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Die
Erfindung betrifft das Gebiet der Halbleitervorrichtungen und insbesondere
die Verringerung des Stromverbrauchs im Standby-Zustand einer Halbleitervorrichtung,
die eine dynamische Halbleiterspeichervorrichtung enthält, die
aufgefrischt werden muß.
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Seit
kurzem werden mit dem umfassenden Gebrauch persönlicher digitaler Assistenten
kleinere Halbleiterspeichervorrichtungen mit niedrigerem Leistungsverbrauch
gefordert. Häufig
wird eine Halbleiterspeichervorrichtung verwendet, die mit einem Mikrocomputer
und einer großen
Logikschaltung auf einem Chip integriert ist. Eine integrierte Schaltung, in
der zur Realisierung eines Systems auf einem Chip verschiedene derartige
große
Schaltungen angebracht sind, wird hier als System-LSI bezeichnet.
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Vor
der Diskussion einer Verringerung des Speisestromver brauchs der
System-LSI wird zunächst
die Struktur einer Halbleiterspeichervorrichtung beschrieben.
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35 ist ein schematischer
Blockschaltplan einer Struktur einer Halbleiterspeichervorrichtung 1000.
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Wie
in 35 gezeigt ist, enthält die Halbleiterspeichervorrichtung 1000 einen
externen Taktsignal-Eingangsanschluß 1116, der die von
außen
zugeführten
komplementären
Taktsignale ext.CLK und ext./CLK empfängt, die Takteingabepuffer 1084 und 1085,
die die dem externen Taktsignal-Eingangsanschluß 1116 zugeführten Taktsignale
puffern, eine Schaltung 1118 zur Erzeugung eines internen
Steuertaktsignals, die die jeweiligen Ausgangssignale der Takteingabepuffer 1084 und 1085 empfängt, um
ein internes Taktsignal int.CLK zu erzeugen, und einen Betriebsartdecodierer 1120,
der ein externes Steuersignal empfängt, das über die gemäß dem internen Signal int.CLK
arbeitenden Eingabepuffer 1112–1120 einem Eingangsanschluß 1110 für das externe
Taktsignal zugeführt
wird.
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Der
Eingangsanschluß 1110 für das externe Taktsignal
empfängt
ein Taktfreigabesignal CKE, ein Chipauswahlsignal /CS, ein Zeilenadressen-Freigabesignal
/RAS, ein Spaltenadressen-Freigabesignal /CAS und ein Schreibsteuersignal
/WE.
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Das
Taktfreigabesignal CKE wird verwendet, um ein Steuersignal in den
Chip eingeben zu können. Wenn
dieses Signal nicht aktiviert ist, ist keine Eingabe des Steuersignals
möglich,
wobei die Halbleiterspeichervorrichtung 1000 kein von außen eingegebenes
Signal annimmt.
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Das
Chipauswahlsignal /CS wird verwendet, um zu bestimmen, ob ein Befehlssignal
eingegeben wird oder nicht. Wenn dieses Signal aktiviert (auf dem
L-Pegel) ist, wird auf der steigenden Flanke des Taktsignals gemäß einer
Kombination von Pegeln anderer Steuersignale ein Befehl identifiziert.
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Der
Betriebsartdecodierer 1120 gibt ein internes Steuersignal
zum Steuern einer Operation einer internen Schaltung der Halbleiterspeichervorrichtung 1000 gemäß diesen
externen Steuersignalen aus. Der Betriebsartdecodierer 1120 gibt
als interne Steuersignale ein Signal ROWA, ein Signal COLA, ein
Signal ACT, ein Signal PC, ein Signal READ, ein Signal WRITE, ein
Signal APC und ein Signal SR aus.
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Das
Signal ROWA gibt an, daß ein
Zeilenzugriff ausgeführt
wird, das Signal COLA gibt an, daß ein Spaltenzugriff ausgeführt wird,
und das Signal ACCT wird verwendet, um das Aktivieren einer Wortleitung
anzuweisen.
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Das
Signal PC spezifiziert eine Vorladeoperation zum Abschließen einer
Zeilenschaltungsoperation. Das Signal READ weist eine Spaltenschaltung an,
eine Leseoperation auszuführen,
während
das Signal WRITE die Spaltenschaltung anweist, eine Schreiboperation
auszuführen.
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Das
Signal APC spezifiziert die Autovorladeoperation. Wenn die Autovorladeoperation
bestimmt ist, wird gleichzeitig mit dem Ende eines Burst-Zyklus automatisch
die Vorladeoperation gestartet. Das Signal SR bestimmt eine Selbstauffrischoperation. Wenn
die Selbstauffrischoperation beginnt, wird ein Selbstauffrisch-Zeitgeber
betätigt.
Nachdem eine bestimmte Zeitdauer vergangen ist, wird eine Wortleitung
aktiviert und die Auffrischoperation begonnen.
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Ferner
enthält
die Halbleiterspeichervorrichtung 1000 einen Selbstauffrisch-Zeitgeber 1054,
dessen Operation gestartet wird, wenn durch das Signal SR die Selbstauffrisch-Betriebsart
bestimmt ist, woraufhin er nach einer bestimmten Zeit die Aktivierung einer
Wortleitung, d. h. den Start der Auffrisch operation, bestimmt, und
einen Auffrischadressenzähler 1056 zum
Erzeugen einer Auffrischadresse gemäß einer Anweisung vom Selbstauffrisch-Zeitgeber 1054.
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Ferner
enthält
die Halbleiterspeichervorrichtung 1000 einen Referenzpotential-Eingangsanschluß 1022,
der das Signal VREF empfängt,
das als Referenz verwendet werden soll, um zu bestimmen, ob ein
Eingangssignal auf dem H- oder auf dem L-Pegel ist, ein Betriebsartregister 1046,
das ein über einen
Adressensignal-Eingangsanschluß 1112 zugeführtes Adressensignal
sowie Informationen in bezug auf eine vorgegebene Arbeitsbetriebsart,
z. B. Informationen in bezug auf die Burst-Länge
gemäß einer Kombination
der obenbeschriebenen externen Steuersignale, hält, einen Zeilenadressenzwischenspeicher 1250,
der über
die gemäß einem
internen Taktsignal int.CLK2 arbeitenden Adresseneingabepuffer 1032–1038 die
Adressensignale empfängt,
um bei der Eingabe einer Zeilenadresse die eingegebene Zeilenadresse
zu halten, einen Spaltenadressenzwischenspeicher 1550,
der die Adressensignale A0–A12
empfängt,
um bei der Eingabe einer Spaltenadresse diese Spaltenadresse zu
halten, einen Multiplexer 1058, der die jeweiligen Ausgangssignale von
dem Auffrischadressenzähler 1056 und
von dem Zeilenadressen-Zwischenspeicher 1250 empfängt, um
im Normalbetrieb das Ausgangssignal vom Zeilenadressen-Zwischenspeicher 1250 und
im Selbstauffrischbetrieb das Ausgangssignal vom Auffrischadressenzähler 1056 auszuwählen und
das ausgewählte
Signal dementsprechend auszugeben, und einen Zeilenvordecodierer 1136,
der ein Ausgangssignal vom Multiplexer 1058 empfängt, um eine
Zeilenadresse vorzudecodieren.
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Ferner
enthält
die Halbleiterspeichervorrichtung 1000 einen Burst-Adressenzähler 1060,
der anhand der im Spaltenadressen-Zwischenspeicher 1550 gehaltenen
Spaltenadresse gemäß den Burst-Längen-Daten
vom Betriebsartregister 1046 eine interne Spaltenadresse
erzeugt, einen Spaltenvordecodierer 1134, der ein Ausgangssignal
des Burst-Adressenzählers 1060 empfängt, um
eine entsprechende Spaltenadresse vorzudecodieren, einen Bankadressen-Zwischenspeicher 1052,
der die einem Adresseneingangsanschluß über die gemäß dem internen Taktsignal int.CLK
arbeitenden Eingabepuffer 1040–1044 zugeführten Bankadressen BA0–BA2 empfängt, und
einen Bankdecodierer 1122, der ein Ausgangssignal des Bankadressen-Zwischenspeichers 1052 empfängt, um
eine Bankadresse zu decodieren.
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Das
dem Adressensignal-Eingangsanschluß 112 zugeführte Adressensignal
wird außerdem
verwendet, um Daten durch eine Kombination irgendwelcher Bits in
das Betriebsartregister zu schreiben, wenn Arbeitsbetriebsartinformationen
in das Betriebsartregister geschrieben werden. Zum Beispiel sind
die Burst-Länge
BL, der Wert der CAS-Latenzzeit CL und dergleichen durch eine Kombination
einer vorgegebenen Anzahl von Bits eines Adressensignals bestimmt.
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Die
Bankadressensignale BA0–BA2
bestimmen sowohl beim Zeilenzugriff als auch beim Spaltenzugriff
eine Zugriffsbank. Genauer werden die den Adressensignal-Eingabepuffern 1040–1044 jeweils beim
Zeilenzugriff und beim Spaltenzugriff zugeführten Bankadressensignale BA0–BA2 durch
den Bankadressen-Zwischenspeicher 1052 erfaßt und daraufhin
durch den Bankdecodierer 1122 decodiert, um sie an jeden
Speicheranordnungsblock (Bank) zu senden.
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Außerdem enthält die Halbleiterspeichervorrichtung 1000 die
jeweils als die Bänke 0–7 für eine unabhängige Lese/Schreib-Operation dienenden Speicheranordnungsblöcke 100a–100g,
einen Zeilendecodierer 1244 zum Auswählen einer Zeile (Wortleitung)
in einer entsprechenden Bank gemäß den jeweiligen
Ausgangssignalen vom Bankdecodierer 1122 und vom Zeilenvordecodierer 1136,
einen Spaltendecodierer 1242 zum Auswählen einer Spalte (Bitleitungspaar)
in einer entsprechenden Bank gemäß einem
Ausgangssignal vom Spaltenvordecodierer 1134, einen E/A-Port 1266,
der in einer Leseoperation aus einer ausgewählten Speicherzelle in einer ausgewählten Bank
gelesene Daten einem globalen E/A-Bus G-I/O zuführt, während er in einer Schreiboperation über den
Bus G-I/O übertragene
Daten einer entsprechenden Bank zuführt, eine Daten-Eingabe/Ausgabe-Schaltung 1086,
die in einer Schreiboperation von außen zugeführte Schreibdaten hält und sie
dem Bus G-I/O zuführt,
während
sie in einer Leseoperation über
den Bus G-E/O übertragene
gelesene Daten hält,
und die Zweirichtungs-Eingabe/Ausgabe-Puffer 1072–1082 zum Übertragen
von Eingabe/Ausgabe-Daten DQ0–DQ31
zwischen der Daten-Eingabe/Ausgabe-Schaltung 1086 und dem Daten-Eingabe/Ausgabe-Anschluß 1070.
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Die
Zweirichtungs-Eingabe/Ausgabe-Puffer 1072–1082 arbeiten
gemäß den im
Betriebsartregister 1046 gehaltenen Arbeitsbetriebsartdaten
synchron zum internen Taktsignal.
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36 zeigt ein von außen an eine
System-LSI angelegtes Stromversorgungspotential.
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Wie 36 zeigt, enthält die System-LSI
einen Chip CH, auf dem ein Logikabschnitt LD und ein DRAM-Abschnitt
MEM angebracht sind. Der DRAM-Abschnitt enthält eine Stromversorgungs-Erzeugungsschaltung
VGEN1, die das erhöhte
Potential VPP erzeugt, und eine Stromversorgungs-Erzeugungsschaltung
VGEN2, die das Substratpotential VBB erzeugt.
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Der
Logikabschnitt LG empfängt
das über
einen Anschluß T50
von außen
angelegte Speisepotential LVDDH von 3,3 C und das über einen
Anschluß T51
von außen
angelegte Potential LVDDL von 1,5 V. Der DRAM-Abschnitt MEM empfängt das über einen
Anschluß T52
von außen
angelegte Speisepotential DVDDH von 3,3 V und das über einen
Anschluß T53
von außen
angelegte Speisepotential DVDDL von 1,5 V.
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Um
in einer solchen System-LSI den Speisestromverbrauch im Standby-Zustand
zu senken und gleichzeitig die in einer Speicherzelle des DRAM-Abschnitts
MEM gespeicherten Daten zu erhalten, werden die an den Logikabschnitt
LG angelegten Speisepotentiale LVDDH und LVDDL auf 0 V eingestellt, so
daß der
Stromversorgungsstrom nicht weiter angelegt wird. Auf diese Weise
kann im Standby-Zustand der Stromverbrauch in dem Logikabschnitt
LG verringert werden.
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Vorzugsweise
lassen sich persönliche
digitale Assistenten und dergleichen mit einer Batterie so lange
wie möglich
betreiben. Hierzu muß der
Stromverbrauch der System-LSI so weit wie möglich verringert werden.
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Um
die in einer Speicherzelle gespeicherten Daten zu erhalten, benötigt der
in der System-LSI enthaltene DRAM-Abschnitt selbst im Standby-Zustand
eine Auffrischoperation. Die Auffrischoperation wird entweder in
jedem Zyklus in regelmäßigen Abständen ausgeführt oder
es werden sämtliche
Speicherzellen nacheinander aufgefrischt, wobei dieses aufeinanderfolgende
Auffrischen in regelmäßigen Abständen ausgeführt wird.
Auf jeden Fall wird während
der Zeitdauer, in der die Auffrischoperation ausgeführt wird,
in dem DRAM-Abschnitt irgendeine Schaltungsoperation ausgeführt, die
bei Aktivierung eines Transistors von einem Leckstrom begleitet
ist. Der Leckstrom im Betrieb und im Standby-Zustand steigt, wenn
die Schwellenspannung eines verwendeten MOS-Transistors gesenkt
wird, um die Betriebsgeschwindigkeit zu erhöhen und das Stromversorgungspotential
zu senken. Im Ergebnis steigt der Stromverbrauch der gesamten Vorrichtung.
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37 zeigt das an die Peripherieschaltungsanordnung
des in 36 gezeigten
DRAM-Abschnitts MEM angelegte Stromversorgungspotential.
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Wie
in den 36 und 37 gezeigt ist, wird das
an den DRAM-Abschnitt
MEM angelegte Stromversorgungspotential DVDDL einer Taktsteuereinheit 1402,
einer Zeilen-Befehlssteuereinheit 1404, einer Spalten-Befehlssteuereinheit 1406,
einer Zeilen-Adressensteuereinheit 1408,
einer Bank-Adressensteuereinheit 1410, einer Spalten-Adressensteuereinheit 1412,
einer Eingangs/Ausgangs-Datensteuereinheit 1414 und einer
Selbstauffrisch-Steuereinheit 1416 zugeführt. Außerdem wird
das Speisepotential DVDDL von außen der Peripherieschaltungsanordnung
mit Ausnahme des in 36 gezeigten
Speicheranordnungsabschnitt zugeführt. Aus diesem Grund wird
im Standby-Zustand in jeder Schaltung, die in der Auffrischoperation
nicht erforderlich ist, z. B. in der Eingabe/Ausgabe-Datensteuereinheit 1414 und
dergleichen, ein beträchtlicher Leckstrom
erzeugt.
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In
der
EP 0 820 065 A2 ist
ein DRRM offenbart, bei dem zum Reduzieren des Leistungsverbrauchs
nur ein Teil der Zeilen aufgefrischt wird.
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Die
US 5,615,162 zeigt eine
Speicherschaltung, der zum Reduzieren des Leistungsverbrauchs eine
Versorgungsspannung selektiv zugeführt wird. Dabei kann die Zufuhr
einer Versorgungsspannung für
einzelne Speicherbereiche selektiv erfolgen, sie kann für ein Speicherzellenfeld
und dessen Peripherieschaltung selektiv erfolgen, oder sie kann
für verschiedene
Peripherieschaltungen selektiv erfolgen.
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Der
Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halbleitervorrichtung
mit einem Ruhezustand zu schaffen, die im Standby-Zustand weniger
Stromversorgungsstrom verbraucht, während die in einem DRAM-Abschnitt
gespeicherten Informationen erhalten werden.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch
eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1. Weiterbildungen der
Erfindung sind in den abhängigen
Ansprüchen
angegeben.
