CN1653574A - 等离子体辅助气体产生 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了等离子体辅助气体产生的方法和装置。在一个实施例中，包括至少一种原子或分子种类的气体流入腔(305)。使该气体受到频率小于约333GHz(可选地在等离子体催化剂存在的情况下)的电磁辐射，在腔(305)中形成等离子体(310)。过滤器(315)与该腔(305)流体连通，它能使所述原子或分子种类通过，但阻止其它种类通过。用这种方法，所选的种类可以被提取和收集，用于存储或直接使用。

Description

等离子体辅助气体产生
相关申请的交叉引用
本申请要求以下美国临时专利申请的优先权：2002年5月8日申请的No.60/378,693，2002年12月4日申请的No.60/430,677，2002年12月23日申请的No.60/435,278，在此引入其整个内容作为参考。
技术领域
本发明涉及等离子体辅助气体产生包括氢气产生的方法和装置。
背景技术
众所周知，等离子体可以用来产生气体。然而，这些方法受到包括激发、调节和维持等离子体和气体产生的速率所需条件的多个因素的限制。此外，某些传统方法和装置采用真空装置激发等离子体，然而使用这些装置会限制气体产生的灵活性。
发明内容
本发明提供了一种等离子体辅助气体产生的方法。该方法包括：(1)使气体流入主腔，其中所述气体包括至少第一种类；(1)使所述气体受到频率小于约333GHz的电磁辐射，从而在所述腔中形成等离子体，其中所述腔与至少一个过滤器流体连通；(1)通过所述过滤器提取所述第一种类；以及(1)收集所述第一种类。
本发明还提供一种等离子体辅助气体产生的装置。该装置包括：(1)腔，设置成通过使气体受到频率小于约333GHz的电磁辐射在所述腔中形成等离子体；(2)至少一个过滤器，与所述腔相关，具有等离子体面对侧和等离子体背对侧，其中所述过滤器设置成有选择地使存在于所述等离子体中的第一种类通过所述过滤器，而基本上阻止任何其它种类通过所述过滤器；(3)气体源，与所述腔相连，提供所述气体给所述腔；(4)辐射源，与所述腔相连，提供所述辐射给所述腔；以及(5)收集装置，与所述过滤器的所述等离子体背对侧相连。
本发明还提供了用于激发、调节和维持等离子体的等离子体催化剂。根据本发明的等离子体催化剂可以是惰性的或活性的。根据本发明的惰性等离子体催化剂可以包括通过使局部电场(例如电磁场)变形而诱发等离子体的任何物体，而无需施加附加的能量。活性等离子体催化剂可以是在电磁辐射存在的情况下能向气态原子或分子传递足够能量以使该气态原子或分子失去至少一个电子的任何粒子或高能波包。在惰性和活性这两种情况下，等离子体催化剂可以改善或放宽激发涂覆等离子体所需的环境条件。
本发明还提供了用于产生气体的用于激发、调节和维持等离子体的其它等离子体催化剂、方法和装置。
附图说明
本发明的其它特征将通过下面结合附图的详细描述变得明显，其中相同的标号表示相同的部件，其中：
图1表示根据本发明的等离子体辅助气体产生系统的示意图；
图1A表示根据本发明的部分等离子体辅助气体产生系统的实施例，该系统通过向等离子体腔加入粉末等离子体催化剂来激发、调节或维持腔中的等离子体；
图2表示根据本发明的等离子体催化剂纤维，该纤维的至少一种成分沿其长度方向具有浓度梯度；
图3表示根据本发明的等离子体催化剂纤维，该纤维的多种成分沿其长度按比率变化；
图4表示根据本发明的另一个等离子体催化剂纤维，该纤维包括内层核芯和涂层；
图5表示根据本发明的图4所示的等离子体催化剂纤维沿图4的线5-5的截面图；
图6表示根据本发明的等离子体系统的另一个部分的实施例，该等离子体系统包括延伸通过激发口的伸长型等离子体催化剂；
图7表示根据本发明在图6的系统中使用的伸长型等离子体催化剂的
实施例；
图8表示根据本发明在图6的系统中使用的伸长型等离子体催化剂的另一个实施例；以及
图9表示根据本发明的部分等离子体辅助气体产生系统的实施例，用于将电离辐射引入辐射腔；
图10表示根据本发明的用于等离子体辅助气体产生的装置的简化截面图；
图11表示根据本发明的另一个气体产生装置的简化截面图；
图12表示根据本发明的另一个气体产生装置的简化截面图；
图13表示根据本发明的、沿图10的线13-13截取的同轴电缆(类似于同轴波导管)的截面图；以及
图14表示根据本发明的气体产生方法的流程图。
具体实施方式
本发明涉及等离子体辅助气体产生的方法和装置，它可以降低能量消耗并可以增加气体产生的效率和灵活性。
在此引入下列共同拥有并同时申请的美国专利申请的全部内容作为参考：美国专利申请
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0008)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0009)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0010)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0011)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0012)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0013)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0015)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0016)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0017)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0018)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0020)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0021)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0023)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0025)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0026)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0027)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0028)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0029)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0030)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0032)，
No.10/＿，＿(Atty.Docket No.1837.0033)。
等离子体系统的说明
图1表示根据本发明的一个方面的等离子体系统10。在该实施例中，在位于辐射腔(即辐射器(applicator))14内部的容器中形成腔12。在另一个实施例中(未示出)，容器12和辐射腔14是同一个，从而不需要两个独立的部件。在其中形成有腔12的容器可包括一个或多个辐射透射阻挡层，以改善其热绝缘性能使腔12无需显著地屏蔽辐射。如下面更充分所述，系统10可以用于产生根据本发明的气体。
在一个实施例中，腔12在由陶瓷制成的容器内形成。由于根据本发明的等离子体可以达到非常高的温度，因此可以使用能工作于约3000华氏度的陶瓷。陶瓷材料可以包括重量百分比为29.8％的硅，68.2％的铝，0.4％的氧化铁，1％的钛，0.1％的氧化钙，0.1％的氧化镁，0.4％的碱金属，该陶瓷材料为Model No.LW-30，由Pennsylvania，New Castle的New CastleRefractories公司出售。然而本领域的普通技术人员可知，根据本发明也可以使用其它材料，例如石英以及那些与上述不同的材料。
在一个成功的实验中，等离子体形成在部分开口的腔中，该腔在第一砖状物内并以第二砖状物封顶。腔的尺寸为约2英寸×约2英寸×约1.5英寸。在砖状物中至少具有两个与腔连通的孔：一个用来观察等离子体，并且至少一个用来供给气体。腔的尺寸取决于想要进行的等离子体过程。此外，腔至少应该设置成能够防止等离子体上升/漂移从而离开主要处理区(例如，过滤器的表面)。
腔12可以通过管线20和控制阀22与一个或多个气体源24(例如氩气、氮气、氙气、氪气、烃类或其它含氢气体)相连，由电源28提供能量。管线20可以是管状(例如在大约1/16英寸和大约1/4英寸之间，如大约1/8英寸)。而且，如果需要，真空泵可以与腔相连来抽走在等离子体处理中产生的任何不需要的气体。
一个辐射泄漏探测器(未示出)安装在源26和波导管30附近，并与安全联锁系统相连，如果检测到泄漏量超过预定安全值时，例如由FCC和/或OSHA(例如5mW/cm2)规定的值，就自动关闭幅射电源(例如微波)。
由电源28提供能量的辐射源26通过一个或多个波导管30将辐射引入腔14。本领域的普通技术人员应该理解辐射源26可以直接连到腔14或腔12，从而取消波导管30。进入腔12的辐射可以用来激发腔内的等离子体。通过将附加的辐射与催化剂相结合可以充分维持该等离子体并将其限制在腔内。
通过循环器32和调谐器34(例如，3通短线(3-stub)调谐器)提供辐射。调谐器34用来使作为改变激发或处理条件的函数的反射能减至最少，特别是在等离子体形成之前，因为微波能例如将被等离子体强烈吸收。
如下面更详细的说明，如果腔14支持多模，尤其当这些模可持续或周期性地混合时，腔14内的辐射透射腔12的位置并不重要。如下祥述，马达36可以与模混合器38相连，使时间平均的辐射能量分布在腔14内大致均匀。而且，窗口40(例如石英窗)可以设置在邻近腔12的腔14的一个壁上，使能用温度传感器42(例如光学高温计)来观察腔12内的处理。在一个实施例中，光学高温计可以随温度的升高从零伏增加到某一个追踪范围内。
传感器42能够产生作为腔12中相关工件(未示出)的温度或者任意其它可监测的条件的函数的输出信号，并将该信号供给控制器44。也可采用双重温度感应和加热，以及自动冷却速度和气流控制。该控制器44又用来控制电源28的运行，其具有一个与源26相连的输出端和另一个与控制气流进入腔12的阀22相连的输出端。
尽管可以使用任何小于约333GHz频率的辐射，例如可以采用由通讯和能源工业(CPI)提供的2.45GHz微波源来实现本发明。2.45GHz系统持续提供从大约0.5千瓦到大约5.0千瓦的可变微波能。3通短线调谐器使得阻抗与最大能量传递相匹配，并且采用了测量入射和反射能量的双向连接器(未示出)。还采用了光学高温计来遥感样品温度。
如上所述，根据本发明可以使用任何小于大约333GHz频率的辐射。例如，可采用诸如能量线频率(大约50Hz至60Hz)这样的频率，尽管形成等离子体的气体压力可能降低以便有助于等离子体激发。此外，根据本发明，任何无线电频率或微波频率可以使用包括大于约100kHz的频率。在大多数情况下，用于这些相对高频的气体压力不需要为了激发、调节或维持等离子体而降低，因而在大气压和大气压之上能够实现多种等离子体辅助气体产生方法。
该装置用采用LabVIEW6i软件的计算机控制，它能提供实时温度监测和微波能量控制。通过利用适当数量数据点的平均值平滑处理来降低噪音。并且，为了提高速度和计算效率，在缓冲区阵列中储存的数据点数目用移位寄存器和缓存区大小调整来限制。高温计测量大约1cm2的敏感区域温度，用于计算平均温度。高温计用于探测两个波长的辐射强度，并利用普朗克定律拟合这些强度值以测定温度。然而，应知道也存在并可使用符合本发明的用于监测和控制温度的其它装置和方法。例如，在共有并同时提出申请的美国专利申请No.10/＿，＿(Attorney Dorket No.1837.0033)中说明了根据本发明可以使用的控制软件，在此引入其整个内容作为参考。
腔14具有几个具有辐射屏蔽的玻璃盖观察口和一个用于插入高温计的石英窗。尽管不是必须使用，还具有几个与真空泵和气体源相连的口。
系统10还包括一个带有用自来水冷却的外部热交换器的封闭循环去离子水冷却系统(未示出)。在操作中，去离子水先冷却磁电管，接着冷却循环器(用于保护磁电管)中的装卸处，最后流过焊接在腔的外表面上的水通道冷却辐射腔。
等离子体催化剂
根据本发明的等离子体催化剂可包括一种或多种不同的物质并且可以是惰性或者活性的。在气体压力低于、等于或大于大气压力的情况下，等离子体催化剂可以在其它物质中激发、调节和/或维持涂覆等离子体。
根据本发明的一种形成等离子体的方法可包括使腔内气体在惰性等离子体催化剂存在的情况下受到小于大约333GHz频率的电磁辐射。根据本发明的惰性等离子体催化剂包括通过使根据本发明的局部电场(例如电磁场)变形而诱发等离子体的任何物体，而无需对催化剂施加附加的能量，例如通过施加电压引起瞬间放电。
本发明的惰性等离子体催化剂也可以是纳米粒子或纳米管。这里所使用的术语“纳米粒子”包括最大物理尺寸小于约100nm的至少是半导电的任何粒子。并且，掺杂和不掺杂的、单层壁和多层壁的碳纳米管由于它们异常的导电性和伸长形状对本发明的激发等离子体尤其有效。该纳米管可以有任意合适的长度并且能够以粉末状固定在基板上。如果固定的话，当等离子体激发或维持时，该纳米管可以在基板的表面上任意取向或者固定到基板上(例如以一些预定方向)。
本发明的惰性等离子体也可以是粉末，而不必包括纳米粒子或纳米管。例如它可以形成为纤维、粉尘粒子、薄片、薄板等。在粉末态时，催化剂可以至少暂时地悬浮于气体中。如果需要的话，通过将粉末悬浮于气体中，粉末就可以迅速分散到整个腔并且更容易被消耗。
在一个实施例中，粉末催化剂可以加载到腔内并至少暂时地悬浮于载气中。载气可以与形成等离子体的气体相同或者不同。而且，粉末可以在引入腔前加入气体中。例如，如图1A所示，辐射源52可以对设置有等离子体腔60的电磁辐射腔55施加辐射。粉末源65将催化剂粉末70供给气流75。在一个可选实施例中，粉末70可以先以大块(例如一堆)方式加入腔60，然后以任意种方式分布在腔内，包括气体流动穿过或越过该块状粉末。此外，可以通过移动、搬运、撒下、喷洒、吹或以其它方式将粉末送入或分布于腔内，将粉末加到气体中用来激发、调节或维持涂覆等离子体。
在一个实验中，通过在伸入腔的铜管中设置一堆碳纤维粉末来使等离子体在腔内激发。尽管有足够的辐射被引入腔内，铜管屏蔽粉末受到的辐射而不发生等离子体激发。然而，一旦载气开始流入铜管，促使粉末流出铜管并进入腔内，从而使粉末受到辐射，腔内等离子体几乎瞬间激发。
根据本发明的粉末催化剂基本上是不燃的，这样它就不需要包括氧或者不需要在氧存在的情况下燃烧。如上所述，该催化剂可以包括金属、碳、碳基合金、碳基复合物、导电聚合物、导电硅橡胶弹性体、聚合物纳米复合物、有机无机复合物和其任意组合。
而且，粉末催化剂可以在等离子体腔内基本均匀的分布(例如悬浮于气体中)，并且等离子体激发可以在腔内精确地控制。均匀激发在一些应用中是很重要的，包括在要求等离子体暴露时间短暂的应用中，例如以一个或多个爆发的形式。还需要有一定的时间来使粉末催化剂本身均匀分布在整个腔内，尤其在复杂的多腔的腔内。因而，根据本发明的另一个方面，粉末等离子体可以通过多个激发口引入腔内以便在其中更快地形成更均匀的催化剂分布(如下)。
除了粉末，根据本发明的惰性等离子体催化剂还可包括，例如，一个或多个微观或宏观的纤维、薄片、针、线、绳、细丝、纱、细绳、刨花、裂片、碎片、编织线、带、须或其任意混合物。在这些情况下，等离子体催化剂可以至少具有一部分，该部分的一个物理尺寸基本上大于另一个物理尺寸。例如，在至少两个垂直尺寸之间的比率至少为约1∶2，也可大于约1∶5或者甚至大于约1∶10。
