CN1861842B - 浸渍方法 - Google Patents

浸渍方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1861842B
CN1861842B CN2006100748573A CN200610074857A CN1861842B CN 1861842 B CN1861842 B CN 1861842B CN 2006100748573 A CN2006100748573 A CN 2006100748573A CN 200610074857 A CN200610074857 A CN 200610074857A CN 1861842 B CN1861842 B CN 1861842B
Authority
CN
China
Prior art keywords
tin
metal
acid
alloy
salt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2006100748573A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1861842A (zh
Inventor
刘异军
郭伟民
丁辉龙
J·N·克罗斯比
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Publication of CN1861842A publication Critical patent/CN1861842A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1861842B publication Critical patent/CN1861842B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
    • C23C22/06—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6
    • C23C22/07—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6 containing phosphates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
    • C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
    • C23F11/10—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using organic inhibitors
    • C23F11/167—Phosphorus-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
    • C23C22/06—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6
    • C23C22/07—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6 containing phosphates
    • C23C22/08—Orthophosphates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/73—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals characterised by the process
    • C23C22/74—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals characterised by the process for obtaining burned-in conversion coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/82—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/282—Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8501—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/85011—Chemical cleaning, e.g. etching, flux
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0789—Aqueous acid solution, e.g. for cleaning or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种抑制腐蚀的组合物及其方法。金属和金属合金用该组合物处理，所述组合物包含防止氧化物形成于金属和金属合金上的无机和有机酸。

Description

浸渍方法
本发明涉及一种用于抑制金属和金属合金腐蚀的浸渍方法和组合物。更具体地，本发明涉及一种使用无机和有机酸抑制金属和金属合金腐蚀的浸渍方法和组合物。
防止金属和金属合金的腐蚀在多种领域都是具挑战性的问题。金属和金属合金的腐蚀在电子材料行业尤其会带来问题，该行业中腐蚀可能导致电子装置的元件的电接触错位。炼钢业也遭受腐蚀问题侵扰。例如，多年来电镀锡和锡合金涂层使用于电子学以及其它应用领域，例如金属线和钢条。在电子设备中，它们用作触点和连接件的可焊接的和抗腐蚀的表面。它们也用于集成电路(“IC”)线圈出线端的制造。此外，施加一层薄的锡或锡合金于如电容器和半导体管等无源设备在最后一个步骤中进行。
虽然应用不同，对于这种最终表面精饰的要求却有着一些共同特征。一个问题是长久可焊性，定义为表面精饰熔化并形成较好焊接其它组件的连接点、形成同时没有损害电学或机械连接的缺陷的能力。焊接基本上是附加步骤，且一般涉及3种材料：(1)基材；(2)希望连接至基材的组件或其它装置；以及(3)焊接材料本身。焊接材料本身为锡或锡合金。基材或组件/装置可以其它金属制成。
