CN100454361C - 像素电路板、像素电路板测试方法以及测试设备 - Google Patents

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Abstract

一种像素电路，流过具有与测试电压相应的电流值的电流，而不影响任何显示元件。

Description

像素电路板、像素电路板测试方法以及测试设备
技术领域
本发明涉及可用于有源矩阵显示面板的像素电路板、像素电路板的测试方法、布置在像素电路板上的像素电路、像素电路的测试方法以及测试设备。
背景技术
可以将有机电致发光显示面板粗略地划分为无源驱动型和有源矩阵驱动型。由于高的对比度和高的分辨率，有源矩阵驱动型的有机电致发光显示面板比无源驱动型更为优良。在例如日本专利申请特开平(Jpn.Pat.Appln.KOKAI)公开No.8-330600中所描述的有源矩阵驱动型的有机电致发光显示面板中，对每一像素布置有机电致发光元件(下文中称之为有机EL元件)、当向栅极施加具有与图像数据相应的电压值的电压信号时向有机EL元件供给电流的驱动晶体管、以及执行开关以向驱动晶体管的栅极供给与图像数据相应的电压信号的开关晶体管。在该有机电致发光显示面板中，当选择扫描线时，开启连接于扫描线的开关晶体管。此时，将表示亮度的电平电压通过信号线施加到驱动晶体管的栅极。连接该信号线的驱动晶体管开启。将具有与栅极电压的电平相应量级的驱动电流从电源通过驱动晶体管供给到有机EL元件。有机EL元件发射出与电流量级相应亮度的光。在从扫描线选择结束到下一个扫描线选择的周期内，即使在开关晶体管关闭之后，驱动晶体管的栅极电压电平被连续保持。因此，有机EL元件发射出的光的亮度与相应于该电压的驱动电流的量级相对应。
驱动晶体管和开关晶体管的制造工艺包括温度超出有机EL元件的耐热温度的步骤。由于此原因，在制造有机电致发光显示面板期间，在有机EL元件之前制造驱动晶体管和开关晶体管。优选地，首先，在衬底上构图形成驱动晶体管和开关晶体管以制备晶体管阵列板。然后，在晶体管阵列板上构图形成有机EL元件。
在上述晶体管阵列板中，在有机EL元件制造之后，很难测试确定晶体管或有机EL元件是否产生故障。在制造有机EL元件之前测试，晶体管没有连接于有机EL元件。对于各像素，应该连接于有机EL元件的晶体管的电极(源极和漏极中的一个)电独立且处于浮置状态。在测试晶体管阵列板上的晶体管期间，可以对于各像素探测应该连接于有机EL元件的晶体管的电极。在这种情况下，该测试只能通过对于各像素低效地执行探测来完成。应该连接于有机EL元件的晶体管的另一个电极(源极和漏极中的另一个)被连接于电源线。由于此原因，可以从电源线通过读取访问(read-access)晶体管。在这种情况下，应该连接于有机EL元件的驱动晶体管的电极必须连接于恒压线。
发明内容
考虑到上述问题作出本发明，且本发明的优点是提供能够有效测试晶体管特性的像素电路板，提供像素电路板的测试方法、像素电路、像素电路的测试方法以及测试设备。
为了解决上述问题，根据本发明的第一个方案，像素电路板包括：
至少一个像素电路；和
至少一个信号线，其连接于像素电路，并且具有与测试电压相应的电流值的电流从像素电路流向该信号线，而不干涉显示元件。
根据本发明的第二个方案，像素电路板的测试方法包括：
选择像素电路的选择步骤；和
使具有与测试电压相应的电流值的电流从像素电路中流出而不干涉显示元件的测试电流步骤。
根据本发明的第三个方案，像素电路测试方法，包括：
从像素电路中供给具有与测试电压相应的电流值的电流而不干涉显示元件的测试电流步骤。
根据本发明的第四个方案，测试设备包括：
电表，其测量具有与测试电压相应的电流值的电流，该电流从像素电路流出而不干涉显示元件。
如上所述，根据本发明，通过从像素电路供给的不干涉显示元件的测试电流，可以确定像素电路是否正常。
附图的简要描述
图1是示出作为测试目标的晶体管阵列板的电路布置的等效电路图；
图2是示出像素电路的电路布置的等效电路图；
图3是示出当测试之后在晶体管阵列板上提供有机EL元件时的电路布置的等效电路图；
图4是像素电路的平面图；
图5是示出测试设备与晶体管阵列板的方框图；
图6是示出在由测试设备进行的测试期间的波形的时序图；
图7是示出当像素电路正常时在从可变电压源供给的电压与通过电表测量的电流之间的关系的图表；
图8是用于阐述利用晶体管阵列板来操作电致发光显示面板的时序图；
