CN100419901C - 具有用于读写操作的不同突发顺序寻址的存储器件 - Google Patents

具有用于读写操作的不同突发顺序寻址的存储器件 Download PDF

Info

Publication number
CN100419901C
CN100419901C CNB028175816A CN02817581A CN100419901C CN 100419901 C CN100419901 C CN 100419901C CN B028175816 A CNB028175816 A CN B028175816A CN 02817581 A CN02817581 A CN 02817581A CN 100419901 C CN100419901 C CN 100419901C
Authority
CN
China
Prior art keywords
address
word
memory
memory device
array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB028175816A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1554097A (zh
Inventor
J·W·扬岑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Technology Inc
Original Assignee
Micron Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micron Technology Inc filed Critical Micron Technology Inc
Publication of CN1554097A publication Critical patent/CN1554097A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100419901C publication Critical patent/CN100419901C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/1018—Serial bit line access mode, e.g. using bit line address shift registers, bit line address counters, bit line burst counters
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/1018—Serial bit line access mode, e.g. using bit line address shift registers, bit line address counters, bit line burst counters
    • G11C7/1021—Page serial bit line access mode, i.e. using an enabled row address stroke pulse with its associated word line address and a sequence of enabled column address stroke pulses each with its associated bit line address
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/103—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using serially addressed read-write data registers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/04—Arrangements for selecting an address in a digital store using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter

Abstract

一种寻址方案及其关联硬件允许进行两种不同类型的存取，一种用于读出，一种用于写入。按照本发明构成的存储器件包括多个存储单元阵列。为从多个存储单元读出信息和向多个存储单元写入信息而提供外围设备。所述外围设备包括：重排序电路，它对某些地址位作出响应而将从多个阵列接收的位排序；以及地址定序器，用于在读出操作时将某些地址位路由到所述重排序电路。本发明的方法包括在从存储器件输出至少一个n位字之前，按照某些地址位中的信息把从存储器阵列输出的n位字块重排序。

