CN1858648A - 涂敷处理方法和涂敷处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种涂敷·显影装置，沿着基板的输送路径，在处理部内从输送上游端按顺序配置有：载置台模块；调温模块；涂敷模块；加热模块；在利用具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂的基板输送机构，使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块时，为了使从调温模块向涂敷模块输送基板的臂和从加热模块接受基板的臂不同，而在涂敷模块和加热模块之间配置虚载置台，将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板。

Description

涂敷处理方法和涂敷处理装置
技术领域
本发明涉及对例如半导体晶片或者LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等基板进行抗蚀剂液的涂敷处理或者曝光后的显影液的涂敷处理等的涂敷处理方法和涂敷处理装置，更详细地，涉及用于基板输送机构所进行的基板输送的技术。
背景技术
作为半导体设备或者LCD基板的制造工艺方法之一，有以下一系列的工序：在基板上形成抗蚀剂膜，使用光掩膜使该抗蚀剂膜曝光后，通过进行显影处理，获得所希望的图形；这样的处理，通常使用在进行抗蚀剂液的涂敷或者显影的涂敷·显影装置上连接有曝光装置的防蚀图形形成装置来进行。作为这样的装置，已知的是例如特开2002-050668号公报中表示的装置。在该装置中，例如如图1所示，收纳有多片晶片W的承载体10被输入到承载块1A的承载台11，承载体10内的半导体晶片W(以下称为“晶片W”)借助交接臂12交接至处理块1B。然后在处理块1B中进行用于利用涂敷单元13A等形成抗蚀剂膜的一系列处理，接下来经由接口块1C输送至曝光装置1D。
曝光处理后的晶片，再次返回至处理块1B，在显影单元13B中进行显影处理，从而返回至原来的承载体10内。图1中，14A～14C，为具备用于在涂敷单元13A或者显影单元13B的处理前后对晶片进行规定的加热处理或者冷却处理的加热单元(HP、PEB、POST)、冷却单元(CPL1～CPL4)、或者交接台(TRS)等的搁板单元。
在该装置中，晶片W借助设在处理块1B上的主臂15，在涂敷单元13A、显影单元13B以及搁板单元14A～14C的各部分等的、在处理块1B中放置晶片W的模块间输送。这时，在对晶片W实施上述处理时，如上述特开2002-050668号公报中公开的技术所示，关于处理预定的全部晶片W，根据预先分别确定了在哪一时刻输送至哪一模块的输送计划进行输送。此外，在图1中，参考标记16是在处理块1B和曝光装置1D之间进行晶片W的输送的接口臂。
图2是表示该系统中的晶片W的输送路径的说明图。交接机构12具有将载置在承载台11上的承载体10内的处理前的晶片W输送至交接单元(TRS)，并将结束显影放置在冷却单元(CPL4)中的处理后的晶片W输送至上述承载体10上的作用。主输送机构15具有以冷却单元(CPL1)、涂敷单元(COT)、加热单元(HP)、冷却单元(CPL2)的顺序输送交接单元(TRS1)上的晶片W，进而以冷却单元(CPL3)、显影单元(DEV)、加热单元(POST)、冷却单元(CPL4)的顺序输送从接口块1C输出并载置在加热单元(PEB)内的晶片W的作用。
主输送机构15，例如如图3所示，具备例如沿着基台17进退自如地设置的3片臂15a、15b、15c，基台17构成为，利用未图示的升降机构和旋转机构，升降自如且绕铅直轴旋转自如。另外构成为进行如下的动作：在利用例如一个臂15b接受放置在前一个单元上的晶片W后，利用另一个臂15c接受放置在下一个单元上的晶片W，然后将上述一个臂15b上的晶片W交接至下一个单元。
这时，在主输送机构15与冷却单元(CPL1～CPL4)或者加热单元(HP、PEB、POST)之间，由于臂15b、15c进入单元内部而在与该单元之间进行晶片W的交接，所以在从加热单元接受晶片W时，臂自身加热，从而升温。
另外，如果使用该蓄热的臂，从涂敷单元(COT)的前一工序的冷却单元(CPL1)接受晶片W，并输送至涂敷单元(COT)，则从臂向在冷却单元(CPL1)中冷却的晶片W传热从而在输送中晶片W的温度上升，晶片温度的表面内均匀性恶化。在此由于涂敷处理时的晶片温度对膜厚产生较大影响，所以如果在输送中晶片温度变化，则依存该温度变化，膜厚的表面内均匀性下降。
因此，在现有技术中，通过准备上述主输送机构15的一个臂15a作为从冷却单元(CPL1)向涂敷单元(COT)输送晶片W时专用的臂，并使用不产生温度变化的其它臂将晶片W从冷却单元(CPL1)向涂敷单元(COT)输送，来抑制在冷却单元(CPL1)中冷却的晶片W的输送中的温度变化，实现膜厚的表面内均匀性的提高。但是该臂15a由于在通常的输送中不使用，所以使用频率较低，由于这样的使用频率低的臂15a也需要驱动系统，所以性能价格比低，从而成为阻碍装置低廉化的原因。再者，如果这样使用3条臂则也会导致主输送机构的大型化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以使用只具备上臂和下臂2条臂的基板输送机构，抑制从调温模块向涂敷模块的输送中的基板的温度变化的涂敷处理方法和涂敷处理装置。
再者，另一目的在于提供一种用于执行这样的涂敷处理方法的计算机程序和可以进行计算机读取的存储介质。
根据本发明的第1观点，提供一种涂敷处理方法，使用以下涂敷处理装置进行涂敷处理，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；调温模块，将基板的温度调整为设定温度；涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷涂敷液；加热模块，加热涂敷有涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
该方法包括：用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板；
用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板；
进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块；
这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
为了使从调温模块向涂敷模块输送基板的臂和从加热模块接受基板的臂不同，而在上述输送路径中的涂敷模块和加热模块之间配置虚载置台，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行基板从调温模块向涂敷模块的输送。
在上述第1观点的涂敷处理方法中，可以沿着输送路径配置在对基板涂敷涂敷液之前一边加热基板一边对基板表面进行疏水化处理的疏水化模块，对应于基板，在使用疏水化模块的输送路径和不使用疏水化模块的输送路径之间切换输送路径进行处理。再者，位于输送路径上游端的载置台模块可以作为基板的交接用的交接台模块。在该情况下，上述交接台模块也可以作为基板的冷却板而发挥功能。进而，涂敷模块可以是用于对基板涂敷抗蚀剂液或者反射防止膜用的药液的模块。更进而，涂敷模块可以是用于对基板涂敷显影液的模块，位于输送路径上游端的载置台模块可以是载置曝光且加热了的基板的模块。更进而，涂敷模块可以是用于对基板涂敷显影液的模块，位于输送路径上游端的载置台模块可以是载置曝光了的基板的模块，在输送路径中的载置台模块和调温模块之间，可以配置用于加热且冷却基板的模块。更进而，还可以包括：识别基板的输送路径；将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号；识别调温模块是第偶数号模块，还是第奇数号模块。
根据本发明的第2观点，提供一种涂敷处理方法，使用以下涂敷处理装置进行涂敷处理，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；第1调温模块，将基板的温度调整为设定温度；第1涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第1涂敷液；第1加热模块，加热涂敷有第1涂敷液的基板；第2调温模块，冷却基板并调整为设定温度；第2涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第2涂敷液；第2加热模块，加热涂敷有第2涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
该方法包括：用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板；
用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板；
进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块；
这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
为了使从第1调温模块向第1涂敷模块输送基板的臂和从第1加热模块接受基板的臂不同，而在上述输送路径中的第1涂敷模块和第1加热模块之间配置第1虚载置台，
