DE102007037654A1

DE102007037654A1 - Halbleiterbauelement

Info

Publication number: DE102007037654A1
Application number: DE102007037654A
Authority: DE
Inventors: Jae Won Soowon Han
Original assignee: Dongbu HitekCo Ltd
Current assignee: DB HiTek Co Ltd
Priority date: 2006-08-23
Filing date: 2007-08-09
Publication date: 2008-08-14
Also published as: CN101131996A; KR100807050B1; US20080048335A1; JP2008053708A; CN100536131C

Abstract

Ein Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann eine Verdrahtungslage, eine Vielzahl von auf der Verdrahtungslage geschichteten und ausgebildeten Bauelementen, durchgehende Elektroden, von denen jede in der Vielzahl von Bauelementen ausgebildet ist und die entsprechenden Bauelemente durchdringt, und Verbindungs-Elektroden enthalten, die zwischen den jeweiligen Bauelementen ausgebildet sind und eine durchgehende Elektrode, die in einem oberen Bauelement ausgebildet ist, mit einer durchgehenden Elektrode verbinden, die in einem unteren Bauelement ausgebildet ist.

Description

HINTERGRUND
1 ist eine Zeichnung, die ein Halbleiterbauelement in Form eines "System In a Package (System in einem Gehäuse)" (SiP) zeigt, das durch ein Halbleiter-Herstellungsverfahren nach dem Stand der Technik hergestellt wurde.
Das Halbleiterbauelement in SiP-Form nach dem Stand der Technik kann ein Interposer 11, ein erstes Bauelement 13, ein zweites Bauelement 15 und ein drittes Bauelement 17 enthalten, wie in 1 gezeigt.
Das erste bis dritte Bauelement 13, 15 und 17 können zum Beispiel eine CPU, ein SPRM, ein DRAM, ein Flash-Speicher, ein Logik-LSI, ein Leistungs-IC, ein Steuerungs-IC, ein Analog-LSI, ein MM IC, ein CMOS RF-IC, ein Sensor-Chip und ein MEMS-Chip sein.
Zwischen dem ersten Bauelement 13 und dem zweiten Bauelement 15, bzw. zwischen dem zweiten Bauelement 15 und dem dritten Bauelement 17 kann ein Verbinder zur Verbindung von Signalen zwischen entsprechenden Bauelementen ausgebildet sein.
Wenn das SiP-Halbleiterbauelement in Form eines SiP, das eine solche Struktur hat, kommerziell genutzt werden soll, kann es jedoch sein, dass ein Problem bezüglich der Wärmeabgabe auftritt. Insbesondere kann es sein, dass das Problem der Wärmeabgabe eines Bauelementes, das in einer Zwischenschicht ausgebildet ist, wie das zweite Bauelement 15, die kommerzielle Nutzung des Halbleiterbauelementes unmöglich macht.
ZUSAMMENFASSUNG
Ausführungen betreffen ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, das Wärme von einem Halbleiterbauelement in Form eines SiP auf effiziente Weise abführen kann. Gemäß Ausführungen kann ein Halbleiterbauelement einen Interposer (Verdrahtungslage), eine Vielzahl von auf dem Interposer geschichteten und ausgebildeten Bauelementen, durchgehende Elektroden, die jeweils in der Vielzahl von Bauelementen ausgebildet sind und die die entsprechenden Bauelemente durchdringen, und Verbindungs-Elektroden, die zwischen den entsprechenden Bauelementen ausgebildet sind und eine durchgehende Elektrode, die in einem oberen Bauelement ausgebildet ist, mit einer durchgehenden Elektrode, die in einem unteren Bauelement ausgebildet ist, verbinden, enthalten.
Gemäß Ausführungen kann ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes es umfassen, eine Vielzahl von Bauelementen herzustellen, die durchgehende Elektroden haben, welche die Bauelemente durchdringen, und die Vielzahl von Bauelementen auf einer Verdrahtungslage zu schichten und auszubilden.
ZEICHNUNGEN
1 ist eine Zeichnung eines Halbleiterbauelementes in Form eines System In a Package (SIP), das durch ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes nach dem Stand der Technik hergestellt wurde.
2 ist eine Zeichnung eines Halbleiterbauelementes in Form eines System In a Package (SIP), das gemäß Ausführungen der Erfindung hergestellt wurde.
