DE102008031405A1 - Barrier layer-encapsulated electronic component, e.g. LED, is obtained by successively applying layers by plasma-less atomic layer deposition and plasma-enhanced chemical vapor deposition - Google Patents

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Abstract

Production of an electronic component encapsulated in barrier layers involves (a) applying first barrier layer(s) (3) to a functional layer of a substrate (1) by plasma-less atomic layer deposition (PLALD) and (b) applying second barrier layer(s) (4) to the functional layer by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). An independent claim is included for an organic opto-electronic component obtained by the process.

Description

Es werden ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und ein organisches elektronisches Bauelement angegeben.It be a method of producing an organic electronic Component and an organic electronic component specified.

Für einen dauerhaften Betrieb von organischen Bauelementen wie etwa organischen lichtemittierenden Dioden (OLEDs) ist es oft erforderlich, diese vor Feuchtigkeit zu schützen. Insbesondere kann es erforderlich sein, dass die organischen Bauelemente umfassenden Lebensdauertests unterzogen werden, um sicherzustellen, dass sie im alltäglichen Gebrauch über Jahre ihre Funktionalität bewahren können.For one permanent operation of organic components such as organic Light emitting diodes (OLEDs) often require this to protect from moisture. In particular, it may be necessary for the organic components undergo extensive life testing to ensure that in everyday use for years their functionality can preserve.

Eine Aufgabe von zumindest einer Ausführungsform ist es daher, ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements mit einer Verkapselung anzugeben. Weiterhin ist es eine Aufgabe von zumindest einer Ausführungsform, ein organisches elektronisches Bauelement mit einer Verkapselung anzugeben.A Task of at least one embodiment It is therefore, a process for producing an organic electronic Specify a device with an encapsulation. Furthermore, it is a task at least one embodiment, an organic electronic device with an encapsulation specify.

Diese Aufgaben werden durch das Verfahren und den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens und des Gegenstands sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.These Problems are solved by the method and subject matter of the independent claims. advantageous embodiments and further developments of the method and the subject are in the dependent claims and continue to be understood from the description below and the drawings.

Ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements mit Barrierenschichten zur Verkapselung des Bauelements gemäß einer Ausführungsform umfasst insbesondere die Schritte:

  • – Bereitstellen eines Substrats mit zumindest einer organischen funktionellen Schicht,
  • – Aufbringen zumindest einer ersten Barrierenschicht auf der organischen funktionellen Schicht mittels plasmaloser Atomschichtenabscheidung (PLALD) und
  • – Aufbringen zumindest einer zweiten Barrierenschicht auf der organischen funktionellen Schicht mittels plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung (PECVD).
A method for producing an organic electronic component with barrier layers for encapsulating the component according to an embodiment comprises in particular the steps:
  • Providing a substrate having at least one organic functional layer,
  • Applying at least one first barrier layer on the organic functional layer by means of plasmalose atomic layer deposition (PLALD) and
  • Applying at least one second barrier layer on the organic functional layer by means of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).

Dass eine erste Schicht oder ein erstes Element „auf” oder „über” einer zweiten Schicht oder einem zweiten Element oder auch „zwischen” zwei weiteren Schichten oder Elementen angeordnet oder aufgebracht ist, kann dabei hier und im Folgenden bedeuten, dass die erste Schicht oder das erste Element unmittelbar im direkten mechanischen und/oder elektrischen Kontakt auf der zweiten Schicht oder dem zweiten Element beziehungsweise zu den zwei weiteren Schichten oder Elementen angeordnet ist. Weiterhin kann auch ein mittelbarer Kontakt bezeichnet sein, bei dem weitere Schichten und/oder Elemente zwischen der ersten Schicht oder dem ersten Element und der zweiten Schicht oder dem zweiten Element bzw. den zwei weiteren Schichten oder Elementen angeordnet sind.That a first layer or a first element "on" or "above" a second layer or a second element or "between" two further layers or Elements arranged or applied can, here and in the Following mean that the first layer or the first element directly in direct mechanical and / or electrical contact on the second layer or the second element respectively is arranged to the two further layers or elements. Farther can also be referred to an indirect contact in which more Layers and / or elements between the first layer or the first element and the second layer or the second element or the two further layers or elements are arranged.

Eine chemische Gasphasenabscheidung („chemical vapor deposition”, CVD) kann dabei ein Verfahren bezeichnen, bei dem auf zumindest einer Oberfläche des bereitgestellten Substrats mit der zumindest einen organischen funktionellen Schicht zumindest zwei gasförmige Ausgangsverbindungen zu einem festen Reaktionsprodukt reagieren. Dabei können die zumindest zwei gasförmigen Ausgangsverbindungen gleichzeitig einem Volumen zugeführt werden, in dem das Substrat bereitgestellt wird. Weiterhin kann es erforderlich sein, dass die zumindest eine Oberfläche des bereitgestellten Substrats mit der zumindest einen organischen funktionellen Schicht auf eine Temperatur oberhalb der Raumtemperatur erhitzt wird.A chemical vapor deposition (CVD) can denote a method in which on at least one surface of the provided substrate with the at least one organic functional Layer at least two gaseous Starting compounds react to form a solid reaction product. It can the at least two gaseous ones Output connections are simultaneously supplied to a volume in which the substrate is provided. It may still be necessary be that the at least one surface of the provided substrate with the at least one organic functional layer on one Temperature is heated above room temperature.

Eine plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung („plasma enhanced chemical vapor deposition”, PECVD) kann ein CVD-Verfahren bezeichnen, bei dem in dem Volumen ein Plasma erzeugt wird, wodurch die dem Volumen zugeführten zumindest zwei gasförmigen Ausgangsverbindungen in dem Plasma angeregt werden können. Dadurch kann es möglich sein, dass die Temperatur, auf die die zumindest eine Oberfläche aufgeheizt werden muss, im Vergleich zu einem plasmalosen CVD-Verfahren erniedrigt werden kann. Das kann insbesondere vorteilhaft sein, da die zumindest eine organische funktionelle Schicht bei einer Temperatur oberhalb einer Maximaltemperatur irreversibel geschädigt werden kann. Die Maximaltemperatur kann beispielsweise etwa 120°C betragen, so dass die Temperatur, bei der die zweite Barrierenschicht aufgebracht wird, kleiner als 120°C und bevorzugt kleiner oder gleich 80°C sein kann.A plasma enhanced chemical vapor deposition ("plasma enhanced chemical vapor deposition " PECVD) may refer to a CVD method in which in the volume a plasma is generated, whereby the volume supplied at least two gaseous ones Starting compounds can be excited in the plasma. This can it possible be that the temperature to which the at least one surface is heated must be lowered compared to a plasmaless CVD method can be. This can be particularly advantageous since the at least an organic functional layer at a temperature above a maximum temperature can be irreversibly damaged. The maximum temperature can be about 120 ° C, for example be such that the temperature at which the second barrier layer is applied, less than 120 ° C. and may preferably be less than or equal to 80 ° C.

Eine Atomschichtenabscheidung („atomic layer deposition”, ALD) kann ein Verfahren bezeichnen, bei dem im Vergleich zu einem CVD-Verfahren zuerst eine erste der zumindest zwei gasförmigen Ausgangverbindungen dem Volumen, im dem das Substrat bereitgestellt wird, zugeführt wird und auf der zumindest einen Oberfläche adsorbieren kann. Nach einer bevorzugt vollständigen oder nahezu vollständigen Bedeckung der zumindest einen Oberfläche mit der ersten Ausgangsverbindung kann der Teil der ersten Ausgangsverbindung, der noch gasförmig und/oder nicht auf der Oberfläche adsorbiert vorliegt, wieder aus dem Volumen entfernt werden und die zweite der zumindest zwei Ausgangsverbindung kann zugeführt werden. Die zweite Ausgangsverbindung kann mit der an der zumindest einen Oberfläche adsorbierten ersten Ausgangsverbindung unter Bildung einer festen Schicht reagieren. Wie bei einem CVD-Verfahren kann es vorteilhaft sein, wenn die zumindest eine Oberfläche auf eine Temperatur über der Raumtemperatur erhitzt wird. Dadurch kann die Reaktion zur Bildung einer festen Schicht thermisch initiiert werden. Die Oberflächentemperatur, die beispielsweise auch die Substrattemperatur, also die Temperatur des Substrats, sein kann, kann dabei von den Edukten, also der ersten und zweiten Ausgangsverbindung, abhängen.Atomic layer deposition (ALD) may refer to a process in which, compared to a CVD process, first a first of the at least two starting gaseous compounds is supplied to the volume at which the substrate is provided and at least one Can adsorb surface. After a preferably complete or almost complete covering of the at least one surface with the first starting compound, the part of the first starting compound which is still gaseous and / or not adsorbed on the surface can be removed again from the volume and the second of the at least two starting compound can be supplied. The second starting compound may react with the first starting compound adsorbed on the at least one surface to form a solid layer. As with egg It may be advantageous in the CVD method if the at least one surface is heated to a temperature above room temperature. Thereby, the reaction for forming a solid layer can be thermally initiated. The surface temperature, which may be, for example, also the substrate temperature, ie the temperature of the substrate, may depend on the educts, ie the first and second starting compound.