图9是示出另一个像素电路的电路布置的等效电路图；
图10是示出在由测试设备进行的测试中的另一波形的时序图。
执行本发明的最佳方式
下面将参考附图来描述执行本发明的最佳方式。在执行本发明期间技术上优选的各种限制加入到下述实施例中。然而，本发明的精神和范围不受限于下述实施例和所示出的实例。
在应用了本发明的测试方法中的测试目标为具有如图1中所示的电路的用作像素电路板的晶体管阵列板1。这是用于有源矩阵电致发光显示面板的晶体管阵列板1。通过例如在透明玻璃衬底2上通过适当地执行诸如CVD、PVD、或溅射的膜形成处理、诸如光刻或金属掩蔽的掩蔽处理以及诸如蚀刻的构图以构图多个晶体管，来制造晶体管阵列板1。在测试(稍后将详细描述)之后，将每个都包括具有高功函的阳极、具有低功函的阴极以及形成在阳极与阴极之间的有机化合物磷光体的有机电致发光元件按照二维阵列形成在常规的晶体管阵列板1上。采用该工艺，制造电致发光显示面板。在制造电致发光显示面板期间，对每一个像素提供有机电致发光元件。可以将一个阳极或阴极共同电连接于所有像素，而不是将阳极和阴极中的一个提供给每个像素。还可以为每个像素独立地构图形成有机化合物磷光体。或者，可以连续地形成用于多个像素的包含空穴传输层、电子传输层和发光层的有机化合物磷光体的一些或全部电荷传输层。
如稍后所述，在该实施例的测试方法中，对于所制造的晶体管阵列板1，不需要执行复杂的操作/工艺。可以仅通过在测试设备101(图5)中设置晶体管阵列板1来大体上测试晶体管阵列板1。
将详细描述晶体管阵列板1的布置。
如图1中所示，晶体管阵列板1包括：例如由玻璃构成的片或板型耐热透明衬底2、相互平行地排列于衬底2上的n个信号线Y1至Yn、相互平行地布置于衬底2上且从上侧观看衬底2时候其垂直于信号线Y1至Yn的m个扫描线X1至Xm、在衬底2上的相邻扫描线之间布置以平行于扫描线X1至Xm的m个供给线Z1至Zm、以及沿着信号线Y1至Yn和扫描线X1至Xm在衬底2上二维布置的(mXn)个像素电路D1，1至Dm，n。
在下述描述中，将信号线Y1至Yn延伸的方向定义为垂直方向(列方向)，而将扫描线X1至Xm延伸的方向定义为水平方向(行方向)。此外，m和n为自然数(m≥2，n≥2)。添加到扫描线X的下标表示图1中自上开始的顺序。添加到供给线Z的下标表示图1中自上开始的顺序。添加到信号线Y的下标表示图1中自左开始的顺序。添加到像素电路D的第一个下标表示自上开始的顺序，而第二下标表示自左开始的顺序。例如，扫描线Xi为自上的第i行扫描线。供给线Zi为自上的第i行供给线。信号线Yj为自左的第j列信号线。像素电路Di，j为自上第i行且自左第j列的像素电路。在所制造的电致发光显示面板中，在一个像素中布置一个像素电路D。
信号线Y1至Yn从位于图1中的晶体管阵列板1的第一行的上侧上的有效上边11延伸至位于第m行、即最后一行的下侧的有效下边12。在晶体管阵列板1的有效上边11处，信号线Y1至Yn的端子TY1至TYn从覆盖信号线Y1至Yn的绝缘膜中露出。扫描线X1至Xm和供给线Z1至Zm从位于晶体管阵列基板1的第一列的左侧的有效左边13延伸到位于第n列、即最后一列的右侧的有效右边14。在晶体管阵列板1的有效左边13处，扫描线X1至Xm的端子TX1至TXm从覆盖扫描线X1至Xm的绝缘膜中露出。在晶体管阵列板1的有效右边14处，供给线Z1至Zm的端子TZ1至TZm从覆盖供给线Z1至Zm的绝缘膜中露出。信号线Y1至Yn仅需要延伸至有效上边11和有效下边12中的至少一个处。扫描线X1至Xm仅需要延伸至有效左边13和有效右边14中的至少一个处。供给线Z1至Zm仅需要延伸至有效左边13和有效右边中的至少另一个处。
所有像素电路D1，1至Dm，n具有相同的电路布置。将在图2中代表性地描述像素电路D1，1至Dm，n中的像素电路Di，j。图2是像素电路Di，j的等效电路图。图3是示出当显示元件和例如有机电致发光元件E1，1至Em，n设置在晶体管阵列板1上时在像素电路Di，j与有机电致发光元件Ei，j之间的连接的等效电路图，其中通过对像素电路D1，1至Dm，n的电特性测试确定该晶体管阵列板1无缺陷。图4是主要示出像素电路Di，j的结构的示意性平面图。