因此，惰性等离子体催化剂可以包括至少一部分与其长度相比相对细的材料。也可以使用催化剂束(例如纤维)，其包括例如一段石墨带。在一个实验中，成功使用了一段具有大约三万股石墨纤维的、每股直径约为2-3微米的带。内部纤维数量和束长对激发、调节或维持等离子体来说并不重要。例如，用大约1/4英寸长的一段石墨带得到满意的结果。根据本发明成功使用了一种碳纤维是由Salt Lake City，Utah的Hexcel公司出售的商标为Magnamite的Model No.AS4C-GP3K。此外，还成功地使用了碳化硅纤维。
根据本发明另一个方面的惰性等离子体催化剂可以包括一个或多个如基本为球形、环形、锥形、立方体、平面体、圆柱形、矩形或伸长形的部分。
上述惰性等离子体催化剂包括至少一种至少是半导电的材料。在一个实施例中，该材料具有强导电性。例如，根据本发明的惰性等离子体催化剂可以包括金属、无机材料、碳、碳基合金、碳基复合物、导电聚合体、导电硅橡胶弹性体、聚合纳米复合物、有机无机复合物或其任意组合。可以包括在等离子体催化剂中的一些可能的无机材料包括碳、碳化硅、钼、铂、钽、钨、氮化碳和铝，虽然相信也可以使用其它导电无机材料。
除了一种或多种导电材料以外，本发明的惰性等离子体催化剂还可包括一种或多种添加剂(不要求导电性)。如这里所用的，该添加剂可以包括使用者想要加入等离子体的任何材料。因此，催化剂可以包括添加剂本身或者，它可以包括分解后能产生添加剂的前体材料。因此，根据最终期望的等离子体复合物和使用等离子体处理，等离子体催化剂可以以任意期望的比率包括一种或多种添加剂和一种或多种导电材料。
惰性等离子体催化剂中的导电成分与添加剂的比率随着其被消耗的时间变化。例如，在激发期间，等离子体催化剂可以要求包括较大百分比的导电成分来改善激发条件。另一方面，如果在维持等离子体时使用，催化剂可以包括较大百分比的添加剂。本领域普的通技术人员可知用于激发和维持等离子体的等离子体催化剂的成分比率可以是相同的。
预定的比率分布可以用于简化许多等离子体处理。在许多常规的等离子体处理中，等离子体中的成分是根据需要来增加的，但是这样的增加一般要求可编程装置根据预定计划来添加成分。然而，根据本发明，催化剂中的成分比率是可变的，因而等离子体本身的成分比率可以自动变化。这就是说，在任一特定时间等离子体的成分比率依赖于当前被等离子体消耗的催化剂部分。因此，在催化剂内的不同位置的催化剂成分比率可以不同。并且，当前等离子体的成分比率依赖于当前和/或在消耗前的催化剂部分，尤其在流过等离子体腔内的气体流速较慢时。
根据本发明的惰性等离子体催化剂可以是均匀的、不均匀的或渐变的。而且，整个催化剂中等离子体催化剂成分比率可以连续或者不连续改变。例如在图2中，比率可以平稳改变形成沿催化剂100长度方向的梯度。催化剂100可包括一股在段105含有较低浓度的成分并向段110连续增大浓度的材料。
可选择地，如图3所示，在催化剂120的每一部分比率可以不连续变化，例如包括浓度不同的交替段125和130。应该知道催化剂120可以具有多于两段的形式。因此，被等离子体消耗的催化剂成分比率可以以任意预定的形式改变。在一个实施例中，当等离子体被监测并且已检测到特殊的添加剂时，可以自动开始或结束进一步的处理。
改变被维持的等离子体中的成分比率的另一种方法是通过在不同时间以不同速率引入具有不同成分比率的多种催化剂。例如，可以在腔中以大致相同位置或者不同位置引入多种催化剂。在不同位置引入时，在腔内形成的等离子体会有由不同催化剂位置决定的成分浓度梯度。因此，自动化系统可包括用于在等离子体激发、调节和/或维持以前和/或期间机械插入可消耗等离子体催化剂的装置。
根据本发明的惰性等离子体催化剂也可以被涂覆。在一个实施例中，催化剂可以包括沉积在基本导电材料表面的基本不导电涂层。或者，催化剂可包括沉积在基本不导电材料表面的基本导电涂层。例如图4和5表示了包括内层145和涂层150的纤维140。在一个实施例中，为了防止碳的氧化，等离子体催化剂包括涂覆镍的碳芯。
一种等离子体催化剂也可以包括多层涂层。如果涂层在接触等离子体期间被消耗，该涂层可以从外涂层到最里面的涂层连续引入等离子体，从而形成限时释放(time-release)机制。因此，涂覆等离子体催化剂可以包括任意数量的材料，只要部分催化剂至少是半导电的。
根据本发明的另一实施例，为了基本上减少或防止辐射能泄漏，等离子体催化剂可以完全位于辐射腔内。这样，等离子体催化剂不会电或磁连接于包括腔的容器、或腔外的任何导电物体。这可以防止在激发口的瞬间放电，并防止在激发期间和如果等离子体被维持可能在随后电磁辐射泄漏出腔。在一个实施例中，催化剂可以位于伸入激发口的基本不导电的延伸物末端。
例如，图6表示在其中可以设置有等离子体腔165的辐射腔160。等离子体催化剂170可以延长并伸入激发口175。如图7所示，根据本发明的催化剂170可包括导电的末梢部分180(设置于腔160内)和不导电部分185(基本上设置于腔160外，但是可稍微伸入腔)。该结构防止了末梢部分180和腔160之间的电气连接(例如瞬间放电)。
在如图8所示的另一个实施例中，催化剂由多个导电片段190形成，所述多个导电片段190被多个不导电片段195隔开并与之机械相连。在这个实施例中，催化剂能延伸通过在腔中的一个点和腔外的另一个点之间的激发口，但是其电气不连续的分布有效地防止了产生瞬间放电和能量泄漏。
根据本发明的形成等离子体的另一种方法包括使腔内气体在活性等离子体催化剂存在的情况下受到小于大约333GHz频率的电磁辐射，产生或包括至少一个电离粒子。
根据本发明的活性等离子体催化剂可以是在电磁辐射存在的情况下能够向气态原子或分子传递足够能量来使气态原子或分子失去至少一个电子的任何粒子或者高能波包。利用源，电离粒子可以以聚焦或准直射束的形式直接引入腔，或者它们可以被喷射、喷出、溅射或者其它方式引入。
例如，图9表示辐射源200将辐射引入辐射腔205。等离子体腔210可以设置于腔205内并允许气体流过口215和216。源220可以将电离粒子225引入腔210。源220可以用电离粒子可以穿过的金属屏蔽来保护，但也屏蔽了对源220的辐射。如果需要，源220可以水冷。
根据本发明的电离粒子的实例可包括x射线粒子、γ射线粒子、α粒子、β粒子、中子、质子及其任意组合。因此，电离粒子催化剂可以是带电荷(例如来自离子源的离子)或者不带电荷并且可以是放射性裂变过程的产物。在一个实施例中，在其中形成有等离子体腔的容器可以全部或部分地透过电离粒子催化剂。因此，当放射性裂变源位于腔外时，该源可以引导裂变产物穿过容器来激发等离子体。为了基本防止裂变产物(如电离粒子催化剂)引起安全危害，放射性裂变源可以位于辐射腔内。
在另一个实施例中，电离粒子可以是自由电子，但它不必是在放射性衰变过程中发射。例如，电子可以通过激发电子源(如金属)来引入腔内，这样电子有足够的能量从该源中逸出。电子源可以位于腔内、邻近腔或者甚至在腔壁上。本领域的普通技术人员可知可用任意组合的电子源。产生电子的常用方法是加热金属，并且这些电子通过施加电场能进一步加速。
除电子以外，自由能质子也能用于催化等离子体。在一个实施例中，自由质子可通过电离氢产生，并且选择性地由电场加速。
多模辐射腔
辐射波导管、腔或室被设置成支持或便于至少一种电磁辐射模的传播。如这里所使用，术语“模”表示满足Maxwell方程和可应用的边界条件(如腔的)的任何停滞或传播的电磁波的特殊形式。在波导管或腔内，该模可以是传播或停滞电磁场的各种可能形式中的任何一种。每种模由其电场和/或磁场矢量的频率和极化表征。模的电磁场形式依赖于频率、折射率或介电常数以及波导管或腔的几何形状。
横电(TE)模是电场矢量垂直于传播方向的模。类似地，横磁(TM)模是磁场矢量垂直于传播方向的模。横电磁(TEM)模是电场和磁场矢量均垂直于传播方向的模。中空金属波导管一般不支持辐射传播的标准TEM模。尽管辐射似乎沿着波导管的长度方向传播，它之所以这样只是通过波导管的内壁以某一角度反射。因此，根据传播模，辐射(例如微波)沿着波导管轴线(通常指z轴)具有一些电场成分或者一些磁场成分。
在腔或者波导管中的实际场分布是其中模的叠加。每种模可以用一个或多个下标(如TE10(“Tee ee one zero”))表示。下标一般说明在x和y方向上含有多少在导管波长的“半波”。本领域的普通技术人员可知波导管波长与自由空间的波长不同，因为波导管内的辐射传播是通过波导管的内壁以某一角度反射。在一些情况下，可以增加第三下标来定义沿着z轴在驻波形式中的半波数量。
对于给定的辐射频率，波导管的尺寸可选择得足够小以便它能支持一种传播模。在这种情况下，系统被称为单模系统(如单模辐射器)。在矩形单模波导管中TE10模通常占主导。随着波导管(或波导管所连接的腔)的尺寸增加，波导管或辐射器有时能支持附加的高阶模，形成多模系统。当能够同时支持多个模时，系统往往表示为被高度模化(highly moded)。
一个简单的单模系统具有包括至少一个最大和/或最小的场分布。最大的量级很大程度上依赖于施加于系统的辐射的量。因此，单模系统的场分布是剧烈变化和基本上不均匀的。
与单模腔不同，多模腔可以同时支持几个传播模，在叠加时其形成混合场分布形式。在这种形式中，场在空间上变得模糊，并因此场分布通常不显示出腔内最小和最大场值的相同强度类型。此外，如下的详细说明，可以用一个模混合器来“混合”或“重新分布”模(如利用辐射反射器的机械运动)。这种重新分布有望提供腔内更均匀的时间平均场分布。
根据本发明的多模腔可以支持至少两个模，并且可以支持多于两个的多个模。每个模有最大电场矢量。虽然可以有两个或多个模，但是只有一个模占主导并具有比其它模大的最大电场矢量量级。如这里所用的，多模腔可以是任意的腔，其中第一和第二模量级之间的比率小于约1∶10，或者小于约1∶5，或者甚至小于约1∶2。本领域的普通技术人员可知比率越小，模之间的电场能量越分散，从而使腔内的电磁辐射能越分散。
处理腔内等离子体的分布非常依赖于所施加的辐射的分布。例如，在一个纯单模系统中只可以有一个电场最大值的位置。因此，强等离子体只能在这一个位置产生。在许多应用中，这样一个强局部化的等离子体会不合需要的引起不均匀等离子体处理或加热(即局部过热和加热不足)。
根据本发明无论使用单或多模腔，本领域的普通技术人员可知在其中形成等离子体的腔可以完全封闭或者半封闭。例如，在特定的应用中，如在等离子体辅助熔炉中，腔可以全部密封。参见，例如，共有并同时提出申请的美国专利申请No.10/＿，＿(Attorney Dorket No.1837.0020)，在此引入其整个内容作为参考。然而在其它应用中，可能需要将气体流过腔，从而腔必须一定程度地打开。这样，流动气体的流量、类型和压力可以随时间而改变。这是令人满意的，因为便于形成等离子体的如氩气的特定气体更容易激发，但在随后的等离子体处理中不需要。
模混合
在许多等离子体辅助应用中，需要腔内包括均匀的等离子体。然而，由于微波辐射可以有较长波长(如几十厘米)，很难获得均匀分布。结果，根据本发明的一个方面，多模腔内的辐射模在在一段时间内可以混合或重新分布。因为腔内的场分布必须满足由腔(例如，如果是金属的)的内表面设定的所有边界条件，可以通过改变内表面的任一部分的位置来改变这些场分布。
根据本发明的一个实施例中，可移动的反射表面位于辐射腔内。反射表面的形状和移动在移动期间将联合改变腔的内表面。例如，一个“L”型金属物体(即“模混合器”)在围绕任意轴旋转时将改变腔内的反射表面的位置或方向，从而改变其中的辐射分布。任何其它不对称形状的物体也可使用(在旋转时)，但是对称形状的物体也能工作，只要相对移动(如旋转、平移或两者结合)引起反射表面的位置和方向上的一些变化。在一个实施例中，模混合器可以是围绕非圆柱体纵轴的轴旋转的圆柱体。
多模腔中的每个模都具有至少一个最大电场矢量，但是每个矢量会周期性出现在腔内。通常，假设辐射的频率不变，该最大值是固定的。然而，通过移动模混合器使它与辐射相作用，就可能移动最大值的位置。例如，模混合器38可用于优化腔14内的场分布以便于优化等离子体激发条件和/或等离子体维持条件。因此，一旦激活等离子体，为了均匀的时间平均等离子体处理(如加热)，可以改变模混合器的位置来移动最大值的位置。
因此，根据本发明，在等离子体激发期间可以使用模混合。例如，当把导电纤维用作等离子体催化剂时，已经知道纤维的方向能够强烈影响最小等离子体激发条件。例如据报道说，当这样的纤维取向于与电场成大于60°的角度时，催化剂很少能改善或放松这些条件。然而通过移动反射表面进入或接近腔，电场分布能显著地改变。
通过例如安装在辐射器腔内的旋转波导管接头将辐射射入辐射器腔，也能实现模混合。为了在辐射腔内在不同方向上有效地发射辐射，该旋转接头可以机械地运动(如旋转)。结果，在辐射器腔内可产生变化的场形式。
通过柔性波导管将辐射射入辐射腔，也能实现模混合。在一个实施例中，波导管可固定在腔内。在另一个实施例中，波导管可伸入腔中。为了在不同方向和/或位置将辐射(如微波辐射)射入腔，该柔性波导管末端的位置可以以任何合适的方式连续或周期性移动(如弯曲)。这种移动也能引起模混合并有助于在时间平均基础上更均匀的等离子体处理(如加热)。可选择地，这种移动可用于优化激发的等离子体的位置或者其它的等离子体辅助处理。
如果柔性波导管是矩形的，波导管的开口末端的简单扭曲将使辐射器腔内的辐射的电场和磁场矢量的方向旋转。因而，波导管周期性的扭曲可引起模混合以及电场的旋转，这可用于辅助激发、调节或维持等离子体。
因此，即使催化剂的初始方向垂直于电场，电场矢量的重新定向能将无效方向变为更有效的方向。本领域的技术人员可知模混合可以是连续的、周期性的或预编程的。
除了等离子体激发以外，在随后的等离子体处理期间模混合可用来减少或产生(如调整)腔内的“热点”。当微波腔只支持少数模时(如少于5)，一个或多个局部电场最大值可产生“热点”(如在腔12内)。在一个实施例中，这些热点可设置成与一个或多个分开但同时的等离子体激发或处理相一致。因此，等离子体催化剂可放在一个或多个这些激发或随后的处理位置上。
多位置激发
可使用不同位置的多种等离子体催化剂来激发等离子体。在一个实施例中，可用多纤维在腔内的不同点处激发等离子体。这种多点激发在要求均匀等离子体激发时尤其有益。例如，当等离子体在高频(即数十赫兹或更高)下调节，或在较大空间中激发，或两者都有时，可以改善等离子体的基本均匀的瞬态撞击和再撞击。可选地，当在多个点使用等离子体催化剂时，可以通过将催化剂选择性引入这些不同位置，使用等离子体催化剂在等离子体腔内的不同位置连续激发等离子体。这样，如果需要，在腔内可以可控地形成等离子体激发梯度。
而且，在多模腔中，腔中多个位置的催化剂的随机分布增加了如下可能性：根据本发明的至少一种纤维或任何其它惰性等离子体催化剂优化沿电力线取向。但是，即使催化剂没有优化取向(基本上没有与电力线对准)，也改善了激发条件。
而且，由于催化剂粉末可以悬浮在气体中，可认为具有每个粉末粒子具有位于腔内不同物理位置的效果，从而改善了腔内的激发均匀性。
双腔等离子体激发/维持
根据本发明的双腔排列可用于激发和维持等离子体。在一个实施例中，系统至少包括第一激发腔和与第一激发腔流体连通的第二腔。为了激发等离子体，第一激发腔中的气体选择性地在等离子体催化剂存在的情况下受到频率小于大约333GHz的电磁辐射。这样，接近的第一和第二腔可使第一腔中形成的等离子体激发第二腔中的等离子体，其可用附加的电磁辐射来维持。
在本发明的一个实施例中，第一腔可以非常小并主要或只设置用于等离子体激发。这样，只需很少的微波能来激发等离子体，使激发更容易，尤其在使用根据本发明的等离子体催化剂时。
在一个实施例中，第一腔基本上是单模腔，第二腔是多模腔。当第一腔只支持单模时腔内的电场分布会剧烈变化，形成一个或多个精确定位的电场最大值。该最大值一般是等离子体激发的第一位置，将其作为安放等离子体催化剂的理想点。然而应该知道，当使用等离子体催化剂时，催化剂不需要设置在电场最大值之处，而且在大多数情况下，不需要取向于特定的方向。
等离子体辅助气体产生
提供从等离子体产生气体的方法和装置。通常，包括至少一种原子或分子种类的等离子体是由气体形成。将该等离子体与一个选择的阻挡层(例如，过滤器)的表面接触，该选择的阻挡层有选择地使该种类通过，并基本上阻止其它种类通过。在一个实施例中，例如，该种类可以被吸附到阻挡层的表面，通过阻挡层，并在阻挡层的另一侧被收集。