有许多因素决定好的可焊性，其中最重要的3种是表面氧化物的形成程度(腐蚀)，共沉积的碳的量和金属间化合物的形成程度。表面氧化物的形成是一种自然发生的过程，因为其热力学特性良好。表面氧化物形成速率视温度和时间而定。温度越高、暴露时间越长，形成的表面氧化物越厚。在电镀锡或锡合金涂层或沉积物中，表面氧化物形成也依赖涂层或沉积物的表面形态。较纯锡而言，锡合金涂层，例如锡合金，在同等条件下一般形成更少或更薄的表面氧化物。
共沉积的碳由所选择使用的电镀化学方式所决定。光泽饰面层较非光泽面含更高量的碳。非光泽面一般较光面更粗糙，并提供增加的表面积，因而与光面层相比，导致形成更多的表面氧化物。
金属间化合物的形成是锡或锡合金涂层与基材间的化学反应。形成速率也视温度和时间而定。更高的温度和更长的时间会导致产生更后的金属间化合物层。
为了保证可焊性，重要的是1)沉积一层足够的锡或锡合金，使表面氧化物或金属间化合物的形成并不消耗整个层，且2)防止锡镀层表面长时间暴露于高温下，或将其降低至最少。
达到1)相对容易，但达到2)则很难。锡或锡合金沉积物电镀后的后续处理的温度和时间一般视装配说明书和现有的制造设计和实践而定。例如，在“双色调”引线框技术中，锡或锡合金电镀后整个包装经过许多步骤(即经这类处理很长时间)需要在高达175℃温度下的多重热偏移。无法避免的是产生更多且更厚的表面氧化物，而这反过来降低了锡或锡合金沉积物的可焊性。目前的加工中，可能无法省略这些额外步骤，因为无法完成最终组件和装配。因此，人们希望寻找到防止表面氧化物在这种部件上形成，或将其减至最少的方法。
一种用于解决表面氧化物问题的方法是在锡或锡合金沉积物表面形成保形涂层。该技术可大致分为以下2种：一种施涂贵金属涂层，另一种施涂有机涂层。第一种对于保护锡或锡合金沉积物并不理想，因为其引进一昂贵多余的步骤。第二种也不理想，因为它可能由于沉积的有机涂层非选择性的特性，将杂质引入引线框或电学组件其它关键区域。这类杂质对后续的引线框和IC陈列工序是有害的。
一项授予Zhang等的美国专利U.S.2004/0099340(WO2004/050959)试图通过加入痕量磷于沉积物中以解决金属和金属合金沉积物表面氧化物的问题。Zhang等称，将磷加入沉积物减低了上表面氧化物的形成。金属和金属合金电镀槽中包括含磷组合物，并同金属或金属合金共同存放。优选的磷源为次磷酸盐，例如NaH2PO4。这类方法的一个缺点在于将次磷酸盐包含于电解槽中。在电解槽中加入越多组分，越可能在电解槽中发生不良的相互作用。该次磷酸盐可与其它功能性添加剂相互作用，包括沉积物的粒度、结晶定向、延展性、硬度和传导性。
虽然有解决金属和金属合金沉积物上的表面氧化物问题的方法和组合物，仍然需要改进的组合物和方法，用于抑制表面氧化物形成于金属和金属合金上。
本发明提供一种组合物，它包含一种或多种磷酸或其盐和水，所述磷酸或其盐的含量能抑制氧化物形成于金属和金属合金上。此外为了抑制氧化物形成于金属和金属合金上，组合物提供一种稳定的颗粒结构用于后续的焊接。氧化物的形成是不希望发生的，因为它可能导致电学装置中的金属组件的电性能故障，从而使损害装置的性能。此外，组合物不污染它们处理的金属和金属合金。
在另一个实施方式中，组合物由一种或多种无机磷酸或其盐和一种或多种有机磷酸及其盐、和水组成，其含量足以抑制氧化物形成于金属或金属合金。
在另一个实施方式中，方法包括将金属或金属合金与组合物相接触，该组合物包括一种或多种磷酸或其盐，从而抑制氧化物形成于金属或金属合金。
在另一个实施方式中，其方法包括沉积一种或多种金属或金属合金于基材上；将一种或多种金属或金属合金与包含一种或多种磷酸或其盐的组合物接触；并回流一种或多种金属或金属合金。该方法抑制金属和金属合金上的氧化物的形成。
如同在这个实施方式始终使用的一样，以下缩写具有以下意思，除非上下文明确指出另一种情况：℃＝摄氏度；g＝克；L＝升；mL＝毫升；ASD＝安培/dm2；sec.＝秒；μm＝微米；min.＝分钟；wt％＝重量百分比；v/v＝体积比体积；以及DI＝去离子的。术语“沉积”和“电镀”在说明书中可互换使用。
组合物包含一种或多种磷酸或其盐，及水。组合物抑制金属和金属合金上的腐蚀，并在金属和金属合金的表面上提供一种稳定的颗粒结构，用于后续的焊接。这类腐蚀是以形成于金属和金属合金上的氧化物形式。典型地，它形成于金属和金属合金的表面并可通过褪色作用辨识。此外，当施涂于金属和金属合金上时，组合物不污染金属和金属合金。
可使用任何适合的抑制氧化物形成于金属和金属合金的磷酸或其盐及其组合物。这类磷酸包括无机磷酸，例如磷酸(H3PO4)，也称正磷酸，和聚磷酸。无机磷酸可以由式表示：Hn+2PnO3n+1，其中n为大于等于1的整数。当n为大于等于2的整数时，该公式代表聚磷酸。当无机磷酸为聚磷酸时，一般，n为使聚磷酸平均分子量为110-1,500(原子量单位)的整数。
磷酸盐如可用磷酸钠和磷酸钾。该盐包括二元磷酸钠、三元磷酸钠、二元磷酸钾和三元磷酸钾。也可使用聚磷酸盐。组合物中也可包括无机磷酸及其盐的混合物。这类磷酸可在市场上购得，或者可依照文献中描述的方法制得。
该无机磷酸及其盐在组合物中的用量是：抑制氧化物在金属和金属合金上形成。例如，组合物含无机磷酸及其盐的量可为0.1-1500gm/L，或如0.5-1000gm/L，或如1-500gm/L，或如10-100gm/L，或如20-50gm/L。
除无机磷酸之外，也可使用有机磷酸。组合物可包括一种或多种有机磷酸及其盐。这类磷酸的例子包括烷基磷酸，例如(C1-C20)烷基磷酸、羟烷基二磷酸及其盐，羟亚烷基磷酸及其盐、六亚烷基二氨基-四(亚烷基-磷)酸及其盐和氨基三(亚烷基-磷)酸及其盐和磷羧酸及其盐。这类磷酸市场上可购到，或者可依照文献中描述的方法制得。
合适的烷基磷酸的例子包括正己基磷酸、正-十四烷基磷酸、正-辛基磷酸、正-癸基磷酸、正-十二烷基磷酸、正-十八烷基磷酸、正-十六烷基磷酸、甲烷二磷酸、1，2-乙烷二磷酸和1，3-丙烷(proane)二磷酸。适合的羟烷基二磷酸例如羟乙烷二磷酸、羟甲基二磷酸和羟乙基二磷酸(HEDP)。适合的羟亚烷基二氨基-四(亚烷基-磷)酸例如六亚甲基二氨基-四(亚甲基磷)酸。氨基三(亚烷基-磷)酸例如氨基三(亚甲基-磷)酸。磷羧酸的例子包括磷乙酸、2-磷丙酸、2-羟基-磷乙酸、2-羟基-2-甲基磷乙酸、2-羟基-2-丁基磷乙酸、3-磷-3-羟基丁酸、2-磷乙烷-1，2-二羟酸、2-磷-丁烷-1，2，4-三羧酸、2-氨基-磷乙酸、2-氨基-2-甲基磷乙酸和磷甲基次氨基乙酰乙酸。
