DE10051159C2 - LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle - Google Patents
LED-Modul, z.B. WeißlichtquelleInfo
- Publication number
- DE10051159C2 DE10051159C2 DE10051159A DE10051159A DE10051159C2 DE 10051159 C2 DE10051159 C2 DE 10051159C2 DE 10051159 A DE10051159 A DE 10051159A DE 10051159 A DE10051159 A DE 10051159A DE 10051159 C2 DE10051159 C2 DE 10051159C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- led module
- led
- semiconductor body
- carrier
- leds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S362/00—Illumination
- Y10S362/80—Light emitting diode
Description
Die Erfindung betrifft ein LED-Modul (LED, light emitting
diode, Leuchtdiode) nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs
1.
LED-Module sind beispielsweise aus IEICE Trans. Electron.,
Vol. E80-C, No. 2, February 1997, S. 285-290 bekannt. Beschrieben ist
hierin ein LED-Modul mit einem Siliziumsubstrat, das eine
Mehrzahl von geätzten Vertiefungen aufweist, in denen jeweils
ein LED-Chip angeordnet ist. Die schrägstehenden Wände der
Vertiefungen dienen dabei als Reflektor für die emittierte
Strahlung.
Weiterhin ist in DE 198 28 970 C2 ein Verfahren zur
Herstellung und Vereinzelung von Halbleiter-
Lichtemissionsdioden beschrieben. Hierin ist eine Vorrichtung
mit einer Mehrzahl von LEDs und einer Haltevorrichtung
gezeigt. Die Haltevorrichtung weist ein Halbleiter- oder
Metallsubstrat mit einer Mehrzahl von Vertiefungen auf, die
als Aufnahme für die einzelnen LEDs dienen.
Für viele Anwendungen werden LED-Module mit geringen Abmes
sungen und hoher Leuchtdichte benötigt. Diese Module eignen
sich insbesondere als Halbleiterlichtquelle in Verbindung mit
abbildenden Optiken wie beispielsweise Projektoren.
Eine Erhöhung der Leuchtdichte eines LED-Moduls kann prinzi
piell dadurch erreicht werden, daß die Packungsdichte der
einzelnen Leuchtkörper erhöht wird, wobei zugleich die opti
sche Ausgangsleistung beibehalten oder vergrößert wird.
Bei fortschreitender Miniaturisierung besteht ein Problem
darin, die auf immer kleiner werdendem Raum entstehende elek
trische Verlustwärme abzuführen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein vielseitig verwendbares LED-Modul mit
hoher Leuchtdichte zu schaffen, das eine möglichst hohe Pac
kungsdichte der einzelnen LEDs aufweist und zugleich kosten
günstig herstellbar ist.
Diese Aufgabe wird durch ein LED-Modul mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1
gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Ge
genstand der Unteransprüche 2 bis 28.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß eine Mehrzahl von LEDs
auf einem Träger aufgebracht ist, wobei der Träger mindestens
eine Halbleiterschicht enthält und die LEDs auf einer ebenen
Hauptfläche des Trägers angeordnet sind. Unter "LEDs" sind
hierbei vor allem LED-Chips, also Leuchtdiodenhalbleiterkör
per mit Kontaktflächen, zu verstehen.
Zur elektrischen und thermischen Verbindung zwischen den LEDs
und der Umgebung des LED-Moduls sind dabei verschiedene
Strukturen vorgesehen. Die Ableitung der elektrischen Ver
lustwärme erfolgt hauptsächlich durch den Träger hindurch.
Für die elektrische Versorgung der LEDs sind gesonderte Lei
tungsstrukturen, vorzugsweise auf der Oberfläche des Trägers,
ausgebildet.
Mit Vorteil ist durch die Anordnung der LEDs auf einer ebenen
Hauptfläche des Trägers eine besonders hohe Packungsdichte
der LEDs möglich. Weiter ist so eine sehr dünne Ausführung
des Trägers möglich, durch die der thermische Widerstand des
Trägers reduziert und die Abführung der Verlustwärme erleich
tert wird.
Als Halbleitermaterial für die Halbleiterschicht im Träger
wird vorzugsweise Silizium oder Galliumarsenid verwendet.
Weitergehend sind auch gut wärmeleitende, keramikartige Mate
rialien wie beispielsweise Aluminiumnitrid oder Bornitrid
oder Karbide wie beispielsweise Siliziumkarbid einsetzbar. Im
folgenden sind auch diese Verbindungen sowie davon abgelei
tete, bei der Herstellung von Halbleitern üblicherweise ver
wendete Materialien unter dem Begriff "Halbleiter" zu verste
hen.
Mit Vorteil weisen solche Materialien, insbesondere Silizium,
eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf und sind daher als Material
für einen wärmeabführenden Träger sehr gut geeignet. Zudem
werden die genannten Materialien häufig in der Halbleiterin
dustrie eingesetzt und sind dort leicht verfügbar.
Vorzugsweise wird der Träger auf der Seite, auf der die LEDs
aufgebracht sind, von einer elektrisch isolierenden Schicht
begrenzt. Dadurch wird eine Parallelschaltung der LEDs ver
hindert, so daß eine individuelle Verschaltung der LEDs mög
lich ist. Weitergehend können auch mehrere Isolationsschich
ten ausgebildet sein, zwischen denen elektrisch leitfähige
Schichten angeordnet sind. In dieser Ausgestaltung sind mit
Vorteil komplexe Verschaltungen der einzelnen Leuchtkörper
realisierbar.
Die Isolierschicht kann beispielsweise mit Hilfe bekannter
Verfahren in Form einer Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid
schicht gebildet sein. Bevorzugt ist die Isolierschicht zwei
lagig ausgeführt, wobei auf eine Siliziumoxidschicht eine Si
liziumnitridschicht aufgebracht ist. Diese Isolierschicht
kann so dünn ausgeführt werden, daß sie die Wärmeleitfähig
keit des Trägers nicht beeinträchtigt. Weiterhin zeichnet
sich eine solche Isolierschicht durch einen hohen Isolations
grad und eine große Beständigkeit gegen Umgebungseinflüsse,
insbesondere Feuchtigkeit, aus.
Bei einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung sind auf
dem Träger einzelne, voneinander getrennte, leitfähige Berei
che ausgebildet, auf die die einzelnen LEDs direkt oder über
Zwischenschichten aufgebracht sind. Besonders bevorzugt sind
hierbei leitfähige Bereiche mit einem hohen Reflexionsvermö
gen, die durch Reflexion der in Richtung des Trägers abge
strahlten Strahlungsanteile die Lichtausbeute des LED-Moduls
erhöhen. Als Material für solche leitfähigen Bereiche mit ho
hem Reflexionsvermögen eignet sich beispielsweise Aluminium.
Eine bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin,
auf den leitfähigen Bereichen gesondert Chipanschlußbereiche
auszubilden, die eine dauerhafte und sichere Befestigung der
Halbleiterkörper bei gleichzeitig guter Kontaktgabe gewähr
leisten. Besonders geeignet sind Chipanschlußbereiche in Form
eines Stapels dünner Metallschichten, wobei die einzelnen
Schichten vorzugsweise Titan oder Edelmetalle wie Gold oder
Platin enthalten.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist der
Träger mit der von den LEDs abgewandten Seite auf einen Kühl
körper aufgebracht, der vorzugsweise als Metallschicht oder
Metallblock ausgebildet ist. Eine solche Metallschicht weist
eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit auf und verbessert damit
die Wärmeableitung aus dem LED-Modul. Zugleich wird die me
chanische Stabilität des LED-Moduls erhöht. Mit Vorteil läßt
sich so ein dicht gepacktes LED-Modul mit sehr hoher Leucht
dichte und einer effizienten Wärmeabfuhr schaffen.
Als Materialien für den Kühlkörper eignen insbesondere auf
grund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit Kupfer oder Aluminium.
Vorzugsweise ist der Kühlkörper mit dem Träger mittels einer
Lötmasse oder eines wärmeleitenden Klebstoffs verbunden, wo
durch ebenfalls ein guter Wärmeübergang gewährleistet ist.