为了使从第2调温模块向第2涂敷模块输送基板的臂和从第2加热模块接受基板的臂不同，而在上述输送路径中的第2涂敷模块和第2加热模块之间配置第2虚载置台，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在第1调温模块和第2调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在第1调温模块和第2调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行基板从调温模块向涂敷模块的输送。
在上述第2观点的涂敷处理方法中，第1涂敷模块可以是用于对基板涂敷反射防止膜用的药液的模块，第2涂敷模块可以是用于对基板涂敷抗蚀剂液的模块。再者，可以在输送路径中的第1调温模块的上游侧配置在对基板涂敷涂敷液之前一边加热基板一边对基板表面进行疏水化处理的疏水化模块，对应于基板，在使用第1调温模块、第1涂敷模块、第1虚载置台和第1加热模块的输送路径、以及代替使用这些模块而使用疏水化模块的输送路径之间切换输送路径进行处理。进而，位于输送路径上游端的载置台模块可以作为基板的交接用的交接台模块，在该情况下，上述交接台模块也可以作为基板的冷却板而发挥功能。更进而，还可以包括：识别基板的输送路径；将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号；识别调温模块是第偶数号模块，还是第奇数号模块。
根据本发明的第3观点，提供一种涂敷处理装置，具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；调温模块，将基板温度调整为设定温度；涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷涂敷液；加热模块，加热涂敷有涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作；
控制部，控制上述基板输送机构，使得利用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
上述涂敷处理部具有虚(dummy)载置台，所述虚载置台为了使从上述调温模块向涂敷模块输送基板的臂和从加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的涂敷模块和加热模块之间，
上述控制部控制基板输送机构，使得如果将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，则在调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板。
在上述第3观点的涂敷处理装置中，上述处理部可以具有疏水化模块，所述疏水化模块沿着上述输送路径配置，且在对基板涂敷涂敷液之前一边加热基板一边对基板表面进行疏水化处理，上述控制部可以控制上述基板输送机构，使得对应于基板，在使用疏水化模块的输送路径和不使用疏水化模块的输送路径之间切换输送路径。再者，位于上述输送路径上游端的上述载置台模块可以作为基板的交接用的交接台模块，在该情况下，上述交接台模块也可以作为基板的冷却板而发挥功能。进而，上述涂敷模块可以是用于对基板涂敷抗蚀剂液或者反射防止膜用的药液的模块。更进而，上述涂敷模块可以是用于对基板涂敷显影液的模块，位于上述输送路径上游端的上述载置台模块可以是载置曝光且加热了的基板的模块。更进而，上述涂敷模块可以是用于对基板涂敷显影液的模块，位于上述输送路径上游端的上述载置台模块可以是载置曝光了的基板的模块，在上述输送路径中的上述载置台模块和上述调温模块之间，可以配置用于加热且冷却基板的模块。
根据本发明的第4观点，提供一种涂敷处理装置，具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；第1调温模块，将基板的温度调整为设定温度；第1涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第1涂敷液；第1加热模块，加热涂敷有第1涂敷液的基板；第2调温模块，冷却基板并调整为设定温度；第2涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第2涂敷液；第2加热模块，加热涂敷有第2涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
控制部，控制上述基板输送机构，使得利用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，利用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
上述涂敷处理部具有：第1虚载置台，为了使从第1调温模块向第1涂敷模块输送基板的臂和从第1加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第1涂敷模块和第1加热模块之间；
和第2虚载置台，为了使从第2调温模块向第2涂敷模块输送基板的臂和从第2加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第2涂敷模块和第2加热模块之间，
上述控制部控制基板输送机构，使得如果将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，则在第1调温模块和第2调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在第1调温模块和第2调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板。
在上述第4观点的涂敷处理方法中，上述第1涂敷模块可以是用于对基板涂敷反射防止膜用的药液的模块，上述第2涂敷模块可以是用于对基板涂敷抗蚀剂液的模块。再者，上述处理部可以具有疏水化模块，所述疏水化模块配置在上述输送路径中的上述第1调温模块的上游侧，且在对基板涂敷涂敷液前一边加热基板一边对基板表面进行疏水化处理，上述控制部可以控制基板输送机构，使得对应于基板，在使用第1调温模块、第1涂敷模块、第1虚载置台和第1加热模块的输送路径、和代替使用这些模块而使用疏水化模块的输送路径之间切换输送路径。进而，位于上述输送路径上游端的上述载置台模块可以作为基板的交接用的交接台模块，在该情况下，上述交接台模块也可以作为基板的冷却板而发挥功能。
根据本发明的第5观点，提供一种计算机程序，在计算机中控制以下涂敷处理装置，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；调温模块，将基板的温度调整为设定温度；涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷涂敷液；加热模块，加热涂敷有涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；进而，为了使从调温模块向涂敷模块输送基板的臂和从加热模块接受基板的臂不同，而在上述输送路径中的涂敷模块和加热模块之间具有虚载置台；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
如下控制上述涂敷处理装置：在执行时，用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行基板从调温模块向涂敷模块的输送。
根据本发明的第6观点，提供一种可以进行计算机读取的存储介质，存储有在计算机中控制以下涂敷处理装置的控制程序，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；调温模块，将基板的温度调整为设定温度；涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷涂敷液；加热模块，加热涂敷有涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；进而，为了使从调温模块向涂敷模块输送基板的臂和从加热模块接受基板的臂不同，而在上述输送路径中的涂敷模块和加热模块之间具有虚载置台；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
上述程序如下控制上述涂敷处理装置：在执行时，用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行基板从调温模块向涂敷模块的输送。
根据本发明的第7观点，提供一种计算机程序，在计算机中控制以下涂敷处理装置，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；第1调温模块，将基板的温度调整为设定温度；第1涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第1涂敷液；第1加热模块，加热涂敷有第1涂敷液的基板；第2调温模块，冷却基板并调整为设定温度；第2涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第2涂敷液；第2加热模块，加热涂敷有第2涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；进而具有：第1虚载置台，为了使从第1调温模块向第1涂敷模块输送基板的臂和从第1加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第1涂敷模块和第1加热模块之间；第2虚载置台，为了使从第2调温模块向第2涂敷模块输送基板的臂和从第2加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第2涂敷模块和第2加热模块之间；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