Eine plasmalose Atomschichtenabscheidung („plasma-less atomic layer deposition”, PLALD) kann dabei ein ALD-Verfahren bezeichnen, für das kein Plasma wie im Folgenden beschrieben erzeugt wird, sondern bei dem zur Bildung einer festen Schicht, also beispielsweise der ersten Barrierenschicht, die Reaktion der oben genannten Ausgangsverbindungen nur über die Temperatur der zu beschichtenden Oberfläche initiiert wird.A plasmalose atomic layer deposition ("plasma-less atomic layer deposition " PLALD) may refer to an ALD method for which no Plasma is generated as described below, but in the to form a solid layer, so for example the first Barrier layer, the reaction of the above-mentioned starting compounds only over the temperature of the surface to be coated is initiated.

Die Temperatur der zumindest einen Oberfläche und/oder des Substrats kann bei einem PLALD-Verfahren beispielsweise größer oder gleich 60°C und kleiner oder gleich 120°C sein.The Temperature of the at least one surface and / or the substrate For example, in a PLALD method, it may be greater than or equal to 60 ° C and less or equal to 120 ° C be.

Eine plasmaunterstützte Atomschichtabscheidung („plasma enhanced atomic layer deposition”, PEALD) kann ein ALD-Verfahren bezeichnen, bei dem die zweite Ausgangsverbindung bei gleichzeitiger Erzeugung eines Plasmas zugeführt wird, wodurch es wie bei PECVD-Verfahren möglich sein kann, dass die zweite Ausgangsverbindung angeregt wird. Dadurch kann im Vergleich zu einem plasmalosen ALD-Verfahren die Temperatur, auf die die zumindest eine Oberfläche aufgeheizt wird, verringert werden und durch die Plasmaerzeugung dennoch die Reaktion zwischen Ausgangsverbindungen initiiert werden. Die erste Barrierenschicht kann dabei beispielsweise bei einer Temperatur von kleiner als 120°C und bevorzugt kleiner oder gleich 80°C aufgebracht werden. Um eine weitere feste Schicht zu erzeugen, können die Schritte des Zuführens der ersten Ausgangsverbindung und danach des Zuführens der zweiten Ausgangsverbindung wiederholt werden.A plasma enhanced Atomic layer deposition ("plasma enhanced atomic layer deposition ", PEALD) may refer to an ALD method the second output compound while generating a Supplied to plasma which, as with PECVD methods, may allow the second Starting compound is excited. This can be compared to a plasmaless ALD method the temperature to which the at least a surface is heated, reduced and by the plasma generation Nevertheless, the reaction between starting compounds can be initiated. The first barrier layer can, for example, at a temperature of less than 120 ° C and preferably less than or equal to 80 ° C are applied. To one To produce further solid layer, the steps of supplying the first output connection and then supplying the second output connection be repeated.

Insbesondere kann ein PEALD-Verfahren vorteilhaft sein, wenn eine Initiierung der Reaktion zwischen den Ausgangsverbindungen eine Oberflächentemperatur erforderlich macht, bei der beispielsweise die zumindest eine funktionelle organische Schicht und/oder das Substrat geschädigt würden.Especially For example, a PEALD method may be beneficial when initiating the reaction between the starting compounds a surface temperature required, in which, for example, the at least one functional organic layer and / or the substrate would be damaged.

Die im Rahmen des hier beschriebenen Verfahrens herstellbare Verkapselung kann im Vergleich zu bekannten Verkapselungen mit Barrierenschichten, die alle durch CVD-Verfahren hergestellt sind, eine geringere Durchlässigkeit für Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff aufweisen. Bei Verkapselungen mit Barrierenschichten, die alle durch CVD-Verfahren hergestellt sind, kann es möglich sein, dass Kanäle, Poren und/oder Korngrenzen auftreten, die zu Undichtigkeiten der herkömmlichen Verkapselungen führen können. Derartige Undichtigkeiten können insbesondere dadurch begünstigt werden, dass bei organischen elektronischen Bauelementen die Maximaltemperatur, bei denen Barrierenschichten aufgebracht werden können, wie oben erwähnt, etwa 120°C und bevorzugt etwa 80°C nicht überschreiten darf. Dadurch erfordern herkömmliche Verkapselungen mit CVD-aufgebrachten Barrierenschichten sehr komplexe und damit kostenintensive Vielschichtsysteme, die eine wirtschaftliche Herstellung von organischen elektronischen Bauelementen mit einer Verkapselung verhindern können.The in the context of the method described here producible encapsulation can be compared to known encapsulations with barrier layers, all made by CVD processes, lower permeability for moisture and / or Have oxygen. For encapsulations with barrier layers, all made by CVD method are, it may be possible be that channels, pores and / or grain boundaries occur, resulting in leaks in the conventional Encapsulations lead can. Such leaks can in particular thereby favored be that in organic electronic devices the maximum temperature, where barrier layers can be applied, such as mentioned above, about 120 ° C and preferably about 80 ° C must not exceed. This requires conventional encapsulations With CVD-applied barrier layers very complex and thus cost-intensive multilayer systems that are economical to manufacture of organic electronic components with an encapsulation can prevent.

Diese Nachteile herkömmlicher Verkapselungen können durch das hier beschriebene Verfahren vermieden werden. Durch ein PLALD-Verfahren oder durch ein PEALD-Verfahren zum Aufbringen der ersten Barrierenschicht kann die erste Barrierenschicht im Vergleich zu einer Barrierenschicht, die mittels eines CVD- oder PECVD-Verfahrens aufgebracht wird, mit einer höheren Dichte hergestellt werden und die Ausbildung und/oder Fortsetzung von Kanälen und/oder Poren kann dabei verringert oder verhindert werden. Damit kann im Vergleich zu einer mittels eines CVD-Verfahrens hergestellten Schicht für die erste Barrierenschicht auch eine höhere Dichtigkeit hinsichtlich Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff erreicht werden. Dabei kann es möglich sein, dass die Anzahl der Barrierenschichten und/oder ihre Dicke im Vergleich zu Barrierenschichten von Verkapselungen, die mit herkömmlichen CVD-Verfahren hergestellt sind, verringert werden kann. Dadurch kann eine dünne Verkapselung bei gleichzeitig hoher intrinsischer Dichtigkeit auf kleine Flächen wie auch großflächig erzeugt werden und die Diffusion von Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff durch Korngrenzen, Kanäle und/oder Poren kann verringert oder verhindert werden. Weiterhin kann die hier beschriebene Verkapselung mit den ersten und zweiten Barrierenschichten auch eine hohe Dichtigkeit in Randbereichen der Verkapselung aufweisen, so dass eine Diffusion von Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff durch Grenzflächen zwischen der Verkapselung und dem bereitgestellten Substrat mit der zumindest einen organischen funktionellen Schicht verringert oder verhindert werden kann.These Disadvantages of conventional Encapsulations can avoided by the method described here. Through a PLALD method or by a PEALD method for applying the first Barrier layer may be the first barrier layer compared to a barrier layer formed by a CVD or PECVD method is applied, with a higher Density are produced and training and / or continuation of channels and / or pores can be reduced or prevented. In order to can be compared to a produced by a CVD process Layer for the first barrier layer also has a higher tightness in terms Moisture and / or oxygen can be achieved. It can possible be that the number of barrier layers and / or their thickness compared to barrier layers of encapsulations that are conventional CVD process can be reduced. This can a thin one Encapsulation with high intrinsic density on small areas as well as generated over a large area be and the diffusion of moisture and / or oxygen through Grain boundaries, channels and / or pores can be reduced or prevented. Farther can the encapsulation described here with the first and second Barrier layers also have a high density in edge areas of the Have encapsulation, allowing a diffusion of moisture and / or oxygen through interfaces between the encapsulant and the provided substrate with the at least one organic functional layer can be reduced or prevented.

Im Vergleich zu weiterhin bekannten Verkapselungen mittels eines Deckglases, bei dem in eine Kavität zusätzlich ein Gettermaterial eingebracht wird, ermöglich die hier beschriebene Verkapselung mit den ersten und zweiten Barrierenschichten eine kostengünstigere Herstellung und eine geringere Dicke der Verkapselung. Weiterhin kann es mit dem hier beschriebenen Verfahren möglich sein, ein organisches elektronisches Bauelement mit einer transparenten Verkapselung herzustellen, was im Falle der Verkapselung mittels Deckglas und Gettermaterial nicht möglich ist.In comparison to further known encapsulations by means of a cover glass, in which a getter material is additionally introduced into a cavity, the encapsulation described here with the first and second barrier layers enables a more cost-effective production and a smaller thickness of the encapsulation. Furthermore, it may be possible with the method described here to produce an organic electronic component with a transparent encapsulation, which in the case of encapsulation using cover glass and Gettermateri al is not possible.