Bevorzugt werden bei der Erfindung LEDs auf einem Träger mon
tiert, die im Betrieb jeweils Licht unterschiedlicher Farbe
emittieren (im folgenden auch kurz als Farbe der LED bezeich
net). Damit ist mit der Erfindung die Erzeugung von mischfar
bigem Licht möglich, wobei sich die Farbe des abgestrahlten
Lichts additiv aus den Farben des von den einzelnen LEDs ab
gestrahlten Lichts ergibt.
Mit Vorteil ist dabei die Farbe des Mischlichts durch eine
entsprechend unterschiedliche Bestromung der einzelnen LEDs
einstellbar.
Eine andere Möglichkeit zur Festlegung der Mischfarbe besteht
darin, LEDs gleicher Farbe in jeweils verschiedener Anzahl in
einem LED-Modul zu verwenden. Beide Möglichkeiten können so
wohl kumulativ als auch alternativ verwendet werden, wobei
letztere den Vorteil einer gleichmäßigeren Verteilung des Be
triebsstroms auf die einzelnen LEDs besitzt, während erstere
im Betrieb flexibler ist und eine präzisere Einstellung des
Farborts ermöglicht.
Besonders bevorzugt werden LEDs, die Licht mit einer Zentral
wellenlänge im roten, grünen, und blauen Spektralbereich
emittieren, zusammen, beispielsweise zu gleichen Anteilen,
bei der Erfindung eingesetzt. Damit wird ein LED-Modul ge
schaffen, das bei entsprechender Bestromung mit hoher Leucht
dichte weißes Licht emittiert. Weitergehend kann durch Varia
tion der Bestromung der einzelnen LEDs Licht von unterschied
licher Farbe emittiert werden, wobei der Farbraum zu großen
Teilen abgedeckt ist. Insbesondere der Weißpunkt (Unbunt
punkt, Farbort x = y = z = 0,33) kann sehr genau eingestellt wer
den. Damit ist die Erfindung als Weißlichtquelle zur Erzeu
gung rein weißen Lichts hoher Intensität ohne störenden Farb
stich einsetzbar.
Mit großem Vorteil eignet sich dieses LED-Modul als Glühlam
penersatz und kann beispielsweise als Weißlichtquelle in Pro
jektoren verwendet werden. Hierbei sind besonders die gerin
gen Abmessungen und die hohe Leuchtdichte des erfindungsgemä
ßen LED-Moduls von Vorteil.
Speziell eignet sich ein solches LED-Modul als Lichtquelle in
LCD-Projektoren. Die mit der Erfindung ausgestatteten LCD-
Projektoren können sehr kompakt ausgeführt werden, wobei die
Lichtquelle hinsichtlich Lebensdauer, Energieverbrauch und
anfallender Verlustwärme herkömmlichen Lichtquellen mit Glüh
drähten überlegen ist. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet
sich die Erfindung vorzugsweise im mobilen Einsatz, bei
spielsweise im Kfz-Bereich.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht in der Dimmbarkeit
des LED-Moduls, d. h. der Änderung der Leuchtdichte durch Va
riation des Betriebstroms. Im Gegensatz zu Glühdrähten tritt
dabei in einem großen Leuchtdichteintervall keine wesentliche
spektrale Änderung des abgestrahlten Lichts auf. Die Varia
tion des Betriebsstroms kann dabei beispielsweise durch Puls
weitenmodulation erfolgen.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung sind die
LEDs in Form einer Matrix auf dem Träger angeordnet. Dies er
laubt eine hohe Packungsdichte der LEDs und erleichtert die
automatisierte Herstellung des LED-Moduls.
Weitergehend sind die LEDs mit jeweils gleicher Farbe in ei
nem regelmäßigen, matrixartigen Muster auf dem Träger ange
ordnet. Unter einer regelmäßigen Anordnung ist dabei eine An
ordnung zu verstehen, die durch wiederholte Aneinanderreihung
eines oder mehrerer Grundmuster entsteht. Durch eine solche
Anordnung wird die Ansteuerung der LEDs vereinfacht und der
Verdrahtungsaufwand bei der Herstellung reduziert.
Um eine homogene Farbmischung zu erzielen, ist es vorteil
haft, die LEDs hinsichtlich ihrer Farbe in periodisch wieder
kehrender Folge in den Matrixzeilen anzuordnen, wobei vor
zugsweise die LED-Anordnungen in den einzelnen Matrixzeilen
gleich oder gleichartig sind.
Werden die Anordnungen in den einzelnen Matrixzeilen so auf
einander ausgerichtet, daß in den Matrixspalten jeweils LEDs
der selben Farbe angeordnet sind, so können gleichfarbige
LEDs jeweils einer Spalte sehr leicht in Serienschaltungen
zusammengefaßt werden.
Besonders vorteilhaft ist es, die Anordnungen in den Matrix
zeilen mit gerader Zeilennummer (bei fortlaufender Numerie
rung) um eine Spaltenbreite gegenüber den Anordnungen in den
Matrixzeilen mit ungerader Zeilennummer jeweils nach links
oder nach rechts zu verschieben. Dadurch werden einfarbige
Spalten vermieden, die Ausbildung von Farbartefakten unter
drückt und ein besonders homogener Farbeindruck erzielt. Zu
gleich lassen sich die LEDs gleicher Farbe leicht durch zick
zackartige Verbindungen zu Serienschaltungen zusammenfassen.
Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung
ergeben aus der nachfolgenden Beschreibung von vier Ausfüh
rungsbeispielen in Verbindung mit den Fig. 1 bis 4.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht eines ersten Aus
führungsbeispiels eines erfindungsgemäßen LED-Mo
duls,
Fig. 2 eine schematische Aufsicht eines zweiten Ausfüh
rungsbeispiels eines erfindungsgemäßen LED-Moduls,
Fig. 3 eine schematische Aufsicht eines dritten Ausfüh
rungsbeispiels eines erfindungsgemäßen LED-Moduls
und
Fig. 4 eine schematische Aufsicht eines vierten Ausfüh
rungsbeispiels eines erfindungsgemäßen LED-Moduls.
Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind dabei mit den sel
ben Bezugszeichen versehen.
Der Träger 2 des in Fig. 1 dargestellten LED-Moduls 1 weist
ein entsprechend der unten beschriebenen LED-Chipanordnung
strukturiertes Siliziumsubstrat 5 auf, das auf einen Kühlkör
per 3 in Form eines Kupferblocks aufgelötet ist. Als Lot 4
wird ein Gold-Zinn-Lot verwendet, so daß eine mechanisch sta
bile Verbindung und ein effizienter Wärmeübergang zwischen
dem Siliziumsubstrat 5 und dem Kupferblock 3 gewährleistet
ist. Alternativ kann das Siliziumsubstrat 5 auch mittels eines
wärmeleitfähigen Klebstoffs mit dem Kupferblock 3 verbun
den sein.
Das Siliziumsubstrat 5 ist mehrlagig gebildet. Den Substrat
körper bildet eine Schicht aus undotiertem Silizium. Darauf
ist eine zweilagige Isolierschicht 6 aufgebracht, die aus ei
ner Siliziumoxidschicht 7 und einer Siliziumnitridschicht 8
besteht, wobei die Siliziumoxidschicht 7 an den Substratkör
per grenzt.
Die so gebildete, zweilagige Isolierschicht 6 ist mit den be
kannten Methoden der Siliziumtechnologie leicht herstellbar
und zeichnet sich neben der elektrischen Isoliereigenschaft
durch große Beständigkeit, insbesondere gegen Eindringen von
Feuchtigkeit aus.
Auf die Isolierschicht 6 ist eine Mehrzahl von voneinander
getrennten Metallflächen 9 aufgebracht, auf denen wiederum
Chipanschlußbereiche 10 ausgebildet sind. Die Metallflächen 9
bestehen vorzugsweise aus Aluminium. Ein Chipanschlußbereich
10 weist jeweils einen Stapel aus drei dünnen Metallschichten
auf, die von der Seite des Siliziumsubstrats 5 aus gesehen
aus Titan, Platin und Gold bestehen.