其它适合的有机磷酸的例子包括甲氨基二-亚甲基磷酸，磷甲基甘氨酸、二-磷甲基甘氨酸，1-氨乙基-1、1-二磷酸、六亚甲基二胺四(亚甲基磷)酸，二亚乙基三胺四(亚甲基磷)酸，二亚乙基三胺五(亚甲基磷)酸、2-六亚甲基三胺五(亚甲基磷)酸及其盐。
一般将氨基三(亚甲基-磷)酸作为有机磷酸使用，例如氨基三(次甲基-磷)酸。该商品有售，名为
Figure S06174857320060510D000041
2000和2006(自Brenntag，德国)。
组合物中包含的有机磷酸及其盐量为0.005gm/L至1gm/L，或如自0.01gm/L至0.5gm/L，或如自0.1gm/L至0.25gm/L。
任选的，配方中可包括磷酸(H3PO3)。包含的磷酸的量可为0.1g/L至1g/L。
组合物为水性的，并施用于金属和金属合金，从而抑制从而抑制氧化物形成于金属和金属合金上。组合物的pH自1至6，或例如从2至4。组合物可施涂于任何可能抑制氧化物形成的金属和金属合金上。这类金属包括锡、铜、镍、银及其合金。组合物代表性地用于抑制氧化物形成于锡上及其合金。锡合金的例子包括锡/铅、锡/铜、锡/银、锡/银/铜、锡/镍，锡/铋和锡/金。它们代表性地用于抑制氧化物形成于锡和锡/铅。它们一般用于抑制氧化物形成于锡上。
组合物可在金属和金属合金沉积于基材后的任意时段施加于金属和金属合金。一般将它们在金属或金属合金电镀后即刻施涂，作为后续处理。组合物的氧化抑制作用在后续处理后可持续数天，且当金属或金属合金回流时仍有效。因此，处理过的金属或金属合金可贮存或运输，并随后回流，仍然能够抑制氧化。
回流后锡可形成氧化锡(SnO)。可观察到回流工序后沉积的锡上，有锡表面的褪色。回流的锡接触氧气越久、温度越高，则褪色越是显著。典型的褪色为锡表面的黄色。在更严重的氧化作用的例子中，回流后锡可显棕色并甚至是紫色。锡的氧化作用可导致电导性差或电子装置电路，其中锡镀于例如印刷线路板和引线框。此外，在锡或锡合金表面存在的氧化作用损害任何锡或锡合金的后续焊接加工。焊接差可导致焊接部件的分离，从而导致电子装置出故障。组合物抑制了不良的氧化作用，提供锡表面以稳定的颗粒结构，且并不污染锡表面。
组合物可以以任何现有技术中的适合方式施用于金属和金属合金。例如，组合物可喷至金属和金属合金，或可将金属和金属合金浸于组合物中。代表性的是将金属和金属合金浸于组合物中。一般，组合物温度在18-60℃，或例如20-50℃，或例如25-40℃。
将金属和金属合金暴露于抑制氧化物的组合物的时间量可各自不同。代表性的是金属和金属合金在任何后续加工步骤之前接触组合物至少5秒。更具代表性的是将金属和金属合金与组合物接触5-60秒，或如10-30秒。金属和金属合金然后可任选地经水清洗，以除去然后过量的氧化物抑制组合物。
回流工序可在加工和清洗步骤之后。可使用任何合适的回流工序。回流可经以下方式进行：蒸汽相加热回流、激光回流、等离子、烘箱熔化和使电流流经金属和金属合金，或任何其它的加热金属和金属合金至液相温度以上的方式。
组合物可用于任何适合的金属沉积工艺，例如电解金属沉积或无电镀金属沉积。组合物可用于抑制用于制造任意制品的金属和金属合金的氧化作用，所述制品由电解或无电镀沉积金属制成。这类制品包括印刷线路板、连接器、无源组件、薄片凸缘及引线框。
在一实施方式中，基材例如印刷线路板、连接器或引线框，任选在金属喷镀前清洗。可使用任何适合的、在金属喷镀工艺中可接受的清洗方式。一般，基材在适合的溶液中用超声波清洗。这类清洗液可包括硅酸盐化合物、碱金属碳酸盐和其它组分例如碱金属的氢氧化物、二醇醚和一种或多种鳌合剂。
任选地，在清洗步骤后，基材可用适合的酸活化，如矿物酸。这类酸例如硫酸。但可使用其它矿物盐。酸用于现有技术中已知的常规浓缩液中。
然后用金属将基材进行电镀，如锡、铜、镍、银或其合金，或如，锡可电镀于镍或锡可电镀于铜上。可使用任何适合的金属或金属合金电镀浴液。例如，代表性的镀锡浴液可包括一种或多种水溶性锡盐，例如硫酸锡、烷基磺酸锡例如硫酸锡、烷醇磺酸锡和卤化锡，如氯化锡。该浴液也包含电解质例如硫酸、烷基磺酸盐、烷醇磺酸盐和卤素盐，以提供电导基质。也可含表面活性剂以及其它常规添加剂以提供所要求的锡层。组分量是常规的，并在现有技术中是已知的，并可通过文献获得。美国专利U.S.5,174,887和U.S.5,871,631公开了适合的锡电镀液。U.S.4,880,507和U.S.4,994,155公开了适合的锡/铅电镀液。
合适的铜电解浴液可包括一种或多种水溶性铜盐，例如五水硫酸铜，硫酸基质以提供电解浴液以导电性，来自氯化钠或氯化氢的氯离子、均平剂、载体、光亮剂和其它添加剂如表面活性剂，来提供所需的铜金属层。该类组分的量是常规的，并于现有技术和文献中是已知的。美国专利U.S.6,652,731公开了一种适合的用于电解沉积的铜金属电解质。
可使用任何合适的镍浴。镍浴可包括一种或多种水溶性镍盐例如氯化镍、六水硫酸镍和四水氨基磺酸镍。一种或多种酸例如可包括硼酸和抗坏血酸。此外，可包括一种或多种常规添加剂以提供理想的镍层。组分量是常规的，并在现有技术中是已知的，并可通过文献获得。适合的镍电镀溶液的例子如公布于美国专利U.S.6,858,122。
金属可在任何适合的温度和电流密度下，进行沉积，视要电镀的金属或金属合金而定。通常来说，浴液温度在15-40℃，或如25-30℃。电流密度一般为1-35ASD，或如5-30ASD，或如10-20ASD。然而，可使用任何常规的电流密度来电镀锡、铜、镍或其合金。文献中公开有合适的电流密度。
金属或金属合金沉积于基材后，它们用如上所述的氧化物抑制组合物，进行后期金属喷镀处理。经处理的金属或金属合金可经上述的一种方式进行回流。回流后，镀有金属或金属合金的基材可依据所需进一步加工。
操作实施例1(对比)
将十二(12)黄铜连接器于含有100g/L RONACLEANTM GP-300LF(SE)的清洗液中65℃下超声波清洗30秒，该清洗液是含硅酸盐的清洗组合物(购自罗门哈斯电子材料有限公司，美国马萨诸塞州的Marlborough，)。
清洗后，将每个黄铜连接器从清洗液中取出，并用工业级硫酸活化。该黄铜连接器在室温下浸渍于100mL/L的工业级硫酸10秒中。然后将每个黄铜连接器镀镍。
将这12个黄铜连接器同整流器和不溶电极电学相连通，该电极具有阳极的功能。黄铜连接器具有阴极的功能。将阳极和12个黄铜连接器置于电解镍电镀溶液中，形成回路。镍电镀溶液为水性溶液，包括700mL/L氨基磺酸镍溶液(180g/L)和8g/L氯化镍浓缩液(500g/L)，以提供包含115-135g/L镍离子的电镀溶液。
