CN1954167A - 半导体器件制造设备部件的杂质减少系统、装置和方法 - Google Patents

Abstract

一种半导体器件制造设备部件(82、84、86)的杂质减少系统、装置和方法，其特征在于，一与多个入口(22)流体地连通的具有一通道(14)的歧管(12)，以及将一清洗流体提供到可拆装地连接的部件，使其进行杂质减少。入口连接到多个与部件可拆装地连接的歧管阀(30)。歧管阀可进行操作使连接的部件可与入口和通道作和不作流体连通。一流体源(20)将清洗流体供应到歧管，而一泵(32)连接到歧管以便自系统中移除流体。在一实施例中，一炉(46)连接到系统以便除气和减少部件内的潮气。

Description

半导体器件制造设备部件的杂质减少系统、装置和方法

技术领域

本发明大体涉及一种半导体器件制造设备，具体来说，涉及半导体器件制造设备部件的杂质减少系统、装置和方法。

背景技术

半导体器件制造设备在操作之前、操作期间和/或之后易于通过，例如吸附和吸收，积聚杂质。该些杂质包括，例如潮气、氧气、大气或任何其它的气体。可能的杂质源是过程气体以及大气。就算通过本领域内公知的清洗过程清洗的部件，或崭新的部件都易于积聚杂质。因此，除了过程气体之外，半导体器件制造设备的部件也成了一杂质源。部件上的杂质是人们所不希望的，其原因至少在于，杂质会降低制造出的半导体器件的质量，并降低制造过程的效率。

当半导体器件制造方法涉及在一化学蒸发沉淀(CVD)反应器中将外延生长的硅锗(SiGe)沉淀在一硅基底上时，存在于CVD反应器中的氧通常会在SiGe沉淀过程中混合到SiGe薄膜中。用来沉淀SiGe的CVD反应室内的氧水平的提高会对形成在CVD反应室内的SiGe膜产生很多问题。在这些问题中，有SiGe p型基的薄层电阻增大，以及晶体质量变差。

此外，当诸如氧之类的吸收或吸附杂质的量增加时，为了在SiGe膜内的氧含量达到可接受的水平，反应器必须脱机的时间通常会增加。当反应器脱机时，它被拆卸以去除杂质、重新组装，然后进行调试。反应器脱机时间越长，则制造的成本效益就越低，因为一脱机的反应器不能用于制造半导体芯片。

再者，反应器部件内的杂质水平的提高可导致反应器提前失效和降低反应器寿命。

因此，本发明的一个目的是提供一种半导体器件制造设备部件中的杂质减少或消除系统、方法和装置。

本发明的另一目的是降低或消除半导体器件制造设备组件上的杂质。

本发明的还有另一目的是提高用半导体器件制造设备制造的半导体器件的质量。

本发明另外目的是缩短预防性的维护恢复时间、过程恢复时间，以及平均修复时间(MTTR)，以及提高平均中断间隔时间(MTBI)和平均清洗间隔时间(MTBC)。

发明内容

上述和其它的目的通过一种方法、系统和装置达成，在一示范性的实施例中，其特征在于一与多个部件连在一起的歧管，以使它们可有选择地置于和脱开流体通道，其具有的流体，诸如一清洗流体被引入一主通道内以减少存在于部件表面上的杂质量。该清洗流体可包括一选自多种不同类型气体的气体，其包括氮气。清洗流体可以是惰性的。歧管具有一对覆盖端、一主通道、多个与主通道流体连通的入口、与多个入口连接的歧管阀，其可与半导体器件的制造设备部件连接，以及一在最靠近覆盖端的入口的下游部位与该歧管连接的排出接头。在该系统中，其中一个覆盖端与一流体源连接，而排出接头则与一泵连接，该泵在真空下将引入到歧管内的流体泵出歧管。本发明的叙述中所涉及的术语“真空”一词意味着一低压的环境。

在一实施例中，该系统和装置还包括多个帽，它们可连接到歧管阀和一种进行杂质减少的具有一对开口的部件。当一具有两个开口的部件，诸如一球阀或一压力控制阀连接到一歧管阀以减少杂质时，部件的一端在一具有一第一开口的端部与歧管阀连接，而部件的具有一第二开口的另一端戴有一帽以通过阻止大气的微粒进入到部件和歧管来保持歧管内的真空。如果部件是一转动组件，则转动组件的包括一开口的一端与歧管阀连接，而另一端通常是已关闭的，因此无需一帽。如果一部件未与一特定的歧管阀连接，则未覆盖的歧管阀开口可戴帽以在歧管阀处于一打开位置时维持系统内的真空。