Auf die Goldoberfläche des Chipanschlußbereichs 10 ist je
weils ein LED-Halbleiterkörper 11 mittels eines leitfähigen
Klebstoffs aufgeklebt. Eine Lötverbindung zwischen Halblei
terkörper 11 und Chipanschlußbereich 10 wäre ebenfalls mög
lich.
Zur weiteren Kontaktierung sind die Halbleiterkörper 11 auf
der dem Träger 2 abgewandten Seite mit einer Kontaktfläche 12
versehen und mit Drahtverbindungen 13 untereinander verbun
den. Die Aluminiumflächen 9 dienen sowohl als Drahtanschluß
bereiche, die jeweils elektrisch in Verbindung mit der dem
Träger 2 zugewandten Seite des aufmontierten Halbleiterkörpers
11 stehen, als auch als Reflektoren für die im Betrieb
erzeugte Strahlung.
Die Dicke des Kupferblocks 3 beträgt bei dem gezeigten Aus
führungsbeispiel 3,0 mm, die Dicke des Siliziumsubstrats 5
220 µm und die Dicke der Isolierschicht 6 0,62 µm. Die Alumi
niumschicht 9 ist mit einer Dicke von 1,0 µm, der Chipan
schlußbereich 10 mit einer Gesamtdicke von 0,3 µm ausgebil
det. Mit einem 200 µm dicken Halbleiterkörper wird bei einem
Rastermaß von 600 µm × 600 µm und einem Halbleiterquerschnitt
von 260 µm × 260 µm insgesamt ein thermischer Widerstand von
177 K/W, bezogen auf eine Rastereinheit, erreicht.
Unter stationären Bedingungen beträgt damit bei einer typi
schen elektrischen Verlustleistung von 50 mW pro LED der Tem
peraturunterschied zwischen Halbleiteroberfläche und Trä
gerunterseite etwa 8,9 K (unabhängig von der Anzahl der Ra
stereinheiten).
In Fig. 2a ist die flächige Anordnung der LEDs in der Auf
sicht gezeigt. Auf dem Träger sind insgesamt 180 LEDs 11 mon
tiert, je 60 LEDs mit einer Zentralwellenlänge im roten, grü
nen und blauen Spektralbereich. Die LEDs sind in Form einer
Matrix angeordnet, wobei in jeder Matrixzeile 17a, b in peri
odischer Folge eine rote LED 14, eine grüne LED 15 und eine
blaue LED 16 nebeneinander angeordnet sind.
Die Anordnungen in den einzelnen Matrixzeilen 17a, b sind da
bei so aufeinander ausgerichtet, daß die Matrixzeilen mit un
gerader Zeilennummer 17b jeweils dieselbe Anordnung aufweisen
und so in diesen Matrixzeilen 17b jeweils gleichfarbige LEDs
untereinander angeordnet sind. Unter der Zeilennummer ist da
bei die Nummer zu verstehen, die bei üblicher, fortlaufender
Numerierung der Matrixzeilen von oben nach unten den einzel
nen Matrixzeilen jeweils zugewiesen ist.
Die Anordnung der LEDs in den Matrixzeilen 17a mit gerader
Zeilennummer entspricht der Anordnung in den Matrixzeilen 17b
mit ungerader Zeilennummer, ist jedoch gegenüber den Matrix
zeilen 17b mit ungerader Zeilennummer um eine Spaltenbreite
nach links verschoben. In der linken Randspalte sind nur die
ungeradzahligen Matrixzeilen 17b, in der rechten Randspalte
nur die geradzahligen Matrixzeilen 17a mit LEDs bestückt, so
daß jede Matrixzeile dieselbe Anzahl von LEDs enthält.
Diese Gesamtanordnung der LEDs ermöglicht eine Verdrahtung
der untereinander liegenden LEDs gleicher Farbe durch eine
zickzackartige Serienschaltung und damit eine einfache An
steuerung gleichfarbiger LEDs.
Gegenüber einer Anordnung, in der in den Matrixspalten nur
gleichfarbige LEDs angeordnet sind, besitzt die gezeigte An
ordnung den Vorteil, daß keine durchgehenden Linien oder Dia
gonalen gleicher Farbe auftreten. Damit wird eine homogen
mischfarbige Abstrahlung erreicht und das Auftreten störender
Artefakte unterdrückt.
Die Verdrahtung erfolgt in Richtung der Matrixspalten, wobei
der Kontakt 12 auf dem Halbleiterkörper 11 einer jeden LED
außer in der letzten Matrixzeile durch eine Drahtverbindung
13 mit der Aluminiumfläche 9 der diagonal darunterliegenden
LED gleicher Farbe verbunden ist.
Die LEDs der ersten und letzten Matrixzeile sind mit Draht
verbindungen an weiter außen liegenden Kontaktfläche 18 ange
schlossen. Im Betrieb werden über diese Kontaktflächen 18 je
weils die in zwei benachbarten Spalten angeordneten LEDs
gleicher Farbe mit Strom versorgt.
Aufgrund der LED-Serienschaltung kann das Modul mit Spannun
gen versorgt werden, die einem Vielfachen der LED-Versor
gungsspannungen entsprechen und die ohne großen Aufwand aus
den üblichen mobilen Bordnetzen erzeugt werden können.
Da die LED-Spalten gleicher Farbe voneinander getrennt ange
schlossen werden können, ist auch bei einem Ausfall einer
Spalte das Modul mit Vorteil noch weitgehend funktionstüch
tig.
In Fig. 2b ist eine Aluminiumfläche 9 vergrößert darge
stellt. Diese Fläche 9 besitzt eine rechteckige Grundform,
wobei an einer Ecke eine rechteckige Ausnehmung 19 gebildet
ist und an einer der Ecke gegenüberliegenden Kante ein der
Ausnehmung 19 entsprechendes, etwas verkleinertes Flächen
stück 20 angesetzt ist.
Diese Formgebung ermöglicht eine flächenfüllende und vonein
ander isolierte Anordnung der Aluminiumflächen 9. Das Flä
chenstück 20 bildet dabei den Drahtanschlußbereich zur Kon
taktierung des jeweils auf der Alumiumfläche 9 aufgebrachten
Halbleiterkörpers 11. Dieser Drahtanschlußbereich ist von dem
Chipanschlußbereich 10 beabstandet, da sich bei der Montage
des Halbleiterkörpers 11 auf den Chipanschlußbereich 10 Lot-
bzw. Klebstoffreste in der Umgebung des Chipanschlußbereichs
10 ablagern können, die eine sichere Drahtkontaktierung er
schweren.
Die in den geradzahligen Matrixzeilen 17a angeordneten Flä
chen 9 entsprechen der in Fig. 2b gezeigten Form. Die Flä
chen 9 in den ungeradzahligen Matrixzeilen 17b gehen aus die
ser Form durch horizontale Spiegelung hervor. Die abwech
selnde Anordnung dieser Formen ermöglicht die gezeigte Seri
enschaltung mit Zickzackverdrahtung bei vorteilhaft kurzen
Verdrahtungswegen.
Das so gebildete LED-Modul weist eine Kantenlänge von etwa
9 mm × 10 mm auf und erreicht für Weißlicht eine Leuchtdichte
von 77 kcd/m2. Damit stellt das LED-Modul eine Lichtquelle
mit einstellbarer Farbe, insbesondere eine Weißlichtquelle
auf LED-Basis mit höchster Packungs- und Leuchtdichte dar.
In Fig. 3 sind weitere vorteilhafte Anordnungen hinsichtlich
der LED-Farbe gezeigt. Bei dem in Fig. 3a dargestellten Aus
führungsbeispiel sind die LEDs in den Matrixzeilen wiederum
in periodisch wiederkehrender Folge angeordnet. In den Ma
trixspalten sind jeweils LEDs gleicher Farbe angeordnet. Die
Serienschaltung von LEDs gleicher Farbe ist hierbei besonders
einfach.
