DE102006032568A1 - Process for plasma-assisted chemical vapor deposition on the inner wall of a hollow body - Google Patents

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Abstract

The invention relates to a method for plasma-assisted chemical vapour deposition for coating or material removal on the inner wall of a hollow body (42). The method involves introducing a gas lance (44) into the hollow body (42) and forming a cavity plasma (45) to form a plasma cloud arranged at the tip of the gas lance by applying an electric radio-frequency field to an RF electrode (41).

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung zur Beschichtung bzw. Materialabtragung an der Innenwand eines Hohlkörpers.The The invention relates to a method for plasma-enhanced chemical Gas phase deposition for coating or material removal on the inner wall of a hollow body.

Solche Verfahren sind unter den Gattungsbegriffen Plasmabeschichten (PECVD, „Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition") bzw. Kathodenzerstäubung (engl. Sputtern) bekannt.Such Methods are under the generic term plasma coatings (PECVD, "Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ") or sputtering known.

Hierbei wird ein Werkstück in eine Vakuumkammer eingebracht und dort fixiert. Die Kammer wird bis auf einen Restgasdruck im Hochvakuum- bzw. Ultrahochvakuum-Bereich evakuiert und ein inertes Arbeitsgas eingelassen. Durch Einspeisung eines HF-Feldes über eine in der Vakuumkammer angeordnete HF-Elektrode wird anschließend ein Niederdruck-Plasma gezündet. Hierbei wird ein ionisiertes Gas erzeugt, das zu einem nennenswerten Anteil sich schnell bewegende freie Ladungsträger wie Ionen oder Elektronen enthält.in this connection becomes a workpiece placed in a vacuum chamber and fixed there. The chamber will except for a residual gas pressure in the high vacuum or ultra-high vacuum range evacuated and an inert working gas admitted. By feeding an RF field over an arranged in the vacuum chamber RF electrode is then a Low-pressure plasma ignited. Here, an ionized gas is generated, which is a significant Share fast moving free charge carriers like ions or electrons contains.

Bei der PECVD werden neben dem Arbeitsgas weitere sogenannte Reaktionsgase in die Kammer eingespeist, die insbesondere kohlenstoffhaltig oder siliziumhaltig sein können. In dem Niederdruck-Plasma haben die Elektronen solch hohe Energien, dass chemische Reaktionen zwischen den Gasbestandteilen und Bestandteilen der Oberfläche des Werkstücks möglich sind, die im thermischen Gleichgewicht nicht möglich sind. Auf diese Weise bilden sich auf der Oberfläche des Werkstücks Schichten aus, die je nach Reaktionsgas z.B. aus Kohlenstoff oder Siliziumoxid bestehen können. Es lassen sich so zum Beispiel hochfeste, reibungsarme und biokompatible diamantähnliche Kohlenstoffbeschichtungen (DLC, „Diamond-like Carbon") herstellen, die z.B. in Implantaten, Zahnrädern und dergleichen zum Einsatz kommen.at In addition to the working gas, the PECVD will also use other so-called reaction gases fed into the chamber, in particular carbonaceous or may be silicon-containing. In the low-pressure plasma, the electrons have such high energies, that chemical reactions between the gas constituents and constituents the surface of the workpiece possible are that are not possible in thermal equilibrium. Form in this way yourself on the surface of the workpiece layers from, depending on the reaction gas, e.g. made of carbon or silicon oxide can exist. It can be, for example, high-strength, low-friction and biocompatible diamond-like Carbon coatings (DLC, "diamond-like carbon") produce the e.g. in implants, gears and the like are used.

Beim Sputtern geht es hingegen darum, Material von der Oberfläche des Werkstücks abzutragen, um letzteres z.B. zu reinigen. Hierfür müssen die Ionen des erzeugten Niderdruckplasmas eine gewisse Mindestenergie besitzen. Das auf die Oberfläche des Werkstücks auftreffende Ion überträgt seinen Impuls auf Atome des beschossenen Materials (Target), die dann weitere Kollisionen auslösen (Stoßkaskade). Nach mehreren Kollisionen hat ein Teil der Targetatome einen Impuls, der vom Targetinneren fortweist. Ist ein solches Atom genügend nahe der Oberfläche, und hat es eine hinreichend hohe Energie, verlässt es das Target, so dass es zu einer Oberflächenabtragung kommt. Beim Sputtern wird als Reaktionsgas aufgrund seines hohen Atom- bzw. Ionengewichts i.d.R. Sauerstoff verwendet.At the Sputtering, on the other hand, is about removing material from the surface of the workpiece to remove the latter, e.g. to clean. For this, the ions of the generated Niderdruckplasmas have a certain minimum energy. That up the surface of the workpiece impinging ion transmits its Impulse on atoms of the bombarded material (target), which then further Trigger collisions (Collision cascade). After several collisions, some of the target atoms have a pulse, which points away from the target interior. Is such an atom sufficiently close? the surface, and if it has a sufficiently high energy, it leaves the target, so that it leads to a surface erosion comes. When sputtering is used as the reaction gas due to its high Atomic or ionic weight i.d.R. Used oxygen.

Sowohl die PECVD als auch das Sputtern haben sich in der Oberflächenbehandlung von Werkstücken außerordentlich bewährt. Allerdings eignen sich beide Verfahren zumindest bei Erzeugung eines Plasmas durch Hochfrequenzanregung nicht zur Beschichtung bzw. zum Sputtern der inneren Oberflächen von Hohlkörpern, wie z.B. Kannen, Flaschen, Rohren, Kanülen, Bohrungen und dergleichen.Either the PECVD as well as the sputtering have undergone surface treatment of workpieces extraordinarily proven. However, both methods are suitable at least when generating a plasma by high-frequency excitation not for coating or sputtering the inner surfaces of hollow bodies, such as. Jugs, bottles, tubes, cannulas, bores and the like.

Dies liegt daran, dass in beiden Fällen die Fläche der HF-Elektrode mindestens doppelt so groß sein muss wie die zu beschichtende Oberfläche.This is because in both cases the area the RF electrode must be at least twice as large as the one to be coated Surface.

Bei einem zylindrischen Hohlkörper beträgt beispielsweise die innere Oberfläche der Zylinderwand A = 2πrh. Eine flächige Elektrode könnte, senkrecht in dem Hohlkörper aufgestellt, jedoch maximal eine Oberfläche von 2rh aufweisen, wäre also um den Faktor 3,14 kleiner als die zu beschichtende Oberfläche, und nicht, wie technisch erforderlich, doppelt so groß.at a cylindrical hollow body is for example the inner surface the cylinder wall A = 2πrh. A flat Electrode could, perpendicular in the hollow body placed, but have a maximum surface of 2rh, so would be by a factor of 3.14 smaller than the surface to be coated, and not twice as big as technically required.

Ähnliche Verhältnisse gelten für andere Hohlkörper wie z.B. Kegel und Kegelstümpfe oder komplex geformte Hohlkörper.Similar conditions apply to other hollow bodies such as. Cones and truncated cones or complex shaped hollow body.

Die DE 197 26 443 beschreibt ein Verfahren zur Oberflächenvergütung innerer Oberflächen von Hohlkörpern, bei dem das Plasma durch eine Hohlkathodenglimmentladung gezündet wird. Nachteilig ist hier, dass nur relativ kurze Hohlkörper von innen beschichtet werden können. In einer Variante, die die Innenbeschichtung längerer Hohlkörper ermöglicht, ist vorgesehen, dass die Hohlkathode in den Hohlkörper eingeschoben wird und an der Innenseite entlang läuft. So können zwar längere Hohlkörper innenbeschichtet werden, diese müssen jedoch einen geradlinigen Wandverlauf aufweisen.The DE 197 26 443 describes a method for surface treatment of internal surfaces of hollow bodies, in which the plasma is ignited by a hollow cathode glow discharge. The disadvantage here is that only relatively short hollow body can be coated from the inside. In a variant that allows the inner coating longer hollow body, it is provided that the hollow cathode is inserted into the hollow body and runs along the inside. Thus, although longer hollow body can be coated inside, but they must have a straight wall course.