如下控制上述涂敷处理装置：在执行时，用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在第1调温模块和第2调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在第1调温模块和第2调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行从基板调温模块向涂敷模块的输送。
根据本发明的第8观点，提供一种可以进行计算机读取的存储介质，存储有在计算机中控制以下涂敷处理装置的计算机程序，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；第1调温模块，将基板的温度调整为设定温度；第1涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第1涂敷液；第1加热模块，加热涂敷有第1涂敷液的基板；第2调温模块，冷却基板并调整为设定温度；第2涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第2涂敷液；第2加热模块，加热涂敷有第2涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；进而具有：第1虚载置台，为了使从第1调温模块向第1涂敷模块输送基板的臂和从第1加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第1涂敷模块和第1加热模块之间；第2虚载置台，为了使从第2调温模块向第2涂敷模块输送基板的臂和从第2加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第2涂敷模块和第2加热模块之间；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
上述程序如下控制上述涂敷处理装置：在执行时，用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在第1调温模块和第2调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在第1调温模块和第2调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行基板从调温模块向涂敷模块的输送。
根据本发明，由于始终用下臂进行基板从调温模块向涂敷模块的输送，并始终用上臂进行涂敷模块后输送的基板从加热模块的接受，所以不使用在从加热模块接受基板时加热了的上臂从调温模块向涂敷模块输送基板。因此，由于用调温模块以高精度进行了温度调整的基板借助温度变化少的下臂从调温模块输送至涂敷模块，所以可以在抑制来自臂的热影响的状态下进行基板的输送，可以抑制那时的基板的表面内温度的变化。由此，在涂敷模块中，在基板的面内温度均匀性高且基板温度适合的状态下进行涂敷液的涂敷处理，可以进行表面内均匀性较高的良好的涂敷处理。
再者，由于用上臂进行基板从加热模块的接受，上臂的热容易传播至上方侧，所以与用下臂进行基板从加热模块的接受的情况相比，可以减小对另一个臂的热影响。
此外，在本发明中，所谓的调温模块，并不限于设有调温机构的模块，也可以作为例如包含有用于调整为室温的简单的板的模块。再者，识别基板的输送路径的工序，通过例如选择欲输送基板的载置台模块或者涂敷模块等的模块或者虚载置台、和指定了基板向这些模块或者虚载置台的输送顺序的输送方法来进行。
附图说明
图1是表示现有的涂敷·显影装置的俯视图，
图2是表示现有的涂敷·显影装置中基板的流动和输送机构的运动的说明图，
图3是表示用于现有的涂敷·显影装置中的基板输送机构的一例的立体图，
图4是表示在本发明的涂敷处理方法中使用的模块的排列的示意图，
图5是表示在本发明的涂敷处理方法中使用的基板输送机构的立体图，
图6A、6B是说明用于说明本发明的涂敷处理方法的概要的模块的排列和基板输送机构的使用臂的图，
图7是表示应用于本发明的第1实施方式的涂敷·显影装置的俯视图，
图8是表示图7的涂敷·显影装置的整体结构的概略立体图，
图9是图7的涂敷·显影装置的概略垂直剖视图，
图10是表示图7的涂敷·显影装置的第4单位块(COT层)的概略立体图，
图11是表示图7的涂敷·显影装置中晶片的流动和各基板机构的输送区域及控制部的示意图，
图12是表示涂敷膜形成用的单位块中晶片的输送计划的一例的说明图，
图13是表示涂敷膜形成用的单位块中晶片的输送流程的流程图，
图14是表示涂敷膜形成用的单位块中晶片的输送计划的一例的说明图，
图15是表示在本发明的第1实施方式中使用的另一模块排列的示意图，
图16是表示在本发明的第2实施方式中使用的模块排列的示意图，
图17A、17B是示意地表示在本发明的第2实施方式中应用的涂敷·显影装置的俯视图，
图18A、18B是说明在本发明的第2实施方式中应用的涂敷·显影装置内的模块排列和基板输送机构的使用臂的图。
具体实施方式
首先关于本发明的涂敷处理方法的概要，以将本发明方法应用于抗蚀剂液的涂敷处理的情况为例进行说明。如图4所示，在涂敷处理装置内，在作为基板的晶片W的输送路径中，从上游侧按例如位于上游端的载置台模块(TRS)、加热晶片W并对晶片W表面进行疏水化处理的疏水化模块(ADH)、将晶片W的温度调整为设定温度的调温模块(CPL1)、对进行了温度调整的基板进行涂敷液例如抗蚀剂液的涂敷处理的涂敷模块(COT)、加热涂敷有涂敷液的基板的加热模块(HP)、和冷却基板的冷却模块(CPL2)的顺序配置。
在该装置中，利用如图5所示的具备上臂21和下臂22两片臂的基板输送机构2，沿着上述输送路径从上游侧向下游侧输送晶片W。在对形成有反射防止膜的晶片W进行抗蚀剂液的涂敷处理的情况下，以不使用疏水化模块(ADH)的输送路径，即载置台模块(TRS)→调温模块(CPL1)→涂敷模块(COT)→加热模块(HP)→冷却模块(CPL2)的顺序输送。再者，在对未形成反射防止膜的晶片W进行抗蚀剂液的涂敷处理的情况下，以使用疏水化模块(ADH)的输送路径，即载置台模块(TRS)→疏水化模块(ADH)→调温模块(CPL1)→涂敷模块(COT)→加热模块(HP)→冷却模块(CPL2)的顺序输送。
在此，基板输送机构2构成为相互上下设置的上述上臂21和下臂22沿着基台23独立地进退自如，在该基板输送机构2中如下地动作：利用上臂21和下臂22中的一个臂接受上述载置台模块(TRS)上的晶片W，利用上臂21和下臂22中的另一个臂接受放置在下一个模块上的晶片W，进而将上述一个臂上的晶片W交接至该下一个模块，这样使上臂21和下臂22交替地动作，从上游侧的模块按顺序将晶片W一个个地输送至下游侧的模块。
另外，如以不使用如图6A所示的疏水化模块(ADH)的输送路径进行晶片W的输送时那样，如果将载置台模块(TRS)作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，则在调温模块(CPL1)成为第偶数号(第2号)模块时，用上述上臂21去取第1号的载置台模块(TRS)上的晶片W，用下臂22接受放置在下一个调温模块(CPL1)上的晶片W，将上臂21上的晶片W交接至调温模块(CPL1)。这样，用下臂22接受调温模块(CPL1)上的晶片W，用上臂21接受放置在下一个涂敷模块(COT)上的晶片W，来将下臂22上的晶片W交接至涂敷模块(COT)。
在此，在将调温模块(CPL1)作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号时，关于第奇数号的模块，由于该模块上的晶片W，与去取调温模块(CPL1)上的晶片W的臂相同，所以如果将晶片W输送至涂敷模块(COT)的下一个的加热模块(HP)，则从调温模块(CPL)向涂敷模块(COT)输送的臂，和从加热模块(HP)接受晶片W的臂相同。
因此，在本发明中，如图6A所示，在上述输送路径中的涂敷模块(COT)和加热模块(HP)之间配置虚载置台(DUM)，使从调温模块(CPL1)向涂敷模块(COT)输送的臂(下臂22)、和从加热模块(HP)接受晶片W的臂(上臂21)不同。
再者，如以使用如图6B所示的疏水化模块(ADH)的输送路径输送晶片W时那样，如果将上述载置台模块(TRS)作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，则在调温模块(CPL1)成为第奇数号(第3号)模块时，用上述下臂22去取第1号的载置台模块(TRS)上的晶片W，用上臂21接受放置在下一个疏水化模块(ADH)上的晶片W，将上述下臂22上的晶片W交接至疏水化模块(ADH)。这样，用下臂22接受调温模块(CPL1)上的晶片W，用上臂21接受放置在下一个涂敷模块(COT)上的晶片W，来将上述下臂22上的晶片W交接至涂敷模块(COT)。
在这种情况下同样，由于在涂敷模块(COT)和加热模块(HP)之间不设置虚载置台(DUM)的情况下，从调温模块(CPL)向涂敷模块(COT)输送的臂，和从加热模块(HP)接受晶片W的臂相同，所以在上述输送路径中的涂敷模块(COT)和加热模块(HP)之间配置虚载置台(DUM)，使从调温模块(CPL1)向涂敷模块(COT)输送的臂(下臂22)、和从加热模块(HP)接受晶片W的臂(上臂21)不同。
接下来，说明本发明的实施方式。
首先，说明第1实施方式。图7是表示应用于本发明的第1实施方式的涂敷·显影装置的俯视图，图8是同一装置的概略立体图，图9是同一装置的概略垂直剖视图。涂敷·显影装置具备：承载块S1，用于输入输出密闭收纳有例如13片作为基板的晶片W的承载体30；处理块S2，具备与承载块S1邻接设置的5个单位块B1～B5；接口块S3，在处理块S2的与承载块S1相反的一侧与其邻接设置。另外，在曝光装置S4连接在接口块S3上的状态下构成防蚀图形形成装置。用由计算机构成的控制装置6控制该防蚀图形形成装置的动作。
承载块S1具有：可以载置多个承载体30的载置台31；从该载置台31看设在前方壁面上的开闭部32；用于经由开闭部32将晶片W从承载体30取出的承载块输送机构C。该承载块输送机构C构成为，进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如、在承载体30的排列方向移动自如，以便在后述的单位块B2的交接台TRS1、TRS2、TRS-F之间进行晶片W的交接。
上述处理块S2，连接在承载块S1上，并被筐体33包围周围。处理块S2为多层构造，下层侧的2层为用于进行显影处理的第1和第2单位块(DEV层)B1、B2，在其上方依次形成用于进行形成在抗蚀剂膜的上层侧的反射防止膜(以下称为第2反射防止膜)的形成处理的第3单位块(TCT层)B3；用于进行抗蚀剂液的涂敷处理的第4单位块(COT层)B4；用于进行形成在抗蚀剂膜的下层侧的反射防止膜(以下称为第1反射防止膜)的形成处理的第5单位块(BCT层)B5。在此，DEV层B1、B2相当于显影处理用的单位块，TCT层B3、COT层B4和BCT层B5相当于涂敷膜形成用的单位块。
再者，处理块S2在其承载块S1侧部分具有贯通单位块B1～B5且层叠地构成有多个交接台的搁板单元U5，再者，在接口块S3侧部分具有贯通单位块B1～B5且层叠地构成有多个交接台的搁板单元U6。
接下来，说明第1～第5单位块B1～B5的结构。
这些各单位块B1～B5具备：用于对晶片W涂敷药液的液体处理单元；用于进行以液体处理单元进行的处理的前处理和后处理的各种加热？冷却类的多个处理单元。另外，第1～第5单位块B1～B5具备分别用于在上述液体处理单元和加热？冷却类的处理单元之间进行晶片W的交接的专用主输送臂A1～A5。
这些单位块B1～B5，由于由大致同样的布局构成，所以以图7所示的第4单位块(COT层)B4为例进行说明。
在该COT层B4的大致中央，沿着从承载块S1侧至接口块S3侧的图中Y方向形成晶片W的输送区域R1。在从该输送区域R1的承载块S1侧观看的右侧，作为上述液体处理单元而设置有具备用于进行抗蚀剂的涂敷处理的多个(图中为3个)涂敷部40、和收纳涂敷部40的筐体42的涂敷模块41。涂敷部40具备保持晶片并使其旋转的晶片保持部(未图示)、和包围该晶片保持部的杯体43，使用喷嘴等将抗蚀剂液供给至晶片的中心部，并使晶片保持部旋转来扩散抗蚀剂液从而进行涂敷处理。
再者，在从输送区域R1的承载块S1侧观看的左侧设置有加热冷却部分48。加热冷却部分48，具有从承载块S1侧按顺序设置的将加热？冷却类的单元多层化的4个搁板单元U1、U2、U3、U4。这些搁板单元U1、U2、U3、U4为，将用于进行以涂敷模块41进行的处理的前处理或者后处理的各种单元层叠为多层，例如2层的结构。
作为构成上述加热冷却部分48的用于进行前处理和后处理的多个各种模块，例如如图10所示，包含有：调温模块(CPL41)，用于在抗蚀剂液涂敷前将晶片W调整至设定温度；加热模块(HP4)，用于在抗蚀剂液涂敷后进行晶片W的加热处理，被称为例如预烘焙单元等；冷却模块(CPL42)，为了在抗蚀剂液涂敷后，例如预先将晶片高精度地调整为曝光装置S4内的温度，而用于进行晶片的冷却处理；疏水化模块(ADH)，为了在抗蚀剂液涂敷后，提高抗蚀剂液和晶片W的紧贴性，而加热晶片W并对晶片W表面进行疏水化处理；用于只使晶片W的缘部选择性地曝光的周缘曝光装置(WEE)等。再者调温模块(CPL41)和加热模块(HP4)等各处理单元，分别收纳在处理容器44内，搁板单元U1～U4层叠2层处理容器44而构成，在各处理容器44的面临于输送区域R1的表面上形成有晶片输入输出口45。
在上述输送区域R1内设置有上述主输送机构A4。该主输送机构A4构成为在该第4单位块(COT层)B4内的全部模块、搁板单元U5和搁板单元U6的各交接台之间进行晶片的交接，因此构成为进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如、Y轴方向移动自如。
主输送机构A4，例如如图10所示，具备用于支承晶片W的背面侧周缘区域且相互上下配置的上臂21和下臂22这2个臂，这些上臂21和下臂22构成为沿着基台23相互独立地进退自如。再者，该基台23构成为利用旋转机构24绕铅直轴旋转自如，并且构成利用移动机构25，沿着安装在支承搁板单元U1～U4的台部26的面临于输送区域R1的表面上的Y轴导轨27而在Y轴方向移动自如，且沿着升降导轨28升降自如。这样，上臂21和下臂22构成为进退自如，沿着Y轴方向移动自如，升降自如，绕铅直轴旋转自如，并可以在搁板单元U1～U4的各模块、或者后述的搁板单元U5、U6的第1和第2交接台或者虚载置台(DUM)、或者涂敷模块(COT)之间进行晶片W的交接。此外，其它单位块的主输送机构A1、A2、A3、A5也完全同样地构成。
输送区域R1的与承载块S1邻接的区域，成为第1晶片交接区域R2。如图7和图9所示，在该区域R2的承载块输送机构C和主输送机构A4可以进入的位置设置上述搁板单元U5。再者，在区域R2中，用于进行晶片W的交接的第1交接机构51可以通过搁板单元U5。第1交接机构51可以沿着搁板单元U5，贯通第1～第5单位块B1～B5而上下移动。
输送区域R1的与接口块S3邻接的区域，成为第2晶片交接区域R3。如图7和图9所示，在该区域R 3的主输送机构A4可以进入的位置设置上述搁板单元U6。再者，在区域R3中，用于进行晶片W的交接的第2交接机构52可以通过搁板单元U6。第2交接机构52可以沿着搁板单元U6，贯通第1～第5单位块B1～B5而上下移动。
上述搁板单元U5，如图9所示，在分别对应于各单位块B1～B5的位置上具有各2个第1交接台TRS1～TRS5，由此构成多层层叠有第1交接台的第1交接台组。在这些第1交接台TRS1～TRS5中，分别在与单位块B1～B5的主输送机构A1～A5之间进行晶片W的交接。再者上述第1交接机构51构成为进退自如和升降自如，以便可以向第1交接台TRS1～TRS5进行晶片W的交接。此外，虽然在该例中，分别设置了各2个第1交接台TRS1～TRS5，但是也可以分别为各1个或者各3个以上。
上述第1和第2单位块B1和B2的第1交接台TRS1和TRS2构成为在与承载块S1的承载块输送机构C之间进行晶片W的交接。再者，搁板单元U5在对应于第2单位块B2的部分，还具备2个交接台TRS-F，该交接台TRS-F，作为用于借助承载块输送机构C将晶片W输入处理块S2中的专用交接台使用。该交接台TRS-F可以设置在第1单位块B1上，也可以在不单独地设置该交接台TRS-F的前提下，在将晶片W从承载块输送机构C输入处理块S2中时，使用交接台TRS1和TRS2进行。
上述搁板单元U6，如图5和图9所示，在分别对应于各单位块B1～B5的位置上具有各2个第2交接台TRS6～TRS10，由此构成多层层叠有第2交接台的第2交接台组。在这些第2交接台TRS6～TRS10中，分别在与单位块B1～B5的主输送机构A1～A5之间进行晶片W的交接。再者上述第2交接机构52构成为进退自如和升降自如，以便可以对第2交接台TRS6～TRS10进行晶片W的交接。此外，虽然在该例中，分别设置了各2个第2交接台TRS6～TRS10，但是也可以分别为各1个或者各3个以上。
这样，在本实施方式中构成为，可以在5层层叠的各单位块B1～B5之间，利用上述第1交接臂51和第2交接臂52，分别经由第1交接台TRS1～TRS5和TRS-F、第2交接台TRS6～TRS10，自由地进行晶片W的交接。
再者，在COT层B4中，例如第1交接台TRS4、第2交接台TRS9的任意一个，作为构成为在该COT层B4内的晶片W的输送路径中位于上游端的载置台模块的交接台模块使用。进而，在搁板单元U5、搁板单元U6的任意一个上，在例如各单位块B1～B5的主臂A1～A5分别可以进入的位置，设置1个以上例如1个虚载置台(DUM1～DUM5)。
接下来，如果说明其它单位块，则TCT层B3和BCT层B5，除去涂敷模块中的药液代替抗蚀剂液而为反射防止膜用药液，并设置有作为反射防止膜形成用的涂敷模块的反射防止膜模块以外，实质上与COT层B4的结构相同。例如，在TCT层B3上，在搁板单元U5或者搁板单元U6上设有构成为载置台模块的第1交接台TRS3、TRS8，和虚载置台(DUM3)，并且在搁板单元U1～U4上设有用于形成抗蚀剂膜的上部侧的反射防止膜的反射防止膜模块(BARC2)、用于在上述反射防止膜用的药液涂敷前将晶片W调整为设定温度的调温模块(CPL31)、用于在药液涂敷后进行晶片W的加热处理的加热模块(HP3)、和用于在药液涂敷后进行晶片W的冷却处理的冷却模块(CPL32)等。再者，并且设有构成为在这些模块和虚载置台(DUM3)之间输送晶片W的基板输送机构的主臂A3。
再者例如在BCT层B5上，在搁板单元U5或者搁板单元U6上设有构成为载置台模块的第1交接台TRS5、TRS10，和虚载置台(DUM5)，并且在搁板单元U1～U4上设有用于形成抗蚀剂膜的下部侧的反射防止膜的反射防止膜模块(BARC1)、用于在上述反射防止膜用的药液涂敷前将晶片W调整为设定温度的调温模块(CPL51)、用于在上述药液涂敷后进行晶片W的加热处理的加热模块(HP5)、和用于在上述药液涂敷后进行晶片W的冷却处理的冷却模块(CPL52)等。并且设有构成为在这些模块和虚载置台(DUM5)之间输送晶片W的基板输送机构的主臂A5。
再者，DEV层B1、B2同样地构成，除了设有作为用于对晶片W进行显影液的涂敷处理的涂敷模块的显影模块(DEV)，在搁板单元U1～U4上具备：对曝光后的晶片W进行加热处理的被称为后曝光烘焙单元等的、对曝光后的基板进行加热处理的加热模块(PEB1、PEB2)；或者用于在该加热模块(PEB1、PEB2)中的处理后将晶片W调整至设定温度的调温模块(CPL11、CPL21)；和为了蒸发水分而对显影处理后的晶片W进行加热处理的被称为后烘焙单元等的加热模块(POST1、POST2)以外，与COT层B4同样地构成。此外显影单元将晶片保持在以杯体包围的晶片保持部，从药液喷嘴盛接显影液进行显影，其后用清洗液清洗晶片表面，并使晶片保持部旋转而干燥晶片，其结构与图4所示的涂敷单元大致相同。
另外在这些DEV层B1、B2中，在搁板单元U5上设有第1交接台(TRS1、TRS2、TRS-F)，和虚载置台(DUM1)，在搁板单元U6上设有第2交接台(TRS6、TRS7)，和虚载置台(DUM1)。另外在这些DEV层B1、B2中，分别利用构成基板输送机构2的主臂A1、A2，来分别对第1交接台TRS1、TRS2、TRS-F、第2交接台TRS6、TRS7；虚载置台(DUM1、DUM2)；显影模块(DEV)；搁板单元U1～U4的各模块进行晶片W的交接。
在此，作为上述调温模块(CPL11、CPL21、CPL31、CPL41、CPL51)和冷却模块(CPL32、CPL42、CPL52)，使用将晶片W载置在调整为规定温度的调温板(冷却板)上来进行温度调整这一结构的装置，作为加热模块(HP3、HP4、HP5)，使用将晶片W载置在加热板上来加热晶片这一结构的装置。
再者，作为加热模块(PEB1、PEB2、POST1、POST2)，使用如下结构的装置：具备加热板和兼用作输送臂的冷却板，可以用冷却板进行主臂A1～A5和加热板之间的晶片W的交接、由1个单元进行加热冷却；这些加热模块(PEB1、PEB2、POST1、POST2)相当于用于加热且冷却基板的模块。
另一方面，在处理块S2中的搁板单元U6侧，经由接口块S3连接有曝光装置S4。接口块S3具备用于对处理块S2的搁板单元U6和曝光装置S4进行晶片W的交接的接口块输送机构53。该接口臂53，在该例中，构成为进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如，以便对第1～第4单位块B1～B4的第2交接台TRS6～TRS9进行晶片W的交接。再者，上述接口块输送机构53也可以构成为对所有单位块B1～B5的第2交接台TRS6～TRS9进行晶片W的交接。
图11是与处理块S2中的用于形成抗蚀剂膜的单位块B4(COT层)、用于进行显影的单位块B1(DEV层)、接口块S3、曝光装置S4和晶片W的输送系统与晶片W的输送顺序一致地表示的说明图，再者也表示控制装置6的结构。这里所示的COT层B4内的晶片W的输送路径，是不使用疏水化模块(ADH)的输送路径。此外，如该图11所示，曝光装置S4具备输入台54和输出台55。
控制装置6控制涂敷·显影装置的输送系统整体，不过在这里只表示与该实施方式的主要部分相关联的部位。控制装置6具有主输送机构控制程序61、输送计划存储部62、和臂管理部63。
主输送机构控制程序61为，参照存储在输送计划存储部62中的输送计划来控制涂敷膜形成用的单位块B1～B3的主输送机构A1～A3，和显影处理用的单位块B1、B2的主输送机构A1、A2，并且基于来自臂管理部63的信息，来控制上述主输送机构A1～A5的程序。
输送计划存储部62，如果将放置晶片W的部位称为模块，则存储将各模块和晶片W的对应关系表示为时间序列而得到的计划表。图12表示利用不使用上述疏水化模块(ADH)的输送路径来对晶片W进行抗蚀剂液的涂敷处理时的输送计划表的一部分(COT层B4的输送计划)，阶段1、2......表示某一输送循环中的模块和晶片W(A01～A10)的对应关系，在顶行中表示各模块的排列。横向排列的模块为模块和虚载置台(DUM4)的任意一个，为配置在COT层B4内的TRS4(载置台模块)、CPL41(调温模块)、COT(涂敷模块)、DUM4(虚载置台)、HP(加热模块)、CPL42(冷却模块)、和TRS9(交接台)。该模块的排列为晶片流动的顺序，对应于图8的模块的排列。
例如阶段1表示作为一批的开头的晶片的第1片晶片A01位于TRS4。再者，阶段3表示晶片A03、A02、A01分别位于TRS4、CPL41、COT。主输送机构控制程序61按顺序读取该输送计划62的阶段，进行晶片的输送以便成为对应于读取的阶段的状态。因而，如果按顺序读取阶段来进行晶片的输送，则进行依次输送使得晶片一片片地移送至顺序在后的一个模块中。
再者，在臂管理部63中，具备如下的程序：判断由上臂21和下臂22的哪一个来进行输送路径的上游端的第1号的载置台模块(TRS4)上的晶片W的接受，以便始终用下臂22进行晶片W从调温模块(CPL41)向涂敷模块(COT)的输送。
接下来，参照如图13所示的流程图来说明如上构成的本实施方式的装置的作用。在该装置中，也可以进行在抗蚀剂膜的上下分别形成反射防止膜；只在抗蚀剂膜的上下的一方形成反射防止膜；或者在不形成反射防止膜的前提下只使用COT层(单位块B4)来形成抗蚀剂膜的任意一个处理，不过在此为了尽可能简单地说明，叙述只使用COT层(单位块B4)形成抗蚀剂膜，然后使用作为单位块B1的DEV层进行显影处理的情况。
首先，操作者选择对形成有反射防止膜的晶片W进行抗蚀剂液的涂敷处理的输送方法，即由不使用疏水化模块(ADH)的输送路径来输送晶片W的输送方法(步骤S1)。该输送方法记载有使用的模块或者虚载置台(DUM4)、和使用它们的顺序(输送晶片W的顺序)，例如在COT层B4内，为根据图12所示的输送计划来输送晶片W的方法。如果这样选择输送方法，则在臂管理部63中，判断在将载置台模块(TRS4)作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号时，调温模块(CPL41)是否成为第偶数号模块(步骤S2)。在判断是成为第偶数号模块的情况下，前进至步骤S3，向主输送机构A4输出指令以便上臂21去接受载置台模块(TRS4)的晶片W。再者在成为第奇数号模块时，前进至步骤S4，向主输送机构A4输出指令以便下臂22去接受载置台模块(TRS4)的晶片W。在该情况下，由于调温模块(CPL41)是第2号模块，所以输出指令以便上臂21去取载置台模块(TRS4)的晶片W。
另一方面，在装置中，从外部向承载块31输入承载体30，利用传送臂C从该承载体30内取出晶片W。晶片W从传送臂C，首先被交接至第2单位块B2的搁板单元U5的第1交接台TRS-F，然后用第1交接臂51交接至第1交接部TRS4(载置台模块)。
接下来，在步骤S5中，用主输送机构A4中已决定的臂(上臂21)去接受载置台模块(TRS4)上的晶片W，以后依照输送计划，输送晶片W，来进行抗蚀剂液的涂敷处理。即，如图6A、图11所示，用主输送机构A4，以调温模块(CPL41)→涂敷模块(COT)→虚载置台(DUM4)→加热模块(HP4)→冷却模块(CPL42)→搁板单元U6的交接台TRS9的顺序输送晶片W，形成化学放大型的抗蚀剂膜。接下来，用接口臂53将交接台TRS9的晶片W输送至曝光装置S4的输入台54，在曝光装置S4中进行曝光处理。
曝光处理后的晶片W，输出至输出台55，用接口臂53，输送至DEV层B1的交接台TRS6。然后该台TRS6上的晶片W，由DEV层B1的主输送机构A1接受，并以加热模块(PEB1)→调温模块(CPL11)→显影模块(DEV)→加热模块(POST1)→交接台TRS1的顺序输送，进行规定的显影处理。这样进行了显影处理的晶片W，借助承载块输送机构C，从交接台TRS1返回至载置在承载块S1上的原来的承载体30。关于处理块S2中晶片的输送，在DEV层也同样地依照输送计划进行依次输送使得晶片一片片地移送至顺序在后的一个模块中。
再者，在批次的切换时等，在操作者选择对未形成反射防止膜的晶片W进行抗蚀剂液的涂敷处理的输送方法，即由使用疏水化模块(ADH)的输送路径来输送晶片W的输送方法的情况下，这时的输送计划如图14所示，依照上述图13所示的流程图，在将载置台模块(TRS4)作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号时，由于调温模块(CPL41)成为第3号模块，所以向主输送机构A4输出指令以便用下臂22去接受载置台模块(TRS4)的晶片W。
然后，用下臂22去接受载置台模块(TRS4)上的晶片W，以后依照输送计划，输送晶片W，来进行抗蚀剂液的涂敷处理。即，如图6B所示，用主输送机构A4，以疏水化模块(ADH)→调温模块(CPL41)→涂敷模块(COT)→虚载置台(DUM4)→加热模块(HP4)→冷却模块(CPL42)→搁板单元U6的交接台TRS9的顺序输送，形成化学放大型的抗蚀剂膜。
这样进行的一系列的涂敷处理，依照存储在控制部6中、且组装有步骤以便实施这些处理的计算机程序来进行。
根据以上的实施方式，由于用臂管理部63，判断由上臂21和下臂22的哪一个来进行输送路径的上游端的第1号的载置台模块(TRS4)上的晶片W的接受，并且在涂敷模块(COT)和加热模块(HP)之间配置有虚载置台(DUM4)，所以如图6A、6B所示，在输送方法不同、使用和不使用疏水化模块(ADH)的情况下，晶片W的输送路径不同的情况下，也始终用下臂22进行从调温模块(CPL)向涂敷模块(COT)的晶片W的输送，并始终用上臂21从加热模块(HP)接受晶片W。
因此，没有如下的情况：使用在从加热模块(HP4)接受晶片W时加热了的上臂21从调温模块(CPL41)向涂敷模块(COT)输送晶片W。由此，由于用调温模块(CPL41)以高精度进行了调整温度的晶片W，借助不被加热而温度变化少的下臂22从调温模块(CPL41)输送至涂敷模块(COT)，所以可以在抑制来自臂的热影响的状态下进行该输送。
这样，在该输送时，在晶片W的臂所接触的部位和所不接触的部位，都可以抑制晶片温度因来自臂的传热而不同、从而晶片温度的表面内均匀性恶化这一晶片W的基板的表面内温度的变化。由此，在涂敷模块(COT)中，可以在晶片W的表面内温度的均匀性较高，且基板温度适当的状态下进行抗蚀剂液的涂敷处理，从而可以进行膜厚等表面内均匀性较高的良好的涂敷处理。
再者，如果用上臂21进行从上述加热模块(HP)的晶片W的接受，则由于热容易传播至上方侧，所以与用下臂22进行从加热模块(HP4)的晶片W的接受的情况相比，可以减小对另一个臂的热影响。
在该例中，对应于晶片W的、在使用疏水化模块(ADH)的输送路径和不使用疏水化模块(ADH)的输送路径之间的输送路径的切换，如已经说明的那样，通过选择以使用疏水化模块(ADH)的输送路径输送晶片W的输送方法、和以不使用疏水化模块(ADH)的输送路径输送晶片W的输送方法的任意一个来进行。
至此在本实施方式中，涂敷模块也可以是对晶片W涂敷作为涂敷液的显影液的显影模块(DEV)，在该情况下，位于输送路径的上游端的载置台模块，可以作为载置曝光且加热了的基板的模块，例如第2交接台TRS6(TRS7)、或者加热模块(PEB)等的在该DEV层B1(B2)内的晶片W的输送路径中排列在调温模块(CPL11)的上游侧的模块。
如果使用图15以DEV层B1的模块为例说明该情况，则在例如使加热模块(PEB1)为位于输送路径的上游端的载置台模块的情况下，以加热模块(PEB1)→调温模块(CPL11)→显影模块(DEV)→虚载置台(DUM1)→加热模块(POST1)的顺序输送晶片W。此外，在该情况下，如果将加热模块(PEB1)作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，则由于调温模块(CPL11)成为第偶数号(第2号)模块，所以控制主输送机构A1(A2)以便用上述上臂21接受第1号的加热模块(PEB1)上的晶片W。再者，由于在上述输送路径中的显影模块(DEV)和加热模块(HP)之间配置虚载置台(DUM1)，所以从调温模块(CPL11)向显影模块(DEV)输送的臂(下臂22)、和从加热模块(POST1)接受晶片W的臂(上臂21)不同。
因而，在该情况下也同样地，通过使用未被加热的臂从调温模块(CPL11)向显影模块(DEV)输送晶片W，来抑制该输送时的晶片W的温度变化，所以可以在维持较高温度的表面内均匀性的状态下对晶片W进行显影处理，从而可以提高显影处理的表面内均匀性。此外，在该例中，作为加热模块(POST1)，使用了具备加热板和冷却板这一结构的装置，不过也可以代替加热模块(POST1)，而组合使用只具备加热板的加热模块(HP)和只具备冷却板的冷却模块(CPL)。
再者，这样的本实施方式的方法，也可以应用于TCT层B3和BCT层B5，例如在TCT层B3中，涂敷模块是反射防止膜模块(BARC2)，位于输送路径上游端的载置台模块是交接单元TRS3(或者TRS8)，以交接单元TRS3(或者TRS8)→调温模块(CPL31)→反射防止膜模块(BARC2)→虚载置台(DUM3)→加热模块(HP3)→冷却模块(CPL32)→交接单元TRS8(或者TRS3)的顺序输送。
在该情况下，如果使上述载置台模块(TRS3或者TRS8)为第1号模块，则由于调温模块(CPL)成为第偶数号(第2号)模块，所以控制主输送机构A3以便用上述上臂21接受第1号的载置台模块(TRS3或者TRS8)上的晶片W。再者，由于在上述输送路径中的反射防止膜模块(BARC2)和加热模块(HP)之间配置有虚载置台(DUM3)，所以从调温模块(CPL31)向反射防止膜模块(BARC2)输送的臂(下臂22)、和从加热模块(HP3)接受晶片W的臂(上臂21)不同。再者，在BCT层B5中，除了成为反射防止膜模块(BARC1)以外，也与TCT层B3同样地输送晶片W。
因此，在这些情况下也同样地，由于能够抑制从调温模块(CPL31、CPL51)向反射防止膜模块(BARC1、BARC2)输送晶片W时的晶片W的温度变化，所以可以在维持较高温度的表面内均匀性的状态下对晶片W进行反射防止膜的形成处理，从而可以提高该处理的表面内均匀性。
接下来说明本发明的第2实施方式。
该实施方式，是使用以下装置作为涂敷处理装置的例，即例如如图16所示，该装置将载置台模块(TRS)、将晶片W的温度调整为设定温度的第1调温模块(CPL)、构成为对进行了温度调整的晶片W涂敷作为第1涂敷液的反射防止膜用的药液的第1涂敷模块的反射防止膜模块(BARC)、第1虚载置台(DUM1)、在对晶片W涂敷涂敷液之前一边加热晶片W一边对晶片W的表面进行水化处理的水化模块(ADH)、加热涂敷有第1涂敷液的晶片W的第1加热模块(HP1)、冷却晶片W并调整至设定温度的第2调温模块(CPL2)、构成为对进行了温度调整的晶片W涂敷第2涂敷液的第2涂敷模块的涂敷模块(COT)、加热涂敷有第2涂敷液的晶片W的第2加热模块(HP2)、和冷却晶片W的冷却模块(CPL3)，配置在相同的处理块内，并利用共用的基板输送机构2，对各模块进行晶片W的输送。
作为这样的装置，使用如图17A、17B所示的装置。在图17A所示的装置中，横向并列地配置为：输入输出收纳有多片晶片W的承载体的承载块71、进行反射防止膜的形成或者抗蚀剂液的涂敷·显影处理等的处理块72、接口块73和曝光装置74，从承载块71按顺序相互邻接。上述处理块72，具有：如图16所示的各模块等；用于进行显影处理的模块(作为载置台模块的交接台模块或者加热模块(PEB)、显影模块(DEV)、调温模块(CPL)、加热模块(POST)、虚载置台(DUM)等)；用于相对于它们进行晶片W的交接的基板输送机构2。在该装置中，在对从承载块71输送来的晶片W在处理块72中进行了反射防止膜的形成或者抗蚀剂液的涂敷处理后，经由接口块73在曝光装置74中进行曝光处理，然后再次在处理块72中进行显影处理，返回至承载块71。
再者，如图17B所示的装置横向并列地配置为：承载块75、进行抗蚀剂液的涂敷处理的涂敷块76、进行显影处理的显影块77、接口块78和曝光装置79，从承载块75按顺序相互邻接，在上述涂敷块76上，设有例如如图16所示的模块、和相对于它们进行晶片W的交接的基板输送机构2，来进行反射防止膜的形成和抗蚀剂液的涂敷处理。再者，在上述显影块77上，配置有用于进行显影处理的模块(作为载置台模块的交接台模块或者加热模块(PEB)、显影模块(DEV)、调温模块(CPL)、加热模块(POST)、虚载置台(DUM)等)、和用于相对于它们进行晶片W的交接的基板输送机构，来对曝光后的晶片W进行显影处理。
在该装置中，在对从承载块75输送来的晶片W在涂敷块76中进行了反射防止膜的形成或者抗蚀剂液的涂敷处理后，经由接口块78在曝光装置79中进行曝光处理，然后在显影块77中进行显影处理，返回至承载块75。
另外，在这样的装置中，例如图18A所示，在对晶片W形成反射防止膜、不使用  水化模块(ADH)的处理中，以位于上游端的载置台模块(TRS)→第1调温模块(CPL1)→反射防止膜模块(BARC)→第1虚载置台(DUM1)→第1加热模块(HP1)→第2调温模块(CPL2)→涂敷模块(COT)→第2虚载置台(DUM2)→第2加热模块(HP2)→冷却模块(CPL3)的输送路径输送晶片W。
另外，如果使上游端的载置台模块(TRS)为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，则由于第1调温模块(CPL1)和第2调温模块(CPL2)分别成为第2号和第6号模块，所以用上述上臂21去接受第1号的载置台模块(TRS)上的晶片W。图中各模块的下方记载的「上」、「下」的文字，表示去接受该模块内的晶片W的臂是上臂21，还是下臂22。
再者，由于在作为第1涂敷模块的反射防止膜模块(BARC)和第1加热模块(HP1)之间、和作为上述第2涂敷模块的涂敷模块(COT)和第2加热模块(HP2)之间，分别配置第1虚载置台(DUM1)和第2虚载置台(DUM2)，所以从第1和第2加热模块(HP1、HP2)接受晶片W的臂为上臂22，从而从第1调温模块(CPL1)向反射防止膜模块(BARC)输送的臂和从第2调温模块(CPL2)向涂敷模块(COT)输送的臂、与从第1和第2加热模块(HP1、HP2)接受晶片W的臂不同。
再者，例如图18B所示，在对晶片W不形成反射防止膜、使用  水化模块(ADH)的处理中，以位于上游端的载置台模块(TRS)→水化模块(ADH)→第2调温模块(CPL2)→涂敷模块(COT)→第2虚载置台(DUM2)→第2加热模块(HP2)→冷却模块(CPL3)的输送路径输送晶片W。
另外，在该情况下，如果使上游端的载置台模块为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，则由于第2调温模块(CPL2)成为第3号模块，所以用上述下臂22去接受第1号的载置台模块(TRS)上的晶片W。
再者，由于在涂敷模块(COT)和第2加热模块(HP2)之间配置第2虚载置台(DUM2)，所以从第2加热模块(HP2)接受晶片W的臂为上臂22，从而从第2调温模块(CPL2)向涂敷模块(COT)输送的臂、与从第2加热模块(HP2)接受晶片W的臂不同。
在这些装置中，需要提前制成模块的输送路径，使得第1调温模块(CPL1)和第2调温模块(CPL2)，在使上游端的载置台模块(TRS)为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号时，两模块都预先成为第奇数号模块，或者两模块都预先成为第偶数号模块。
另外，控制基板输送机构2，以便通过准备对晶片W形成反射防止膜、以不使用疏水化模块(ADH)的输送路径输送晶片W的输送方法、和不对晶片W形成反射防止膜、以使用疏水化模块(ADH)的输送路径输送晶片W的输送方法，并对应于晶片W选择输送方法，来对应于晶片W，在使用第1调温模块(CPL1)、第1涂敷模块(BARC)、第1虚载置台(DUM1)和第1加热模块(HP1)的输送路径、和代替使用这些模块而使用疏水化模块(ADH)的输送路径之间切换输送路径。再者，在这些装置中，关于显影处理，也应用与使用图15说明的手法同样的手法。
此外，本发明并不限于上述实施方式，可以在本发明的思想范围内进行种种变形。例如，在上述实施方式中，表示了单单为了交接而使用了作为位于输送路径上游侧的载置台模块而使用的交接台模块这一例，不过上述载置台模块也可以在此基础上，具有晶片W的冷却板的功能。再者，载置台模块也可以是具备晶片W的加热板和冷却板的加热模块(PEB，POST)。
再者，在上述实施方式中，在涂敷模块(COT)的下游侧按顺序排列具备加热板的加热模块(HP)和具备冷却板的冷却模块(CPL)，但是也可以代替这些加热模块(HP)、冷却模块(CPL)，而设置具备晶片W的加热板和冷却板这一类型的加热模块。
再者，在以上的实施方式中，作为调温模块，说明了设有调温机构的调温模块，不过并不限于此，也可以是例如用于调整为室温的简单的板。

Claims (30)

1.一种涂敷处理方法，使用以下涂敷处理装置进行涂敷处理，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；调温模块，将基板的温度调整为设定温度；涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷涂敷液；加热模块，加热涂敷有涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
该方法包括：用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板；
用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板；
进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块；
这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
为了使从调温模块向涂敷模块输送基板的臂和从加热模块接受基板的臂不同，而在上述输送路径中的涂敷模块和加热模块之间配置虚载置台，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行基板从调温模块向涂敷模块的输送。
2.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于，沿着输送路径配置在对基板涂敷涂敷液之前一边加热基板一边对基板表面进行疏水化处理的疏水化模块，对应于基板，在使用疏水化模块的输送路径和不使用疏水化模块的输送路径之间切换输送路径进行处理。
3.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于，位于输送路径上游端的载置台模块为基板的交接用的交接台模块。
4.如权利要求3所述的涂敷处理方法，其特征在于，上述交接台模块也作为基板的冷却板而发挥功能。
5.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于，涂敷模块是用于对基板涂敷抗蚀剂液或者反射防止膜用的药液的模块。
6.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于，涂敷模块是用于对基板涂敷显影液的模块，位于输送路径上游端的载置台模块是载置曝光且加热了的基板的模块。
7.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于，涂敷模块是用于对基板涂敷显影液的模块，位于输送路径上游端的载置台模块是载置曝光了的基板的模块，在输送路径中的载置台模块和调温模块之间，配置用于加热且冷却基板的模块。
8.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于，还包括：识别基板的输送路径；
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号；
识别调温模块是第偶数号模块，还是第奇数号模块。
9.一种涂敷处理方法，使用以下涂敷处理装置进行涂敷处理，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；第1调温模块，将基板的温度调整为设定温度；第1涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第1涂敷液；第1加热模块，加热涂敷有第1涂敷液的基板；第2调温模块，冷却基板并调整为设定温度；第2涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第2涂敷液；第2加热模块，加热涂敷有第2涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
该方法包括：用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板；
用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板；
进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块；
这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
为了使从第1调温模块向第1涂敷模块输送基板的臂和从第1加热模块接受基板的臂不同，而在上述输送路径中的第1涂敷模块和第1加热模块之间配置第1虚载置台，
为了使从第2调温模块向第2涂敷模块输送基板的臂和从第2加热模块接受基板的臂不同，而在上述输送路径中的第2涂敷模块和第2加热模块之间配置第2虚载置台，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在第1调温模块和第2调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在第1调温模块和第2调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行基板从调温模块向涂敷模块的输送。
10.如权利要求9所述的涂敷处理方法，其特征在于，第1涂敷模块是用于对基板涂敷反射防止膜用的药液的模块，第2涂敷模块是用于对基板涂敷抗蚀剂液的模块。
11.如权利要求9所述的涂敷处理方法，其特征在于，在输送路径中的第1调温模块的上游侧配置在对基板涂敷涂敷液之前一边加热基板一边对基板表面进行疏水化处理的疏水化模块，对应于基板，在使用第1调温模块、第1涂敷模块、第1虚载置台和第1加热模块的输送路径、以及代替使用这些模块而使用疏水化模块的输送路径之间切换输送路径进行处理。
12.如权利要求9所述的涂敷处理方法，其特征在于，位于输送路径上游端的载置台模块为基板的交接用的交接台模块。
13.如权利要求12所述的涂敷处理方法，其特征在于，上述交接台模块也作为基板的冷却板而发挥功能。
14.如权利要求9所述的涂敷处理方法，其特征在于，还包括：识别基板的输送路径；
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号；
识别调温模块是第偶数号模块，还是第奇数号模块。
15.一种涂敷处理装置，具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；调温模块，将基板温度调整为设定温度；涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷涂敷液；加热模块，加热涂敷有涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作；
控制部，控制上述基板输送机构，使得利用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
上述涂敷处理部具有虚载置台，所述虚载置台为了使从上述调温模块向涂敷模块输送基板的臂和从加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的涂敷模块和加热模块之间，
上述控制部控制基板输送机构，使得如果将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，则在调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板。
16.如权利要求15所述的涂敷处理装置，其特征在于，上述处理部具有疏水化模块，所述疏水化模块沿着上述输送路径配置，且在对基板涂敷涂敷液之前一边加热基板一边对基板表面进行疏水化处理，
上述控制部控制上述基板输送机构，使得对应于基板，在使用疏水化模块的输送路径和不使用疏水化模块的输送路径之间切换输送路径。
17.如权利要求15所述的涂敷处理装置，其特征在于，位于上述输送路径上游端的上述载置台模块为基板的交接用的交接台模块。
18.如权利要求17所述的涂敷处理装置，其特征在于，上述交接台模块也作为基板的冷却板而发挥功能。
19.如权利要求15所述的涂敷处理装置，其特征在于，上述涂敷模块是用于对基板涂敷抗蚀剂液或者反射防止膜用的药液的模块。
20.如权利要求15所述的涂敷处理装置，其特征在于，上述涂敷模块是用于对基板涂敷显影液的模块，位于上述输送路径上游端的上述载置台模块是载置曝光且加热了的基板的模块。
21.如权利要求15所述的涂敷处理装置，其特征在于，上述涂敷模块是用于对基板涂敷显影液的模块，位于上述输送路径上游端的上述载置台模块是载置曝光了的基板的模块，在上述输送路径中的上述载置台模块和上述调温模块之间，配置用于加热且冷却基板的模块。
22.一种涂敷处理装置，具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；第1调温模块，将基板的温度调整为设定温度；第1涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第1涂敷液；第1加热模块，加热涂敷有第1涂敷液的基板；第2调温模块，冷却基板并调整为设定温度；第2涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第2涂敷液；第2加热模块，加热涂敷有第2涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
控制部，控制上述基板输送机构，使得利用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，利用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
上述涂敷处理部具有：第1虚载置台，为了使从第1调温模块向第1涂敷模块输送基板的臂和从第1加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第1涂敷模块和第1加热模块之间；
和第2虚载置台，为了使从第2调温模块向第2涂敷模块输送基板的臂和从第2加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第2涂敷模块和第2加热模块之间，
上述控制部控制基板输送机构，使得如果将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，则在第1调温模块和第2调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在第1调温模块和第2调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板。
23.如权利要求22所述的涂敷处理装置，其特征在于，上述第1涂敷模块是用于对基板涂敷反射防止膜用的药液的模块，上述第2涂敷模块是用于对基板涂敷抗蚀剂液的模块。
24.如权利要求22所述的涂敷处理装置，其特征在于，上述处理部具有疏水化模块，所述疏水化模块配置在上述输送路径中的上述第1调温模块的上游侧，且在对基板涂敷涂敷液前一边加热基板一边对基板表面进行疏水化处理，
上述控制部控制基板输送机构，使得对应于基板，在使用第1调温模块、第1涂敷模块、第1虚载置台和第1加热模块的输送路径、和代替使用这些模块而使用疏水化模块的输送路径之间切换输送路径。
25.如权利要求22所述的涂敷处理装置，其特征在于，位于上述输送路径上游端的上述载置台模块为基板的交接用的交接台模块。
26.如权利要求25所述的涂敷处理装置，其特征在于，上述交接台模块也作为基板的冷却板而发挥功能。
27.一种计算机程序，在计算机中控制以下涂敷处理装置，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；调温模块，将基板的温度调整为设定温度；涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷涂敷液；加热模块，加热涂敷有涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；进而，为了使从调温模块向涂敷模块输送基板的臂和从加热模块接受基板的臂不同，而在上述输送路径中的涂敷模块和加热模块之间具有虚载置台；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
如下控制上述涂敷处理装置：在执行时，用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行基板从调温模块向涂敷模块的输送。
28.一种可以进行计算机读取的存储介质，存储有在计算机中控制以下涂敷处理装置的控制程序，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；调温模块，将基板的温度调整为设定温度；涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷涂敷液；加热模块，加热涂敷有涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；进而，为了使从调温模块向涂敷模块输送基板的臂和从加热模块接受基板的臂不同，而在上述输送路径中的涂敷模块和加热模块之间具有虚载置台；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
上述程序如下控制上述涂敷处理装置：在执行时，用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行基板从调温模块向涂敷模块的输送。
29.一种计算机程序，在计算机中控制以下涂敷处理装置，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；第1调温模块，将基板的温度调整为设定温度；第1涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第1涂敷液；第1加热模块，加热涂敷有第1涂敷液的基板；第2调温模块，冷却基板并调整为设定温度；第2涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第2涂敷液；第2加热模块，加热涂敷有第2涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；进而具有：第1虚载置台，为了使从第1调温模块向第1涂敷模块输送基板的臂和从第1加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第1涂敷模块和第1加热模块之间；第2虚载置台，为了使从第2调温模块向第2涂敷模块输送基板的臂和从第2加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第2涂敷模块和第2加热模块之间；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
如下控制上述涂敷处理装置：在执行时，用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在第1调温模块和第2调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在第1调温模块和第2调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行从基板调温模块向涂敷模块的输送。
30.一种可以进行计算机读取的存储介质，存储有在计算机中控制以下涂敷处理装置的计算机程序，该涂敷处理装置具备：
涂敷处理部，具有：载置台模块；第1调温模块，将基板的温度调整为设定温度；第1涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第1涂敷液；第1加热模块，加热涂敷有第1涂敷液的基板；第2调温模块，冷却基板并调整为设定温度；第2涂敷模块，对进行了温度调整的基板涂敷第2涂敷液；第2加热模块，加热涂敷有第2涂敷液的基板，这些模块沿着基板的输送路径从输送上游端按顺序配置；进而具有：第1虚载置台，为了使从第1调温模块向第1涂敷模块输送基板的臂和从第1加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第1涂敷模块和第1加热模块之间；第2虚载置台，为了使从第2调温模块向第2涂敷模块输送基板的臂和从第2加热模块接受基板的臂不同，而配置在上述输送路径中的第2涂敷模块和第2加热模块之间；
基板输送机构，具有上下设置且相互独立地进退自如的上臂和下臂，并且以沿着基板的输送路径从上游侧向下游侧输送基板的方式动作，
上述程序如下控制上述涂敷处理装置：在执行时，用上臂和下臂中的一个臂接受上述载置台模块上的基板，用上臂和下臂中的另一个臂接受放置在下一个模块上的基板，进而将上述一个臂上的基板交接至该下一个模块，这样使上臂和下臂交替地动作，从上游侧的模块按顺序将基板一个个地输送至下游侧的模块，
将上游端的载置台模块作为第1号模块并对下游侧的模块按顺序分配序号，在第1调温模块和第2调温模块成为第偶数号模块时，用上述上臂接受第1号的载置台模块上的基板，在第1调温模块和第2调温模块成为第奇数号模块时，用下臂接受第1号的载置台模块上的基板，并始终用下臂进行基板从调温模块向涂敷模块的输送。
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