本发明收集的一种种类是氢。在操作期间，氢在过滤器的等离子体面对表面上离解以产生氢原子。然后，氢原子在阻挡层的另一低压侧上结合并解吸成氢气分子。一旦形成氢分子，它们就可以被收集(例如，直接使用或存储)。
图10是用于本发明的等离子体辅助气体产生的装置300的截面图。装置300包括腔305，该腔设置成通过使气体受到频率小于约333GHz的电磁辐射在该腔中形成等离子体310。如图10所示，气体通过一个或多个口由气体源提供给腔305。可以使用任何包含所需种类的气体。此外，如果需要，这些种类可以单独地加入气体中，即使在激发等离子体以后。
某些供给腔305的气体也可以通过一个或多个不同的口排掉。如下更充分所述，电磁辐射可以由电磁辐射源间接通过波导管提供给腔305，或直接将该辐射源与腔305连接。同时，如图1所示，辐射源也可以与外部腔连接，腔305可以透射辐射。
装置300还可包括至少一个与腔305相关的过滤器315。过滤器315设置为可以有选择地使第一原子或分子种类(例如，氢)通过它，并基本上阻止其它种类(例如，碳)通过，所述其它种类也可能存在于等离子体310中。所选择的种类可以通过过滤器315，从过滤器的等离子体面对侧317到等离子体背对侧319。在所选择的种类通过过滤器315以后，可以使用任何一种与等离子体背对侧319连通的收集装置(未示出)收集所选择的种类。
装置300在腔305中或腔305附近还可包括至少一种等离子体催化剂。根据本发明的等离子体催化剂可以是活性或惰性的，但它也可以是任何其它类型的等离子体激发装置。
过滤器315可以具有任何形状(例如，管状或平板状)，只要它的一侧面对等离子体，另一侧背对等离子体。为了最大化气体产生，等离子体面对侧可以具有较大的表面面积。过滤器315可以设计成能使例如氢气通过。在这种情况下，过滤器例如可以由如下材料形成：金属氢化物、钯、氧化钯、钌钯、钯银、钯铜、铀、镁、钛、锂铝、镧镍铝、锆、陶瓷及其任意组合，或它们的任意合金。在一个实施例中，过滤器315包括钯管。
当钯或钯合金被用于制造氢时，钯表面可以用作选择阻挡层，主要使原子氢通过它的壁，而完全阻止其它种类。分子氢可以被吸附到离解表面以便变成原子氢。虽然本发明不限于任何特殊的理论，氢原子可以和钯金属晶格共享它们的电子，使氢原子在压力梯度所确定的方向上通过晶格扩散。氢原子可以在过滤器的低压力侧上组合并解吸成氢分子。
依据所提取的原子和/或分子种类的类型，也可以使用其它类型的过滤器材料。再者，过滤器315可以包括多个过滤层(未示出)。用这种方法，所选的种类可以顺序通过每一层而被提纯。本发明的多层过滤器使穿过每个过滤器层的压力梯度小于穿过一个单层的压力梯度，这就使每一个层具有更多的选择性。
腔305可以具有能够基本上约束等离子体的任何适合的形状。如图10所示，在一个实施例中，腔305可以形成在内管(即，过滤器)315和外管350之间。外管350可以是导电的以便基本上限制辐射，以及等离子体310。另一方面，如果外管350是由辐射透射材料，例如陶瓷或石英制成，则可以认识到为了安全起见，附加的导电腔或壳体(如图1所示)可以设置在管350的周围。
如上所述，电磁辐射可以利用任何类型的辐射源以任何适合的方式提供给腔305。例如，图10示出了同轴波导管360，它通过锥形波导管365使电磁辐射直接进入腔305。辐射透射阻挡层362可使辐射进入腔305，但阻止等离子体310在其它方向通过，离开腔305。在另一实施例中，同轴波导管360可以直接使电磁辐射进入腔305，而不使用锥形波导管。不过，使用锥形波导管365可以使用较大的腔，而这又使过滤器具有较大的表面面积。因此，如果内导体361的外径不等于(例如，小于)过滤器315的外径，一个锥形内连接器可以用于把两者连接在一起。
在一个实施例中，外管350是导电的，导电端板398可以轴向移动(例如，在管350内)。另一方面，如果等离子体310在单程中不能充分吸收电磁辐射，端板398的四分之一辐射波长的位移可用于移动腔里的驻波图形(使最小值和最大值的位置反向)。因此，端板398的1/4波长的周期性摆动运动将使随时间的场分布模糊不清并消除沿过滤器315的热点。
另一方面，如果等离子体引0吸收辐射的能力很强，则等离子区的长度可以选择，使辐射的一半左右在单程中被吸收。现在可以设计阻挡层364和端板398之间的距离(例如，1/4，3/4等波长)，以便当辐射从端板398反射回来的时候吸收“同相(in phase)”的剩余能量。本领域的普通技术人员可以理解，相同的原理可以应用于其它设计(例如，在图11所示的装置中)。在任何情况下，模移动可以是连续的，周期性的，阶跃式的，或编程的其它形式。
例如，较大的腔允许使用管状过滤器，它大于同轴电缆(或波导管)的芯，该同轴电缆可用于提供辐射到腔。例如，图11示出了根据本发明的等离子辅助气体产生装置400的简化截面图。如装置300，装置400也包括腔405，过滤器410，同轴波导管415，锥形波导管420，和辐射透射阻挡层425。如上所述，过滤器410几乎具有任何形状，但最好具有大的表面面积以便提高气体从等离子体提取出的速率。例如，如果过滤器410是伸长型管，它可能具有明显大于同轴电缆417的芯的直径。同时，如图11所示，过滤器410不需要连接或制成其它形状以与芯417相配。最后，根据本发明的过滤器可以包括多个纤维，它们可以安排在多根管子上或它们自己形成管子。
图12是根据本发明的气体产生装置450的另一个简化截面图。装置450包括腔455，过滤器460，同轴波导管465，锥形波导管470，和辐射透射阻挡层475。同样，过滤器460可具有几乎任何形状，但最好是具有大的表面面积以便提高气体从腔455中形成的等离子体提取出气体的速度。如图12所示，过滤器460包括多个过滤器部件以便最大化表面面积，这些部件可以是连接在一起(如图所示)或者是分离的。如果连接在一起，可以使用一个气体出口480收集来自所有部件的气体。如果是分离的，可以使用多个气体出口分别收集来自每个部件的气体(未示出)。
图13是沿图10的线13-13截取的、同轴电缆360的截面图。如图13所示，芯361具有用字母“a”表示的外半径，外护罩363具有用字母“b”表示的内半径。当b∶a的比例在约2.5∶1和约3.0∶1之间时，可以减小出现在芯361的外表面上给定辐射能量的最大电场。当比例是约2.72∶1时，在那个表面上的最大电场达到最小。相同的几何尺寸比也适用于管状等离子腔，它可以由内过滤器管(例如，图10的过滤器315)的外半径和外管(例如，图10的管350)的内半径确定，或者由内管的外半径和外过滤器管(未示出)的内半径确定。通过使过滤器表面上的电场最小化，即使在使用具有相对大数量辐射能量的相对长的过滤器时，也能基本上防止在过滤器315的外表面上出现电孤和过热。
装置330的管状同轴几何形状能够进行TEM模操作。不过，可以理解，各种其它几何形状(例如，矩形)也能进行各种其它模操作，包括单模和多模操作。
装置300还包括一个电压源，用于提供偏压给过滤器。例如，如图10所示，电压源320可以通过同轴电缆325为滤器315提供一个电偏压。在这种情况下，电缆325的内电缆330可以通过导电管335与过滤器315电连接。管335可以由能够输送通过过滤器315以后的原子或分子种类的任何材料制成，例如钢或铜。电缆325的外护罩340可以和外腔350电连接，并可选地接地。另外，当芯与过滤器315电连接时，电压源320可以通过同轴电缆360的芯361提供一个电偏压给过滤器315。如果需要，电缆360的外护罩363也可以与外腔350电连接，并可选地接地。
可以理解，电绝缘体390(例如，陶瓷或石英)可以沿钢管395设置以便防止外管350带电。同时，阻挡层364可以是辐射透射的或不透射的，这取决于设计要求。如阻挡层362，阻挡层364也被用于基本上约束接近过滤器315的区域中的等离子体310。本领域的技术人员可以理解，阻挡层364和绝缘体390可以被取消，特别当不使用电压源320的时候。
图14是根据本发明的气体产生方法。该方法包括：(1)将气体流入腔，步骤500，(2)使气体受到频率小于约333GHz的电磁辐射以在腔中形成等离子体，步骤505，其中腔与至少一个过滤器流体连通，(3)通过过滤器从等离子体中提取第一种类，步骤510，以及(4)收集所述种类，步骤515。
在本发明的一个实施例中，步骤505可以包括在至少一种等离子体催化剂存在的情况下通过使气体受到辐射来激发腔内的等离子体。如上详述，等离子体催化剂可以是活性或惰性的，或者是任何其它的能够激发、调节或维持等离子体的装置。使用根据本发明的等离子体催化剂能够在低于、等于、或高于大气压的压力上进行图14的方法。
较高的气体压力允许较高的等离子体压力，较高的等离子体压力可用于提高提取和收集的速度。例如，当穿过滤器形成压力梯度以使等离子体面对表面(例如，过滤器315的表面317)的压力高于其背对表面(例如过滤器315的表面319)的压力时，所选择地原子或分子种类可以以较快的速度被提取。因此，使用等离子体催化剂可以在较高的压力下激发等离子体，形成较大的梯度而无需真空装置。在背对表面侧上使用真空装置也可以增加压力梯度的值，特别是在激发期间。
如图10所示，提高提取速度的另一种方法是给过滤器施加一个电偏压。虽然本发明不一定限于任何特殊的理论，但是施加偏压可以加速并集中等离子体使之靠近过滤器的等离子体面对表面。较高浓度可以提高在该表面上的吸收速率，而这又能够提高在另一侧上的气体产生的速率。
提取速率取决于过滤器的温度。如果在较高的温度过滤器提取速度较快，则可以通过使过滤器暴露于等离子体来增加温度。使用合适的温度控制，温度就能保持在最佳温度，这个温度可以是过滤器通过承受的最高温度。正如这里所使用的，这个温度称为转变温度，它是能够例如熔化或损坏过滤器的温度。当使用钯时，温度可以保持在约400摄氏度，一般是在约100度摄氏和约1500摄氏度之间。
过滤器的温度可以利用传统的技术进行冷却，这个传统技术例如包括，使流体流过埋在过滤器内或附着在过滤器上的管道。另一个冷却过滤器的方法是使流体，例如水，流过轴向过滤器315的中心。用这个方法，流体可以用于冷却过滤器315，并同时可以吸收通过过滤器315的氢气。然后，用随后的步骤可以使氢气从流体中排除。可以理解，流体不必通过轴向过滤器的芯。相反，流体可以通过过滤器的外表面，或如上所述，通过埋在过滤器中的管道。
根据本发明，一旦气体通过过滤器被提取，它便可以被收集。收集例如包括，将第一种类泵送到气体容器中。另外，收集还包括，将气体暴露于燃料电池(例如，它的有效面积)。这样的燃料电池可以形成住宅或工业供电电源的一部分，或者它也可以安放在车辆中，例如安放在汽车，火车，飞机，摩托车，或任何其它需要移动电源的装置中。
根据本发明，过滤器表面也可以通过下面的方法来清洁：提供清洁气体给腔，利用清洁气体形成清洁等离子体，施加电偏压给过滤器以将形成等离子体的带点粒子充分加速到过滤器，从而至少部分地清除可能沉积在过滤器上的任何残留物。
在前述的实施例中，为了简化说明，各种特征被集合在单个实施例中。这种公开方法不意味着本发明权利要求书要求了比每个权利要求中明确叙述的特征更多的特征。而是，如下列权利要求所述，创造性方面要比前述公开的单个实施例的全部特征少。因此，下列权利要求被加入到该具体实施方式中，每个权利要求本身作为本发明的一个单独的优选实施例。

Claims (57)

1.一种等离子体辅助气体产生的方法，该方法包括：
使气体流入主腔，其中所述气体包括至少第一种类；
使所述气体受到频率小于约333GHz的电磁辐射，从而在所述腔中形成等离子体，其中所述腔与至少一个过滤器流体连通；
通过所述过滤器提取所述第一种类；以及
收集所述第一种类。
2.根据权利要求1的方法，其中所述第一种类包括氢。
3.根据权利要求1的方法，其中所述受到步骤包括在至少一个等离子体催化剂存在的情况下，通过使所述腔中的所述气体受到所述辐射来激发所述等离子体，所述等离子体催化剂包括至少是半导电的材料。
4.根据权利要求3的方法，其中所述材料包括金属、无机材料、碳、碳基合金、碳基复合物、导电聚合体、导电硅橡胶弹性体、聚合纳米复合物和有机无机复合物中的至少一种。
5.根据权利要求4的方法，其中所述材料的形式为纳米粒子、纳米管、粉末、粉尘、薄片、纤维、薄板、针、线、绳、细丝、纱、细绳、刨花、裂片、碎片、编织线、带和须中的至少一种。
6.根据权利要求5的方法，其中所述等离子体催化剂包括碳纤维。
7.根据权利要求3的方法，其中所述等离子体催化剂包括粉末。
8.根据权利要求1的方法，其中所述受到步骤包括在一种活性等离子体催化剂存在的情况下使所述气体受到所述辐射，所述活性等离子体催化剂包括至少一种电离粒子。
9.根据权利要求8的方法，其中所述至少一种电离粒子包括粒子束。
10.根据权利要求8的方法，其中所述粒子是x射线粒子、γ射线粒子、α粒子、β粒子、中子、电子、离子和质子中的至少一种。
11.根据权利要求8的方法，其中所述电离粒子包括放射性裂变的产物。
12.根据权利要求1的方法，其中在至少是大气压的气体压力下进行所述受到步骤。
13.根据权利要求1的方法，其中所述过滤器包括金属氢化物、钯、氧化钯、钌钯、钯银、钯铜、铀、镁、钛、锂铝、镧镍铝、锆、陶瓷及其任意组合、或它们的任意合金中的至少一种。
14.根据权利要求1的方法，其中所述过滤器具有等离子体面对表面和背对表面，其中所述提取步骤包括穿过所述过滤器形成压力梯度以使在所述等离子体面对表面的压力大于在所述背对表面的压力。
15.根据权利要求1的方法，其中所述提取步骤包括施加电偏压给所述过滤器。
16.根据权利要求1的方法，其中所述过滤器具有一个转变温度，其中所述提取步骤包括将所述过滤器的温度保持在约100摄氏度和约1500摄氏度之间。
17.根据权利要求16的方法，其中所述提取步骤包括将所述等离子体与所述过滤器接触以将过滤器加热到所需的工作温度。
18.根据权利要求1的方法，其中所述过滤器包括多个过滤层，其中所述提取步骤包括将所述第一种类通过每一个所述过滤层以获得高纯度的所述第一种类。
19.根据权利要求1的方法，其中所述至少一个过滤器包括多个设置在多个对应的管子上的过滤器。
20.根据权利要求1的方法，其中所述过滤器设置在管子的表面上，其中所述提取步骤包括使所述第一种类通过所述过滤器，从所述管子外面的位置到所述管子里面的位置。
21.根据权利要求1的方法，其中所述主腔形成在内过滤器管和金属管之间，所述内过滤器管包括所述过滤器，其中所述提取步骤包括使所述第一种类通过所述内管，从所述主腔里面的位置到所述内管里面的位置。
22.根据权利要求21的方法，还包括通过同轴波导管将所述电磁辐射引入所述主腔。
23.根据权利要求21的方法，其中所述内管具有外直径，所述外管具有内直径，其中所述内直径与所述外直径的比在约2.5和约3.0之间。
24.根据权利要求23的方法，其中所述比是约2.72。
25.根据权利要求21的方法，其中所述辐射包括TEM模，该方法还包括将所述模轴向移动至少约1/4波长。
26.根据权利要求21的方法，其中所述主腔具有第一轴端和第二轴端，该方法还包括从至少所述第一轴端将所述辐射发射到所述主腔。
27.根据权利要求1的方法，其中所述外管包括基本上透射所述辐射的材料，以及所述内管基本上反射所述辐射。
28.根据权利要求1的方法，还包括将电偏压施加给所述过滤器。
29.根据权利要求1的方法，其中所述第一种类在所述提取步骤之后是气态形式，其中所述收集步骤包括在所述提取步骤之后将所述第一种类泵送到气体容器。
30.根据权利要求1的方法，其中所述第一种类在所述提取步骤之后是气态形式，其中所述收集步骤包括将所述第一种类暴露于燃料电池。
31.根据权利要求1的方法，还包括清洁所述过滤器，其中所述清洁步骤包括：
提供清洁气体到所述主腔；
利用所述清洁气体形成清洁等离子体，其中所述清洁等离子体包括带电粒子；以及
施加电偏压给所述过滤器，以将所述带电粒子充分加速到所述过滤器，从而至少部分地清除在所述过滤器上沉积的残留物。
32.根据权利要求1的方法，其中所述收集步骤包括使一种流体与所述过滤器接触，从而使所述第一种类被所述流体吸收。
33.一种等离子体辅助气体产生的装置，该装置包括：
腔，设置成通过使气体受到频率小于约333GHz的电磁辐射在所述腔中形成等离子体；