可使该些帽子与帽阀连接。当歧管在使用时，真空通常存在于系统内。当部件要从歧管移去时，可打开帽阀以缓慢地让空气进入部件并将部件通气到大气。

在另一实施例中，该系统包括一与泵连接的炉，以便对半导体器件制造设备的部件进行除气。

在操作时，一诸如氮气那样的清洗流体被引入到歧管内。氮气，尤其是引入真空的氮气有助于将氧气自部件的表面移除。进行杂质减少的部件与歧管阀连接。在一实例中，三组部件在开口处与歧管阀连接(各组包括两个相同类型的部件，各部件具有至少一个开口)。例如，将两个转动组件、两个球阀和两个压力控制阀连接到系统的歧管阀。歧管的入口可向下以便连接到一转动组件将要连接的一歧管阀上，或可向前以便连接到一球阀或压力控制阀将要连接的一歧管阀上。如上所述，歧管阀和部件可戴帽以保持系统内的真空。流体被引入到歧管的主通道内并通过歧管入口及连接的处于打开位置的歧管阀而分散到部件的内表面上。流体通过连接到泵的排出管被泵出部件、入口和歧管阀外。当部件进行杂质减少时，另外的部件可设置在炉内以便除气。当部件进行杂质减少后，可自系统中移除并备用。

本发明装置和系统的优点至少在于，其减少存在于半导体器件制造设备部件的表面上的诸如氧那样的杂质的数量。部件内的氧的减少将导致由设备制造的半导体器件质量的提高。

此外，本发明每次可减少一个以上部件和一种以上类型部件的杂质。这些部件可连接到歧管阀上、位于炉内，或两者皆可。

此外，用本发明的系统、装置和方法来减少部件上的杂质使得往后的杂质去除更容易。因此，预防性的维护恢复时间、过程恢复时间，以及平均修复时间(MTTR)都减少。此外，如果采用本发明实现杂质减少，则半导体器件制造设备不再需要像以前那样频繁维修，所以，平均中断间隔时间(MTBI)和平均清洗间隔时间(MTBC)会延长。

本发明的系统和装置可结合半导体器件制造设备部件使用以用于好几种不同类型的半导体过程，其包括，例如SiGe、EPI、薄膜、扩散、蚀刻以及植入过程等。

附图说明

图1是本发明系统的立体图。

图2是图1系统的一部分的前视图。

图3是图1系统的一部分的俯视图。

图4是图1系统的一框架的立体图。

图5a是图1系统的一歧管的立体图。

图5b是图2a歧管的前视图。

图5c是图2b歧管的俯视图。

图6a是图1系统的局部立体图。

图6b是图6a的分解图。

图7a是图1系统的另一局部立体图。

图7b是图7a的分解图。

具体实施方式

参照图1，可见一作为本发明的系统10的特征的歧管12。参看图1和图5a-c，该歧管12是，例如一不锈钢管，其长度为，例如178cm(70 1/8英寸)。歧管12包括一以第一和第二覆盖端16和18(图5a未示出帽18)覆盖的主内部通道14，第一覆盖端16看来类似于覆盖端18，除了其具有一与一流体源20连接的开口(图中未示)，多个设置在覆盖端16和18之间并与主通道14流体连通的入口22a-22g，以及一靠近第二覆盖端18并在多个入口22a-22g的下游设置的排出接头24，该排出接头24与主通道14和入口22a-22g流体连通。覆盖端16包括凸缘26a，而覆盖端18包括凸缘26b。例如，凸缘26a和26b为NW100凸缘。在一实施例中，各入口22长约5cm(2英寸)，并具有一凸缘，例如一NW40凸缘，其具有一直径约为4cm(1.6英寸)的开口。在一实施例中，排出接头24长约8.9cm(3 1/2英寸)，并具有一直径约为5cm(1.97英寸)的开口。流体源20通过流体供应管28与第一覆盖端的开口连接。

参照图1-3，多个歧管阀30a-30g分别与歧管入口22a-22g连接。歧管阀30a-30g可通过凸缘连接或凸缘接头69a-69g(图2和3)与入口22a-22g连接。歧管阀具有手柄39a-39g(图1)以进行操作以使歧管12和连接的部件可与入口22和主通道14作和不作流体连通。该些歧管阀30例如可以为球阀。每一歧管阀30具一与多个入口22a-22g的其一连接的第一端，以及一可与一部件可拆装地连接的第二端。