像素电路Di，j包括三个薄膜晶体管(下文中简称为晶体管)21、22和23和一个电容器24。第一晶体管21用作开关元件，其在测试时和测试后的操作中的选择周期内向第三晶体管23的栅极施加预定电压以在晶体管23的漏极与源极之间供给电流，并在操作中的发光周期内保持在测试后的操作中的选择周期内向晶体管23所施加的电压。晶体管21被称之为写晶体管21。晶体管22用作开关元件，其在测试时和测试后的操作中的选择周期内将晶体管23的源极和漏极的其中之一电连接于信号线Yj以提供来自晶体管23的漏-至-源路径的电流，并在测试后的操作中的发光周期内将晶体管23的源极和漏极的其中之一与信号线Yj断开。晶体管22被称之为保持晶体管22。晶体管23用作驱动晶体管，其在测试后连接于有机电致发光元件Ei，j(稍后将描述)以向有机电致发光元件Ei，j供给相应于音调(tone)的电流。晶体管23被称为驱动晶体管23。如果对像素电路Di，j的测试仅测试晶体管21至23的电特性，则在测试之前不需要形成电容器24。在这种情况下，在测试结束之后，仅在被认为无缺陷的晶体管阵列板1上形成电容器24。
第一至第三晶体管21、22和23中的每一个为n沟道MOS场效应晶体管，该场效应晶体管包括栅极、覆盖栅极的栅绝缘膜、隔着栅绝缘膜与栅极相对的半导体层、形成于半导体层的两端上的掺杂半导体层、形成在一个掺杂半导体层上的漏极和形成于另一掺杂半导体层上的源极。晶体管特别为具有由非晶硅构成的半导体层(沟道区)的非晶(a-Si)晶体管。晶体管可以为多晶硅(p-Si)晶体管且半导体层可以由多晶硅构成。晶体管21、22和23可以具有反向交错结构或共平面结构。
晶体管阵列板1可以为底部发光电路板或顶部发光电路板。在底部发光类型中，来自有机电致发光元件Ei，j的辐射光从有机电致发光元件Ei，j的下侧发出。在顶部发射类型中，来自有机电致发光元件Ei，j的辐射光从有机电致发光元件Ei，j的上侧发出。
写晶体管21的栅极21g连接于扫描线Xi。源极21s连接于信号线Yj。漏极21d连接于驱动晶体管23的源极23s。保持晶体管22的栅极22g连接于扫描线Xi。漏极22d连接于驱动晶体管23的漏极23d且还通过形成在漏极22d与供给线Zi之间的绝缘膜中的接触孔26(参见图4)连接于供给线Zi。保持晶体管22的源极22s通过设置在源极22s与驱动晶体管23的栅极23g之间的绝缘膜中的接触孔25连接于驱动晶体管23的栅极23g。驱动晶体管23的漏极23d通过接触孔26连接于供给线Zi。参考图4，半导体层21c为写晶体管21的半导体层。半导体层22c为保持晶体管22的半导体层。半导体层23c为驱动晶体管23的半导体层。
当从上面观察时，像素电极27形成于像素电路Di，j的中央处。像素电极27电连接驱动晶体管23的源极23s、写晶体管21的漏极21d和电容器24的一个电极24B。在测试时不需要总是设置像素电极27。在图3中示出的电路布置中，像素电极27用作在测试后形成的有机电致发光元件Ei，j的阳极。在电流从有机电致发光元件Ei，j流向驱动晶体管23的布置中，像素电极27可以用作阴极电极。
电容器24包括连接于驱动晶体管23的栅极23g的另一电极24A、所述的连接于晶体管23的源极23s的一个电极24B和插入在这两电极之间的栅绝缘膜(未示出的电介质膜)。电容器24具有在驱动晶体管的栅极23g与源极2s之间存储电荷的功能。
在同一步骤中同时构图晶体管21、22和23。晶体管21、22和23具有相同构成，即，栅极、栅绝缘膜、半导体层、掺杂半导体层、漏极和源极。根据晶体管21、22和23的功能和需要的特性，晶体管21、22和23具有不同的形状、大小、尺度、沟道宽度和沟道长度。
通过蚀刻构图作为预期的栅极21g、22g和23g以及电极24A的导电薄膜(包括由铬、金、钛、铝、或铜的金属层和其合金层中的至少一种)，将扫描线X1至Xm和供给线Z1至Zm与栅电极21g、22g和23g以及电极24A同时形成。由固态栅绝缘膜覆盖扫描线X1至Xm和供给线Z1至Zm与栅电极21g、22g和23g。在栅绝缘膜中形成接触孔25和26(参见图4)。通过蚀刻构图作为预期的源极21s、22s和23s、漏极21d、22d和23d、以及电极24B的导电薄膜(包括由铬、金、钛、铝、或铜的金属层和其合金层中的至少一种)，将信号线Y1至Yn与源极21s、22s和23s、漏极21d、22d和23d以及电极24B同时形成。
当从图4中的上侧观察时，保护膜44A设置于信号线Y1至Yn与扫描线X1至Xm之间，位于信号线Y1至Yn与扫描线X1至Xm交叉的点处，和信号线Y1至Yn与供给线Z1至Zm之间，位于信号线Y1至Yn与供给线Z1至Zm交叉的点处。通过构图作为预期半导体层21c、22c和23c的半导体膜，将保护膜44A与半导体层21c、22c和23c同时形成。