黄铜连接器电镀上1μm的镍层。电镀在55℃、，电流密度10ASD条件下进行120秒。然后将该镀镍黄铜连接器从镍电解溶液中移去，用水清洗然后镀锡。
将每一个镀镍的黄铜连接器置于锡电解质溶液并与整流器和作为阳极的不溶性电极电学相连。镀镍的黄铜连接器作为阴极。该锡电解质包括60gm/L的来自甲烷磺酸锡的锡离子和150mL/L的70％甲烷磺酸，作为基质。锡沉积时，锡浴的温度为15℃。
锡沉积时的电流密度为10ASD。用30秒完成镀锡，并在每个黄铜连接器的镍层沉积上2μm的镀锡层。锡层外观光滑亮泽。
制备浸渍酸氧化物抑制剂组合物的原液：混合1200gm工业级(85％)磷酸和100gm氨基三(亚甲基-磷)酸于水中，形成1升的水溶液。然后由原溶液制得20％v/v水性浸渍酸组合物，用于镀锡的后续处理。
也制备一种对照的后续处理组合物。它包括40％氢氧化钠、30％碳酸钠、20％偏硅酸钠和10％三聚磷酸钠。将固体材料同足够水化合物，制备10g/L的溶液。
将九个(9)镀锡和镍的黄铜连接器在50℃下，浸没于20％v/v氧化物抑制剂组合物中5秒。将其取出并用水清洗，然后用热空气在100℃下干燥。将9个镀锡和镍的黄铜连接器的每一个进行回流。
将3个(3)镀锡和镍的黄铜连接器置于Sikama FalconTM8500传导/对流烘箱中回流其锡层。温度分布为125℃至180℃至240℃至260℃至240℃，然后冷却至室温。每个连接器留于每个温度区域30秒。回流后，检查连接器的氧化。使用0至5的目视等级。如果未观察到肉眼可见的氧化，将连接器评为0；若有严重褪色，则给连接器评为5。连接器中的一个没有丝毫褪色(0)。另一个具有淡黄色的色调(1)。一个具严重褪色，回流锡层(4)上可观察到明显发黄。
将三个(3)镀锡和镍的黄铜连接器置于Sikama FalconTM8500传导/对流烘箱并使用与第一组连接器相同的温度分布和停留时间进行回流，除了将它们回流2次。然后将3连接器冷却至室温，观察其锡表面是否有氧化的征象。一个连接器没有任何可见的锡氧化作用(0)。一个具有严重的锡氧化作用(4)，一个显示淡黄色色调(1)。
剩下的3个镀锡和镍的黄铜连接器，经浸渍酸组合物处理，置于与前6个相同的传导/对流烘箱中，但使用上述温度分布和停留时间回流3次。回流后，3个都从烘箱中移去，并让其冷却至室温。一个连接器没有任何可视的表面氧化作用的征象(0)。一个显示褪色(4)，一个显示出明显但不严重的褪色(2)。
将剩下的3个连接器浸没于上述对照的处理溶液。每个连接器在50℃下在溶液中停留5秒。当将其移出处理溶液后，将其用水清洗和热空气于100℃下干燥。将一个使用烘箱用上述的温度分布和停留时间回流一次。将第二个回流2次，第三个回流3次，采用上述的温度分布和停留时间。
将每个对照连接器在回流循换后从烘箱中移出，并使其冷却至室温。肉眼观察每一个连接器，显示严重的褪色(4)。
虽然一些用酸浸渍组合物处理过的镀锡和镍的黄铜连接器显示褪色，仍有3个完全没有丝毫可见的锡氧化作用征象。此外，3个连接器显示较少的褪色，而3个显示严重的褪色。与此形成对比，所有用对照处理溶液处理过的3个对照连接器都显示严重的褪色。因此，包含无机磷酸和有机磷酸的浸渍酸组合物，与对照物相比，显示出改进的防止锡氧化作用。
操作实施例2
十六个(16)黄铜连接器用超声波于65℃下、在含100g/L RONACLEANTMCP-100S的清洗液中清洗30秒，该清洗液为含硅酸盐的清洗组合物(购自罗门哈斯电子材料有限公司，美国马萨诸塞州的Marlborough)。
清洗后，将每个黄铜连接器自清洗液中移出，并用工业级硫酸活化。然后将该黄铜连接器于室温下浸渍于100mL/L的工业级磺酸中10秒。然后每个黄铜连接器镀镍。
16个黄铜连接器与整流器和作为阳极的不溶性电极电连通。该黄铜连接器作为阴极。阳极和16黄铜连接器置于电解镍电镀溶液中，形成完整回路。镍电镀溶液为水溶液，包括700mL/L的氨基磺酸镍溶液(180g/L)和8g/L的氯化镍浓缩液(500g/L)，来提供包含115-135g/L镍离子的电镀溶液。
将黄铜连接器镀上1μm的镍层。电镀在55℃下、电流密度10ASD的条件下进行120秒。将镀镍的黄铜连接器从镍电解溶液中移出，用水清洗，然后镀锡。
然后将每个镀过镍的黄铜连接器置于锡电解浴液中，并与整流器和作为阳极的不溶性电极电学连通。该镀镍的黄铜连接器作为阴极。锡电解浴液包括来自甲烷磺酸锡的60gm/L的锡离子和150mL/L的70％甲烷磺酸作为基质。16个连接器都在15℃下镀锡。
锡浴中的八个(8)连接器以电流密度10ASD进行镀锡，8个连接器于15ASD电流密度下镀锡。镀锡在每个浴槽中进行30秒，从而形成2μm的锡亮层于每个黄铜连接器的镍层上。镀锡后，将镀锡和镍的黄铜连接器从各自的浴液中移出，并用水清洗，然后在室温下干燥。
以以下方式制备浸渍酸氧化物抑制剂的原液，在水中混合1200gm的工业级(85％)磷酸和100gm的氨基三(亚甲基-磷)酸，形成1升水溶液。自原液制成5％v/v、10％v/v、20％v/v和30％v/v的稀释溶液，用于处理镀过锡和镍的黄铜连接器。
每种氧化物抑制组合物的稀释浸液用于处理一个于10ASD和20℃下镀锡的连接器，和一个于15ASD和20℃下的连接器，以及另一对50℃下的连接器。每种镀锡和镍的连接器浸渍于组合物中5秒。然后将其取出并于100℃下用热空气干燥。
将每个处理的连接器置于Sikama FalconTM8500传导/对流烘箱，以回流锡层。温度分布为125℃至180℃至240℃至260℃至240℃，然后回至室温。该连接器置于每个温度区30秒。回流后，用肉眼检查连接器是否形成任何氧化锡。
肉眼观察每个连接器，显示任何连接器都没有严重褪色。在8个于15ASD下镀锡的连接器上，观测到4个较轻褪色。与此对比的是，2个于10ASD下镀锡的连接器显示较轻褪色。因此，浸渍酸氧化物抑制组合物会在回流后抑制氧化锡形成于镀锡的基材上。

Claims (7)

1.一种用于抑制金属和金属合金腐蚀的组合物，基本由一种或多种氨基三(亚烷基-磷)酸或其盐组成，所述氨基三(亚烷基-磷)酸或其盐的用量是能抑制氧化物形成于锡和锡合金上，所述组合物的pH为1-6。
2.一种用于抑制金属和金属合金腐蚀的组合物，由以下物质组成：一种或多种无机磷酸或其盐，一种或多种氨基三(亚烷基-磷)酸或其盐，以及水；pH为1-6；所述一种或多种无机磷酸或其盐和一种或多种氨基三(亚烷基-磷)酸或其盐的用量是：能抑制氧化物形成于锡和锡合金上。