Die EP 1 548 149 beschreibt ein Verfahren zur Ausbildung einer dünnen Oxid-Beschichtung auf der Innenseite eines Hohlkörpers. Hierbei wird ein auf der Innenseite zu beschichtender Hohlkörper in eine zylindrische Kammer eingebracht, die als HF-Elektrode fungiert. Ein Gasrohr, das gleichzeitig als Masse-Elektrode fungiert, wird in den Innenraum des Hohlkörpers eingebracht.The EP 1 548 149 describes a method for forming a thin oxide coating on the inside of a hollow body. Here, a hollow body to be coated on the inside is introduced into a cylindrical chamber which functions as an HF electrode. A gas pipe, which also acts as a ground electrode, is introduced into the interior of the hollow body.

Der Nachteil dieses Verfahrens liegt in der Ausbildung der Schichteigenschaften. Das Gasrohr fungiert in der in der EP 1 548 149 beschriebenen Vorrichtung als Masse-Elektrode. Aus diesem Grunde sind die Schichteigenschaften (Härte, Dicke, Gitterstruktur der Abscheidung, Reinheit der Schicht, Dotierung mit funktionellen Elementen, wasserabweisend oder -aufnehmend) nicht wie gewollt einzustellen.The disadvantage of this method lies in the formation of the layer properties. The gas pipe acts in the in the EP 1 548 149 described device as a ground electrode. For this reason, the layer properties (hardness, thickness, lattice structure of the deposition, purity of the layer, doping with functional elements, water-repellent or -aufnehmend) should not be set as intended.

Die Einstellung und Kontrolle dieser Eigenschaften ist bei einer eingebrachten Masse-Elektrode, welche in Bezug auf ihre Fläche um den Faktor 1 kleiner ist als die zu beschichtende Fläche, nicht möglich.The adjustment and control of these properties is with a introduced ground electrode, which in terms of their area by a factor of 1 smaller than the surface to be coated, not possible.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung zur Beschichtung bzw. Materialabtragung an der Innenwand eines Hohlkörpers zur Verfügung zu stellen, das die genannten Nachteile nicht aufweist.task The present invention is a process for plasma enhanced chemical vapor deposition for coating or material removal on the inner wall of a hollow body for disposal to provide that does not have the disadvantages mentioned.

Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren aufweisend die Merkmale des neu vorgelegten Anspruchs 1 gelöst. Die Unteransprüche geben bevorzugte Ausführungsformen an.These Task is with a method having the features of the new submitted claim 1 solved. The dependent claims give preferred embodiments at.

Demnach ist ein Verfahren zur plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung zur Beschichtung bzw. Materialabtragung an der Innenwand eines Hohlkörpers mit einer Querschnittsfläche, einer Längserstreckung und mindestens einer Öffnung vorgesehen. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf:

  • 1. Einbringen des auf seiner Innenseite zu beschichtenden Hohlkörpers in eine Vakuumkammer mit einer geerdeten Innenseite, wobei im Inneren der Vakuumkammer eine großflächige Hochfrequenz-Elektrode angeordnet ist.
  • 2. Positionieren des Hohlkörpers in der Mitte der Vakuumkammer, wobei ein allseitiger Mindestabstand zwischen der Außenwand des Hohlkörpers und der Innenwand der Vakuumkammer von 15 cm einzuhalten ist,
  • 3. Einbringen einer Gaslanze bestehend aus einem Rohr mit einem Innendurchmesser von 0.001–10 mm, einem maximalen Außendurchmesser von 12 mm sowie einer endständigen Düse mit einem terminalen Öffnungsdurchmesser von 0.002–4 mm durch die Öffnung in den Hohlkörper, wobei die Gaslanze über eine nicht elektrisch leitende Leitung mit einer Gaszufuhreinrichtung verbunden ist.
  • 4. Positionieren der Gaslanze in dem Hohlkörper dergestalt, dass die Gaslanze bezogen auf den Querschnitt des Hohlkörpers mittig positioniert ist und die Düse der Gaslanze bezogen auf die Längserstreckung des Höhlgefäßes im Bereich des Übergangs vom zweiten Längsdrittel zum dritten Längsdrittel, gemessen von der Öffnung des Hohlkörpers, angeordnet ist.
  • 5. Verschließen der Vakuumkammer und Evakuieren derselben auf einen Restdruck von 0.001–20 Pascal,
  • 6. Einleiten eines inerten Arbeitsgases sowie eines oder mehrerer Reaktionsgase über die Gaszufuhreinrichtung und die Gaslanze in den Hohlkörper, sowie
  • 7. Zünden eines Hohlraumplasmas unter Ausbildung einer an der Spitze der Gaslanze angeordneten Plasmawolke durch Anlegen eines elektrischen Hochfrequenzfeldes an der HF-Elektrode.
Accordingly, a method for plasma-assisted chemical vapor deposition for coating or material removal on the inner wall of a hollow body having a cross-sectional area, a longitudinal extent and at least one opening is provided. The method comprises the following steps:
  • 1. introducing the hollow body to be coated on its inside into a vacuum chamber with a grounded inner side, wherein a large-area high-frequency electrode is arranged in the interior of the vacuum chamber.
  • 2. Positioning of the hollow body in the middle of the vacuum chamber, whereby an all-sided minimum distance between the outer wall of the hollow body and the inner wall of the vacuum chamber of 15 cm is to be maintained,
  • 3. introducing a gas lance consisting of a tube with an inner diameter of 0.001-10 mm, a maximum outer diameter of 12 mm and a terminal nozzle with a terminal opening diameter of 0.002-4 mm through the opening in the hollow body, wherein the gas lance on a not electrically conductive line is connected to a gas supply device.
  • 4. Positioning the gas lance in the hollow body such that the gas lance is positioned centrally relative to the cross section of the hollow body and the nozzle of the gas lance relative to the longitudinal extension of the hollow vessel in the region of the transition from the second longitudinal third to third third, measured from the opening of the hollow body , is arranged.
  • 5. closing the vacuum chamber and evacuating it to a residual pressure of 0.001-20 Pascal,
  • 6. introducing an inert working gas and one or more reaction gases via the gas supply device and the gas lance in the hollow body, and
  • 7. Ignition of a cavity plasma to form a plasma cloud arranged at the top of the gas lance by applying a high-frequency electric field to the RF electrode.

Wichtig bei diesem Verfahren ist, dass die Gaslanze nicht an Masse liegt, sondern elektrisch isoliert ist.Important in this method is that the gas lance is not grounded, but is electrically isolated.

Als zu beschichtende Hohlkörper kommen grundsätzlich alle möglichen Hohlkörper in Frage, also sowohl einseitig geschlossene Hohlkörper (wie z.B. Gefäße, Kannen etc) als auch rohrförmige Hohlkörper ohne Boden, wie z.B. Kanülen, Körper mit einer Durchgangsbohrung oder Rohre. Letztere Hohlkörper müssen vor der Beschichtung auf einer Seite mit einem Deckel oder Stopfen verschlossen werden.When to be coated hollow body come in principle all possible hollow body in question, ie both closed on one side hollow body (such. Vessels, pitchers etc) as well as tubular hollow body without soil, such as cannulas, body with a through hole or pipes. The latter hollow body must before the coating on one side with a lid or stopper closed become.

In beiden Fällen muss dafür Sorge getragen werden, dass die Gaslanze in dem Hohlkörper dergestalt angeordnet ist, dass die Gaslanze bezogen auf den Querschnitt des Hohlkörpers mittig positioniert ist und die Düse der Gaslanze bezogen auf die Längserstreckung des Höhlgefäßes im Bereich des Übergangs vom zweiten Längsdrittel zum dritten Längsdrittel, gemessen von der Öffnung des Hohlkörpers, angeordnet ist. Dies bedeutet, dass die Gaslanze bis relativ kurz vor den Boden des Gefäßes (bzw. vor die mit einem Deckel oder Stopfen verschlossene zweite Öffnung des Hohlkörpers) vorgeschoben werden muss.In both cases must for it Be taken care that the gas lance in the hollow body such is arranged that the gas lance relative to the cross section of hollow body is positioned centrally and the nozzle of the gas lance based on the longitudinal extent of the cave vessel in the area of the transition from the second longitudinal third to the third longitudinal third, measured from the opening of the hollow body, is arranged. This means that the gas lance is relatively short in front of the bottom of the vessel (resp. in front of the closed with a lid or stopper second opening of Hollow body) must be advanced.