至少一个过滤器，与所述腔相关，具有等离子体面对侧和等离子体背对侧，其中所述过滤器设置成有选择地使存在于所述等离子体中的第一种类通过所述过滤器，而基本上阻止任何其它种类通过所述过滤器；
气体源，与所述腔相连，提供所述气体给所述腔；
辐射源，与所述腔相连，提供所述辐射给所述腔；以及
收集装置，与所述过滤器的所述等离子体背对侧相连。
34.根据权利要求33的装置，其中所述气体包括氢气。
35.根据权利要求33的装置，还包括在所述第一腔中的至少一种等离子体催化剂，其中所述催化剂包括至少是半导电的材料。
36.根据权利要求35的装置，其中所述材料包括金属、无机材料、碳、碳基合金、碳基复合物、导电聚合体、导电硅橡胶弹性体、聚合纳米复合物和有机无机复合物中的至少一种。
37.根据权利要求36的装置，其中所述材料的形式为纳米粒子、纳米管、粉末、粉尘、薄片、纤维、薄板、针、线、绳、细丝、纱、细绳、刨花、裂片、碎片、编织线、带和须中的至少一种。
38.根据权利要求37的装置，其中所述等离子体催化剂包括碳纤维。
39.根据权利要求38的装置，其中所述等离子体催化剂包括粉末。
40.根据权利要求33的装置，还包括在所述腔中的包括至少一种电离粒子的活性等离子体催化剂。
41.根据权利要求40的装置，其中所述至少一种电离粒子包括粒子束。
42.根据权利要求40的装置，其中所述粒子是x射线粒子、γ射线粒子、α粒子、β粒子、中子、电子、离子和质子中的至少一种。
43.根据权利要求33的装置，还包括激发腔，用于利用电磁辐射激发等离子体以在所述激发腔中形成激发等离子体，其中所述激发腔与所述第一腔流体连通，从而所述激发等离子体使第一等离子体在所述第一腔中形成。
44.根据权利要求33的装置，其中所述过滤器包括金属氢化物、钯、氧化钯、钌钯、钯银、钯铜、铀、镁、钛、锂铝、镧镍铝、锆、陶瓷及其任意组合、或它们的任意合金中的至少一种。
45.根据权利要求33的装置，还包括电压源，与所述过滤器电连接以提供偏压给所述过滤器。
46.根据权利要求33的装置，其中所述过滤器包括多个过滤层。
47.根据权利要求33的装置，其中所述气体收集装置至少包括氢燃料电池。
48.根据权利要求33的装置，其中所述腔形成在内过滤器管和外金属管之间，所述内过滤器管包括所述过滤器。
49.根据权利要求48的装置，还包括同轴波导管，设置成将所述电磁辐射引入所述腔。
50.根据权利要求48的装置，其中所述内管具有外直径，所述外管具有内直径，所述内直径与所述外直径的比在约2.5和约3.0之间。
51.根据权利要求50的装置，其中所述比是约2.72。
52.根据权利要求48的装置，其中所述辐射包括TEM模，并且其中该装置还包括导电端板，用于将所述模至少轴向移动1/4波长的奇数倍。
53.根据权利要求48的装置，其中所述外管包括基本上透射所述辐射的材料。
54.根据权利要求48的装置，其中所述主腔具有第一轴端，用于接收所述辐射。
55.根据权利要求48的装置，还包括电压源，用于施加偏压给所述过滤器。
56.根据权利要求33的装置，还包括使流体流动的管道，从而使所述流体和所述过滤器接触。
57.根据权利要求56的装置，其中所述管道形成在所述过滤器中。
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CNB038102692A Expired - Fee Related CN100505975C (zh) 2002-05-08 2003-05-07 等离子体辅助涂覆
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CNB038102714A Expired - Fee Related CN1324114C (zh) 2002-05-08 2003-05-07 等离子体辅助掺杂
CNB038102749A Expired - Fee Related CN100336156C (zh) 2002-05-08 2003-05-07 等离子体辅助气体产生
CNB038102773A Expired - Fee Related CN100455144C (zh) 2002-05-08 2003-05-07 等离子体辅助热处理
CNA038102722A Pending CN1652889A (zh) 2002-05-08 2003-05-07 等离子体辅助烧结
CNB038102676A Expired - Fee Related CN1324931C (zh) 2002-05-08 2003-05-07 辐射装置、等离子体装置和采用多个辐射源的方法
CNB038102706A Expired - Fee Related CN100441732C (zh) 2002-05-08 2003-05-07 等离子体辅助增强涂覆
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US (7) US6870124B2 (zh)
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CA (1) CA2485195A1 (zh)
IL (2) IL164824A0 (zh)
MX (1) MXPA04010875A (zh)
WO (21) WO2003096749A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109186216A (zh) * 2018-08-23 2019-01-11 绍兴市质量技术监督检测院 一种防泄漏的微波快速干燥装置
CN111850489A (zh) * 2020-07-29 2020-10-30 江苏集萃先进金属材料研究所有限公司 靶材中间料及其形成方法和实现该形成方法的装置

Families Citing this family (213)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207646B1 (en) * 1994-07-15 2001-03-27 University Of Iowa Research Foundation Immunostimulatory nucleic acid molecules
US7212860B2 (en) * 1999-05-21 2007-05-01 Cardiac Pacemakers, Inc. Apparatus and method for pacing mode switching during atrial tachyarrhythmias
EP1361437A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-12 Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) A novel biological cancer marker and methods for determining the cancerous or non-cancerous phenotype of cells
US20060233682A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-19 Cherian Kuruvilla A Plasma-assisted engine exhaust treatment
US20060062930A1 (en) * 2002-05-08 2006-03-23 Devendra Kumar Plasma-assisted carburizing
US7638727B2 (en) * 2002-05-08 2009-12-29 Btu International Inc. Plasma-assisted heat treatment
US7497922B2 (en) * 2002-05-08 2009-03-03 Btu International, Inc. Plasma-assisted gas production
US7494904B2 (en) * 2002-05-08 2009-02-24 Btu International, Inc. Plasma-assisted doping
US7445817B2 (en) * 2002-05-08 2008-11-04 Btu International Inc. Plasma-assisted formation of carbon structures
US20060228497A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-12 Satyendra Kumar Plasma-assisted coating
US7498066B2 (en) * 2002-05-08 2009-03-03 Btu International Inc. Plasma-assisted enhanced coating
US20050233091A1 (en) * 2002-05-08 2005-10-20 Devendra Kumar Plasma-assisted coating
US7465362B2 (en) * 2002-05-08 2008-12-16 Btu International, Inc. Plasma-assisted nitrogen surface-treatment
US20060057016A1 (en) * 2002-05-08 2006-03-16 Devendra Kumar Plasma-assisted sintering
US20060237398A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-26 Dougherty Mike L Sr Plasma-assisted processing in a manufacturing line
DE60223726T2 (de) * 2002-05-08 2008-10-30 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Verfahren zum dekorieren eines grossen, dreidimensionalen plastikgegenstandes
CN101076221B (zh) * 2002-05-08 2011-08-31 Btu国际公司 多个辐射源的等离子体产生和处理
US7560657B2 (en) * 2002-05-08 2009-07-14 Btu International Inc. Plasma-assisted processing in a manufacturing line
BR0309814A (pt) * 2002-05-08 2005-03-01 Dana Corp Métodos de formação de plasma
US7189940B2 (en) * 2002-12-04 2007-03-13 Btu International Inc. Plasma-assisted melting
US7511246B2 (en) * 2002-12-12 2009-03-31 Perkinelmer Las Inc. Induction device for generating a plasma
US20040216845A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-04 Czeslaw Golkowski Non-thermal plasma generator device
JP2005024539A (ja) * 2003-06-10 2005-01-27 Hitachi Ltd 荷電粒子検出器およびそれを用いた検知装置
US20050067098A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Tokyo Electron Limited Method and system for introduction of an active material to a chemical process
JP4324078B2 (ja) 2003-12-18 2009-09-02 キヤノン株式会社 炭素を含むファイバー、炭素を含むファイバーを用いた基板、電子放出素子、該電子放出素子を用いた電子源、該電子源を用いた表示パネル、及び、該表示パネルを用いた情報表示再生装置、並びに、それらの製造方法
FR2871478B1 (fr) * 2004-06-15 2006-12-22 Arash Mofakhami Systeme d'intrusion et de collision cation-electrons dans un materiau non conducteur
US7517215B1 (en) * 2004-07-09 2009-04-14 Erc Incorporated Method for distributed ignition of fuels by light sources
WO2006127037A2 (en) * 2004-11-05 2006-11-30 Dana Corporation Atmospheric pressure processing using microwave-generated plasmas
EP2913722A1 (en) * 2004-11-24 2015-09-02 NovaCentrix Corp. Electrical, plating and catalytic uses of metal nanomaterial compositions
DE602005021050D1 (de) * 2005-03-09 2010-06-17 Askair Technologies Ag Verfahren zur Führung einer Durchfluss-Plasmavorrichtung
WO2006099190A2 (en) 2005-03-11 2006-09-21 Perkinelmer, Inc. Plasmas and methods of using them
WO2006102100A2 (en) * 2005-03-18 2006-09-28 Dana Corporation Plasma-assisted processing in a manufacturing line
US7742167B2 (en) * 2005-06-17 2010-06-22 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Optical emission device with boost device
EP1891407A4 (en) * 2005-06-17 2009-09-23 Perkinelmer Inc ACCELERATION DEVICES AND METHODS OF USE THEREOF
US8622735B2 (en) * 2005-06-17 2014-01-07 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Boost devices and methods of using them
KR20080040642A (ko) * 2005-06-17 2008-05-08 비티유 인터내셔날, 인코포레이티드 마이크로파 플라즈마 쿠킹
JP4732057B2 (ja) * 2005-07-29 2011-07-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置および処理方法
KR100689037B1 (ko) 2005-08-24 2007-03-08 삼성전자주식회사 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치 및 그것을 구비하는플라즈마 처리 시스템