Description

具有用于读写操作的不同突发顺序寻址的存储器件
技术领域
本发明针对存储器件，更具体地说，针对存储器件的信息读出和信息写入的方法和电路。
背景技术
计算机设计人员不断地在寻求允许设计更快的计算机的更快的存储器件。对计算机运行速度的一个重要限制就是在处理器和存储器电路之间传送数据(例如读出或写入数据的传送)所需要的时间。诸如动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、快闪存储器等存储器件通常包含大量的存储单元，这些存储单元排列成一个或多个阵列，每个阵列由行和列组成。每个存储单元提供一个位置，处理器可以在此位置存储和检索一位数据，有时称为存储位或mbit。处理器存取存储单元中的数据越快，它利用所述数据进行计算或执行程序就越快。
图1部分地示出典型的计算机系统的体系结构。中央处理单元(CPU)或处理器10连接到处理器总线12，处理器总线12又连接到系统或存储器控制器14。存储器控制器14还可以连接到扩展总线16。存储器控制器14作为处理器10和存储器件18之间的接口电路。处理器10发出指令和地址，这些指令和地址由存储器控制器14接收和翻译。存储器控制器14将已翻译的指令信号通过多条指令线20加到存储器件18上，并且将已翻译的地址通过多条地址线22加到存储器件18上。这些指令信号在本专业中已众所周知，如果是DRAM，这些指令信号包括RAS(行地址选通)、CAS(列地址选通)、WE(允许写入)和OE(允许输出)。还通过CLK线24提供时钟信号。与所述由处理器发出的指令和地址相对应地，经由数据通路线26在控制器14和存储器18之间传送数据。
存储器18通常包括许多存储器队列(ranks)27，图2中示出一个典型的存储器队列。在此实例中，存储器队列27配置成用于64位系统，具有八个8位存储器电路28(0)-28(7)。将指令信号RAS、CAS和WE加到存储器队列27中的所有存储器电路28(0)-28(7)上。在具有附加队列的存储器18(图1)中，向每个队列提供单独的CS指令信号。因此，指令信号CS常称为特定队列的指令信号。地址总线22连接到队列27中的所有存储器电路28(0)-28(7)和存储器18的所有其它队列(未示出)中的所有其它存储器电路(未示出)，因此地址总线22常称作为全局连接总线。
同步DRAM(SDRAM)是一种能依靠内部运行高速地顺序存取某一范围地址的存储器件。在典型的SDRAM中，100兆字节/秒或更大的读写速率是可能的。为达此高速，SDRAM的读写是以突发模式进行的。突发模式是一种地址存取模式，此时不断以2、4或8位字的块的形式读出或写入具有相同行地址的数据。此外，要存取块中的这些字，只需提供所述块的起始地址。随后，其余的地址则根据其工作模式(顺序或隔行)在SDRAM中自动生成。工作模式由来自CPU的地址序列决定。用于每种突发地址序列方法的地址，在顺序模式中，是通过加上突发开始地址和内部计数器的输出的方法来产生的。在隔行模式中，所述地址是通过对突发开始地址和内部计数器输出进行“异或”运算来产生的。相同卷绕(same wrap)模式既用于读操作又用于写操作，所有的列地址也用于读操作又用于写操作。
随着时钟速度提高到200MHz以上(例如RDRAM或SLDRAM)，DRAM的核心运行并不以同样的速率增加。所以，DRAM在内部完成对4个或8个字的读写，然后顺序地将字输出到外部总线上。由于传送的是整组的数据字，所以最低有效列地址就不再发送到DRAM。
这个解决方案对于从控制器到DRAM的写入数据很有效，因为能与高速缓存填充对准。但由于在读出时同时传送整块数据字，因此，控制器不能总是最先接收到最关键的字，这就增加了系统的等待时间。因此，需要一种高时钟速率的DRAM存储器，它既支持数据字的块传送，同时又能将最关键的字最先发送到控制器。还需要一种在存储器控制器和DRAM之间的通信协议来支持这种新特征。
发明内容
根据本发明的一个方面，一种存储器件，它包括多个存储单元的阵列(42)和外围设，用于从所述多个存储单元中读出信息和向所述多个存储单元写入信息，改进部分包括：重排序电路，它对某些地址位作出响应而将从所述多个存储单元的阵列接收的字组排序；以及地址定序器，用于在读出操作时将某些所述地址位路由到所述重排序电路，在写入操作时则忽略所述某些地址位，而所述某些地址位识别所述字组中需首先输出的任一个字。
根据本发明的另一个方面，一种系统，它包括：
处理器；
对所述处理器作出响应的存储器控制器；
第一总线，它将所述处理器与所述存储器控制器互连；
多个存储器件；以及
第二总线，它将所述存储器控制器与所述多个存储器件互连，每个存储器件包括：
多个存储单元的阵列；
对指令和地址信号作出响应的第一组外围设备，所述第一组外围设备包括：
第二电路，用于在读出操作中将列地址的至少两位最低有效位路由到电路，其中，所述第二电路在写入操作时忽略所述某些地址位；以及
对数据作出响应的第二组外围设备，所述第二组外围设备包括：
所述电路，它对某些地址位作出响应而将从所述多个存储单元的阵列接收的字组排序，所述某些地址位识别所述字组中需首先输出的任一个字。