Grundsätzlich gewährleisten Niederdruckplasmen wie in der vorliegenden Erfindung eine größere mittlere freie Weglänge λ der Gasmoleküle und verzögern daher die Ausbildung eines Plasmas. Durch die erfindungsgemäße Anordnung der Gaslanze wird hingegen bewirkt, dass die aus der Gaslanze austretenden Gasmoleküle durch ihre Beschleunigung gegen den Gefäßboden bzw. den erwähnten Deckel oder Stop fen prallen. Hierdurch wird der Aufspaltvorgang des Gases und die Ausbildung eines Plasmas begünstigt.Basically ensure Low pressure plasmas as in the present invention, a larger average free path λ of the gas molecules and therefore delay the training of a plasma. By the arrangement according to the invention the gas lance, however, causes the exiting from the gas lance gas molecules by their acceleration against the vessel bottom or the mentioned cover or stop bouncing. As a result, the splitting of the gas and the formation of a plasma favors.

Bevorzugt beträgt der Mindestabstand zwischen der Außenwand des Hohlkörpers und der Innenwand der Vakuumkammer 25 cm. Der maximale Abstand ist hingegen durch die Dimensionierung der verwendeten Vakuumkammer gegeben.Prefers is the minimum distance between the outer wall of the hollow body and the inner wall of the vacuum chamber 25 cm. The maximum distance, however, is given by the dimensioning of the vacuum chamber used.

Die Gaslanze weist bevorzugt einem Innendurchmesser von 0.005–8 mm und besonders bevorzugt einen Innendurchmesser von 0.01–6 mm bzw. 0.1–6 mm und einem maximalen Außendurchmesser von 10 bzw. 8 mm. Die endständige Düse weist bevorzugt einen terminalen Öffnungsdurchmesser von 0.01–3 bzw. von 0.1 bis 2 mm auf. Der Restdruck in der evakuierten Kammer liegt bevorzugt im Bereich von 0.2–4 Pascal.The Gas lance preferably has an inner diameter of 0.005-8 mm and particularly preferably an inner diameter of 0.01-6 mm or 0.1-6 mm and a maximum outer diameter of 10 or 8 mm. The terminal Nozzle points preferably has a terminal opening diameter from 0.01-3 or from 0.1 to 2 mm. The residual pressure in the evacuated chamber is preferably in the range of 0.2-4 Pascal.

Durch die Anordnung und Dimensionierung der Gaslanze wird gewährleistet, dass sich das Plasma erst an der Spitze der Gaslanze ausbildet, d.h. erst im Inneren des zu beschichtenden Hohlkörpers. Da die Gasmoleküle im Augenblick der plasmabedingten Aufspaltung am stärksten beschleunigt werden, kommt diese Beschleunigung im vollen Umfang der Behandlung der Innenoberfläche des Hohlkörpers zugute. Daher ist auch eine Elektrode im Inneren des Hohlkörpers verzichtbar.The arrangement and dimensioning of the gas lance ensures that the plasma is only formed at the tip of the gas lance, ie only in the interior of the hollow body to be coated. Since the gas molecules at the moment of plasmabe If the split-up is accelerated to the greatest extent, this acceleration benefits the full extent of the treatment of the inner surface of the hollow body. Therefore, an electrode in the interior of the hollow body is dispensable.

In dem Augenblick, in welchem das Gasgemisch die Lanzendüse verlässt, findet die plasmabedingte molekulare Aufspaltung statt, (z.B. bei Azetylen: H2C2 in H + H + C + C). Diese erfolgt unter Bildung von sehr kurzwelligem Licht.At the moment in which the gas mixture leaves the lance nozzle, the plasma-related molecular splitting takes place (for example, for acetylene: H 2 C 2 in H + H + C + C). This takes place with formation of very short-wave light.

Die bei der Aufspaltung freiwerdende Abspaltungsenergie beschleunigt die nun im eigentlichen Sinne „Plasmamaterie" auf 1/3 Lichtgeschwindigkeit. Aufgrund dieser Beschleunigung trifft der Kohlenstoff auf die zu beschichtende innere Oberfläche auf und schlägt sich als Hartstoffschicht nieder. Die Abscheideraten variieren in Abhängigkeit des eingesetzten Gases, dessen Reinheit und Zusammensetzung.The in the splitting accelerated splitting energy accelerated now in the true sense "plasma matter" at 1/3 speed of light. Because of this acceleration, the carbon hits on them coating inside surface up and hits settle down as a hard material layer. The deposition rates vary in dependence the gas used, its purity and composition.

Das Aufspaltungsverhältnis liegt z.B. bei H2C2 bei 1:12. Das bedeutet, dass die H-Atome 12 mal leichter sind als die C-Atome. Die Beschleunigung der Aufspaltung zuzüglich der Beschleunigung der einzelnen Atome und das Auftreffens auf das Substrat liegt also im Verhältnis 1:12.The splitting ratio is 1:12, for example, for H 2 C 2 . This means that the H atoms are 12 times lighter than the C atoms. The acceleration of the splitting plus the acceleration of the individual atoms and the impact on the substrate is thus in the ratio 1:12.

Es treffen also im gleichen Zeitraum auf identischer Fläche zwölf mal mehr C-Atome bei gleicher Geschwindigkeit wie H-Atome auf. Da die H-Atome in einer Hartstoffschicht unerwünscht sind, muß die eingefüllte Menge Reaktionsgas auf die zu beschichtende Innenfläche berechnet werden.It meet in the same period on identical area twelve times more C atoms at the same rate as H atoms. Since the H atoms undesirable in a hard material layer are, must filled Quantity of reaction gas calculated on the inner surface to be coated become.

Für die Berechnung der einzufüllenden Menge Reaktionsgas kann folgende, durch den Erfinder empirisch ermittelte Beziehung herangezogen werden: V = A/12·E For the calculation of the amount of reaction gas to be filled in, the following relationship empirically determined by the inventor can be used: V = A / 12 · E

Hierbei ist A die zu beschichtende Oberfläche [cm2], E die zugeführte Aufspaltungsenergie ist, und V das Minutenvolumen des Reaktionsgases [cm3/min].Here, A is the surface to be coated [cm 2 ], E is the applied splitting energy, and V is the minute volume of the reaction gas [cm 3 / min].

Aufgrund der Massenträgheit und der freiwerdenden Aufspaltungsenergie benötigt der Kohlenstoff also weniger Fläche pro Beschleunigungsfreiraum, um auf die geforderten 1/3 Lichtgeschwindigkeit zu kommen.by virtue of the inertia and the released splitting energy therefore requires less carbon area per acceleration clearance, to the required 1/3 speed of light get.

Bringt man nun das H2C2 mit einer Gaslanze in einen dreidimensionalen Hohlkörper, so muss gewährleistet werden, dass die C-Atome bei maximaler Beschleunigung direkt auf das Substrat treffen und nicht durch gleichwertig beschleunigte H-Atome abgelenkt, abgebremst oder sogar gestoppt werden.If the H 2 C 2 is now brought into a three-dimensional hollow body with a gas lance, it must be ensured that the C atoms strike the substrate directly at maximum acceleration and are not deflected, decelerated or even stopped by equally accelerated H atoms.