Bei dem in Fig. 3b dargestellten Ausführungsbeispiel sind
die LEDs in den Matrixzeilen ebenfalls in periodisch wieder
kehrender Folge angeordnet. Die Anordnung in einer Matrix
zeile ergibt sich dabei ab der zweiten Zeile aus der darüber
liegenden Matrixzeile durch Verschiebung um eine Spalten
breite nach rechts. Auch hier können die LEDs gleicher Farbe
durch Serienschaltungen entlang der Diagonalen von links oben
nach rechts unten leicht zusammengefaßt werden.
Das in Fig. 3c dargestellt Ausführungsbeispiel entspricht
der in Fig. 2a gezeigten Anordnung. Hierbei wurden durchge
hende Linien gleicher Farbe vermieden, so daß keine störenden
Artefakte entstehen können und so eine besonders homogen ab
strahlende Lichtquelle gebildet ist.
Selbstverständlich können beide zyklische Dreierpermutationen
der LED-Farben, die in Fig. 3d dargestellt sind, verwendet
werden. Ebenso können alle Matrixzeilen gegen die entspre
chenden Spalten vertauscht werden.
Bei der in Fig. 3e dargestellten Anordnung sind nur die in
nerhalb eines kreisförmigen Umrisses (gestrichelt) liegenden
Rasterplätze bestückt. Diese Anordnung ist vorteilhaft in
Verbindung mit einer Optik mit einer entsprechenden kreisför
miger Eintrittsapertur, wie sie beispielsweise zylindersymme
trische Optiken aufweisen. Durch die gezeigte Anordnung wird
die Eintrittsapertur gleichmäßig ausgeleuchtet. Zugleich wird
durch die Reduktion der LED-Bestückung auf Rasterplätze, die
innerhalb der Eintrittsapertur liegen, die Leistungsaufnahme
des LED-Moduls vorteilhaft gesenkt, ohne damit die Ausleuch
tung der Optik zu verringern.
Hinsichtlich ihrer Farben sind die LEDs bei diesem Ausfüh
rungsbeispiel ähnlich wie in Fig. 3c angeordnet, so daß LEDs
gleicher Farbe durch zickzackartige Serienschaltung in Rich
tung der Matrigspalten zusammengefaßt werden können. Hingegen
wurde von der periodisch wiederkehrenden Anordnung entlang
der Matrixzeilen abgewichen und die Anzahl der grünen LEDs
erhöht, so daß bei diesem Modul insgesamt 34 grüne, 19 rote
und 16 blaue LEDs verwendet werden. Bei dieser Gewichtung der
LED-Anzahl erzeugt das LED-Modul bei gleicher Bestromung al
ler LEDs weißes Mischlicht.
Je nach Anwendungsfall können auch einzelne Aspekte der in
den Fig. 3a bis 3e dargestellten Anordungen kombiniert
werden. Selbstverständlich können auch einfachere Schaltungen
und Anordnungen, beispielsweise eine ungeordnete Verteilung
der LED-Farben oder eine reine Serienschaltung aller LEDs
verwendet werden. Im letzteren Fall hängt wie bei Fig. 3e
der Farbort des Mischlichts von den Häufigkeiten der LEDs
gleicher Farbe ab.
In Fig. 4 ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung in vor
montiertem Zustand gezeigt. Das LED-Modul 1 ist auf das Zen
trum einer Grundplatte 21 aus Kupfer geklebt oder gelötet.
Die Kontaktanschlüsse 18 zur Stromversorgung der LED-Matrix
spalten sind über einen Leiterrahmen 22 mit strahlenförmig
nach außen verlaufenden Leiterbahnen zu vergrößerten Lötan
schlüssen 23 am Rand der Grundplatte geführt, wobei die
Lötanschlüsse 23 so beabstandet und ausgeführt sind, daß sie
leicht mit einer elektronischen Baugruppe zur Ansteuerung
bzw. Stromversorgung des LED-Moduls 1 verbunden werden kön
nen.
Über dem Leiterrahmen ist ein Vergußrahmen 24 montiert, des
sen Innenbereich mit einer dünnen Vergußschicht, vorzugsweise
aus einem transparenten Reaktionsharz wie zum Beispiel
Epoxidharz, zum Schutz des LED-Moduls gefüllt ist.
Claims (28)
1. LED-Modul (1) mit einer Mehrzahl von LED-Halbleiterkörpern
(11) und einem Träger (2) mit einer ersten und einer zweiten
Hauptfläche, wobei der Träger (2) mindestens eine Halbleiter
schicht (5) aufweist,
dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Hauptfläche des Trägers (2) eben ausgebildet ist
und die LED-Halbleiterkörper (11) auf der ersten Hauptfläche
des Trägers aufgebracht sind.
2. LED-Modul (1) nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die mindestens eine Halbleiterschicht (5) Silizium oder Gal
liumarsenid enthält.
3. LED-Modul (1) nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Träger mehrlagig gebildet ist.
4. LED-Modul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Träger (2) auf der Seite der ersten Hauptfläche von min
destens einer elektrischen Isolierschicht (6) begrenzt ist.
5. LED-Modul (1) nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
die mindestens eine Isolierschicht (6) mehrlagig gebildet
ist.
6. LED-Modul (1) nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
die mindestens eine Isolierschicht (6) Siliziumoxid oder Si
liziumnitrid enthält.
7. LED-Modul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
auf der ersten Hauptfläche des Trägers (2) leitfähige Berei
che (9) ausgebildet sind, auf die die LED-Halbleiterkörper
(11) aufgebracht sind.
8. LED-Modul (1) nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
die leitfähigen Bereiche (9) ein hohes Reflexionsvermögen im
Spektralbereich der von den LED-Halbleiterkörpern (11) emit
tierten Strahlung aufweisen.
9. LED-Modul (1) nach Anspruch 7 oder 8,
dadurch gekennzeichnet, daß
die leitfähigen Bereiche (9) Aluminium enthalten.
10. LED-Modul (1) nach einem der Ansprüche 4 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
auf der Isolierschicht (6) Chipanschlußbereiche (10) gebildet
sind und die LED-Halbleiterkörper (11) auf den Chipanschluß
bereichen (10) aufgebracht sind.
11. LED-Modul (1) nach einem der Ansprüche 7 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
auf den leitfähigen Bereichen (9) Chipanschlußbereiche (10)
gebildet sind und die LED-Halbleiterkörper (11) auf den Chip
anschlußbereichen (10) aufgebracht sind.
12. LED-Modul (1) nach Anspruch 10 oder 11,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Chipanschlußbereiche (10) jeweils einen Stapel dünner Me
tallschichten aufweisen.
13. LED-Modul (1) nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Metallschichten Titan, Kupfer oder Edelmetalle, insbeson
dere Gold oder Platin, enthalten.
14. LED-Modul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 13,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Träger (2) auf der Seite der zweiten Hauptfläche mit ei
nem Kühlkörper (3) verbunden ist.
15. LED-Modul (1) nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Kühlkörper (3) Kupfer oder Aluminium enthält.
16. LED-Modul (1) nach Anspruch 14 oder 15,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Kühlkörper (3) an die Halbleiterschicht (5) grenzt.
17. LED-Modul (1) nach Anspruch 16,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Kühlkörper (3) mit der Halbleiterschicht (5) durch eine
Lötmasse (4) oder einen wärmeleitfähigen Klebstoff verbunden
ist.
18. LED-Modul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 17,
dadurch gekennzeichnet, daß
die LED-Halbleiterkörper (11) auf dem Träger (2) in Form ei
ner Matrix angeordnet sind.
19. LED-Modul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 18,
dadurch gekennzeichnet, daß
die LED-Halbleiterkörper (11) im Betrieb Licht verschiedener
Zentralwellenlänge emittieren.
20. LED-Modul (1) nach Anspruch 19,
dadurch gekennzeichnet, daß
das von den einzelnen LED-Halbleiterkörpern (11) im Betrieb
emittierte Licht Zentralwellenlängen im roten, grünen oder
blauen Spektralbereich aufweist.