3 ist eine Zeichnung eines Halbleiterbauelementes in Form eines System In a Package (SIP), das gemäß Ausführungen der Erfindung hergestellt wurde.
4 ist eine Zeichnung eines Halbleiterbauelementes in Form eines System In a Package (SIP), das gemäß Ausführungen der Erfindung hergestellt wurde.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
2 ist eine Zeichnung eines Halbleiterbauelementes in Form eines System In a Package (SIP), das gemäß Ausführungen der Erfindung hergestellt wurde.
Das Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann eine Verdrahtungslage (Interposer) 200, ein erstes Bauelement 210, ein zweites Bauelement 230 und ein dritte Bauelement 250 enthalten, wie in 2 gezeigt. Das Halbleiterbauelement kann eine erste durchgehende Elektrode 211 enthalten, die das erste Bauelement 210 durchdringt. Das Halbleiterbauelement kann eine zweite durchgehende Elektrode 231, die das zweite Bauelement 230 durchdringt, und die dritte durchgehende Elektrode 251 enthalten, die das dritte Bauelement 250 durchdringt.
Das Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann eine erste Verbindungsschicht 220 enthalten, die das erste Bauelement 210 mit dem zweiten Bauelement 230 verbinden kann. Das Halbleiterbauelement kann eine zweite Verbindungsschicht 240 enthalten, die das zweite Bauelement 230 mit dem dritten Bauelement 250 verbindet. Die erste Verbindungs-Elektrode 221 kann auf der ersten Verbindungsschicht 220 und die zweite Verbindungs-Elektrode 241 kann auf der zweiten Verbindungsschicht 240 ausgebildet sein. Das erste Bauelement 210 kann elektrisch mit dem zweiten Bauelement 230 verbunden sein, wozu die erste Verbindungs-Elektrode 221 benutzt wird. Das zweite Bauelement 230 kann elektrisch mit dem dritten Bauelement 250 verbunden sein, wozu die zweite Verbindungs-Elektrode 241 benutzt wird. Die erste Verbindungs-Elektrode 221 kann die erste durchgehende Elektrode 211 mit der zweiten durchgehenden Elektrode 231 verbinden. Die zweite Verbindungs-Elektrode 241 kann die zweite durchgehende Elektrode 231 mit der dritten durchgehenden Elektrode 251 verbinden.
In Ausführungen des Halbleiterbauelementes in Form eines SiP, das eine solche geschichtete Struktur hat, können sowohl ein auf dem obersten Teil hergestelltes Bauelement, als auch ein auf dem untersten Teil hergestelltes Bauelement elektrisch verbunden sein. Durch eine solche Verbindungsstruktur können die entsprechenden Bauelemente Wärme nach außen abgeben. In Ausführungen können die entsprechenden Bauelemente effizient Wärme abführen, die von einem in der Zwischenschicht ausgebildeten Bauelement erzeugt wird.
In Ausführungen können Halbleiterbauelemente mit Masse-Elektroden ausgestattet sein. Daher können die auf dem ersten bis dritten Bauelement 210, 230 und 250 ausgebildeten Masse-Elektroden elektrisch verbunden werden, so dass die von den jeweiligen Bauelementen erzeugte Wärme effizienter abgegeben werden kann. In Ausführungen kann an die Masse-Elektroden dieselbe Spannung angelegt werden, so dass kein Problem im Fluss oder im Betrieb elektrischer Signale auftritt. Die erste durchgehende Elektrode 211 kann ausgebildet sein, um mit der im ersten Bauelement 210 bereitgestellten Masse-Elektrode verbunden zu werden. Die zweite durchgehende Elektrode 231 kann ausgebildet sein, um mit der im zweiten Bauelement 230 bereitgestellten Masse-Elektrode verbunden zu werden. Die dritte durchgehende Elektrode 251 kann ausgebildet sein, um mit der im dritten Bauelement 250 bereitgestellten Masse-Elektrode verbunden zu werden.
In Ausführungen kann die erste durchgehende Elektrode 211 nicht im ersten Bauelement 210 ausgebildet sein. Die erste durchgehende Elektrode 211 kann jedoch als eine Maßnahme so ausgebildet sein, um die von den jeweiligen Bauelementen erzeugte Wärme effizienter abzugeben.