仅在通过对像素电路D1，1至Dm，n的电特性测试被确定为无缺陷的晶体管阵列板1上，制造有机电致发光元件E1，1至Em，n，其中每个每个有机电致发光元件都包括像素电极27、像素电极27上的有机EL层以及有机EL层上的用作阴极电极的对电极。这样，完成了有源矩阵电致发光显示面板。如上所述，预先在测试之前制造像素电极27，但是也可以在测试之后形成。该对电极可以为所有像素共用的一个电极。取而代之地，对于排列在垂直方向上的多个像素列中的每一个，可以将反电极划分成个n电极，或者对于排列在水平方向上的多个像素行中的每一个，可以将反电极划分成m个电极。将参考电压Vss施加于该对电极。
下面将参考图5来描述测试晶体管阵列板1的测试设备101。为了方便说明，在图5中仅示出与晶体管阵列板1的第i行和第j列相关的一个电路。
晶体管阵列板1与测试设备101可分离。测试设备101包括系统控制器102、多路转换器103、移位寄存器(扫描驱动器)104、互连107、探针108和确定电路109。
探针108为公共探针以将可变电压源105电连接于所有供给线Z1至Zm。探针108为由布置在供给线Z1至Zm的端子TZ1至TZm上的低电阻导电物质构成的板。探针108被公共连接于供给线Z1至Zm的端子TZ1至TZm。由于该原因，不需要排列电独立的单独探针并连接于各个供给线Z1至Zm。
移位寄存器104的输出端子的数量等于扫描线X1至Xm的端子TX1至TXm数量。当将晶体管阵列板1安装到测试设备101中时，将移位寄存器104的输出端子一对一地连接于扫描线X1至Xm的端子TX1至TXm。将移位寄存器104设计成在各输出端子时，顺序地从这些输出端子输出ON-电平扫描信号，如图6中的时序图中所示。即，移位寄存器104按照该次序(扫描线X1直至扫描线Xm)顺序地向扫描线X1至Xm输出ON-电平扫描信号，由此顺序地选择扫描线X1至Xm。下文中将移位寄存器104输出ON-电平扫描信号时的周期称为选择周期。扫描线X1至Xm的选择周期的每一个不与其它选择周期重叠。
如图5中所示，系统控制器102包括可变电压源105和电表106。当将晶体管阵列板1安装到测试设备101中时，可变电压源105通过互连107电连接于探针108。探针108电连接于所有供给线Z1至Zm。
可变电压源105在每一行的选择周期期间向供给线Z1至Zm施加测试电压。更为具体地，如图6中所示，在扫描线Xi的选择周期期间，可变电压源105通过供给线Zi反复地向像素电路施加线性测试电压。线性测试电压被划分成像素电路Di，1至Di，n的数量并逐渐上升。由于该原因，同步地向像素电路Di，1至Di，n重复施加n次线性测试电压。通过移位寄存器104从第一行的扫描线X1的选择周期开始到第m行的扫描线Xm的选择周期结束，施加测试电压(mXn)次。可变电压源105可以相应于像素电路Di，1至Di，n的数量重复地向像素电路Di，1至Di，n重复施加首先高于0V且然后逐渐降低的测试电压。
多路转换器103具有在数量上与信号线Y1至Yn的端子TY1至TYn相等的输入端子和一个连接于电表106的输出端子。当将晶体管阵列板1安装到测试设备101时，多路转换器103的输入端子与信号线Y1至Yn的端子TY1至TYn一对一连接。将多路转换器103设计成在开启所述输入端子时，将输入到输入端子的信号顺序地从输出端子传送到电表106。即，多路转换器103按照该顺序(信号线Y1接着至信号线Yn)顺次地将流向信号线Y1至Yn的电流输出到电表106。在扫描线Xi的选择周期期间，可变电压源105向供给线Zi输出测试电压，该电压被调制并划分成像素电路Di，1至Di，n的数量。多路转换器103，按照像素电路Di，1、Di，2、Di，3、…、Di，n-1、Di，n的顺序通过信号线Y1、Y2、Y3、…、Yn-1和Yn来接收根据测试电压流向像素电路Di，1至Di，n的电流，并向电表106输出电流。在多路转换器103向电表106输出信号线Y1的电流之后直到多路转换器103向电表106输出信号线Yn的电流的周期等于选择周期。可变电压源105为在扫描线X1至Xm的每一个的选择周期期间执行该操作n次的电路，使得通过信号线Y1至Yn按照D1，1、D1，2、D1，3、……Dm，n-1、Dm，n的顺序来接收根据所调制的输出到供给线Z1至Zm的测试电压而流向像素电路D1，1至Dm，n的电流，并将其输出到电表106。