根据本发明的又一个方面，一种方法，所述方法包括以下步骤：
在输出n位字块之前，按照某些地址位中的信息将从存储器的阵列输出的所述n位字块重排序，其中，可以首先输出所述各n位字中的任一个，并且；
在将至少一个n位字输入所述存储器的阵列之前，忽略所述某些地址位。本发明是一种寻址方案及其关联硬件，用于进行两种不同类型的存取，一种用于读出，一种用于写入。按照本发明构成的存储器件包括多个存储单元阵列。为从多个存储单元读出信息和向多个存储单元写入信息而提供外围设备，所述外围设备包括：
重排序电路，它对某些地址位作出响应而把从多个阵列接收的位重排序；以及
地址定序器，用于在读出操作时将某些地址位路由到所述重排序电路。
本发明的方法包括：在从存储器件输出至少一个n位字之前，按照某些地址位中的信息将从存储器阵列输出的n位字的块重排序。在示范实施例中，所述方法用于存取DRAM并且包括以下步骤：
利用存储体地址输入端上的数值来选择阵列存储体；
利用在输入端A3-Ai上提供的列地址，其中i为最高有效列地址；
利用在输入端A0-A2上提供的列地址来识别读访问的突发次序；
在写访问时忽略在输入端A0-A2上提供的列地址。
这样，读出时，由最高有效列地址位来识别特定的8位突发，而最低有效位CA0-CA2识别最关键字和所述关键字后的读出卷绕序列。写入时，所述突发则由最高有效列地址来识别，CA0-CA2为“不必关心”位，假定为000。其它实施方案也是可能的。
从使读访问不同于写访问所得到的一个重要特征就是可以以这样的方式进行读出，使得关键字由存储器控制器所利用，以便支持间插突发模式。另一方面，可以基于起始顺序突发来简化写入，因为可以从高速缓存中保持的数据来产生写入数据。本发明通过将关键字最先提供给存储器控制器来改善系统等待时间。以上以及其它优点和好处从以下对优选实施例的说明中就可一目了然。
附图说明
为使本发明易于理解和便于实施，结合以下附图对本发明加以说明，其目的是作说明而非限制，附图中：
图1是计算机系统体系结构的原理框图；
图2是存储器电路的存储体的方框图；
图3是用于实现本发明的突发读出排序的体系结构的简化方框图；
图4A、4B和4C分别示出在512兆位x4部分、x8部分和x16部分中寻址以识别关键字的卷绕起始位置；以及
图5是本发明可以用于其中的计算机系统的简化方框图。
具体实施方式
图3示出能实现本发明的突发读出排序的DRAM的体系结构的简化方框图。DRAM存储器件29包括指令/地址输入缓存器30，它对指令总线或指令线以及地址总线或地址线作出响应。指令解码器和定序器32以及地址定序器34各自对指令/地址输入缓存器30作出响应。
存储体地址解码器36对地址定序器34作出响应，而存储体控制逻辑38对存储体地址解码器36作出响应。一系列行锁存器/解码器/驱动器40对存储体控制逻辑38和地址定序器34作出响应。为每个存储器阵列42提供一个行锁存器/解码器/驱动器40。图3所示为8个存储器阵列，标为存储体0到存储体7。相应地，有8个行锁存器/解码器/驱动器电路40，它们各自对存储体0到存储体7中的一个作出响应。
列地址锁存器/解码器电路44对地址定序器34作出响应。I/O门电路46对列锁存器/解码器电路44作出响应，以便控制每一个存储器阵列42中的读出放大器。指令/地址输入缓存器30、指令解码器和定序器32、地址定序器34、存储体地址解码器36、存储体控制逻辑38、行锁存器/解码器/驱动器40、列锁存器/解码器电路44以及I/O门电路46可以认为是对阵列总线和地址总线作出响应的第一组外围设备。将上述元件描述为第一组外围设备是为了对当前的优选实施例提供说明，而不是将本发明的范围限制在仅有上述设备。本专业的普通技术人员会认识到可以使用其它的设备组合来实现所述第一组外围设备。
或者为了写入操作或者为了读出操作，可以通过多个数据小缓冲器48访问DRAM 29。执行写入操作时，数据小缓冲器48上的数据由接收器50接收并传送到输入寄存器52。写入缓冲器54缓存接收的数据，再将其输入到写入锁存器和驱动器电路56，通过I/O门电路46输入到存储器阵列42。
通过I/O门电路46把要从存储器阵列42读出的数据输出到读出锁存器58。信息从读出锁存器58输入到复用器/重排序器电路60，所述电路60通过驱动器62将数据输出到数据小缓冲器48。接收器50、输入寄存器52、写入缓冲器54、写入锁存器和驱动器电路56、I/O门电路46、读出锁存器58、复用器/重排序器电路60以及驱动器62组成对数据作出响应的第二组外围设备。将上述元件描述为第二组外围设备是为了对当前的优选实施例提供说明，而不是将本发明的范围限制在仅有上述设备。本专业的普通技术人员会认识到可以使用其它设备组合来实现所述第二组外围设备。
一般来说，重排序器电路60的目的是按照在某些地址位中的信息将存储器阵列42输出的n位字的块重排序。如图3所示，在复用器/重排序器电路60的输入端，有8个8位字可用。复用器/重排序器电路60还接收列地址的三个最低有效位(CA0-CA2)。这三个最低有效位识别8个8位字块中的最关键字，以便识别应最先输出的字以及卷绕从何处开始，即，所述读出以关键字开始并且如果关键字不是位置0的字而是其它字，则所述读出从位置7卷绕回位置1，以便完成所述读出。