Dieses wird gewährleistet, indem die Düse der Gaslanze bezogen auf die Längserstreckung des Höhlgefäßes im Bereich des Übergangs vom zweiten Längsdrittel zum dritten Längsdrittel, gemessen von der Öffnung des Hohlkörpers, angeordnet wird. Dadurch werden die beschleunigten Atome bis zu ihrem Maximum beschleunigt und treffen direkt am Ende der Beschleunigungsphase auf das Substrat auf, ohne von anderen Atomen behindert zu werden.This is guaranteed by the nozzle of the Gas lance based on the longitudinal extent of the cave vessel in the area of the transition from the second longitudinal third to the third longitudinal third, measured from the opening of the hollow body, is arranged. This will accelerate the atoms up to accelerated to their maximum and hit right at the end of the acceleration phase on the substrate, without being obstructed by other atoms.

Untersuchungen des Erfinders haben überdies ergeben, dass, um die erwähnte Abscheidung auf der inneren Oberfläche eines Hohlkörpers zu gewährleisten, die Aufspaltenergie (EA) in Watt mindestens um den Faktor 65,5 höher sein muss als der Öffnungsdurchmesser (DÖ) des Hohlkörpers in cm.Investigations by the inventor have also shown that, in order to ensure the aforementioned deposition on the inner surface of a hollow body, the splitting energy (E A ) in watts must be at least 65.5 higher than the opening diameter (D o ) of the hollow body in cm.

Dies bedeutet also, dass bei einem Öffnungsdurchmesser (DÖ) des Hohlkörpers von 15 cm die Aufspaltenergie (EA) aufgrund der Beziehung EA = DÖ·65,5mindestens 15·65,5 = 982 Watt betragen muss.This means that at an opening diameter (D Ö ) of the hollow body of 15 cm, the splitting energy (E A ) due to the relationship e A = D Ö · 65.5 must be at least 15 x 65.5 = 982 watts.

Durch Einbringung dieser Mindest-Aufspaltungsenergie, die sich am HF-Generator entsprechend einstellen lässt, wer den die Atome des in das Plasma übergegangenen Reaktionsgases derart beschleunigt, dass deren Schwingungsamplitude größer ist als der Öffnungsdurchmesser des Hohlkörpers. Es wird so gewährleistet, dass nur noch querbeschleunigte Atome den Hohlkörper verlassen können.By Introducing this minimum splitting energy, based on the HF generator set accordingly, who the atoms of the reaction gas passed into the plasma accelerated so that their vibration amplitude is greater as the opening diameter of the hollow body. It is thus ensured that only laterally accelerated atoms can leave the hollow body.

Auf diese Weise lässt sich, entgegen dem eingangs Gesagten, mit dem erfindungsgemäßen Verfahren auch die innere Oberfläche eines Hohlkörpers beschichten.On that way itself, contrary to the above, with the inventive method also the inner surface a hollow body coat.

Durch die Dimensionierung der Düse der Gaslanze wird dabei verhindert, dass das Plasma in die Gaslanze zurückschlägt, wie es bei größer dimensionierten Düsen zu befürchten wäre.By the dimensioning of the nozzle The gas lance is thereby prevented that the plasma in the gas lance recovers, like it with larger dimensions Nozzles too fear would.

Wichtig ist auch, dass sich der Durchmesser der Gaslanze in Richtung der Düse nicht erweitert. Hierdurch würde aufgrund des Bernoulli-Effekts der Druck des einströmenden Gases in Stromrichtung im Bereich der Querschnittserweiterung abnehmen, was ein Rückschlagen des Plasmas in die Gaslanze und damit eine Zerstörung der Gaslanze begünstigen würde. Auf diese Weise würde die Ausbildung der Plasmawolke an der Spitze der Gaslanze unterbunden.Important is also that the diameter of the gas lance in the direction of No nozzle extended. This would due to the Bernoulli effect, the pressure of the incoming gas in the flow direction in the region of the cross-sectional widening decrease what a kickback of the plasma in the gas lance and thus would favor a destruction of the gas lance. On that way would prevented the formation of the plasma cloud at the top of the gas lance.

Bevorzugt ist vorgesehen, dass es sich bei dem Arbeitsgas um ein Gas ausgewählt aus der Gruppe enthaltend Argon, Helium, Wasserstoff, Sauerstoff oder ein anders Edelgas handelt.Prefers it is provided that the working gas is selected from a gas the group containing argon, helium, hydrogen, oxygen or a different noble gas is.

Weiterhin ist besonders bevorzugt vorgesehen, dass es sich bei dem Reaktionsgas um ein Gas ausgewählt aus der Gruppe enthaltend Sauerstoff handelt.Farther is particularly preferably provided that it is the reaction gas selected for a gas from the group containing oxygen.

Ein solches Verfahren zur plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung zur Materialabtragung wird auch als Sputtern (Kathodenzerstäubung) bezeichnet. Als Reaktionsgas für dieses Verfahren ist Sauerstoff besonders geeignet, da die im Plasma erzeugten Sauerstoffionen besonders schwer sind und daher im beschleunigten Zustand besonders effektiv eine Oberflächenabtragung herbeiführen.One such process for plasma-based chemical Vapor phase separation for material removal is also called sputtering (Cathode) designated. As a reaction gas for This method is particularly suitable for oxygen, as in plasma produced oxygen ions are particularly heavy and therefore accelerated Condition particularly effective cause surface erosion.

Untersuchungen der Anmelder haben ergeben, dass sich mit diesem Verfahren z.B. die innere Oberfläche einer benutzten Bulkkanne, wie sie z.B. für die Herstellung von Impfstoffen verwendet wird, und die nach Benutzung durch eingetrocknete und/oder chemisch Blutbestandteile aufs äußerste verschmutzt ist, aufs gründlichste reinigen lässt.investigations Applicants have shown that this method can be used e.g. the inner surface a used bulk carafe, as e.g. for the production of vaccines is used, and after use by dried and / or chemically contaminates blood components to the utmost is, thoroughly can be cleaned.

Gemäß geltender Vorschriften muss z.B. ein Edelstahl für die medizinische Verwendung absolut rückstandsfrei von vorherigen mit demselben in Kontakt stehenden Stoffen sein. Dies wurde bislang z.B. bei Bulkkannen durch einen sehr aufwändigen Reinigungsprozess mit Säuren und Laugen erreicht.In accordance with current Regulations must e.g. a stainless steel for medical use absolutely residue-free from previous substances in contact with it. This has hitherto been e.g. Bulk cans through a very complex cleaning process with acids and lyes.

Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem nach Zuführung von Sauerstoff unter hoher Energiezufuhr ein Plasma gezündet wird, gelingt es, die Oberfläche des Substrates absolut rückstandsfrei zu reinigen („sputtern"). Dies ist insbesondere auf das hohe Atomgewicht der Sauerstoffatome zurückzuführen, die bei ausreichender Beschleunigung Verunreinigungen sicher abtragen.through of the method according to the invention after feeding of oxygen with high energy supply a plasma is ignited, manages the surface of the substrate absolutely residue-free clean ("sputtering"). This is especially attributed to the high atomic weight of the oxygen atoms, which at sufficient Acceleration Safely remove impurities.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist vorgesehen, dass es sich bei dem Reaktionsgas um ein Gas ausgewählt aus der Gruppe enthaltend Kohlenwasserstoffgase wie Methan, Ethan, Ethen, Ethin, Propan oder Silangase wie Tetramethylsilan oder Hexamethyldisiloxan handelt.In a further preferred embodiment of the method according to the invention it is provided that the reaction gas is a gas selected from the group containing hydrocarbon gases such as methane, ethane, ethene, Ethyne, propane or silane gasase such as tetramethylsilane or hexamethyldisiloxane is.

Erstere Reaktionsgase sind geeignet zur Ausbildung einer DLC-Schicht, letztere z.B. geeignet zur Ausbildung einer SiO2-Schicht.The first reaction gases are suitable for forming a DLC layer, the latter eg suitable for forming a SiO 2 layer.