电表106测量流向像素电路D1，1至Dm，n并从多路转换器103的输出端子输出的每一个电流的量值。
确定或判断电路109存储图7中示出常规像素电路Di，j的驱动晶体管23的源极23s与漏极23d之间的电压/电流特性数据。确定电路109具有根据该特性数据和来自电表106的电流的波形来对于多个音调确定作为测试目标的像素电路Di，j是否流过具有标准电流值的测试电流的功能，所述来自电表106的电流是相应于来自图6中示出的可变电压源105的多音调测试电压从多路转换器103接收的。图7中的实线表示驱动晶体管的理想电压/电流特性。虚线表示对驱动晶体管的电压/电流特性的可允许范围的边界。当测试电流的电流值非常小时，可以将测试电流放大并输出到确定电路109。
下面将描述测试设备101的操作和通过利用测试设备101来测试晶体管阵列板1和像素电路D1，1至Dm，n的方法。
如图5中所示，如此布置晶体管阵列板1使得将移位寄存器104的端子连接于扫描线X1至Xm。此外，如此布置晶体管阵列板1以便于多路转换器103的端子连接于信号线Y1至Yn。将探针108连接于所有的供给线Z1至Zm。
然后，如图6中所示，移位寄存器104按照从第一行的扫描线X1到第m行的扫描线Xm(第一行的扫描线X1邻接第m行的扫描线Xm)的顺序输出ON电平(高电平)扫描信号以顺序地选择扫描线X1至Xm。
在扫描线X1至Xm的每一个的选择周期期间，可变电压源105供给要施加到供给线Z1至Zm的测试电压n次。在扫描线X1至Xm的每一个的选择周期期间，多路转换器103通过信号线Y1至Yn将测试电流从像素电路Dk，1至Dk，n(1≤k≤m)顺序地传送到电表106。通过电表106实时地测量从多路转换器103输出的测试电流的量值。
将详细描述在第一行的扫描线X1的选择周期期间的操作。在第一行的扫描线X1的选择周期期间，已经将ON电平扫描信号输出到扫描线X1。因此，第一行的所有像素电路D1，1至Dm，n中的写晶体管21和保持晶体管22开启。
当可变电压源105在第一行的选择周期期间供给测试电压时，驱动晶体管23的漏极23d与源极23s之间的电压和驱动晶体管23的栅极23g与源极23s之间的电势在像素电路D1，1至Dm，n中随着第一行的供给线Z1的测试电压的上升而上升。当电势的增加超出驱动晶体管23的阈值时，测试电流开始流向驱动晶体管23的漏极23d与源极23s之间的路径并到达多路转换器103，如图5中箭头所示。当测试电压进一步上升超出阈值，在晶体管23的漏极23d与源极23s之间流动的测试电流的电流值还被调制并增加。多路转换器103通过信号线Y1接收来自像素电路D1，1的测试电流，并向电表106输出该测试电流。接着，多路转换器103通过信号线Y2接收来自像素电路D1，2的测试电流，并向电表106输出该测试电流。多路转换器103重复该操作直到通过信号线Yn接收来自像素电路D1，n的测试电流，并将其输出到电表106。确定电路109确定通过可变电压源105施加的测试电压和按照像素电路D1，1、D1，2、D1，3、……D1，n-1、D1，n的顺序接收并顺序地从电表106中输出的每一个测试电流是否具有图7中示出的图表中所示出的关系，并存储像素电路D1，1至D1，n中的每一个是否正常。即，为了确定对于多音调从像素电路D1，j输出的测试电流的电流值是否正常，调制测试电压的电压值。换句话说，如果在多个音调的被调制的测试电压的情况下的流向像素电路D1，j的被调制的测试电流的电流值偏离图7中示出的可允许范围，则确定该像素电路有缺陷。
更为具体地，在通过确定电路109来确定测试电流期间，如果写晶体管21、保持晶体管22、驱动晶体管23、以及连接于晶体管的扫描线X1、信号线Yj和供给线Z1中的至少一个不具有正常功能，即使当正常地从供给线Z1输出测试电压，并且从扫描线X1输出ON电平扫描信号，晶体管21、22和23也不正常操作。由于该原因，流向像素电路D1，j的测试电流的电流值落入与供给线Z1的电压相应的图7中示出的电流值的可允许范围外。确定电路109确定像素电路D1，j为有缺陷。当流向像素电路D1，j的测试电流的电流值落入与供给线Z1的电压相应的图7中示出的电流值的可允许范围内时，确定电路109确定像素电路D1，j无缺陷。