3.一种用于抑制金属和金属合金腐蚀的浸渍方法，它包括将一种组合物接触锡或锡合金，以便抑制锡或锡合金的氧化，所述组合物包含一种或多种氨基三(亚烷基-磷)酸或其盐，pH为1-6。
4.一种用于抑制金属和金属合金腐蚀的浸渍方法，包括：
a)将锡或锡合金沉积于基材；
b)用包含一种或多种氨基三(亚烷基-磷)酸或其盐的组合物接触锡或锡合金，所述组合物的pH为1-6；和
c)回流锡或锡合金。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述的锡或锡合金以电解方式沉积于基材上。
6.如权利要求4所述的方法，其中该基材为印刷线路板、铅框架或连接体。
7.如权利要求4所述的方法，其中所述的锡合金选自：锡/铅、锡/铜、锡/银、锡/银/铜、锡/镍，锡/铋和锡/金。
CN2006100748573A 2005-04-20 2006-04-20 浸渍方法 Active CN1861842B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0507887.8 2005-04-20
GB0507887A GB0507887D0 (en) 2005-04-20 2005-04-20 Immersion method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1861842A CN1861842A (zh) 2006-11-15
CN1861842B true CN1861842B (zh) 2011-08-03

Family

ID=34630921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006100748573A Active CN1861842B (zh) 2005-04-20 2006-04-20 浸渍方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20060237097A1 (zh)
EP (1) EP1716949B1 (zh)
JP (1) JP5121160B2 (zh)
KR (1) KR101295186B1 (zh)
CN (1) CN1861842B (zh)
DE (1) DE602006002419D1 (zh)
GB (1) GB0507887D0 (zh)
TW (1) TWI336736B (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005113784A1 (en) 2004-05-12 2005-12-01 Luca Technologies, Llc Generation of hydrogen from hydrocarbon-bearing materials
JP2007197791A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Daiwa Fine Chemicals Co Ltd (Laboratory) めっき後処理剤組成物
US7977282B2 (en) * 2006-04-05 2011-07-12 Luca Technologies, Inc. Chemical amendments for the stimulation of biogenic gas generation in deposits of carbonaceous material
US7696132B2 (en) 2006-04-05 2010-04-13 Luca Technologies, Inc. Chemical amendments for the stimulation of biogenic gas generation in deposits of carbonaceous material
EP2014798B1 (en) * 2007-07-10 2016-04-13 ATOTECH Deutschland GmbH Solution and process for increasing the solderability and corrosion resistance of metal or metal alloy surface
CA2602746A1 (en) * 2007-09-14 2009-03-14 Kenneth Dwayne Hodge Composition and method for cleaning formation faces
JP2010070838A (ja) 2008-09-22 2010-04-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 金属表面処理水溶液および金属表面のウィスカ抑制方法
ES2395377T3 (es) 2009-01-14 2013-02-12 Atotech Deutschland Gmbh Solución y procedimiento para aumentar la soldabilidad y la resistencia a la corrosión de una superficie de metal o de una aleación metálica
EP2298960A1 (en) * 2009-08-24 2011-03-23 ATOTECH Deutschland GmbH Method for electroless plating of tin and tin alloys
EP2405469B1 (en) 2010-07-05 2016-09-21 ATOTECH Deutschland GmbH Method to form solder alloy deposits on substrates
US9224550B2 (en) * 2012-12-26 2015-12-29 Tyco Electronics Corporation Corrosion resistant barrier formed by vapor phase tin reflow
US20140308540A1 (en) * 2013-04-12 2014-10-16 Tyco Electronics Corporation Plated contact and process of manufacturing plated contact