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Dementsprechend
besteht ein Hauptvorteil der Erfindung darin, daß durch Anhalten des Betriebs der
ersten Peripherieschaltung in der Ruhebetriebsart der Stromverbrauch
verringert werden kann.
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Weitere
Merkmale und Zweckmäßigkeiten der
Erfindung ergeben, sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen
der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
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1 einen schematischen Blockschaltplan einer
Struktur einer Halbleitervorrichtung 1 gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung;
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2 einen Blockschaltplan
einer Struktur einer Auffrischsteuereinheit 132 in 1;
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3 einen Schaltplan einer
hierarchischen Stromversorgungsstruktur;
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4 ein Signalformdiagramm
einer Operation einer Schaltung mit der in 3 gezeigten hierarchischen Stromversorgungsstruktur;
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5 einen Blockschaltplan
eines ersten Beispiels eines Adressenzählers 312 in 2;
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6 ein Signalformdiagramm
einer Operation des Adressenzählers 312 in 5;
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7 einen Blockschaltplan
einer Struktur eines Adressenzählers 312a als
Abwandlung des Adressenzählers 312;
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8 ein Operations-Signalformdiagramm einer
Operation des Adressenzählers 312a in 7;
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9 das externe Zuführen der
Stromversorgung für
eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten
Ausführungsform;
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10 eine Struktur, in der
das Stromversorgungspotential an eine interne Schaltung eines in 9 gezeigten DRAM-Abschnitts
angelegt wird;
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11 ein erstes Beispiel der
Gruppierung der in 10 gezeigten
Peripherieschaltungen PCKT1 und PCKT2;
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12 ein zweites Beispiel
der Gruppierung der Peripherieschaltungen;
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13 ein drittes Beispiel
der Gruppierung der Peripherieschaltungen;
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14 eine schematische Darstellung
einer Struktur einer Speicheranordnung;
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15 eine Struktur eines Randabschnitts, der
eine für
die Schreiboperation verwendete E/A-Leitung durch Anhalten der Stromversorgung deaktiviert;
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16 einen Schaltplan einer
Struktur eines Flipflops 1172a in 15;
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17 das Anlegen der Stromversorgung vor
und nach einem Leseverstärker 1154 in 14;
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18 einen Schaltplan einer
Struktur eines Leseverstärkers 1154 und
einer Entzerrschaltung 528 in 17;
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19 einen Blockschaltplan,
der zeigt, daß für einen
Teil eines Blocks ein Transistor mit einem hohen Schwellenwert verwendet
wird, um den Stromverbrauch eines Auffrischsteuerabschnitts zu verringern;
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20 einen Schaltplan einer
Schaltungsstruktur zum Multiplexieren einer Adresse im Normalbetrieb
und einer Adresse beim Selbstauffrischen;
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21 einen Schaltplan einer
zweiten Struktur zum Multiplexieren von Adressen;
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22 einen Schaltplan einer
Struktur einer Pegelumsetzschaltung;
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23 einen Schaltplan einer
Struktur einer Auswahlschaltung 620 in 21;
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24 einen Schaltplan einer
Struktur einer ersten Pegelumsetzschaltung 660 zum Umsetzen des
Pegels von 1,5 V auf 3,3 V;
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25 einen Schaltplan einer
Struktur einer Pegelumsetzschaltung 680 als zweites Beispiel
der Pegelumsetzung;
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26 einen Schaltplan einer
Struktur einer Pegelumsetz schaltung 710 als drittes Beispiel
der Pegelumsetzung;
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27 einen Schaltplan einer
Struktur einer Spaltenauswahlleitungs-Festsetzschaltung 730;
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28 einen Schaltplan einer
Struktur einer Spaltenauswahlleitungs-Festsetzschaltung 740 als zweites
Beispiel zum Festsetzen einer Spaltenauswahlleitung;
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29 einen Schaltplan einer
Struktur einer Spaltenauswahlleistungs-Festsetzschaltung 757 als drittes
Beispiel zum Festsetzen einer Spaltenauswahlleitung;
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30 einen Blockschaltplan
einer Struktur einer Halbleitervorrichtung 800 gemäß einer
dritten Ausführungsform;
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31 einen Schaltplan einer
Struktur einer DRAM-Stromversorgungsschaltung 810 in 30;
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32 einen Schaltplan einer
Struktur einer Takt/Rücksetz-Steuerschaltung 806 in 30;
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33 ein Operations-Signalformdiagramm einer
Ruhebetriebsart des DRAM-Abschnitts der Halbleitervorrichtung in 30;
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34 ein Signalformdiagramm
einer Operation zur Rückkehr
aus der Ruhebetriebsart in 33 in
eine Arbeitsbetriebsart;
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35 den bereits erwähnten schematischen
Blockschaltplan einer Struktur einer Halbleiterspeichervorrichtung 1000;
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36 die bereits erwähnte Darstellung
des von außen
an die System-LSI angelegten Stromversorgungspotential; und
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37 die bereits erwähnte Darstellung
des an eine Peripherieschaltung des DRAM-Abschnitts MEM in 36 angelegten Stromversorgungspotentials.
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Erste Ausführungsform
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1 ist ein schematischer
Blockschaltplan einer Struktur einer Halbleitervorrichtung 1 gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung.
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Wie
in 1 gezeigt ist, enthält die Halbleitervorrichtung 1 einen
großen
an eine Gruppe externer Pinanschlüsse PG angeschlossenen Logikabschnitt 2 zum
Ausführen
einer bestimmten Verarbeitung und einen über eine interne Zwischenverbindung
an den Logikabschnitt 2 angeschlossenen DRAM-Abschnitt 4 zum
Speichern der von dem Logikabschnitt 4 benötigten Daten.
Der Logikabschnitt 2 gibt an den DRAM-Abschnitt 4 die
Taktsignale CLK und /CLK, die Steuersignale CKE, /CS, /RAS, /CAS und
/WE, das Referenzpotential Vref für die Eingabe von Daten, die
Zeilenadressensignale RA0–RA12, die
Spaltenadressensignale CA0–CA10
und die Bankadressensignale BA0–BA2
aus. Der Logikabschnitt 2 und der DRAM-Abschnitt 4 senden
und empfangen die Datensignale DQ0–DQ31.
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Falls
der Logikabschnitt 2 und der DRAM-Abschnitt 4 auf
einem Chip integriert sind, kann die Anzahl der Signalleitungen
für die
Datenübertragung
im Vergleich zu einem Logikabschnitt und einem DRAM-Abschnitt, die
auf getrennten Chips angebracht sind, einfacher erhöht werden.
Somit besitzt die in 1 gezeigte
Struktur keine sogenannte Adressenpin-Multiplexierung, sondern getrennte
Leitungen für
die Spaltenadresse und die Zeilenadresse, die von dem Logikabschnitt
an den DRAM-Abschnitt übertragen
werden.
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Der
DRAM-Abschnitt 4 enthält
die Takteingabepuffer 50 und 52, die die vom Logikabschnitt 2 zugeführten komplementären Puffertaktsignale
CLK und /CLK puffern, eine Schaltung 118 zur Erzeugung eines
internen Steuertaktsignals, die die jeweiligen Ausgangssignale der
Takteingabepuffer 50 und 52 empfängt und
ein internes Taktsignal int.CLK ausgibt, die Eingabepuffer 12–20,
die gemäß dem internen Taktsignal
int.CLK die Steuersignale CKE, /CS, /RAS, /CAS und /WE empfangen,
und einen Betriebsartdecodierer 120, der über die
Eingabepuffer 12–20 Steuersignale
empfängt
und ein internes Steuersignal zum Steuern einer Operation einer
internen Schaltung ausgibt.
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Das
Taktfreigabesignal CKE wird verwendet, um die Eingabe eines Steuersignals
in den Chip zu ermöglichen.
Wenn das Taktfreigabesignal nicht aktiviert ist, ist die Eingabe
des Steuersignals nicht erlaubt, wobei der DRAM-Abschnitt 4 keine
Daten an den Logikabschnitt sendet oder von ihm empfängt.
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Das
Chipauswahlsignal /CS wird verwendet, um zu bestimmen, ob ein Befehlssignal
zugeführt wird.
Während
der Zeitdauer, in der dieses Signal aktiviert ist (L-Pegel), wird
auf der steigenden Flanke des Taktsignals ein Befehl gemäß einer
Kombination von Pegeln anderer Steuersignale identifiziert.
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Der
Betriebsartdecodierer 120 gibt als interne Steuersignale
beispielsweise ein Signal ROWA, ein Signal COLA, ein Signal ACT,
ein Signal PC, ein Signal READ, ein Signal WRITE, ein Signal APC
und ein Signal SR aus.
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Das
Signal ROWA gibt an, daß ein
Zeilenzugriff ausgeführt
wird, das Signal COLA gibt an, daß ein Spaltenzugriff ausgeführt wird,
und das Signal ACT ist ein Signal, das die Akti vierung einer Wortleitung
bestimmt.
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Das
Signal PC spezifiziert eine Vorladeoperation, die anweist, daß eine Zeilenschaltungsoperation
abgeschlossen wird. Das Signal READ weist eine Spaltenschaltung
an, eine Leseoperation auszuführen,
während
das Signal WRITE eine Spaltenschaltung anweist, eine Schreiboperation
auszuführen.
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Das
Signal APC bestimmt eine Autovorladeoperation. Wenn die Autovorladeoperation
bestimmt wird, wird gleichzeitig mit dem Ende eines Burst-Zyklus
automatisch die Vorladeoperation gestartet. Das Signal SR spezifiziert
eine Selbstauffrischoperation. Das Selbstauffrischsignal SR wird
beispielsweise erzeugt, wenn in einer Standby-Betriebsart von dem Logikabschnitt
eine Kombination von Steuersignalen zugeführt wird, die eine Selbstauffrisch-Betriebsart bestimmen.
Nachdem eine bestimmte Zeit vergangen ist, wird dementsprechend
die Selbstauffrischoperation gestartet, wobei ein Selbstauffrisch-Zeitgeber
arbeitet und eine Wortleitung aktiviert wird und dementsprechend
die Auffrischoperation gestartet wird.
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Ferner
empfängt
der DRAM-Abschnitt 4 ein Referenzpotential, das als Referenz
verwendet wird, um zu bestimmen, ob ein Eingangssignal auf dem H-Pegel
oder auf dem L-Pegel ist.
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Ferner
enthält
der DRAM-Abschnitt 4 ein Betriebsartregister 122,
das gemäß einer
Kombination eines Adressensignals und eines von dem Logikabschnitt
zugeführten
Steuersignals Informationen in bezug auf eine vorgegebene Betriebsart,
beispielsweise Informationen in bezug auf die Burst-Länge, hält, einen
Zeilenadressen-Zwischenspeicher 124, der die Zeilenadressensignale
RA0–RA12
von dem Logikabschnitt empfängt
und hält,
einen Spaltenadressen-Zwischenspeicher 126, der die von
dem Logikabschnitt zugeführten
Spaltenadressensignale CA0–CA10
empfängt
und hält,
einen Zeilenvordecodierer 140, der ein Ausgangssignal vom
Zeilenadressen-Zwischenspeicher 124 empfängt, um
eine Zeilenadresse vorzudecodieren, einen Burst-Adressen-Zähler 134, der gemäß den Daten über die Burst-Länge vom
Betriebsartregister 122 mit der im Spaltenadressen-Zwischenspeicher 126 gehaltenen Spaltenadresse
als Referenz eine interne Spaltenadresse erzeugt, einen Spaltenvordecodierer 142,
der ein Ausgangssignal vom Burst-Adressen-Zähler 134 empfängt, um
eine entsprechende Spaltenadresse vorzudecodieren, einen Bankadressen-Zwischenspeicher 128,
der die Bankadressen BA0–BA2
empfängt,
die von dem Logikabschnitt über
die Eingangspuffer 40–44,
die gemäß dem internen
Taktsignal int.CLK arbeiten, um einen bestimmten Bankadressenwert
zu erhalten, zugeführt
werden, und einen Bankdecodierer 136, der ein Ausgangssignal
vom Bankadressen-Zwischenspeicher 128 empfängt, um eine
Bankadresse zu decodieren.
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Die
von dem Logikabschnitt zugeführten Adressensignale
werden verwendet, um gemäß einer
Kombination mehrerer Bits Daten in das Betriebsartregister 10 zu
schreiben. Zum Beispiel werden gemäß einer Kombination einer vorgegebenen
Anzahl von Bits eines Adressensignals Werte der Burst-Länge BL,
der CAS-Latenzzeit CL und dergleichen bestimmt.
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Die
Bankadressensignale BA0–BA2
bestimmen die jeweiligen Zugriffsbänke beim Zeilenzugriff und
beim Spaltenzugriff. Genauer werden die von dem Logikabschnitt 2 zugeführten Bankadressensignale
BA0–BA2
sowohl beim Zeilenzugriff als auch beim Spaltenzugriff von dem Bankadressen-Zwischenspeicher 128 erfaßt, von
dem Bankdecodierer 136 decodiert und anschließend an
jeden Speicheranordnungsblock (Bank) gesendet.
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Ferner
enthält
der DRAM-Abschnitt 4 eine Auffrischsteuereinheit 132,
die ein Adressensignal von dem Logikabschnitt und ein Signal SR,
das die Selbstauffrisch-Betriebsart zum Steuern des Auffrischens
bestimmt, empfängt,
und einen Multiple xer 144, der gemäß dem Signal SR zwischen einem
Zeilensteuersignal und einem Bankbestimmungssignal, die von der
Auffrischsteuereinheit 132 ausgegeben werden, und den jeweiligen
Ausgangssignalen vom Zeilenvordecodierer 140 und vom Bankdecodierer 136 umschaltet.
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Ferner
enthält
der DRAM-Abschnitt 4 die Speicheranordnungsblöcke 100a–100g,
die als die jeweiligen Bänke 0–7 dienen,
wobei die Lese/Schreib-Operation getrennt ausgeführt werden kann, einen Zeilendecodierer 244 zum
Auswählen
einer Zeile (Wortleitung) in einer entsprechenden Bank gemäß einem
Ausgangssignal des Multiplexers 144, einen Spaltenvordecodierer 242 zum
Auswählen
einer Spalte (Bitleitungspaar) in einer entsprechenden Bank gemäß einem
Ausgangssignal des Spaltenvordecodierers 242, einen E/A-Port 266,
der die aus einer ausgewählten
Speicherzelle in einer ausgewählten
Bank gelesenen Daten bei der Leseoperation einem globalen E/A-Bus
G-I/O zuführt,
während
er in einer Schreiboperation die über den Bus G-I/O übertragenen
Schreibdaten an eine entsprechende Bank sendet, eine Daten-Eingabe/Ausgabe-Schaltung 130,
die in einer Schreiboperation die von außen zugeführten Schreibdaten zur Lieferung
an den Bus G-I/O hält,
während
sie in einer Leseoperation die über
den Bus G-I/O übertragenen
Lesedaten hält, und
die Daten-Eingabe/Ausgabe-Puffer 72–78 zum Senden und
zum Empfangen der Eingangs/Ausgangs-Daten DQ0–DQ31 zwischen der Daten-Eingabe/Ausgabe-Schaltung 130 und
dem Logikabschnitt 2.
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Der
DRAM-Abschnitt 4 enthält
ferner eine VDC-Schaltung 138, die von außen das
Speisepotential VDDH von 3,3 V empfängt, um beispielsweise das
Speisepotential VDD2 von 2,0 V auszugeben.
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2 ist ein Blockschaltplan
einer Struktur der in 1 gezeigten
Auffrischsteuereinheit 132.
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Wie
in 2 gezeigt ist, enthält die Auffrischsteuereinheit 132 einen
Zeitgeber 302, der das Selbstauffrischsignal SR vom Betriebsartdecodierer 120 in 1 empfängt, um eine Standby-Zeitdauer zum
Auffrischen zu messen, wenn die Betriebsart auf die Selbstauffrisch-Betriebsart
geändert
wird, eine Auslöseimpuls-Erzeugungsschaltung 304,
die gemäß einem
Ausgangssignal des Zeitgebers 302 einen Auslöseimpuls
TRIG ausgibt, einen Zykluszeitgeber 306, der ein Zyklussignal
CYCLE ausgibt, das gemäß dem Auslöseimpuls
TRIG einen Zyklus der Wort-Zeitungsaktivierung
beim Auffrischen bestimmt, eine RAS-Takterzeugungsschaltung 308,
die gemäß dem Zyklussignal
CYCLE ein Zeilenbetriebs-Referenztaktsignal RASCK ausgibt, und eine
Verzögerungsschaltung 310 zur
Steuerung, die zu vorgegebenen Zeitpunkten mit dem Taktsignal RASCK
als Referenz die Ausgangssignale EQ, MWL, SO und PC ausgibt. Wenn
das interne Freigabesignal IEN aktiviert ist, gibt die Steuerverzögerungsschaltung 310 die
Signale EQ, MWL, SO und PC aus.