具有小电流值的测试电流流向多路转换器103需要较长的时间，因为信号线Y1至Yn的互连电容是被充电的。在测试时通过移位寄存器104进行的每一个选择周期要比在电致发光显示面板上显示期间的扫描线X1至Xm的每一个的选择周期长，在该电致发光显示面板中，有机电致发光元件E1，1至Em，n设置在晶体管阵列板1上。由于该原因，在测试时的每一个选择周期内，可以将达到可测试电流值的测试电流供给到信号线Y1至Yn的每一个。
当移位寄存器104顺序地选择扫描线X1至Xm时，确定电路109确定由电表106按照对于每一行从信号线Y1到信号线Yn的顺序形成电流波形。采用该操作，像素电路D1，1至Dm，n被顺序地测试，并将晶体管阵列板1作为整体测试。
当确定电路109确定同一列的像素电路D1，j、D2，j、D3，j、…、Dm，j为有缺陷时，认为信号线Yj存在问题。当确定同一行的像素电路Di，1、Di，2、Di，3、…、Di，n为异常时，则认为扫描线Xi和/或供给线Zi存在问题。
如上所述，根据该实施例，在制造晶体管阵列板1之后，对于晶体管阵列板1不需要执行特别复杂的工作/工艺。可以仅通过在测试设备101中设置晶体管阵列板1来主要地测试晶体管阵列板1。这是因为可以在没有形成用于晶体管阵列板1上的每一像素电路的有机电致发光元件的情况下操作晶体管阵列板1。更为具体地，在供给线Zi与信号线Yj之间将驱动晶体管23串联于写晶体管21。由于该原因，当像在选择周期内一样开启写晶体管21和保持晶体管22时，可以根据从供给线Zi输出的测试电压来通过驱动晶体管23和写晶体管21来供给流向信号线Yj的测试电流。因此，在制造后可以测试晶体管阵列板1而不用任何特殊的复杂工作/工艺。
当像素电路D1，1至Dm，n的有缺陷的像素电路的数量落入预定范围内时，将晶体管阵列板1认作为无缺陷产品。在该晶体管阵列板1的显示区中制造有机电致发光元件E1，1至Em，n。当有缺陷的像素电路的数量落在预定范围之外，该晶体管阵列板1被认作为有缺陷的产品。不在该晶体管阵列板1的显示区中制造有机电致发光元件E1，1至Em，n。这样，可以提高产量。
当通过按照矩阵形式在晶体管阵列板1上排列有机电致发光元件来制造电致发光显示面板时，可以通过有源矩阵方法来按照下述方式驱动电致发光显示面板。如图8中所示，当扫描侧驱动器向第i行的扫描线Xi输出ON电平(高电平)扫描信号以选择扫描线Xi时，另一个扫描侧驱动器将来自有机电致发光元件Ei，j的对电极的电压Vss的低电平供给电压输出到第i行的供给线Zi。开启写晶体管21和保持晶体管22。此时，通过连接于信号线Y1至Yn的数据侧驱动器将具有与所述音调相应的电流值的拔出(pull-out)电流通过供给线Zi、像素电路Di，1至Di，n的驱动晶体管23和像素电路Di，1至Di，n的写晶体管21来提供给信号线Y1至Yn。通过数据侧驱动器将拔出电流的电流值控制到与该音调相应的量值。此时，将具有与驱动晶体管23的栅极23g与源极23s之间的电压电平相应的量值的电荷存储到电容器24中。将该拔出电流的电流值转换成驱动晶体管23的栅极23g与源极23s之间的电压电平。在其后的发光周期期间，通过扫描侧驱动器将扫描线Xi设置为低电平，从而关闭写晶体管21和保持晶体管22。然而，电荷被通过处于OFF状态下的保持晶体管22限制在电容器24中，从而保持驱动晶体管23的栅极23g与源极23s之间的电势差。当供给线Zi改变为高电平(比有机电致发光元件Ei，j的阴极高的电平)时，驱动电流从供给线Zi穿过驱动晶体管23流向有机电致发光元件Ei，j，从而有机电致发光元件Ei，j发光。驱动电流的电流值取决于驱动晶体管23的栅极23g与源极23s之间的电压。由于该原因，在发光周期期间的驱动电流的电流值与在选择周期期间的拔出电流的电流值相应。
如上所述，在驱动电致发光显示面板和测试晶体管阵列板1期间，在第i行的选择周期期间，电流从扫描线Xi穿过驱动晶体管23和写晶体管21流向信号线Yj。由于该原因，如在该实施例中那样，当测量在每一个选择周期期间流向信号线Y1至Yn的电流时，可以测试像素电路D1，1至Dm，n。由于在形成有机电致发光元件E1，1至Em，n之前可以从制造有机发光元件的生产线上除去有缺陷的晶体管阵列板1，所以可以抑制生产成本。
本发明不限于上述实施例，且在不脱离本发明的精神和范围下可以作出该设计的各种改变和变形。