Die Verfahrensschritte des Aufbringens der ersten Barrierenschicht mittels PLALD oder auch mittels PEALD und des Aufbringens der zweiten Barrierenschicht mittels PECVD können unmittelbar nacheinander in demselben Volumen, beispielsweise in einer herkömmlichen Beschichtungsanlage durchgeführt werden. Dazu kann die Beschichtungsanlage beispielsweise eine Vakuumkammer mit Gaseinlässen für die Ausgangsverbindungen des PLALD-Verfahrens oder des PEALD-Verfahrens aufweisen, in der im Falle des PLALD-Verfahrens weiterhin eine Heizung für das Substrat vorgesehen ist. Weiterhin kann auch für ein PEALD-Verfahren und/oder für das PECVD-Verfahren eine Heizung für das Substrat vorgesehen sein.The Method steps of applying the first barrier layer means PLALD or also by means of PEALD and the application of the second barrier layer using PECVD immediately after one another in the same volume, for example in one usual Coating plant performed become. For this purpose, the coating system, for example, a vacuum chamber with gas inlets for the Have starting compounds of the PLALD process or the PEALD process, in the case of the PLALD method, furthermore, a heater for the substrate is provided. Furthermore, also for a PEALD method and / or for the PECVD method a heater for the substrate may be provided.

Die erste Barrierenschicht kann mittels des PLALD-Verfahrens oder mittels des PEALD-Verfahrens beispielsweise mit einer Dicke von größer oder gleich 10 nm und kleiner oder gleich 30 nm aufgebracht werden. Das kann bedeuten, dass mittels des PLALD-Verfahrens oder mittels des PEALD-Verfahrens die erste Barrierenschicht mit größer oder gleich 10 Monolagen und kleiner oder gleich 50 Monolagen herstellbar ist. Durch die hohe Dichte und Qualität der ersten Barrierenschicht kann eine solche Dicke ausreichend sein, um einen wirkungsvollen Schutz vor Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff für die darunter liegende zumindest eine organische funktionelle Schicht zu gewährleisten. Obwohl das PLALD-Verfahren oder das PEALD-Verfahren im Vergleich zum PECVD-Verfahren eine geringere Wachstumsrate aufweisen kann, kann aufgrund der geringen Dicke der ersten Barrierenschicht eine kurze Prozesszeit und damit eine hohe Wirtschaftlichkeit des hier beschriebenen Verfahrens gewährleistet sein.The first barrier layer can by means of the PLALD method or means of the PEALD method, for example, with a thickness of greater than or equal to 10 nm and less than or equal to 30 nm are applied. That can mean that by means of the PLALD method or by means of the PEALD method the first barrier layer with greater than or equal to 10 monolayers and less than or equal to 50 monolayers can be produced. By the high density and quality the thickness of the first barrier layer may be sufficient for effective protection against moisture and / or oxygen for the underlying at least one organic functional layer to ensure. Although the PLALD method or the PEALD method compared to the PECVD method may have a lower growth rate, due to the low Thickness of the first barrier layer a short process time and thus ensures a high efficiency of the method described here be.

Aufgrund der hohen Dichtigkeit der ersten Barrierenschicht können die Anforderungen an die zweite Barrierenschicht hinsichtlich Dichtigkeit geringer angesetzt werden als bei einer herkömmlichen Verkapselung mit Barrierenschichten, die alle mit CVD-Verfahren aufgebracht werden. Insbesondere kann die zweite Barrierenschicht mit einer höheren Wachstumsrate als die erste Barrierenschicht aufgebracht werden und nach dem Aufbringen eine Dicke von größer oder gleich 1 nm und kleiner oder gleich 1000 nm aufweisen. Insbesondere kann die erste Barrierenschicht mit einer Dicke von größer oder gleich 10 nm, bevorzugt größer oder gleich 20 nm und besonders bevorzugt größer oder gleich 100 nm aufgebracht werden.by virtue of the high density of the first barrier layer, the Requirements for the second barrier layer with regard to tightness lower than in a conventional encapsulation with barrier layers, all of which are applied by CVD methods. In particular, can the second barrier layer with a higher growth rate than the first barrier layer are applied and after application a thickness of greater or equal to 1 nm and less than or equal to 1000 nm. Especially may be the first barrier layer having a thickness of greater than or equal to 10 nm, preferably larger or equal to 20 nm and more preferably greater than or equal to 100 nm applied become.

Das Verfahren kann einen weiteren Verfahrensschritt aufweisen, bei dem eine Schutzschicht auf der ersten und zweiten Barrierenschicht aufgebracht wird. Dabei kann die Schutzschicht direkt auf der ersten oder zweiten Barrierenschicht aufgebracht werden und damit nach dem Aufbringen in direktem Kontakt mit der ersten oder der zweiten Barrierenschicht sein. Insbesondere kann die Schutzschicht einen mechanischen Schutz der darunter liegenden ersten und zweiten Barrierenschichten ermöglichen. Die Schutzschicht kann dazu mit einer Dicke von größer oder gleich 1 μm und kleiner oder gleich 100 μm aufgebracht werden. Insbesondere kann die Schutzschicht mit einer Dicke von größer oder gleich 5 μm und bevorzugt mit einer Dicke von größer oder gleich 10 μm aufgebracht werden.The Method can have a further method step, in which a protective layer is applied to the first and second barrier layers becomes. The protective layer can be directly on the first or second Barrier layer are applied and thus after application in direct contact with the first or second barrier layer be. In particular, the protective layer can provide mechanical protection allow the underlying first and second barrier layers. The Protective layer can do so with a thickness of greater than or equal to 1 micron and smaller or equal to 100 microns applied become. In particular, the protective layer may have a thickness of bigger or equal to 5 microns and preferably with a thickness of greater than or equal to equal to 10 microns be applied.

Dabei kann die Schutzschicht etwa Kunststoffe wie etwa Siloxane, Epoxide, Acrylate wie zum Beispiel Methylmethacrylate, Imide, Carbonate, Olefine, Styrole, Urethane oder Derivate davon in Form von Monomeren, Oligomeren oder Polymeren und weiterhin auch Mischungen, Copolymere oder Verbindungen damit aufweisen. Beispielsweise kann die Schutzschicht ein Epoxidharz, Polymethylmethacrylat (PMMA), Polystyrol, Polycarbonat, Polyacrylat, Polyurethan oder ein Silikonharz wie etwa Polysiloxan oder Mischungen daraus umfassen oder sein. Die Schutzschicht kann dabei beispielsweise transparent sein.there For example, the protective layer may include plastics such as siloxanes, epoxies, Acrylates such as methyl methacrylates, imides, carbonates, Olefins, styrenes, urethanes or derivatives thereof in the form of monomers, Oligomers or polymers and also mixtures, copolymers or compounds with it. For example, the protective layer an epoxy resin, polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene, polycarbonate, Polyacrylate, polyurethane or a silicone resin such as polysiloxane or mixtures thereof include or. The protective layer can for example, be transparent.

Die Schutzschicht kann weiterhin einen Sprühlack aufweisen beziehungsweise als Sprühlack ausgebildet sein, der zumindest eines der vorher genannten Materialien umfasst und der beispielsweise mittels einer Durchlauf-Sprühbelackungsanlage aufgebracht werden kann. Der Sprühlack kann weiterhin ein UV-härtbarer und/oder ein binder- oder lösungsmittelhaltiger Sprühlack sein.The Protective layer may further comprise a spray paint or designed as spray paint be, which comprises at least one of the aforementioned materials and, for example, by means of a continuous spray coating plant can be applied. The spray paint can still be a UV-curable and / or a binder or solvent-containing spray paint be.

Bei einer Ausführungsform wird bei dem hier beschriebenen Verfahren das organische elektronische Bauelement als organisches strahlungsemittierendes Bauelement mit einer strahlungsemittierenden Schichtenfolge hergestellt. Die strahlungsemittierende Schichtenfolge kann dabei die organische funktionelle Schicht umfassen. Insbesondere kann das organische elektronische Bauelement dabei eine organische, strahlungsemittierende Diode (OLED) umfassen oder als solche ausgeführt sein. Das organische elektronische Bauelement kann dazu einen aktiven Bereich aufweisen, der geeignet ist, im Betrieb des organischen elektronischen Bauelements durch Rekombination von Elektronen und Löchern elektromagnetische Strahlung abzustrahlen.at an embodiment In the process described here, the organic electronic Component as organic radiation-emitting component with a radiation-emitting layer sequence produced. The radiation-emitting Layer sequence may include the organic functional layer. In particular, the organic electronic component can thereby an organic, radiation-emitting diode (OLED) comprise or executed as such be. The organic electronic component can be an active Have area that is suitable in the operation of the organic electronic component by recombination of electrons and Holes electromagnetic To radiate radiation.

