrance pupil E of the projection objective, which coincides with the exit pupil of the illumination system and represents a pupil plane in the projection objective, is given by the intersection of the optical axis HA of the projection objective 250 250 mit dem am Retikel reflektierten Hauptstrahl CR zum zentralen Feldpunkt Z des in with the reflected beam at the reticle main CR to the central field point Z in the 3 3 gezeigten Feldes. shown field.
  • [0111] [0111]
    Generell ist die in In general, the in's 4 4 beschriebene EUV-Projektionsbelichtungsanlage lediglich als Beispiel zu verstehen, ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt ist. to be understood merely described EUV projection exposure system as an example, without the invention being limited thereto.
  • [0112] [0112]
    Die erfindungsgemäßen Detektoren sind in beliebig aufgebauten Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen, insbesondere für Wellenlängen < 100 nm verwendbar. The detectors according to the invention are constructed in any microlithography projection exposure apparatus, especially for wavelengths <100 nm can be used. Die Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen weisen ganz allgemein ein Belichtungssystem zur Ausleuchtung eines Feldes und zur Formung einer Winkelverteilung in einer Austrittspupille sowie ein Projektionsobjektiv zur Abbildung eines Objektes in einer Objektebene in ein Bild in einer Bildebene auf. The microlithography projection exposure systems generally have an exposure system for illuminating a field, and for forming an angular distribution in an exit pupil and a projection objective for imaging an object in an object plane into an image in an image plane.
  • [0113] [0113]
    In In 5 5 ist nochmals detailliert eine mögliche Anordnung eines erfindungsgemäßen Detektors is again in detail a possible arrangement of a detector according to the invention 1000 1000 in oder nahe einer Objektebene und/oder Bildebene dargestellt. shown in or near an object plane and / or image plane. Ein Detektor in einer derartigen Position ist auch in A detector in such a position is also in 4 4 mit Bezugsziffer with reference number 200.3 200.3 gezeigt. shown. Der Detektor The detector 1000 1000 umfasst ein Konversionselement includes a conversion element 1010 1010 , ein lichtleitendes Element , A photoconductive element 1020 1020 sowie ein Detektionselement and a detection element 1030 1030 . , Des Weiteren zu erkennen ist die Feldebene Furthermore, to detect the field plane 1040 1040 des Beleuchtungssystems sowie das durch die von der Lichtquelle her einfallende EUV-Strahlung the lighting system and the light passing through the light source of the EUV radiation ago 1070 1070 ausgeleuchtete Feld illuminated field 1080 1080 . , Die Feldebene The field level 1040 1040 ist ebenfalls in is also in 4 4 dargestellt und in and shown in 4 4 mit der Bezugsziffer by the reference numeral 202 202 belegt. occupied. Das ausgeleuchtete Feld The illuminated field 1080 1080 hat die Form wie in has the shape as shown in 3b 3b dargestellt Das Licht der Lichtquelle (nicht dargestellt) wird durch das Beleuchtungssystem geleitet, das wie in The illustrated light of the light source (not shown) is passed through the illumination system as shown in 4 4 gezeigt, aufgebaut sein kann. shown, can be constructed. Der EUV-Beleuchtungsstrahlengang der von der Lichtquelle her einfällt ist mit The EUV illumination beam is incident from the light source forth with 1070 1070 bezeichnet. referred to. In der Feldebene At the field level 1080 1080 wird beispielsweise an einem reflektiv ausgestalteten Retikel For example, on a reflective reticle designed 1090 1090 (nicht gezeigt) die einfallende Beleuchtungsstrahlung (Not shown), the incident illumination radiation 1070 1070 reflektiert und gelangt in einem Abbildungsstrahlengang reflected and enters an imaging beam path 1090 1090 in das Projektionsobjektiv, mit dessen Hilfe die Struktur des Retikels auf eine lichtempfindliche Schicht abgebildet wird. in the projection objective, with the aid of which the pattern of the reticle is imaged onto a photosensitive layer.
  • [0114] [0114]
    Der Szintillatorkopf The Szintillatorkopf 1010 1010 zur Aufnahme des Lichtsignales ist im Strahlengang for receiving the optical signal is in the beam path 1070 1070 , wie beispielsweise in Such as in 3c 3c dargestellt, angeordnet. shown, respectively. Der sich durch die Anordnung des Detektors ergebende Halbschatten ist in The resulting by the arrangement of the detector is in partial shade 3c 3c gezeigt. shown.
  • [0115] [0115]
    Die Anordnung nahe zur Feldebene wird bestimmt durch die Größe des Halbschattens, wie im Ausführungsbeispiel zu The assembly adjacent to the field level is determined by the size of the penumbra, as in the embodiment to 3c 3c beschrieben. described.
  • [0116] [0116]
    In In 6 6 ist nochmals schematisch der Regelkreis dargestellt, mit dem eine gleichmäßige Ausleuchtung in der Feldebene sichergestellt wird. is again schematically the control loop shown, with a uniform illumination is ensured at the field level. Das von der Lichtquelle From the light source 2000 2000 abgegebene Licht wird mittels der Detektionsvorrichtung light emitted by means of the detection device 2020 2020 gemessen. measured. Als Detektionselement wird eine Fotodiode The detection element is a photodiode 2030 2030 eingesetzt. used. Bei Verwendung einer Fotodiode kann mit Hilfe eines Wandlers When using a photodiode, with the help of a transducer 2050 2050 ein Ist-Signal, beispielsweise ein Ist-Spannungssignal erzeugt werden, das einer Regeleinheit an actual signal such as an actual voltage signal can be generated, the control unit of a 2060 2060 zugeführt wird. is supplied. Die Regeleinheit vergleicht das Ist-Spannungssignal mit einem Soll-Signal The control unit compares the actual voltage signal with a reference signal 2070 2070 und regelt in dem dargestellten Ausführungsbeispiel dann die Lichtintensität der Lichtquelle, beispielsweise indem sie die Taktfrequenz der Lichtquelle ändert. and controls in the illustrated embodiment, then the light intensity of the light source, for example by changing the clock frequency of the light source.
  • [0117] [0117]
    Mit der vorliegenden Erfindung wird somit erstmals eine Vorrichtung angegeben, mit der EUV-Strahlung detektiert werden kann und das Detektionselement eine sehr hohe Lebensdauer aufweist. With the present invention a device is thus provided for the first time, can be detected with the EUV radiation and the detection element has a very long service life. Weitere Vorteile der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind ihre mechanische und thermische Unempfindlichkeit und ihre weitgehende Wartungsfreiheit. Other advantages of the device according to the invention are their mechanical and thermal insensitivity and virtually maintenance-free. Darüber hinaus können die Vorrichtungen leicht in ihren geometrischen Formen an die Nachweisgebiete angepasst werden. In addition, the devices can be easily adapted to their geometric shapes to the detection areas. Aufwendige Fassungen sind nicht nötig. Elaborate versions are not necessary.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION
  • [0118] [0118]
    Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. This list of references cited by the applicant is generated automatically and is included solely to inform the reader. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. The list is not part of the German patent or utility model application. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen. The DPMA shall not be liable for any errors or omissions.
  • Zitierte Patentliteratur Patent literature cited
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International ClassificationG03F7/20, G01J1/58, G01J1/42
Cooperative ClassificationG03F7/70558
European ClassificationG03F7/70L4B
Legal Events
DateCodeEventDescription
24 Feb 20118127New person/name/address of the applicant
Owner name: CARL ZEISS SMT GMBH, 73447 OBERKOCHEN, DE
23 Aug 2012R120Application withdrawn or ip right abandoned
Effective date: 20120623