在上述实施例中，由于布置多路转换器103，所以通过一个公共的电表106来顺序地测量流向多个信号线Y1至Yn的测试电流。取代利用多路转换器103，通过将电表连接于信号线Y1至Yn的每一个，来同时测量流向信号线Y1至Yn的测试电流。更为具体地，在上述实施例中，通过多路转转器103电表106顺序地接收流向信号线Y1至Yn的电流。然而，通过将多个电表分别连接于信号线Y1至Yn，可以同时接收来自信号线Y1至Yn的电流。在这种情况下，在每一行的选择周期期间，仅需要供给一次测试电压。
在上述实施例中，在不在晶体管阵列板1上形成有机电致发光元件E1，1至Em，n的情况下进行测试。然而，也可以在将有机电致发光元件E1，1至Em，n形成于晶体管阵列板1之后进行测试。在这种情况下，由于在测试之前不知道有缺陷的电路是否包含于像素电路D1，1至Dm，n中，所以不能通过从像素电路D1，1至Dm，n中除去有缺陷的电路来提高产量。然而，当进行与图8中示出的显示操作不同的如图6中所示的测试时，可以选择地测试像素电路D1，1至Dm，n。
在上述实施例中，将保持晶体管22的漏极连接于供给线Zi。然而，如图9中所示，该漏极可以连接于扫描线Xi而不是供给线Zi。
在上述实施例中，所有的像素电路Di，j的晶体管为n沟道类型。然而，所有的晶体管可以为p沟道类型。在这种情况下，颠倒各种信号的高、低电平。反向连接每一晶体管的源极和漏极。
在上述实施例中，可变电压源105的最低电压为0V。如图7中所示，可以将阈值电压Vth(在该阈值电压Vth情况中，电流开始在驱动晶体管23的源极23s与漏极23d之间流动)或接近于该阈值电压的电压设定为最低电压。
在测试之后将驱动晶体管23连接于有源矩阵电致发光显示面板中的有机电致发光元件Ei，j的像素电极27。驱动晶体管23可以不连接于有机电致发光元件Ei，j的阳极而连接于阴极。
在上述实施例中，不在测试之前而是在测试之后设置有机电致发光元件。除有机电致发光元件之外的任何其它电流-音调-控制发光元件也可以在测试之后而不是在测试之前设置。
在上述实施例中，将从覆盖信号线Y1至Yn的绝缘膜中暴露出的端子TY1至TYn布置于晶体管阵列板1的有效上边11处。可以将该端子不布置于有效上边11处而是布置于有效下边12处或者在有效上边11和有效下边12处都布置。
当信号线Y1至Yn的每一个的两个端子在有效上边11和有效下边12处从绝缘膜中暴露出来时，一个端子可以连接于用于显示驱动的电流驱动器，而另一个端子可以连接于用于测试的多路转换器103。相似地，扫描线X1至Xm的端子TX1至TXm可以在晶体管阵列板1的有效右边14处从覆盖扫描线X1至Xm的绝缘膜中暴露出来。供给线Z1至Zm的端子TZ1至TZm可以在晶体管阵列板1的有效左边13处从覆盖供给线Z1至Zm的绝缘膜中暴露出来。
在上述实施例中，将信号线Y1至Yn垂直于扫描线X1至Xm和供给线Z1至Zm布置。然而，本发明不限于此。信号线Y1至Yn可以布置为平行于扫描线X1至Xm或供给线Z1至Zm。相似地，扫描线X1至Xm不需要总是平行于供给线Z1至Zm布置。
在上述实施例中，从可变电压源105输出的被调制的电压对于每一个像素电路为线性的。相反，该电压可以为非线性的。或者，该电势可以逐步上升或下降，如图10中所示。
在上述实施例中，可变电压源105输出多个音调电势，且像素电路D1，1至Dm，n流过具有与多个音调电势相应的电流值的电流，从而确定像素电路D1，1至Dm，n是否对于多个音调正常流过音调电流。相反，可变电压源105可以仅输出一个音调电势，且像素电路D1，1至Dm，n流过具有与该音调电势相应的电流值的电流，从而确定像素电路D1，1至Dm，n对于该单个音调是否正常流过单个音调电流。

Claims (15)

1、一种像素电路板(1)，包括：
至少一个像素电路(Di，j)，具有驱动晶体管(23)；和
至少一个信号线(Yj)，其连接于该像素电路，并且具有与测试电压相应的电流值的电流从该像素电路的驱动晶体管(23)的漏极到源极的路径流向该至少一个信号线而不影响显示元件(Ei，j)，
其中，所述像素电路包括
写晶体管(21)，其将该驱动晶体管的源极和漏极的其中之一电连接于该信号线以向该信号线供给来自该驱动晶体管的漏极至源极路径的电流，和
保持晶体管(22)，其向该驱动晶体管的栅极施加预定电压以设定一种状态，在该状态中电流可以流向该驱动晶体管的该漏极至源极路径。
2、根据权利要求1的像素电路板，其还包括至少一个扫描线(Xi)和至少一个供给线(Zi)，且