21. LED-Modul (1) nach Anspruch 19 oder 20,
dadurch gekennzeichnet, daß
die LED-Halbleiterkörper (11) mit der jeweils gleichen Zen
tralwellenlänge regelmäßig auf dem Träger (2) angeordnet
sind.
22. LED-Modul (1) nach Anspruch 21,
dadurch gekennzeichnet, daß
die LED-Halbleiterkörper (11) in den Matrixzeilen (17a, b) be
züglich ihrer Zentralwellenlängen in periodisch wiederkehren
der Folge angeordnet sind.
23. LED-Modul (1) nach Anspruch 21 oder 22,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Anordnung der LED-Halbleiterkörper (11) in den Matrixzei
len (17a, b) bezüglich der Zentralwellenlängen dieselbe peri
odisch wiederkehrende Folge aufweist.
24. LED-Modul (1) nach Anspruch 23,
dadurch gekennzeichnet, daß
in den Matrixspalten jeweils LED-Halbleiterkörper (11) mit
derselben Zentralwellenlänge angeordnet sind.
25. LED-Modul (1) nach Anspruch 23,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Anordnung der LED-Halbleiterkörper (11) in den Matrixzei
len (17b) mit ungerader Zeilennummer gleich ist und die An
ordnung in den Matrixzeilen (17a) mit gerader Zeilennummer
aus der darüber liegenden Matrixzeile (17b) durch Verschie
bung um eine Spaltenbreite nach links oder nach rechts her
vorgeht.
26. Verwendung eines LED-Moduls (1) nach einem der Ansprüche
19 bis 25 zur Erzeugung weißen Mischlichts,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Farbort des Mischlichts durch den Betriebsstrom der LED-
Halbleiterkörper (11) festgelegt wird.
27. Verwendung eines LED-Moduls (1) nach Anspruch 26 zur Er
zeugung weißen Mischlichts,
dadurch gekennzeichnet, daß
die LED-Halbleiterkörper (11) mit gleicher Zentralwellenlänge
mit dem gleichen Betriebsstrom versorgt werden.
28. Verwendung eines LED-Moduls (1) nach einem der Ansprüche
19 bis 25 zur Erzeugung von Mischlicht,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Häufigkeiten der LED-Halbleiterkörper (11) mit gleicher
Zentralwellenlänge so gewählt sind, daß bei gleicher Bestrom
ung aller LED-Halbleiterkörper (11) weißes Mischlicht erzeugt
wird.
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10051159A DE10051159C2 (de) | 2000-10-16 | 2000-10-16 | LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle |
EP01987949.3A EP1328976B1 (de) | 2000-10-16 | 2001-10-09 | Led-modul |
CNB018174647A CN100431161C (zh) | 2000-10-16 | 2001-10-09 | 发光二极管模块 |
JP2002537055A JP4051281B2 (ja) | 2000-10-16 | 2001-10-09 | Ledモジュール |
PCT/DE2001/003858 WO2002033756A1 (de) | 2000-10-16 | 2001-10-09 | Led-modul |
EP11159384A EP2337077A1 (de) | 2000-10-16 | 2001-10-09 | LED-Modul |
TW090125413A TW540163B (en) | 2000-10-16 | 2001-10-15 | LED-module and multiple arrangement |
US10/414,739 US7439549B2 (en) | 2000-10-16 | 2003-04-16 | LED module |
US12/288,376 US7862211B2 (en) | 2000-10-16 | 2008-10-20 | Configuration of multiple LED modules |
US12/984,351 US8113688B2 (en) | 2000-10-16 | 2011-01-04 | Configuration of multiple LED module |
US13/364,551 US8511855B2 (en) | 2000-10-16 | 2012-02-02 | Configuration of multiple LED module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10051159A DE10051159C2 (de) | 2000-10-16 | 2000-10-16 | LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10051159A1 DE10051159A1 (de) | 2002-05-02 |
DE10051159C2 true DE10051159C2 (de) | 2002-09-19 |
Family
ID=7659913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10051159A Expired - Lifetime DE10051159C2 (de) | 2000-10-16 | 2000-10-16 | LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7439549B2 (de) |
EP (2) | EP2337077A1 (de) |
JP (1) | JP4051281B2 (de) |
CN (1) | CN100431161C (de) |
DE (1) | DE10051159C2 (de) |
TW (1) | TW540163B (de) |
WO (1) | WO2002033756A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008038857A1 (de) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beleuchtungseinrichtung |
DE102010029227A1 (de) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtvorrichtung |
Families Citing this family (154)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7064749B1 (en) | 1992-11-09 | 2006-06-20 | Adc Technology Inc. | Portable communicator |
DE10038213A1 (de) * | 2000-08-04 | 2002-03-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung einer Linsensform |
DE10051159C2 (de) | 2000-10-16 | 2002-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle |
CA2488904A1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-24 | Lednium Pty Ltd | A lamp and method of producing a lamp |
DE10229067B4 (de) | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7880182B2 (en) * | 2002-07-15 | 2011-02-01 | Epistar Corporation | Light-emitting element array |
TWI249148B (en) * | 2004-04-13 | 2006-02-11 | Epistar Corp | Light-emitting device array having binding layer |
DE10234102A1 (de) * | 2002-07-26 | 2004-02-12 | Hella Kg Hueck & Co. | Leuchtdiodenanordnung |
KR100697803B1 (ko) | 2002-08-29 | 2007-03-20 | 시로 사카이 | 복수의 발광 소자를 갖는 발광 장치 |
DE10245933B4 (de) * | 2002-09-30 | 2013-10-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Einrichtung zur Erzeugung eines gebündelten Lichtstroms |
DE10245945A1 (de) | 2002-09-30 | 2004-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtquellenmodul sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10245930A1 (de) * | 2002-09-30 | 2004-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul |
MXPA05005658A (es) * | 2002-12-02 | 2005-08-16 | 3M Innovative Properties Co | Sistema de iluminacion que utiliza una pluralidad de fuentes luminosas. |
US7692206B2 (en) * | 2002-12-06 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | Composite leadframe LED package and method of making the same |
JP4124638B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2008-07-23 | 順一 島田 | Led照明システム |
DE20321622U1 (de) * | 2003-04-19 | 2008-07-17 | Leica Biosystems Nussloch Gmbh | Beleuchtungseinrichtung in einem Kryostat |
US6788541B1 (en) * | 2003-05-07 | 2004-09-07 | Bear Hsiung | LED matrix moldule |
US20050116635A1 (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-02 | Walson James E. | Multiple LED source and method for assembling same |
US20050116235A1 (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-02 | Schultz John C. | Illumination assembly |
US7403680B2 (en) * | 2003-12-02 | 2008-07-22 | 3M Innovative Properties Company | Reflective light coupler |
US7250611B2 (en) | 2003-12-02 | 2007-07-31 | 3M Innovative Properties Company | LED curing apparatus and method |
US7329887B2 (en) * | 2003-12-02 | 2008-02-12 | 3M Innovative Properties Company | Solid state light device |
DE10357673A1 (de) * | 2003-12-09 | 2005-07-28 | Infineon Technologies Ag | Montage- und Klebeschicht für Halbleiterbauelement |
US7456805B2 (en) * | 2003-12-18 | 2008-11-25 | 3M Innovative Properties Company | Display including a solid state light device and method using same |
US8723779B2 (en) * | 2004-01-26 | 2014-05-13 | Mcmaster University | Tiled optical fiber display |
DE102004009284A1 (de) * | 2004-02-26 | 2005-09-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdioden-Anordnung für eine Hochleistungs-Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdioden-Anordnung |
US20050225222A1 (en) * | 2004-04-09 | 2005-10-13 | Joseph Mazzochette | Light emitting diode arrays with improved light extraction |
US7804098B2 (en) | 2004-06-30 | 2010-09-28 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting element with a plurality of cells bonded, method of manufacturing the same, and light emitting device using the same |
JP2014116620A (ja) * | 2004-06-30 | 2014-06-26 | Seoul Viosys Co Ltd | 発光ダイオード |
KR100616595B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 및 이를 구비한 광원 |
JP2008508706A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光ダイオードアセンブリ |
KR100649494B1 (ko) * | 2004-08-17 | 2006-11-24 | 삼성전기주식회사 | 레이저를 이용하여 발광 다이오드 기판을 표면 처리하는발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 |
JP3802910B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-08-02 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