更具体地说，按照本发明的一个优选实施例，当接收到读出指令时，存储体地址输入端BA0和BA1(未示出)上的数值选择存储器阵列42之一。随后接收到地址信息，所述地址信息识别每个阵列42中的一行或多行。设置在输入端A3到Ai(对x16部分i等于8，对x8部分i等于9，对x4部分i等于10)上的地址选择开始列位置。参考图3，对x8部分，输入端A0到Ai上的数值是CA3-CA9。把最低有效位(CA0-CA2)中的信息输入到复用器/重排序器电路60。这些数值在输入端A0到A2可得到。所述信息识别由复用器/重排序器电路60最先输出的最关键字。图4A、4B和4C分别示出关于512兆位x4部分，x8部分和x16部分的寻址。
执行写入操作时，存储体的识别方式和在读出操作时相同。同理，也以同样方式识别起始列地址。但在写入操作时，输入端A0-A2上的信号被忽略，假定它们是很低的信号。
本发明是一个寻址方案，它使读出可以包括间插突发模式，使得可以向控制器提供关键字，同时把写入简化为起始序列突发。在优选实施例中，总是以8位的突发长度访问DRAM。把所有写入突发都变址为起始位置，等于CA0＝0、CA1＝0和CA2＝0。对于读出，CA0、CA1和CA2规定了从DRAM 29读出的第一个数据字。其余7个数据字的读出如表1所示。
表1写入和读出交插顺序
  起始列(CA0-CA1-CA2)   数据字写入顺序   数据字读出顺序
  000   0-1-2-3-4-5-6-7   0-1-2-3-4-5-6-7
  001   0-1-2-3-4-5-6-7   1-0-3-2-5-4-7-6
  010   0-1-2-3-4-5-6-7   2-3-0-1-6-7-4-5
  011   0-1-2-3-4-5-6-7   3-2-1-0-7-6-5-4
  100   0-1-2-3-4-5-6-7   4-5-6-7-0-1-2-3
  101   0-1-2-3-4-5-6-7   5-4-7-6-1-0-3-2
  110   0-1-2-3-4-5-6-7   6-7-4-5-2-3-0-1
  111   0-1-2-3-4-5-6-7   7-6-5-4-3-2-1-0
图5是可以在其中实现本发明的计算机系统110的一个实例的方框图。计算机系统110包括处理器112、存储器子系统114和扩展总线控制器116。存储器子系统114和扩展总线控制器116通过本机总线118连接到处理器112。扩展总线控制器116也连接到至少一条扩展总线120，各种外围设备，诸如大容量存储装置、键盘、鼠标、图形适配器、以及多媒体适配器等都可连接到所述扩展总线120。可以把处理器112和存储器子系统114集成在单一芯片上。
存储器子系统114包括存储器控制器124，它通过多条信号线129、130、129a、130a、129b、130b、129c和130c连接到多个存储器模块125、126。多条数据信号线129、129a、129b、129c由存储器控制器124和存储器模块125、126用来交换数据DATA。通过多条地址信号线132发送地址ADDR，通过时钟线133施加时钟信号CLK，并且通过多条指令信号线134发送指令CMD。存储器模块125、126包括多个存储器件136-139、136’-139’以及寄存器141、141’。每个存储器件136-139、136’-139’都可以是高速同步存储器件。虽然图5中只示出了两个存储器模块125、126和关联的信号线129-129c、130-130c，但是应当指出，可以使用任何数量的存储器模块。
将存储器模块125、126连接到存储器控制器124的多条信号线129-129c、130-130c、132、133、134统称为存储器总线143。存储器总线143还可具有本专业中众所周知的附加信号线，例如芯片选择线，为简明起见未予示出。横跨存储器总线143的每一列存储器件136-139、136’-139’称为存储器队列。一般，单侧存储器模块，例如图5所示模块，包括一个存储器队列。但也可使用含有两个存储器队列的双侧存储器模块。
与时钟信号CLK同步地顺序地输出读出数据，所述时钟信号被驱动通过多条时钟信号线130、130a、130b、130c。与时钟信号CLK同步地顺序地输入写入数据，所述时钟信号由存储器控制器124驱动通过多条时钟信号线130、130a、130b、130c。也利用时钟信号CLK来对指令信号和地址信号计时，所述时钟信号由存储器控制器124驱动通过存储器模块125、126的寄存器141、141’到达终端连接器148。指令、地址和时钟信号线134、132、133分别直接连接到存储器模块125、126的寄存器141、141’。寄存器141、141’缓存这些信号，然后将它们分别分配到存储器模块125、126的存储器件136-139、136’-139’。
虽然已结合优选实施例对本发明作了说明，但本专业的普通技术人员应理解，许多修改和变化是可能的。这些修改和变化仍包括在本发明的范围之内，本发明的范围仅由以下权利要求书所限定。