其中该写晶体管(21)具有连接于所述扫描线的栅极以及漏极和源极，该漏极和源极其中之一连接于该信号线，
该保持晶体管(22)具有连接于所述扫描线的栅极以及漏极和源极，该漏极和源极其中之一连接于该供给线，和
该驱动晶体管(23)的栅极连接于所述保持晶体管的漏极和源极中的另一个，该驱动晶体管的漏极和源极的其中之一连接于所述供给线，而该漏极和源极中的另一个连接于所述写晶体管的漏极和源极中的另一个。
3、根据权利要求1的像素电路板，其中所述保持晶体管将预定电压施加到所述驱动晶体管的栅极以设定所述状态，在该状态中，在测试之后的操作中的选择周期期间所述电流流向所述驱动晶体管的所述漏极至源极路径，并在操作中的发光周期期间保持在测试之后的操作中的选择周期期间施加到所述驱动晶体管栅极的电压。
4、根据权利要求1的像素电路板，其中，所述写晶体管将所述驱动晶体管的源极和漏极的其中之一电连接于所述信号线，从而在测试之后的操作中的选择周期期间将来自所述驱动晶体管的漏极至源极路径的电流供给到所述信号线，并在测试后的操作中的发光周期期间将所述驱动晶体管的所述源极和漏极的其中之一与所述信号线断开。
5、根据权利要求2的像素电路板，其中，所述驱动晶体管的源极和漏极的其中之一电连接于像素电极(27)。
6、根据权利要求1至5的任意一项的像素电路板，其中，在所述测试时不设置所述显示元件。
7、根据权利要求1至5的任意一项的像素电路板，其中，在所述测试时，所述像素电路连接于所述显示元件。
8、根据权利要求1至7的任意一项的像素电路板，其中，所述显示元件为根据流向所述像素电路的电流来发射光的元件。
9、一种像素电路板(1)的测试方法，包括：
准备步骤，用于准备像素电路(Di，j)，该像素电路包括，
驱动晶体管(23)，
写晶体管(21)，其将该驱动晶体管的源极和漏极的其中之一电连接于该信号线以向该信号线供给来自该驱动晶体管的漏极至源极路径的电流，和
保持晶体管(22)，其向该驱动晶体管的栅极施加预定电压以设定一种状态，在该状态中电流可以流向该驱动晶体管的该漏极至源极路径，
选择该像素电路(Di，j)的选择步骤；和
测试电流步骤，使具有与测试电压相应的电流值的电流从所述像素电路的驱动晶体管的漏极至源极路径中流出到该信号线而不影响显示元件(Ei，j)。
10、根据权利要求9的像素电路板测试方法，其中
在所述选择步骤中，导通该保持晶体管(22)和该写晶体管(21)，该保持晶体管(22)向该驱动晶体管(23)的栅极施加预定电压以设定电流流向所述驱动晶体管的漏极至源极路径的状态，以设定可以将来自该驱动晶体管的漏极至源极路径的电流供给到所述信号线的状态，和
在所述测试电流步骤中，将预定电压施加到所述驱动晶体管的漏极至源极路径以接收流向该驱动晶体管的漏极至源极路径的的电流。
11、根据权利要求10的像素电路板测试方法，其中根据流向所述驱动晶体管的漏极至源极路径的的电流来确定该驱动晶体管、该写晶体管和该保持晶体管是否正常。
12、根据权利要求10的像素电路板测试方法，其中
在所述选择步骤中，从连接于所述写晶体管和所述保持晶体管的扫描线(Xi)输入用来导通该写晶体管和该保持晶体管的信号，和
在所述测试电流步骤中，向连接于所述驱动晶体管的源极和漏极的另一个的供给线(Zi)施加预定电压以接收流经该供给线、该驱动晶体管的漏极至源极路径、该写晶体管和该信号线的电流。
13、根据权利要求10至12中的任意一项的像素电路板测试方法，其中
提供多个信号线；
提供多个像素电路，每个像素电路具有所述驱动晶体管、写晶体管和保持晶体管，该像素电路连接于该信号线，并且
在所述测试电流步骤中，顺序地接收该多个信号线的电流。
14、一种测试设备，包括：
电表(106)，其测量具有与测试电压相应的电流值的电流，该电流从像素电路(Di，j)的驱动晶体管的漏极至源极路径中流出到信号线而不影响显示元件(Ei，j)，
其中该像素电路包括，
该驱动晶体管(23)，
写晶体管(21)，在测试期间，其将该驱动晶体管的源极和漏极的其中之一电连接于该信号线以向该信号线供给来自该驱动晶体管的漏极至源极路径的电流，和
保持晶体管(22)，其向该驱动晶体管的栅极施加预定电压以设定一种状态，在该状态中电流可以流向该驱动晶体管的该漏极至源极路径。
15、根据权利要求14的测试设备，还包括电路(104)，其导通该写晶体管(21)和该保持晶体管(22)。
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