US7220040B2 (en) * | 2004-11-12 | 2007-05-22 | Harris Corporation | LED light engine for backlighting a liquid crystal display |
ATE511740T1 (de) * | 2004-12-09 | 2011-06-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Beleuchtungssystem |
US7821023B2 (en) * | 2005-01-10 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US9793247B2 (en) | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
KR101197046B1 (ko) * | 2005-01-26 | 2012-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광다이오드를 사용하는 2차원 광원 및 이를 이용한 액정표시 장치 |
DE102005009060A1 (de) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern |
WO2006103596A2 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Flexible led array |
DE602005024315D1 (de) * | 2005-03-31 | 2010-12-02 | Neobulb Technologies Inc | Hochleistungs-led-beleuchtungseinrichtung mit hohem thermischen diffusionsvermögen |
DE102005055997A1 (de) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Hieke, Bernhard | Homogene Lichtquelle |
KR100599012B1 (ko) | 2005-06-29 | 2006-07-12 | 서울옵토디바이스주식회사 | 열전도성 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법 |
DE102005055293A1 (de) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Dünnfilm-Halbleiterchip |
DE102005054955A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-04-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Modul, insbesondere zur Verwendung in einem optischen Projektionsgerät und optisches Projektionsgerät |
JP2007067313A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Sharp Corp | Ledバックライト装置及び該装置を備える画像表示装置 |
DE102005042066A1 (de) * | 2005-09-03 | 2007-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Hinterleuchtungsanordnung mit in Leuchtgruppen angeordneten Halbleiterlichtquellen |
JP2009512178A (ja) | 2005-11-04 | 2009-03-19 | パナソニック株式会社 | 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置 |
DE102006033893B4 (de) * | 2005-12-16 | 2017-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beleuchtungseinrichtung |
US7710045B2 (en) * | 2006-03-17 | 2010-05-04 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly with enhanced thermal conductivity |
US9335006B2 (en) | 2006-04-18 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED |
DE102007004303A1 (de) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund |
US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
TWI358580B (en) * | 2006-12-11 | 2012-02-21 | Chimei Innolux Corp | Backlight module and liquid crystal display device |
TWI341038B (en) * | 2006-12-18 | 2011-04-21 | Delta Electronics Inc | Electroluminescence module |
CN101652861B (zh) * | 2007-01-22 | 2013-01-23 | 科锐公司 | 容错发光体、包含容错发光体的系统以及制造容错发光体的方法 |
EP3223313B1 (de) | 2007-01-22 | 2021-04-14 | Cree, Inc. | Monolithischer lichtemitter mit mehreren lichtemittierenden teilvorrichtungen |
DE102007004304A1 (de) * | 2007-01-29 | 2008-07-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips |
KR100974923B1 (ko) * | 2007-03-19 | 2010-08-10 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
CN101325193B (zh) * | 2007-06-13 | 2010-06-09 | 先进开发光电股份有限公司 | 发光二极管封装体 |
US7683477B2 (en) * | 2007-06-26 | 2010-03-23 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including semiconductor chips having contact elements |
DE102007043183A1 (de) * | 2007-09-11 | 2009-04-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
US8066405B2 (en) * | 2007-10-25 | 2011-11-29 | Simon Jerome H | Lumenairs having structurally and electrically integrated arrangements of quasi point light sources, such as LEDs |
DE102007059133B4 (de) * | 2007-12-07 | 2023-04-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Substrat für ein LED-Submount, LED-Submount und LED-Lichtquelle |
US7655954B2 (en) * | 2007-12-17 | 2010-02-02 | Ledtech Electronics Corp. | Array type light-emitting device with high color rendering index |
DE102008003954A1 (de) * | 2008-01-11 | 2009-07-23 | Knorr-Bremse Systeme für Nutzfahrzeuge GmbH | Leiterbahnträger sowie Verfahren zur Herstellung eines Leiterbahnträgers |
DE102008029467A1 (de) * | 2008-06-20 | 2009-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement, Verwendung eines Halbleiterbauelements als Näherungssensor sowie Verfahren zum Detektieren von Objekten |
TWI376783B (en) * | 2008-08-25 | 2012-11-11 | Young Green Energy Co | Electronic assembly and backlight module |
DE102008049188A1 (de) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat und einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen und Verfahren zu dessen Herstellung |
US9425172B2 (en) * | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
DE102008057347A1 (de) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung |
JP2010171289A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Oki Data Corp | 画像表示装置 |
JP2010212508A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Sony Corp | 発光素子実装用パッケージ、発光装置、バックライトおよび液晶表示装置 |
JP2010231938A (ja) | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Led照明装置 |
US8592830B2 (en) * | 2009-04-13 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | LED unit |
DE102009022071A1 (de) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Kühlkörper für eine Leuchtvorrichtung |
JP2011009298A (ja) | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード光源装置 |
JP2011040494A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
US8598809B2 (en) | 2009-08-19 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | White light color changing solid state lighting and methods |
CN102026437A (zh) * | 2009-09-21 | 2011-04-20 | 严钱军 | 模块式交流led发光电路 |
US8264155B2 (en) * | 2009-10-06 | 2012-09-11 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices providing visible alert signals in general illumination applications and related methods of operation |
US8350500B2 (en) * | 2009-10-06 | 2013-01-08 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including thermal management and related methods |
BR112012014093B1 (pt) | 2009-12-09 | 2020-09-29 | Interdigital Ce Patent Holdings | Dispositivo eletrônico tendo microperfurações |
US8511851B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | High CRI adjustable color temperature lighting devices |
JP5655302B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2015-01-21 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置 |
BR112012021430A2 (pt) | 2010-02-25 | 2020-07-14 | Thomson Licensing | estojo de resfriamento radiante radioativo multicamada miniatura com prendedores de liberação rápida ocultos |
US20110261847A1 (en) * | 2010-04-27 | 2011-10-27 | Chou Hsi-Yan | Light emitting devices |
CN103262675B (zh) | 2010-05-19 | 2016-03-30 | 汤姆森特许公司 | 能散失热负荷的机顶盒 |
DE102010026344A1 (de) | 2010-07-07 | 2012-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiode |
TWI451596B (zh) * | 2010-07-20 | 2014-09-01 | Epistar Corp | 一種陣列式發光元件 |
KR101735571B1 (ko) | 2010-08-20 | 2017-05-16 | 삼성전자주식회사 | 방열 재료, 상기 방열 재료로 만들어진 접합부를 포함하는 발광 다이오드 패키지 |
US9171883B2 (en) * | 2010-08-30 | 2015-10-27 | Epistar Corporation | Light emitting device |
DE102010048159B4 (de) * | 2010-10-11 | 2023-10-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtdiodenchip |
CN102062312A (zh) * | 2010-11-01 | 2011-05-18 | 上海宏源照明电器有限公司 | 半导体发光结构以及半导体光源 |
KR101049698B1 (ko) * | 2010-11-02 | 2011-07-15 | 한국세라믹기술원 | Led 어레이 모듈 및 이의 제조방법 |
JP5841325B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2016-01-13 | 宏 二宮 | ベアチップ実装面発光体 |
US9786811B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-10-10 | Cree, Inc. | Tilted emission LED array |
KR20140061299A (ko) | 2011-03-09 | 2014-05-21 | 톰슨 라이센싱 | 스냅-인 히트 싱크 및 스마트 카드 판독기를 갖는 셋톱 박스 또는 서버 |
US20120257374A1 (en) * | 2011-04-05 | 2012-10-11 | Futur-Tec (Hong Kong) Limited | Led lamp |
CN102182945B (zh) * | 2011-04-15 | 2013-10-16 | 青岛海泰新光科技有限公司 | 一种led荧光激发光源及led激发荧光的方法 |
US20120269520A1 (en) * | 2011-04-19 | 2012-10-25 | Hong Steve M | Lighting apparatuses and led modules for both illumation and optical communication |