In Ausführungen kann die durchgehende Elektrode hergestellt werden, indem sequentiell ein Muster-Prozess, ein Ätz-Prozess, ein Metall-Eildungs-Prozess und ein CMP-Prozess für das Halbleiter-Substrat durchgeführt werden. Solche Prozesse sind bekannt und sind in Ausführungen nicht das Hauptanliegen: Daher wird hier auf deren Beschreibung abgesehen.
Gemäß Ausführungen kann die durchgehende Elektrode aus mindestens einem der Materialien W, Cu, Al, Ag und Au, usw. gebildet sein. Die durchgehende Elektrode kann durch CVD, PVD, Aufdampfen und ECP, usw. abgeschieden werden. Ein Grenzschicht-Metall der durchgehenden Elektrode kann ein beliebiges aus TaN, Ta, TiN, Ti und TiSiN, usw. sein und durch CVD, PVD und ALD, usw. hergestellt werden.
In Ausführungen, in denen ein Halbleiterbauelement in SiP-Form, bei dem erste bis dritte Bauelemente 210, 230 und 250 geschichtet und wie beschrieben ausgebildet sind, kann die Anzahl der geschichteten Bauelemente verschieden geändert werden. Die entsprechenden Bauelemente können jedes beliebige aus CPU, SRAM, DRAM, Flash-Speicher, Logik-LSI, Leistungs-IC, Steuerungs-IC, Analog-LSI, MM IC, CMOS RF-IC, Sensor-Chip und MEMS-Chip, usw. sein.
In Ausführungen kann ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes das Herstellen einer Vielzahl von Bauelementen umfassen, die durchgehende Elektroden aufweisen, welche die Bauelemente durchdringen, und das Schichten und der Bildung der Vielzahl der Bauelemente auf eine Verdrahtungslage. Gemäß Ausführungen kann das Schichten und Ausbilden der Vielzahl von Bauelementen auf einer Verdrahtungslage ein Herstellen einer Verbindungsschicht zwischen den jeweiligen Bauelementen und ein Verbinden der durchgehenden Elektroden, die auf dem oberen Bauelement und dem unteren Bauelement ausgebildet sind, durch die auf der Verbindungsschicht ausgebildete Verbindungs-Elektrode umfassen.
Mit Bezug auf 3 kann in Ausführungen ein Halbleiter in Form eines SiP als Maßnahme so hergestellt werden, dass die von den jeweiligen Bauelementen erzeugte Wärme effizienter abgegeben wird.
Das Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann eine Verdrahtungslage 300, ein erstes Bauelement 310, ein zweites Bauelement 330 und ein drittes Bauelement 350 enthalten, wie in 3 gezeigt. Das Halbleiterbauelement kann eine erste durchgehende Elektrode 311, die das erste Bauelement 310 durchdringt, enthalten. Das Halbleiterbauelement kann eine zweite durchgehende Elektrode 331, die das zweite Bauelement 330 durchdringt, und eine dritte durchgehende Elektrode 351, die das dritte Bauelement 350 durchdringt, enthalten.
Das Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann eine erste Verbindungsschicht 320 enthalten, die das erste Bauelement 310 mit dem zweiten Bauelement 330 verbinden kann. Das Halbleiterbauelement kann eine zweite Verbindungsschicht 340 enthalten, die das zweite Bauelement 330 mit dem dritten Bauelement 350 verbinden kann. Eine erste Verbindungs-Elektrode 321 kann auf der ersten Verbindungsschicht 320 ausgebildet sein. Eine zweite Verbindungs-Elektrode 341 kann auf der zweiten Verbindungsschicht 340 ausgebildet sein. Das erste Bauelement 310 kann mit dem zweiten Bauelement 330 durch die erste Verbindungs-Elektrode 321 elektrisch verbunden sein. Das zweite Bauelement 330 kann mit dem dritten Bauelement 350 durch die zweite Verbindungs-Elektrode 341 elektrisch verbunden sein. Die erste Verbindungs-Elektrode 321 kann die erste durchgehende Elektrode 311 mit der zweiten durchgehenden Elektrode 331 verbinden. Die zweite Verbindungs-Elektrode 241 kann die zweite durchgehende Elektrode 231 mit der dritten durchgehenden Elektrode 251 verbinden.