Eine organische strahlungsemittierende Schichtenfolge beziehungsweise eine OLED kann beispielsweise eine erste Elektrode auf dem Substrat aufweisen. Über der ersten Elektrode kann die zumindest eine organische funktionelle Schicht oder eine Mehrzahl von funktionellen Schichten aus organischen Materialien aufgebracht sein. Die zumindest eine organische funktionelle Schicht oder die Mehrzahl der funktionellen Schichten können dabei beispielsweise Elektronentransportschichten, elektrolumineszierende Schichten und/oder Lochtransportschichten aufweisen oder als solche ausgeführt sein. aber der organischen funktionellen Schicht oder der Mehrzahl organischer funktioneller Schichten kann eine zweite Elektrode aufgebracht sein.An organic radiation-emitting layer sequence or an OLED may, for example, have a first electrode on the substrate. The at least one organic functional layer or a plurality of functional layers of organic materials may be applied over the first electrode. The at least one organic functional layer or the majority of the functional layers can thereby For example, have electron transport layers, electroluminescent layers and / or hole transport layers or be designed as such. however, a second electrode may be applied to the organic functional layer or the plurality of organic functional layers.

Beispielsweise kann das Substrat Glas, Quarz, Kunststofffolien, Metall, Metallfolien, Siliziumwafer oder ein anderes geeignetes Substratmaterial umfassen. Ist die OLED als so genannter „Bottom-Emitter” ausgeführt, das heißt, dass die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung durch das Substrat abgestrahlt wird, so kann das Substrat eine Transparenz für zumindest einen Teil der ersten Strahlung aufweisen.For example the substrate glass, quartz, plastic films, metal, metal foils, Silicon wafers or other suitable substrate material include. Is the OLED designed as a so-called "bottom emitter", the is called, the radiation generated in the active region is emitted by the substrate is, so the substrate can be a transparency for at least part of first radiation.

In der Bottom-Emitter-Konfiguration kann vorteilhafterweise auch die erste Elektrode eine Transparenz für zumindest einen Teil der Primärstrahlung aufweisen. Eine transparente erste Elektrode, die als Anode ausgeführt sein kann und somit als Löcher-injizierendes Material dient, kann beispielsweise ein transparentes leitendes Oxid aufweisen oder aus einem transparenten leitenden Oxid bestehen. Transparente leitende Oxide (transparent conductive oxides, kurz „TCO”) sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2 oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n-dotiert sein.In the bottom emitter configuration, advantageously, the first electrode can also have transparency for at least a part of the primary radiation. A transparent first electrode, which may be embodied as an anode and thus serves as a hole-injecting material, may for example comprise a transparent conductive oxide or consist of a transparent conductive oxide. Transparent conductive oxides ("TCO" for short) are transparent, conductive materials, usually metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds such as Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , MgIn 2 O 4 , GaInO 3 , Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 12 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs. Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.

Die organische funktionelle Schicht oder die Mehrzahl funktioneller Schichten können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules”) oder Kombinationen daraus aufweisen. Insbesondere kann es vorteilhaft sein, wenn die organische strahlungsemittierende Schichtenfolge eine funktionelle Schicht aufweist, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist, um eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich zu ermöglichen. Als Materialien für eine Lochtransportschicht können sich beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen als vorteilhaft erweisen. Weiterhin kann es vorteilhaft sein, wenn eine funktionelle Schicht als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt ist. Als Materialien hierzu eignen sich Materialien, die eine Strahlungsemission aufgrund von Fluoreszenz oder Phosphoreszenz aufweisen, beispielsweise Polyfluoren, Polythiophen oder Polyphenylen oder Derivate, Verbindungen, Mischungen oder Copolymere davon. Abhängig von den Materialien in den funktionellen Schichten kann die erzeugte erste Strahlung einzelne Wellenlängen oder Bereiche oder Kombinationen daraus aus dem ultravioletten bis rotem Spektralbereich aufweisen.The organic functional layer or the majority functional Layers can organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or Combinations thereof. In particular, it can be beneficial be when the organic radiation-emitting layer sequence has a functional layer as the hole transport layer accomplished is an effective hole injection in an electroluminescent layer or an electroluminescent To allow area. As materials for a hole transport layer can For example, tertiary Amines, carbazole derivatives, conductive polyaniline or Polyethylendioxythiophen prove beneficial. Furthermore, it may be advantageous if a functional layer is designed as an electroluminescent layer. Suitable materials for this are materials that emit radiation due to fluorescence or phosphorescence, for example Polyfluorene, polythiophene or polyphenylene or derivatives, compounds, Mixtures or copolymers thereof. Depending on the materials in the functional layers can be the generated first radiation single wavelength or areas or combinations thereof from the ultraviolet to have red spectral range.

Die zweite Elektrode kann als Kathode ausgeführt sein und somit als Elektronen-injizierendes Material dienen. Als Kathodenmaterial können sich unter anderem insbesondere Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Kalzium oder Lithium sowie Verbindungen, Kombinationen und Legierungen davon als vorteilhaft erweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die zweite Elektrode auch eines der oben genannten TCOs aufweisen. Zusätzlich oder alternativ kann die zweite Elektrode auch transparent ausgeführt sein und/oder die erste Elektrode kann als Kathode und die zweite Elektrode als Anode ausgeführt sein. Das bedeutet insbesondere, dass die OLED auch als „Top-Emitter” ausgeführt sein kann.The second electrode may be designed as a cathode and thus as an electron-injecting material serve. As cathode material can especially aluminum, barium, indium, silver, Gold, magnesium, calcium or lithium as well as compounds, combinations and alloys thereof prove beneficial. Alternatively or additionally the second electrode also has one of the abovementioned TCOs. additionally or alternatively, the second electrode may also be transparent and / or the first electrode may serve as the cathode and the second electrode designed as an anode be. This means, in particular, that the OLEDs are also designed as "top emitters" can.

Die erste und/oder die zweite Elektrode können jeweils großflächig ausgebildet sein. Dadurch kann im Falle einer OLED eine großflächige Abstrahlung der im aktiven Bereich erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. „Großflächig” kann dabei bedeuten, dass das organische elektronische Bauelement eine Fläche von größer oder gleich einigen Quadratmillimetern, bevorzugt größer oder gleich einem Qudratzentimeter und besonders bevorzugt größer oder gleich einem Quadratdezimeter aufweist. Alternativ oder zusätzlich können die erste und/oder die zweite Elektrode zumindest in Teilbereichen strukturiert ausgebildet sein. Dadurch kann eine strukturierte Abstrahlung der im aktiven Bereich erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden, etwa in Form von Pixeln oder Piktogrammen.The first and / or the second electrode can each be formed over a large area be. As a result, in the case of an OLED a large-area radiation of the active Range generated electromagnetic radiation. "Großflächig" can thereby mean that the organic electronic device has an area of bigger or equal to a few square millimeters, preferably greater than or equal to one Qudratzentimeter and particularly preferably larger or equal to one square decimeter. Alternatively or additionally, the first and / or the second electrode structured at least in partial areas be educated. This can be a structured emission of electromagnetic radiation generated in the active area is made possible, in the form of pixels or pictograms.

Alternativ oder zusätzlich kann das organische elektronische Bauelement derart ausgebildet werden, dass das Substrat mit der zumindest einen organischen funktionellen Schicht einen Photodetektor und/oder einen Transistor umfasst oder als solcher ausgebildet ist.alternative or additionally can the organic electronic component be designed in such a way that the substrate with the at least one organic functional Layer comprises a photodetector and / or a transistor or is designed as such.

Insbesondere kann die erste Barrierenschicht direkt auf der zweiten Elektrode beziehungsweise auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge aufgebracht werden. Durch das Aufbringen mittels des PLALD-Verfahrens oder mittels des PEALD-Verfahrens kann die erste Barrierenschicht gleichmäßig dick und vollständig bedeckend auf dem Substrat mit der zumindest einen organischen funktionellen Schicht beziehungsweise der organischen Schichtenfolge aufgebracht werden. Dadurch ist keine Planarisierungsschicht zwischen der organischen funktionellen Schicht beziehungsweise der organischen Schichtenfolge und der Verkapselung erforderlich. Alternativ kann vor dem Aufbringen der ersten Barrierenschicht die zweite Barrierenschicht aufgebracht werden.In particular, the first barrier layer can be applied directly on the second electrode or on the radiation-emitting layer sequence. By applying by the PLALD method or by the PEALD method, the first barrier layer can be applied uniformly thick and completely covering on the substrate with the at least one organic functional layer or the organic layer sequence. As a result, there is no planarization layer between the organic functional layer or the organic one Layer sequence and the encapsulation required. Alternatively, the second barrier layer can be applied before the application of the first barrier layer.