Claims (13)

1. 一种存储器件(29)，它包括多个存储单元的阵列(42)和外围设备(30、32、34、36、38、40、44、46、50、52、54、56、58、60、62)，用于从所述多个存储单元中读出信息和向所述多个存储单元写入信息，改进部分包括：重排序电路(60)，它对某些地址位作出响应而将从所述多个存储单元的阵列(42)接收的字组排序；以及地址定序器(34)，用于在读出操作时将某些所述地址位路由到所述重排序电路(60)，在写入操作时则忽略所述某些地址位，而所述某些地址位识别所述字组中需首先输出的任一个字。
2. 如权利要求1所述的存储器件(29)，其特征在于：所述地址定序器(34)路由列地址的至少两位最低有效位。
3. 如权利要求1所述的存储器件(29)，其特征在于：所述重排序电路(60)从所述多个存储单元的阵列(42)接收n位字的块并对所述某些地址位识别特定的n位字作出响应而输出所述特定的n位字。
4. 如权利要求1所述的存储器件(29)，其特征在于：所述存储器件(29)包括DRAM。
5. 如权利要求1所述的存储器件(29)，其特征在于：所述地址定序器(34)对指令线和地址线作出响应。
6. 如权利要求1所述的存储器件(29)，其特征在于：数据小缓冲器对所述重排序电路(60)作出响应。
7. 一种系统，它包括：
处理器(112)；
对所述处理器(112)作出响应的存储器控制器(124)；
第一总线(118)，它将所述处理器(112)与所述存储器控制器(124)互连；
多个存储器件(136、136’、137、137’、138、138’、139、139’)；以及
第二总线(143)，它将所述存储器控制器(124)与所述多个存储器件(136、136’、137、137’、138、138’、139、139’)互连，每个存储器件包括：
多个存储单元的阵列(42)；
对指令和地址信号作出响应的第一组外围设备(30、32、34、36、38、40、44、46)，所述第一组外围设备包括：
第二电路(34)，用于在读出操作中将列地址的至少两位最低有效位路由到电路(60)，其中，所述第二电路(34)在写入操作时忽略某些地址位；以及
对数据作出响应的第二组外围设备(50、52、54、56、58、60、62)，所述第二组外围设备包括：
所述电路(60)，它对某些地址位作出响应而将从所述多个存储单元的阵列接收的字组排序，所述某些地址位识别所述字组中需首先输出的任一个字。
8. 如权利要求7所述的系统，其特征在于：所述电路(60)从所述多个存储单元的阵列(42)接收n位字的块并对所述某些地址位识别特定的n位字作出响应而输出所述特定的n位字。
9. 如权利要求7所述的系统，其特征在于：所述多个存储器件(29)包括多个DRAM.。
10. 一种方法，所述方法包括以下步骤：
在输出n位字的块之前，按照某些地址位中的信息将从存储器的阵列输出的所述n位字的块重排序，其中，可以首先输出所述n位字中的任一个，并且；
在将至少一个n位字输入所述存储器的阵列之前，忽略所述某些地址位。
11. 如权利要求10所述的方法，其特征在于还包括检查列地址的至少两个最低有效位，并且所述重排序是对所述检查作出响应。
12. 如权利要求10所述的方法，其特征在于还包括：
对行地址和某些列地址位作出响应而从多个存储器的阵列中输出n位字的块；其中，所述重排序包括：
对所述列地址的某些其它位作出响应而控制从所述存储器件输出所述n位字的次序。
13. 如权利要求12所述的方法，其特征在于所述输出还包括：
利用存储体地址输入端上的数值来选择阵列存储体；
利用在输入端A3-Ai上提供的列地址来识别执行读出或写入访问的起始列地址，其中i为最高有效列地址；
利用在输入端A0-A2上提供的列地址来识别执行读出访问的突发次序；以及
在写访问时忽略在输入端A0-A2上提供的列地址。
CNB028175816A 2001-07-13 2002-07-10 具有用于读写操作的不同突发顺序寻址的存储器件 Expired - Fee Related CN100419901C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/905,004 2001-07-13
US09/905,004 US6779074B2 (en) 2001-07-13 2001-07-13 Memory device having different burst order addressing for read and write operations