US20070051233A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Duge Robert T Radiant electromagnetic energy management
JP5531240B2 (ja) * 2005-09-20 2014-06-25 イマジニアリング株式会社 点火装置、内燃機関、点火プラグ、及びプラズマ装置
US8945686B2 (en) * 2007-05-24 2015-02-03 Ncc Method for reducing thin films on low temperature substrates
JP4699235B2 (ja) * 2006-02-20 2011-06-08 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP4846392B2 (ja) * 2006-02-28 2011-12-28 株式会社東芝 水中補修溶接方法
US20070278199A1 (en) * 2006-04-14 2007-12-06 Ewa Environmental, Inc. Particle burning in an exhaust system
US7714248B2 (en) * 2006-05-24 2010-05-11 Kuan-Jiuh Lin Microwave plasma generator
EP1867386A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-19 Thomas Wendling Method for the production of nanoparticles
US7722778B2 (en) * 2006-06-28 2010-05-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for sensing unconfinement in a plasma processing chamber
US20110064605A1 (en) * 2006-07-05 2011-03-17 Thermapure, Inc. Method for treating an object contaminated with harmful biological organisms or chemical substances utilizing electromagnetic waves
US7541561B2 (en) * 2006-09-01 2009-06-02 General Electric Company Process of microwave heating of powder materials
US7326892B1 (en) 2006-09-21 2008-02-05 General Electric Company Process of microwave brazing with powder materials
US7524385B2 (en) * 2006-10-03 2009-04-28 Elemetric, Llc Controlled phase transition of metals
EP2081570A2 (en) * 2006-10-24 2009-07-29 David W. Krempin Anti-resorptive and bone building dietary supplements and methods of use
US7775416B2 (en) * 2006-11-30 2010-08-17 General Electric Company Microwave brazing process
US8342386B2 (en) * 2006-12-15 2013-01-01 General Electric Company Braze materials and processes therefor
US7946467B2 (en) * 2006-12-15 2011-05-24 General Electric Company Braze material and processes for making and using
US8409318B2 (en) * 2006-12-15 2013-04-02 General Electric Company Process and apparatus for forming wire from powder materials
US8574686B2 (en) * 2006-12-15 2013-11-05 General Electric Company Microwave brazing process for forming coatings
US9005755B2 (en) 2007-01-03 2015-04-14 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor
US8951631B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused metal fiber materials and process therefor
US9806273B2 (en) * 2007-01-03 2017-10-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes
US8951632B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US8158217B2 (en) 2007-01-03 2012-04-17 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber and method therefor
DE102007011310B4 (de) * 2007-03-06 2015-06-18 Biotronik Crm Patent Ag Medizinisches Implantat und Verfahren zur Herstellung desselben
FR2921388B1 (fr) * 2007-09-20 2010-11-26 Air Liquide Dispositif et procede de depot cvd assiste par plasma tres haute frequence a la pression atmospherique, et ses applications
US20090139607A1 (en) * 2007-10-28 2009-06-04 General Electric Company Braze compositions and methods of use
US8115135B2 (en) * 2008-02-14 2012-02-14 Adventix Technologies Inc. Plasma assisted oxygen decontaminant generator and sprayer
US20090295509A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 Universal Phase, Inc. Apparatus and method for reaction of materials using electromagnetic resonators
EP2297377B1 (en) 2008-05-30 2017-12-27 Colorado State University Research Foundation Plasma-based chemical source device and method of use thereof
EP2299922B1 (en) 2008-05-30 2016-11-09 Colorado State University Research Foundation Apparatus for generating plasma
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
WO2011123125A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
US8410712B2 (en) * 2008-07-09 2013-04-02 Ncc Nano, Llc Method and apparatus for curing thin films on low-temperature substrates at high speeds
US8128788B2 (en) 2008-09-19 2012-03-06 Rf Thummim Technologies, Inc. Method and apparatus for treating a process volume with multiple electromagnetic generators
US8760520B2 (en) 2008-11-10 2014-06-24 Eduard Levin System and method for tracking and monitoring personnel and equipment
CN101579617B (zh) * 2009-01-20 2012-05-30 江苏工业学院 一种微波化学反应器
US9186742B2 (en) * 2009-01-30 2015-11-17 General Electric Company Microwave brazing process and assemblies and materials therefor
CA2750484A1 (en) 2009-02-17 2010-12-16 Applied Nanostructured Solutions, Llc Composites comprising carbon nanotubes on fiber
WO2010141130A1 (en) 2009-02-27 2010-12-09 Lockheed Martin Corporation Low temperature cnt growth using gas-preheat method
US20100224129A1 (en) 2009-03-03 2010-09-09 Lockheed Martin Corporation System and method for surface treatment and barrier coating of fibers for in situ cnt growth
US8834684B2 (en) 2009-04-14 2014-09-16 Rf Thummin Technologies, Inc. Method and apparatus for excitation of resonances in molecules
CA2758570A1 (en) 2009-04-24 2010-12-16 Applied Nanostructured Solutions, Llc Cnt-based signature control material
US9111658B2 (en) 2009-04-24 2015-08-18 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-shielded wires
JP5744008B2 (ja) 2009-04-27 2015-07-01 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニーＡｐｐｌｉｅｄ Ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄｓｏｌｕｔｉｏｎｓ， Ｌｌｃ 複合材料構造体を除氷するためのｃｎｔベース抵抗加熱
US9398646B2 (en) * 2009-07-10 2016-07-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Microwave heating device and microwave heating control method
WO2011017200A1 (en) 2009-08-03 2011-02-10 Lockheed Martin Corporation Incorporation of nanoparticles in composite fibers
US8222822B2 (en) 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
JP5643835B2 (ja) 2009-11-23 2014-12-17 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニーＡｐｐｌｉｅｄ Ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄｓｏｌｕｔｉｏｎｓ， Ｌｌｃ Ｃｎｔを適合された海ベース複合材料構造体
EP2504164A4 (en) 2009-11-23 2013-07-17 Applied Nanostructured Sols CERAMIC COMPOSITE MATERIALS CONTAINING FIBER MATERIALS IMPREGNATED WITH CARBON NANOTUBES AND METHODS OF MAKING SAME
US8545963B2 (en) 2009-12-14 2013-10-01 Applied Nanostructured Solutions, Llc Flame-resistant composite materials and articles containing carbon nanotube-infused fiber materials
US9167736B2 (en) 2010-01-15 2015-10-20 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
US20110180385A1 (en) * 2010-01-28 2011-07-28 Raytheon Company Control of Catalytic Chemical Processes
CA2785803A1 (en) 2010-02-02 2011-11-24 Applied Nanostructured Solutions, Llc Carbon nanotube-infused fiber materials containing parallel-aligned carbon nanotubes, methods for production thereof, and composite materials derived therefrom
SG10201500751UA (en) * 2010-02-08 2015-04-29 Microspace Rapid Pte Ltd A micro-nozzle thruster
BR112012021634A2 (pt) 2010-03-02 2019-09-24 Applied Nanostructured Sols dispositivos elétricos contendo fibras de nanotubo de carbono infundidas e métodos para reprodução das mesmas.