DE102011077614B4 (de) * | 2011-06-16 | 2023-08-17 | Osram Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Leuchtvorrichtung und Leuchtvorrichtung |
US10842016B2 (en) | 2011-07-06 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management |
USD700584S1 (en) | 2011-07-06 | 2014-03-04 | Cree, Inc. | LED component |
KR20140041701A (ko) | 2011-07-14 | 2014-04-04 | 톰슨 라이센싱 | 히트 싱크를 유지하기 위한 홀드다운 고정구를 갖는 스마트 카드 리더와 스냅인 히트 싱크를 구비한 셋톱박스 |
CN102913803B (zh) * | 2011-08-03 | 2015-10-07 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管灯条 |
KR101205528B1 (ko) | 2011-08-04 | 2012-11-27 | 서울옵토디바이스주식회사 | 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
DE102011080705A1 (de) | 2011-08-09 | 2013-02-14 | Osram Ag | Verbindungselement für ein Multichipmodul und Multichipmodul |
KR101945532B1 (ko) | 2011-08-16 | 2019-02-07 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 슬롯에 형성된 반사 벽을 갖는 led 혼합 챔버 |
JP2013042036A (ja) * | 2011-08-18 | 2013-02-28 | Toshiba Corp | 発光装置 |
US20140247596A1 (en) * | 2011-10-10 | 2014-09-04 | Polybrite International, Inc. | Led pattern display lamp |
US8581267B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-11-12 | Toshiba Techno Center Inc. | Series connected segmented LED |
US8646505B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-02-11 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head |
US8426227B1 (en) | 2011-11-18 | 2013-04-23 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro light emitting diode array |
US8573469B2 (en) | 2011-11-18 | 2013-11-05 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer |
US8349116B1 (en) | 2011-11-18 | 2013-01-08 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
US20130154123A1 (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-20 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor Device and Fabrication Method |
US9773750B2 (en) | 2012-02-09 | 2017-09-26 | Apple Inc. | Method of transferring and bonding an array of micro devices |
US9548332B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack |
US9162880B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Mass transfer tool |
DE102012108719A1 (de) * | 2012-09-17 | 2014-03-20 | Alanod Gmbh & Co. Kg | Reflektor, Beleuchtungskörper mit einem derartigen Reflektor und Verwendung eines Basismaterials zu dessen Herstellung |
JP6197990B2 (ja) * | 2013-05-30 | 2017-09-20 | 東芝ライテック株式会社 | ランプ装置および照明器具 |
US20160329173A1 (en) | 2013-06-12 | 2016-11-10 | Rohinni, LLC | Keyboard backlighting with deposited light-generating sources |
KR101381987B1 (ko) * | 2013-06-12 | 2014-04-10 | 서울바이오시스 주식회사 | 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
US9296111B2 (en) | 2013-07-22 | 2016-03-29 | LuxVue Technology Corporation | Micro pick up array alignment encoder |
US9087764B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-07-21 | LuxVue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation |
US9153548B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-10-06 | Lux Vue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation |
DE102013111120A1 (de) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip und Verfahren zum Vereinzeln eines Verbundes in Halbleiterchips |
JP6276557B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2018-02-07 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
US9367094B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-06-14 | Apple Inc. | Display module and system applications |
US9768345B2 (en) | 2013-12-20 | 2017-09-19 | Apple Inc. | LED with current injection confinement trench |
US9583466B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-28 | Apple Inc. | Etch removal of current distribution layer for LED current confinement |
US9450147B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-09-20 | Apple Inc. | LED with internally confined current injection area |
US9542638B2 (en) | 2014-02-18 | 2017-01-10 | Apple Inc. | RFID tag and micro chip integration design |
US9583533B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-02-28 | Apple Inc. | LED device with embedded nanowire LEDs |
US9522468B2 (en) | 2014-05-08 | 2016-12-20 | Apple Inc. | Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance |
US9318475B2 (en) | 2014-05-15 | 2016-04-19 | LuxVue Technology Corporation | Flexible display and method of formation with sacrificial release layer |
US9741286B2 (en) | 2014-06-03 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Interactive display panel with emitting and sensing diodes |
US9624100B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-04-18 | Apple Inc. | Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements |
US9570002B2 (en) | 2014-06-17 | 2017-02-14 | Apple Inc. | Interactive display panel with IR diodes |
US9425151B2 (en) | 2014-06-17 | 2016-08-23 | Apple Inc. | Compliant electrostatic transfer head with spring support layer |
US10062672B2 (en) * | 2014-07-23 | 2018-08-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light source module |
CN104183606A (zh) * | 2014-08-07 | 2014-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
US9828244B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-11-28 | Apple Inc. | Compliant electrostatic transfer head with defined cavity |
US9705432B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-07-11 | Apple Inc. | Micro pick up array pivot mount design for strain amplification |
US9478583B2 (en) | 2014-12-08 | 2016-10-25 | Apple Inc. | Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate |
JP6611036B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2019-11-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及び照明用光源 |
WO2017124109A1 (en) | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Rohinni, LLC | Apparatus and method of backlighting through a cover on the apparatus |
CN211045429U (zh) * | 2016-07-15 | 2020-07-17 | 3M创新有限公司 | 柔性多层构造以及lesd封装 |
JP6850112B2 (ja) | 2016-11-28 | 2021-03-31 | 株式会社ディスコ | Led組み立て方法 |
KR102029533B1 (ko) * | 2017-07-04 | 2019-10-07 | 주식회사콘스탄텍 | 마이크로 발광소자 및 이를 이용한 풀컬러 디스플레이 장치 |
KR102029636B1 (ko) * | 2019-08-29 | 2019-10-07 | 주식회사콘스탄텍 | 마이크로 발광소자 및 이를 이용한 풀컬러 디스플레이 장치 |
TWI728583B (zh) * | 2019-12-03 | 2021-05-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型元件結構與微型元件顯示裝置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19828970C2 (de) * | 1998-06-29 | 2000-05-18 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung und Vereinzelung von Halbleiter-Lichtemissionsdioden |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4472246A (en) | 1982-08-20 | 1984-09-18 | Ashland Oil, Inc. | Process for recovery of amine from spent acid stripping liquor |
DE3230975A1 (de) | 1982-08-20 | 1984-02-23 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Kraftfahrzeugleuchte aus leuchtdioden oder leuchtdiodenchips |
US5184114A (en) * | 1982-11-04 | 1993-02-02 | Integrated Systems Engineering, Inc. | Solid state color display system and light emitting diode pixels therefor |
CA1233282A (en) * | 1985-05-28 | 1988-02-23 | Brent W. Brown | Solid state color display system and light emitting diode pixels therefor |
JPS6233489A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 発光装置 |
US4866505A (en) * | 1986-03-19 | 1989-09-12 | Analog Devices, Inc. | Aluminum-backed wafer and chip |
US4774434A (en) * | 1986-08-13 | 1988-09-27 | Innovative Products, Inc. | Lighted display including led's mounted on a flexible circuit board |
KR880014692A (ko) * | 1987-05-30 | 1988-12-24 | 강진구 | 반사경이 부착된 반도체 발광장치 |
JPS6486573A (en) | 1987-07-17 | 1989-03-31 | Oshima Denki Co | Light emitting device |
JP2708183B2 (ja) * | 1988-07-21 | 1998-02-04 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
JPH02119194A (ja) | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Hitachi Ltd | 光電子装置 |
CN1055014A (zh) * | 1990-03-17 | 1991-10-02 | 西安电子科技大学 | 低温光化学气相淀积二氧化硅、氮化硅薄膜技术 |
US5008788A (en) * | 1990-04-02 | 1991-04-16 | Electronic Research Associates, Inc. | Multi-color illumination apparatus |