参照图1，一泵32，例如一低真空泵，可通过一管道34与排出接头24连接。也可使用其它减压装置以在歧管内提供一降低的压力。一管道阀36可操作来使排出接头24与管道34和泵32作和不作流体连通。一主泵控制器42，例如，一EBARAA70WLCD控制器(由位于日本Fujisawa的Ebara公司制造)可设置在泵体40上作为接口盒41的一部分。有助于该泵32的运输的轮子44可与泵体40连接。一副泵控制器52，例如一EBARAA70WLCD控制器可设置在炉46的一顶面54上。一使用者可选择通过该主或副控制器控制该泵。

在一实施例中，该系统包括一通过管道47与泵32连接的炉46。该炉46可为，例如为一真空干燥和除气炉，如一由Oven Technology Incorporated(Albuquerque，New Mexico)制造的炉。炉46包括用来打开通向炉室(图中未示)的炉门50的柄48。炉还包括一控制器，其未在此示出。半导体制造设备部件，诸如O形环和包括石英、不锈钢或碳化硅(图中未示)的内部腔室部件可放置在炉腔内，以便进行干燥和除气。炉46通过管道47连接到泵32，管道47又连接到管道34。管道47包括一阀43，其可使该炉与泵32作和不作流体连通。该炉由形成框架56的一部分的底座件54支承(图4)。

参照图4，该示范性的框架56还包括立柱58和框架件60。框架件60a-60f通过连接件62连接。在一实施例中，连接件是螺栓。框架56为，例如为钢质。可使用诸如加特种元素钢的钢材，包括电镀钢或Unistrut(由Unistrut，Wayne，MI制造)。位于立柱58下面的脚64帮助分布系统10的载荷。歧管12插入在分别与框架件60a-60d连接的夹头66a-66d内。夹头66支承该歧管12。在一实施例中，框架56高143cm(56 3/8英寸)，宽56cm(22 1/8英寸)以及长139cm(54 3/4英寸)。在最宽之处，框架56宽度为，例如67cm(26 3/16英寸)。在一实施例中，从夹头中心量起，夹头66设置的位置离框架件60e为29cm(11 7/16英寸)。也可采用其它框架尺寸。

参照图1和4，可见一利用支架68来支承的调节自该流体源20输出的流体的压力的流量调节器70(图1)。在一实例中，流量调节器70是TESCOM64-2600系列调节器(由Tescom Corp.，Elk River，MN制造)。一柱子72(图1)用来支承一流量控制器74，该控制器74控制流体的流动。在一实例中，柱子72的高度约为37.5cm(14 3/4英寸)。流体源20通过供应管28连接到流量调节器70。流量调节器70通过供应管28连接到流量控制器74，供应管28可以，例如串联。供应管28连接到覆盖端16的开口。支架76支承一Mini converctron电源78(由Granville Phillips，Longmont，CO制造)。该设置在歧管12上的Mini Convectron Module80可测量歧管12的压力。

参照图5a-5c，歧管入口22a-22g彼此隔开以容纳各种类型和尺寸的半导体器件制造设备组件。例如入口22a-22g可相隔开以连接不同类型的部件。在一实施例中，入口22a和22b从各个入口的一中心点量起可相隔约25.4cm(10英寸)。这样的间距使诸如一对将在下文中描述的转动组件82a和82b(图1)的一对半导体器件制造设备部分可以连接。成对的入口，例如，入口22b和22c、22c和22d、22d和22e、22e和22f，以及22f和22g从各对入口的其中一入口的一中心点量起到成对中的下一入口的一中心点为止可相隔，例如22.4cm(8 13/16英寸)。一对入口之间的间距使各种部件可连接到对应的入口。参照图1，入口22a和22b之间的间距使一对部件，例如，一对转动组件82a和82b可连接到入口22a和22b。入口22b和22c之间的间距允许一对部件，例如，转动组件82b和一压力控制阀84a分别连接到入口22b和22c。入口22c和22d之间的间距允许一对部件，例如，压力控制阀84a和压力控制阀84b连接到入口22c和22d。入口22d和22e之间的间距允许一对部件，例如，压力控制阀84b和一球阀控制阀86a分别连接到入口22d和22e。入口22e和22f之间的间距允许一对部件，例如，球阀86a和一球阀86b分别连接到入口22e和22f。入口22f和22g之间的间距允许一对部件分别连接到各个入口。图1中的实施例示出连接到入口22f的球阀86b和连接到入口22g的一帽134e。如果不用帽，一部件可连接到入口22f。