CN102934267A (zh) 2010-03-02 2013-02-13 应用奈米结构公司 具注入碳纳米管电极材料螺旋缠绕式电气装置及其制造方法及装置
WO2011116187A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Rf Thummim Technologies, Inc. Method and apparatus for electromagnetically producing a disturbance in a medium with simultaneous resonance of acoustic waves created by the disturbance
CA2794895A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
US10422578B2 (en) * 2010-04-08 2019-09-24 Ncc Nano, Pllc Apparatus for curing thin films on a moving substrate
EP2556594B1 (en) * 2010-04-08 2020-08-12 NCC Nano, LLC Apparatus for curing thin films on a moving substrate
CN101940902A (zh) * 2010-05-04 2011-01-12 姚光纯 一种采用脉冲波提高催化化学反应效率的工艺方法
US8780526B2 (en) 2010-06-15 2014-07-15 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
US9017854B2 (en) 2010-08-30 2015-04-28 Applied Nanostructured Solutions, Llc Structural energy storage assemblies and methods for production thereof
CA2808242A1 (en) 2010-09-14 2012-03-22 Applied Nanostructured Solutions, Llc Glass substrates having carbon nanotubes grown thereon and methods for production thereof
CN103118975A (zh) 2010-09-22 2013-05-22 应用奈米结构公司 具有碳纳米管成长于其上的碳纤维基板及其制造方法
CA2782976A1 (en) 2010-09-23 2012-03-29 Applied Nanostructured Solutions, Llc Cnt-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
US8755165B2 (en) 2010-10-18 2014-06-17 Veeco Instruments, Inc. Fault tolerant ion source power system
CN102476954A (zh) * 2010-11-22 2012-05-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 不锈钢与氮化硅陶瓷的连接方法及制得的连接件
CN102093915B (zh) * 2010-12-17 2013-05-01 南通海鹰机电集团有限公司 生物质发电系统重整反应釜
CN102172833B (zh) * 2011-02-21 2012-10-03 南京航空航天大学 基于放电诱导可控烧蚀的非导电工程陶瓷磨削加工方法
JP2014510896A (ja) * 2011-03-11 2014-05-01 インダージット・シン 食品製品のプラズマ支援レーザ調理のための方法および装置
CN102794354A (zh) * 2011-05-26 2012-11-28 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有耐高温涂层的镍基超耐热合金冲压模具
CN102806270A (zh) * 2011-05-30 2012-12-05 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有耐高温涂层的铁素体不锈钢模具
CN102343392A (zh) * 2011-06-14 2012-02-08 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有硬膜结构的铁素体不锈钢模具的制备方法
CN102343394A (zh) * 2011-06-14 2012-02-08 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有硬膜结构的镍基超耐热模具的制备方法
CN102343391A (zh) * 2011-06-14 2012-02-08 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有硬膜结构的镍基超耐热合金冲压模具
CN102389922A (zh) * 2011-06-16 2012-03-28 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有自润滑涂层的镍基超耐热合金冲压模具
CN102825135A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 昆山市瑞捷精密模具有限公司 一种具有自润滑涂层的铁素体不锈钢冲压模具
JP5490192B2 (ja) * 2011-12-28 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波加熱処理装置および処理方法
CN103199215B (zh) * 2012-01-05 2016-12-21 三星Sdi株式会社 热处理设备
WO2013110202A1 (en) * 2012-01-27 2013-08-01 N/C Quest Inc. Carbon nanotube production method to stimulate soil microorganisms and plant growth produced from the emissions of internal combustion
US9085464B2 (en) 2012-03-07 2015-07-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc Resistance measurement system and method of using the same
WO2014011919A2 (en) 2012-07-13 2014-01-16 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Torches and methods of using them
CN102961787B (zh) * 2012-12-13 2015-06-03 北京大学 一种全降解心血管支架用铁基复合材料及其制备方法
US9374853B2 (en) 2013-02-08 2016-06-21 Letourneau University Method for joining two dissimilar materials and a microwave system for accomplishing the same
US9532826B2 (en) 2013-03-06 2017-01-03 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US9555145B2 (en) 2013-03-13 2017-01-31 Covidien Lp System and method for biofilm remediation
WO2014159449A1 (en) * 2013-03-14 2014-10-02 Tokyo Electron Limited Microwave surface-wave plasma device
US9505503B2 (en) * 2013-03-27 2016-11-29 Lockheed Martin Corporation Reactants sprayed into plasma flow for rocket propulsion
US9934974B2 (en) 2013-06-19 2018-04-03 Tokyo Electron Limited Microwave plasma device
US9512766B2 (en) 2013-08-16 2016-12-06 Ford Global Technologies, Llc Multi-cell structure for automotive catalyst support
CN103495730B (zh) * 2013-10-12 2015-06-10 宝鸡正微金属科技有限公司 真空等离子粉末冶金烧结工艺
US10424462B2 (en) 2013-11-06 2019-09-24 Tokyo Electron Limited Multi-cell resonator microwave surface-wave plasma apparatus
CN103647095B (zh) * 2013-11-20 2016-01-20 江苏大学 一种激光-碱性燃料电池
CN104649247A (zh) * 2013-11-22 2015-05-27 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法
WO2015200432A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-30 Meacham Kirby G B Variable compression connecting rod
CN104176949A (zh) * 2014-08-18 2014-12-03 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 一种高红外吸收的玻璃纤维的制备方法
CN107432077B (zh) * 2015-01-12 2021-03-19 王守国 可插拔的等离子体放电管装置
US10153133B2 (en) * 2015-03-23 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having digital control over rotation frequency of a microwave field with direct up-conversion
DE102015111555B3 (de) * 2015-07-16 2016-09-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Anordnung zur Behandlung von Materialien mit Mikrowellen
US10244613B2 (en) * 2015-10-04 2019-03-26 Kla-Tencor Corporation System and method for electrodeless plasma ignition in laser-sustained plasma light source
WO2017095972A1 (en) * 2015-11-30 2017-06-08 The Board Of Regents For Oklahoma State University Microwave processing of thermoelectric materials and use of glass inclusions for improving the mechanical and thermoelectric properties
US10987735B2 (en) 2015-12-16 2021-04-27 6K Inc. Spheroidal titanium metallic powders with custom microstructures
CA3200272A1 (en) 2015-12-16 2017-06-22 6K Inc. Spheroidal dehydrogenated metals and metal alloy particles
EP3405955A1 (en) * 2016-01-19 2018-11-28 Brilliant Light Power, Inc. Thermophotovoltaic electrical power generator
US9831066B1 (en) * 2016-05-27 2017-11-28 Mks Instruments, Inc. Compact microwave plasma applicator utilizing conjoining electric fields
CN106435519A (zh) * 2016-09-18 2017-02-22 北京工业大学 一种提高cvd法在长管内壁制备钨涂层均匀性的方法
US9812295B1 (en) 2016-11-15 2017-11-07 Lyten, Inc. Microwave chemical processing
EP3542036B1 (en) * 2016-11-17 2020-11-04 Eprotech S.R.L. Device for abatement of liquid, gaseous and/or solid pollutant substances of various kind, contained into the exhaust smokes, and process for treatment and abatement of such pollutant substances
CN106631086A (zh) * 2017-01-16 2017-05-10 青岛大学 一种多模烧结腔内微波焊接陶瓷材料的分析方法
CN106744676A (zh) * 2017-01-23 2017-05-31 上海朗研光电科技有限公司 辉光放电合成纳米粒子的装置及其合成方法
US9767992B1 (en) 2017-02-09 2017-09-19 Lyten, Inc. Microwave chemical processing reactor
US9997334B1 (en) 2017-02-09 2018-06-12 Lyten, Inc. Seedless particles with carbon allotropes
US10920035B2 (en) 2017-03-16 2021-02-16 Lyten, Inc. Tuning deformation hysteresis in tires using graphene
JP7042282B2 (ja) 2017-03-16 2022-03-25 ライテン・インコーポレイテッド 炭素及びエラストマーの融合
CN106861912B (zh) * 2017-03-21 2018-08-17 哈尔滨工程大学 一种增强等离子体浓度提高除尘效率的装置及方法
US11424104B2 (en) 2017-04-24 2022-08-23 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with electrode filaments extending from ceiling
CN107029645A (zh) * 2017-05-12 2017-08-11 武汉喜玛拉雅光电科技股份有限公司 一种连续微波合成装置及用其制备铂碳催化剂的方法
US10434490B2 (en) 2017-08-08 2019-10-08 H Quest Vanguard, Inc. Microwave-induced non-thermal plasma conversion of hydrocarbons
US11358869B2 (en) 2017-08-08 2022-06-14 H Quest Vanguard, Inc. Methods and systems for microwave assisted production of graphitic materials
US9987611B1 (en) 2017-08-08 2018-06-05 H Quest Vanguard, Inc. Non-thermal plasma conversion of hydrocarbons
US11358113B2 (en) 2017-08-08 2022-06-14 H Quest Vanguard, Inc. Non-thermal micro-plasma conversion of hydrocarbons
US20190061005A1 (en) * 2017-08-30 2019-02-28 General Electric Company High Quality Spherical Powders for Additive Manufacturing Processes Along With Methods of Their Formation
WO2019098292A1 (ja) * 2017-11-15 2019-05-23 日本発條株式会社 接合体および自動車用シートフレーム
WO2019126196A1 (en) 2017-12-22 2019-06-27 Lyten, Inc. Structured composite materials
WO2019136181A1 (en) 2018-01-04 2019-07-11 Lyten, Inc. Resonant gas sensor
EP3508334A1 (en) * 2018-01-08 2019-07-10 CL Schutzrechtsverwaltungs GmbH Apparatus for additively manufacturing of three-dimensional objects
WO2019143559A1 (en) 2018-01-16 2019-07-25 Lyten, Inc. Microwave transparent pressure barrier
EP3581371B1 (en) * 2018-06-14 2021-04-14 Fundació Institut de Ciències Fotòniques A method and a system for self-repairing an object
CA3104080A1 (en) 2018-06-19 2019-12-26 6K Inc. Process for producing spheroidized powder from feedstock materials
DE102018121897A1 (de) 2018-09-07 2020-03-12 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtung mit einem silizium und stickstoff enthaltenden bereich und herstellungsverfahren
EP3488851A1 (en) * 2018-10-03 2019-05-29 AVM Biotechnology, LLC Immunoablative therapies
EP3671511B1 (en) 2018-12-19 2022-07-06 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG Communication system and method
KR102217086B1 (ko) * 2018-12-28 2021-02-18 금오공과대학교 산학협력단 자동차용 리어램프 사출 게이트 커팅 및 플라즈마 표면 처리 시스템
CN109570739A (zh) * 2019-02-12 2019-04-05 黄山学院 一种用于控制搅拌摩擦焊接变形的新装置
CN110289115B (zh) * 2019-02-22 2022-08-30 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种高强型硅橡胶基柔性中子屏蔽材料及其制备方法
US20200286757A1 (en) * 2019-03-08 2020-09-10 Dsgi Technologies, Inc. Apparatus for annealing semiconductor integrated circuit wafers
KR20240036705A (ko) 2019-04-30 2024-03-20 6케이 인크. 리튬 란타넘 지르코늄 산화물(llzo) 분말
EP3962678A4 (en) 2019-04-30 2023-01-11 6K Inc. MECHANICALLY ALLOYED POWDER STARTING MATERIAL
US11158561B2 (en) * 2019-05-01 2021-10-26 Micron Technology, Inc. Memory device with low density thermal barrier
CN110064291B (zh) * 2019-05-07 2021-09-24 中冶华天工程技术有限公司 集成式低浓度恶臭废气处理装置
CN110557853B (zh) * 2019-07-18 2022-08-09 武汉纺织大学 能通电发热的高温烧结体的制造方法、产品及应用方法
CN112404713B (zh) * 2019-08-23 2022-10-14 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种oled激光焊接系统与温度控制方法
CN110385020B (zh) * 2019-09-02 2024-01-30 浙江大学城市学院 用于氮氧化物脱除的多针同轴式放电脱除方法及反应器
CN110735691B (zh) * 2019-11-13 2021-07-30 燕山大学 一种基于等离子体的汽车尾气净化设备
CN114641462A (zh) 2019-11-18 2022-06-17 6K有限公司 用于球形粉末的独特原料及制造方法
CN112899617B (zh) * 2019-12-04 2023-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 形成耐等离子体涂层的方法、装置、零部件和等离子体处理装置
US11590568B2 (en) 2019-12-19 2023-02-28 6K Inc. Process for producing spheroidized powder from feedstock materials
WO2021190734A1 (en) 2020-03-24 2021-09-30 Efenco Oü Nanosized ceramic plasma catalyst for stabiliting and assisting plasma combustion
CN111250916B (zh) * 2020-03-25 2021-06-29 荆门诺恒科技有限公司 一种航空发动机实验滑车的水戽斗组焊退火工装
CN111545148B (zh) * 2020-04-07 2022-06-07 华东交通大学 一种手性催化方法及其催化装置
CN111420834A (zh) * 2020-04-11 2020-07-17 张新旺 一种电缆半导电石墨涂敷设备
CN113539076B (zh) * 2020-04-20 2022-12-13 Oppo广东移动通信有限公司 终端设备及其折叠显示屏
CN111479375B (zh) * 2020-05-08 2022-12-02 高维等离子体源科技(孝感)有限公司 一种表面耦合诱导电离技术及其对应的等离子体与等离子体器件
JP7421838B2 (ja) 2020-05-09 2024-01-25 高維等離子体源科技（孝感）有限公司 表面結合による電離誘起技術及びそれに対応するプラズマ、ならびにプラズマデバイス
TWI755749B (zh) * 2020-06-08 2022-02-21 馬思正 内燃機降廢及節能設備
JP2023532457A (ja) 2020-06-25 2023-07-28 シックスケー インコーポレイテッド 微細複合合金構造体
CN111992161A (zh) * 2020-09-04 2020-11-27 江西科技学院 用于铜矿渣污染物的光催化降解装置及其使用方法
WO2022094528A1 (en) 2020-10-30 2022-05-05 6K Inc. Systems and methods for synthesis of spheroidized metal powders
CN112675648B (zh) * 2020-12-02 2022-04-15 杨振华 一种节能型空气净化设备及其使用方法
CN112594031A (zh) * 2020-12-08 2021-04-02 上研动力科技江苏有限公司 一种带有烟气处理及二次利用装置的柴油机
CN112759408B (zh) * 2021-01-04 2022-12-23 苏州第一元素纳米技术有限公司 碳化硼陶瓷及其制备方法与应用
CN112985064A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 陕西翼飞航智能科技有限公司 基于等离子体热风炉的烧结装置及烧结方法
CN113218190B (zh) * 2021-04-01 2022-09-27 青海湘和有色金属有限责任公司 一种富氧侧吹炉稳定供氧装置及其使用方法
CN112996209B (zh) * 2021-05-07 2021-08-10 四川大学 一种微波激发常压等离子体射流的结构和阵列结构
CN113244866B (zh) * 2021-05-14 2022-05-06 昆明理工大学 一种微波辅助气体催化合成轻烃的装置及其方法
CN113245901B (zh) * 2021-06-28 2022-03-04 浙江重力智能装备有限公司 一种数控机床用冷却液清理装置
CN114234239A (zh) * 2021-12-13 2022-03-25 哈尔滨工业大学 一种基于金属基颗粒与微波协同的燃烧系统及方法
CN114199032B (zh) * 2021-12-21 2023-11-28 清华大学深圳国际研究生院 等离子体辅助陶瓷烧结装置和陶瓷烧结方法
CN117387368A (zh) * 2022-01-19 2024-01-12 福建华清电子材料科技有限公司 石墨炉的配气系统
CN114873561A (zh) * 2022-05-12 2022-08-09 哈尔滨工业大学 一种变催化剂粒径的填充床式重整制氢反应器及反应方法
CN115121388A (zh) * 2022-08-09 2022-09-30 南木纳米科技(北京)有限公司 一种干法电池极片底涂机
CN115275507A (zh) * 2022-08-09 2022-11-01 南木纳米科技(北京)有限公司 一种干法隔膜涂布机
CN116609189B (zh) * 2023-07-21 2023-10-20 镇江华浩通信器材有限公司 一种射频同轴电缆连接器快速检测装置

Family Cites Families (216)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU432371B2 (en) 1967-07-13 1973-02-06 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Plasma sintering
US3612686A (en) 1968-01-03 1971-10-12 Iit Res Inst Method and apparatus for gas analysis utilizing a direct current discharge
US3731047A (en) 1971-12-06 1973-05-01 Mc Donnell Douglas Corp Plasma heating torch
US4004934A (en) 1973-10-24 1977-01-25 General Electric Company Sintered dense silicon carbide