Die erste Barrierenschicht und die zweite Barrierenschicht können jeweils ein Material aufweisen, das geeignet ist, die zumindest eine organische funktionelle Schicht vor schädigenden Einflüssen der Umgebung zu schützen, also etwa vor Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit. Beispielsweise kann als erste Barrierenschicht und/oder als zweite Barrierenschicht ein Oxid, ein Nitrid oder ein Oxinitrid in kristalliner oder in glasartiger Form aufgebracht werden. Beispielsweise kann das Oxid, Nitrid oder Oxinitrid weiterhin Aluminium, Silizium, Zinn, Zink, Titan, Zirkonium, Tantal, Niobium oder Hafnium umfassen. Die erste und/oder die zweite Barrierenschicht kann dabei dielektrische oder auch elektrisch leitende Eigenschaften aufweisen und beispielsweise Siliziumoxid (SiOx), wie etwa SiO2, Siliziumnitrid (SixNy), wie etwa Si2N3, Siliziumoxynitrid (SiOxNy), Aluminiumoxid, etwa Al2O3, Aluminiumnitrid, Zinnoxid, Indiumzinnoxid, Zinkoxid oder Aluminiumzinkoxid aufweisen.The first barrier layer and the second barrier layer may each comprise a material which is suitable for protecting the at least one organic functional layer from damaging influences of the environment, for example against oxygen and / or moisture. For example, as the first barrier layer and / or as the second barrier layer, an oxide, a nitride or an oxynitride can be applied in crystalline or glassy form. For example, the oxide, nitride or oxynitride may further comprise aluminum, silicon, tin, zinc, titanium, zirconium, tantalum, niobium or hafnium. The first and / or the second barrier layer may have dielectric or also electrically conductive properties and, for example, silicon oxide (SiO x ), such as SiO 2 , silicon nitride (Si x N y ), such as Si 2 N 3 , silicon oxynitride (SiO x N y ), alumina, such as Al 2 O 3 , aluminum nitride, tin oxide, indium tin oxide, zinc oxide or aluminum zinc oxide.

Zur Herstellung der ersten Barrierenschicht kann in dem oben beschriebenen PEALD-Verfahren als erste Ausgangsverbindung beispielsweise eine metallorganische oder eine halbmetallorganische Verbindung zugeführt werden. Als zweite Ausgangsverbindung, in der dann das Plasma erzeugt wird, kann eine Sauerstoff- und/oder Stickstoff-haltige Verbindung zugeführt werden. Umfasst die erste Barrierenschicht rein beispielhaft etwa Al2O3, so kann als erste Ausgangsverbindung etwa Trimethylaluminium und als zweite Ausgangsverbindung N2O zugeführt werden.For the production of the first barrier layer, in the above-described PEALD process, for example, an organometallic or a half-metal organic compound can be supplied as the first starting compound. As a second starting compound, in which the plasma is then generated, an oxygen and / or nitrogen-containing compound can be supplied. If the first barrier layer comprises, by way of example only, Al 2 O 3 , then trimethylaluminum may be added as the first starting compound and N 2 O as the second starting compound.

Ferner kann zur Herstellung der ersten Barrierenschicht in dem oben beschriebenen PLALD-Verfahren als erste Ausgangsverbindung beispielsweise eine metallorganische oder eine halbmetallorganische Verbindung zu geführt werden. Als zweite Ausgangsverbindung kann beispielsweise Wasser zugeführt werden. Insbesondere kann Wasser als zweite Ausgangsverbindung in Kombination mit Trimethylaluminium als erste Ausgangsverbindung zugeführt werden. Hierdurch kann eine erste Barrierenschicht umfassend Al2O3 herstellbar sein. Alternativ dazu können auch Wasser als erste Ausgangsverbindung und eine metallorganische oder eine halbmetallorganische Verbindung, beispielsweise Trimethylaluminium, als zweite Ausgangsverbindung zugeführt werden, da bei der PLALD kein Plasma erzeugt werden muss.Furthermore, to produce the first barrier layer in the above-described PLALD process, the first starting compound may be, for example, an organometallic or a semimetal-organic compound. As a second starting compound, for example, water can be supplied. In particular, water may be supplied as the second starting compound in combination with trimethylaluminum as the first starting compound. In this way, a first barrier layer comprising Al 2 O 3 can be produced. Alternatively, water as the first starting compound and an organometallic or a semi-organometallic compound, for example trimethylaluminum, can be supplied as the second starting compound, since no plasma has to be produced in the PLALD.

Die zweite Barrierenschicht kann weiterhin eine Schichtenfolge aus zumindest zwei Schichten mit unterschiedlichen Materialien aufweisen. Das kann bedeuten, dass als zweite Barrierenschicht die Schichtenfolge mit zumindest zwei unterschiedlichen Schichten aufgebracht wird. Beispielsweise kann die Schichtenfolge eine Schicht mit einem Oxid und eine Schicht mit einem Nitrid aufweisen. Die Schichtenfolge kann auch eine Mehrzahl von ersten Schichten mit einem ersten Material, etwa einem Nitrid, und/oder eine Mehrzahl von zweiten Schichten mit einem zweiten Material, etwa einem Oxid, aufweisen, die abwechselnd aufeinander aufgebracht werden. Bezeichnet man die erste, nitridhaltige Schicht mit „N” und die zweite, oxidhaltige Schicht mit „O”, so können die Schichtenfolge beispielsweise in einer Abfolge NON oder NONON oder auch ONO oder ONONO ausgebildet sein.The second barrier layer may further comprise a layer sequence of at least have two layers of different materials. That can mean that as the second barrier layer, the layer sequence with at least two different layers is applied. For example For example, the layer sequence can be a layer with an oxide and a layer having a nitride. The layer sequence can also be a plurality first layers comprising a first material, such as a nitride, and / or a plurality of second layers with a second material, such as an oxide, which are alternately applied to each other become. Denoting the first, nitride-containing layer with "N" and the second, oxide-containing layer with "O", so the layer sequence, for example trained in a sequence NON or NONON or even ONO or ONONO be.

Weiterhin kann auf der zumindest einen ersten Barrierenschicht und/oder auf der zumindest einen zweiten Barrierenschicht eine weitere erste Barrierenschicht und/oder eine weitere zweite Barrierenschicht aufgebracht werden. Damit kann etwa eine Mehrzahl von ersten Barrierenschichten und/oder einer Mehrzahl von zweiten Barrierenschichten auf dem Substrat mit der zumindest einen organischen funktionellen Schicht aufgebracht werden. Die ersten Barrierenschichten und die zweiten Barrierenschichten können bevorzugt abwechselnd aufeinander aufgebracht werden.Farther can on the at least one first barrier layer and / or on the at least one second barrier layer another first Barrier layer and / or another second barrier layer applied become. This can be about a plurality of first barrier layers and / or a plurality of second barrier layers on the substrate applied with the at least one organic functional layer become. The first barrier layers and the second barrier layers can preferably alternately applied to each other.

Die weitere erste Barrierenschicht beziehungsweise die weitere zweite Barrierenschicht kann dabei zumindest eines oder mehrere Merkmale aufweisen, die im Zusammenhang mit der zumindest einen ersten beziehungsweise der zumindest einen zweiten Barrierenschicht beschrieben sind. Insbesondere kann jede weitere erste Barrierenschicht mittels eines PLALD-Verfahrens oder mittels eines PEALD-Verfahrens aufgebracht werden, während jede weitere zweite Barrierenschicht mittels eine PECVD-Verfahrens aufgebracht werden kann. Je nach herzustellender Kombination von beispielsweise verschiedenen ersten Barrierenschichten kann beispielsweise auch eine erste Barrierenschicht mittels eines PLALD-Verfahrens und eine weitere erste Barrierenschicht mittels eines PEALD-Verfahrens aufgebracht werden.The another first barrier layer or the other second Barrier layer can have at least one or more features have, in connection with the at least one first or the at least one second barrier layer are described. Especially For example, each further first barrier layer can be determined by means of a PLALD method or by means of of a PEALD process, while each further second barrier layer can be applied by means of a PECVD method. Depending on the produced Combination of, for example, different first barrier layers For example, a first barrier layer by means of a PLALD method and another first barrier layer means a PEALD process are applied.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird mittels des hier beschriebenen Verfahrens ein organisches elektronisches Bauelement hergestellt. Das organische elektronische Bauelement kann insbesondere ein Substrat mit zumindest einer organischen funktionellen Schicht und darüber zumindest eine erste Barrierenschicht und zumindest eine zweite Barrierenschicht aufweisen. Die zumindest eine erste Barrierenschicht und die zumindest eine zweite Barrierenschicht können dabei jeweils eines oder mehrere der oben beschriebenen Merkmale aufweisen. Das organische elektronische Bauelement kann sich dabei durch eine geringe Dicke bei gleichzeitiger hoher Dichtigkeit der Verkapselung auszeichnen, das mit hoher Wirtschaftlichkeit hergestellt werden kann.According to a further embodiment, an organic electronic component is produced by means of the method described here. In particular, the organic electronic component may have a substrate with at least one organic functional layer and above it at least one first barrier layer and at least one second barrier layer. The at least one first barrier layer and the at least one second barrier layer may each have one or more of the features described above. The organic electronic component can be characterized by a small thickness while high density of the encapsulation, the can be produced with high efficiency.

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1A bis 5 beschriebenen Ausführungsformen.Further advantages and advantageous embodiments and developments of the invention will become apparent from the following in connection with the 1A to 5 described embodiments.