连接到各入口的部件类型可以不同。该些入口之间的间距应足以容纳要求的部件。入口可以如入口22a和22b那样朝向下，或如入口22c-22g那样朝向前。入口22的间距和定向有助于容纳一组或多组部件。

来自半导体器件制造设备的一个或多个部件或多组部件组可在一单一时间内进行杂质减少。在图1的实例中，三组部件，各组包括两个部件，即，一个转动组件82、一个压力控制阀84之一和一腔室球阀86，连接到歧管以便进行杂质减少。在图1所示的实例中，朝向下的入口22a和22b可专用于转动组件的附连。然而，在实例中，与入口22c-22g连接的部件可在这些入口处互换位置。

另外的具有一表面，例如，一内表面，以及至少一个通向表面的开口的半导体器件制造设备部件可与歧管阀连接以便进行杂质减少。术语“表面”可用来包括进行杂质减少的部件的任何表面。

入口22a与凸缘26a相隔，例如从入口中心点量起为11.7cm(4 5/8英寸)。入口22g与凸缘26b相隔，例如从入口中心点量起为26.7cm(10 1/2英寸)。排出接头24与凸缘26b相隔，例如从排出接头中心点量起为9.68cm(3 13/16英寸)。

参照图1-3，图中示出了六个与各种部件连接的歧管阀30a-30g。以代表形式显示的转动组件82a和82b分别在各个转动组件的一通向转动组件的内表面的开口处与歧管阀30a和30b连接。转动组件82a和82b包括相同的元件并以相同的方式连接到歧管12，因此，将只相对一个转动组件来说明该些元件和连接。

参照图6a，歧管阀30a的一端与朝向下的入口22a连接，而另一端则与转动组件82a连接。朝向下的入口22a有助于转动组件82a与歧管阀30a的连接，因为该朝向下的入口可支承该转动组件的一特定形状。

参照图6a和6b，转动组件82a包括一转动组件本体96。一转动组件杯98具有一开口83，其贯穿该杯到该转动组件的一内表面以进行杂质减少，该转动组件杯98与本体96的一顶面100连接。转动组件凸缘97与该杯98连接。

仍参照图6a-6b，可见该转动组件82a通过，例如配件120和球接头102与歧管阀30a连接。配件120分别通过凸缘接头121和123，在一端与球接头102连接以及在另一端与歧管阀30a连接。配件120通过管道124连接到阀122。球接头102包括一带有螺栓开口106的球接头凸缘104、一阳连接器108，以及凸缘110，其可为，例如一KF凸缘。阳连接器一端插入在转动组件82a的转动组件杯98的开口83内。阳连接器的另一端插入球接头凸缘开口112和凸缘110。螺栓114插入球接头凸缘的开口106和转动组件凸缘97的槽118，以将球接头固定到转动组件杯98。可使用其它类型的连接包括其它的可转动的接头将每一转动组件连接到其中一个歧管阀。

参照回图1，以表象形式示出的压力控制阀84a和84b分别通过歧管阀30c和30d连接到歧管12。参阅图7a和7b，图中详细示出了压力控制阀84b与歧管12的连接。压力控制阀84a包括与压力控制阀84b相同的部件并以与压力控制阀84b相同的方式连接到歧管12，因此，部件和歧管12与腔室球阀的连接将只相对其中一个压力控制阀作详细描述。部件和压力控制阀84b与歧管12的连接描述如下。如图7b所示，压力控制阀84b在一通向一内表面90的压力控制阀的第一开口88与歧管阀30d连接。除了第一开口88，压力控制阀84b还包括一通向内表面90的第二开口126。压力控制阀84b的与歧管阀30d连接的端部靠近其的第一开口88并包括一凸缘77。歧管阀30d还包括一凸缘79，其与凸缘77形成一凸缘连接或凸缘接头155(图7a)。凸缘连接是，例如一KF40凸缘连接。