-
Das
Signal EQ gibt eine Entzerrzeitdauer einer Bitleitung an, während das
Signal MWL eine Aktivierungs-Zeitdauer einer Hauptwortleitung, das
Signal SO eine Aktivierungs-Zeitdauer eines Leseverstärkers und
das Signal PC eine Vorladezeitdauer angibt.
-
Ferner
enthält
die Auffrischsteuereinheit 132 einen Adressenzähler 312,
der beim Einschalten gemäß dem Rücksetzsignal
PON und dem Selbstauffrisch-Rücksetzsignal
SRRST zurückgesetzt
wird, wobei er die Startadresse SADR und die Endadresse EADR von
dem Logikabschnitt empfängt
und eine Adresse gemäß dem Taktsignal
RASCK inkrementiert. Wenn ein Adressenzählungszyklus abgeschlossen
ist, gibt der Adressenzähler 312 an
die Speichermatrix die Auffrischadresse ReADR und an den Zeitgeber 302 das
Zeitgeber-Rücksetzsignal
TRST aus.
-
Der
Zeitgeber 302 in der Auffrischsteuereinheit 132 braucht nicht
schnell zu arbeiten. Somit enthält
er einen Transistor, der selbst im Betrieb einen hohen Schwellenwert
und einen kleinen Leckstrom besitzt. Wenn der Zeitgeber-Schaltungsabschnitt
einen Zeitpunkt erfaßt,
wird der Auslöseimpuls
TRIG erzeugt, wobei der Adressenzähler 312 gemäß dem Auslösesignal
TRIG zu arbeiten beginnt. Der Adressenzähler 312 enthält einen
Transistor mit niedrigem Schwellenwert. Um den Leckstrom vor der
Erfassung des Zeitpunkts durch den Zeitgeber 302 zu senken, wird
aber durch ein Rücksetzsignal
der Standby-Zustand gestartet. Der Adressenzähler 312 verwendet die
unten beschriebene hierarchische Stromversorgungsstruktur, wobei
sein Leckstrom im Standby-Zustand verringert werden kann.
-
3 ist ein Schaltplan der
hierarchischen Stromversorgungsstruktur.
-
In 3 sind fünf in Serie geschaltete Inverterstufen
IV1–IV5
als interne Schaltungen gezeigt. Im Standby-Zyklus ist das dem Inverter
IV1 der ersten Stufe zugeführte
Eingangssignal IN auf dem L-Pegel. Die Inverter IV1–IV5 besitzen
die gleiche Struktur und enthalten jeweils einen P-Kanal-MOS-Transistor PT und
einen N-Kanal-MOS-Transistor NT. Diese MOS-Transistoren PT und NT sind MOS-Transistoren
mit niedriger Schwellenspannung (L-Vth-Transistoren) mit einem kleinen
Absolutwert der Schwellenspannung.
-
Diesen
Invertern IV1–IV5
werden eine Hauptspeiseleitung 321, die das Speisepotential
Vcc empfängt,
eine Unterspeiseleitung 323, die über einen P-Kanal-MOS-Transistor
PQ zum Senken des Leckstroms an die Hauptspeiseleitung 321 angeschlossen
ist, eine Hauptmasseleitung 322, die das Massepotential
Vss überträgt, und
eine Untermasseleitung 324, die über einen N-Kanal-MOS-Transistor NQ
zum Senken des Leckstroms an die Hauptmasseleitung 322 angeschlossen
ist, zugeführt.
Der Absolutwert der Schwellenspannung (M-Vth) der MOS-Transistoren
PQ und NQ zum Senken des Leckstroms ist jeweils größer als
der der MOS-Transistoren PT und NT.
-
Das
Gate des MOS-Transistors PQ empfängt
das Steuersignal /ϕ, während
das Gate des MOS-Transistors NQ das Steuersignal ϕ empfängt. In
einem aktiven Zyklus, in dem eine interne Schaltung arbeitet, ist
das Steuersignal ϕ auf dem H-Pegel. In einem Standby-Zyklus,
in dem die interne Schaltung im Standby ist, ist das Steuersignal ϕ auf dem
L-Pegel. Demgegenüber
ist das Steuersignal /ϕ im aktiven Zyklus auf dem L-Pegel,
während
es im Standby-Zyklus auf dem H-Pegel ist.
-
In
jedem der Inverter IV1, IV3, IV5 ... ist die Source des P-Kanal-MOS-Transistors
PT in den ungeradzahligen Stufen in den internen Schaltungen an die
Hauptspeiseleitung 321 angeschlossen, während die Source des N-Kanal-MOS-Transistors
NT an die Untermasseleitung 324 angeschlossen ist. In den
Invertern IV2, IV4, ... der geradzahligen Stufen ist die Source
des P-Kanal-MOS-Transistors PT an die Unterspeiseleitung 323 angeschlossen,
während
die Source des N-Kanal-MOS-Transistors NT an die Hauptmasseleitung 322 angeschlossen
ist.
-
4 ist ein Signalformdiagramm
einer Operation einer Schaltung mit der in 3 gezeigten hierarchischen Stromversorgungsstruktur.
-
Wie
in den 3 und 4 gezeigt ist, ist das Steuersignal ϕ im
Standby-Zyklus auf dem L-Pegel, während das Steuersignal /ϕ auf
dem H-Pegel ist. Das Eingangssignal IN ist auf dem L-Pegel. In diesem
Zustand sind die Leckstromsenk-MOS-Transistoren PQ und NQ im ausgeschalteten
Zustand.
-
Das
Eingangssignal IN der Inverter IV1, IV3 und IV5 der ungeradzahligen
Stufen ist jeweils auf dem L-Pegel. Somit ist der P-Kanal-MOS-Transistor PT
im angeschalteten Zustand, während der
N-Kanal-MOS-Transistor NT im ausgeschalteten Zustand ist. Die Source
des P-Kanal-MOS-Transistors PT ist an die Hauptspeiseleitung 321 angeschlossen,
während
die Source des N-Kanal-MOS-Transistors
NT an die Untermasseleitung 324 angeschlossen ist.
-
Wenn
der P-Kanal-MOS-Transistor PT angeschaltet ist und dementsprechend
die Spannung auf dem Pegel Vcc des Speisepotentials auf der Hauptspeiseleitung 321 an
einen entsprechenden Ausgangsknoten (Drain) übertragen wird, wird das Drain-Potential
gleich dem Source-Potential, wobei kein Strom fließt.
-
Andererseits
empfängt
das Gate des N-Kanal-MOS-Transistors NT ein Signal auf dem L-Pegel, so
daß der
Transistor dementsprechend ausgeschaltet wird. Wenn es in diesem
Zustand zwischen der an die Untermasseleitung gekoppelten Source
und dem Drain eine Potentialdifferenz wenigstens von einem bestimmten
Wert gibt, führt
dies zu einem Leckstrom. Die Untermasseleitung 324 ist über den
Leckstromsenk-MOS-Transistor NQ mit einer verhältnismäßig hohen Schwellenspannung
M-Vth an die Hauptmasseleitung 322 angeschlossen. Somit
kann der Leckstromsenk-MOS-Transistor
NQ selbst dann nicht diesen gesamten Leckstrom entladen, wenn der
Leckstrom von den Invertern IV1, IV3 und IV5 ... zur Untermasseleitung 324 fließt. Folglich
wird der Spannungspegel SVss auf der Untermasseleitung 324 höher als
das Massepotential Vss.
-
Das
Potential SVss auf der Untermasseleitung 324 ist schließlich durch
eine Beziehung zwischen dem Betrag des über den Leckstromsenk-MOS-Transistor
NQ entladenen Leckstroms und dem Leckstrom von der in der internen
Schaltung enthaltenen Inverterstufe bestimmt. Wenn das Potential
SVss auf der Untermasseleitung 324 höher als das Massepotential
Vss wird, wird der Anteil zwischen dem Gate und der Source des N-Kanal-MOS-Transistors NT in
jedem der Inverter IV1, IV3, IV5 ... der ungeradzahligen Stufen
auf einen Zustand eingestellt, in dem der Transistor in Sperrichtung
betrieben wird. In diesem Fall wird der Leckstrom weiter verringert.
-
In
den Invertern IV2, IV4 ... der geradzahligen Stufen ist das Eingangssignal
auf dem H-Pegel. In diesen Invertern IV2, IV4 ... der geradzahligen
Stufen ist die Source des P-Kanal-MOS-Transistors PT an die Unterstromversorgungsleitung 323 angeschlossen,
während
die Source des N-Kanal-MOS-Transistors NT an die Hauptmasseleitung 322 angeschlossen
ist. In den Invertern IV2, IV4 ... der geradzahligen Stufen haben
die N-Kanal-MOS-Transistoren
die gleiche Source, während der
Drain auf dem Pegel Vss des Massepotentials liegt. In dem P-Kanal-MOS-Transistor PT
wird der Leckstrom selbst im nichtleitenden Zustand erzeugt.
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Zwischen
der Hauptspeiseleitung 321 und der Unterspeiseleitung 323 ist
der Leckstromsenk-MOS-Transistor PQ mit einem verhältnismäßig großen Absolutwert
(M-Vth) der Schwellenspannung vorgesehen. Der Betrag des Leckstroms
von der Hauptspeiseleitung 321 zur Unterspeiseleitung 323 ist
durch den Leckstromsenk-MOS-Transistor PQ bestimmt, wobei die Spannung
SVcc auf der Unterspeiseleitung 323 unter den Pegel des
Speisepotentials Vcc fällt.
Der Spannungspegel von SVcc auf der Unterspeiseleitung 323 ist
schließlich
durch eine Relation zwischen dem von dem Leckstromsenk-MOS-Transistor
PQ zugeführten
Leckstrom und dem Gesamtleckstrom in den Invertern IV2, IV4 ...
der geradzahligen Stufen bestimmt. Wenn die Spannung SVcc niedriger
als das Speisepotential Vcc wird, wird der Teil zwischen dem Gate
und der Source des P-Kanal-MOS-Transistors PT in den Invertern IV2,
IV4, ... in den Sperrzustand versetzt, wobei der Leckstrom weiter
verringert wird.
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Im
aktiven Zyklus ist das Steuersignal ϕ auf dem H-Pegel,
während
das Steuersignal /ϕ auf dem L-Pegel ist, wobei die Leckstromsenk-MOS-Transistoren
PQ und NQ eingeschaltet sind, die Hauptspeiseleitung 321 mit
der Unterspeiseleitung 323 verbunden ist und die Hauptmasseleitung 322 mit
der Untermasseleitung 324 verbunden ist.
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Dementsprechend
ist die Spannung SVcc auf der Unterspeiseleitung 323 auf
dem Speisepotential Vcc, während
das Potential SVss auf der Untermasseleitung 324 auf dem
Pegel Vss des Massepotentials ist. In diesem aktiven Zyklus ändert sich das
Eingangssignal IN geeignet gemäß dem Betriebszustand.
Die MOS-Transistoren der Inverter IV1–IV5 ..., die die internen
Schaltungen bilden, sind jeweils MOS-Transistoren mit niedriger
Schwellenspannung, die mit hoher Geschwindigkeit arbeiten. Um den
Betrieb dieser internen Schaltung sicherzustellen, wird die Stromversorgungsfähigkeit
der Leckstromsenk-MOS-Transistoren
PQ und NQ auf einen hohen Wert eingestellt.
-
Somit
ist die obenbeschriebene hierarchische Struktur dadurch realisiert,
daß als
Speiseleitungen eine Hauptspeiseleitung und eine Unterspeiseleitung
vorgesehen sind, während
als Masseleitungen eine Hauptmasseleitung und eine Untermasseleitung
vorgesehen sind. Auf diese Weise wird die Impedanz der Speiseleitung/Masseleitung
durch die MOS-Transistoren mit niedriger Schwellenspannung in den
internen Schaltungen erhöht,
um im Standby-Zyklus den Leckstrom zu verringern, während die Impedanz
der Speiseleitung/Masseleitung im aktiven Zyklus verringert wird,
um einen schnellen Betrieb zu erreichen. Der Adressenzähler 312 in 2 kann eine solche hierarchische
Stromversorgungsstruktur besitzen, um auf diese Weise eine Halbleitervorrichtung
zu realisieren, die in der Standby-Zeitdauer, in der in der Ruhebetriebsart
kein Auffrischen ausgeführt
wird, einen verringertem Stromverbrauch hat, während sie beim Auffrischen
mit hoher Geschwindigkeit arbeitet.
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In
der Standby-Zeitdauer, in der das Selbstauffrischen ausge führt wird,
sind die MOS-Transistoren PQ und NQ ausgeschaltet, wobei das Substratpotential
niedriger als das Source-Potential
des Transistors gemacht wird, um den Leckstrom weiter zu verringern.
Dadurch, daß der
einer gemeinsamen Source-Leitung
eines Leseverstärkers in
der Speicheranordnung zugeführte
Strom gesenkt wird, kann der Leckstrom weiter verringert werden.
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5 ist ein Blockschaltplan
eines ersten Beispiels eines Adressenzählers 312 in 2.
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Wie
in 5 gezeigt ist, enthält der Adressenzähler 312 eine
Zwischenspeicherschaltung 332, die die Startadresse SADR
von dem Logikabschnitt empfängt
und hält,
eine Zwischenspeicherschaltung 334, die die von dem Logikabschnitt
zugeführte
Endadresse EADR empfängt
und hält,
und einen Zähler 336,
der gemäß dem Taktsignal
RASCK von der RAS-Takterzeugungsschaltung 308 in 2 eine Hochzähloperation
ausführt,
die Auffrischadresse ReRDR0 ausgibt und am Ende eines Auffrischadressenzyklus
das Zeitgeber-Rücksetzsignal
TRST ausgibt.
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Ferner
enthält
der Adressenzähler 312 eine Vergleichsschaltung 338,
die die vom Zähler 336 ausgegebene
Auffrischadresse ReADR0 mit der von der Zwischenspeicherschaltung 332 gehaltenen Startadresse
SADR vergleicht, um ein Ausgangssignal zu aktivieren, wenn die Auffrischadresse ReADR0
gleich der oder größer als
die Startadresse SADR ist, eine Vergleichsschaltung 340,
die die Auffrischadresse ReADR0 mit der von der Zwischenspeicherschaltung 334 gehaltenen
Endadresse EADR vergleicht, um ein Ausgangssignal zu aktivieren,
wenn die Auffrischadresse ReADR0 gleich der oder kleiner als die
Endadresse EADR ist, eine UND-Schaltung 342, die die jeweiligen
Ausgangssignale der Vergleichsschaltungen 338 und 340 empfängt und
ein internes Freigabesignal IEN ausgibt, und eine Pufferschaltung 344,
die die Auffrischadresse ReADR0 empfängt und die Auffrischadresse
ReADR an den Zeilendecodierer der Speicheranordnung ausgibt, wenn
das Freigabesignal IEN aktiviert ist.
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6 ist ein Operations-Signalformdiagramm
einer Operation des in 5 gezeigten Adressenzählers 312.
-
Wie
in den 5 und 6 gezeigt ist, wird der DRAM-Abschnitt
vor der Angabe eines Befehls zum Zeitpunkt t1 durch den Logikabschnitt
angewiesen, vor dem Übergang
in die Ruhebetriebsart ein Auffrischen auszuführen. Nach dem Zeitpunkt t1
wird das interne Taktsignal CLK gemäß dem Sinken der Speisespannung
des Logikabschnitts auf den L-Pegel festgesetzt und das dem DRAM-Abschnitt
zugeführte Taktsignal
deaktiviert.
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Zum
Zeitpunkt t1 spezifiziert ein durch eine Kombination der Steuersignale
/CS, /RAS, /CAS und /WE bestimmter Befehl eine Ruhebetriebsart.