Unter dem Begriff DLC („Diamond-Like Carbons") werden Schichten aus molekularem Kohlenstoff verstanden, die ein Netz bzw. Gitter aus sp2- und sp3-hybridisierten Kohlenstoffatomen aufweisen. Das Verhältnis beider Varianten zueinander richtet sich nach den Beschichtungsbedingungen. Überwiegen erstere, weist die Beschichtung graphitähnliche Eigenschaften auf (geringer Reibungskoeffizient), überwiegen letztere, nimmt die Härte und die Transparenz der Beschichtung zu. Mischbeschichtungen enthaltend beide Varianten vereinigen häufig beide Vorteile.The term DLC ("Diamond-Like Carbons") is understood as meaning layers of molecular carbon which have a network or lattice of sp 2 and sp 3 hybridized carbon atoms If the coating has graphite-like properties (low friction coefficient), the latter predominates, the hardness and the transparency of the coating increase, and mixed coatings containing both variants often combine both advantages.

Untersuchungen der Anmelder haben ergeben, dass sich mit diesem Verfahren die inneren Oberflächen von Bulkkannen und anderen Hohlkörpern effektiv mit einer DLC-Schicht beschichten lassen.investigations The applicants have shown that with this method, the inner surfaces of Bulk cans and other hollow bodies effectively coated with a DLC coating.

Bevorzugt wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren das Plasma durch Anlegen eines Gleichspannungs-Hochfrequenzfeldes mit den folgenden Parametern gezündet:

  • 1. Bias-Spannung an der Kathode: 100–800 V
  • 2. Frequenz: 10 kHz–100 GHz
  • 3. Elektrische Leistung: 500–2500 W
In the method according to the invention, the plasma is preferably ignited by applying a DC high-frequency field with the following parameters:
  • 1. Bias voltage at the cathode: 100-800V
  • 2nd frequency: 10 kHz-100 GHz
  • 3. Electrical power: 500-2500 W

Die Frequenz liegt bevorzugt im Bereich von 10–15 MHz. Besonders bevorzugt beträgt die Frequenz 13,56 MHz (RF, Radiofrequenz)The Frequency is preferably in the range of 10-15 MHz. Especially preferred is the frequency 13.56 MHz (RF, radio frequency)

Die einzubringende elektrische Leistung errechnet sich nach folgender Formel: Leistung (Watt) = zu beschichtende Fläche (m2) × 1750. Der letztgenannte Faktor kann dabei zwischen 1500 und 2200 liegen und wird in der Praxis empirisch ermittelt. Ein Hohlkörper mit einer zu beschichtenden inneren Oberfläche von 0,85 m2 müßte demnach mit einer Energie von etwa 1500 Watt beschichtet werden.The electrical power to be applied is calculated according to the following formula: Power (watts) = area to be coated (m 2 ) × 1750. The latter factor can be between 1500 and 2200 and is empirically determined in practice. A hollow body with an inner surface of 0.85 m 2 to be coated would therefore have to be coated with an energy of about 1500 watts.

Bevorzugt ist überdies vorgesehen, dass die einzubringende Menge des Reaktionsgases für die Beschichtung 0.1–10 scm3 Reaktionsgas pro 10 cm2 zu beschichtende innere Oberfläche beträgt.In addition, it is preferably provided that the amount of reaction gas for the coating to be introduced amounts to 0.1-10 scm 3 reaction gas per 10 cm 2 of internal surface to be coated.

Die Einheit scm3 bezeichnet Standard-Kubikzentimer, d.h. das Volumen des einzuleitendes Gases in Kubikzentimeter pro Minute.The unit scm 3 denotes standard cubic centimeters, ie the volume of the gas to be introduced in cubic centimeters per minute.

Bei Kohlenwasserstoffgasen gilt, dass die Schicht umso härter wird, je mehr Gas eingesetzt wird, da der Anteil an zur Verfügung stehenden Kohlenstoffatomen steigt.at Hydrocarbon gases, the layer becomes harder, the more gas is used, as the proportion of available Carbon atoms increases.

Bei Silangasen gilt hingegen, dass das Verhältnis des Silangases zum Sauerstoff die Härte der Schicht bestimmt. Für harte Beschichtungen liegt das Verhältnis z.B. bei 100 scm3 HMDSO (Hexamethyldisiloxan) zu 400 scm3 Sauerstoff. Eine Reduktion des Sauerstoffanteils führt hingegen zu weicheren Schichten.In the case of silane gases, on the other hand, the ratio of silane gas to oxygen determines the hardness of the layer. For hard coatings, the ratio is, for example, at 100 scm 3 HMDSO (hexamethyldisiloxane) to 400 scm 3 oxygen. A reduction of the oxygen content, however, leads to softer layers.

Besonders bevorzugt beträgt die einzubringende Menge des Reaktionsgases 0.5–5 scm3 Reaktionsgas pro 10 cm2 zu beschichtende innere Oberfläche.Particularly preferably, the amount of the reaction gas to be introduced is 0.5-5 scm 3 of reaction gas per 10 cm 2 of internal surface to be coated.

Weiterhin ist bevorzugt vorgesehen, dass das Reaktionsgas mit einem oder mehreren Gasen enthaltend Si, N, F, B, O, Ag, Cu, V oder Ti dotiert ist. Diese Dotierungsmittel können dazu beitragen, die Eigenschaften der aufgebrachten Beschichtung gezielt zu beeinflussen. So führt z.B. die Dotierung des Reaktionsgases mit einem Gas enthaltend Si (z.B. Hexamethyldisiloxan) zu einer Reduzierung der Reibung auch unter feuchten Bedingungen sowie zu einer höheren thermischen Stabilität. Eine Dotierung mit N, F, B, oder O2 beeinflusst die Oberflächenspannung, die Benetzbarkeit und die Härte der Beschichtung. Eine Dotierung mit Metallen trägt dazu bei, die Leitfähigkeit der Beschichtung zu beeinflussen, während eine Dotierung mit Ag, Cu, V oder Ti das biologische Verhalten der Beschichtung beeinflusst, insbesondere die Biokompatibilität, was z.B. für Implantate immens wichtig ist.Furthermore, it is preferably provided that the reaction gas with one or more gases containing Si, N, F, B, O, Ag, Cu, V or Ti. These dopants can help to specifically influence the properties of the applied coating. For example, the doping of the reaction gas with a gas containing Si (eg hexamethyldisiloxane) leads to a reduction of friction even under moist conditions and to a higher thermal stability. A doping with N, F, B, or O 2 influences the surface tension, the wettability and the hardness of the coating. A doping with metals helps to influence the conductivity of the coating, while a doping with Ag, Cu, V or Ti influences the biological behavior of the coating, in particular the biocompatibility, which is immensely important for implants, for example.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren werden Schichtwachstumsraten von bis zu 4 μm/h sowie Schichtdicken von bis zu 7 μm erzielt.With the method according to the invention are layer growth rates of up to 4 μm / h and layer thicknesses of up to 7 μm achieved.

Erfindungsgemäß ist weiterhin ein Hohlkörper mit einer inneren Oberfläche vorgesehen, der dadurch gekennzeichnet ist, dass letztere mit einem Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche behandelt wurde, dergestalt dass an der inneren Oberfläche eine Materialabtragung vorgenommen wurde und/oder diese mit einer Beschichtung versehen wurde.According to the invention is still a hollow body with an inner surface provided, characterized in that the latter with a method according to one treated the previous claims was, in such a way that on the inner surface a material removal was made and / or provided with a coating has been.

Bei der Beschichtung kann es sich, wie oben erwähnt, z.B. um eine DLC- oder eine SiO2-Beschichtung handeln.As mentioned above, the coating can be, for example, a DLC or a SiO 2 coating.