压力控制阀84b的第二开口126在系统操作过程中关闭，以防止流体诸如大气中的微粒进入系统，从而允许系统在真空下操作。具体来说，帽组件135b的帽134b在系统操作过程中关闭开口126(图7b)。帽134b包括一凸缘130，其与一位于压力控制阀84b的靠近第二开口126的一端上的凸缘133形成一凸缘连接151(图7a)，并可包括一金属材料。

以表象形式示出的腔室球阀86a和86b分别通过歧管阀30e和30f连接到歧管12(图1)。参照图7a和图7b，图中详细示出了腔室球阀86a与歧管12的连接。腔室球阀86a和86b包括相同的部件并以相同的方式连接到歧管12，因此，部件和与腔室球阀的歧管12的连接将只相对其中一个腔室球阀作详细描述。部件和腔室球阀86a与歧管12的连接描述如下。如图7b所示，腔室球阀86a在一通向一内表面94的腔室球阀的第一开口92与歧管阀30e连接。除了第一开口92，腔室球阀86a还包括一通向内表面94的第二开口128。腔室球阀86a的与歧管阀30e连接的端部靠近腔室球阀86a的第一开口92并包括一凸缘93。歧管阀包括一凸缘95，其与凸缘93形成一凸缘连接或凸缘接头157(图7a)。凸缘连接是，例如一KF40凸缘连接。

腔室球阀86a的第二开口128在系统操作过程中关闭，以防止流体逸出系统，并允许系统在真空下操作。具体来说，帽组件135c的帽134c在系统操作过程中关闭开口128。帽134c包括一凸缘132，其与一位于腔室球阀86a的靠近第二开口128的一端上的凸缘135形成一凸缘连接153(图7a)，并可包括一金属材料。

参照图2，可见帽组件135a-135e的特征为阀、帽和管道。阀137a-137e分别通过管道139a-139e连接到帽134a-134e。气体可通过对应的阀137a-137e和管道元件139a-139e通气到各个部件，正如下文所述。

如果一歧管阀没有一连接的部件，如歧管阀30g那样，则可以用一帽，诸如帽134e来密封该歧管阀的一开口。歧管阀30g的一开口可无需一帽来密封，因为阀30g可通过手柄39g(图1)的调节而置于一关闭位置，以防止诸如大气微粒之类的流体进入歧管阀。

仍请参照图2，帽组件135e可从歧管阀30g中移去以使一残余气体分析器可与歧管阀30g连接来分析歧管12内的气体。

参照图1，在系统的操作中，需要进行杂质减少的部件与该些歧管阀连接。在图1中的部件，包括其中一转动组件82、一压力控制阀84以及一腔室球阀86与歧管阀30a-30f连接。一清洗流体，诸如氮气，一惰性气体，或其它类型的气体或其它的清洗物质可引入歧管12内以减少在部件上的杂质。以下所述的实施例采用氮气，然而也可采用其它的清洗流体。作为一清洗流体，氮气具有的优点在于其有助于将在系统内的部件的表面上的氧去除。在一实施例中，氮包含在流体源20内，其压力范围约从3620托(Torr)到5171托(70psig至100psig)。供应管28将氮从氮气源20运送到流量调节器70，调节器将气体的流量调节到约为259托±52托(5±1psig)。调节后的氮气从氮气调节器70运送到流量控制器74。气体通过供应管28从流量控制器74传送到覆盖端16的开口。氮气引入到主通道14内，并通过多个入口22a-22f和歧管阀30a-30f到该些连接的部件。在图1的实施例中，歧管阀30g没有一部件，但仍可如上述般与氮气流体连通。入口和歧管阀包括传送流体用的通道。如图5a-5c所示，入口22a-22f包括通道23a-23g。至于歧管阀30a、30d和30e，可见其通道分别为元件61、63和65(图6b和图7b)。其它的歧管阀包括的通道在图中未示。流体沿该些入口和歧管阀的通道流动并到达该些部件的内表面。通过在真空下引入清洗流体，氧可自部件的内表面移除。自表面移除的流体，诸如氧气通过与泵32连接的排气管24从部件82a、82b、84a、84b、86a和86b，入口22a-22g和歧管阀30a-30g泵出。

系统在真空下操作。在一实施例中，歧管压力为25±5托(0.5±0.1psia)，而歧管流率是20±2slm(42±4scfh)。可采用不同的歧管压力和流率，然而，通常会要求低压。