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In
der System-LSI mit dem DRAM ist keine Eingabe einer Adresse von
außen
erforderlich. Die Anzahl der externen Anschlüsse steigt selbst dann nicht,
wenn die Anzahl der Bits eines dem DRAM-Abschnitt von dem Logikabschnitt
zugeführten
Adressensignals steigt. Somit besteht keine Notwendigkeit, eine
sogenannte Adressenpin-Multiplexierung zu verwenden, so daß eine Zeilenadresse
und eine Spaltenadresse über
getrennte Leitungen übertragen werden.
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Von
der Logikschaltung werden eine Startadresse und eine Endadresse
zur Bestimmung eines aufzufrischenden Gebiets zugeführt. Beim
Auffrischen ist keine Bestimmung einer Spaltenadresse erforderlich.
Somit führt
die Logikschaltung eine Auffrisch-Startadresse als Zeilenadressensignale RADD0–RADDn und
eine Auffrisch-Endadresse als Spaltenadressensignale CADD0–CADDn zu.
Das Auffrischen wird zwischen der Start adresse und der Endadresse
ausgeführt,
während
für andere
Adressen keine Auffrischoperation ausgeführt wird und diese übersprungen
werden. Diese Adressen können
z. B. durch eine Bankadresse spezifiziert werden.
-
Die
Auffrisch-Startadresse SADR und die Auffrisch-Endadresse EADR werden
dem DRAM-Abschnitt von dem Logikabschnitt zugeführt, wenn der Logikabschnitt
den DRAM-Abschnitt vor der Ruhebetriebsart verwendet, indem ein
Speichergebiet erkannt wird, in dem die Informationen beim Übergang in
die Ruhebetriebsart gehalten werden sollen. Wenn zum Zeitpunkt t1
die Auffrisch-Startadresse und die Auffrisch-Endadresse in den Zwischenspeicherschaltungen 332 und 334 im
Adressenzähler 312 des DRAM-Abschnitts
gehalten werden, wird die Zufuhr der Stromversorgungsspannung zu
dem Logikabschnitt angehalten, um den Stromverbrauch zu verringern.
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Wenn
von dem Betriebsartdecodierer 120 in 1 ein Selbstauffrischsignal SR in die
Auffrischsteuereinheit 132 eingegeben wird, wird durch
einen in dem Zeitgeber 302 in 2 enthaltenen Ringoszillator ein Referenztakt
erzeugt, wobei nach dem Auffrischen in der Normalbetriebsart ein Übergang
in die Ruhebetriebsart erfolgt und die Standby-Zeitdauer vom Übergang
zu der folgenden Auffrischoperation gemessen wird.
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Zum
Zeitpunkt t2 führt
der Zeitgeber 302 ein vorgegebenes Ausgangssignal zu, da
dies ein vorgegebener Zeitpunkt ist und dementsprechend die Auslöseimpuls-Erzeugungsschaltung 302 den
Auslöseimpuls
TRIG ausgibt. Daraufhin gibt der zyklische Zeitgeber 306 in
einer dem Auffrischzyklus entsprechenden Zeitdauer das Zyklussignal
CYCLE aus, wobei dementsprechend ein Taktsignal RASCK in den Adressenzähler 312 eingegeben
wird. Das Taktsignal RASCK wird in den Zähler 336 des Adressenzählers 312 eingegeben,
wobei der Zähler 336 nacheinander
das Auffrischadressensignal ReADSR0 ausgibt. Für ein Spei chergebiet, das keine
notwendigen Informationen enthält,
ist die Auffrischoperation aber nicht erforderlich. Um den Stromverbrauch
zu verringern, bestimmen die Vergleichsschaltung 338 und
die Vergleichsschaltung 340, ob das momentan durch den
Zähler 336 erzeugte
Auffrischadressensignal ReADR0 zwischen einer Startadresse und einer Endadresse
liegt, wobei sie dementsprechend das interne Freigabesignal IEN
ausgeben.
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Vom
Zeitpunkt t2 bis zum Zeitpunkt t3 ist das Auffrischadressensignal
kleiner als die Startadresse. Somit wird ein Ausgangssignal der
Pufferschaltung 344 und außerdem ein internes Freigabesignal
IEN deaktiviert.
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An
die Speicheranordnung wird keine Auffrischadresse gesendet, während von
der Steuerverzögerungsschaltung 310 kein
Steuersignal gesendet wird. Die Pegel dieser Signale sind festgesetzt,
wobei der Stromverbrauch dementsprechend um den Betrag des Stroms
zum Ansteuern einer Signalleitung durch diese Signale verringert
wird.
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Wenn
zum Zeitpunkt t3 die vom Zähler 336 ausgegebene
Auffrischadresse ReADR0 und die von der Zwischenspeicherschaltung 332 gehaltene
Startadresse übereinstimmen, ändert sich
ein Ausgangssignal der Vergleichsschaltung 338, wobei das
interne Freigabesignal IEN dementsprechend aktiviert wird, so daß die Ausführung des
Auffrischens gestartet wird.
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Wenn
zum Zeitpunkt t4 die von der Zwischenspeicherschaltung 334 gehaltene
Endadresse EADR und die gemäß dem Taktsignal
RASCK durch den Zähler 336 hochgezählte Auffrischadresse ReADR0 übereinstimmen, ändert sich
ein Ausgangssignal der Vergleichsschaltung 340, wobei dementsprechend
das interne Freigabesignal IEN deaktiviert wird. Daraufhin wird
das Auffrischen eines erforderlichen Gebiets abgeschlossen und für die nachfolgenden
Adressen kein Auffrischen ausgeführt.
Wenn zum Zeitpunkt t5 die durch den Zähler 336 erzeugten Adressen
sämtlich
aufgebraucht sind, gibt der Zähler 336 das
Zeitgeber-Rücksetzsignal
TRST aus, wobei die Standby-Zeitdauer erneut durch den Zeitgeber 302 gemessen
wird. In dieser Standby-Zeitdauer wird der Adressenzähler 312 in
der obenbeschriebenen hierarchischen Stromversorgungsstruktur in
einen Standby-Zustand versetzt.
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Wenn
zum Zeitpunkt t6 der Zeitgeber 302 angibt, daß die Standby-Zeitdauer
vergangen ist, wird dementsprechend der Auslöseimpuls TRIG aktiviert, wobei
der Adressenzähler 312 in
die aktive Betriebsart übergeht,
um das Zählen
einer Auffrischadresse zu starten. Wenn zum Zeitpunkt t7 die Auffrischadresse
mit der Startadresse übereinstimmt, wird
für eine
Speicherzelle, in der zu erhaltene Informationen gespeichert sind,
das Auffrischen ausgeführt.
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Zum
Zeitpunkt t8 wird das Taktfreigabesignal CKE auf den H-Pegel aktiviert,
an die Logikschaltung Strom angelegt und das Taktsignal CLK in den DRAM-Abschnitt
eingegeben. Daraufhin werden zunächst
sämtliche
Speicherbereiche durch Einsetzen eines Scheinzyklus zur Berücksichtigung
des Falls, in dem das Auffrischen während der Ruhebetriebsart abgeschlossen
wird, aufgefrischt. Danach werden zwischen dem Logikschaltungsabschnitt
und dem DRAM-Abschnitt wieder Daten gesendet und empfangen.
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7 ist ein Blockschaltplan
einer Struktur eines Adressenzählers 312a als
Abwandlung des Adressenzählers 312.
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Wie
in 7 gezeigt ist, unterscheidet
sich die Struktur des Adressenzählers 312a von
der des Adressenzählers 312 dadurch,
daß anstelle
der Vergleichsschaltungen 338 und 340, der UND-Schaltung 342 und
der Pufferschaltung 344 eine Adressenerfassungsschaltung 352 und
eine Vergleichsschaltung 354 enthalten sind. Die anderen
Komponenten sind ähnlich
jenen des Adressenzählers 312,
wobei ihre Beschreibung hier nicht wiederholt wird.
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Wenn
die Adressenerfassungsschaltung 352 die Startadresse SADR
und die Endadresse EADR von den Zwischenspeicherschaltungen 332 und 334 empfängt, erfaßt sie das
Verhältnis
eines aufzufrischenden Adressengebiets zu dem gesamten Adressengebiet
und gibt an den Zykluszeitgeber 306 in 2 das Zyklusauswahlsignal SELC zur Auswahl eines
Auffrischzyklus aus.
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Im
Zykluszeitgeber 306 wird die Anzahl der enthaltenen Zählerschaltungsstufen
gemäß dem Zyklusauswahlsignal
SELC geändert,
um den Auffrischzyklus zu ändern.
Gemäß diesem
Zyklus wird das Taktsignal RASCK in den Zähler 336 eingegeben
und der Zyklus zum Hochzählen
der Auffrischadresse ReADR geändert.
Wenn beispielsweise 4012 Wortleitungsadressen in 32 ms selbstaufgefrischt
werden, kann die Periode des Taktsignals RASCK viermal so groß gemacht
werden, wenn die Startadresse und die Endadresse im Bereich von
einem Viertel der Adressen der 4012 Wortleitungen gewählt werden. Das
Auffrischen kann zu fein verteilten Zeitpunkten ausgeführt werden,
wodurch der Spitzenstrom verringert werden kann, was vorteilhaft
ist, um den Leistungsverbrauch im Standby-Zustand zu verringern.
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Wenn
die vom Zähler 336 ausgegebene
Auffrischadresse ReADR mit der von der Zwischenspeicherschaltung 334 gehaltenen
Endadresse EADR übereinstimmt,
gibt die Vergleichsschaltung 354 das Zeitgeber-Rücksetzsignal
TRST an den Zeitgeber 302 in 3 aus.
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8 ist ein Operations-Signalformdiagramm
einer Operation des Adressenzählers 312a in 7.
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Wie
in den 7 und 8 gezeigt ist, werden zum
Zeitpunkt t1 ein Selbstauffrischbefehl sowie eine Auffrischstart-
und -endadresse eingegeben, wobei der Zeitgeber 302 wie
in Verbindung mit 6 beschrieben
eine Standby-Zeitdauer bis zum Zeitpunkt t2 mißt.
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Zum
Zeitpunkt t2 wird gemäß der Änderung eines
Ausgangssignals des Zeitgebers 302 der Auslöseimpuls
TRIG aktiviert. Daraufhin erzeugt der Zykluszeitgeber 306 gemäß dem durch
die Adressenerfassungsschaltung 352 ausgewählten Auffrischzyklus
den Zyklusimpuls CYCLE. Der Zähler 336 startet das
Hochzählen
der Auffrischadresse ReADR von der von der Zwischenspeicherschaltung 332 empfangenen
Startadresse SADR. Anders als in der in 6 gezeigten Operation wird die Zeitdauer
um das Verhältnis
des in 6 übersprungenen
Speichergebiets verlängert
und das Auffrischen bis zur Endadresse fortgesetzt.
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Wenn
zum Zeitpunkt t5 die vom Zähler 336 ausgegebene
Auffrischadresse mit der Endadresse übereinstimmt, wird von der
Vergleichsschaltung 354 das Zeitgeberrücksetzsignal TRST ausgegeben,
wobei der Zeitgeber 302 erneut mit dem Messen des Standby-Zeitdauer
beginnt. In dieser Zeitdauer ist der Adressenzähler auf die Standby-Betriebsart
eingestellt.
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Diese
Struktur ist dadurch vorteilhaft, daß die Auffrischzeitdauer solange
es das Auffrischintervall einer Speicherzelle zuläßt, verlängert wird,
um den Spitzenwert des Stromverbrauchs zu verringern, wodurch der
Stromverbrauch verringert werden kann.
-
Zweite Ausführungsform
-
Gemäß der beschriebenen
ersten Ausführungsform
wird der Leistungsverbrauch durch Verkleinern des Auffrischgebiets
verringert. Außerdem kann
der Leistungsverbrauch dadurch gesenkt werden, daß eine Struktur
verwendet wird, in der z. B. die Leistung für einen bestimmten Abschnitt
der internen Schaltung des DRAM-Abschnitts in der Ruhebetriebsart
ausgeschaltet wird.
-
9 zeigt, daß der Strom
gemäß einer zweiten
Ausführungsform
einer Halbleitervorrichtung von außen zugeführt wird.
-
Wie
in 9 gezeigt ist, enthält eine
Halbleitervorrichtung CH einen Logikabschnitt LG und einen DRAM-Abschnitt
MEM. In dem DRAM-Abschnitt sind eine Spannungserzeugungsschaltung
VGEN1 zum Erzeugen eines erhöhten
Potentials VPP und eine Spannungserzeugungsschaltung VGEN2 zum Erzeugen
eines Substratpotentials VBB vorgesehen.
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Der
Logikabschnitt LG empfängt über einen Anschluß T1 das
Speisepotential LVDDH von 3,3 V und über einen Anschluß T2 das
Speisepotential VDD von 1,5 V. Außerdem wird dem DRAM-Abschnitt MEM das
Speisepotential VDD zugeführt. Über einen
Anschluß T3
wird dem DRAM-Abschnitt MEM außerdem
das Speisepotential DVDDH von 3,3 V zugeführt.
-
In
dieser Halbleitervorrichtung werden die in dem Logikabschnitt LG
vorgesehenen Speisepotentiale LVDDH und VDD in der Ruhebetriebsart
in den ausgeschalteten Zustand eingestellt. Der DRAM-Abschnitt MEM
arbeitet in der Weise, daß er
die von einer Speicherzelle gehaltenen Informationen in der Ruhebetriebsart
nur durch das Speisepotential DVDDH auffrischt.
-
10 zeigt eine Struktur,
mit der einer internen Schaltung des in 9 gezeigten DRAM-Abschnitts ein Speisepotential
zugeführt
wird.
-
Wie
in 10 gezeigt ist, sind
die Peripherieschaltungen PCKT1 und PCKT2 zum Steuern der Operationen
der Speicheranordnungen ARY1 und ARY2 mit den in einer Matrix von
Zeilen und Spalten angeordneten Speicherzellen in dem DRAM-Abschnitt
zum Halten von Daten vorgesehen.
-
Die
Speicherzellenanordnungen arbeiten mit einer hohen Spannung, während die
Peripherieschaltungsabschnitte im Normalbetrieb mit 1,5 V arbeiten.
Insbesondere wird den Peripherieschaltungsabschnitten häufig die
gleiche Stromquelle zugeführt.
Um sie mit einer externen Niederspannungs-Stromquelle zu betreiben,
wird die Schwellenspannung oder dergleichen eines in der Peripherieschaltung
enthaltenen Transistors verringert. In diesem Fall tritt ein Problem
auf, daß wegen
der Verringerung der Schwellenspannung der Leckstrom steigt. Außerdem führt der
Leckstrom beim Anlagen des Stroms in einem funktionslosen Zustand
der Peripherieschaltungen zu einem Leistungsverlust.
-
Um
den Leckstrom zu verringern, arbeitet die Peripherieschaltung PCKT1
in der Weise, daß sie über die
Speiseleitungen L1 und L4 von außen das Speisepotential VDD
von 1,5 V empfängt.
In der Ruhebetriebsart wird die Stromversorgung ausgeschaltet und
dementsprechend der Leckstrom verringert.
-
Um
selbst in der Ruhebetriebsart eine Auffrischoperation oder dergleichen
für die
Speicheranordnungen ARY1 und ARY2 auszuführen, wird der Peripherieschaltung
PCKT2 ständig
das Speisepotential VDD3 zugeführt.
Wie in 9 gezeigt ist,
wird dem DRAM-Abschnitt in der Ruhebetriebsart nur das Speisepotential
DVDDH von 3,3 V zugeführt.
Somit erzeugt der DRAM-Abschnitt
aus dem Speisepotential DVDDH das Speisepotential VDD3 für den Betrieb
der Peripherieschaltung PCKT2 in der Ruhebetriebsart.
-
Genauer
sind dementsprechend eine Spannungs-Abwärtsumsetzerschaltung VDC, die
das Speisepotential DVDDH von 3,3 V empfängt, um es auf etwa 2,0 V zu
senken, und die Stromversor gungs-Auswahlschaltungen SE1 und SE2,
die das Speisepotential VDD und ein Ausgangssignal der Spannungs-Abwärts-Umsetzschaltung
VDC wahlweise an die jeweiligen Speiseleitungen L1 und L4 anlegen,
vorgesehen.