Besonderes bevorzugt handelt es sich bei diesem Hohlkörper um einen Hohlkörper ausgewählt aus der Gruppe enthal tend Gefäße, Flaschen, Kannen, Kanülen, Hohlnadeln, Spritzen, Innenwände von Zylinder- oder Kolbenbohrungenbohrungen in Verbrennungsmotoren, Innenseiten von Lagern, insbesondere Kugel- oder Wälzlager.special Preferably, this hollow body is a hollow body selected from the group contains vessels, bottles, Jugs, cannulas, Hollow needles, syringes, inner walls of Cylinder or piston bore holes in internal combustion engines, Inner sides of bearings, in particular ball or roller bearings.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich u.a. die folgenden Vorteile erzielen:

  • a) verbesserte Reinigung dreidimensionaler Hohlkörper, insbesondere Bulkkannen, bei gleichzeitig vermindertem Aufwand;
  • b) verbesserter Korrosionsschutz der beschichteten Oberflächen;
  • c) kein Hineindiffundieren eines in dem Hohlkörper befindlichen Substrates in die innere Oberflächenschicht des Hohlkörpers;
  • d) Reduktion des Reibungskoeffizienten der inneren Oberfläche; und
  • e) verbesserte Wärmeableitung.
The following advantages can be achieved, inter alia, with the method according to the invention:
  • a) improved cleaning of three-dimensional hollow body, in particular bulk cans, at the same time reduced effort;
  • b) improved corrosion protection of the coated surfaces;
  • c) no inward diffusion of a substrate located in the hollow body into the inner surface layer of the hollow body;
  • d) reduction of the friction coefficient of the inner surface; and
  • e) improved heat dissipation.

Erfindungsgemäß ist weiterhin eine Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens gemäß einem der vorherigen Ansprüche vorgesehen.According to the invention is still a device for carrying out a method according to a the previous claims intended.

Die Erfindung wird nachfolgend mit Bezug auf die Zeichnungen beispielhaft erläutert. Es werden dabei Ausführungsbeispiele gezeigt, die den Schutzbereich der vorgelegten Ansprüche in keiner Weise einschränken sollen. Es zeigen:The Invention will be exemplified below with reference to the drawings explained. There will be embodiments shown, the scope of the claims presented in any Limit the way should. Show it:

1 einen Schnitt durch eine erfindungsgemäße Vakuum-Kammer mit einer am Boden der Kammer angeordneten Hoch frequenz-Elektrode 11, einem auf der Innenseite des zu beschichtenden Hohlkörpers 12 mit einer Öffnung 13, wobei letzteres über eine Halterung 14 auf der Hochfrequenz-Elektrode angeordnet ist. 1 a section through a vacuum chamber according to the invention with a arranged at the bottom of the chamber high-frequency electrode 11 , one on the inside of the hollow body to be coated 12 with an opening 13 the latter having a holder 14 is arranged on the high-frequency electrode.

2 zeigt dieselbe Vakuum-Kammer 20 in einer seitlichen Schnittansicht, mit der Hochfrequenz-Elektrode 21, dem auf der Innenseite zu beschichtenden Hohlkörper 22 sowie der Halterung 24. Durch eine nicht dargestellte Öffnung des Hohlkörpers ist eine Gaslanze 25 in den Hohlkörper eingeführt, wobei letztere an ihrem distalen Ende eine endständige Düse 26 mit einem Durchmesser von 0,8 mm aufweist. Die Gaslanze ist über eine höhenverstellbare Halterung 27 geführt, mittels welcher sichergestellt werden kann, dass die Gaslanze gemäß der Dimensionierungen im Hauptanspruch in dem Hohlkörper 22 positioniert werden kann. Hierfür ist die Halterung höhenverstellbar an einem Träger 28 angeordnet. 2 shows the same vacuum chamber 20 in a side sectional view, with the high-frequency electrode 21 , the hollow body to be coated on the inside 22 as well as the holder 24 , Through an opening, not shown, of the hollow body is a gas lance 25 introduced into the hollow body, the latter at its distal end a terminal nozzle 26 with a diameter of 0.8 mm. The gas lance is via a height-adjustable bracket 27 guided, by means of which it can be ensured that the gas lance in accordance with the dimensions in the main claim in the hollow body 22 can be positioned. For this purpose, the holder is height adjustable on a support 28 arranged.

Claims (10)