In Ausführungen des Halbleiterbauelementes in Form eines SiP, das eine solche geschichtete Struktur hat, können sowohl ein auf dem obersten Teil hergestelltes Bauelement, als auch ein auf dem untersten Teil hergestelltes Bauelement elektrisch verbunden sein. Durch eine solche Verbindungsstruktur können die entsprechenden Bauelemente Wärme nach außen (d. h. nach außerhalb des Bauelementes) abgeben. In Ausführungen können die entsprechenden Bauelemente effizient Wärme abführen, die von einem in der Zwischenschicht ausgebildeten Bauelement erzeugt wird.
In Ausführungen können die gesamten Halbleiterbauelemente mit Masse-Elektroden ausgestattet sein. Die auf dem ersten bis dritten Bauelement 310, 330 und 350 ausgebildeten Masse-Elektroden können elektrisch verbunden werden, so dass die von den jeweiligen Bauelementen erzeugte Wärme effizient abgegeben werden kann. In Ausführungen kann an die Masse-Elektroden dieselbe Spannung angelegt werden, so dass Probleme beim Fluss oder im Betrieb der elektrischen Signale verringert werden. Die erste durchgehende Elektrode 311 kann ausgebildet sein, um mit der im ersten Bauelement 310 bereitgestellten Masse-Elektrode verbunden zu werden. Die zweite durchgehende Elektrode 331 kann ausgebildet sein, um mit der im zweiten Bauelement 330 bereitgestellten Masse-Elektrode verbunden zu werden. Die dritte durchgehende Elektrode 351 kann ausgebildet sein, um mit der im dritten Bauelement 350 bereitgestellten Masse-Elektrode verbunden zu werden.
In Ausführungen kann ein gesonderter Metallfilm 360 auf einer unteren Oberfläche des ersten Bauelementes 310 hergestellt werden. Der Metallfilm 360 kann auf einer unteren Oberfläche des ersten Bauelementes 310 durch ein beliebiges Verfahren hergestellt werden, wie z. B. CVD, PVD, Aufdampfen, ECP, usw. In Ausführungen kann der Metallfilm 360 über die durchgehenden Elektroden mit den entsprechenden Bauelementen verbunden werden, und die von den entsprechenden Bauelementen erzeugte Wärme kann effizienter abgegeben werden.
Mit Bezug auf 4 kann in Ausführungen ein Halbleiter in Form eines SiP als Maßnahme so hergestellt werden, dass die von den jeweiligen Bauelementen erzeugte Wärme effizienter abgegeben wird.
Das Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann eine Verdrahtungslage 400, ein erstes Bauelement 410, ein zweites Bauelement 430 und ein drittes Bauelement 450 enthalten, wie in 4 gezeigt. Das Halbleiterbauelement kann eine erste durchgehende Elektrode 411, die das erste Bauelement 410 durchdringt, enthalten. Das Halbleiterbauelement kann eine zweite durchgehende Elektrode 431, die das zweite Bauelement 430 durchdringt, und eine dritte durchgehende Elektrode 451, die das dritte Bauelement 450 durchdringt, enthalten.
Das Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann eine erste Verbindungsschicht 420 enthalten, die das erste Bauelement 410 mit dem zweiten Bauelement 430 verbindet. Das Halbleiterbauelement kann eine zweite Verbindungsschicht 440 enthalten, die das zweite Bauelement 430 mit dem dritten Bauelement 450 verbindet. Eine erste Verbindungs-Elektrode 421 kann auf der ersten Verbindungsschicht 420 ausgebildet sein. Eine zweite Verbindungs-Elektrode 441 kann auf der zweiten Verbindungsschicht 440 ausgebildet sein. Das erste Bauelement 410 kann mit dem zweiten Bauelement 430 durch die erste Verbindungs-Elektrode 421 elektrisch verbunden sein. Das zweite Bauelement 430 kann mit dem dritten Bauelement 450 durch die zweite Verbindungs-Elektrode 441 elektrisch verbunden sein. Die erste Verbindungs-Elektrode 421 kann die erste durchgehende Elektrode 411 mit der zweiten durchgehenden Elektrode 431 verbinden. Die zweite Verbindungs-Elektrode 441 kann die zweite durchgehende Elektrode 431 mit der dritten durchgehenden Elektrode 451 verbinden.