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Die
Stromversorgungs-Auswahlschaltung SE1 enthält einen N-Kanal-MOS-Transistor Tr2, der durch
das Selbstauffrischsignal SR aktiviert wird, um ein Ausgangssignal
der Spannungs-Abwärts-Umsetzschaltung
VDC an die Speiseleitung L2 zu senden, und einen N-Kanal-MOS-Transistor
Tr1, der gemäß einem
Signal /SR, d. h. der invertierten Version des Selbstauffrischsignals,
eingeschaltet wird, um im Normalbetrieb das Stromversorgungspotential
VDD der Speiseleitung L2 zuzuführen.
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Die
Stromversorgungs-Auswahlschaltung SE2 wird gemäß dem Selbstauffrischsignal
SR aktiviert, um ein Ausgangssignal der Spannungs-Abwärtsumsetzerschaltung
VDC um die Schwellenspannung zu verringern und der Speiseleitung
L3 zuzuführen,
und einen N-Kanal-MOS-Transistor Tr4, der gemäß dem Signal /SR eingeschaltet
wird, um im Normalbetrieb das von außen zugeführte Stromversorgungspotential
VDD der Speiseleitung L3 zuzuführen.
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Für einen
Anwender, der keine Ruhebetriebsart benötigt, sind je ein Schalter
SW1 zum Verbinden der Speiseleitungen L1 und L2 und ein Schalter
SW2 zum Verbinden der Speiseleitungen L3 und L4 vorgesehen. Die
Schalter SW1 und SW2 können beispielsweise
durch eine in einem Herstellungsprozeß einer Halbleitervorrichtung
verwendete Aluminiummasken-Option (mit einer optionalen Photomaske für die Aluminiumleitung
zum Ändern
der Zwischenverbindungen) realisiert werden.
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11 zeigt ein erstes Beispiel
der Gruppierung in den Peripherieschaltungen PCKT1 und PCKT2 in 10.
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Wie
in 11 gezeigt ist, enthält der DRAM-Abschnitt
allgemein als Peripherieschaltung eine Taktsteuereinheit 402,
eine Zeilen-Befehlssteuereinheit 404, eine Spalten-Befehlssteuereinheit 406, eine
Zeilen-Adressensteuereinheit 408, eine Bank-Adressensteuereinheit 410,
eine Spalten-Adressensteuereinheit 412, eine Eingabe/Ausgabe-Datensteuereinheit 414 und
eine Selbstauffrisch-Steuereinheit 416.
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Die
Taktsteuereinheit 402 enthält beispielsweise die Takteingabepuffer 50 und 52 und
die Schaltung 118 zum Erzeugen des internen Steuertaktsignals,
wie sie in 1 gezeigt
sind.
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Die
Zeilen-Befehlssteuereinheit 404 enthält beispielsweise die Eingabepuffer 12–20 und
einen Abschnitt des Betriebsartdecodierers 120, der einen Zeilenbefehl
erzeugt. Die Spalten-Befehlssteuereinheit 406 enthält die Eingabepuffer 12–20 und
einen Abschnitt des Betriebsartdecodierers 120, der einen Spaltenbefehl
erzeugt.
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Die
Spalten-Adressensteuereinheit 408 enthält beispielsweise den Zeilenadressen-Zwischenspeicher 124 und
den Zeilenvordecodierer 140. Die Bank-Adressensteuereinheit 410 enthält beispielsweise
die Eingabepuffer 40–44,
den Bank-Adressenzwischenspeicher 128 und den Bankdecodierer 136.
Die Spalten-Adressensteuereinheit 412 enthält beispielsweise
den Spalten-Adressenzwischenspeicher 126,
den Burst-Adressenzähler 134 und
den Spaltenvordecodierer 142. Die Eingabe/Ausgabe-Datensteuereinheit 414 enthält die Daten-Eingabe/Ausgabe-Puffer 72–78 und
die Daten-Eingabe/Ausgabe-Schaltung 130. Die Selbstauffrisch-Steuereinheit 416 enthält die Auffrischsteuereinheit 132 und
den Multiplexer 144.
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Gemäß der in 11 gezeigten ersten Gruppierung
arbeitet die Eingabe/Ausgabe-Datensteuereinheit 414 mit
dem von außen
angelegten Speisepotential VDD, während andere Komponenten mit
dem in der Ruhebetriebsart anhand des oben in Verbindung mit 10 beschriebenen Speisepotentials DVDDH
erzeugten Speisepotential VDD3 arbeiten. Genauer ist in 11 die Eingabe/Ausgabe-Datensteuereinheit 414 in
der Peripherieschaltung PCKT1 enthalten, während die Peripherieschaltung
PCKT2 die Taktsteuereinheit 402, die Zeilen-Befehlssteuereinheit 404,
die Spalten-Befehlssteuereinheit 406, die Zeilen-Adressensteuereinheit 408,
die Bank-Adressensteuereinheit 410, die Spalten-Adressensteuereinheit 412 und
die Selbstauffrisch-Steuereinheit 416 enthält.
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12 zeigt ein zweites Beispiel
der Gruppierung in der Peripherieschaltung.
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Wie
in 12 gezeigt ist, wird
der Eingabe/Ausgabe-Datensteuereinheit 414, der Spalten-Adressensteuereinheit 412,
der Spalten-Befehlssteuereinheit 406 und der Taktsteuereinheit 402 über eine
Speiseleitung 424 das externe Speisepotential VDD zugeführt. Über eine
Speiseleitung 422 wird der Selbstauffrisch-Steuereinheit 416,
der Zeilen-Befehlssteuereinheit 404, der Zeilen-Adressensteuereinheit 408 und
der Bank-Adressensteuereinheit 410 das Speisepotential
VDD3 zugeführt.
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In
der in 12 gezeigten
Struktur enthält eine
Peripherieschaltung PCKT1 in 10 die
Taktsteuereinheit 402, die Spalten-Befehlssteuereinheit 406,
die Spalten-Adressensteuereinheit 412 und die Eingabe/Ausgabe-Datensteuereinheit 414.
Die Peripherieschaltung PCKT2 enthält die Zeilen-Befehlssteuereinheit 404,
die Zeilen-Adressensteuereinheit 408 und die Bank-Adressensteuereinheit 410.
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13 zeigt ein drittes Beispiel
der Gruppierung in der Peripherieschaltung.
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Wie
in 13 gezeigt ist, wird
der Taktsteuereinheit 402, der Spalten-Befehlssteuereinheit 406, der
Zeilen-Adressensteuereinheit 408, der Bank-Adressensteuereinheit 410,
der Spalten-Adressensteuereinheit 412 und der Eingabe/Ausgabe-Datensteuereinheit 414 über eine
Speiseleitung 428 das externe Speisepotential VDD zugeführt. Über eine Speiseleitung 426 ist
das Speisepotential VDD3 an die Selbstauffrisch-Steuereinheit 416 und
an die Zeilensteuereinheit 404 angelegt.
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In
der in 13 gezeigten
Gruppierung enthält
die Peripherieschaltung PCKT1 in 10 eine Taktsteuereinheit 402,
eine Spalten-Befehlssteuereinheit 406, eine Zeilen-Adressensteuereinheit 408, eine
Bank-Adressensteuereinheit 410, eine Spalten-Adressensteuereinheit 412 und
eine Eingabe/Ausgabe-Datensteuereinheit 414.
Die Peripherieschaltung PCKT2 enthält eine Zeilen-Befehlssteuereinheit 404 und
eine Selbstauffrisch-Steuereinheit 416.
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Der
unten beschriebene Abschnitt ist ein Hauptproblem, wenn die Stromversorgung
irgendeines Blocks teilweise ausgeschaltet wird.
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14 ist ein schematisches
Diagramm einer Struktur einer Speicheranordnung.
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Wie
in 14 gezeigt ist, enthält die Speicheranordnung
die in einer Matrix von vier Zeilen und vier Spalten angeordneten
Speicherfelder. Entsprechend jeder Zeile ist eine Gruppe von Hauptworttreibern 1142 vorgesehen,
während
entsprechend jeder Spalte eine E/A-Auswahleinrichtung 1152 vorgesehen
ist. Für
jedes Speicherfeld gibt es einen entsprechenden Leseverstärker 1148 und
einen entsprechenden Unterworttreiber 1150.
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In
einer Spaltenauswahloperation aktiviert ein Treiber 1160 das
Hauptspaltenleitungs-Auswahlsignal MYS, während ein SDYS-Treiber 1146 das Segmentdecodierungs-Auswahlsignal
SDYS für das Segment
YS aktiviert. Diese Signale bewirken die Aktivierung des subYS-Signals
SYS, wobei dementsprechend ein entsprechendes E/A-Gatter 1162 eine E/A-Leitung 1164 aktiviert.
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In
einer Zeilenauswahloperation aktiviert zunächst ein Hauptworttreiber 1156 eine
Hauptwortleitung MWL. Ein SD-Treiber 1144 aktiviert eine
Segmentdecodierungsleitung SD. Eine Hauptwortleitung MWL und eine
Segmentdecodierungsleitung SD aktivieren einen entsprechenden Unterworttreiber 1168,
woraufhin eine Unterwortleitung 1170 aktiviert und ein
an eine Speicherzelle angeschlossener Zugrifftransistor eingeschaltet
wird. Dementsprechend gibt ein Bitleitungspaar 1158 Daten
aus, die nach Verstärkung
durch einen Leseverstärker 1166 über die
E/A-Leitung 1164 gelesen werden. An die E/A-Leitung 1164 sind
ein Leseverstärker 1154 und ein
Schreibverstärker 1153 angeschlossen,
während an
den Eingabe/Ausgabe-Zwischenspeicher 1172 der Leseverstärker 1154 und
der Schreibverstärker 1153 angeschlossen
sind. Der Eingabe/Ausgabe-Zwischenspeicher 1172 ist an
einen Eingabepuffer 1174 und an einen Ausgabepuffer 1176 angeschlossen,
um Daten an den Logikabschnitt zu senden und von ihm zu empfangen.
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In
den jeweils in den 11, 12 und 13 gezeigten Beispielen wird der Eingabe/Ausgabe-Datensteuereinheit 414 das
Betriebsspeisepotential von dem Speisepotential VDD zugeführt, das
in der Ruhebetriebsart ausgeschaltet wird. Somit wird beim Selbstauffrischen
in der Ruhebetriebsart die Stromversorgung des Eingabe/Ausgabe-Zwischenspeichers 1172,
des Eingabepuffers 1174 und des Ausgabepuffers 1176 ausgeschaltet.
Falls die E/A-Leitung 1164 ein instabiles Potential hat,
kann das in diesem Fall einen negativen Einfluß auf die Auffrischoperation
haben.
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15 zeigt eine Struktur eines Randabschnitts,
der eine für
die Schreiboperation verwendeten E/A-Leitung durch Anhal ten der
Stromversorgung deaktiviert.
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Wie
in 15 gezeigt ist, ist
an die Zwischenspeicherschaltung 1172 das Speisepotential VDD
angelegt. Die Zwischenspeicherschaltung 1172 enthält die Flipflops 1172a und 1172b,
die die jeweils über
die Eingabe/Ausgabe-Steuereinheit von dem Logikabschnitt übertragenen
Schreibdatensignale WDATa und WDATb empfangen.
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Die
jeweiligen Ausgangssignale der Flipflops 1172a und 1172b werden
in eine Gatterschaltung 504 eingegeben, zu deren Betrieb
das Speisepotential VDD3 angelegt wird. Die Gatterschaltung 504 enthält eine
UND-Schaltung 505a, die das beim Ausführen des Selbstauffrischens
auf den L-Pegel eingestellte Signal /SR und ein Ausgangssignal des
Flipflops 1172a empfängt,
und eine UND-Schaltung 505b, die das Signal /SR und ein
Ausgangssignal des Flipflops 1172b empfängt. Ein Ausgangssignal der
UND-Schaltung 505a wird einem Eingang des Inverters 1153a zugeführt, um
eine Schreib-E/A-Leitung WIOa anzusteuern, während ein Ausgangssignal der
UND-Schaltung 505b einem Eingang des Inverters 1153b zugeführt wird,
um eine Schreib-E/A-Leitung WIOb anzusteuern. Eine solche zu den
herkömmlichen
Komponenten zusätzliche Gatterschaltung 504 ist
vorgesehen, um das Signal /SR in der Ruhebetriebsart auf den L-Pegel
einzustellen, wobei dementsprechend die jeweiligen Ausgangssignale
der UND-Schaltungen 505a und 505b auf den H-Pegel festgesetzt
werden und daraufhin die Schreib-E/A-Leitung auf den H-Pegel festgesetzt wird.
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16 ist ein Schaltplan einer
Struktur des Flipflops 1172a in 15.
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Wie
in 16 gezeigt ist, enthält das Flipflop 1172a einen
getakteten Inverter 506, der gemäß dem Taktsignal /CK, das beim
Zuführen
des Eingangssignals D invertiert wird, akti viert wird, einen Inverter 508,
der ein Ausgangssignal des Inverters 506 empfängt und
invertiert, einen getakteten Inverter 510, der ein Ausgangssignal
des Inverters 508 empfängt und
invertiert und der gemäß dem einem
Eingangsabschnitt des Inverters 508 zugeführten Taktsignal CK
aktiviert wird, ein Übertragungsgatter 512,
das gemäß dem Taktsignal
CK leitend wird, um ein Ausgangssignal des Inverters 508 an
die nächste
Stufe zu übertragen,
einen Inverter 514, der über das Übertragungsgatter 512 übertragene
Daten empfängt
und invertiert, einen getakteten Inverter 516, der ein
Ausgangssignal des Inverters 514 empfängt und invertiert und der
gemäß dem einem
Eingangsabschnitt des Inverters 514 zugeführten Taktsignal
/CK aktiviert wird, und einen Inverter 518, der ein Ausgangssignal
des Inverters 514 empfängt
und invertiert, um ein Ausgangssignal Q zu liefern. Das Flipflop 1172b besitzt
die gleiche Struktur wie das Flipflop 1172a, so daß seine
Beschreibung hier nicht wiederholt wird.
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Wie
in 15 gezeigt ist, ist
das an die Zwischenspeicherschaltung 1172 angelegte Speisepotential
VDD in der Ruhe-Auffrisch-Betriebsart in den ausgeschalteten Zustand
eingestellt. Selbst wenn die jeweiligen Ausgangssignale der Flipflops 1172a und 1172b instabil
werden, wird die Schreib-E/A-Leitung durch
die Gatterschaltung 504 und mit dem Signal /SR festgesetzt.
Somit wird die Schreib-E/A-Leitung beim erneuten Einschalten des
Speisepotentials VDD für
einen Übergang
in den Normalbetrieb nie instabil. Auf diese Weise kann der Betrieb
stabilisiert werden.
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17 zeigt das Anlegen der
Stromversorgung vor und nach dem in 14 gezeigten
Leseverstärker 1154.
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Wie
in 17 gezeigt ist, ist
an die Lese-E/A-Leitungen RIO und /RIO eine Entzerrschaltung 528 angeschlossen,
wobei die Lese-E/A-Leitungen vor der Leseoperation auf den H-Pegel
vor geladen werden. Dieser Entzerrschaltung 528 wird das Betriebspotential
vom Speisepotential VDD3 zugeführt.
Die auf den Lese-E/A-Leitungen RIO und /RIO gelesenen Daten werden
dem Leseverstärker 1154 zugeführt. Der
Leseverstärker 1154 verstärkt die
gelesenen Daten und führt
sie einem Zwischenspeicher 1172c zu. Der Zwischenspeicher 1172c führt die
gelesenen Daten RDAT über
die Eingabe/Ausgabe-Steuereinheit dem Logikabschnitt zu. Dem Leseverstärker 1154 und
dem Zwischenspeicher 1172c wird vom Speisepotential VDD
das Betriebsspeisepotential zugeführt, das in der Ruhe-Auffrisch-Betriebsart
ausgeschaltet ist.
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18 ist ein Schaltplan einer
Struktur des Leseverstärkers 1154 und
der in 17 gezeigten Entzerrschaltung 528.