系统的歧管阀30a-30g彼此独立地操作以使连接的部件，诸如部件82、84和86可与歧管12作和不作流体连通。因此，本发明系统的一优点在于，可在不关闭整个系统10下移除一个部件。具体来说，该与待移除的部件连接的歧管阀30可以关闭，以使该部件不再与连接的入口22流体连通。然后，该部件可从系统中移除并用于半导体器件制造中而会破坏所述真空。

此外，因为通过本发明的系统10可为多个部件进行杂质减少，所以，一组部件例如一反应室的部件，可在杂质减少后移除，同时，自另一腔室的另一组部件仍可进行杂质减少。此外，替代的部件可连接到歧管12以替代移除的组。这样，该些属于半导体器件制造设备的部件可有效地进行杂质减少。

当系统在使用时，一真空环境通常存在于系统内，其中包括歧管12和连接的部件。因此，在一部件自系统移除之前，该部件要缓慢地排气到大气中。该些连接到转动组件的阀缓慢地打开，以在移除前使部件排气到大气中。例如，通过配件120(图6a-6b)连接到转动组件82a的阀122打开，以使转动组件82a排气。连接到转动组件82b的阀123打开，使转动组件82b排气。帽组件135a-135e(图2)的分别与压力控制阀84a和84b、腔室球阀86a和86b以及歧管阀30g连接的阀137a-137e(图1)缓慢地打开，以在移除前使部件排气到大气中或测试在歧管阀12内的气体成分。在打开各阀之前，对应的歧管阀会关闭。

当连接的部件正进行杂质减少时，诸如O形环的附加部件可设置在炉46内，以便减少湿气和除气。在一实施例中，炉设定在65℃，并具有25±5托(0.5±0.1psia)的炉压力。在一实施例中，炉的流率是14.1±4.7slm(30±10scfh)。温度和压力可以变化。

当部件进行了杂质减少后就可从系统中移除并备用。在一实施例中，该些部件该歧管连接，直到使用时为止。本发明系统中进行杂质减少的部件在一实施例中保持在真空下，并在清洗流体中持续暴露30-35天。在另一实施例中，该些部件储存在一氮气环境中，直到使用时为止。部件进行杂质减少的时间量可以不同。

尽管为了说明之目的描述了某些实施例，但本领域的技术人员将会认识到实现类似目的的种种方法。例如，阀手柄39是指将部件连接到歧管12的手工控制装置，然而，自动的、计算机和状态机控制的阀门控制也应该视为在本发明的范围之内。因此，本发明的范围只应由所附的权利要求来确定。

Claims (72)

1.一种半导体器件制造设备部件的杂质减少系统，其包括：

一具有一主通道的歧管，所述歧管具有第一和第二覆盖端，所述第一覆盖端构造成接收一清洗流体，多个设置在所述第一和第二覆盖端之间且与所述主通道流体连通的入口，以及一设置在所述多个入口的下游并与所述主通道流体连通的排出接头；

多个歧管阀，每一歧管阀具有一与所述多个入口的其中一个相连接的第一端，以及一与一具有一带杂质的要作杂质减少的表面和至少一开口的半导体器件制造设备部件可在所述至少一开口可拆装地连接的第二端，而每一所述歧管阀可操作成使所述多个入口的其中一个与所述可拆装地连接的部件的所述表面作流体连通和不作流体连通；

一清洗流体源；以及

一泵。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述多个入口相隔开以致于两组部件可与所述歧管阀连接，每一组部件包括至少两个不同类型的部件。

3.如权利要求1所述的系统，其特征在于进一步包括多个帽，每一所述帽与所述歧管阀的所述第二端及具有两个开口的部件可拆装地连接。

4.如权利要求3所述的系统，其特征在于，其中一个所述部件的一端与其中一个所述帽连接，而所述其中一个所述部件的另一端则与其中一个所述歧管阀连接。

5.如权利要求3所述的系统，其特征在于，在其中一个所述歧管阀不与所述部件连接的情况下，所述其中一个所述歧管阀的所述第二端与其中一个所述帽连接。

6.如权利要求3所述的系统，其特征在于，其中一个所述帽在与其中一个所述部件连接时会与所述其中一个所述部件形成一凸缘连接，并在与其中一个所述歧管阀的所述第二端连接时会与所述其中一个所述歧管阀形成一凸缘连接。