Gemäß Ausführungen können in einem Halbleiterbauelement in Form eines SiP, das eine solche geschichtete Struktur hat, sowohl ein auf dem obersten Teil hergestelltes Bauelement, als auch ein auf dem untersten Teil hergestelltes Bauelement elektrisch verbunden sein. Durch eine solche Verbindungsstruktur können die entsprechenden Bauelemente Wärme nach außen abgeben. In Ausführungen können die entsprechenden Bauelemente effizient Wärme abführen, die von einem in der Zwischenschicht ausgebildeten Bauelement erzeugt wird.
In Ausführungen kann das gesamte Halbleiterbauelement mit Masse-Elektroden ausgestattet sein. Die auf dem ersten bis dritten Bauelement 410, 430 und 450 ausgebildeten Masse-Elektroden können elektrisch verbunden werden, so dass die von den jeweiligen Bauelementen erzeugte Wärme effizient abgegeben werden kann. Auch kann an die Masse-Elektroden dieselbe Spannung angelegt werden, so dass Probleme beim Fluss oder im Betrieb der elektrischen Signale verringert oder beseitigt werden.
Die erste durchgehende Elektrode 411 kann ausgebildet sein, um mit der im ersten Bauelement 410 bereitgestellten Masse-Elektrode verbunden zu werden. Die zweite durchgehende Elektrode 431 kann ausgebildet sein, um mit der im zweiten Bauelement 430 bereitgestellten Masse-Elektrode verbunden zu werden. Die dritte durchgehende Elektrode 451 kann ausgebildet sein, um mit der im dritten Bauelement 450 bereitgestellten Masse-Elektrode verbunden zu werden.
Gemäß Ausführungen kann eine gesonderte Wärme-Abstrahlungs-Einrichtung 460 auf einer unteren Oberfläche des ersten Bauelementes 410 hergestellt werden. In Ausführungen kann die Wärme-Abstrahlungs-Einrichtung 460 über die durchgehende Elektrode mit den entsprechenden Bauelementen verbunden werden, und die von den entsprechenden Bauelementen erzeugte Wärme kann effizienter abgegeben werden. In Ausführungen kann die Wärme-Abstrahlungs-Einrichtung 460 ein Kühlkörper oder eine Heat-Pipe sein.
Gemäß Ausführungen kann die Wärme-Abstrahlung problemloser und effizienter erfolgen, wenn ein Röhrchen bereitgestellt wird, das zwischen das erste Bauelement und der Verdrahtungslage ein Kühlmittel injizieren kann, das mit ihnen in Kontakt kommt.
Mit dem Halbleiterbauelement und dem Verfahren zu dessen Herstellung besteht gemäß Ausführungen der Vorteil, dass Wärme von dem Halbleiterbauelement in Form eines SiP leicht abgegeben werden kann.
Es ist für einen Fachmann offensichtlich, dass verschiedene Änderungen und Abwandlungen der Ausführungen vorgenommen werden können. Somit ist es beabsichtigt, dass Ausführungen Änderungen und Abwandlungen abdecken, die im Umfang der beigefügten Ansprüche liegen. Es ist auch selbstverständlich, dass wenn eine Schicht als "auf" oder "über" einer anderen Schicht oder einem Substrat bezeichnet wird, sie direkt auf der anderen Schicht oder dem Substrat sein kann oder auch dazwischen liegende Schichten vorhanden sein können.

Claims

Ein Bauelement, umfassend: eine Verdrahtungslage; eine Vielzahl von über der Verdrahtungslage geschichteten Bauelementen; eine durchgehende Elektrode, die in jedem aus der Vielzahl der Bauelemente ausgebildet und konfiguriert ist, das entsprechende Bauelement zu durchdringen; und Verbindungs-Elektroden, die zwischen den jeweiligen Bauelementen ausgebildet und konfiguriert sind, die in einem oberen Bauelement ausgebildete durchgehende Elektrode mit der in einem unteren Bauelement ausgebildeten durchgehenden Elektrode zu verbinden.
Das Bauelement gemäß Anspruch 1, wobei die in jeder aus der Vielzahl der Bauelemente ausgebildeten durchgehenden Elektroden mit Masse-Elektroden der entsprechenden Bauelemente verbunden sind.
Das Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2, das weiterhin einen Metallfilm enthält, der zwischen der Verdrahtungslage und der geschichteten Vielzahl von Bauelementen ausgebildet und mit der im unteren Bauelement ausgebildeten durchgehenden Elektrode verbunden ist.