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Wie
in 18 gezeigt ist, enthält die Entzerrschaltung 528 die
P-Kanal-MOS-Transistoren 538 und 540, die die
jeweiligen Lese-E/A-Leitungen RIO und /RIO mit dem Speisepotential
VDD3 verbinden. Die Gates der P-Kanal-MOS-Transistoren 538 und 540 empfangen
das Vorladesignal /PC.
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Der
Leseverstärker 1154 enthält einen
zwischen einen Masseknoten und einen Ausgangsknoten NOUT1 geschalteten
N-Kanal-MOS-Transistor 534,
dessen Gate an die Lese-E/A-Leitung /RIO angeschlossen ist, einen
zwischen den Ausgangsknoten NOUT2 und den Masseknoten geschalteten N-Kanal-MOS-Transistor 536,
dessen Gate an die Lese-E/A-Leitung RIO angeschlossen ist, einen
zwischen einen Knoten, der das Speisepotential VDD empfängt, und
einen Knoten NOUT2 geschalteten P-Kanal-MOS-Transistor 532,
dessen Gate an den Knoten NOUT1 angeschlossen ist, und einen zwischen
den Knoten, der das Speisepotential VDD empfängt, und den Knoten NOUT1 geschalteten P-Kanal-MOS-Transistor 530,
dessen Gate an den Knoten NOUT2 angeschlossen ist.
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Somit
wird das Speisepotential an den Leseverstärker und an die Entzerrschaltung
angelegt, um selbst dann irgendeinen Einfluß auf die Daten in der Anordnung
zu verhindern, wenn das Speisepotential VDD in der Ruhe-Auffrisch-Betriebsart
ausgeschaltet wird.
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19 ist ein Blockschaltplan,
der die Verwendung eines Transistors mit hohem Schwellenwert in
einigen Blöcken
zum Verringern des Leistungsverbrauchs in dem Auffrischsteuerabschnitt
zeigt.
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Wie
in 19 gezeigt ist, aktiviert
ein Puffer 626 das Selbstauffrischsignal SR, wenn durch
den Betriebsartdecodierer die Selbstauffrisch-Betriebsart eingestellt
ist. Dementsprechend starten eine Adressensteuerschaltung 614,
ein SR-Zeitgeber 616 und eine
SR-Steuerschaltung 618 die jeweiligen Operationen. Üblicherweise
wird das Adressensignal Add einem Puffer 606 zugeführt, während ein
Ausgangssignal des Puffers 606 und ein Auffrischadressen-Ref/Add-Ausgangssignal
von der Adressensteuerschaltung 614 einem Multiplexer 608 zugeführt werden.
Wenn das Selbstauffrischsignal SR aktiviert wird, gibt der Multiplexer 608 ein
Auffrischadressensignal aus. Ein Ausgangssignal des Multiplexers 608 wird
einer Adressenvergleichsschaltung 604 und einer Ersatzanweisungsschaltung
und einem Vordecodierer 610 zugeführt. Die Adressenvergleichsschaltung 604 vergleicht
ein durch eine Sicherung 602 eingestelltes Ersatzadressensignal
mit einem Eingangsadressensignal und gibt an die Ersatzanweisungsschaltung
und den Vordecodierer 610 eine Ersatzanweisung aus, wenn
diese Adressen übereinstimmen. Die
Ersatzanweisungsschaltung und der Vordecodierer 610 geben
das Ergebnis einer Decodierung an einen Puffer 612 aus,
während
der Puffer 612 die Anordnungsauswahlinformationen an eine
Speicheranordnung ausgibt.
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Es
wird nun ein Pfad beschrieben, über
den ein Befehlssignal übertragen
wird. Im Normalbetrieb empfängt
eine Auswahlschaltung 620 das Befehlssignal CMD über einen
Puffer 622 von dem Befehlsartdecodierer. Am anderen Eingang
empfängt
die Auswahlschaltung 620 beim Selbstauffrischen ein Befehlssignal
von der SR-Steuerschaltung 618. Die Auswahlschaltung 620 gibt
irgendeines der Befehlssignale gemäß dem Selbstauffrischsignal
SR an einen Puffer 624 aus, der das Befehlssignal an die
Anordnung überträgt. Ferner
ist ein Puffer 628 vorgesehen, der ein Rücksetzsignal
von dem Logikabschnitt sendet.
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Im
Beispiel der in 19 gezeigten
Struktur benötigt
der Schaltungsabschnitt, der mit hoher Geschwindigkeit arbeiten
soll, einen Transistor mit niedriger Schwellenspannung. Beim Selbstauffrischen wird
eine andere, von der normalen Schaltung verschiedene Schaltung mit
einem Transistor mit hoher Schwellenspannung aktiviert. Dies geschieht
deshalb, damit beim Selbstauffrischen keine schnelle Leseoperation
wie im Normalbetrieb erforderlich ist. Zum Auffrischen sind lediglich
die Signale zur Deaktivierung eines Entzerrsignals, zur Aktivierung
einer Wortleitung und zur Aktivierung eines Leseverstärkers erforderlich.
Zum Beispiel enthalten in 19 die
Adressensteuerschaltung 614, der SR-Zeitgeber 616 und
die SR-Steuerschaltung 618 Transistoren mit hoher Schwellenspannung. Ähnlich enthalten
die Sicherung 602 und die Adressenvergleichsschaltung 604 Transistoren
mit hoher Schwellenspannung, die mit einer Speisespannung von 3,3
V arbeiten und einen dicken Gate-Oxidfilm besitzen.
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Es
wird angemerkt, daß die
Multiplexer 608 und 620 und die Puffer 626 und 628 Transistoren
mit einem dicken Gate-Oxidfilm enthalten, die mit einer Speisespannung
von 1,5 V arbeiten.
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20 ist ein Schaltplan eines
ersten Beispiels einer Schaltungsstruktur zum Multiplexieren einer
Adresse im Normalbetrieb und einer Adresse beim Selbstauffrischen.
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Wie
in 20 gezeigt ist, werden
das im Normalbetrieb zugeführte
Adressensignal Add und das in der Selbstauffrisch-Betriebsart zugeführte Auffrischadressensignal
Ref-Add in den Multiplexer 608 in 19 eingegeben. Der Multiplexer 608 enthält die Multiplexer 608a–608c zum
Multiplexieren der Bits des Adressensignals Add und des Auffrischadressensignals
Ref-Add. Diese Multiplexer
wählen
gemäß dem Selbstauffrischsignal
SR ein Adressensignal aus und geben es an eine Decodierschaltung 550 aus.
Die Decodierschaltung 550 enthält die zwischen einem Knoten
N1 und einem Masseknoten in Serie geschalteten N-Kanal-MOS-Transistoren 552–556. Die
jeweiligen Ausgangssignale der Multiplexer 608a–608c werden
den jeweiligen Gates der N-Kanal-MOS-Transistoren 552-556 zugeführt. Der
Knoten N1 wird über
einen P-Kanal-MOS-Transistor 566 gemäß dem Vorladesignal /PC mit
dem Speisepotential VDD3 verbunden. Das Potential am Knoten N1 wird
durch einen Inverter 558 zur Ausgabe als Ausgangssignal
OUT invertiert. Das Signal OUT wird dem Gate eines P-Kanal-MOS-Transistors 564 zugeführt, der
zwischen den Knoten N1 und einen Knoten, an den das Speisepotential
VDD3 angelegt ist, geschaltet ist.
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Der
Inverter 558 enthält
einen P-Kanal-MOS-Transistor 560 und einen N-Kanal-MOS-Transistor 562,
die zwischen dem Knoten, dem das Speisepotential VDD3 zugeführt wird,
und dem Masseknoten in Serie geschaltet sind. Die Gates des P-Kanal-MOS-Transistors 560 und
des N-Kanal-MOS-Transistors 562 sind beide an den Knoten
N1 angeschlossen, wobei das Ausgangssignal OUT von einem Verbindungsknoten
zwischen dem P-Kanal-MOS-Transistor 560 und
dem N-Kanal-MOS-Transistor 562 zugeführt wird.
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21 ist ein Schaltplan eines
zweiten Beispiels einer Struktur zur Adressenmultiplexierung.
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Wie
in 21 gezeigt ist, enthält eine
Schaltung 609 in dem zweiten Beispiel anstelle des Multiplexers 608 und
der Decodierschaltung 550 in der Struktur 549 des
ersten Beispiels die Decodierschaltungen 568 und 570.
Die anderen Komponenten sind ähnlich
jenen im Beispiel der Schaltung 549, so daß ihre Beschreibung
hier nicht wiederholt wird. Die Decodiereinheit 568 enthält die N-Kanal-MOS-Transistoren 572–576,
deren jeweilige Gates im Normalbetrieb das Adressensignal Add empfangen,
und die zwischen dem Knoten N1 und dem Masseknoten in Serie geschaltet
sind.
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Die
Decodiereinheit 570 enthält die N-Kanal-MOS-Transistoren 578–582,
deren jeweilige Gates beim Auffrischen die Auffrischadresse Ref-Add
empfangen, und die zwischen dem Knoten N1 und dem Masseknoten in
Serie geschaltet sind. Im Normalbetrieb ist jedes Bit der Auffrischadresse Ref-Add
auf den L-Pegel
eingestellt. In der Selbstauffrisch-Betriebsart ist jedes Bit des
normalen Adressensignals Add auf den L-Pegel festgesetzt. In dieser Struktur
wird in der Decodiereinheit 570 ein N-Kanal-MOS-Transistor
mit hoher Schwellenspannung Vth verwendet, um den Leckstrom in der
Ruhebetriebsart zu verringern.
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Zur
Inbetriebschaltung von der Decodiereinheit 568 zur Decodiereinheit 570 sollte
die Decodiereinheit 568 in einen Nichtbetriebszustand eingestellt sein.
In diesem Fall brauchen nicht notwendig alle Adressenbits des Adressensignals
Add auf den L-Pegel eingestellt zu werden. Einem der Transistoren 572–576 kann
irgendeine Adresse zugeführt
werden, die beim Selbstauffrischen immer auf den L-Pegel festgesetzt
ist. Damit die Decodiereinheit 570 im Normalbetrieb nicht
arbeitet, kann ähnlich
irgendeinem der Transistoren 578–582 irgendeine Adresse zugeführt werden,
die im Normalbetrieb immer auf den L-Pegel festgesetzt ist.
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Es
wird eine Schaltungsstruktur beschrieben, die zum Übertragen
eines Befehlssignals an eine Speicheranordnung verwendet wird, wenn
wie in 19 gezeigt, mehrere
Speisepotentiale vorhanden sind.
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22 ist ein Schaltplan einer
Struktur einer Pegelumsetzschaltung.
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Wie
in 22 gezeigt ist, enthält die Pegelumsetzschaltung
einen zwischen einen Knoten N3 und einen Masseknoten geschalteten
N-Kanal-MOS-Transistor 638, dessen Gate das Befehlssignal
CMD empfängt,
einen zwischen einen Knoten N2 und das Gate des N-Kanal-MOS-Transistors 638 geschalteten
N-Kanal-MOS-Transistor 636,
dessen Gate das Speisepotential VDD empfängt, einen zwischen den Knoten
N2 und einen Knoten, der das Speisepotential VDD empfängt, geschalteten
P-Kanal-MOS-Transistor 632, dessen Gate an den Knoten N3
angeschlossen ist, und einen zwischen den Knoten, der das Speisepotential
VDD empfängt,
und den Knoten N3, dessen Gate an den Knoten N2 angeschlossen ist,
geschalteten P-Kanal-MOS-Transistor 634. Vom Knoten N3
wird das Ausgangssignal OUT geliefert.
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Mit
einer solchen Struktur wird eine Ausgangsamplitude des Befehlssignals
CMD auf eine Amplitude zwischen dem Massepotential und dem Speisepotential
VDD umgesetzt.
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23 ist ein Schaltplan einer
Struktur der in 21 gezeigten
Auswahlschaltung 620.
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Wie
in 23 gezeigt ist, enthält die Auswahlschaltung 620 einen
zwischen einen Knoten N6 und den Masseknoten geschalteten N-Kanal-MOS-Transistor 648,
dessen Gate das Befehlssignal CMD empfängt, einen zwischen einen Knoten N4
und das Gate des N-Kanal-MOS-Transistors 648 geschalteten
N-Kanal-MOS-Transi stor 646, dessen Gate das invertierte
Signal /SR eines Selbstauffrischsignals empfängt, einen zwischen den Knoten
N4 und einen Knoten, der das Speisepotential VDD3 empfängt, geschalteten
P-Kanal-MOS-Transistor 642, dessen Gate an den Knoten N6
angeschlossen ist, und einen zwischen den Knoten, der das Speisepotential
VDD3 empfängt,
und einen Knoten N6 geschalteten P-Kanal-MOS-Transistor 644,
dessen Gate an den Knoten N4 angeschlossen ist. Das Ausgangssignal
OUT wird vom Knoten N6 geliefert, während das Ausgangssignal /OUT
vom Knoten N4 geliefert wird.
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Ferner
enthält
die Auswahlschaltung 620 einen zwischen den Masseknoten
und den Knoten N6 geschalteten N-Kanal-MOS-Transistor 652,
dessen Gate beim Auffrischen das Befehlssignal Ref-CMD empfängt, und
einen zwischen den Knoten N4 und das Gate des N-Kanal-MOS-Transistors 652 geschalteten
N-Kanal-MOS-Transistor 650,
dessen Gate das Selbstauffrischsignal SR empfängt. Da die N-Kanal-MOS-Transistoren 650 und 652 nur
in der Selbstauffrisch-Betriebsart arbeiten, ist keine höhere Geschwindigkeit
als im Normalbetrieb erforderlich. Somit wird ein N-Kanal-MOS-Transistor
mit hoher Schwellenspannung und mit niedrigem Leckstrom verwendet.
Mit einer solchen Struktur kann der Leckstrom beim Selbstauffrischen
verringert und der Stromverbrauch des Chips weiter gesenkt werden.
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Im
folgenden wird eine Struktur zum Umsetzen des Pegels eines Signals
zur Übertragung
zwischen den Schaltungen mit mehreren Speisepotentialen beschrieben.
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24 ist ein Schaltplan einer
Struktur einer ersten Pegelumsetzschaltung 660 zum Umsetzen des
Pegels von 1,5 V auf 3,3 V.
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Wie
in 24 gezeigt ist, enthält die Pegelumsetzschaltung 660 einen
Inverter 666, der ein Betriebsartsignal empfängt und
invertiert, ein Übertragungsgatter 662,
das gemäß einem
Ausgangssignal des Inverters 666 leitend wird, um das im
Normalbetrieb zugeführte
Sendesignal Sig an einen Knoten N10 zu übertragen, einen durch das
Betriebsartsignal Mode aktivierten getakteten Inverter 668,
der beim Auffrischen das Signal Ref empfängt und invertiert, einen Inverter 670,
dessen Eingang an den Knoten N10 angeschlossen ist, einen P-Kanal-MOS-Transistor 672 und
einen N-Kanal-MOS-Transistor 676, die zwischen einem Knoten,
der das Speisepotential von 3,3 V empfängt, und dem Masseknoten in
Serie geschaltet sind, und einen P-Kanal-MOS-Transistor 674 und
einen N-Kanal-MOS-Transistor 678, die zwischen dem Knoten, der
das Speisepotential von 3,3 V empfängt, und dem Masseknoten in
Serie geschaltet sind. Das Gate des N-Kanal-MOS-Transistors 676 ist
an den Knoten N10 angeschlossen. Das Gate des N-Kanal-MOS-Transistors 678 empfängt ein
Ausgangssignal des Inverters 670. Ein Ausgang des P-Kanal-MOS-Transistors 672 ist
an einen Verbindungsknoten zwischen dem P-Kanal-MOS-Transistor 674 und
dem N-Kanal-MOS-Transistor 678 angeschlossen. Das Gate
des P-Kanal-MOS-Transistors 674 ist an einen Verbindungsknoten
zwischen dem P-Kanal-MOS-Transistor 672 und dem N-Kanal-MOS-Transistor 676 angeschlossen.
Von dem Verbindungsknoten zwischen dem P-Kanal-MOS-Transistor 674 und
dem N-Kanal-MOS-Transistor 678 wird
ein Ausgangssignal Sout zugeführt.
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In
der Pegelumsetzschaltung 660 werden als die Transistoren 672–678 MOS-Transistoren
mit hoher Schwellenspannung verwendet. Somit ist der Leckstrom in
der Auffrischbetriebsart in diesem Abschnitt klein eingestellt.