US10251422B2 (en) * 2013-07-22 2019-04-09 Altria Client Services Llc Electronic smoking article
KR101696796B1 (ko) * 2014-12-10 2017-01-16 주식회사피엔티 동합금재의 주석 도금 방법
US20160308100A1 (en) * 2015-04-17 2016-10-20 Chipmos Technologies Inc Semiconductor package and method of manufacturing thereof
CN107326413A (zh) * 2017-07-04 2017-11-07 苏州道蒙恩电子科技有限公司 一种电镀锡抗变色处理剂及使用方法
CN109722692A (zh) * 2017-10-30 2019-05-07 中国振华集团云科电子有限公司 一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法
CN109594069A (zh) * 2018-12-29 2019-04-09 天津市顺超有限公司 一种皮膜剂及其制备和使用方法
CN110753457A (zh) * 2019-11-05 2020-02-04 江苏上达电子有限公司 一种提高cof化锡后保存寿命的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3630790A (en) * 1969-05-13 1971-12-28 Dow Chemical Co Method of protection of metal surfaces from corrosion
GB2331942A (en) * 1997-12-08 1999-06-09 Albright & Wilson Uk Ltd Treating metal surfaces

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3123582A (en) * 1964-03-03 Liquid coating composition and metal
US3088910A (en) * 1959-08-10 1963-05-07 Exxon Research Engineering Co Corrosion inhibitors
US3146208A (en) * 1960-12-29 1964-08-25 Monsanto Co Corrosion inhibition
US3532639A (en) * 1968-03-04 1970-10-06 Calgon C0Rp Corrosion inhibiting with combinations of zinc salts,and derivatives of methanol phosphonic acid
US3837803A (en) * 1972-07-11 1974-09-24 Betz Laboratories Orthophosphate corrosion inhibitors and their use
US4108690A (en) * 1976-04-05 1978-08-22 Amchem Products, Inc. Method for producing an amorphous, light weight calcium phosphate coating on ferrous metal surfaces
US4511403A (en) * 1979-01-22 1985-04-16 Shipley Company Inc. Immersion tin composition and process for using
US4619819A (en) * 1981-01-07 1986-10-28 James C. Barber And Associates, Inc. Phosphoric acid composition
JPS6013095A (ja) * 1983-07-02 1985-01-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 電子部品材料およびその製造方法
JPS6161160A (ja) * 1984-08-31 1986-03-28 Fuji Photo Film Co Ltd ハロゲン化銀カラ−写真感光材料の処理方法
US4897129A (en) * 1986-05-12 1990-01-30 The Lea Manufacturing Company Corrosion resistant coating
US4869971A (en) * 1986-05-22 1989-09-26 Nee Chin Cheng Multilayer pulsed-current electrodeposition process
US5174887A (en) * 1987-12-10 1992-12-29 Learonal, Inc. High speed electroplating of tinplate
US4994155A (en) * 1988-12-09 1991-02-19 Learonal, Inc. High speed tin, lead or tin/lead alloy electroplating
DE3856429T2 (de) * 1987-12-10 2001-03-08 Learonal Inc Zinn, Blei- oder Zinn-Blei-Legierungselektrolyten für Elektroplattieren bei hoher Geschwindigkeit
JPH01240318A (ja) * 1988-03-18 1989-09-25 Toyoda Gosei Co Ltd 自動車用窓枠ゴム
DE58903911D1 (de) * 1988-05-17 1993-05-06 Stohrer Doduco Gmbh & Co Tauchverfahren und vorrichtung zum elektrolytischen beschichten von platten, insbesondere von elektrischen leiterplatten.