JPH0459167A (ja) | 1990-06-29 | 1992-02-26 | Nippon Rootarii Nozuru Kk | 溶湯容器の摺動ノズル及び摺動ノズル用プレート |
US5446620A (en) * | 1990-08-01 | 1995-08-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
JPH04116960A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路装置 |
US5684523A (en) * | 1990-11-15 | 1997-11-04 | Ricoh Company, Ltd. | Optical line printhead and an LED chip used therefor |
JP3120450B2 (ja) | 1990-11-30 | 2000-12-25 | 岩崎電気株式会社 | 多色発光ダイオード及び多色発光ダイオード表示板 |
US5300788A (en) * | 1991-01-18 | 1994-04-05 | Kopin Corporation | Light emitting diode bars and arrays and method of making same |
US5226723A (en) * | 1992-05-11 | 1993-07-13 | Chen Der Jong | Light emitting diode display |
JPH0664226A (ja) | 1992-08-20 | 1994-03-08 | Kyocera Corp | 光プリンタヘッド |
GB2276032B (en) * | 1993-03-08 | 1997-04-16 | Prp Optoelectronics Limited | High intensity light source |
US5483085A (en) * | 1994-05-09 | 1996-01-09 | Motorola, Inc. | Electro-optic integrated circuit with diode decoder |
US5632551A (en) * | 1994-07-18 | 1997-05-27 | Grote Industries, Inc. | LED vehicle lamp assembly |
US5660461A (en) * | 1994-12-08 | 1997-08-26 | Quantum Devices, Inc. | Arrays of optoelectronic devices and method of making same |
JPH09199756A (ja) | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Toshiba Corp | 反射型光結合装置 |
EP0856202A2 (de) * | 1996-06-11 | 1998-08-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Sichtbares licht emittierende vorrichtungen mit einer uv-licht emittierenden diode und einem uv-licht anregbaren, sichtbares licht emittierenden leuchtstoff und herstellungsverfahren |
JPH1086573A (ja) | 1996-09-10 | 1998-04-07 | Komushisu:Kk | カートリッジフィルム保存ファイル |
US5857767A (en) * | 1996-09-23 | 1999-01-12 | Relume Corporation | Thermal management system for L.E.D. arrays |
WO1998036455A1 (en) * | 1997-02-12 | 1998-08-20 | Peter Anthony Fry Herbert | A diode array |
US6583444B2 (en) * | 1997-02-18 | 2003-06-24 | Tessera, Inc. | Semiconductor packages having light-sensitive chips |
JP3572924B2 (ja) * | 1997-03-06 | 2004-10-06 | 松下電器産業株式会社 | 発光装置及びそれを用いた記録装置 |
JPH10254386A (ja) | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Sony Corp | カラー画像表示装置 |
US6441943B1 (en) * | 1997-04-02 | 2002-08-27 | Gentex Corporation | Indicators and illuminators using a semiconductor radiation emitter package |
US6476551B1 (en) * | 1998-01-30 | 2002-11-05 | Ricoh Company, Ltd. | LED array head and minute reflection optical elements array for use in the LED array head |
JP4208988B2 (ja) | 1998-02-05 | 2009-01-14 | 株式会社日本メディックス | 干渉低周波治療器 |
DE29805392U1 (de) * | 1998-03-25 | 1999-08-05 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Optoelektronische Baugruppe |
JP2000031546A (ja) | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | Led集合体モジュール |
JP3519285B2 (ja) * | 1998-09-28 | 2004-04-12 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
US6254262B1 (en) * | 1998-11-27 | 2001-07-03 | Crunk Paul D | Signaling lamp having led light array with removable plastic lens |
JP3681306B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2005-08-10 | 沖電気工業株式会社 | 発光素子アレイ、ledアレイ及び電子写真プリンタ |
DE10038213A1 (de) * | 2000-08-04 | 2002-03-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung einer Linsensform |
DE10051159C2 (de) * | 2000-10-16 | 2002-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle |
JP4876319B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2012-02-15 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
US7001057B2 (en) * | 2001-05-23 | 2006-02-21 | Ivoclar Vivadent A.G. | Lighting apparatus for guiding light onto a light polymerizable piece to effect hardening thereof |
-
2000
- 2000-10-16 DE DE10051159A patent/DE10051159C2/de not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-10-09 EP EP11159384A patent/EP2337077A1/de not_active Withdrawn
- 2001-10-09 EP EP01987949.3A patent/EP1328976B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-09 WO PCT/DE2001/003858 patent/WO2002033756A1/de active Application Filing
- 2001-10-09 JP JP2002537055A patent/JP4051281B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-09 CN CNB018174647A patent/CN100431161C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-15 TW TW090125413A patent/TW540163B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-04-16 US US10/414,739 patent/US7439549B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-10-20 US US12/288,376 patent/US7862211B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-04 US US12/984,351 patent/US8113688B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-02-02 US US13/364,551 patent/US8511855B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19828970C2 (de) * | 1998-06-29 | 2000-05-18 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung und Vereinzelung von Halbleiter-Lichtemissionsdioden |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008038857A1 (de) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beleuchtungseinrichtung |
DE102010029227A1 (de) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtvorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1328976B1 (de) | 2015-12-09 |
WO2002033756A1 (de) | 2002-04-25 |
JP4051281B2 (ja) | 2008-02-20 |
US7862211B2 (en) | 2011-01-04 |
US8511855B2 (en) | 2013-08-20 |
CN1470072A (zh) | 2004-01-21 |
EP2337077A1 (de) | 2011-06-22 |
US20120134154A1 (en) | 2012-05-31 |
DE10051159A1 (de) | 2002-05-02 |
TW540163B (en) | 2003-07-01 |
US20030178627A1 (en) | 2003-09-25 |
US20110095311A1 (en) | 2011-04-28 |
CN100431161C (zh) | 2008-11-05 |
US7439549B2 (en) | 2008-10-21 |
US8113688B2 (en) | 2012-02-14 |
US20090052178A1 (en) | 2009-02-26 |
EP1328976A1 (de) | 2003-07-23 |
JP2004512687A (ja) | 2004-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10051159C2 (de) | LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle | |
DE102011115314B4 (de) | LED-Modul | |
EP2002176B1 (de) | Optoelektronischer frontscheinwerfer | |
DE112016002349T5 (de) | Lichtemissionseinrichtung und Fahrzeuglampe mit dieser | |
EP2901479B1 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
DE112010002822T5 (de) | Gehäuse für licht emittierende dioden | |
DE112011103147T5 (de) | Multi-Chip-LED-Vorrichtungen | |
DE10245930A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul | |
DE112011101981T5 (de) | Oberflächenemittierende LED mit hoher Spannung und niedrigem Strom | |
DE102007011123A1 (de) | Licht emittierendes Modul und Herstellungsverfahren für ein Licht emittierendes Modul | |
DE102014118238A1 (de) | Licht emittierende Vorrichtung, dieselbe beinhaltende Beleuchtungsvorrichtung und Montiersubstrat | |
DE102012108763B4 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und lichtquelle mit dem optoelektronischen halbleiterchip | |
DE112015005127B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils | |
WO2008101525A1 (de) | Leuchtmittel | |
DE102016102778A1 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung | |
DE102008047104A1 (de) | Leuchtdiodenchip und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102016119539A1 (de) | Licht emittierender Halbleiterchip und Licht emittierende Vorrichtung | |
DE102015107593A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip und Leuchtmittel | |
DE102016103552A1 (de) | Modul für eine Leuchte | |
DE102017102619B4 (de) | LED-Einheit und LED-Modul | |
DE102018125281A1 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
DE102020134932A1 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung, Lichtquellenmodul und Herstellungsverfahren für eine lichtemittierende Vorrichtung | |
DE102006049081A1 (de) | Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen | |
DE102018114842A1 (de) | Lichtemissionsvorrichtung, Beleuchtungseinrichtung und Montageplatte | |
DE102017100705B4 (de) | Beleuchtungsvorrichtung und Betriebsverfahren für eine solche Beleuchtungsvorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH, 93049 REGENSBURG, |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right |