Als die anderen Transistoren und Inverter werden MOS-Transistoren
mit niedriger Schwellenspannung verwendet. In einer solchen Struktur
wird zum Ausführen
der Umsetzung die minimale Anzahl von Transistoren verwendet.
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25 ist ein Schaltplan eines
zweiten Beispiels der Struk tur einer Pegelumsetzschaltung 680.
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Wie
in 25 gezeigt ist, enthält die Pegelumsetzschaltung 680 einen
Inverter 686, der das Signal Sig empfängt und invertiert, einen Inverter 692, der
das Betriebsartsignal Mode empfängt
und invertiert, und die in Serie geschalteten getakteten Inverter 694 und 696,
die gemäß dem Betriebsartsignal
Mode aktiviert werden und das Signal Ref empfangen. Ein Ausgangssignal
des getakteten Inverters 694 ist an einen Knoten N12 angeschlossen,
während
ein Ausgangssignal des getakteten Inverters 696 an einen Knoten
N13 angeschlossen ist.
-
Ferner
enthält
die Pegelumsetzschaltung 680 ein Übertragungsgatter 682,
das leitend wird, um das Signal Sig an den Knoten N12 zu senden,
wenn das Betriebsartsignal Mode auf dem L-Pegel ist, und ein Übertragungsgatter 688,
das leitend wird, um ein Ausgangssignal des Inverters 686 an
den Knoten N13 zu senden, wenn das Betriebsartsignal Mode auf dem
L-Pegel ist.
-
Die
Pegelumsetzschaltung 680 enthält ferner einen zwischen einen
Knoten N14 und den Massepegel geschalteten N-Kanal-MOS-Transistor 702,
dessen Gate an den Knoten N12 angeschlossen ist, einen zwischen
einen Knoten N15 und den Massenpegel geschalteten N-Kanal-MOS-Transistor 704,
dessen Gate an den Knoten N13 angeschlossen ist, einen zwischen
einen Speiseknoten, der 3,3 V empfängt, und den Knoten N14 geschalteten
P-Kanal-MOS-Transistor 698,
dessen Gate an den Knoten N15 angeschlossen ist, und einen zwischen
den Knoten, der das Speisepotential von 3,3 V empfängt, und den
Knoten N15 geschalteten P-Kanal-MOS-Transistor 700, dessen
Gate an den Knoten N14 angeschlossen ist.
-
In
der Struktur der Pegelumsetzschaltung 680 enthalten die
mit dem Übertragungsgatter
und mit dem Signal Ref verknüpften
Eingangsschaltungen Transistoren mit hoher Schwellenspannung, die mit
3,3 V gesteuert werden. Im Vergleich zu der in 24 gezeigten Pegelumsetzschaltung 660 steigt die
Anzahl der Transistoren an, während
die Geschwindigkeit etwas niedriger wird. Das Gate-Potential der Übertragungsgatter 682 und 688 wird
aber mit 3,3 V gesteuert. Somit braucht kein Signal mit einer Amplitude
von 1,5 V zugeführt
zu werden, so daß die Stromquelle
irgendeiner Schaltungsanordnung, die mit einem Speisepotential von
1,5 V arbeitet, ausgeschaltet werden kann.
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26 ist ein Schaltplan einer
Struktur einer Pegelumsetzschaltung 710 als drittes Beispiel
der Pegelumsetzschaltung.
-
Wie
in 26 gezeigt ist, enthält die Pegelumsetzschaltung 710 einen
Inverter 722, der das Signal Sig empfängt und invertiert, einen zwischen
einen Knoten N23 und den Masseknoten geschalteten N-Kanal-MOS-Transistor 720,
dessen Gate das Betriebsartsignal Mode empfängt, einen zwischen einen Knoten
N20 und den Knoten N23 geschalteten N-Kanal-MOS-Transistor 716,
dessen Gate das Signal Sig empfängt,
einen zwischen die Knoten N21 und N23 geschalteten N-Kanal-MOS-Transistor 718,
dessen Gate ein Ausgangssignal des Inverters 722 empfängt, einen
zwischen den Knoten N20 und einen Speiseknoten, der 3,3 V empfängt, geschalteten P-Kanal-MOS-Transistor 712,
dessen Gate an den Knoten N21 angeschlossen ist, und einen zwischen den
Speiseknoten, der 3,3 V empfängt,
und den Knoten N21 geschalteten P-Kanal-MOS-Transistor 714, dessen
Gate an den Knoten N20 angeschlossen ist.
-
Ferner
enthält
die Pegelumsetzschaltung 710 einen Inverter 728,
der das Betriebsartsignal Mode empfängt und invertiert, einen getakteten
Inverter 730, der gemäß dem Betriebsartsignal
Mode aktiviert wird und das Signal Ref empfängt und invertiert, und ein Übertragungsgatter 724,
das die Knoten N21 und N24 gemäß dem Betriebsartsignal
und einem Ausgangssignal des Inverters 728 verbindet.
-
Mit
Ausnahme des Inverters 722 enthält die Pegelumsetzschaltung 710 Transistoren
mit hoher Schwellenspannung. Die Pegelumsetzschaltung 710 unterscheidet
sich von der Pegelumsetzschaltung 680 in 25 dadurch, daß der Pegel des mit der Amplitude
von 1,5 V angelegten Signals Sig umgesetzt und das resultierende
Signal anschließend
mit dem beim Auffrischen zugeführten
Signal Ref multiplexiert wird.
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Im
Vergleich zur Pegelumsetzschaltung 680 kann die Pegelumsetzschaltung 710 eine
verringerte Anzahl von Transistoren enthalten.
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Es
wird nun eine Struktur zur Steuerung einer Spaltenauswahlleitung
beschrieben. Wenn die 1,5 V-Stromversorgung ausgeschaltet wird,
geht die Spaltenauswahlleitung in einen schwebenden Zustand über. Somit
sollte das Potential festgesetzt werden.
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27 ist ein Schaltplan einer
Struktur einer Spaltenauswahlleitungs-Festsetzschaltung 730.
-
Wie
in 27 gezeigt ist, enthält die Spaltenauswahlleitungs-Festsetzschaltung 730 eine NAND-Schaltung 732,
die das Schreibfreigabesignal WE und das Adressensignal Yadd empfängt, einen Inverter 736,
der in der Selbstauffrisch-Betriebsart das auf den H-Pegel eingestellte
Signal Self empfängt
und invertiert, eine NAND-Schaltung 734, die die jeweiligen
Ausgangssignale der NAND-Schaltung 732 und des Inverters 736 empfängt, einen
Inverter 738, der ein Ausgangssignal der NAND-Schaltung 734 empfängt und
invertiert, und dessen Ausgang an eine Schreib-Spaltenauswahlleitung
CSLWL angeschlossen ist, und einen Inverter 740, der ein
Ausgangssignal der NAND-Schaltung 734 empfängt und dessen
Ausgang an eine Schreib-Spaltenauswahlleitung CSLWR angeschlossen
ist.
-
Die
Spaltenauswahlleitungs-Festlegungsschaltung 730 enthält sämtlich Transistoren
mit niedriger Schwellenspannung, die mit 1,5 V arbeiten. Beim Selbstauffrischen
ist das Signal Self auf dem H-Pegel. Somit ist ein Ausgangssignal
der NAND-Schaltung 734 auf
den H-Pegel festgesetzt, wodurch die beiden Schreib-Spaltenauswahlleitungen
CSLWL und CSLWR auf den L-Pegel
festgesetzt sind.
-
28 ist ein Schaltplan einer
Struktur einer Spaltenauswahlleitungs-Festsetzschaltung 740 als zweites
Beispiel einer Struktur zum Festsetzen einer Spaltenauswahlleitung.
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Wie
in 28 gezeigt ist, enthält die Spaltenauswahlleitungs-Festsetzschaltung 740 eine NAND-Schaltung 742,
die das Schreibfreigabesignal WE und das Adressensignal Yadd empfängt, eine Pegelverschiebeeinrichtung 744,
die ein Ausgangssignal der NAND-Schaltung 742 von der Amplitude
von 1,5 V auf die Amplitude von 2,5 V oder 3,3 V umsetzt, einen
Inverter 746, der ein Invertiersignal Self empfängt, ein Übertragungsgatter 748,
das gemäß einem Inverter 746 und
dem Signal Self leitend wird, um ein Ausgangssignal der Pegelverschiebeeinrichtung 744 an
einen Knoten N30 zu übertragen,
einen P-Kanal-MOS-Transistor 752, dessen Gate ein Ausgangssignal
des Inverters 746 empfängt,
um den Knoten N30 mit dem Speisepotential von 2,5 V oder 3,3 V zu verbinden,
einen Inverter 754, dessen Eingang an den Knoten N30 angeschlossen
ist, während
sein Ausgang an die Schreib-Spaltenauswahlleitung CSLWL angeschlossen
ist, und einen Inverter 756, dessen Eingang an den Knoten
N30 angeschlossen ist, während
sein Ausgang an die Spaltenauswahlleitung CSLWR angeschlossen ist.
-
Die
Spaltenauswahlleitungs-Festsetzschaltung 740 wird verwendet,
wenn die Spaltenauswahlleitung mit 2,5 V oder 3,3 V ar beitet. Als Übertragungsgatter
wird ein Transistor mit hoher Schwellenspannung verwendet. Die Vorladeoperation
von 2,5 V/3,3 V wird durch den P-Kanal-MOS-Transistor 752 mit
hoher Schwellenspannung ausgeführt.
In der Selbstauffrisch-Betriebsart wird das Signal Self auf den
H-Pegel aktiviert und dementsprechend der P-Kanal-MOS-Transistor 752 eingeschaltet,
so daß das Übertragungsgatter 748 nichtleitend
wird. Daraufhin wird der Knoten N30 auf den H-Pegel festgesetzt,
womit die beiden Spaltenauswahlleitungen CSLWL und CSLWR dementsprechend
auf den H-Pegel festgesetzt werden. In einer solchen Struktur sind
die NAND-Schaltung 742, deren Stromquelle in den ausgeschalteten
Zustand eingestellt ist, und die Pegelverschiebeeinrichtung 744 durch
den Knoten N30 und das Übertragungsgatter 748 getrennt.
Das Rauschen der Spaltenauswahlleitung kann verringert werden.
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29 ist ein Schaltplan einer
Struktur einer Spaltenauswahlleitungs-Festsetzschaltung 757 als drittes
Beispiel der Struktur zum Festsetzen der Spaltenauswahlleitung.
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Wie
in 29 gezeigt ist, enthält die Spaltenauswahlleitungs-Festsetzschaltung 757 eine NAND-Schaltung 758,
die das Schreibfreigabesignal WE und das Adressensignal Yadd empfängt, einen Inverter 760,
der ein Ausgangssignal der NAND-Schaltung 758 empfängt und
invertiert, einen Inverter 762, der ein Ausgangssignal
des Inverters 760 empfängt
und invertiert, einen Inverter 768, der ein Ausgangssignal
des Inverters 760 empfängt
und invertiert, einen Inverter 770, der das Signal Self,
das beim Selbstauffrischen auf dem H-Pegel ist, empfängt und
invertiert, ein Übertragungsgatter 764,
das gemäß dem Inverter 770 und
dem Signal Self leitend wird, um ein Ausgangssignal des Inverters 762 an
die Schreib-Spaltenauswahlleitung CSLWL zu übertragen, ein Übertragungsgatter 772,
das gemäß einem Ausgangssignal
des Inverters 770 und dem Signal Self leitend wird, um
ein Ausgangssignal des Inverters 768 an die Schreib-Spaltenauswahlleitung
CSLWR zu übertragen,
und die N-Kanal-MOS-Transistoren 766 und 778,
deren Gates in der Selbstauffrisch-Betriebsart das Signal SELF empfangen,
das die jeweiligen Schreib-Spaltenauswahlleitungen CSLWL und CSLWR
auf das Massepotential festsetzt.
-
Im
Vergleich zu der in 28 gezeigten Spaltenauswahlleitungs-Festsetzschaltung 740 ermöglicht die
Spaltenauswahlleitungs-Festsetzschaltung 757 die weitere
Verringerung eines geringfügigen
Durchgangsstroms oder Leckstroms der Treiberschaltungen oder Inverter 754 und 756 zum
Ansteuern der Spaltenauswahlleitung. Mit anderen Worten, die Stromversorgung
der Inverter 762 und 768 als Treiberschaltungen
kann ausgeschaltet werden, wobei die Übertragungsgatter 764 und 772 die
jeweiligen Ausgangssignale der Inverter 762 und 768 von den
Spaltenauswahlleitungen CSLWL und CSLWR trennen. Auf diese Weise
kann ein Leckstrom der Treiberschaltung, wenn die Spaltenauswahlleitung auf
den L-Pegel festgesetzt ist, beseitigt werden.
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Zum
Verringern des Leckstroms werden verschiedene obenbeschriebene Strukturen
verwendet. Auf diese Weise kann die Stromversorgung der Peripherieschaltung
des DRAM-Abschnitts in der System-LSI ausgeschaltet werden. Ferner
kann der Leckstrom in der Schaltung mit eingeschalteter Speisequelle
verringert werden.
-
Dritte Ausführungsform
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30 ist ein Blockschaltplan
einer Struktur einer Halbleitervorrichtung 800 gemäß einer
dritten Ausführungsform.
-
Wie
in 30 gezeigt ist, enthält die Halbleitervorrichtung 800 einen
Logikabschnitt 802, der Daten nach außen sendet und von außen empfängt und verschiedene
arithmetische Operationen und dergleichen ausführt, und einen DRAM-Abschnitt 804,
der vom Logikabschnitt 802 ein Befehlssignal und ein Adressensignal
empfängt
und Daten an den Logikabschnitt 802 sendet und von ihm
empfängt.
Der DRAM-Abschnitt 804 enthält eine Takt/Rücksetz-Steuerschaltung 806,
die von dem Logikabschnitt ein Signal NPDSR empfängt und ein Ruhebetriebsart-Signal
PDSR ausgibt und verschiedene Rücksetzsteuerungen
vornimmt, eine Peripherieschaltung 812, die von dem Logikabschnitt 802 ein Befehlssignal
und ein Adressensignal empfängt,
eine Peripherieschaltung 814, die von der Peripherieschaltung 812 ein
internes Befehlssignal und ein internes Adressensignal und dergleichen
empfängt und
eine Zeilenverarbeitung ausführt,
eine Selbstauffrisch-Steuerschaltung 808, die in der Selbstauffrisch-Betriebsart
das Taktsignal CLKS an die Peripherieschaltung 314 ausgibt,
eine DRAM-Stromversorgungsschaltung 810, die ein von außen zugeführtes Speisepotential
von 3,3 V und ein von außen
zugeführtes
Speisepotential VDD von 1,5 V empfängt und das 1,5 V-Speisepotential
VDD3 und das 2,0 V Speisepotential VDD2 an die Speicheranordnung ausgibt,
und die Speicheranordnung 860, in der das Lesen der Daten
durch die Peripherieschaltungen 814 und 812 gesteuert
wird.
-
Die
Peripherieschaltung 812 enthält einen Befehlsdecodierer 822,
der von dem Logikabschnitt das Befehlssignal CMD mit der Amplitude
von 1,5 V empfängt,
einen Adressenpuffer 824, der von dem Logikabschnitt 802 das
Zeilenadressensignal RAD [14:0] mit einer Amplitude von 1,5 V empfängt, einen Adressenpuffer 826,
der von dem Logikabschnitt 802 das Spaltenadressensignal
CAD [7:0] mit einer Amplitude von 1,5 V empfängt, einen Spaltenvordecodierer 828,
der ein Ausgangssignal des Adressenpuffers 826 vordecodiert,
und einen Taktpuffer 834, der von dem Logikabschnitt 802 ein
Taktsignal CLK mit der Amplitude von 1,5 V empfängt und es irgendeiner Schaltung
des DRAM-Abschnitts 804 zuführt.