Verfahren zur plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung zur Beschichtung bzw. Materialabtragung an der Innenwand eines Hohlkörpers mit einer Querschnittsfläche, einer Längserstreckung und mindestens einer Öffnung, aufweisend die folgenden Schritte: – Einbringen des auf seiner Innenseite zu beschichtenden Hohlkörpers in eine Vakuumkammer mit einer geerdeten Innenseite, wobei im Inneren der Vakuumkammer eine großflächige Hochfrequenz-Elektrode angeordnet ist, – Positionieren des Hohlkörpers in der Mitte der Vakuumkammer, wobei ein allseitiger Mindestabstand zwischen der Außenwand des Hohlkörpers und der Innenwand der Vakuumkammer von 15 cm einzuhalten ist, – Einbringen einer Gaslanze bestehend aus einem Rohr mit einem Innendurchmesser von 0.001–10 mm, einem maximalen Außendurchmesser von 12 mm sowie einer endständigen Düse mit einem terminalen Öffnungsdurchmesser von 0.002–4 mm durch die Öffnung in den Hohlkörper, wobei die Gaslanze über eine nicht elektrisch leitende Leitung mit einer Gaszufuhreinrichtung verbunden ist, – Positionieren der Gaslanze in dem Hohlkörper dergestalt, dass die Gaslanze bezogen auf den Querschnitt des Hohlkörpers mittig positioniert ist und die Düse der Gaslanze bezogen auf die Längserstreckung des Hohlkörpers im Bereich des Übergangs vom zweiten Längsdrittel zum dritten Längsdrittel, gemessen von der Öffnung des Hohlkörpers, angeordnet ist, – Verschließen der Vakuumkammer und Evakuieren derselben auf einen Restdruck von 0.001–20 Pascal, – Einleiten eines inerten Arbeitsgases sowie eines oder mehrerer Reaktionsgase über die Gaszufuhreinrichtung und die Gaslanze in den Hohlkörper, sowie – Zünden eines Hohlraumplasmas unter Ausbildung einer an der Spitze der Gaslanze angeordneten Plasmawolke durch Anlegen eines elektrischen Hochfrequenzfeldes an der HF-Elektrode.Method for plasma-assisted chemical vapor deposition for coating or material removal on the inner wall of a hollow body having a cross-sectional area, a longitudinal extent and at least one opening, comprising the following steps: introducing the hollow body to be coated on its inside into a vacuum chamber with a grounded inner side, wherein Positioning of the hollow body in the middle of the vacuum chamber, wherein an allseitiger minimum distance between the outer wall of the hollow body and the inner wall of the vacuum chamber of 15 cm is observed, - introducing a gas lance consisting of a tube with an inner diameter of 0.001-10 mm, a maximum outer diameter of 12 mm and a terminal nozzle with a terminal opening diameter of 0.002-4 mm through the opening in the hollow body, wherein the gas lance on a non elek - the gas lance is positioned in the hollow body in such a way that the gas lance is positioned centrally with respect to the cross section of the hollow body and the nozzle of the gas lance relative to the longitudinal grain the closure of the hollow body in the region of the transition from the second longitudinal third to third third, measured from the opening of the hollow body, closing the vacuum chamber and evacuating it to a residual pressure of 0.001-20 Pascal, introducing an inert working gas and one or more reaction gases via the gas supply device and the gas lance in the hollow body, and - igniting a cavity plasma to form a plasma cloud arranged at the top of the gas lance by applying a high-frequency electric field to the RF electrode. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Arbeitsgas um ein Gas ausgewählt aus der Gruppe enthaltend Argon, Helium, Wasserstoff, Sauerstoff oder ein anders Edelgas handelt.Method according to claim 1, characterized in that it is at the working gas to a Gas selected from the group containing argon, helium, hydrogen, oxygen or a different noble gas. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–2, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Reaktionsgas um ein Gas ausgewählt aus der Gruppe enthaltend Sauerstoff handelt.Method according to one the claims 1-2, by characterized in that the reaction gas is a gas selected from the group containing oxygen. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–2, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Reaktionsgas um ein Gas ausgewählt aus der Gruppe enthaltend Kohlenwasserstoffgase wie Methan, Ethan, Ethen, Ethin, Propan oder Silangase wie Tetramethylsilan oder Hexamethyldisiloxan handelt.Method according to one the claims 1-2, by characterized in that the reaction gas is a gas selected from the group containing hydrocarbon gases such as methane, ethane, ethene, Ethyne, propane or silane gasase such as tetramethylsilane or hexamethyldisiloxane is. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass das Plasma durch Anlegen eines Gleichspannungs-Hochfrequenzfeldes mit den folgenden Parametern gezündet wird: – Bias-Spannung an der Kathode 20–600 V – Frequenz: 10 kHz–100 GHz – Elektrische Leistung 500–2500 WMethod according to one the claims 1-4, by characterized in that the plasma by applying a DC high-frequency field ignited with the following parameters becomes: - bias voltage at the cathode 20-600 V - Frequency: 10kHz-100 GHz - Electric Power 500-2500 W Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–5, dadurch gekennzeichnet, dass die einzubringende Menge des Reaktionsgases für die Beschichtung 0.1–10 scm3 Reaktionsgas pro 10 cm2 zu beschichtende innere Oberfläche beträgt.A method according to any one of claims 1-5, characterized in that the amount of reaction gas for the coating to be introduced is 0.1-10 scm 3 reaction gas per 10 cm 2 to be coated inner surface. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–6, dadurch gekennzeichnet, dass das Reaktionsgas mit einem oder mehreren Gasen enthaltend Si, N, F, B, O, Ag, Cu, V oder Ti dotiert ist.Method according to one the claims 1-6, by characterized in that the reaction gas with one or more gases containing Si, N, F, B, O, Ag, Cu, V or Ti. Hohlkörper mit einer inneren Oberfläche, dadurch gekennzeichnet, dass letztere mit einem Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche behandelt wurde, dergestalt dass an der inneren Oberfläche eine Materialabtragung vorgenommen wurde und/oder diese mit einer Beschichtung versehen wurde.hollow body with an inner surface, characterized in that the latter with a method according to a the previous claims was treated such that on the inner surface of a Material removal has been made and / or these with a coating was provided. Hohlkörper gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei diesem Hohlkörper um einen Hohlkörper ausgewählt aus der Gruppe enthaltend Gefäße, Flaschen, Kannen, Kanülen, Hohlnadeln, Spritzen, Innenwände von Zylinderbohrungen in Verbrennungsmotoren handelt.hollow body according to claim 8, characterized in that it is in this hollow body to a hollow body selected from the group containing vessels, bottles, Jugs, cannulas, hollow needles, Spraying, interior walls cylinder bores in internal combustion engines. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens gemäß einem der vorherigen Ansprüche, aufweisend – eine Vakuum-Kammer (10) mit einer am Boden der Kammer angeordneten Hochfrequenz-Elektrode (11) sowie einer Halterung (14) für einen auf der Innenseite zu beschichtenden Hohlkörper, – eine Gaslanze (25) bestehend aus einem Rohr mit einem Innendurchmesser von 0.001–10 mm, einem maximalen Außendurchmesser von 12 mm sowie einer endständigen Düse (26) mit einem terminalen Öffnungsdurchmesser von 0.002–4 mm, die über eine nicht elektrisch leitende Leitung mit einer Gaszufuhreinrichtung verbunden ist, und – eine höhenverstellbare Halterung (27), mittels welcher sichergestellt werden kann, dass die Gaslanze (25) in dem Hohlkörper (22) dergestalt positioniert werden kann, – dass die Gaslanze (25) bezogen auf den Querschnitt des Hohlkörpers mittig positioniert ist und die Düse (26) der Gaslanze bezogen auf die Längserstreckung des Hohlkörpers im Bereich des Übergangs vom zweiten Längsdrittel zum dritten Längsdrittel, gemessen von der Öffnung des Hohlkörpers, angeordnet ist.Apparatus for carrying out a method according to one of the preceding claims, comprising - a vacuum chamber ( 10 ) with a high-frequency electrode arranged at the bottom of the chamber ( 11 ) and a holder ( 14 ) for a hollow body to be coated on the inside, - a gas lance ( 25 ) consisting of a tube with an internal diameter of 0.001-10 mm, a maximum external diameter of 12 mm and a terminal nozzle ( 26 ) with a terminal opening diameter of 0.002-4 mm, which is connected via a non-electrically conductive line with a gas supply device, and - a height-adjustable bracket ( 27 ), by means of which it can be ensured that the gas lance ( 25 ) in the hollow body ( 22 ) can be positioned in such a way - that the gas lance ( 25 ) is positioned centrally relative to the cross section of the hollow body and the nozzle ( 26 ) of the gas lance relative to the longitudinal extent of the hollow body in the region of the transition from the second longitudinal third to the third longitudinal third, measured from the opening of the hollow body, is arranged.
DE102006032568A 2006-07-12 2006-07-12 Process for plasma-assisted chemical vapor deposition on the inner wall of a hollow body Withdrawn DE102006032568A1 (en)

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DE102006032568A DE102006032568A1 (en) 2006-07-12 2006-07-12 Process for plasma-assisted chemical vapor deposition on the inner wall of a hollow body
ES07802376T ES2362145T3 (en) 2006-07-12 2007-07-11 PROCEDURE AND DEVICE FOR CHEMICAL SEPARATION IN GAS PHASE ASSISTED BY PLASMA IN THE INTERIOR WALL OF A HOLLOW BODY.
CA 2693039 CA2693039A1 (en) 2006-07-12 2007-07-11 Method for plasma-assisted chemical vapour deposition on the inner wall of a hollow body
CN2007800260083A CN101522941B (en) 2006-07-12 2007-07-11 Method and device for plasma-assisted chemical vapour deposition on the inner wall of a hollow body
DE502007006616T DE502007006616D1 (en) 2006-07-12 2007-07-11 METHOD AND DEVICE FOR PLASMA-BASED CHEMICAL GAS PHASE DEPOSITION ON THE INTERNAL WALL OF A HOLLOW BODY
KR1020097002598A KR20090037461A (en) 2006-07-12 2007-07-11 Method and device for plasma-assisted chemical vapour deposition on the inner wall of a hollow body
AT07802376T ATE500348T1 (en) 2006-07-12 2007-07-11 METHOD AND DEVICE FOR PLASMA-ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ON THE INNER WALL OF A HOLLOW BODY
US12/373,415 US8227052B2 (en) 2006-07-12 2007-07-11 Method and device for plasma-assisted chemical vapour deposition on the inner wall of a hollow body
PCT/EP2007/057117 WO2008006856A1 (en) 2006-07-12 2007-07-11 Method and device for plasma-assisted chemical vapour deposition on the inner wall of a hollow body
JP2009518886A JP2009542917A (en) 2006-07-12 2007-07-11 Plasma assisted chemical vapor deposition method for inner wall of hollow body
AU2007274256A AU2007274256A1 (en) 2006-07-12 2007-07-11 Method and device for plasma-assisted chemical vapour deposition on the inner wall of a hollow body
PL07802376T PL2041332T3 (en) 2006-07-12 2007-07-11 Method and device for plasma-assisted chemical vapour deposition on the inner wall of a hollow body
RU2009101101/02A RU2446230C2 (en) 2006-07-12 2007-07-11 Method of plasma chemical deposition from gaseous phase on inner surface of hollow item
EP07802376A EP2041332B1 (en) 2006-07-12 2007-07-11 Method and device for plasma-assisted chemical vapour deposition on the inner wall of a hollow body
ZA2009/00949A ZA200900949B (en) 2006-07-12 2009-02-10 Method and device for plasma-assisted chemical vapour deposition on the inner wall of a hollow body

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007045216A1 (en) * 2007-09-21 2009-04-02 Khs Corpoplast Gmbh & Co. Kg Apparatus for the plasma treatment of workpieces
EP2626446A1 (en) * 2012-02-09 2013-08-14 Krones AG Power lance and plasma-assisted coating with the input of a high frequency
DE102013209707A1 (en) * 2013-05-24 2014-11-27 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH KITCHEN EQUIPMENT WITH EASILY CLEANABLE SURFACES AND METHOD FOR THEIR APPLICATION
EP2424683B1 (en) 2009-04-30 2016-03-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Metal substrates having a scratch-proof and extensible corrosion protection layer and method for the production thereof