JPH059785A (ja) * 1991-07-09 1993-01-19 Furukawa Electric Co Ltd:The リフロー錫および錫合金めつき法の前処理方法
GB9125115D0 (en) * 1991-11-23 1992-01-22 Ciba Geigy Ag Corrosion and/or scale inhibition
CA2061249C (en) * 1992-02-14 1999-07-20 Brian E. Clark Use of cationic alkyl-phosphonium salts as corrosion inhibitors in open recirculating systems
EP0747954A3 (en) * 1995-06-07 1997-05-07 Ibm Solder ball comprising a metal cover with low melting point
JP3437023B2 (ja) * 1995-11-20 2003-08-18 日本ペイント株式会社 アルミニウム系金属表面処理浴及び処理方法
JP3217259B2 (ja) * 1996-01-30 2001-10-09 日本鋼管株式会社 高電流密度錫めっき用光沢剤及び高電流密度電解特性に優れた錫めっき浴
AU6279296A (en) * 1996-06-12 1998-01-07 International Business Machines Corporation Lead-free, high tin ternary solder alloy of tin, silver, and indium
JPH1046385A (ja) * 1996-08-02 1998-02-17 Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk 電気・電子回路部品
US6117299A (en) * 1997-05-09 2000-09-12 Mcnc Methods of electroplating solder bumps of uniform height on integrated circuit substrates
US5854145A (en) * 1997-05-14 1998-12-29 Cortec Corporation Corrosion inhibitor solution applicator
US6183886B1 (en) * 1998-04-03 2001-02-06 Olin Corporation Tin coatings incorporating selected elemental additions to reduce discoloration
JP3983386B2 (ja) * 1998-04-03 2007-09-26 日本ペイント株式会社 クロメート防錆処理剤
JP3828675B2 (ja) * 1998-04-23 2006-10-04 新日本製鐵株式会社 耐食性、加工性に優れた表面処理鋼板およびその製造方法
US6379612B1 (en) * 1998-07-27 2002-04-30 Champion Technologies, Inc. Scale inhibitors
US6585933B1 (en) * 1999-05-03 2003-07-01 Betzdearborn, Inc. Method and composition for inhibiting corrosion in aqueous systems
WO2000015876A1 (fr) * 1998-09-11 2000-03-23 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Materiau metallique
JP2000169996A (ja) * 1998-09-28 2000-06-20 Nippon Mining & Metals Co Ltd 金属材料
US6264093B1 (en) * 1998-11-02 2001-07-24 Raymond W. Pilukaitis Lead-free solder process for printed wiring boards
US6251253B1 (en) * 1999-03-19 2001-06-26 Technic, Inc. Metal alloy sulfate electroplating baths
US6183619B1 (en) * 1999-03-19 2001-02-06 Technic, Inc. Metal alloy sulfonic acid electroplating baths
US6248228B1 (en) * 1999-03-19 2001-06-19 Technic, Inc. And Specialty Chemical System, Inc. Metal alloy halide electroplating baths
US6740173B1 (en) * 1999-06-11 2004-05-25 Atofina Method for protecting metals against corrosion and non-polluting reactive composition therefor
JP3805588B2 (ja) * 1999-12-27 2006-08-02 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP3456462B2 (ja) * 2000-02-28 2003-10-14 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6638847B1 (en) * 2000-04-19 2003-10-28 Advanced Interconnect Technology Ltd. Method of forming lead-free bump interconnections
US6391384B1 (en) * 2000-07-10 2002-05-21 Carus Corporation Method for providing a corrosion inhibiting solution
US6902766B1 (en) * 2000-07-27 2005-06-07 Lord Corporation Two-part aqueous metal protection treatment
JP2002050595A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Hitachi Ltd 研磨方法、配線形成方法及び半導体装置の製造方法
JP3395772B2 (ja) * 2000-11-20 2003-04-14 松下電器産業株式会社 錫−銀合金めっき皮膜の製造方法及び錫−銀合金めっき皮膜及びそれを備えた電子部品用リードフレーム
US20020187427A1 (en) * 2001-05-18 2002-12-12 Ulrich Fiebag Additive composition for both rinse water recycling in water recycling systems and simultaneous surface treatment of lithographic printing plates
US6616906B2 (en) * 2001-08-09 2003-09-09 Rhodia Inc. Method for making polyphosphoric acid
US6652731B2 (en) * 2001-10-02 2003-11-25 Shipley Company, L.L.C. Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate
CN1282719C (zh) * 2001-10-30 2006-11-01 关西涂料株式会社 用于形成二氧化钛膜的涂层组合物、二氧化钛膜的制备工艺以及涂有二氧化钛膜的金属基材
TWI238079B (en) 2001-11-27 2005-08-21 Nippon Oxygen Co Ltd Method and device for separating gas
JP4128005B2 (ja) * 2001-12-28 2008-07-30 日本リーロナール有限会社 電気ニッケルめっき液
JP2003338682A (ja) * 2002-01-11 2003-11-28 Nec Infrontia Corp はんだ付け方法及びはんだ接合体
US6887319B2 (en) * 2002-04-16 2005-05-03 Senju Metal Industry Co., Ltd. Residue-free solder paste
DE10236405A1 (de) * 2002-08-02 2004-02-19 Schering Ag Progesteronrezeptormodulatoren mit erhöhter antigonadotroper Aktivität für die weibliche Fertilitätskontrolle und Hormonersatztherapie
CN1477703A (zh) 2002-08-02 2004-02-25 千住金属工业株式会社 焊球组件及其生产方法，形成焊块的方法
US6982030B2 (en) 2002-11-27 2006-01-03 Technic, Inc. Reduction of surface oxidation during electroplating
US6773828B1 (en) * 2003-04-18 2004-08-10 Ase Electronics (M) Sdn. Bhd. Surface preparation to eliminate whisker growth caused by plating process interruptions
US20040256030A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-23 Xia Tang Corrosion resistant, chromate-free conversion coating for magnesium alloys
JP4461296B2 (ja) * 2003-08-06 2010-05-12 石原薬品株式会社 スズ又はスズ合金メッキ表面の後処理方法
US20050133571A1 (en) * 2003-12-18 2005-06-23 Texas Instruments Incorporated Flip-chip solder bump formation using a wirebonder apparatus
US20050268991A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Enthone Inc. Corrosion resistance enhancement of tin surfaces
CN101557903B (zh) * 2006-12-12 2013-06-19 千住金属工业株式会社 无铅软钎料用焊剂和软钎焊方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3630790A (en) * 1969-05-13 1971-12-28 Dow Chemical Co Method of protection of metal surfaces from corrosion
GB2331942A (en) * 1997-12-08 1999-06-09 Albright & Wilson Uk Ltd Treating metal surfaces

Also Published As

Publication number Publication date
KR101295186B1 (ko) 2013-08-12
JP2006307343A (ja) 2006-11-09
TWI336736B (en) 2011-02-01
TW200704829A (en) 2007-02-01
US20060237097A1 (en) 2006-10-26
GB0507887D0 (en) 2005-05-25
CN1861842A (zh) 2006-11-15
EP1716949B1 (en) 2008-08-27
US20100101962A1 (en) 2010-04-29
EP1716949A1 (en) 2006-11-02
JP5121160B2 (ja) 2013-01-16
KR20060110813A (ko) 2006-10-25
DE602006002419D1 (de) 2008-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1861842B (zh) 浸渍方法
CN1936094B (zh) 金属二相体及其制备方法
TW301844B (zh)
US8147671B2 (en) Electroplating method and electroplated product
CN101622379B (zh) 铜-锡-电解液和沉积青铜层的方法
EP2655702A1 (en) Substrate with a corrosion resistant coating and method of production thereof
JP2011520037A (ja) 改良された銅−錫電解液及び青銅層の析出方法
CN105378152A (zh) 铬表面的阴极腐蚀保护方法
KR101280675B1 (ko) 독성 금속 또는 독성 반금속의 사용 없이 전기도금에 의해 황색 금 합금 코팅을 수득하는 방법
JPH0471292A (ja) 印刷回路用銅箔及びその表面処理方法
EP1930478A1 (en) Electrolyte composition and method for the deposition of quaternary copper alloys
KR101046301B1 (ko) 니켈플래쉬 도금용액, 전기아연강판 및 이의 제조방법
JP5583896B2 (ja) パラジウムおよびパラジウム合金の高速めっき方法
CN1701137B (zh) 具有黑色化处理面的表面处面铜箔、及其制造方法及用该表面处面铜箔的等离子体显示器的前面板用电磁波屏蔽导电丝网
CN101027427B (zh) 用锡和锡合金涂布含有锑化合物的衬底的方法
CN106544707B (zh) 钢芯酸性亚铜亚锡电镀阶梯仿金青铜
KR20090123928A (ko) 블랙 루테늄의 장식층 및 기술층을 전착시키기 위한 전해액 및 방법
TWI448590B (zh) 用於鋅與鋅合金鑄模構件之新穎無氰化物電鍍方法
US20160002804A1 (en) Process for corrosion protection of iron containing materials
CN102666918B (zh) 改善镁和镁合金基材浸锌的组合物和工艺
Mason et al. A Comparison of Cyanide and Sulphite Gold Plating Processes
TWI316975B (zh)
JP2013144835A (ja) 無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｓｎめっき液
KR20100010589A (ko) 팔라듐 및 팔라듐 합금의 고속 도금 방법
JPH0340120B2 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant