CN1739205A - 使用有机材料的显示器 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示器。该显示器包含许多的被设置成能发光的像素。该显示器还包括许多的像素控制电路，该像素控制电路被各自设置成能调节从像素的发光。该像素控制电路各自包括一个或多个包含有机半导体的双端开关装置。

Description

使用有机材料的显示器
相关申请
本申请要求2003年1月17日提交的、名为“用于电子开关应用的双端有机开关阵列”的美国临时专利申请序号60/440,709的优先权，在此引入其全部内容。
技术领域
本发明涉及显示器。更具体地，本发明涉及使用开关装置的显示器，该开关装置包含有机材料。
背景技术
液晶显示器(LCDs)在平板显示器市场中占有很大份额。此外，LCDs经常被用于便携式电子设备，例如移动电话(cell phones)、PDAs、袖珍PCs、汽车显示器、GPS导航系统和便携式计算机。最近，LCDs被用于替代CRTs，作为台式计算机显示器和电视机。
能够处理提高的信息量的LCDs被称为有效矩阵LCDs(AM-LCDs)。在AM-LCD的每一个像素上连接了开关装置。这些开关装置通常使用适合于与玻璃基板一起使用的薄-膜技术来制造。典型的薄-膜技术涉及非晶硅，并且最近使用了多晶硅。与这两种技术有关的制造过程是冗长、复杂和昂贵的，要求在昂贵的真空室中在高温下对玻璃板进行长时间加工。此外，AM-LCD背板通常需要3-10个照相平版印刷屏蔽步骤，以获得必要的性能。由于与这种复杂性有关的成本问题，AM-LCD板的制造生产线可能需要十亿美元数量级的资本投入。
由于图像信息不断提高，许多装置，例如第二代PDAs和移动电话，需要使用AM-LCD技术。这一发展不断要求AM-LCD工业降低AM-LCD制造过程的成本。因此，对能够处理与提高的信息需求有关的任务的低成本显示器存在需要。
发明内容
公开了一种显示器。该显示器包括许多的像素控制电路，该像素控制电路被各自设置成能调节从像素的发光。该像素控制电路各自包括一个或多个包含有机半导体的双端开关装置。在有些情况下，该显示器是液晶显示器。
显示器的另一个实施方案包括许多的像素控制电路，该像素控制电路各自被设置成能控制通过像素传输的光的量。每一个像素控制电路包括一个或多个包含有机导体的电极。
显示器的另一种方案包括在基材上的许多的像素控制电路。每一个像素控制电路被设置成能控制通过显示器上的像素传输的光的量。在一个实施方案中，至少一种基材具有低于400℃或者低于350℃的熔点。在一个方案中，至少一种基材具有在60℃到300℃范围内的熔点。在有些情况下，基材的熔点低于200℃。至少一种基材可以是硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、聚酯薄膜、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、聚酰亚胺和塑料。
还公开了用于显示器的基材结构。该基材结构包括许多的连接到像素电极的像素控制电路。该像素控制电路各自被设置成能调节从像素的发光，并且各自包括一个或多个包含有机半导体或者金属导体的双端开关装置。
还公开了形成显示器的方法。该方法包括在基材上形成许多的像素控制电路。每一个像素控制电路被设置成能控制通过显示器上的像素传输的光的量。形成像素控制电路的过程包括在基材上从一种溶液沉积半导体。该半导体可以是有机半导体。
该方法的另一种方案包括在基材上形成许多的依素控制电路。像素控制电路的每一个被设置成能控制通过像素传输的光的量。形成像素控制电路的过程包括在基材上形成一个或多个包含有机导体的电极。
供上述实施方案使用的有机半导体可以是聚合物、共轭聚合物或者低聚物。在有些情况下，该半导体包括聚乙炔、聚亚苯基、聚亚苯基亚乙烯基、聚氟(polyfluorine)、聚噻吩或者聚环戊二噻吩(polycyclopentadithiophene)。此外，该半导体可以是共聚-聚合物，其主链包含一个或多个双亚乙基单元、一个或多个亚苯基单元、一个或多个氟单元、一个或多个噻吩单元或者一个或多个环戊二噻吩单元。在该段中列出的聚合物的每一种可以是取代的或者未取代的。在有些情况下，该有机半导体选自所列出的化合物，并且可溶于有机溶剂和/或含水溶剂。适合的可溶的衍生物的实例包括，但是不局限于，MEH-PPV(聚(2-甲氧基，5乙基，(2’己氧基)对亚苯基亚乙烯基)和聚(3-己基-噻吩)。
用于上述实施方案中的电极的有机导体可以是聚合物。适合的聚合物的实例包括，但是不局限于，聚吡咯、聚苯胺和聚(亚乙基-二氧噻吩)。
附图说明
图1A是液晶显示器的实例的简图。
图1B图解说明了适合用于图1A中图解的显示器的像素结构。像素包括在第一像素电极和第二像素电极之间定位的液晶。
图1C是示于图1B中的第一像素电极的侧视图。
图2是用于在显示器上选择特定像素的电子线路。该电子线路包括许多的像素控制电路。每一个像素被连接到一个像素控制电路。该像素控制电路被设置成能调节施加于所连接的像素上的电势。
图3A图解了像素控制电路的一个实例。
图3B是第一基材结构的横截面，其包括在图3A中图解的像素控制电路。
图4A图解了像素控制电路的另一个实例。
图4B是第一基材结构的横截面。其包括在图4A中图解的像素控制电路。
图5A到图5D图解了形成基材结构的方法，该基材结构包括图3B的像素控制电路。
图6A是二极管的伏安特性曲线，该二极管包含作为半导体的有机材料。
图6B图解了图6A的二极管的整流比。
具体实施方式
公开了供显示器使用的电子开关装置。该开关装置可以使用有机材料作为半导体和/或作为电极。有机材料可以通过廉价的施加方法，例如旋转-涂布、喷雾-涂布、浸涂或者类似的方法，在室温下或接近于室温下，从溶液沉积到基材上。这些方法消除了与普通的半导体、例如非晶硅和多晶硅有关的昂贵的高温真空操作方法。此外，有机半导体材料可以通过使用印刷方法将有机半导体施加到基材上而被图案化。适合的印刷方法包括，但是不局限于，喷墨印刷、热转移印刷、胶版印刷和丝网印刷。印刷消除了对与普通的半导体有关的昂贵的照相平版印刷步骤的需要。此外，印刷可以在单一步骤中进行与普通的半导体有关的图案化和分配。这些加工优点为生产与AM-LCDs等显示器一起使用的基材提供了显著的成本节约。
这些加工技术与与普通的半导体(例如硅、非晶硅和多晶硅)有关的真空方法相比在较低的温度下进行。因此，从溶液中沉积半导体允许使用较宽范围的基材材料。例如，基材可以是典型的材料，例如玻璃和陶瓷，还可以是低熔点聚合物和塑料。这些新基材材料与玻璃和陶瓷相比可以是更柔性的。因为现有技术的基材材料通常限制显示器的柔顺性，这些新材料则可以提供平面和柔性显示器的选择。柔性显示器可以在其中出现高机械应力的条件下使用。
在有些情况下，开关装置是双端开关装置。包含有机半导体的双端开关装置可以提供与有机三端装置相比显著的优点。使用有机半导体的三端开关装置，由于在有机半导体中的固有的低的载流子迁移率，因此具有慢的开关速度。与此相反，双端开关装置可以提供使用灰度水平的时域控制所必需的开关速度，并且在切换显示器中实现全动图像。
图1A是液晶显示器的一个实例的简图。该显示器包含许多的部件，该部件在光10和观察者11之间定位。该部件包括漫射器12、第一基材结构14、液晶层16、第二基材结构18、滤色器20和保护元件22。第一基材结构14可以包括第一起偏器24、第一基材26和第一电子线路28。此外，第二基材结构18可以包括第二起偏器30、第二基材32和第二电子线路34。该显示器还包括显示控制电子线路(未显示)，其与第一电子线路28和第二电子线路34电连接。显示控制电子线路控制显示器的操作。适合的起偏器包括，但是不局限于，适合于与基材结合的偏振化薄膜。该部件可以是完全或者部分地透射性的，以便一部分光能够通过该部件传输到观察者。
图解的显示器只是显示器结构的一个实例，其他显示器结构也是可能的。例如，该显示器可以是反射式显示器，而非透射式显示器。可以将一个或多个该部件集成。例如，通过使用偏振化基材可以将起偏器和基材集成在一起。一个或多个该部件是任选的。作为一个例子，当显示器是黑白显示器时，滤色器20可能不是必要的。保护元件22也不是必要的，并且其存在经常仅仅是为了减少消费者对显示器造成的损坏。该部件可以以与所图解的顺序不同的顺序定位。此外，第一基材结构14和第二基材结构18可以被切换。
显示器包括一个或多个像素。图1B图解说明了适合用于图1A中图解的显示器的像素结构。像素包括在第一基材26上定位的第一像素电极38和在第二基材32上定位的第二像素电极40，第一像素电极38和第二像素电极40对准排列。用于第一像素电极38和第二像素电极40的适合的材料包括，但是不局限于，透明导体例如氧化铟锡(ITO)，某些金属例如金，和有机导体例如聚苯胺、聚吡咯、聚亚乙基二氧噻吩。液晶层16被定位在第一像素电极38和第二像素电极40之间。
在显示器的操作期间，第一起偏器24在光进入液晶之前将光偏振化。光穿过液晶，然后与第二起偏器30相互作用。通过第二起偏器30传输的光的量是第二起偏器30的偏振和在通过液晶之后光的偏振的函数。在第一像素电极38和第二像素电极40之间施加电势可以引起液晶将穿过液晶的光的偏光性改变。可以调节电势的量，以改变从液晶出来的光的偏振。可以改变电势，以在使通过第二起偏器30传输的光的量增加的方向上使光偏振化，或者在使通过第二起偏器30传输的光的量减少的方向上使光偏振化。结果，电势可用于调节通过像素传输的光的量，并且因此调节由像素发射的光的量。
图1C是图1B中图解的第一基材结构14的部分的侧视图。第一基材结构14包括第一像素电极38和像素控制电路44。该像素控制电路44被设置成能调节施加于像素上的电势水平。因此，像素控制电路44被设置成能调节从像素的发光。
虽然图1B和图1C公开了像素，但是术语像素包括子像素。子像素通常是这样一种像素，其中通过像素传输的光通过滤色器20上的单一颜色。因此，图1B和图1C图解了用于子像素的适合的结构。
在显示器的操作期间，显示控制电子线路选择一序列的像素。当像素被选择时，通过每一个像素传输的光的量可以改变。图2是电子线路的简图，其可以被用来在显示器上选择特定的像素。电子线路包括许多的行线46和许多的列线48。每一个列线48与许多的相对于列线48并联布置的像素控制电路44电连接。每一个像素控制电路44与第一像素电极38和第二像素电极40串联连接。每个行线46与许多的相对于行线48并联连接的第二像素电极40电连接。显示控制电子线路通过将偏压施加到与像素电连接的列线48和将与像素电连接的行线46接地而选择一个像素。该偏压可以足以引起在液晶上施加电势。虽然图2图解表示了十二个像素，但是在图2中图解的电路可以包括较少的像素或更多的像素。该显示器包括一系列在第一基材上布置的像素控制电路。
像素控制电路44可以包括一个或多个双端开关装置。适合的双端开关装置包括，但是不局限于，二极管和金属-绝缘体-金属(MIM)装置。正如以下将更详细地讨论的，双端开关装置可以包括作为半导体和/或作为电极的有机材料。
图3A图解了适合的像素控制电路44的实例。像素控制电路44包括二极管50，其作为双端开关装置。二极管50在第一像素电极38和列线48之间连接。在显示器的操作期间，二极管50作为用于将像素接通的开关。
图3B是第一基材结构14的横截面，其包括在图3A中图解的像素控制电路44。基材结构包括第一像素和二极管50。二极管50包括在基材26上定位在第一电极58和第二电极60之间的半导体54。第二电极60与第一像素电极38接触。虽然未显示，第一电极58与列线48电连接。第一电极58、半导体54和第二电极60的材料被选择成使得第一电极58将孔穴注入半导体54，并且第二电极60将电子注入半导体54。第一电极58、半导体54和/或第二电极60的厚度和/或面积可以被调节，以改变二极管50的性能。调节这些部件的厚度和/或面积可以影响像素能够保持电荷的时间。当在显示的单一扫描中存在许多要被选择的像素时，像素保持电荷的时间可能是一个重要因素。
图4A是适合的像素控制电路44的另一个实例。像素控制电路44包括两个二极管50，它们在第一像素电极38和列线48之间以反-并联方式连接。图解的像素控制电路44可以用来将一个像素接通和将一个像素关闭。当足够的正偏压被施加于像素控制电路44上时，标记A的二极管50用来将像素接通。当足够的负偏压被施加于像素控制电路44上时，标记B的二极管50用来将像素关闭。因此，显示控制电子线路可以将特定的偏压施加到像素控制电子线路上，以将该像素接通或关闭。
图4B是第一基材结构14的横截面，其包括在图4A中图解的像素控制电路44。第一基材结构14包括第一像素、标记A的二极管50和标记B的二极管50。标记A的二极管50包括在第一电极62和第二电极64之间定位的半导体54。标记B的二极管50包括在第三电极66和第四电极68之间定位的半导体54。第四电极68与第一像素电极38接触。虽然未显示，第三电极66与列线48电连接。第三电极66和第一电极62作为二极管50的电极并且将二极管50并联连接。在有些情况下，第一电极62和第三电极66由相同的材料制成，和/或第二电极64和第四电极68由相同的材料制成。
图3A到图3B中图解的像素控制电路44是示例性的，并且其他像素控制电路44是可能的。例如，像素控制电路44可以包括许多的串联的双端开关装置。在有些情况下，串联二极管背对背连接。二极管50的串联连接可以提供关于图3A所描述的接通/关闭能力。此外，像素控制电路44可以包括除双端开关装置之外的部件。例如，像素控制电路除双端开关装置之外还可以包括无源电子元件，例如电阻器和/或电容器。
图3B和图4B中公开的半导体54可以是通常用于集成电路和显示器制造中的半导体。可选择地，示于图3B和图4B中的半导体54材料可以是有机的。用于有机半导体的适合的有机材料包括非聚合物、聚合物、共轭聚合物和低聚物两者。适合的有机材料的实例包括，但是不局限于，聚乙炔、聚亚苯基、聚亚苯基亚乙烯基、聚氟、聚噻吩或者聚环戊二噻吩。此外，该半导体可以是共聚-聚合物，其主链包含一个或多个双亚乙基单元、一个或多个亚苯基单元、一个或多个氟单元、一个或多个噻吩单元或者一个或多个环戊二噻吩单元。在该段中列出的聚合物可以是取代的或者未取代的。在有些情况下，该有机半导体选自所列出的化合物，并且可溶于有机溶剂和/或含水溶剂。适合的可溶的材料的实例包括，但是不局限于，MEH-PPV(聚(2-甲氧基，5乙基，(2’己氧基)对亚苯基亚乙烯基)和聚(3-已基-噻吩)。有机半导体可以包括许多的有机材料或者单一的有机材料。可选择地，有机半导体可以包括一种或多种有机材料和一种或多种非有机组分。在有些情况下，有机半导体的电导率通过掺杂来控制。适合的掺杂物的实例包括，但是不局限于，氯化铁、磷-六氟化物和其混合物。对于水溶性的系统，适合的掺杂物的实例包括，但是不局限于，聚苯乙烯、磺酸、类似的化合物和其混合物。
图2到图4B中的电极和线路可以是金属，例如金，金属无机材料例如(ITO)，及其他通常用于集成电路和显示器制造的导体。可选择地，图2到图4B中公开的电极和线路可以是有机导体。适合的有机导体可以选自被称为有机金属聚合物的材料类别。适合的有机导体的实例包括，但是不局限于，聚苯胺、聚(亚乙基二氧噻吩)和聚吡咯。用作一个或多个像素电极的适合的有机导体的实例包括，但是不局限于，聚苯胺、聚(亚乙基二氧噻吩)和聚吡咯。在有些情况下，有机导体的电导率通过掺杂来控制。适合的掺杂物的实例包括，但是不局限于，氯化铁、磷-六氟化物和其混合物。对于水溶性的系统，适合的掺杂物的实例包括，但是不局限于，聚苯乙烯、磺酸、类似的化合物和其混合物。
有机材料可以从溶液沉积在基材上。例如，有机材料可以使用旋转-涂布、喷雾-涂布、浸涂或者类似的方法等技术施加到基材上。在有些情况下，这些技术还可以在基材上将有机材料图案化。例如，基材的区域可以被改性，使得溶液粘合到改性的区域上，同时基本上不粘合到未改性的区域上，或者使得溶液粘合到来改性的区域上，同时基本上不粘合到改性的区域上。例如，基材的区域可以被改性，使得更加疏水，或者更亲水。例如，该区域可以用疏水性或者亲水性材料涂覆，以改变基材的这些区域的疏水性或者亲水性。在另一个实例中，激光被用来改变基材上一个或多个区域的疏水性或者亲水性。例如，激光束可以施加于基材上，以在希望的材料的位置改性表面。当基材暴露于溶液时，溶液粘合到其中表面被改性的位置。用激光改性的适合基材的实例包括，但是不局限于，玻璃和塑料基材。通过在其中所述材料是所希望的的位置将表面改性，材料在基材上被图案化。在有些情况下，这些技术之后进行这样一个步骤，其中所述材料在基材上被图案化。有机材料可以使用传统方法图案化，例如照相平版印刷、激光烧蚀、活性离子束刻蚀(RIE)和各种等离子体刻蚀技术。有机材料还可以使用以下技术被同时地沉积和图案化，例如喷墨印刷、热转移印刷、胶板印刷和丝网印刷。
当有机材料从溶液沉积时，该溶液可以包含有机材料和溶剂。在有些情况下，该溶液包含除有机材料和溶剂之外的组分。该溶剂可以是有机溶剂。适合的溶剂的实例包括，但是不局限于，甲苯、氯仿、二甲苯。对于特定的半导电有机材料，水可以被用作溶剂。
用于将溶液施加到基材上的技术可以在降低的温度下进行。与此相反，用于将硅半导体施加到基材上的真空法在超过400℃的温度下进行。因此，基材通常由玻璃和陶瓷制成，其可以承受与这些真空法相关的温度。通过将溶液施加到基材上而在基材上形成材料，允许使用宽范围的基材材料。在有些情况下，该显示器包括一个或多个基材，其熔点低于400、低于350℃、低于300℃、低于200℃和/或高于60℃或者高于100℃。
适合的基材材料包括，但是不局限于，玻璃和陶瓷，而且包括聚合物和塑料。基材材料的实例包括，但是不局限于，硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、聚酯薄膜、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)和聚酰亚胺。这些新型材料与玻璃和陶瓷相比可以是更柔性的。因为现有技术的基材材料通常限制显示器的柔顺性，因此这些新材料可以提供具有提高的柔顺性的显示器的选择。
图5A到图5D图解了形成图3B的第一基材结构的方法。列线被形成在基材上。列线48可以使用传统的集成电路制造技术或者传统的显示器制造技术在基材上形成。可选择地，列线48可以以溶液形式施加于基材上。第一像素电极38被形成在基材26上，以提供图5A中图解的基材结构70。第一像素电极38可以通过集成电路制造技术或者传统的显示器制造技术形成。可选择地，第一像素电极38可以以溶液形式施加于基材。
第一电极58被形成在基材26上，以提供图5B中图解的基材结构70。第一电极58可以使用传统的集成电路制造技术或者传统的显示器制造技术形成。可选择地，第一电极58可以以溶液形式施加于基材。半导体54被形成在基材26上，以提供图5C中图解的基材结构70。半导体54可以使用传统的集成电路制造技术或者传统的显示器制造技术形成。可选择地，半导体54可以以溶液形式施加于基材。第二电极60被形成在基材26上，以提供图5D中图解的基材结构70。第二电极60可以使用传统的集成电路制造技术或者传统的显示器制造技术形成。可选择地，第二电极60可以以溶液形式施加于基材26。
用于在基材上形成材料的传统的集成电路制造技术的实例是将材料沉积在基材上，然后用照相平版印刷方法将材料图案化。溅射是用于在基材上沉积材料的适合方法的实例。
实施例1.
使用玻璃作为基材、氧化铟锡(ITO)电极作为第一电极、100nm厚度MEH-PPV(聚(2-甲氧基，5乙基，(2’己氧基)对亚苯基亚乙烯基)的层作为半导体，和Al电极作为第二电极，制造了具有图3B的结构的二极管。通过溅射、继之以照相平版印刷和随后的湿蚀刻形成了ITO电极。通过旋转-浇铸，从大约0.5％固体的甲苯溶液形成MEH-PPV。通过热蒸发在基材上形成Al电极，并且借助于网板完成图案化。
图6A显示了二极管的伏安特性曲线。通过调节电压水平并且利用在特征电压下的大电流变换可以获得二极管的开关。对于低于1.2V的电压，电流为nA/cm2的数量级。在1.2-1.8V范围内，通常看到超过3-5个数量级的指数电流增量。在较高的电压范围中电流以I～Vα的形式不断增大，其中α通常在3-6范围内。在3V和0V之间电流比超过107(已经观察到109)。
图6B图解了二极管的整流比。在2.5V下的整流比(定义为在2.5V和-2.5V之间的电流比)通常在105-106范围内(已经观察到超过107)。在＞＞2V的正向偏压到零偏压或者反向偏压之间的给定正向电压之间操作二极管，形成固态薄膜开关，其电流开关比＞2×106。该开关装置在正向偏压大于2V范围内具有低电阻状态(“开”状态)，和在零和反向偏压下获得高电阻(“关”状态)。
开关装置的电流密度描述了对于给定装置面积驱动电流的容量。对于实施例1的二极管，电流密度在5V下达到15mA/cm2。在使用共混的有机半导体的开关装置中，已经观察到＞500mA/cm2的电流密度。
二极管装置的伏安特性曲线可以通过改变电极、半导体材料的选择和/或几何参数(例如两个接触电极之间的间隔)来调节。
实施例2
使用玻璃作为基材、氧化铟锡(ITO)电极作为第一电极、MEH-PPV(聚(2-甲氧基，5乙基，(2’己氧基)对亚苯基亚乙烯基)作为半导体，和Al电极作为第二电极，制造了具有图3B的结构的二极管。ITO电极通过溅射继之以湿蚀刻来形成。通过墨喷印刷，使用0.5％固体甲苯溶液，在基材上形成MEH-PPV。通过热蒸发在基材上形成Al电极，并且借助于网板完成图案化。
虽然以上公开的显示器所具有的基材包括邻接于像素电极定位的像素控制电路，但是像素控制电路可以远离像素电极。例如，像素控制电路可以定位在与以上公开的基材无关的第二基材上。这些第二基材可以电连接到以上公开的基材上。可选择地，像素控制电路可以与像素电极被定位在相同的基材上，但是处于不同的位置。例如，像素控制电路可以被定位到像素电极的一个或多个侧面。这些配置将能改进堆积比，代价是将附加的线路加到基材上。
以上公开的基材结构可以用于很小到很大的显示器。在一个实施例中，显示器具有的视域的对角线大于14英寸、20英寸、30英寸或者40英寸。
虽然以上公开了包含作为半导体的有机材料的双端开关装置，但是本发明的某些实施方案可以使用不包含作为半导体的有机材料的双端开关装置。例如，本发明的某些实施方案可以使用包含无机半导体的双端开关装置。
虽然上述像素控制电路是在液晶显示器范围内公开的，但是这些像素控制电路和形成和使用这些电路的方法可以应用于其他显示器。例如，包含连接到像素电极的像素控制电路的基材可用于以下显示器：例如OLEDs、MEMs、电致变色显示器、电泳显示器、储存装置、图像传感器阵列及其他传感器阵列。在有些情况下，像素控制电路调节在像素处的光的反射，而非通过像素的光的透射。电致变色显示器是其中像素控制电路通过调节像素处的光的反射来调节从像素中发光的显示器的实例。在有些情况下，像素控制电路被用来控制施加于像素电极的电流的水平，而非控制施加于像素电极的电势。OLED显示器是其中像素控制电路通过控制通过像素电极的电流来调节从像素中发光的显示器的实例。此外，像素控制电路可以被用于控制用于可见、X射线、FIR、MW和RF波长的检测器阵列。

Claims (68)

1.一种显示器，其包含：
许多的像素，其中每一个像素被设置成能发光；和
许多的像素控制电路，其中每个电路被设置成能调节从像素中的发光，并且包含一个或多个含有有机半导体的双端开关装置。
2.权利要求1的显示器，其中像素控制电路包含以反-并联形式布置的双端开关装置。
3.权利要求1的显示器，其中一个或多个像素控制电路包含两个或多个以串联形式布置的双端开关装置。
4.权利要求1的显示器，其中半导体包含一种或多种组分，该组分选自聚合物、共轭聚合物和低聚物。
5.权利要求1的显示器，其中半导体包含一种或多种聚合物，该聚合物具有包含选自以下的单元的主链：双亚乙基、亚苯基、亚乙烯基、氟、噻吩和环戊二噻吩。
6.权利要求5的显示器，其中半导体包括共聚物。
7.权利要求1的显示器，其中有机半导体包括MEH-PPV(聚(2-甲氧基，5乙基，(2’己氧基)对亚苯基亚乙烯基)。
8.权利要求1的显示器，其中有机半导体包括聚(3-己基-噻吩)。
9.权利要求1的显示器，其中一个或多个双端开关装置包含至少一个包含有机导体的电极。
10.权利要求9的显示器，其中有机导体包含一种或多种组分，其选自聚苯胺、聚吡咯、聚亚乙基二氧噻吩。
11.权利要求1的显示器，其中像素控制电路被定位在透明的基材上。
12.权利要求1的显示器，其中一个或多个开关装置包含有机半导体，该有机半导体定位在第一电极和第二电极之间。
13.权利要求1的显示器，其中第一电极和第二电极各自包含有机导体。
14.权利要求1的显示器，其中像素控制电路被包含在基材上，该基材具有低于300℃的熔点。
15.权利要求1的显示器，其中像素各自包含定位在第一像素电极和第二像素电极之间的液晶。
16.一种显示器，其包含：
许多的像素，其中每一个像素被设置成能发光；和
许多的像素控制电路，其中每个电路被设置成能调节从像素中的发光，并且包含一个或多个含有有机导体的电极。
17.权利要求16的显示器，其中有机导体包含一种或多种组分，该组分选自聚苯胺、聚吡咯和聚亚乙基二氧噻吩。
18.权利要求16的显示器，其中至少一个双端开关装置包含有机半导体。
19.权利要求18的显示器，其中半导体选自聚合物、共轭聚合物和低聚物。
20.权利要求19的显示器，其中半导体包含一种或多种聚合物，该聚合物具有包含选自以下的单元的主链：双亚乙基、亚苯基、亚乙烯基、氟、噻吩和环戊二噻吩。
21.权利要求16的显示器，其中像素控制电路各自包含许多的电极，并且每一个电极包含有机导体。
22.权利要求16的显示器，其中像素各自包含定位在第一像素电极和第二像素电极之间的液晶。
23.一种显示器，其包含：
许多的在基材上的像素控制电路，每个电路被设置成能调节从显示器上的像素的发光，该基材具有低于400℃的熔点。
24.权利要求23的显示器，其中基材具有的熔点低于300℃。
25.权利要求23的显示器，其中基材的熔点在60℃到350℃范围内。
26.权利要求23的显示器，其中至少一个基材具有在60℃到300℃范围内的熔点。
27.权利要求23的显示器，其中该基材包括选自以下的材料：硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、聚酯薄膜、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)和聚酰亚胺。
28.权利要求23的显示器，其中像素控制电路包含作为半导体的有机材料。
29.权利要求23的显示器，其中像素控制电路包含一个或多个包含有机导体的电极。
30.权利要求23的显示器，其中像素各自包含连接到像素控制电路的像素电极。
31.一种显示器，其包含：
在基材之间定位的液晶，至少一个该基材具有低于350℃的熔点。
32.权利要求31的显示器，其中基材的每一种具有低于300℃的熔点。
33.权利要求31的显示器，其中基材的至少一种具有在60℃到350℃范围内的熔点。
34.权利要求31的显示器，其中基材的至少一种具有在60℃到300℃范围内的熔点。
35.权利要求31的显示器，其中基材的至少一种包括选自以下的材料：硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、聚酯薄膜、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)和聚酰亚胺。
36.权利要求31的显示器，其中许多的像素控制电路被定位在基材之一上，每一个像素控制电路用于调节从显示器上的像素的发光并且包含作为半导体的有机材料。
37.权利要求31的显示器，其中许多的像素控制电路被定位在基材之一上，每一个像素控制电路被设置成用于调节从显示器上的像素的发光并且包含一个或多个包含有机导体的电极。
38.一种形成显示器的方法，其包括：
制备用于显示器的基材；和
在基材上形成许多的像素控制电路，每一个像素控制电路用于调节从像素的发光；
其中，形成像素控制电路的过程包括在基材上从溶液沉积半导体。
39.权利要求38的方法，其中半导体是有机半导体。
40.权利要求39的方法，其中半导体选自聚合物、共轭聚合物和低聚物。
41.权利要求39的方法，其中半导体包含一种或多种聚合物，该聚合物具有包含选自以下的单元的主链：双亚乙基、亚苯基、亚乙烯基、氟、噻吩和环戊二噻吩。
42.权利要求39的方法，其中有机半导体包括MEH-PPV(聚(2-甲氧基，5乙基，(2’己氧基)对亚苯基亚乙烯基)。
43.权利要求39的方法，其中有机半导体包含聚(3-己基-噻吩)。
44.权利要求38的方法，其中该溶液包含半导体和溶剂。
45.权利要求38的方法，其中在基材上沉积半导体包括旋转-涂布、喷雾-涂布或者浸涂。
46.权利要求38的方法，其中在基材上沉积半导体包括将基材的一个或多个部分改性，使得所述溶液优先地粘合到该基材区域。
47.权利要求46的方法，其中改性基材的一个或多个部分包括提高基材的一个或多个部分的疏水性。
48.权利要求47的方法，其中改性基材的一个或多个部分包括提高基材的一个或多个部分的亲水性。
49.权利要求38的方法，其还包括：
将沉积在基材上的半导体图案化。
50.权利要求38的方法，其中将半导体图案化包括使用照相平版印刷将半导体图案化。
51.权利要求38的方法，其中在基材上沉积半导体包括将半导体印刷在基材上。
52.权利要求51的方法，其中将半导体印刷在基材上包括喷墨印刷、热转移印刷、丝网印刷或者胶板印刷。
53.权利要求51的方法，其中将半导体沉积在基材上包括喷墨印刷。
54.权利要求38的方法，其中在基材上形成电路包括在基材上形成电极，并且沉积半导体包括在所述电极上沉积至少一部分半导体。
55.权利要求38的方法，其中在基材上形成电路包括在基材上形成一个或多个包含有机导体的电极。
56.权利要求38的方法，其中所述基材具有低于350℃的熔点。
57.一种形成显示器的方法，其包括：
制备用于显示器的基材；和
在基材上形成许多的像素控制电路，每一个像素控制电路被设置成能调节从像素的发光；
其中，形成像素控制电路包括将有机半导体在基材上图案化。
58.一种形成显示器的方法，其包括：
制备用于显示器的基材；和
在基材上形成许多的像素控制电路，所述每个像素控制电路被设置成能调节从像素的发光；
其中，形成像素控制电路的过程包括在基材上形成一个或多个包含有机导体的电极。
59.权利要求58的方法，其中有机导体选自聚苯胺、聚吡咯、聚亚乙基二氧噻吩。
60.权利要求58的方法，其中在基材上形成一个或多个电极包括在基材上从溶液沉积有机导体。
61.权利要求60的方法，其中在基材上沉积有机导体包括旋转-涂布、喷雾-涂布或者浸涂。
62.权利要求60的方法，其还包括：在将有机导体沉积在基材上之后将有机导体图案化。
63.权利要求62的方法，其中将有机导体图案化包括使用照相平版印刷将半导体图案化。
64.权利要求60的方法，其中将有机导体沉积在基材上包括将半导体在基材上图案化。
65.权利要求60的方法，其中将有机导体沉积在基材上包括喷墨印刷、热转移印刷、丝网印刷或者胶板印刷。
66.权利要求60的方法，其中将半导体沉积在基材上包括喷墨印刷。
67.权利要求58的方法，其中所述基材具有低于350℃的熔点。
68.一种显示器，其包括：
许多的被设置成能发光的像素，所述像素各自包含像素电极，该电极包含有机材料；和
许多的像素控制电路，每个电路被设置成能调节从像素的发光。
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