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007047629A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Stein, Ralf Method of applying a high-strength coating to workpieces and / or materials
US8029875B2 (en) * 2007-05-23 2011-10-04 Southwest Research Institute Plasma immersion ion processing for coating of hollow substrates
DE102009000821B4 (en) 2009-02-12 2013-05-02 Surcoatec Ag A method for applying a coating to workpieces and / or materials comprising at least one easily oxidizable non-ferrous metal and workpiece and / or material produced by the method
DK2251453T3 (en) * 2009-05-13 2014-07-07 Sio2 Medical Products Inc container Holder
RU2456373C1 (en) * 2011-04-05 2012-07-20 Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тверская государственная сельскохозяйственная академия" (ФГОУ ВПО "Тверская государственная сельскохозяйственная академия") Device for application of metallic coatings on internal surfaces of friction type bearings by cvd-method of organometallic compounds
WO2012164050A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 Surcoatec Ag Apparatus and method for coating and/or for removing material by means of pecvd/cde
DE102011105645A1 (en) * 2011-06-07 2012-12-13 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Method for reactive stripping of tetrahedral carbon layer on semiconductor wafer of e.g. chipping tool, involves performing plasma discharge process in vacuum chamber to support chemical reaction for stripping of carbon on substrate
FR2991614B1 (en) * 2012-06-06 2014-07-18 Snecma METHOD FOR GLOBALLY RECHARGING A METAL PIECE FOR AIRCRAFT TURBOREACTORS, AND GLOBAL PROTECTION TOOLS FOR THE IMPLEMENTATION OF THE METHOD
US9121540B2 (en) 2012-11-21 2015-09-01 Southwest Research Institute Superhydrophobic compositions and coating process for the internal surface of tubular structures
RU2548016C1 (en) * 2013-10-16 2015-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) Device for ion treatment of internal surfaces of millimetre range products
CN104752633A (en) * 2013-12-31 2015-07-01 中国科学院微电子研究所 Film packaging method
CN106282973A (en) * 2015-06-26 2017-01-04 核工业西南物理研究院 Device and method for inside pipe wall plated film
GB201614332D0 (en) * 2016-08-22 2016-10-05 Innano As Method and system for treating a surface
CN106840820B (en) * 2016-11-29 2020-10-23 信利（惠州）智能显示有限公司 CVD film and etching treatment method thereof
JP6848578B2 (en) * 2017-03-23 2021-03-24 三菱ケミカル株式会社 How to make a plastic bottle
US20220275503A1 (en) * 2019-09-23 2022-09-01 Agc Glass Europe Fabric substrate bearing a carbon based coating and process for making the same
CN112899662A (en) * 2019-12-04 2021-06-04 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 DLC production apparatus and production method
CN110965040B (en) * 2019-12-04 2021-04-16 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 Coating equipment for preparing DLC (diamond-like carbon) and application thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3821815A1 (en) * 1988-06-29 1990-01-04 Battelle Institut E V Device for coating an elongate interior of a hollow body with a diamond-like hard carbon coating by means of a plasma-assisted CVD process
US5308649A (en) * 1992-06-26 1994-05-03 Polar Materials, Inc. Methods for externally treating a container with application of internal bias gas
DE19726443A1 (en) * 1997-06-23 1999-03-04 Fraunhofer Ges Forschung Process for the surface treatment of internal surfaces of hollow bodies and device for carrying out the process
EP1548149A1 (en) * 2002-09-30 2005-06-29 Toppan Printing Co., Ltd. Method for forming thin film, apparatus for forming thin film, and method for monitoring thin film forming process

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4242894A1 (en) 1992-12-18 1994-06-23 Leybold Ag Multiple HF line to cathode feeding device
RU2065891C1 (en) * 1993-05-24 1996-08-27 Владимир Иванович Хвесюк Method and apparatus for ionic treatment of pieces surface
DE4318084A1 (en) * 1993-06-01 1994-12-08 Kautex Werke Gmbh Process and device for producing a polymeric outer layer in plastic blow mouldings
US6112695A (en) 1996-10-08 2000-09-05 Nano Scale Surface Systems, Inc. Apparatus for plasma deposition of a thin film onto the interior surface of a container
JP4035298B2 (en) * 2001-07-18 2008-01-16 キヤノン株式会社 Plasma processing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
JP2003293135A (en) 2002-03-29 2003-10-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Apparatus for forming film on inner surface of plastic container, and method for manufacturing plastic container coated with film on inner surface thereof
JP3643813B2 (en) 2001-12-13 2005-04-27 三菱重工業株式会社 Apparatus for forming carbon film on inner surface of plastic container and method for manufacturing inner surface carbon film-coated plastic container
RU2200058C1 (en) * 2002-02-12 2003-03-10 Открытое акционерное общество "ТВЭЛ" Method of performing homogeneous and heterogeneous reactions by means of plasma
WO2003085165A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Mitsubishi Shoji Plastics Corporation Plasma cvd film forming apparatus and method for manufacturing cvd film coating plastic container
JP3746762B2 (en) 2002-12-18 2006-02-15 三菱重工業株式会社 Apparatus for forming carbon film on inner surface of plastic container and method for manufacturing inner surface carbon film-coated plastic container
JP3868403B2 (en) 2003-07-04 2007-01-17 三菱重工業株式会社 Apparatus for forming barrier film on inner surface of plastic container and manufacturing method of inner surface barrier film-coated plastic container
JP2005105294A (en) * 2003-09-26 2005-04-21 Mitsubishi Shoji Plast Kk Cvd film-forming apparatus, and method for manufacturing plastic container coated with cvd film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3821815A1 (en) * 1988-06-29 1990-01-04 Battelle Institut E V Device for coating an elongate interior of a hollow body with a diamond-like hard carbon coating by means of a plasma-assisted CVD process
US5308649A (en) * 1992-06-26 1994-05-03 Polar Materials, Inc. Methods for externally treating a container with application of internal bias gas
DE19726443A1 (en) * 1997-06-23 1999-03-04 Fraunhofer Ges Forschung Process for the surface treatment of internal surfaces of hollow bodies and device for carrying out the process
EP1548149A1 (en) * 2002-09-30 2005-06-29 Toppan Printing Co., Ltd. Method for forming thin film, apparatus for forming thin film, and method for monitoring thin film forming process

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 2003237754 A, Pat. Abstr. of Jp. *
JP 2003293135 A, Pat. Abstr. of Jp. *
JP 2004196351 A, Pat. Abstr. of Jp. *
JP 2005022727 A, Pat. Abstr. of Jp. *
JP 2005281844 A, Pat. abstr. of Jp. inkl. englische Übersetzung der japanischen Offen- legungsschrift
JP 2005281844 A, Pat. abstr. of Jp. inkl. englische Übersetzung der japanischen Offenlegungsschrift *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007045216A1 (en) * 2007-09-21 2009-04-02 Khs Corpoplast Gmbh & Co. Kg Apparatus for the plasma treatment of workpieces
EP2424683B1 (en) 2009-04-30 2016-03-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Metal substrates having a scratch-proof and extensible corrosion protection layer and method for the production thereof
EP2424683B2 (en) † 2009-04-30 2021-10-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Metal substrates having a scratch-proof and extensible corrosion protection layer and method for the production thereof
EP2626446A1 (en) * 2012-02-09 2013-08-14 Krones AG Power lance and plasma-assisted coating with the input of a high frequency
DE102013209707A1 (en) * 2013-05-24 2014-11-27 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH KITCHEN EQUIPMENT WITH EASILY CLEANABLE SURFACES AND METHOD FOR THEIR APPLICATION

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CN101522941A (en) 2009-09-02
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DE502007006616D1 (en) 2011-04-14
CA2693039A1 (en) 2008-01-17
WO2008006856A1 (en) 2008-01-17

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