Es zeigen:It demonstrate:

1A bis 1C schematische Darstellungen eines Verfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel, 1A to 1C schematic representations of a method according to an embodiment,

2 eine schematische Darstellung eines organischen elektronischen Bauelements, das mittels eines Verfahrens gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel herstellbar ist, und 2 a schematic representation of an organic electronic component, which can be produced by means of a method according to another embodiment, and

3 bis 5 schematische Darstellungen von Ausschnitten organischer elektronischer Bauelemente, die mittels Verfahren gemäß weiteren Ausführungsbeispielen herstellbar sind. 3 to 5 schematic representations of sections of organic electronic components that can be produced by means of methods according to further embodiments.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein.In the embodiments and figures can same or equivalent components, each with the same Be provided with reference numerals. The illustrated elements and their proportions with each other are basically not as true to scale to look at, rather individual elements, such as layers, components, components and areas for better presentation and / or better Understanding exaggerated thick or large be shown.

In den 1A bis 1C ist ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel gezeigt.In the 1A to 1C a method for producing an organic electronic device according to an embodiment is shown.

In einem ersten Verfahrensschritt gemäß 1A wird ein Substrat 1 mit zumindest einer organischen funktionellen Schicht 22 bereitgestellt. Die organische funktionelle Schicht 22 ist dabei Teil einer organischen Schichtenfolge 2 und ist zwischen einer ersten Elektrode 21 und einer zweiten Elektrode 23 eingebettet. Das Substrat 1 mit der organischen Schichtenfolge 2 ist dabei als organische lichtemittierende Diode (OLED) ausgebildet und kann weitere funktionelle Schichten wie oben im allgemeinen Teil beschrieben aufweisen (nicht gezeigt). Die elektrische Ankontaktierung der ersten und zweiten Elektrode 21, 23 erfolgt über Leiterbahnen, die der Übersichtlichkeit halber nicht gezeigt sind.In a first method step according to 1A becomes a substrate 1 with at least one organic functional layer 22 provided. The organic functional layer 22 is part of an organic layer sequence 2 and is between a first electrode 21 and a second electrode 23 embedded. The substrate 1 with the organic layer sequence 2 is designed as an organic light-emitting diode (OLED) and may have further functional layers as described above in the general part (not shown). The electrical contacting of the first and second electrodes 21 . 23 takes place via conductor tracks, which are not shown for clarity.

Das Substrat 1 mit der organischen Schichtenfolge 2 ist im gezeigten Ausführungsbeispiel als Bottom-Emitter ausgeführt und weist ein transparentes Substrat 1 aus Glas sowie eine transparente erste Elektrode 21 aus ITO auf, die als Anode ausgebildet ist. Die zweite Elektrode 23 ist reflektierend und als Kathode ausgebildet und weist Aluminium auf.The substrate 1 with the organic layer sequence 2 is executed in the embodiment shown as a bottom emitter and has a transparent substrate 1 made of glass and a transparent first electrode 21 made of ITO, which is formed as an anode. The second electrode 23 is reflective and designed as a cathode and has aluminum.

In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 1B wird mittels eines PLALD-Verfahrens eine erste Barrierenschicht 3 aus Al2O3 auf der organischen funktionellen Schicht 22 und insbesondere auf der Schichtenfolge 2 aufgebracht. Dazu wird das Substrat 1 mit der organischen Schichtenfolge 2 in einer Beschichtungsanlage auf eine Temperatur von etwa 80°C aufgeheizt und in einem ersten Teilschritt Trimethylaluminium als einer ersten Ausgangsverbindung ausgesetzt, so dass das Trimethylaluminium auf der durch die Schichtenfolge 2 und das Substrat 1 gebildeten Oberfläche adsorbieren kann. Um eine Adsorption der ersten Ausgangsverbindung beispielsweise auf einem Kontaktbereich des Substrats 1 zur späteren elektrischen Kontaktierung des organischen elektronischen Bauelements zu vermeiden kann beispielsweise eine den Kontaktbereich bedeckende Maskenschicht verwendet werden, die nach dem Aufbringen der ersten Barrierenschicht wieder entfernt werden kann. Nach dem Entfernen des nicht adsorbierten Anteils des Trimethylaluminiums wird in einem zweiten Teilschritt des PLALD-Verfahrens das Substrat 1 mit dem Schichtenstapel 2 Wasser (H2O) als zweite Ausgangsverbindung ausgesetzt. Das Wasser kann mit dem auf dem Substrat 1 und der Schichtenfolge 2 adsorbierten Trimethylaluminium zu einer Al2O3-Schicht mit einer Dicke im Bereich von weniger als 1 nm bis zu mehreren Nanometern reagieren, die aber bevorzugt als Monolage ausgebildet ist. Der erste und der zweite Teilschritt des PLALD-Verfahrens werden sooft wiederholt, bis eine 10 bis 30 nm dicke erste Barrierenschicht 3 hergestellt ist.In a further method step according to 1B becomes a first barrier layer by means of a PLALD method 3 from Al 2 O 3 on the organic functional layer 22 and in particular on the layer sequence 2 applied. This is the substrate 1 with the organic layer sequence 2 heated in a coating plant to a temperature of about 80 ° C and exposed in a first step trimethylaluminum as a first starting compound, so that the trimethylaluminum on the through the layer sequence 2 and the substrate 1 can adsorb formed surface. To adsorb the first starting compound, for example, on a contact region of the substrate 1 For example, to avoid a later contact with the organic electronic component, it is possible to use a mask layer covering the contact region, which can be removed again after the first barrier layer has been applied. After removing the unadsorbed portion of the trimethylaluminum, in a second substep of the PLALD process, the substrate becomes 1 with the layer stack 2 Water (H 2 O) exposed as a second starting compound. The water can with that on the substrate 1 and the layer sequence 2 adsorbed trimethylaluminum react to an Al 2 O 3 layer having a thickness in the range of less than 1 nm to several nanometers, but which is preferably formed as a monolayer. The first and second substeps of the PLALD process are repeated as many times as a 10 to 30 nm thick first barrier layer 3 is made.

Alternativ kann auch Wasser als erste Ausgangsverbindung zugeführt werden, so dass das Wasser auf der durch die Schichtenfolge 2 und das Substrat 1 gebildeten Oberfläche adsorbieren kann. Danach kann das Trimethylaluminium als zweite Ausgangsverbindung zugeführt werden und mit der adsorbierten Wasserschicht unter Ausbildung einer Al2O3-Schicht reagieren.Alternatively, water can be supplied as a first starting compound, so that the water on the through the layer sequence 2 and the substrate 1 can adsorb formed surface. Thereafter, the trimethylaluminum can be supplied as a second starting compound and react with the adsorbed water layer to form an Al 2 O 3 layer.

Weiterhin kann auch soviel von der zweiten Ausgangsverbindung zugeführt werden, dass auf der durch Reaktion ausgebildeten Al2O3-Schicht wiederum das Material der zweiten Ausgangsverbindung adsorbieren kann und mit der danach zugeführten ersten Ausgangsverbindung zu einer weiteren ein- oder mehrlagigen Al2O3-Schicht reagieren kann.Furthermore, it is also possible to supply so much of the second starting compound that the material of the second starting compound can in turn be adsorbed on the Al 2 O 3 layer formed by reaction and with the first starting compound subsequently fed to form a further mono- or multilayer Al 2 O 3 . Layer can react.

Alternativ zum PLALD-Verfahren kann in dem weiteren Verfahrensschritt gemäß 1B mittels eines PEALD-Verfahrens eine erste Barrierenschicht 3 aus Al2O3 auf der organischen funktionellen Schicht 22 und insbesondere auf der Schichtenfolge 2 aufgebracht werden. Dazu wird das Substrat 1 mit der organischen Schichtenfolge 2 in einer Beschichtungsanlage auf eine Temperatur von weniger als 100°C und bevorzugt weniger als 80°C aufgeheizt und in einem ersten Teilschritt Trimethylaluminium als eine erste Ausgangsverbindung ausgesetzt, so dass das Trimethylaluminium auf der durch die Schichtenfolge 2 und das Substrat 1 gebildeten Oberfläche adsorbieren kann. Um eine Adsorption der ersten Ausgangsverbindung beispielsweise auf einem Kontaktbereich des Substrats 1 zur späteren elektrischen Kontaktierung des organische elektronischen Bauelements zu vermeiden kann beispielsweise eine den Kontaktbereich bedeckende Maskenschicht verwendet werden, die nach dem Aufbringen der ersten Barrierenschicht wieder entfernt werden kann. Nach dem Entfernen des nicht adsorbierten Anteils des Trimethylaluminiums wird in einem zweiten Teilschritt des PEALD-Verfahrens das Substrat 1 mit dem Schichtenstapel 2 einem Plasma mit N2O als zweite Ausgangsverbindung ausgesetzt. Das N2O kann mit dem auf dem Substrat 1 und der Schichtenfolge 2 adsorbierten Trimethylaluminium zu einer Al2O3-Schicht mit einer Dicke im Bereich von weniger als 1 nm bis zu mehreren Nanometern reagieren, die aber bevorzugt als Monolage ausgebildet ist. Der erste und der zweite Teilschritt des PEALD-Verfahrens werden sooft wiederholt, bis eine 10 bis 30 nm dicke erste Barrierenschicht 3 hergestellt ist.As an alternative to the PLALD method, in the further method step according to 1B a first barrier layer by means of a PEALD method 3 from Al 2 O 3 on the organic functional layer 22 and in particular on the layer sequence 2 be applied. This is the substrate 1 with the organic layer sequence 2 heated in a coating plant to a temperature of less than 100 ° C and preferably less than 80 ° C and exposed in a first substep trimethylaluminum as a first starting compound, so that the trimethylaluminum on the through the layer sequence 2 and the substrate 1 can adsorb formed surface. To adsorb the first starting compound, for example, on a contact region of the substrate 1 For example, to avoid a later contact with the organic electronic component, a mask layer covering the contact area can be used, which can be removed again after the first barrier layer has been applied. After removing the unadsorbed portion of the trimethylaluminum, in a second substep of the PEALD process, the substrate becomes 1 with the layer stack 2 exposed to a plasma with N 2 O as a second starting compound. The N 2 O can with that on the substrate 1 and the layer sequence 2 adsorbed trimethylaluminum react to an Al 2 O 3 layer having a thickness in the range of less than 1 nm to several nanometers, but which is preferably formed as a monolayer. The first and second substeps of the PEALD process are repeated as many times as a 10 to 30 nm thick first barrier layer 3 is made.