-
Ferner
enthält
die Peripherieschaltung 812 einen Vorverstärker/Schreibtreiber 858,
der Daten aus der Speicheranordnung 860 liest oder Daten
in sie schreibt, eine E/A-Auswahleinrichtung 830, die Daten
an den Vorverstärker/Schreibtreiber 858 sendet
und von ihm empfängt
und ihn gemäß einem
Ausgangssignal des Spaltendecodierer 828 wahlweise mit
einem Daten-Eingabe/Ausgabe-Puffer
verbindet. Der Daten-Eingabe/Ausgabe-Puffer 832 sendet das Dateneingabesignal
DI und das Datenausgangssignal DO mit einer Amplitude von 1,5 V
an den Logikabschnitt 802 bzw. empfängt diese von ihm.
-
Ferner
enthält
die Peripherieschaltung 814 eine Auswahlschaltung 833,
die den Selbstauffrisch-Befehl REFS von dem Befehlsdecodierer 822 und
das Ruhe-Selbstauffrisch-Signal PDSR von der Takt/Rücksetz-Steuerschaltung 806 empfängt und gemäß irgendeinem
von ihnen das Signal REFSD aktiviert, eine ACT-Erzeugungsschaltung 838, die vom
Befehlsdecodierer 822 das Signal REFSD und den Auffrischbefehl
REFA und den Zeilenaktivbefehl ACT empfängt und das Zeilenaktivierungssignal NACT
ausgibt, ein Flipflop 840, das nach dem Rücksetzen
gemäß dem Rücksetzsignal
NRSTR das Signal NACT synchron zum Taktsignal CLKR empfängt, um
das empfangene Signal zwischenzuspeichern, und eine Takterzeugungsschaltung 844,
die gemäß einem
Ausgangssignal des Flipflops 840 ein Synchronisiersignal
zum Aktivieren einer Wortleitung und eines Leseverstärkers ausgibt.
-
Ferner
enthält
die Peripherieschaltung 814 einen Adressenzähler 835,
der gemäß dem Auffrischbefehl
REFA eine Auffrischadresse, ein Signal REFSD und das Zeilenaktivierungssignal
NANCT ausgibt, eine Auswahlschaltung 836, die beim Auffrischen
ein Ausgangssignal des Adressenzählers 835 als
Adressensignal nach innen überträgt, während sie
im Normalbetrieb ein Ausgangssignal des Adressenpuffers 824 nach
innen überträgt, eine
Zeilensicherung 848, bei der eine Redundanzer satzadresse eingestellt
ist, eine Redundanzbestimmungsschaltung 846, die die Redundanzersatzadresse
mit einer von der Auswahlschaltung 836 zugeführten Adresse vergleicht,
um die Redundanzersetzung zu beurteilen, einen Zeilenvordecodierer 850,
der ein Ausgangssignal der Redundanzbestimmungsschaltung 846 vordecodiert,
und ein Flipflop 852, das ein Ausgangssignal des Zeilenvordecodierers 850 synchron zum
Taktsignal CLKR erfaßt
und es nach dem Rücksetzen
durch das Rücksetzsignal
NRSTR dem Zeilendecodierer 846 zuführt.
-
Ferner
enthält
die Peripherieschaltung 814 einen Zeilendecodierer 854 zum
Ausführen
der Zeilendecodierungsverarbeitung zur Auswahl einer Speicherzelle
der Speicheranordnung 860 und einen Spaltendecodierer 856,
der ein Ausgangssignal des Spaltenvordecodierers 828 empfängt, um
eine Spaltenauswahl zu treffen. In der Ruhebetriebsart setzt der
Spaltendecodierer 856 über
das Signal PDSR die Potentiale der Lese- und Schreibauswahlleitungen CSLR/W
fest.
-
Die
Auffrischsteuerschaltung 808 enthält eine Pegelverschiebeschaltung 818,
die das Signal REFSD empfängt
und eine Pegelverschiebung ausführt,
einen Eigenzeitgeber 816, der gemäß einem Ausgangssignal der
Pegelverschiebeschaltung 818 aktiviert wird, wobei er mit
einem darin enthaltenen Ringoszillator ein Taktsignal erzeugt und
mit dem erzeugten Taktsignal als Referenz einen Referenztakt zum
Selbstauffrischen ausgibt, und einen Abwärtsumsetzer 820, der
ein Ausgangssignal des Eigenzeitgebers 816 empfängt, um
es in das Signal mit einer kleinen Amplitude umzusetzen. Ein Ausgangssignal
des Abwärtsumsetzers 820 wird
der ACT-Erzeugungsschaltung 838, die einen Zeilenaktivierungsimpuls
ausgibt, als Taktsignal CLKS zugeführt.
-
Im
folgenden wird die für
die Halbleitervorrichtung 800 vorgesehene Stromversorgung
beschrieben. VDDH ist das von außen zugeführte Speisepotential von 3,3
V. Das Speisepotential VDD ist ein von außen angelegtes Speisepotential
von 1,5 V. Der Logikabschnitt empfängt die Speisepotentiale VDDH
und VDD, um eine interne Operation auszuführen. Eine Taktrücksetz-Steuerschaltung
und Peripherieschaltung 814 empfängt von der DRAM-Stromversorgungsschaltung 810 das
Speisepotential VDD3 mit 1,5 V als Betriebsspeisepotential.
-
Die
Peripherieschaltung 812 empfängt als ihr Betriebsspeisepotential
das Speisepotential VDD.
-
31 ist ein Schaltplan einer
Struktur einer DRAM-Stromversorgungsschaltung 810 in 30.
-
Wie
in 31 gezeigt ist, enthält die DRAM-Stromversorgungsschaltung 810 eine
Pegelverschiebeeinrichtung 862, die den Pegel des Ausschalt-Selbstauffrischsignals
auf 3,3 V umsetzt, eine mit der Stromversorgung von 3,3 V angesteuerte
Pufferschaltung 864, die ein Ausgangssignal der Pegelverschiebeeinrichtung 862 puffert,
einen Abwärtsumsetzer 866,
der die Spannung eines Ausgangssignals der Pegelverschiebeeinrichtung 862 auf
2 V umsetzt, eine Spannungs-Abwärtsumsetzerschaltung 868,
die ein Speisepotential VDDH von 3,3 V empfängt und ein Speisepotential
VDD2 von 2,0 V ausgibt, einen N-Kanal-MOS-Transistor 872,
der in der Normalbetriebsart eingeschaltet ist, um das von außen zugeführte Speisepotential
VDD von 1,5 V an einen Ausgangsknoten NVO zu übertragen, und einen N-Kanal-MOS-Transistor 870,
der in der Ruhebetriebsart eingeschaltet ist, um ein Ausgangssignal
der Spannungs-Abwärtsumsetzerschaltung 868 an
den Ausgangsknoten NVO zu übertragen.
Vom Ausgangsknoten NVO wird das Speisepotential VDD3 als Ausgangssignal
der DRAM-Speiseschaltung 810 ausgegeben. Das Speisepotential
VDD2 ist ein Ausgangssignal der Spannungs-Abwärtsumsetzerschaltung 868 und
wird an eine Speicheranordnung angelegt.
-
In
der Ruhebetriebsart ist das Gate-Potential des N-Kanal-MOS-Transistors 870 auf
2 V eingestellt. Durch den N-Kanal-MOS-Transistor 870 wird ein
Spannungsabfall erzeugt, der fast der Schwellenspannung entspricht,
wobei das Speisepotential VDD3 in der Ruhebetriebsart auf etwa 1,5
V eingestellt ist.
-
Um
den Knoten, der das externe Speisepotential VDD empfängt, und
den Ausgangsknoten NVO koppeln zu können, wenn die Ruhebetriebsart nicht
erforderlich ist, ist ein Schalter 874 vorgesehen. Der
Schalter 874 kann durch Ändern einer Metallmaske im
Herstellungsprozeß einer
Halbleitervorrichtung wahlweise in den leitenden Zustand umgeschaltet
werden.
-
32 ist ein Schaltplan einer
Struktur einer Takt/Rücksetz-Steuerschaltung 806 in 30.
-
Wie
in 32 gezeigt ist, enthält die Takt/Rücksetz-Steuerschaltung 806 eine
Pufferschaltung 898, die von dem Logikabschnitt das Rücksetzsignal
NRESET empfängt,
um das Rücksetzsignal
NRST nach innen zu liefern, eine Pufferschaltung 900, die
von dem Logikabschnitt das Signal NPDSR empfängt, und eine ODER-Schaltung 902,
die das Signal NRESET und ein Ausgangssignal der Pufferschaltung 900 empfängt und
das Signal NRSTR ausgibt.
-
Ferner
enthält
die Takt/Rücksetz-Steuerschaltung 806 eine
Impulserzeugungsschaltung 882, die von dem Logikabschnitt
das Signal NPDSR empfängt
und beim Fallen des empfangenen Signals ein tief-aktives Impulssignal
erzeugt, einen Zähler 886, der
von einem Befehlsdecodierer nach Rücksetzen durch das Rücksetzsignal
NRESET das Auffrisch-Befehlssignal REFA empfängt, um nach dem Empfang von
acht Eingangssignalen ein Hochzählen auszuführen und
ein Ausgangssignal zu ändern,
eine ODER-Schaltung 904,
die ein Ausgangssignal des Zählers 886 und
ein Ausgangssignal des Puffers 900 empfängt und ein Signal NRSTS ausgibt,
eine Impulserzeugungsschaltung 888, die gemäß einem Ausgangssignal
des Zählers 886 einen
tief-aktiven Impuls erzeugt, und eine Zwischenspeicherschaltung 896,
die durch ein Ausgangssignal der Impulserzeugungsschaltung 888 gesetzt
und durch das Rücksetzsignal
NRESET zurückgesetzt
wird.
-
Ferner
enthält
die Takt/Rücksetz-Steuerschaltung 806 eine
Impulserzeugungsschaltung 883, die das Signal LAT, d. h.
ein /Q-Ausgangssignal der Zwischenspeicherschaltung 890,
empfängt
und beim Fallen des empfangenen Signals ein tief-aktives Impulssignal
erzeugt, und eine Zwischenspeicherschaltung 884, die durch
ein Ausgangssignal der Impulserzeugungsschaltung 882 gesetzt
und durch ein Ausgangssignal der Impulserzeugungsschaltung 883 zurückgesetzt
wird. Von dem Q-Ausgang der Zwischenspeicherschaltung 884 wird
das Ruhe-Selbstauffrischsignal PDSR zugeführt.
-
Ferner
enthält
die Takt/Rücksetz-Steuerschaltung 806 eine
Auswahleinrichtung 896, die das von dem Logikabschnitt
zugeführte
Taktsignal CLK mit einer Amplitude von 1,5 V und das durch den Eigenzeitgeber 816 in 30 erzeugte Taktsignal CLKS
empfängt
und gemäß dem Signal
REFSD irgendeines der Taktsignale auswählt und als Taktsignal CLKR
ausgibt.
-
33 ist ein Operations-Signalformdiagramm
der Ruhebetriebsart des DRAM-Abschnitts der in 30 gezeigten Halbleitervorrichtung.
-
Wie
in den 30 und 33 gezeigt ist, wird zum
Zeitpunkt t1 der Strom an die Halbleitervorrichtung 800 angelegt.
Daraufhin wird dem DRAM-Abschnitt vom Logikabschnitt 802 das
Rücksetzsignal NRESET
zugeführt
und nachfolgend eine Einschaltfolge ausgeführt, in der mehrmals der Auffrischbefehl REFA
zugeführt
wird. Zum Zeitpunkt t2 ist eine Einschaltfolge ab geschlossen, wobei
dementsprechend der Normalbetrieb ausgeführt werden kann.
-
Vor
dem Übergang
in die Ruhebetriebsart zum Zeitpunkt t3 wird dem DRAM-Abschnitt
zum Zeitpunkt t3 von dem Logikabschnitt ein Auto-Auffrischbefehl
zugeführt,
um den gesamten Speicherraum aufzufrischen. Daraufhin stellt der
Logikabschnitt das Signal NDPSR zum Zeitpunkt t4 auf den L-Pegel
ein, damit der DRAM-Abschnitt eine Selbstauffrisch-Operation startet.
Vom Zeitpunkt t4 an ist der DRAM-Abschnitt in der Ruhebetriebsart.
-
Zum
Zeitpunkt t5 sind das an den Logikabschnitt angelegte Speisepotential
LVDDH und das an den Logikabschnitt angelegte Speisepotential VCC1.5
von 1,5 V in den ausgeschalteten Zustand eingestellt, wobei dementsprechend
die Ruhebetriebsart gestartet wird. Genauer ist zum Selbstauffrischen
nur das Speisepotential DVDDH von 3,3 V angelegt. Wenn die Betriebsart
zum Zeitpunkt t6 aus der Ruhebetriebsart in die Arbeitsbetriebsart
zurückkehrt,
wird das Speisepotential VCC1.5 von 1,5 V und nachfolgend ein stabiles
Taktsignal angelegt.
-
Zum
Zeitpunkt t7 wird das Rücksetzsignal NRESET
200 μ-Minuten
lang auf den L-Pegel festgesetzt und anschließend auf den H-Pegel gesetzt, um das
Rücksetzen
abzubrechen, während
achtmal der Auffrischbefehl REFA eingegeben wird, um die interne
Schaltung zu initialisieren. Danach wird der Selbstauffrisch-Austrittsbefehl SREX
zum Abschließen
des Selbstauffrischens eingegeben und das Signal NPDSR vom L-Pegel
auf den H-Pegel gehoben. Daraufhin führt der Logikabschnitt nach
der durch tSRX repräsentierten
Zeitdauer dem DRAM-Abschnitt einen Auto-Auffrischbefehl zu, wobei der DRAM-Abschnitt
den gesamten Speicherraum auffrischt. Nach Ausgabe des letzten Auffrischbefehls REFA
werden sämtliche
Bänke deaktiviert,
wobei nach Verstreichen der minimalen Lesezykluszeit tRC + 1 ein
Befehl eingegeben werden kann.
-
34 ist ein Signalform-Diagramm
einer Operation, bei der die Betriebsart in 33 von der Ruhebetriebsart zu der Arbeitsbetriebsart
zurückkehrt.
-
Wie
in den 32 und 34 gezeigt ist, fällt das
Signal NPDSR zum Zeitpunkt t4 auf den L-Pegel, wobei die Impulserzeugungsschaltung 882 dementsprechend
das tief-aktive Impulssignal FS erzeugt. Dementsprechend wird die
Zwischenspeicherschaltung 884 gesetzt und das Signal PDSR
auf den H-Pegel eingestellt.
-
Zum
Zeitpunkt t7 wird nach Abbruch der Ruhe das Rücksetzsignal NRESET eingegeben
und daraufhin die Zwischenspeicherschaltung 890 zurückgesetzt.
Der Auffrischbefehl REFA wird achtmal eingegeben, woraufhin zum
Zeitpunkt t8 ein Ausgangssignal des Zählers 886 ein Impulssignal
zum Einstellen der Zwischenspeicherschaltung 890 erzeugt.
Daraufhin fällt
das Signal LAT als das Ausgangssignal /Q der Zwischenspeicherschaltung 890 vom
H- auf den L-Pegel, wobei die Zwischenspeicherschaltung 884 gemäß einem
Ausgangssignal der Impulserzeugungsschaltung 883 zurückgesetzt wird.
Daraufhin ist das Signal PDSR auf dem L-Pegel, woraufhin der Normalbetrieb
ausgeführt
werden kann.
-
Die
Rückkehrfolge
aus der Ruhebetriebsart erfolgt genauso wie die normale Stromversorgungsfolge.
Nach dem Zurücksetzen
durch das Rücksetzsignal
NRESET wird achtmal der Auffrischbefehl REFA eingegeben, um sämtliche
in einem Betriebsartregister eingestellten Spezialbetriebsarten
und dergleichen zurückzusetzen.
-
Danach
steigt das Signal NPDSR zum Zeitpunkt t9 auf den H-Pegel. Das Signal
NPDSR wird zum Übergang
in die Ruhebetriebsart verwendet, wobei es keinen Einfluß auf den
Betrieb hat, wenn es jedesmal nach der Rückkehr der Betriebsart in die Normalbetriebsart
auf den H-Pegel steigt.
-
Wie
zuvor beschrieben wurde, wird der Stromverbrauch im Standby-Zustand
in der Ruhebetriebsart der Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform
verringert. Nach der Rückkehr
der Betriebsart ist durch ein vorgegebenes Eingangssignal ein normaler
schneller Betrieb möglich.