JPS5823349B2 (ja) 1975-08-11 1983-05-14 新日本製鐵株式会社 タイカブツノシヨウケツホウホウ
JPS5378170A (en) * 1976-12-22 1978-07-11 Toshiba Corp Continuous processor for gas plasma etching
US4025818A (en) 1976-04-20 1977-05-24 Hughes Aircraft Company Wire ion plasma electron gun
CA1080562A (en) 1977-02-10 1980-07-01 Frederick D. King Method of and apparatus for manufacturing an optical fibre with plasma activated deposition in a tube
US4307277A (en) * 1978-08-03 1981-12-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Microwave heating oven
US4213818A (en) * 1979-01-04 1980-07-22 Signetics Corporation Selective plasma vapor etching process
JPS55131175A (en) * 1979-03-30 1980-10-11 Toshiba Corp Surface treatment apparatus with microwave plasma
US4230448A (en) 1979-05-14 1980-10-28 Combustion Electromagnetics, Inc. Burner combustion improvements
JPS5673539A (en) 1979-11-22 1981-06-18 Toshiba Corp Surface treating apparatus of microwave plasma
FR2480552A1 (fr) 1980-04-10 1981-10-16 Anvar Generateur de plasmaŸ
US4404456A (en) 1981-03-26 1983-09-13 Cann Gordon L Micro-arc welding/brazing of metal to metal and metal to ceramic joints
JPS5825073A (ja) * 1981-08-07 1983-02-15 Mitsubishi Electric Corp 無電極放電ランプ
US4479075A (en) 1981-12-03 1984-10-23 Elliott William G Capacitatively coupled plasma device
US4500564A (en) * 1982-02-01 1985-02-19 Agency Of Industrial Science & Technology Method for surface treatment by ion bombardment
US4504007A (en) 1982-09-14 1985-03-12 International Business Machines Corporation Solder and braze fluxes and processes for using the same
FR2533397A2 (fr) 1982-09-16 1984-03-23 Anvar Perfectionnements aux torches a plasma
US4664937A (en) 1982-09-24 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
JPS59103348A (ja) * 1982-12-06 1984-06-14 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 半導体装置の製造方法
JPS59169053A (ja) * 1983-03-16 1984-09-22 Toshiba Corp 無電極放電灯
DD222348A1 (de) * 1983-12-27 1985-05-15 Erste Maschinenfabrik K Marx S Verfahren zur intensivierung des stoffueberganges bei thermisch-chemischen behandlungen von werkstoffen
US4504564A (en) * 1984-01-03 1985-03-12 Xerox Corporation Method for the preparation of photoconductive compositions
US4637895A (en) * 1985-04-01 1987-01-20 Energy Conversion Devices, Inc. Gas mixtures for the vapor deposition of semiconductor material
US4666775A (en) 1985-04-01 1987-05-19 Kennecott Corporation Process for sintering extruded powder shapes
US4624738A (en) 1985-07-12 1986-11-25 E. T. Plasma, Inc. Continuous gas plasma etching apparatus and method
US4687560A (en) 1985-08-16 1987-08-18 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of synthesizing a plurality of reactants and producing thin films of electro-optically active transition metal oxides
SE448297B (sv) * 1985-09-27 1987-02-09 Stiftelsen Inst Mikrovags Forfarande och anordning for uppvermning av glasror
JPS6311580A (ja) 1986-06-30 1988-01-19 株式会社豊田中央研究所 セラミツクスの接合装置
US4767902A (en) 1986-09-24 1988-08-30 Questech Inc. Method and apparatus for the microwave joining of ceramic items
DE3632684A1 (de) 1986-09-26 1988-03-31 Philips Patentverwaltung Verfahren und vorrichtung zum innenbeschichten von rohren
JPH0689456B2 (ja) 1986-10-01 1994-11-09 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置
IT1213433B (it) 1986-12-23 1989-12-20 Eniricerche S P A Agip S P A Procedimento per oligomerizzare olefine leggere
US4919077A (en) 1986-12-27 1990-04-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor producing apparatus
US4792348A (en) 1987-03-02 1988-12-20 Powerplex Technologies, Inc. Method of forming glass bonded joint of beta-alumina
JPH0754759B2 (ja) 1987-04-27 1995-06-07 日本電信電話株式会社 プラズマ処理方法および装置並びにプラズマ処理装置用モード変換器
US4883570A (en) 1987-06-08 1989-11-28 Research-Cottrell, Inc. Apparatus and method for enhanced chemical processing in high pressure and atmospheric plasmas produced by high frequency electromagnetic waves
FR2616614B1 (fr) 1987-06-10 1989-10-20 Air Liquide Torche a plasma micro-onde, dispositif comportant une telle torche et procede pour la fabrication de poudre les mettant en oeuvre
JPH0623430B2 (ja) 1987-07-13 1994-03-30 株式会社半導体エネルギ−研究所 炭素作製方法
US4891488A (en) 1987-07-16 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4963709A (en) 1987-07-24 1990-10-16 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Method and device for microwave sintering large ceramic articles
EP0329338A3 (en) 1988-02-16 1990-08-01 Alcan International Limited Process and apparatus for heating bodies at high temperature and pressure utilizing microwave energy
US4893584A (en) 1988-03-29 1990-01-16 Energy Conversion Devices, Inc. Large area microwave plasma apparatus
JP2805009B2 (ja) 1988-05-11 1998-09-30 株式会社日立製作所 プラズマ発生装置及びプラズマ元素分析装置
DE3820237C1 (zh) 1988-06-14 1989-09-14 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De
DE3830249A1 (de) 1988-09-06 1990-03-15 Schott Glaswerke Plasmaverfahren zum beschichten ebener substrate
US5122431A (en) * 1988-09-14 1992-06-16 Fujitsu Limited Thin film formation apparatus
US4877589A (en) 1988-09-19 1989-10-31 Hare Louis R O Nitrogen fixation by electric arc and catalyst
US4956590A (en) 1988-10-06 1990-09-11 Techco Corporation Vehicular power steering system
US5131993A (en) 1988-12-23 1992-07-21 The Univeristy Of Connecticut Low power density plasma excitation microwave energy induced chemical reactions
US5015349A (en) * 1988-12-23 1991-05-14 University Of Connecticut Low power density microwave discharge plasma excitation energy induced chemical reactions
JP2994652B2 (ja) 1989-01-26 1999-12-27 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置
US4888088A (en) 1989-03-06 1989-12-19 Tegal Corporation Ignitor for a microwave sustained plasma
US5103715A (en) 1989-03-17 1992-04-14 Techco Corporation Power steering system
DE3912568A1 (de) * 1989-04-17 1990-10-18 Siemens Ag Gas-laser, insbesondere co(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-laser
US5227695A (en) 1989-06-05 1993-07-13 Centre National De La Recherche Scientifique Device for coupling microwave energy with an exciter and for distributing it therealong for the purpose of producing a plasma
JPH0330288A (ja) 1989-06-07 1991-02-08 Wolfgang Moshammer 含水物質などにマイクロ波エネルギーを放射して殺菌する方法と装置
US5114770A (en) 1989-06-28 1992-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for continuously forming functional deposited films with a large area by a microwave plasma cvd method
US5130170A (en) 1989-06-28 1992-07-14 Canon Kabushiki Kaisha Microwave pcvd method for continuously forming a large area functional deposited film using a curved moving substrate web with microwave energy with a directivity in one direction perpendicular to the direction of microwave propagation
EP0406690B1 (en) 1989-06-28 1997-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Process for continuously forming a large area functional deposited film by microwave PCVD method and an apparatus suitable for practicing the same
US5037666A (en) 1989-08-03 1991-08-06 Uha Mikakuto Precision Engineering Research Institute Co., Ltd. High-speed film forming method by microwave plasma chemical vapor deposition (CVD) under high pressure
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5023056A (en) 1989-12-27 1991-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Plasma generator utilizing dielectric member for carrying microwave energy
US5277773A (en) 1989-12-27 1994-01-11 Exxon Research & Engineering Co. Conversion of hydrocarbons using microwave radiation
EP0435591A3 (en) * 1989-12-27 1991-11-06 Exxon Research And Engineering Company Conversion of methane using microwave radiation
CA2031927A1 (en) * 1989-12-27 1991-06-28 Imperial Oil Limited Method for improving the activity maintenance of a plasma initiator
US5074112A (en) 1990-02-21 1991-12-24 Atomic Energy Of Canada Limited Microwave diesel scrubber assembly
KR910016054A (ko) 1990-02-23 1991-09-30 미다 가쓰시게 마이크로 전자 장치용 표면 처리 장치 및 그 방법
US5164130A (en) * 1990-04-20 1992-11-17 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Method of sintering ceramic materials
US5120567A (en) 1990-05-17 1992-06-09 General Electric Company Low frequency plasma spray method in which a stable plasma is created by operating a spray gun at less than 1 mhz in a mixture of argon and helium gas
JPH0462716A (ja) 1990-06-29 1992-02-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 結晶性炭素系薄膜およびその堆積方法
JPH0474858A (ja) * 1990-07-16 1992-03-10 Asahi Chem Ind Co Ltd 窒化膜の製造方法
US5058527A (en) 1990-07-24 1991-10-22 Ricoh Company, Ltd. Thin film forming apparatus
US5072650A (en) 1990-08-03 1991-12-17 Techco Corporation Power steering system with improved stability
US5307892A (en) 1990-08-03 1994-05-03 Techco Corporation Electronically controlled power steering system
JPH0779102B2 (ja) * 1990-08-23 1995-08-23 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US5085885A (en) 1990-09-10 1992-02-04 University Of Delaware Plasma-induced, in-situ generation, transport and use or collection of reactive precursors
DE4029270C1 (zh) 1990-09-14 1992-04-09 Balzers Ag, Balzers, Li
JP2958086B2 (ja) * 1990-09-18 1999-10-06 奈良精機株式会社 注射針の熔融処理装置
JPH04144992A (ja) * 1990-10-01 1992-05-19 Idemitsu Petrochem Co Ltd マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法
US5282338A (en) * 1990-10-12 1994-02-01 British Aerospace Public Limited Company Sealing structure
US5087272A (en) * 1990-10-17 1992-02-11 Nixdorf Richard D Filter and means for regeneration thereof
JPH084103Y2 (ja) * 1990-10-24 1996-02-07 新日本無線株式会社 マイクロ波プラズマ装置
JP2714247B2 (ja) 1990-10-29 1998-02-16 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置
JP2994814B2 (ja) * 1990-11-09 1999-12-27 キヤノン株式会社 液晶装置
JP2824808B2 (ja) 1990-11-16 1998-11-18 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する装置
AU649770B2 (en) 1991-01-25 1994-06-02 Societe Prolabo Apparatus for simultaneous treatment, in a moist medium, on a plurality of samples, and utilisation of the said apparatus
US5202541A (en) 1991-01-28 1993-04-13 Alcan International Limited Microwave heating of workpieces
EP0502269A1 (en) 1991-03-06 1992-09-09 Hitachi, Ltd. Method of and system for microwave plasma treatments
US5397558A (en) * 1991-03-26 1995-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming diamond or diamond containing carbon film
US5349154A (en) 1991-10-16 1994-09-20 Rockwell International Corporation Diamond growth by microwave generated plasma flame
US5223308A (en) 1991-10-18 1993-06-29 Energy Conversion Devices, Inc. Low temperature plasma enhanced CVD process within tubular members
US5321223A (en) 1991-10-23 1994-06-14 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Method of sintering materials with microwave radiation
US5961871A (en) * 1991-11-14 1999-10-05 Lockheed Martin Energy Research Corporation Variable frequency microwave heating apparatus
US5521360A (en) 1994-09-14 1996-05-28 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Apparatus and method for microwave processing of materials
US5316043A (en) 1992-02-04 1994-05-31 Techco Corporation Preload mechanism for power steering apparatus
US5311906A (en) 1992-02-04 1994-05-17 Techco Corporation Preload mechanism for power steering apparatus
DE4204650C1 (zh) 1992-02-15 1993-07-08 Hoffmeister, Helmut, Dr., 4400 Muenster, De
US5621825A (en) * 1992-03-06 1997-04-15 Omron Corporation Image processor, image processing method and apparatus applying same
US5222448A (en) * 1992-04-13 1993-06-29 Columbia Ventures Corporation Plasma torch furnace processing of spent potliner from aluminum smelters
US5366764A (en) 1992-06-15 1994-11-22 Sunthankar Mandar B Environmentally safe methods and apparatus for depositing and/or reclaiming a metal or semi-conductor material using sublimation
US5330800A (en) 1992-11-04 1994-07-19 Hughes Aircraft Company High impedance plasma ion implantation method and apparatus
US5271963A (en) * 1992-11-16 1993-12-21 Materials Research Corporation Elimination of low temperature ammonia salt in TiCl4 NH3 CVD reaction
JP2738251B2 (ja) 1993-01-20 1998-04-08 松下電器産業株式会社 内燃機関用フィルタ再生装置
US5307766A (en) * 1993-03-12 1994-05-03 Westinghouse Electric Corp. Temperature control of steam for boilers
US5370525A (en) 1993-03-22 1994-12-06 Blue Pacific Environments Corporation Microwave combustion enhancement device
US5449887A (en) 1993-03-25 1995-09-12 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Thermal insulation for high temperature microwave sintering operations and method thereof
WO1994022628A1 (en) 1993-04-05 1994-10-13 Seiko Epson Corporation Combining method and apparatus using solder
JP2803017B2 (ja) 1993-06-07 1998-09-24 工業技術院長 抗血栓性医用材料及び医療用具並びにこれらの製造方法、製造装置及びプラズマ処理装置
US5435698A (en) 1993-07-29 1995-07-25 Techco Corporation Bootstrap power steering systems