Durch das PLALD-Verfahren beziehungsweise das PEALD-Verfahren kann eine hochdichte erste Barrierenschicht 3 hergestellt werden, die sich durch eine hervorragende Kristallstruktur auszeichnet und im Vergleich zu einer mittels eines CVD-Verfahrens aufgewachsenen Schicht keine oder nur kaum Poren und/oder Kanäle aufweist. Weiterhin ermöglicht die derart hergestellte erste Barrierenschicht 3 eine hochdichte Grenzfläche zwischen der Barrierenschicht 3 und beispielsweise dem Substrat 1 im Randbereich der Verkapselung, wodurch mögliche Permeationspfade für Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit entlang dieser Grenzflächen vermieden werden.By the PLALD method or the PEALD method, a high-density first barrier layer 3 are distinguished by an excellent crystal structure and compared to a grown by a CVD process layer little or no pores and / or channels. Furthermore, the first barrier layer produced in this way makes it possible 3 a high density interface between the barrier layer 3 and for example the substrate 1 in the edge region of the encapsulation, thereby avoiding possible permeation paths for oxygen and / or moisture along these interfaces.

In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 1C wird mittels eines PECVD-Verfahrens zweite Barrierenschicht 4 aus SiO2 auf der ersten Barrierenschicht 3 aufgebracht. Die zweite Barrierenschicht 4 wird dabei mit einer Dicke von etwa 100 nm bis etwa 1000 nm bei derselben Temperatur wie die erste Barrierenschicht 3 aufgebracht. Aufgrund der hochdichten ersten Barrierenschicht 3 kann die zweite Barrierenschicht 4 mit einer im Vergleich höheren Aufwachsrate aufgebracht werden, um eine intrinsisch dichte Verkapselung der organischen Schichtenfolge 2 zu erreichen.In a further method step according to 1C becomes a second barrier layer by means of a PECVD method 4 of SiO 2 on the first barrier layer 3 applied. The second barrier layer 4 In this case, it is at a thickness of about 100 nm to about 1000 nm at the same temperature as the first barrier layer 3 applied. Due to the high-density first barrier layer 3 may be the second barrier layer 4 be applied with a relatively higher growth rate, to an intrinsically dense encapsulation of the organic layer sequence 2 to reach.

Insgesamt wird so eine hochdichte Verkapselung bei kurzen Prozesszeiten in einem wirtschaftlichen Verfahren erreicht.All in all Thus, a high density encapsulation with short process times in achieved an economic process.

Das PLALD-Verfahren beziehungsweise das PEALD-Verfahren und das PECVD-Verfahren werden in derselben Beschichtungsanlage durchgeführt, so dass bei der Herstellung der Verkapselung mit der ersten Barrierenschicht 3 und der zweiten Barrierenschicht 4 keine zusätzlichen Totzeiten durch Be- und Entladen von Beschichtungsanlagen beim Wechseln vom PLALD-Verfahren beziehungsweise vom PEALD-Verfahren zum PECVD-Verfahren entstehen.The PLALD method or the PEALD method and the PECVD method are carried out in the same coating system, so that in the production of the encapsulation with the first barrier layer 3 and the second barrier layer 4 No additional dead times arise when loading and unloading coating systems when switching from the PLALD process or from the PEALD process to the PECVD process.

Alternativ oder zusätzlich zu den hier beschriebenen Materialien kann die erste und/oder die zweite Barrierenschicht 3, 4 Oxid, Nitride und/oder Oxinitride mit Halbmetallen und/oder Metallen wie im allgemeinen Teil ausgeführt aufweisen. Alternativ zum gezeigten Verfahren kann die zweite Barrierenschicht 4 auch vor der ersten Barrierenschicht 3 auf dem Substrat und dem organischen Schichtenstapel 2 mit der organischen funktionellen Schicht 22 aufgebracht werden.Alternatively or in addition to the materials described here, the first and / or the second barrier layer 3 . 4 Having oxide, nitrides and / or oxynitrides with semimetals and / or metals as stated in the general part. As an alternative to the method shown, the second barrier layer 4 even before the first barrier layer 3 on the substrate and the organic layer stack 2 with the organic functional layer 22 be applied.

Alternativ oder zusätzlich kann die zweite Elektrode 23 transparent ausgeführt sein, so dass das organische elektronische Bauelement als Top-Emitter oder als transparente OLED hergestellt werden kann. Alternativ oder zusätzlich kann die Schichtenfolge 2 beispielsweise auch einen organischen Transistor und/oder eine organische Photodiode umfassen oder sein.Alternatively or additionally, the second electrode 23 be made transparent, so that the organic electronic component can be produced as a top emitter or transparent OLED. Alternatively or additionally, the layer sequence 2 For example, include or be an organic transistor and / or an organic photodiode.

In 2 ist ein Ausführungsbeispiel für ein organisches elektronisches Bauelement gezeigt, dass mittels eines Verfahrens hergestellt ist, das im Vergleich zum Verfahren gemäß dem vorherigen Ausführungsbeispiel einen weiteren Verfahrensschritt aufweist.In 2 an embodiment of an organic electronic component is shown, which is produced by means of a method which has a further method step compared to the method according to the previous embodiment.

Dabei wird nach dem oben beschriebenen Aufbringen der ersten und zweiten Barrierenschicht 3, 4 weiterhin eine Schutzschicht 5 aufgebracht. Die Schutzschicht 5 umfasst einen Sprühlack, der beispielsweise ein lösungsmittelhaltiger Lack sein kann, der mit einer Dicke von 10 bis 100 μm in einer Durchlauf-Sprühbelackungsanlage aufgebracht wird. Durch die Schutzschicht 5 kann das organische elektronische Bauelement und insbesondere die erste und zweite Barrierenschicht 3, 4 wirksam gegen Kratzer und sonstige mechanische Beschädigungen geschützt werden.In this case, after the above-described application of the first and second barrier layer 3 . 4 continue a protective layer 5 applied. The protective layer 5 comprises a spray paint, which may be, for example, a solvent-based paint applied with a thickness of 10 to 100 microns in a continuous spray coating plant. Through the protective layer 5 For example, the organic electronic component and in particular the first and second barrier layers 3 . 4 be effectively protected against scratches and other mechanical damage.

Alternativ oder zusätzlich kann als Schutzschicht 5 beispielsweise auch ein Polymer, etwa ein Silikon- oder Epoxidharz aufgebracht werden.Alternatively or additionally, as a protective layer 5 For example, a polymer, such as a silicone or epoxy resin are applied.

In den folgenden Figuren sind Ausschnitte von organischen elektronischen Bauelementen gemäß weiterer Ausführungsbeispiele gezeigt, die Modifikationen und Variationen der vorherigen Ausführungsbeispiele darstellen. Die nachfolgende Beschreibung bezieht sich hauptsächlich auf die Unterschiede zu den vorherigen Ausführungsbeispielen.In the following figures, portions of organic electronic components according to further embodiments are shown, the modifications and variations of the previous Ausfüh represent examples. The following description mainly refers to the differences from the previous embodiments.