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1554097A CN1554097A (zh) 2004-12-08
CN100419901C true CN100419901C (zh) 2008-09-17

Family

ID=25420145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028175816A Expired - Fee Related CN100419901C (zh) 2001-07-13 2002-07-10 具有用于读写操作的不同突发顺序寻址的存储器件

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6779074B2 (zh)
EP (1) EP1415304B1 (zh)
JP (1) JP4199658B2 (zh)
KR (2) KR100595871B1 (zh)
CN (1) CN100419901C (zh)
AT (1) ATE406657T1 (zh)
DE (1) DE60228585D1 (zh)
WO (1) WO2003007303A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104866432A (zh) * 2014-02-24 2015-08-26 斯班逊有限公司 具有绕回-至-连续读取的存储器子系统

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6779074B2 (en) * 2001-07-13 2004-08-17 Micron Technology, Inc. Memory device having different burst order addressing for read and write operations
US6775759B2 (en) 2001-12-07 2004-08-10 Micron Technology, Inc. Sequential nibble burst ordering for data
US7054999B2 (en) * 2002-08-02 2006-05-30 Intel Corporation High speed DRAM cache architecture
US7142461B2 (en) * 2002-11-20 2006-11-28 Micron Technology, Inc. Active termination control though on module register
US20040194500A1 (en) * 2003-04-03 2004-10-07 Broadway Entertainment, Inc. Article of jewelry
KR100612414B1 (ko) * 2003-04-28 2006-08-16 삼성전자주식회사 영상 데이터 처리 시스템 및 영상 데이터 독출/기입 방법
US6982892B2 (en) 2003-05-08 2006-01-03 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for a physical layout of simultaneously sub-accessible memory modules
US20050172091A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-04 Rotithor Hemant G. Method and an apparatus for interleaving read data return in a packetized interconnect to memory
US7916574B1 (en) * 2004-03-05 2011-03-29 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and memory domain translation for memory module
US7519877B2 (en) 2004-08-10 2009-04-14 Micron Technology, Inc. Memory with test mode output
US20060171233A1 (en) * 2005-01-18 2006-08-03 Khaled Fekih-Romdhane Near pad ordering logic
US20060256793A1 (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Freescale Semiconductor, Inc. Efficient multi-bank buffer management scheme for non-aligned data
US8230154B2 (en) * 2007-01-19 2012-07-24 Spansion Llc Fully associative banking for memory
US8239637B2 (en) * 2007-01-19 2012-08-07 Spansion Llc Byte mask command for memories
GB2480192A (en) * 2007-02-02 2011-11-09 Ubiquisys Ltd Determining the location of a base station
US8085801B2 (en) * 2009-08-08 2011-12-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Resource arbitration
KR101796116B1 (ko) 2010-10-20 2017-11-10 삼성전자 주식회사 반도체 장치, 이를 포함하는 메모리 모듈, 메모리 시스템 및 그 동작방법
US8792294B2 (en) * 2012-01-09 2014-07-29 Mediatek Inc. DRAM and access and operating method thereof
US9396109B2 (en) * 2013-12-27 2016-07-19 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for DRAM spatial coalescing within a single channel
CN111796306B (zh) * 2020-07-31 2023-05-02 北京中捷时代航空科技有限公司 一种导航卫星信号接收方法及接收机
CN113299328A (zh) * 2021-05-21 2021-08-24 深圳市格灵精睿视觉有限公司 随机寻址读写控制方法、控制系统及存储介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5402389A (en) * 1994-03-08 1995-03-28 Motorola, Inc. Synchronous memory having parallel output data paths
US5513148A (en) * 1994-12-01 1996-04-30 Micron Technology Inc. Synchronous NAND DRAM architecture
US5784705A (en) * 1996-07-15 1998-07-21 Mosys, Incorporated Method and structure for performing pipeline burst accesses in a semiconductor memory
US5903496A (en) * 1997-06-25 1999-05-11 Intel Corporation Synchronous page-mode non-volatile memory with burst order circuitry
US5917760A (en) * 1996-09-20 1999-06-29 Sldram, Inc. De-skewing data signals in a memory system