US5755097A (en) 1993-07-29 1998-05-26 Techco Corporation Bootstrap power steering systems
JPH09502236A (ja) 1993-07-29 1997-03-04 テクコ・コーポレイション 改良式ブートストラップパワーステアリングシステム
US5505275A (en) 1993-09-09 1996-04-09 Techo Corporation Power steering system
US6342195B1 (en) * 1993-10-01 2002-01-29 The Penn State Research Foundation Method for synthesizing solids such as diamond and products produced thereby
US5671045A (en) 1993-10-22 1997-09-23 Masachusetts Institute Of Technology Microwave plasma monitoring system for the elemental composition analysis of high temperature process streams
ZA95482B (en) 1994-01-31 1995-10-09 Atomic Energy South Africa Treatment of a chemical
JPH07245193A (ja) * 1994-03-02 1995-09-19 Nissin Electric Co Ltd プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
DE4423471A1 (de) 1994-07-05 1996-01-11 Buck Chem Tech Werke Vorrichtung zur Plasmabehandlung von feinkörnigen Gütern
GB9414561D0 (en) * 1994-07-19 1994-09-07 Ea Tech Ltd Method of and apparatus for microwave-plasma production
JPH0891951A (ja) * 1994-09-22 1996-04-09 Sumitomo Electric Ind Ltd アルミニウムと窒化ケイ素の接合体およびその製造方法
JP3339200B2 (ja) 1994-09-28 2002-10-28 ソニー株式会社 プラズマ発生装置、プラズマ加工方法および薄膜トランジスタの製造方法
JPH08217558A (ja) * 1995-02-15 1996-08-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd セラミックス接合装置
US5536477A (en) 1995-03-15 1996-07-16 Chang Yul Cha Pollution arrestor
US5794113A (en) 1995-05-01 1998-08-11 The Regents Of The University Of California Simultaneous synthesis and densification by field-activated combustion
US5689949A (en) 1995-06-05 1997-11-25 Simmonds Precision Engine Systems, Inc. Ignition methods and apparatus using microwave energy
US5793013A (en) * 1995-06-07 1998-08-11 Physical Sciences, Inc. Microwave-driven plasma spraying apparatus and method for spraying
SE504795C2 (sv) * 1995-07-05 1997-04-28 Katator Ab Nätbaserad förbränningskatalysator och framställning av densamma
US6139656A (en) * 1995-07-10 2000-10-31 Ford Global Technologies, Inc. Electrochemical hardness modification of non-allotropic metal surfaces
US6132550A (en) * 1995-08-11 2000-10-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatuses for desposition or etching
US5848348A (en) * 1995-08-22 1998-12-08 Dennis; Mahlon Denton Method for fabrication and sintering composite inserts
US5980999A (en) * 1995-08-24 1999-11-09 Nagoya University Method of manufacturing thin film and method for performing precise working by radical control and apparatus for carrying out such methods
US5796080A (en) 1995-10-03 1998-08-18 Cem Corporation Microwave apparatus for controlling power levels in individual multiple cells
US5859404A (en) * 1995-10-12 1999-01-12 Hughes Electronics Corporation Method and apparatus for plasma processing a workpiece in an enveloping plasma
US5712000A (en) 1995-10-12 1998-01-27 Hughes Aircraft Company Large-scale, low pressure plasma-ion deposition of diamondlike carbon films
JP3150056B2 (ja) * 1995-10-19 2001-03-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE19542352A1 (de) * 1995-11-14 1997-05-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Verbinden von Bauteilen aus keramischen Werkstoffen und von Metallen mit keramischen Werkstoffen
GB9525543D0 (en) * 1995-12-14 1996-02-14 Central Research Lab Ltd A single mode resonant cavity
US5847355A (en) * 1996-01-05 1998-12-08 California Institute Of Technology Plasma-assisted microwave processing of materials
EP0875128A1 (fr) * 1996-01-19 1998-11-04 Belin-Lu Biscuits France Dispositif applicateur de micro-ondes notamment pour la cuisson de produits sur un support metallique
US6376021B1 (en) * 1996-02-12 2002-04-23 Polymer Alloys Llc Heat treatment of polyphenylene oxide-coated metal
AU729396B2 (en) * 1996-04-04 2001-02-01 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Apparatus and method for treating exhaust gas and pulse generator used therefor
US5828338A (en) * 1996-05-23 1998-10-27 Hughes Electronics Thyratron switched beam steering array
JP3895000B2 (ja) * 1996-06-06 2007-03-22 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 浸炭焼入焼戻方法及び装置
JPH1081971A (ja) * 1996-07-10 1998-03-31 Suzuki Motor Corp 高分子基材へのプラズマＣＶＤによるＳｉＣ薄膜形成方法及び装置
US6011248A (en) * 1996-07-26 2000-01-04 Dennis; Mahlon Denton Method and apparatus for fabrication and sintering composite inserts
JP3670452B2 (ja) * 1996-07-31 2005-07-13 株式会社東芝 磁場発生用コイルユニットおよびコイル巻装方法
US6038854A (en) * 1996-08-19 2000-03-21 The Regents Of The University Of California Plasma regenerated particulate trap and NOx reduction system
US5711147A (en) * 1996-08-19 1998-01-27 The Regents Of The University Of California Plasma-assisted catalytic reduction system
US6248206B1 (en) * 1996-10-01 2001-06-19 Applied Materials Inc. Apparatus for sidewall profile control during an etch process
US5734501A (en) * 1996-11-01 1998-03-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Highly canted retroreflective cube corner article
US6121569A (en) * 1996-11-01 2000-09-19 Miley; George H. Plasma jet source using an inertial electrostatic confinement discharge plasma
US5715677A (en) 1996-11-13 1998-02-10 The Regents Of The University Of California Diesel NOx reduction by plasma-regenerated absorbend beds
FR2757082B1 (fr) * 1996-12-13 1999-01-15 Air Liquide Procede d'epuration d'un gaz plasmagene et installation pour la mise en oeuvre d'un tel procede
WO1998032312A1 (en) * 1997-01-17 1998-07-23 California Institute Of Technology Microwave technique for brazing materials
US6189482B1 (en) * 1997-02-12 2001-02-20 Applied Materials, Inc. High temperature, high flow rate chemical vapor deposition apparatus and related methods
US6616767B2 (en) * 1997-02-12 2003-09-09 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability
US6039834A (en) * 1997-03-05 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source
US5998774A (en) * 1997-03-07 1999-12-07 Industrial Microwave Systems, Inc. Electromagnetic exposure chamber for improved heating
US6287988B1 (en) * 1997-03-18 2001-09-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device
WO1998046047A1 (en) * 1997-04-10 1998-10-15 Nucon Systems, Inc. Process and apparatus for microwave joining thick-walled ceramic parts
FR2762748B1 (fr) * 1997-04-25 1999-06-11 Air Liquide Dispositif d'excitation d'un gaz par plasma d'onde de surface
US5952671A (en) * 1997-05-09 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Small electrode for a chalcogenide switching device and method for fabricating same
JPH1154773A (ja) * 1997-08-01 1999-02-26 Canon Inc 光起電力素子及びその製造方法
US6284202B1 (en) * 1997-10-03 2001-09-04 Cha Corporation Device for microwave removal of NOx from exhaust gas
JP2001520452A (ja) * 1997-10-15 2001-10-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマの密度分布を調節する装置及び方法
US5868670A (en) * 1997-11-03 1999-02-09 Werner A. Randell, Sr. Article of manufacture for a biomedical electrode and indicator
US6183689B1 (en) * 1997-11-25 2001-02-06 Penn State Research Foundation Process for sintering powder metal components
CN1078264C (zh) * 1997-12-11 2002-01-23 中国科学院物理研究所 微波等离子体化学气相沉积合成晶相碳氮薄膜
US6028393A (en) * 1998-01-22 2000-02-22 Energy Conversion Devices, Inc. E-beam/microwave gas jet PECVD method and apparatus for depositing and/or surface modification of thin film materials
US20020034461A1 (en) * 1998-01-29 2002-03-21 Segal David Leslie Plasma assisted processing of gas
US6892669B2 (en) * 1998-02-26 2005-05-17 Anelva Corporation CVD apparatus
DE19814812C2 (de) * 1998-04-02 2000-05-11 Mut Mikrowellen Umwelt Technol Plasmabrenner mit einem Mikrowellensender
US6228773B1 (en) * 1998-04-14 2001-05-08 Matrix Integrated Systems, Inc. Synchronous multiplexed near zero overhead architecture for vacuum processes
JP4037956B2 (ja) * 1998-04-28 2008-01-23 東海カーボン株式会社 チャンバー内壁保護部材
US6214372B1 (en) * 1998-05-04 2001-04-10 Con Lin Co., Inc. Method of using isomer enriched conjugated linoleic acid compositions
US6368678B1 (en) * 1998-05-13 2002-04-09 Terry Bluck Plasma processing system and method
JP4014300B2 (ja) * 1998-06-19 2007-11-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2000021871A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JP4024389B2 (ja) * 1998-07-14 2007-12-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
EP1098805A4 (en) * 1998-07-21 2001-11-07 Techco Corp FEEDBACK AND SERVO CONTROL FOR AN ELECTRONIC POWER STEERING SYSTEM
JP2991192B1 (ja) * 1998-07-23 1999-12-20 日本電気株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US6362449B1 (en) * 1998-08-12 2002-03-26 Massachusetts Institute Of Technology Very high power microwave-induced plasma
JP3293564B2 (ja) * 1998-08-20 2002-06-17 株式会社村田製作所 電子デバイスの作製方法
US6204606B1 (en) * 1998-10-01 2001-03-20 The University Of Tennessee Research Corporation Slotted waveguide structure for generating plasma discharges
TW383500B (en) * 1998-10-03 2000-03-01 United Semiconductor Corp Manufacturing method for lower electrode of capacitor using hemisphere grain polysilicon
US6186090B1 (en) * 1999-03-04 2001-02-13 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor
US6237526B1 (en) * 1999-03-26 2001-05-29 Tokyo Electron Limited Process apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma
SE516722C2 (sv) * 1999-04-28 2002-02-19 Hana Barankova Förfarande och apparat för plasmabehandling av gas
JP2000348898A (ja) * 1999-06-03 2000-12-15 Nisshin:Kk 表面波励起プラズマの生成方法
JP2000349081A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Sony Corp 酸化膜形成方法
US6149985A (en) * 1999-07-07 2000-11-21 Eastman Kodak Company High-efficiency plasma treatment of imaging supports
FR2797372B1 (fr) * 1999-08-04 2002-10-25 Metal Process Procede de production de plasmas elementaires en vue de creer un plasma uniforme pour une surface d'utilisation et dispositif de production d'un tel plasma
JP3471263B2 (ja) * 1999-09-22 2003-12-02 株式会社東芝 冷陰極電子放出素子及びその製造方法
US6365885B1 (en) * 1999-10-18 2002-04-02 The Penn State Research Foundation Microwave processing in pure H fields and pure E fields
EP1102299A1 (en) * 1999-11-05 2001-05-23 Iljin Nanotech Co., Ltd. Field emission display device using vertically-aligned carbon nanotubes and manufacturing method thereof
JP2001149771A (ja) * 1999-11-30 2001-06-05 Japan Organo Co Ltd マイクロ波プラズマ装置
JP3595233B2 (ja) * 2000-02-16 2004-12-02 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 電子放出源及びその製造方法
US6367412B1 (en) * 2000-02-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Porous ceramic liner for a plasma source
DE10009569C2 (de) * 2000-02-29 2003-03-27 Schott Glas Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern von Glaskörpern mittels Mikrowellenerwärmung
US6345497B1 (en) * 2000-03-02 2002-02-12 The Regents Of The University Of California NOx reduction by electron beam-produced nitrogen atom injection
JP2001257097A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Toshiba Corp プラズマ発生装置
AU2001255308A1 (en) * 2000-04-26 2001-11-07 Cornell Research Foundation Inc. Lamp utilizing fiber for enhanced starting field
KR100341407B1 (ko) * 2000-05-01 2002-06-22 윤덕용 플라즈마 처리에 의한 리튬전이금속 산화물 박막의 결정화방법
AU2001258109A1 (en) * 2000-05-11 2001-11-20 Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence Process for preparing carbon nanotubes
JP4523118B2 (ja) * 2000-06-14 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2001357999A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Yoshihiko Otsuki プラズマ発生装置
JP2002025425A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Hitachi Ltd 電子エミッターとその製造法および電子線装置
JP3865289B2 (ja) * 2000-11-22 2007-01-10 独立行政法人科学技術振興機構 マイクロ波によるプラズマ発生装置
AU2002237870A1 (en) * 2001-01-17 2002-07-30 The Penn State Research Foundation Microwave processing using highly microwave absorbing powdered material layers
JP2002280196A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Micro Denshi Kk マイクロ波を利用したプラズマ発生装置
US6503846B1 (en) * 2001-06-20 2003-01-07 Texas Instruments Incorporated Temperature spike for uniform nitridization of ultra-thin silicon dioxide layers in transistor gates
JP2003075077A (ja) * 2001-09-05 2003-03-12 Natl Inst For Fusion Science マイクロ波焼成炉およびマイクロ波焼成方法
BR0309814A (pt) * 2002-05-08 2005-03-01 Dana Corp Métodos de formação de plasma
US7097782B2 (en) * 2002-11-12 2006-08-29 Micron Technology, Inc. Method of exposing a substrate to a surface microwave plasma, etching method, deposition method, surface microwave plasma generating apparatus, semiconductor substrate etching apparatus, semiconductor substrate deposition apparatus, and microwave plasma generating antenna assembly

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109186216A (zh) * 2018-08-23 2019-01-11 绍兴市质量技术监督检测院 一种防泄漏的微波快速干燥装置
CN109186216B (zh) * 2018-08-23 2023-08-22 绍兴市质量技术监督检测院 一种防泄漏的微波快速干燥装置
CN111850489A (zh) * 2020-07-29 2020-10-30 江苏集萃先进金属材料研究所有限公司 靶材中间料及其形成方法和实现该形成方法的装置

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