In 3 ist ein Ausschnitt eines organischen elektronischen Bauelements gezeigt, bei dem wie in den vorhergehenden Ausführungsbeispielen über der Schichtenfolge 2 eine hochdichte erste Barrierenschicht 3 aus Al2O3 aufgebracht ist. Darüber ist eine zweite Barrierenschicht 4 mittels eines PECVD-Verfahrens aufgebracht, die drei Schichten 41, 42, 43 mit einer Gesamtdicke von 100 bis 100 nm aufweist. Die Schichten 41 und 43 sind als Siliziumnitridschicht ausgeführt, während die Schicht 42 als Siliziumoxidschicht ausgeführt ist. Alternativ können die Materialien der Schichten 41, 43 und der Schicht 42 auch vertauscht sein. Weiterhin kann die zweite Barrierenschicht 4 auch beispielsweise eine Schichtenfolge mit fünf Schichten aufweisen, die abwechselnd als Siliziumoxid- und Siliziumnitridschichten ausgebildet sind.In 3 a section of an organic electronic device is shown, in which as in the previous embodiments of the layer sequence 2 a high-density first barrier layer 3 made of Al 2 O 3 is applied. Above that is a second barrier layer 4 applied by a PECVD method, the three layers 41 . 42 . 43 having a total thickness of 100 to 100 nm. The layers 41 and 43 are designed as a silicon nitride layer while the layer 42 is designed as a silicon oxide layer. Alternatively, the materials of the layers 41 . 43 and the layer 42 also be reversed. Furthermore, the second barrier layer 4 Also, for example, have a layer sequence with five layers, which are formed alternately as silicon oxide and silicon nitride layers.

Alternativ zum gezeigten Ausführungsbeispiel kann die erste Barrierenschicht 3 auch auf der zweiten Barrierenschicht 4 mit den Schichten 41, 42, 43 aufgebracht sein.As an alternative to the exemplary embodiment shown, the first barrier layer 3 also on the second barrier layer 4 with the layers 41 . 42 . 43 be upset.

In den 4 und 5 sind Ausschnitte von organischen elektronischen Bauelementen gezeigt, die eine Mehrzahl von ersten Barrierenschichten 3, 3', 3'' beziehungsweise 3, 3', 3'', 3''' und eine Mehrzahl von zweiten Barrierenschichten 4, 4', 4'' aufweisen, die jeweils abwechselnd aufeinander mittels PLALD-Verfahren oder PEALD-Verfahren beziehungsweise PECVD-Verfahren aufgebracht sind. Da nicht ausgeschlossen werden kann, dass die zweite Elektrode der Schichtenfolge 2 und/oder die zweiten Barrierenschichten 4, 4', 4'' zumindest teilweise Defekte beispielsweise in Form von kolumnaren Wachstum, Kanälen, Poren und/oder Korngrenzen aufweisen, kann durch die ersten Barrierenschichten 3, 3', 3'' zwischen der Schichtenfolge 2 und den zweiten Barrierenschichten 4, 4', 4'' sichergestellt werden, dass eine Fortsetzung solcher Defekte wirksam unterbrochen werden kann. Insbesondere können in den zweiten Barrierenschichten 4, 4', 4'' auftretende Kanäle und/oder Poren durch die darüber liegenden ersten Barrierenschichten 3', 3'' beziehungsweise 3', 3'', 3''' abgedichtet werden.In the 4 and 5 For example, portions of organic electronic devices that include a plurality of first barrier layers are shown 3 . 3 ' . 3 '' respectively 3 . 3 ' . 3 '' . 3 ''' and a plurality of second barrier layers 4 . 4 ' . 4 '' , which are alternately applied to each other by means of PLALD method or PEALD method or PECVD method. Since it can not be excluded that the second electrode of the layer sequence 2 and / or the second barrier layers 4 . 4 ' . 4 '' At least partially have defects, for example in the form of columnar growth, channels, pores and / or grain boundaries can through the first barrier layers 3 . 3 ' . 3 '' between the layer sequence 2 and the second barrier layers 4 . 4 ' . 4 '' to ensure that any continuation of such defects can be effectively interrupted. In particular, in the second barrier layers 4 . 4 ' . 4 '' occurring channels and / or pores through the overlying first barrier layers 3 ' . 3 '' respectively 3 ' . 3 '' . 3 ''' be sealed.

Weiterhin kann zumindest eine der zweiten Barrierenschichten 4, 4' und 4'' mehrere Schichten wie in Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel in 3 gezeigt aufweisen.Furthermore, at least one of the second barrier layers 4 . 4 ' and 4 '' several layers as in connection with the embodiment in 3 have shown.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited to these. Rather, the invention encompasses every new feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in the claims includes, even if this feature or this combination itself not explicitly in the patent claims or embodiments is specified.

Claims (15)

Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements mit Barrierenschichten zur Verkapselung des Bauelements, mit den Schritten: – Bereitstellen eines Substrats (1) mit zumindest einer organischen funktionellen Schicht (22), – Aufbringen zumindest einer ersten Barrierenschicht (3) auf der organischen funktionellen Schicht (22) mittels plasmaloser Atomschichtenabscheidung (PLALD) und – Aufbringen zumindest einer zweiten Barrierenschicht (4) auf der organischen funktionellen Schicht (22) mittels plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung (PECVD).Method for producing an organic electronic component having barrier layers for encapsulating the component, comprising the steps of: providing a substrate ( 1 ) with at least one organic functional layer ( 22 ), - applying at least a first barrier layer ( 3 ) on the organic functional layer ( 22 ) by means of plasmalose atomic layer deposition (PLALD) and - applying at least one second barrier layer ( 4 ) on the organic functional layer ( 22 ) by means of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Verfahren nach Anspruch 1 mit dem weiteren Schritt: – Aufbringen einer Schutzschicht (5) auf der ersten und zweiten Barrierenschicht (3, 4).Method according to claim 1 with the further step: - applying a protective layer ( 5 ) on the first and second barrier layers ( 3 . 4 ). Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem – die Schutzschicht (5) einen Sprühlack aufweist.Method according to the preceding claim, in which - the protective layer ( 5 ) has a spray paint. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – beim Bereitstellen des Substrats (1) mit der zumindest einen organischen funktionellen Schicht (22) eine erste Elektrode (21) auf dem Substrat (1) und eine zweite Elektrode (23) auf der zumindest einen organischen funktionellen Schicht (22) aufgebracht wird und – die erste Barrierenschicht (3) auf der zweiten Elektrode (23) aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, in which, when the substrate ( 1 ) with the at least one organic functional layer ( 22 ) a first electrode ( 21 ) on the substrate ( 1 ) and a second electrode ( 23 ) on the at least one organic functional layer ( 22 ) is applied and - the first barrier layer ( 3 ) on the second electrode ( 23 ) is applied. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – die erste Barrierenschicht (3) und/oder die zweite Barrierenschicht (4) ein Oxid, ein Nitrid oder ein Oxinitrid umfasst.Method according to one of the preceding claims, in which - the first barrier layer ( 3 ) and / or the second barrier layer ( 4 ) comprises an oxide, a nitride or an oxynitride. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – als zweite Barrierenschicht (4) eine Schichtenfolge aus zumindest zwei Schichten (41, 42) mit unterschiedlichen Materialien aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, in which - as a second barrier layer ( 4 ) a layer sequence of at least two layers ( 41 . 42 ) is applied with different materials. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem – die zumindest zwei Schichten (41, 42) mit unterschiedlichen Materialien eine Schicht mit einem Oxid und eine Schicht mit einem Nitrid umfassen.Method according to the preceding claim, in which - the at least two layers ( 41 . 42 ) comprise, with different materials, a layer with an oxide and a layer with a nitride. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – zumindest eine weitere erste Barrierenschicht (3') aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, in which - at least one further first barrier layer ( 3 ' ) is applied. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – zumindest eine weitere zweite Barrierenschicht (4') aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, in which - at least one further second barrier layer ( 4 ' ) is applied. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem – die ersten und zweiten Barrierenschichten (3, 3', 4, 4') abwechselnd aufeinander aufgebracht werden.Method according to one of claims 7 to 9, wherein - the first and second barrier layers ( 3 . 3 ' . 4 . 4 ' ) are alternately applied to each other. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – die zumindest eine erste Barrierenschicht (3) und die zumindest eine zweite Barrierenschicht (4) bei einer Substrattemperatur von größer oder gleich 60°C und kleiner oder gleich 120°C aufgebracht werden.Method according to one of the preceding claims, in which - the at least one first barrier layer ( 3 ) and the at least one second barrier layer ( 4 ) are applied at a substrate temperature of greater than or equal to 60 ° C and less than or equal to 120 ° C. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – die zumindest eine erste Barrierenschicht (3) eine Dicke von größer oder gleich 10 nm und kleiner oder gleich 30 nm aufweist.Method according to one of the preceding claims, in which - the at least one first barrier layer ( 3 ) has a thickness of greater than or equal to 10 nm and less than or equal to 30 nm. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – die zumindest eine zweite Barrierenschicht (4) eine Dicke von größer oder gleich 100 nm und kleiner oder gleich 1000 nm aufweist.Method according to one of the preceding claims, in which - the at least one second barrier layer ( 4 ) has a thickness of greater than or equal to 100 nm and less than or equal to 1000 nm. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – das organische elektronische Bauelement eine lichtemittierende organische Diode (OLED) umfasst.Method according to one of the preceding claims, in the - the organic electronic component of a light-emitting organic Diode (OLED) includes. Organisches optoelektronisches Bauelement, herstellbar mittels eines Verfahrens gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14.Organic optoelectronic component, producible by a method according to a the claims 1 to 14.
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