Das Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, das weiterhin einen Wärme-Abstrahler enthält, der zwischen der Verdrahtungslage und der Vielzahl geschichteter Bauelemente bereitgestellt wird und mit der im unteren Bauelement ausgebildeten durchgehenden Elektrode gekoppelt ist.
Das Bauelement gemäß Anspruch 4, wobei der Wärme-Abstrahler mindestens eines von einem Kühlkörper oder einem Röhrchen umfasst.
Das Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die durchgehende Elektrode mindestens eines der Materialien W, Cu, Al, Ag und Au umfasst.
Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei jedes aus der Vielzahl von Bauelementen eines aus CPU, SPRM, DRAM, Flash-Speicher, Logik-LSI, Leistungs-IC, Steuerungs-IC, Analog-LSI, MM IC, CMOS RF-IC, Sensor-Chip und MEMS-Chip ist.
Ein Verfahren, umfassend: Herstellen einer Vielzahl von Bauelementen, wobei jedes durchgehende Elektroden aufweist, welche die entsprechenden Bauelemente durchdringen; und Schichten der Vielzahl von Bauelementen über einer Verdrahtungslage, wobei durchgehende Elektroden benachbarter geschichteter Bauelemente miteinander verbunden sind,
Das Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei das Schichten der Vielzahl der Bauelemente über der Verdrahtungslage ein Herstellen einer Verbindungsschicht zwischen den entsprechenden Bauelementen und ein Verbinden der durchgehenden Elektroden, die auf einem oberen Bauelement und einem unteren Bauelement ausgebildet sind, über die in der Verbindungsschicht ausgebildete Verbindungs-Elektrode umfasst.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 9, wobei die in den entsprechenden Bauelementen ausgebildeten durchgehenden Elektroden mit Masse-Elektroden der entsprechenden Bauelemente verbunden sind.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, das weiterhin ein Herstellen eines Metallfilms zwischen der Verdrahtungslage und der Vielzahl geschichteter Bauelemente umfasst.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11, das weiterhin ein Herstellen eines Wärme-Abstrahlers zwischen der Verdrahtungslage und der Vielzahl geschichteter Bauelemente umfasst.
Das Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei der Wärme-Abstrahler einen Kühlkörper umfasst.
Das Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei der Wärme-Abstrahler ein Röhrchen umfasst.
Das Verfahren gemäß Anspruch 14, das weiterhin das Injizieren eines Kühlmittels in das Röhrchen umfasst.
Das Verfahren gemäß einem beliebigen der Ansprüche 8 bis 15, wobei die durchgehenden Elektroden mindestens eines der Materialien W, Cu, Al, Ag und Au umfassen.
Das Verfahren gemäß einem beliebigen der Ansprüche 8 bis 16, wobei jedes aus der Vielzahl von Bauelementen eines aus CPU, SPRM, DRAM, Flash-Speicher, Logik-LSI, Leistungs-IC, Steuerungs-IC, Analog-LSI, MM IC, CMOS RF-IC, Sensor-Chip und MEMS-Chip ist.
Ein Bauelement, umfassend: eine Verdrahtungslage; eine über der Verdrahtungslage ausgebildete Wärmeausbreitungs-Schicht; ein erstes Bauelement, das über der Wärmeausbreitungs-Schicht ausgebildet ist und eine darin ausgebildete erste durchgehende Elektrode hat, die das erste Bauelement von einer oberen Oberfläche des ersten Bauelementes zu einer unteren Oberfläche des ersten Bauelementes durchläuft; ein zweites Bauelement, das über dem ersten Bauelement ausgebildet ist und eine darin ausgebildete zweite durchgehende Elektrode hat, die das zweite Bauelement von einer oberen Oberfläche des zweiten Bauelementes zu einer unteren Oberfläche des zweiten Bauelementes durchläuft; und eine Verbindungs-Elektrode, die zwischen dem ersten Bauelement und dem zweiten Bauelement ausgebildet und mit der ersten und der zweiten durchgehenden Elektrode verbunden ist.
Das Bauelement gemäß Anspruch 18, wobei die Wärmeausbreitungs-Schicht eines von einer Metallschicht, einem Kühlkörper oder einem Röhrchen ist.
Das Bauelement gemäß einem der Ansprüche 18 bis 19, wobei die erste durchgehende Elektrode mit einer Masse-Elektrode des ersten Bauelementes verbunden ist und die zweite durchgehende Elektrode mit einer Masse-Elektrode des zweiten Bauelementes verbunden ist.