7.如权利要求3所述的系统，其特征在于，每一所述多个帽与一帽阀连接。

8.如权利要求7所述的系统，其特征在于，每一所述多个帽通过管道与所述帽阀连接。

9.如权利要求1所述的系统，其特征在于，至少一个所述入口为一朝向下的入口。

10.如权利要求1所述的系统，其特征在于，至少一个所述入口为一朝向前的入口。

11.如权利要求1所述的系统，其特征在于，其中一个所述部件为一转动组件。

12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述转动组件通过一球接头与其中一个所述歧管阀连接。

13.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述球接头包括一球接头凸缘、一阳连接器以及一凸缘。

14.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述转动组件通过一可转动的接头与其中一个所述歧管阀连接。

15.如权利要求11所述的系统，其特征在于，其中一个所述入口朝向下并与所述转动组件连接。

16.如权利要求1所述的系统，其特征在于，其中一个所述部件为一腔室球阀。

17.如权利要求16所述的系统，其特征在于，所述腔室球阀以一凸缘连接与其中一个所述歧管阀连接。

18.如权利要求17所述的系统，其特征在于，所述凸缘连接为一KF40凸缘连接。

19.如权利要求16所述的系统，其特征在于，其中一个所述入口朝向前并与所述球阀连接。

20.如权利要求1所述的系统，其特征在于，其中一个所述部件为一压力控制阀。

21.如权利要求20所述的系统，其特征在于，所述压力控制阀以一凸缘连接与其中一个所述歧管阀连接。

22.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述凸缘连接为一KF40凸缘连接。

23.如权利要求20所述的系统，其特征在于，其中一个所述入口朝向前并与所述压力控制阀连接。

24.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述入口包括两个朝向下的入口和四个朝向前的入口。

25.如权利要求24所述的系统，其特征在于，所述部件包括一对与第一对歧管阀连接的转动组件，所述第一对歧管阀与两个所述朝向下的入口连接，一对与第二对歧管阀连接的压力控制阀，所述第二对歧管阀与两个所述朝向前的入口连接，以及一对与第三对歧管阀腔连接的室球阀，所述第三对歧管阀与另外两个所述朝向前的入口连接。

26.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述歧管包括六个入口，其中至少一个朝向下以及至少一个朝向前。

27.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述部件包括不同类型的部件以及其中每一不同类型部件皆有两组与所述歧管阀连接。

28.如权利要求1所述的系统，其特征在于，其中一个所述入口为一分析器端口。

29.如权利要求1所述的系统，其特征在于进一步包括一支承所述歧管的框架。

30.如权利要求29所述的系统，其特征在于，所述框架包括多个夹头，所述歧管插在所述夹头内。

31.如权利要求29所述的系统，其特征在于，所述框架为钢质。

32.如权利要求29所述的系统，其特征在于，所述框架包括一些用螺栓连接在一起的框架元件。

33.如权利要求29所述的系统，其特征在于，所述框架包括一底座。

34.如权利要求1所述的系统，其特征在于进一步包括一与所述泵和所述排出接头连接的第一管道。

35.如权利要求34所述的系统，其特征在于进一步包括一设置在所述第一管道上的管道阀。

36.如权利要求34所述的系统，其特征在于进一步包括一炉和一第二管道，所述第二管道与所述第一管道及所述炉连接。

37.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述流体源为一氮气源。

38.如权利要求37所述的系统，其特征在于，所述氮气源包括介于70psig到100psig的范围内的氮气。

39.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述流体源为一惰性流体源。

40.如权利要求1所述的系统，其特征在于进一步包括一流量调节器和一流量控制器，其中所述流体源与所述流量调节器连接，而所述流量控制器与所述流量调节器及位于所述覆盖端的所述开口连接。

41.如权利要求40所述的系统，其特征在于进一步包括一流体供应管以使所述流体源与所述流量调节器、所述流量调节器与所述流量控制器以及所述流量控制器与所述覆盖端内的所述开口连接。

42.如权利要求40所述的系统，其特征在于，所述流量调节器将大体5psig的流体供应到所述流量控制器。

43.如权利要求1所述的系统，其特征在于进一步包括一所述泵连接的炉。

44.如权利要求43所述的系统，其特征在于进一步包括一设置在所述炉内的用作除气的O形环。

45.如权利要求43所述的系统，其特征在于进一步包括一炉控制器。

46.如权利要求1所述的系统，其特征在于进一步包括一泵控制器。

47.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述排出接头靠近所述覆盖端来设置。

48.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述半导体器件制造设备部件的所述至少一开口通向要作杂质减少的所述表面。