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3605150B2 (ja) 1994-08-22 2004-12-22 株式会社アドバンテスト アドレスパターン発生器
US5850368A (en) 1995-06-01 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Burst EDO memory address counter
US5966724A (en) 1996-01-11 1999-10-12 Micron Technology, Inc. Synchronous memory device with dual page and burst mode operations
US5749086A (en) 1996-02-29 1998-05-05 Micron Technology, Inc. Simplified clocked DRAM with a fast command input
US6640266B2 (en) * 2000-03-24 2003-10-28 Cypress Semiconductor Corp. Method and device for performing write operations to synchronous burst memory
US6779074B2 (en) * 2001-07-13 2004-08-17 Micron Technology, Inc. Memory device having different burst order addressing for read and write operations

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5402389A (en) * 1994-03-08 1995-03-28 Motorola, Inc. Synchronous memory having parallel output data paths
US5513148A (en) * 1994-12-01 1996-04-30 Micron Technology Inc. Synchronous NAND DRAM architecture
US5784705A (en) * 1996-07-15 1998-07-21 Mosys, Incorporated Method and structure for performing pipeline burst accesses in a semiconductor memory
US5917760A (en) * 1996-09-20 1999-06-29 Sldram, Inc. De-skewing data signals in a memory system
US5903496A (en) * 1997-06-25 1999-05-11 Intel Corporation Synchronous page-mode non-volatile memory with burst order circuitry

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104866432A (zh) * 2014-02-24 2015-08-26 斯班逊有限公司 具有绕回-至-连续读取的存储器子系统

Also Published As

Publication number Publication date
KR100595871B1 (ko) 2006-06-30
US6779074B2 (en) 2004-08-17
WO2003007303A2 (en) 2003-01-23
US20050243642A1 (en) 2005-11-03
US20040196691A1 (en) 2004-10-07
JP2004536417A (ja) 2004-12-02
DE60228585D1 (de) 2008-10-09
KR20060010849A (ko) 2006-02-02
ATE406657T1 (de) 2008-09-15
WO2003007303A3 (en) 2003-11-06
US6931483B2 (en) 2005-08-16
CN1554097A (zh) 2004-12-08
EP1415304B1 (en) 2008-08-27
JP4199658B2 (ja) 2008-12-17
EP1415304A2 (en) 2004-05-06
KR20040030049A (ko) 2004-04-08
KR100679370B1 (ko) 2007-02-05
US7082491B2 (en) 2006-07-25
US20030018845A1 (en) 2003-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100419901C (zh) 具有用于读写操作的不同突发顺序寻址的存储器件
CN100361095C (zh) 具有内部高速缓存和/或内存访问预测的内存集线器
KR100661419B1 (ko) 불휘발성 반도체 기억 장치 및 반도체 디스크 장치
US7340584B2 (en) Sequential nibble burst ordering for data
KR100246868B1 (ko) 디램 시스템, 디램 시스템의 동작 방법
US7159067B2 (en) Information processing apparatus using index and TAG addresses for cache
KR20000077262A (ko) 캐시의 사용이 선택될 수 있는 반도체 메모리 디바이스
KR100647443B1 (ko) 보조 명령버스용 장치 및 방법
KR100468634B1 (ko) 데이터 전송 제어장치, 반도체 메모리 장치 및 전자정보장치
KR100721582B1 (ko) 직렬 입/출력 인터페이스를 가진 멀티 포트 메모리 소자
CN111679786A (zh) 存储设备、操作存储设备的方法及存储系统
US7523283B2 (en) Memory control circuit in a memory chip
KR100237565B1 (ko) 반도체 메모리장치
US5444852A (en) I/O device interface having buffer mapped in processor memory addressing space and control registers mapped in processor I/O addressing space
JP3189816B2 (ja) 半導体記憶装置
KR100275724B1 (ko) 테스트 타임이 감소되는 고속 반도체 메모리 장치의 입출력 회로
CN114064530A (zh) 存储系统、存储控制器和存储芯片
JPS6079445A (ja) 記憶制御装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080917

Termination date: 20100710