49.如权利要求1所述的系统，其特征在于，要作杂质减少的所述表面为一内表面。

50.一种半导体器件制造设备部件的杂质减少装置，其包括：

一在一端封闭并构造成在另一端接收一清洗流体的歧管、一流体通道、多个入口以及一设置在所述入口的下游的流体排出接头，所述入口和所述流体排出接头与所述流体通道流体连通；以及

多个歧管阀，每一歧管阀与所述多个入口的其中一个相连接，并与一具有一要作杂质减少的表面的半导体器件制造设备部件可拆装地连接，其中所述歧管阀可操作成使所述可拆装地连接的部件与所述多个入口作流体连通和不作流体连通。

51.如权利要求50所述的装置，其特征在于进一步包括多个帽，每一所述帽与所述歧管阀的所述第二端及至少一个所述部件可拆装地连接。

52.如权利要求51所述的装置，其特征在于，其中一个所述部件的一端与其中一个所述帽连接，而所述其中一个所述部件的另一端则与其中一个所述歧管阀连接。

53.如权利要求51所述的装置，其特征在于，在其中一个所述歧管阀不与所述部件连接的情况下，所述其中一个所述歧管阀的所述第二端与其中一个所述帽连接。

54.如权利要求51所述的装置，其特征在于，其中一个所述帽在与其中一个所述部件连接时会与所述其中一个所述部件形成一凸缘连接，并在与其中一个所述歧管阀的所述第二端连接时会与所述其中一个所述歧管阀形成一凸缘连接。

55.如权利要求51所述的装置，其特征在于，每一所述多个帽与一帽阀连接。

56.如权利要求55所述的装置，其特征在于，每一所述多个帽通过管道与所述帽阀连接。

57.如权利要求50所述的装置，其特征在于，至少一个所述入口为一朝向下的入口。

58.如权利要求57所述的装置，其特征在于，其中一个所述部件为一转动组件。

59.如权利要求58所述的装置，其特征在于，所述转动组件通过一球接头与其中一个所述歧管阀连接。

60.如权利要求50所述的装置，其特征在于，至少一个所述入口为一朝向前的入口。

61.如权利要求60所述的装置，其特征在于，其中一个所述部件为一腔室球阀。

62.如权利要求61所述的装置，其特征在于，所述腔室球阀以一凸缘连接与其中一个所述歧管阀连接。

63.如权利要求60所述的装置，其特征在于，所述部件包括一压力控制阀。

64.如权利要求63所述的装置，其特征在于，所述压力控制阀以一凸缘连接与其中一个所述歧管阀连接。

65.如权利要求50所述的装置，其特征在于，每一所述半导体器件制造设备部件包括一与其中一个所述歧管阀连接的开口。

66.如权利要求65所述的装置，其特征在于，每一所述半导体器件制造设备部件的所述开口通向一要作杂质减少的内表面，所述内表面与所述多个入口的其中一个可作流体连通和不作流体连通。

67.一种半导体器件制造设备部件的杂质减少方法，每一所述部件具有一带杂质的表面，一具有一主通道的歧管，所述歧管具有第一和第二覆盖端，所述第一覆盖端构造成接收一清洗流体，多个设置在所述第一和第二覆盖端之间且与所述主通道流体连通的入口，以及一构造成接收一泵的排出接头，所述排出接头设置在所述多个入口的下游并与所述主通道流体地连通，其包括以下步骤：

提供所述歧管；

将一清洗流体源连接到所述第一覆盖端；

将一泵连接到所述排出接头；

将至少一半导体器件制造设备部件连接到所述多个入口的至少一个；

将一清洗流体释放入所述歧管；

使所述至少一部件与所述多个入口中的所述至少一个流体连通；

使所述至少一部件的所述带杂质的表面与所述清洗流体的表面接触；以及自所述歧管泵走流体。

68.如权利要求67所述的方法，其特征在于进一步包括使所述至少一部件与所述歧管不作流体连通。

69.如权利要求67所述的方法，其特征在于进一步包括将所述至少一部件自所述歧管移除。

70.如权利要求67所述的方法，其特征在于，在所述至少一部件的一开口处进行将至少一半导体器件制造设备部件连接到所述多个入口的至少一个的步骤。

71.如权利要求67所述的方法，其特征在于，要清洗的所述表面为一内表面。

72.如权利要求67所述的方法，其特征在于，在真空下使所述带杂质的表面与所述清洗流体接触。

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